CN112366500B - 激光装置 - Google Patents

Abstract

激光装置具有：腔室，其在内部配置有一对放电电极；气体供给排放装置，其向所述腔室的内部供给激光气体，并排放所述腔室的内部的激光气体；以及控制部，其构成为进行第1控制和第2控制，在该第1控制中，对所述气体供给排放装置进行控制，以一边进行激光振荡，一边向所述腔室内供给第1量的激光气体或从所述腔室内排放第1量的激光气体，在该第2控制中，对所述气体供给排放装置进行控制，以在所述第1控制之前，一边进行所述激光振荡，一边向所述腔室内供给比所述第1量多的第2量的激光气体或从所述腔室内排放所述第2量的激光气体。

Description

激光装置

本申请是基于发明名称为“激光装置”，申请日为2016年9月8日，申请号为201680088582.0(国际申请号为PCT/JP2016/076521)的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本公开涉及激光装置。

背景技术

随着半导体集成电路的微细化、高集成化，在半导体曝光装置中要求分辨率的提高。下面，将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此，正在推进从曝光用光源输出的光的短波长化。在曝光用光源中，代替现有的水银灯而使用气体激光装置。当前，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。

作为当前的曝光技术，如下的液浸曝光已经实用化：利用液体填满曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙，改变该间隙的折射率，由此使曝光用光源的外观波长变短。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下，对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸蚀刻。

KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡中的光谱线宽度较宽，大约为350～400pm，因此，通过曝光装置侧的投影透镜缩小地投影到晶片上的激光(紫外线光)产生色差，分辨率降低。因此，需要对从气体激光装置输出的激光的光谱线宽度进行窄带化，直到成为能够忽略色差的程度为止。光谱线宽度也被称为光谱宽度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件的窄带化光学系统(Line Narrow Module)，通过该窄带化光学系统实现光谱宽度的窄带化。另外，窄带化元件可以是标准具或光栅等。将这样对光谱宽度进行窄带化而得到的激光装置称为窄带化激光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开2006/0239322号说明书

专利文献2：日本特开2002-208746号公报

专利文献3：美国专利申请公开2008/0115342号说明书

发明内容

本公开的一个观点的激光装置具有：腔室，其在内部配置有一对放电电极；气体供给排放装置，其向腔室的内部供给激光气体，并排放腔室的内部的激光气体；以及控制部，其构成为进行第1控制和第2控制，在该第1控制中，对气体供给排放装置进行控制，以一边进行激光振荡，一边向腔室内供给第1量的激光气体或从腔室内排放第1量的激光气体，在该第2控制中，对气体供给排放装置进行控制，以在第1控制之前，一边进行激光振荡，一边向腔室内供给比第1量多的第2量的激光气体或从腔室内排放所述第2量的激光气体。

附图说明

下面，参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。

图1概略地示出比较例的激光装置的结构。

图2是示出比较例的激光装置的激光控制部30进行的能量控制的流程图。

图3是示出比较例的准分子激光装置的气体控制部32进行的激光气体控制的处理的流程图。

图4是示出图3所示的全部气体更换的处理的详细情况的流程图。

图5是示出图3所示的气压控制的处理的详细情况的流程图。

图6是示出图3所示的卤素气体注入控制的处理的详细情况的流程图。

图7是示出图3所示的部分气体更换控制的处理的详细情况的流程图。

图8是示出图3所示的判定是否进行全部气体更换的处理的详细情况的流程图。

图9是示出比较例中的腔室内的气压的变化的曲线图。

图10是示出本公开的第1实施方式的激光装置中的判定是否进行全部气体更换的处理的详细情况的流程图。

图11是示出第1实施方式中的腔室内的气压的变化的曲线图。

图12是示出本公开的第2实施方式的激光装置中的判定是否进行全部气体更换的处理的详细情况的流程图。

图13是示出第2实施方式中的腔室内的气压的变化的曲线图。

图14是示出本公开的第3实施方式的激光装置的气体控制部32进行的激光气体控制的处理的流程图。

图15是示出图14所示的注入排放量的选择的处理的详细情况的流程图。

图16是示出第3实施方式中的腔室内的气压的变化的曲线图。

图17概略地示出本公开的第4实施方式的激光装置的结构。

图18是示出控制部的概略结构的框图。

具体实施方式

<内容>

1.概要

2.用语的说明

3.比较例的激光装置

3.1结构

3.1.1激光振荡系统

3.1.2气体供给排放装置

3.2动作

3.2.1激光振荡系统的动作

3.2.2能量控制

3.2.3激光气体控制

3.2.3.1全部气体更换

3.2.3.2包含气体供给或排放的气压控制

3.2.3.3卤素气体注入控制

3.2.3.4部分气体更换控制

3.2.3.5判定是否进行全部气体更换

3.3课题

4.在腔室刚更换之后、提高全部气体更换的频度的激光装置

5.在腔室刚更换之后、气压达到规定气压后进行全部气体更换的激光装置

6.在腔室刚更换之后、在部分气体更换或卤素气体注入中增大注入排放量的激光装置

7.MOPO系统

8.控制部的结构

下面，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式示出本公开的若干个例子，并不限定本公开的内容。并且，各实施方式中说明的结构和动作不一定全部必须作为本公开的结构和动作。另外，对相同结构要素标注相同参照标号并省略重复说明。

1.概要

本公开的实施方式涉及放电激励式的气体激光装置。进而，本公开的实施方式涉及准分子激光装置。在准分子激光装置中，在腔室中封入包含稀有气体和卤素气体的激光气体。在准分子激光装置中，对配置在腔室中的一对放电电极施加脉冲状的高电压。在一对放电电极之间产生放电后，激光气体被激励。由被激励的激光气体生成的光在光谐振器之间往复，由此被放大，生成激光。

在准分子激光装置中生成激光后，在激光气体中生成杂质，该杂质蓄积在腔室中。激光气体中的杂质吸收激光，或者使放电的状态恶化。为了抑制激光的输出降低，进行使腔室内的气压上升的动作。并且，为了去除激光气体中的杂质，在预先设定的射数或经过时间到来时，还对气体进行更换。

通常，在腔室内的气压上升而达到上限值之前，预先设定的射数或经过时间到来，对气体进行更换。但是，在腔室刚更换之后，腔室内部的部件的表面部分和激光气体中包含的卤素气体反应，有时产生比通常多的杂质。在产生较多杂质的情况下，在上述射数或经过时间到来之前，可能腔室内的气压上升而达到上限值。

本公开的实施方式包含抑制在腔室刚更换之后气压达到上限值的激光气体控制的提案。并且，本公开的实施方式包含执行这种激光气体控制的激光装置的提案。

2.用语的说明

在本说明书中，“钝化”是指如下工序：使腔室内部的部件的表面与卤素气体反应而成为化学上平衡的状态，进行钝化。进行该工序后，在腔室内部的部件的表面形成皮膜，抑制杂质的产生。

3.比较例的激光装置

3.1结构

图1概略地示出比较例的激光装置的结构。

激光装置与曝光装置100一起使用。从激光装置输出的激光入射到曝光装置100。曝光装置100包含曝光装置控制部110。曝光装置控制部110构成为对曝光装置100进行控制。曝光装置控制部110构成为对激光装置中包含的激光控制部30发送目标脉冲能量的设定数据，或者发送发光触发信号。

图1所示的激光装置包含激光振荡系统、激光控制部30、气体供给排放装置40。激光振荡系统包含腔室10、充电器12、脉冲功率模块13、窄带化模块14、输出耦合镜15、压力传感器16、能量监视器17、横流风扇21、马达22。

激光控制部30对激光装置整体的控制进行统括。激光控制部30从能量监视器17接收测定数据。

2.1.1激光振荡系统

激光振荡系统中包含的上述腔室10配置在由窄带化模块14和输出耦合镜15构成的激光谐振器的光路上。在腔室10中设置有2个窗口10a和10b。腔室10中收容一对放电电极11a和11b。腔室10收容激光气体。

在腔室10中形成有开口，电绝缘部29堵住该开口。放电电极11a支承在电绝缘部29上，放电电极11b支承在腔室10的内部分隔板10c上。在电绝缘部29中嵌入有导电部29a。导电部29a将从脉冲功率模块13供给的脉冲状的高电压施加给放电电极11a。

内部分隔板10c不是完全分隔腔室10的内部。内部分隔板10c在图1的纸面的进深侧和近前侧具有用于供激光气体穿过的未图示的间隙。

横流风扇21配置在腔室10的内部。横流风扇21的旋转轴与配置在腔室10的外部的马达22连接。马达22根据激光控制部30的控制信号使横流风扇21旋转。马达22使横流风扇21旋转，由此，激光气体在腔室10的内部进行循环。

充电器12保持用于向脉冲功率模块13供给的电能。脉冲功率模块13包含开关13a。脉冲功率模块13构成为对一对放电电极11a和11b之间施加脉冲状的电压。

窄带化模块14包含棱镜14a和光栅14b等波长选择元件。也可以代替窄带化模块14而使用高反射镜。

输出耦合镜15由部分反射镜构成。

压力传感器16构成为测定腔室10内的激光气体的压力。压力传感器16构成为向气体供给排放装置40中包含的气体控制部32发送压力的测定数据。

能量监视器17包含分束器17a、会聚透镜17b、光传感器17c。分束器17a配置在从输出耦合镜15输出的激光的光路上。分束器17a构成为使从输出耦合镜15输出的激光的一部分朝向曝光装置100以较高透射率进行透射，并且使另一部分进行反射。会聚透镜17b和光传感器17c配置在由分束器17a反射的激光的光路上。会聚透镜17b构成为使由分束器17a反射的激光会聚在光传感器17c上。光传感器17c构成为向激光控制部30发送与由会聚透镜17b会聚的激光的脉冲能量对应的电信号作为测定数据。

3.1.2气体供给排放装置

激光装置中包含的上述气体供给排放装置40可以包含气体控制部32。气体控制部32构成为在与激光控制部30之间发送接收信号。气体控制部32构成为接收从压力传感器16输出的测定数据。

气体供给排放装置40包含配管37、配管38、阀B-V、阀F2-V1、阀F2-V2、质量流量控制器MFC。

配管38与含卤素气体供给源F2连接。在与腔室10连接的配管39上连接配管38，由此，含卤素气体供给源F2能够向腔室10供给含卤素气体。含卤素气体供给源F2是收容了包含氟的激光气体的气瓶。含卤素气体是对氟气、氪气和氖气进行混合后的激光气体。作为含卤素气体的另一例，可以是对氟气或氯气、氩气或氙气、氖气或氦气进行混合后的气体。

阀F2-V1设置在配管38上。配管38在中途分成两股，在其中一方配置有阀F2-V2，在另一方配置有质量流量控制器MFC。通过阀F2-V1与阀F2-V2的组合或阀F2-V1与质量流量控制器MFC的组合，对含卤素气体从含卤素气体供给源F2经由配管39向腔室10的供给进行控制。通过气体控制部32对阀F2-V1、阀F2-V2和质量流量控制器MFC进行控制。

配管37连接在缓冲气体供给源B与配管39之间。配管37与配管39连接，由此，缓冲气体供给源B能够对腔室10供给缓冲气体。缓冲气体是包含氪气和氖气的激光气体。在缓冲气体中几乎不包含卤素气体。或者，在缓冲气体中可以包含浓度比从含卤素气体供给源F2供给的含卤素气体低的卤素气体。作为缓冲气体的另一例，作为稀有气体，可以是包含氩气或氙气、和氖气或氦气的激光气体。

阀B-V设置在配管37上。通过阀B-V的开闭，对缓冲气体从缓冲气体供给源B经由配管39向腔室10的供给进行控制。通过气体控制部32对阀B-V的开闭进行控制。

气体供给排放装置40包含配管36、阀EX-V1、阀EX-V2、卤素气体阱45、排气泵46。

配管36连接在腔室10与装置外部的未图示的排放处理装置等之间。配管36与配管39连接，由此，从腔室10排放的激光气体能够排出到装置外部。

卤素气体阱45设置在配管36上。卤素气体阱45构成为捕捉从腔室10排放的激光气体中包含的卤素气体。作为捕捉卤素气体的处理剂，例如能够使用活性碳。

配管36在中途分成两股，在其中一方配置有阀EX-V1和排气泵46，在另一方配置有阀EX-V2。通过阀EX-V1与排气泵46的组合或阀EX-V2，对气体从腔室10经由卤素气体阱45的排出进行控制。

通过气体控制部32对阀EX-V1和排气泵46进行控制。排气泵46在阀EX-V1打开的状态下，能够将腔室10内的激光气体强制排放到大气压以下的压力。

通过气体控制部32对阀EX-V2进行控制。通过打开阀EX-V2，能够利用腔室10的内部与大气压的压力差排放腔室10内的激光气体的一部分。

3.2动作

3.2.1激光振荡系统的动作

激光控制部30从曝光装置控制部110接收目标脉冲能量的设定数据和发光触发信号。激光控制部30根据从曝光装置控制部110接收到的目标脉冲能量的设定数据，向充电器12发送充电电压的设定数据。并且，激光控制部30根据从曝光装置控制部110接收到的发光触发信号，向脉冲功率模块(PPM)13中包含的开关13a发送触发信号。

脉冲功率模块13的开关13a从激光控制部30接收触发信号后，成为接通状态。脉冲功率模块13在开关13a成为接通状态后，根据被充电器12充入的电能生成脉冲状的高电压，将该高电压施加给一对放电电极11a和11b。

在对一对放电电极11a和11b之间施加脉冲状的高电压后，在一对放电电极11a和11b之间引起放电。通过该放电的能量，腔室10内的激光气体被激励，向高能级跃迁。然后，被激励的激光气体向低能级跃迁时，放出与该能级差对应的波长的光。

腔室10内产生的光经由窗口10a和10b向腔室10的外部射出。从腔室10的窗口10a射出的光被棱镜14a放大波束宽度，入射到光栅14b。从棱镜14a入射到光栅14b的光被光栅14b的多个槽反射，并且在与光的波长对应的方向上进行衍射。光栅14b被进行利特罗配置，使得从棱镜14a入射到光栅14b的光的入射角和期望波长的衍射光的衍射角一致。由此，期望波长附近的光经由棱镜14a返回到腔室10。

输出耦合镜15使从腔室10的窗口10b射出的光中的一部分透射而输出，使另一部分反射而返回到腔室10。

这样，从腔室10射出的光在窄带化模块14与输出耦合镜15之间往复。每当穿过一对放电电极11a和11b之间的放电空间时，该光被放大。并且，每当在窄带化模块14折返时，该光被窄带化。这样进行激光振荡并被窄带化的光作为激光从输出耦合镜15输出。

能量监视器17检测从输出耦合镜15输出的激光的脉冲能量。能量监视器17向激光控制部30发送所检测到的脉冲能量的数据。

激光控制部30根据从能量监视器17接收到的脉冲能量的测定数据和从曝光装置控制部110接收到的目标脉冲能量的设定数据，对充电器12中设定的充电电压进行反馈控制。

3.2.2能量控制

图2是示出比较例的激光装置的激光控制部30进行的能量控制的流程图。激光控制部30通过以下处理对充电器12的充电电压进行控制，使得所输出的激光的脉冲能量接近目标脉冲能量。

首先，激光控制部30读入激光的目标脉冲能量Et的值(S10)。目标脉冲能量Et的值例如是由曝光装置控制部110请求的值。

接着，激光控制部30判定是否进行了激光振荡(S11)。根据激光控制部30是否对充电器12和脉冲功率模块13发送了激光振荡用的各种信号，判定是否进行了激光振荡。或者，根据激光控制部30是否从能量监视器17接收到脉冲能量E的数据，判定是否进行了激光振荡。

接着，激光控制部30读入激光的脉冲能量E的值(S12)。作为脉冲能量E的值，读入从能量监视器17接收到的值。

接着，激光控制部30对激光的脉冲能量E的值和目标脉冲能量Et的值进行比较(S13)。

在脉冲能量E的值与目标脉冲能量Et的值相等的情况下(E＝Et)，激光控制部30使充电器12的充电电压V维持当前的充电电压V(S14：V＝V)。

在脉冲能量E的值小于目标脉冲能量Et的值的情况下(E<Et)，激光控制部30使充电器12的充电电压V上升到对当前的充电电压V加上规定的增减幅度ΔV而得到的值(S15：V＝V+ΔV)。由此，能够使脉冲能量E上升而接近目标脉冲能量Et。

在脉冲能量E的值大于目标脉冲能量Et的值的情况下(E>Et)，激光控制部30使充电器12的充电电压V降低到从当前的充电电压V中减去规定的增减幅度ΔV而得到的值(S16：V＝V-ΔV)。由此，能够使脉冲能量E降低而接近目标脉冲能量Et。

在激光装置反复进行放电而在激光气体中蓄积杂质后，脉冲能量E容易降低。因此，在激光气体中蓄积有杂质的情况下，只要气压及其他条件不变，则通过S15的处理，充电电压V容易上升。

在S14～S16中的任意步骤所示的充电电压V的控制结束后，激光控制部30将充电电压V的数据写入存储部中(S17)。作为存储部，例如使用后述存储用存储器1005。或者，激光控制部30可以向气体控制部32发送充电电压V的数据。

接着，激光控制部30判定充电电压V是否为最大值Vmax2以上(S18)。在充电电压V为最大值Vmax2以上的情况下(V≧Vmax2)，激光的发光效率较差，因此，需要停止激光振荡，进行全部气体更换或腔室的维护。因此，结束本流程图的处理。在充电电压V不是最大值Vmax2以上的情况下(V<Vmax2)，返回上述S10，继续控制充电电压V，使脉冲能量E稳定化。

3.2.3激光气体控制

图3是示出比较例的激光装置的气体控制部32进行的激光气体控制的处理的流程图。气体控制部32通过以下处理进行全部气体更换、气压控制、卤素气体注入控制和部分气体更换控制。

首先，在S1000中，气体控制部32将目标卤素分压PF2t设定为初始值PF2t0。作为初始值PF2t0，选择通过一对放电电极11a和11b之间的放电激励激光气体而从腔室10输出脉冲激光的值。初始值PF2t0例如在0.13kPa～0.18kPa的范围内。

接着，在S1100中，气体控制部32向激光控制部30发送激光振荡NG信号。激光振荡NG信号是表示不具备激光振荡用的气体条件的信号。

接着，在S1200中，气体控制部32对气体供给排放装置40进行控制，以进行全部气体更换。不仅在后述的判定为全部气体更换(S2700：是)的情况下，还在刚设置或更换腔室之后进行该全部气体更换的处理。进行全部气体更换，使得腔室10内的卤素分压成为所设定的初始值PF2t0。全部气体更换的详细情况参照图4在后面叙述。

接着，在S1500中，气体控制部32将激光振荡OK信号输出到激光控制部30。激光振荡OK信号是表示具备激光振荡用的气体条件的信号。激光控制部30根据激光振荡OK信号判断为具备腔室10内的气体条件，开始输出脉冲激光。

接着，在S1600中，气体控制部32将计数器N的值设置成初始值0。计数器N是用于计测由激光装置输出的脉冲激光的射数的计数器。

接着，在S1700中，气体控制部32判定是否进行了激光振荡。例如，根据是否从能量监视器17接收到脉冲能量E的值，判定是否进行了激光振荡。或者，可以根据是否从激光控制部30输出了触发信号等激光振荡用的信号，判定是否进行了激光振荡。在未进行激光振荡的情况下(S1700：否)，气体控制部32待机到进行激光振荡为止。在进行了激光振荡的情况下(S1700：是)，气体控制部32使处理进入S1800。

在S1800中，气体控制部32在计数器N的值中加上1，对N的值进行更新。并且，气体控制部32在全部气体更换后的脉冲激光的射数Gshot的值中加上1，对Gshot的值进行更新。全部气体更换后的脉冲激光的射数Gshot参照图4和图8在后面叙述。每当激光装置输出一个脉冲激光时，进行一次S1800的处理，对N的值和Gshot的值进行更新。

接着，在S1900中，气体控制部32对气体供给排放装置40进行控制，以进行气压控制。气压控制的详细情况参照图5在后面叙述。

接着，在S2000中，气体控制部32判定计数器N的值是否为规定值Ng以上。在计数器N的值不是规定值Ng以上的情况下，气体控制部32使处理返回上述S1700。在计数器N的值为规定值Ng以上的情况下，气体控制部32使处理进入S2400。

在S2400中，气体控制部32对气体供给排放装置40进行控制，以进行卤素气体注入控制。卤素气体注入控制的详细情况参照图6在后面叙述。

接着，在S2500中，气体控制部32对气体供给排放装置40进行控制，以进行部分气体更换控制。部分气体更换控制的详细情况参照图7在后面叙述。

这里，说明了每当射数达到规定值Ng时、接着S2400的处理进行S2500的处理的情况，但是，本公开不限于此。也可以选择S2400和S2500中的任意一方。

接着，在S2600中，气体控制部32判定是否进行全部气体更换。判定是否进行全部气体更换的详细情况参照图8在后面叙述。

接着，在S2700中，气体控制部32参照S2600的判定结果。在S2600中判定为进行全部气体更换的情况下(S2700：是)，气体控制部32使处理返回上述S1100。在S2600中未判定为进行全部气体更换的情况下(S2700：否)，气体控制部32使处理进入S2800。

接着，在S2800中，气体控制部32判定是否停止气体控制。在停止气体控制的情况下(S2800：是)，结束本流程图的处理。在不停止气体控制的情况下(S2800：否)，气体控制部32使处理返回上述S1600。

3.2.3.1全部气体更换

图4是示出图3所示的全部气体更换的处理的详细情况的流程图。图4所示的处理作为图3所示的S1200的子例程而由气体控制部32进行。

首先，在S1201中，气体控制部32例如从后述存储用存储器1005读入目标卤素分压PF2t的值。作为目标卤素分压PF2t，读入图3的S1000中设定的目标卤素分压PF2t。

接着，在S1202中，气体控制部32例如从后述存储用存储器1005读入目标气压Pt的值。作为目标气压Pt，设定通过一对放电电极11a和11b之间的放电来激励激光气体而从腔室10输出脉冲激光的值。

接着，在S1203中，气体控制部32开始驱动排气泵46，打开阀EX-V1。由此，开始排放腔室10内的激光气体。另外，这里，使用排气泵46强制排放到大气压以下的压力，因此，阀EX-V2依然关闭。

接着，在S1204中，气体控制部32从压力传感器16读入腔室10内的气压P。

接着，在S1205中，气体控制部32判定气压P是否成为规定气压P0以下。规定气压P0设定在10hpa～50hpa的范围内。在气压P未成为规定气压P0以下的情况下(S1205：否)，气体控制部32使处理返回上述S1204。在气压P成为规定气压P0以下的情况下(S1205：是)，气体控制部32使处理进入S1206。

在S1206中，气体控制部32关闭阀EX-V1，停止排气泵46的驱动。

接着，在S1207中，气体控制部32打开阀F2-V1和阀F2-V2。由此，开始向腔室10内注入含卤素气体。另外，这里不驱动质量流量控制器MFC。

接着，在S1208中，气体控制部32从压力传感器16读入腔室10内的气压P。

接着，在S1209中，气体控制部32判定气压P是否成为规定气压(P0+PF2t/C)以上。PF2t是上述目标卤素分压。C是含卤素气体中的用体积比表示的卤素浓度。在腔室10内注入含卤素气体直到气压P成为规定气压(P0+PF2t/C)为止，由此能够使腔室10内的卤素分压成为接近目标卤素分压的值。

在气压P未成为规定气压(P0+PF2t/C)以上的情况下(S1209：否)，气体控制部32使处理返回上述S1208。在气压P成为规定气压(P0+PF2t/C)以上的情况下(S1209：是)，气体控制部32使处理进入S1210。

在S1210中，气体控制部32关闭阀F2-V1和阀F2-V2。

接着，在S1211中，气体控制部32打开阀B-V。由此，开始向腔室10内注入缓冲气体。

接着，在S1212中，气体控制部32从压力传感器16读入腔室10内的气压P。

接着，在S1213中，气体控制部32判定气压P是否成为目标气压Pt以上。在气压P未成为目标气压Pt以上的情况下(S1213：否)，气体控制部32使处理返回上述S1212。在气压P成为目标气压Pt以上的情况下(S1213：是)，气体控制部32使处理进入S1214。

在S1214中，气体控制部32关闭阀B-V。

接着，在S1215中，气体控制部32对全部气体更换后的脉冲激光的射数Gshot和全部气体更换后的经过时间Gtime进行复位。每当进行激光振荡时，对Gshot的值进行更新。每当经过时间时，对Gtime的值进行更新。Gshot的值和Gtime的值用于后述图8所示的是否进行全部气体更换的判断。

在S1215之后，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。

3.2.3.2包含气体供给或排放的气压控制

图5是示出图3所示的气压控制的处理的详细情况的流程图。图5所示的处理作为图3所示的S1900的子例程而由气体控制部32进行。参照图4说明的全部气体更换的处理是停止激光振荡来进行的，与此相对，以下说明的气压控制是一边进行激光振荡一边进行的(参照图3的S1500)。气体控制部32根据通过图2所示的能量控制设定的充电电压V，对腔室10内的气压进行控制。

首先，在S1901中，气体控制部32从后述存储用存储器1005等存储装置读入气压的控制参数。气压的控制参数包含充电电压V的下限值Vmin、上限值Vmax和气压P的增减幅度ΔPt。

接着，在S1902中，气体控制部32从压力传感器16读入腔室10内的气压P。

接着，在S1903中，气体控制部32将当前的气压P作为气压的初始值P0存储在后述存储用存储器1005等存储装置中。

接着，在S1904中，气体控制部32从后述存储用存储器1005等读入充电电压V的值。充电电压V的值是通过参照图2说明的处理进行设定使得脉冲能量E接近目标脉冲能量Et的值。

接着，在S1905中，气体控制部32判定接收到的充电电压V是否为下限值Vmin以上且上限值Vmax以下。在充电电压V为下限值Vmin以上且上限值Vmax以下的情况下，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。

在S1905中充电电压V高于上限值Vmax的情况下，在S1906中，气体控制部32打开阀B-V。由此，开始向腔室10内供给缓冲气体，气压P上升。这里，向腔室10内供给实质上不包含卤素气体的缓冲气体，因此，腔室10内的卤素分压几乎没有变化。

接着，在S1907中，气体控制部32从压力传感器16读入腔室10内的气压P。

接着，在S1908中，气体控制部32判定气压P是否成为规定气压P0+ΔPt以上。规定气压P0+ΔPt是在S1903中存储的初始值P0中加上气压的增减幅度ΔPt而得到的值。在气压P未成为规定气压P0+ΔPt以上的情况下(S1908：否)，气体控制部32使处理返回上述S1907。在气压P成为规定气压P0+ΔPt以上的情况下(S1908：是)，气体控制部32使处理进入S1909。

在S1909中，气体控制部32关闭阀B-V。由此，结束向腔室10内供给缓冲气体。然后，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。

如上所述，当激光装置反复进行放电而在激光气体中蓄积杂质时，为了生成具有足够能量的激光，通过S15的处理，充电电压V容易上升。因此，在激光气体中蓄积有杂质的情况下，通过S1905～S1909的处理使气压P上升，抑制充电电压V的上升。

在S1905中充电电压V低于下限值Vmin的情况下，在S1910中，气体控制部32打开阀EX-V2。由此，开始排放腔室10内的激光气体，气压P减少。另外，这里处于激光振荡中，因此，不将激光气体排放到大气压以下的压力程度。因此，不驱动排气泵46，阀EX-V1依然关闭。

接着，在S1911中，气体控制部32从压力传感器16读入腔室10内的气压P。

接着，在S1912中，气体控制部32判定气压P是否成为规定气压P0-ΔPt以下。规定气压P0-ΔPt是从S1903中存储的初始值P0中减去气压的增减幅度ΔPt而得到的值。在气压P未成为规定气压P0-ΔPt以下的情况下(S1912：否)，气体控制部32使处理返回上述S1911。在气压P成为规定气压P0-ΔPt以下的情况下(S1912：是)，气体控制部32使处理进入S1913。

在S1913中，气体控制部32关闭阀EX-V2。由此，腔室10内的激光气体的排放结束。然后，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。

3.2.3.3卤素气体注入控制

图6是示出图3所示的卤素气体注入控制的处理的详细情况的流程图。图6所示的处理作为图3所示的S2400的子例程而由气体控制部32进行。参照图4说明的全部气体更换的处理是停止激光振荡来进行的，与此相对，以下说明的卤素气体注入控制是一边进行激光振荡一边进行的。

首先，在S2401中，气体控制部32从压力传感器16读入腔室10内的气压P。

接着，在S2402中，气体控制部32将当前的气压P作为气压的初始值Ph0存储在存储装置中。

接着，在S2403中，气体控制部32将质量流量控制器MFC设定为规定的流量。

接着，在S2404中，气体控制部32对定时器Thg进行复位和起动。

接着，在S2405中，气体控制部32打开阀F2-V1。由此，开始向腔室10内注入由质量流量控制器MFC设定的流量的含卤素气体。根据质量流量控制器MFC的流量和由定时器Thg计测的时间，精密地控制含卤素气体向腔室10的注入量ΔPphg。另外，这里，阀F2-V2依然关闭。

接着，在S2406中，气体控制部32判定由定时器Thg计测的时间是否达到规定值Khg。在由定时器Thg计测的时间未达到规定值Khg的情况下(S2406：否)，气体控制部32待机到达到规定值Khg为止。在由定时器Thg计测的时间达到规定值Khg的情况下(S2406：是)，气体控制部32使处理进入S2407。

在S2407中，气体控制部32关闭阀F2-V1。由此，停止向腔室10注入含卤素气体。

接着，在S2408中，气体控制部32打开阀EX-V2。由此，开始排放腔室10内的激光气体。另外，这里，不驱动排气泵46，阀EX-V1依然关闭。

接着，在S2409中，气体控制部32从压力传感器16读入腔室10内的气压P。

接着，在S2410中，气体控制部32判定气压P是否成为S2402中存储的初始值Ph0以下。在气压P未成为初始值Ph0以下的情况下(S2410：否)，气体控制部32使处理返回上述S2409。在气压P成为初始值Ph0以下的情况下(S2410：是)，气体控制部32使处理进入S2411。

在S2411中，气体控制部32关闭阀EX-V2。由此，腔室10内的激光气体的排放结束。

通过上述S2401～S2407的处理，腔室10内的卤素分压增加。而且，通过上述S2408～S2411的处理，腔室10内的气压P返回到初始值Ph0。因此，在卤素气体注入控制的前后，腔室10内的卤素分压增加，但是，腔室10内的气压P几乎没有变化。

然后，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。

3.2.3.4部分气体更换控制

图7是示出图3所示的部分气体更换控制的处理的详细情况的流程图。图7所示的处理作为图3所示的S2500的子例程而由气体控制部32进行。参照图4说明的全部气体更换的处理是停止激光振荡来进行的，与此相对，以下说明的部分气体更换控制是一边进行激光振荡一边进行的。

首先，除了所使用的参数不同以外，S2501～S2507的处理与参照图6说明的S2401～S2407的处理相同。分别代替气压的初始值Ph0、定时器Thg、规定值Khg而使用气压的初始值Ppg0、定时器Tpg、规定值Kpg。通过S2501～S2507的处理，向腔室10内注入含卤素气体。

接着，通过S2508～S2513的处理，向腔室10内注入缓冲气体。

首先，在S2508中，气体控制部32从压力传感器16读入腔室10内的气压P。

接着，在S2509中，气体控制部32将当前的气压P作为气压的初始值Ppgho存在存储装置中。

接着，在S2510中，气体控制部32打开阀B-V。由此，开始向腔室10内供给缓冲气体。

接着，在S2511中，气体控制部32从压力传感器16读入腔室10内的气压P。

接着，在S2512中，气体控制部32判定气压P是否成为规定气压Ppgho+ΔPbpg以上。规定气压Ppgho+ΔPbpg是在S2509中存储的初始值Ppgho中加上换算为压力的缓冲气体注入量ΔPbpg而得到的值。在气压P未成为规定气压Ppgho+ΔPbpg以上的情况下(S2512：否)，气体控制部32使处理返回上述S2511。在气压P成为规定气压Ppgho+ΔPbpg以上的情况下(S2512：是)，气体控制部32使处理进入S2513。

在S2513中，气体控制部32关闭阀B-V。由此，结束向腔室10内供给缓冲气体。

接下来的S2514～S2517的处理与参照图6说明的S2408～S2411的处理大致相同。但是，通过S2514～S2517的处理，气压P返回到S2502中存储的初始值Ppg0。因此，在部分气体更换控制的前后，腔室10内的气压P几乎没有变化。

并且，S2501～S2507的处理的含卤素气体注入量与S2508～S2513的处理的缓冲气体注入量的比率被设定成不使腔室10内的卤素气体浓度变化的值。因此，在部分气体更换控制的前后，腔室10内的卤素分压几乎没有变化。

然后，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。

3.2.3.5判定是否进行全部气体更换

图8是示出图3所示的判定是否进行全部气体更换的处理的详细情况的流程图。图8所示的处理作为图3所示的S2600的子例程而由气体控制部32进行。

首先，在S2701中，气体控制部32读入全部气体更换后的脉冲激光的射数Gshot的值。

接着，在S2702中，气体控制部32读入全部气体更换后的经过时间Gtime的值。

接着，在S2705中，气体控制部32判定全部气体更换后的脉冲激光的射数Gshot是否小于第1射数Gshot_limit。优选第1射数Gshot_limit例如为86×100万次以上且500×100万次以下。在Gshot小于Gshot_limit的情况下(S2705：是)，气体控制部32使处理进入S2706。在Gshot达到Gshot_limit的情况下(S2705：否)，气体控制部32使处理进入S2739。

在S2706中，气体控制部32判定全部气体更换后的经过时间Gtime是否小于第1经过时间Gtime_limit。优选第1经过时间Gtime_limit例如为72小时以上且500小时以下。在Gtime小于Gtime_limit的情况下(S2706：是)，未达到进行全部气体更换这样的判定标准，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。在Gtime达到Gtime_limit的情况下(S2706：否)，气体控制部32使处理进入S2739。

在S2739中，气体控制部32判定为进行全部气体更换。然后，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。

3.3课题

图9是示出比较例的腔室内的气压的变化的曲线图。横轴表示脉冲激光的射数或经过时间，纵轴表示腔室内的气压。在准分子激光装置中，针对腔室内的气压设定有上限值UL。气压的上限值UL设定为比能够防止腔室和配管的气体泄漏的设计上的压力极限值低的值。气压的上限值UL例如保持在后述存储用存储器1005中。气体控制部或激光控制部在腔室内的气压超过上限值UL时发出警报，停止向腔室内供给气体。

进行腔室更换或全部气体更换(参照图4)，在腔室内的激光气体中包含的杂质较少的状态下，即使腔室内的气压不高，也生成具有足够能量的激光。当腔室内的激光气体中包含的杂质变多时，为了生成具有足够能量的激光，通过气压控制(参照图5)使腔室内的气压变高。

如图9中实线所示，通常，在腔室内的气压达到上限值UL之前，预先设定的射数或经过时间到来，对气体进行更换。但是，在腔室刚更换之后，腔室内部的部件的表面部分和激光气体中包含的卤素气体反应，有时产生比通常多的杂质。当产生比通常多的杂质时，如图9中虚线所示，可能在上述脉冲激光的射数或经过时间到来之前，腔室内的气压达到上限值UL。当腔室内的气压达到上限值UL时，无法生成具有足够能量的脉冲激光，有时成为输出错误而激光装置停止。

在腔室刚更换之后产生这种问题，如果腔室内部的部件钝化，则杂质的产生将被抑制。因此，例如还考虑在腔室刚更换之后，频繁进行全部气体更换以进行钝化，在腔室内部的部件钝化后，将全部气体更换的频度变更为通常的值。但是，手动的参数设定变更不仅需要劳力和时间，可能还必须停止激光以进行参数设定变更。

在以下说明的实施方式中，说明自动切换腔室刚更换之后进行的钝化模式和钝化模式之后进行的通常模式的激光装置。

4.在腔室刚更换之后、提高全部气体更换的频度的激光装置

图10是示出本公开的第1实施方式的激光装置中的判定是否进行全部气体更换的处理的详细情况的流程图。

第1实施方式的激光装置与上述比较例的不同之处在于判定是否进行全部气体更换的处理。其他方面可以与比较例相同。

如以下说明的那样，在第1实施方式中，在腔室刚更换之后，与通常相比提高了全部气体更换的频度。

首先，图10的S2701和S2702的处理与参照图8说明的处理相同。

接着，在S2703中，气体控制部32从后述存储用存储器1005等存储装置读入钝化的剩余次数Pcount的数据。这里，钝化的次数设为钝化模式中的全部气体更换的次数。钝化的剩余次数Pcount的初始值是钝化模式中的全部气体更换的合计次数，相当于本申请中的规定次数。钝化的剩余次数Pcount的初始值例如优选为1次以上且28次以下。关于钝化的剩余次数Pcount的数据，存储装置可以保持操作员经由后述用户接口1010等预先输入的数据，也可以从其他控制部经由网络等输入到存储装置。或者，有时在腔室更换后将腔室序列号或更换后的腔室射数输入到存储装置。该情况下，关于腔室序列号或更换后的腔室射数的输入，可以由操作员实施，也可以经由网络等进行。这种情况下，可以是气体控制部32检测到腔室序列号或腔室射数被更新，而从存储装置读入预先输入的钝化的剩余次数Pcount。

接着，在S2704中，气体控制部32判定钝化的剩余次数Pcount是否为0。在钝化的剩余次数Pcount为0的情况下(S2704：是)，气体控制部32使处理进入S2705。S2705～S2739的处理是通常模式的处理，与参照图8说明的处理相同。

在钝化的剩余次数Pcount不是0的情况下(S2704：否)，气体控制部32使处理进入S2755。S2755～S2789的处理是钝化模式的处理。

在S2755中，气体控制部32判定全部气体更换后的脉冲激光的射数Gshot是否小于第2射数Gshot_limit_p。第2射数Gshot_limit_p是比上述第1射数Gshot_limit少的射数。Gshot_limit_p例如优选为14×100万次以上且86×100万次以下。在Gshot小于Gshot_limit_p的情况下(S2755：是)，气体控制部32使处理进入S2756。在Gshot达到Gshot_limit_p的情况下(S2755：否)，气体控制部32使处理进入S2757。

在S2756中，气体控制部32判定全部气体更换后的经过时间Gtime是否小于第2经过时间Gtime_limit_p。第2经过时间Gtime_limit_p是比上述第1经过时间Gtime_limit短的时间。Gtime_limit_p例如优选为12小时以上且72小时以下。在Gtime小于Gtime_limit_p的情况下(S2756：是)，未达到进行全部气体更换这样的判定标准，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。在Gtime达到Gtime_limit_p的情况下(S2756：否)，气体控制部32使处理进入S2757。

在S2757中，气体控制部32从当前的钝化的剩余次数Pcount中减去1，对Pcount的值进行更新。

接着，在S2789中，气体控制部32判定为进行全部气体更换。然后，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。

通过以上处理，在钝化模式中，与通常模式相比，以较少的射数或较短的经过时间进行全部气体更换。

图11是示出第1实施方式中的腔室内的气压的变化的曲线图。横轴表示脉冲激光的射数或经过时间，纵轴表示腔室内的气压。

如图11中虚线所示，在腔室刚更换之后产生比通常多的杂质，有时以较少的射数或较短的时间使腔室内的气压变高。但是，通过上述钝化模式的处理，提前进行全部气体更换，因此，抑制腔室内的气压达到上限值UL。

在钝化模式中进行规定次数的全部气体更换的期间内，在腔室内部的部件的表面形成被膜而钝化。由此，抑制杂质的产生。然后，气压的上升逐渐缓和。因此，即使在Pcount的值成为0时转移到通常模式，也抑制腔室内的气压达到上限值UL。

5.在腔室刚更换之后、气压达到规定气压后进行全部气体更换的激光装置

图12是示出本公开的第2实施方式的激光装置中的判定是否进行全部气体更换的处理的详细情况的流程图。

第2实施方式的激光装置与上述比较例的不同之处在于判定是否进行全部气体更换的处理。其他方面可以与比较例相同。

如以下说明的那样，在第2实施方式中，在腔室刚更换之后，在气压达到规定气压后进行全部气体更换。

首先，图12的S2701和S2702的处理与参照图8说明的处理相同。

图12的S2705和S2706的处理也与参照图8说明的处理相同。

在S2705中Gshot小于Gshot_limit(S2705：是)且S2706中Gtime小于Gtime_limit的情况下(S2706：是)，气体控制部32使处理进入S2767。

在S2767中，气体控制部32从存储装置读入标志Fbpr的值。在腔室更换后，标志Fbpr的值被设定为初始值1，直到在后述S2718中变更为0为止。关于标志Fbpr的值，可以由存储装置保持操作员预先输入的数据，也可以从其他控制部经由网络等输入到存储装置。或者，也可以与第1实施方式中的钝化的剩余次数Pcount同样，气体控制部32检测到腔室序列号或腔室射数被更新，而从存储装置读入预先输入的标志Fbpr。

接着，在S2768中，气体控制部32判定标志Fbpr的值是否为1。在标志Fbpr的值为1的情况下(S2768：是)，气体控制部32使处理进入S2769。S2769～S2789的处理是钝化模式的处理。

在S2769中，气体控制部32读入从压力传感器16输出的气压P的数据。接着，在S2779中，气体控制部32判定气压P是否小于全部气体更换请求压力Ppbr_limit。全部气体更换请求压力Ppbr_limit设定为比上述气压上限值UL低的值。例如，全部气体更换请求压力Ppbr_limit设定为气压上限值UL的90％以上且99％以下的值。全部气体更换请求压力Ppbr_limit相当于本申请中的第1规定气压，气压上限值UL相当于本申请中的第2规定气压。

在S2779中气压P达到Ppbr_limit的情况下(S2779：否)，气体控制部32使处理进入S2789。在S2789中，气体控制部32判定为进行全部气体更换。然后，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。

在S2779中气压P小于Ppbr_limit的情况下(S2779：是)，未达到进行全部气体更换这样的判定标准，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。

在上述S2705中Gshot达到Gshot_limit的情况下(S2705：否)或者S2706中Gtime达到Gtime_limit的情况下(S2706：否)，气体控制部32使处理进入S2718。在S2779中气压P达到Ppbr_limit之前，在Gshot达到Gshot_limit或Gtime达到Gtime_limit的情况下，S2705或S2706的判定结果成为“否”。这种情况下，能够判断为在腔室内部的部件的表面已形成被膜而钝化。因此，在S2718中，气体控制部32将标志Fbpr的值设定为0。S2718和S2739的处理是通常模式的处理的一部分。S2739的处理与参照图8说明的处理相同。

标志Fbpr的值一旦设定为0后，在上述S2768中判定为“否”，不进行S2769～S2789的处理。S2768中判定为“否”的情况下的处理是通常模式的处理的一部分。在S2768中判定为“否”的情况下，未达到进行全部气体更换这样的判定标准，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图3所示的处理。

图13是示出第2实施方式中的腔室内的气压的变化的曲线图。横轴表示脉冲激光的射数或经过时间，纵轴表示腔室内的气压。

如图13中虚线所示，在腔室刚更换之后产生比通常多的杂质，有时以较少的射数或较短的时间使腔室内的气压变高。但是，通过上述钝化模式的处理，在腔室内的气压达到上限值UL之前进行全部气体更换。

在钝化模式下反复进行全部气体更换的期间中，在腔室内部的部件的表面形成被膜而钝化。由此，抑制杂质的产生。然后，气压的上升逐渐缓和。在气压P达到Ppbr_limit之前，在Gshot达到Gshot_limit或Gtime达到Gtime_limit的情况下，也可以结束钝化模式，去除Ppbr_limit的条件。

6.在腔室刚更换之后、在部分气体更换或卤素气体注入中增大注入排放量的激光装置

图14是示出本公开的第3实施方式的激光装置的气体控制部32的激光气体控制的处理的流程图。

第3实施方式的激光装置与上述比较例的不同之处在于气体控制部32的处理。其他方面可以与比较例相同。

如以下说明的那样，在第3实施方式中，在腔室刚更换之后，与通常相比，增大部分气体更换或卤素气体注入中的注入排放量。

首先，图14的S1000～S1200的处理与参照图3说明的处理相同。

在S1200中进行全部气体更换后，在S1300中，气体控制部32选择注入排放量。在钝化模式和通常模式中选择不同的注入排放量。注入排放量的选择的处理的详细情况参照图15在后面叙述。

接下来的S1500～S2800的处理与参照图3说明的处理相同。根据S1300中选择出的注入排放量，进行S2400的卤素气体注入控制和S2500的部分气体更换控制。

图15是示出图14所示的注入排放量的选择的处理的详细情况的流程图。图15所示的处理作为图14所示的S1300的子例程而由气体控制部32进行。

首先，在S1303中，气体控制部32读入钝化的剩余次数Pcount的数据。钝化的次数设为钝化模式中的全部气体更换的次数。钝化的剩余次数Pcount的初始值是钝化模式中的全部气体更换的合计次数，相当于本申请中的规定次数。钝化的剩余次数Pcount的初始值例如优选为1次以上且28次以下。

接着，在S1304中，气体控制部32判定钝化的剩余次数Pcount是否为0。在钝化的剩余次数Pcount为0的情况下(S1304：是)，气体控制部32使处理进入S1308。S1308和S1309的处理是通常模式的处理。

在S1308中，气体控制部32将卤素气体注入控制(S2400)中的含卤素气体注入量ΔPphg设定为通常的注入量ΔPphg_nml。根据含卤素气体注入量ΔPphg决定上述S2406中的规定值Khg。

接着，在S1309中，气体控制部32将部分气体更换控制(S2500)中的缓冲气体注入量ΔPbpg设定为通常的注入量ΔPbpg_nml。根据缓冲气体注入量ΔPbpg决定上述S2506中的规定值Kpg。根据缓冲气体注入量ΔPbpg进行上述S2512中的判定。

在S1309之后，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图14所示的处理。

在上述S1304中钝化的剩余次数Pcount不是0的情况下(S1304：否)，气体控制部32使处理进入S1357。S1357～S1359的处理是钝化模式的处理。

在S1357中，气体控制部32从当前的钝化的剩余次数Pcount中喊去1，来对Pcount的值进行更新。如上所述，在S1200中进行全部气体更换后选择注入排放量，因此，每当在钝化模式中进行全部气体更换时，通过S1357，对Pcount的值进行向下计数。

接着，在S1358中，气体控制部32将卤素气体注入控制(S2400)中的含卤素气体注入量ΔPphg设定为对通常的注入量ΔPphg_nml乘以规定比率Prate而得到的值。规定比率Prate的值设为大于1的值。规定比率Prate的值例如设为200％。

接着，在S1359中，气体控制部32将部分气体更换控制(S2500)中的缓冲气体注入量ΔPbpg设定为对通常的注入量ΔPbpg_nml乘以规定比率Prate而得到的值。

在S1359之后，气体控制部32结束本流程图的处理，返回图14所示的处理。

通过以上的注入排放量的选择处理，在钝化模式中，在卤素气体注入控制和部分气体更换控制中，向腔室内注入比通常多的气体，从腔室排放与注入量大致相同量的气体。由此，在卤素气体注入控制和部分气体更换控制中排出较多的腔室内的杂质，因此，抑制腔室内的杂质的蓄积。

图16是示出第3实施方式中的腔室内的气压的变化的曲线图。横轴表示脉冲激光的射数或经过时间，纵轴表示腔室内的气压。

如图16中虚线所示，在腔室刚更换之后产生比通常多的杂质，有时以较少的射数或较短的时间使腔室内的气压变高。但是，通过上述钝化模式的处理，使卤素气体注入控制和/或部分气体更换控制中的气体注入量和排放量增加。由此，抑制腔室内的杂质的蓄积，因此，抑制腔室内的气压的上升。

在钝化模式下进行规定次数的全部气体更换的期间内，在腔室内部的部件的表面形成被膜而钝化。由此，抑制杂质的产生。然后，气压的上升缓和。因此，即使在Pcount的值成为0时转移到通常模式，也抑制腔室内的气压达到上限值UL。

在第3实施方式中，说明了使含卤素气体注入量ΔPphg和缓冲气体注入量ΔPbpg在通常模式和钝化模式中成为不同值的情况，但是，本公开不限于此。也可以通过使气压控制中的气压的增减幅度ΔPt(参照图5、S1908和S1912)在通常模式和钝化模式中成为不同值，来抑制杂质的蓄积。

7.MOPO系统

图17概略地示出本公开的第4实施方式的激光装置的结构。第4实施方式的激光装置具有主振荡器MO和功率振荡器PO。主振荡器MO的结构与比较例中的激光振荡系统的结构大致相同。

功率振荡器PO包含腔室20、脉冲功率模块23、输出耦合镜25、压力传感器26、能量监视器27。在腔室20中设置有2个窗口20a和20b。腔室20中收容有一对放电电极21a和21b。能量监视器27包含分束器27a、会聚透镜27b、光传感器27c。这些结构与主振荡器MO中对应的各个结构大致相同。

功率振荡器PO代替窄带化模块14而具有部分反射镜24。在从主振荡器MO输出的激光的光路上配置有高反射镜18a和18b，在由高反射镜18a和18b依次反射的激光的光路上配置有部分反射镜24。从主振荡器MO输出的激光的至少一部分穿过部分反射镜24而入射到腔室20。利用部分反射镜24和输出耦合镜25构成光谐振器。

气体供给排放装置40的配管在中途分支，既与主振荡器MO的腔室10连接，也与功率振荡器PO的腔室20连接。在分支后的配管中的、与主振荡器MO的腔室10连接的第1分支配管39a上设置有阀MO-V，在与功率振荡器PO的腔室20连接的第2分支配管39b上设置有阀PO-V。这些阀MO-V、PO-V能够相互独立地进行开闭。

由此，气体供给排放装置40能够对主振荡器MO的腔室10和功率振荡器PO的腔室20中的任意一方或双方的激光气体进行控制。例如，在刚更换主振荡器MO的腔室10之后，能够针对主振荡器MO的腔室10进行包含钝化模式的控制。并且，在刚更换功率振荡器PO的腔室20之后，能够针对功率振荡器PO的腔室20进行包含钝化模式的控制。

8.控制部的结构

图18是示出控制部的概略结构的框图。

上述实施方式中的气体控制部32等控制部可以由计算机或可编程控制器等通用控制设备构成。例如，可以如下那样构成。

(结构)

控制部可以由处理部1000以及与处理部1000连接的存储用存储器1005、用户接口1010、并行I/O控制器1020、串行I/O控制器1030、A/D、D/A转换器1040构成。并且，处理部1000可以由CPU1001以及与CPU1001连接的存储器1002、定时器1003、GPU1004构成。

(动作)

处理部1000可以读出存储用存储器1005中存储的程序。并且，处理部1000可以执行所读出的程序，按照程序的执行而从存储用存储器1005读出数据，在存储用存储器1005中存储数据。

并行I/O控制器1020可以与能够经由并行I/O端口进行通信的设备1021～102x连接。并行I/O控制器1020可以对在处理部1000执行程序的过程中进行的、经由并行I/O端口的、基于数字信号的通信进行控制。

串行I/O控制器1030可以与能够经由串行I/O端口进行通信的设备1031～103x连接。串行I/O控制器1030可以对在处理部1000执行程序的过程中进行的、经由串行I/O端口的、基于数字信号的通信进行控制。

A/D、D/A转换器1040可以与能够经由模拟端口进行通信的设备1041～104x连接。A/D、D/A转换器1040可以对在处理部1000执行程序的过程中进行的、经由模拟端口的、基于模拟信号的通信进行控制。

用户接口1010可以构成为，显示操作员通过处理部1000执行的程序的执行过程，使处理部1000进行操作员引起的程序执行的中止或中断处理。并且，可以构成为，能够供操作员输入钝化的剩余次数Pcount、腔室序列号、更换后的腔室射数等数据。

处理部1000的CPU1001可以进行程序的运算处理。存储器1002可以在CPU1001执行程序的过程中进行程序的暂时存储、运算过程中的数据的暂时存储。定时器1003可以计测时刻或经过时间，按照程序的执行而向CPU1001输出时刻或经过时间。GPU1004可以在对处理部1000输入图像数据时，按照程序的执行而对图像数据进行处理，将其结果输出到CPU1001。

与并行I/O控制器1020连接的能够经由并行I/O端口进行通信的设备1021～102x，可以是发送发光触发信号或目标脉冲能量的设定数据信号的曝光装置100，也可以是其他控制部等。并且，设备1021～102x可以是接收充电电压的设定数据信号的充电器12，也可以是阀B-V、F2-V1、EX-V1等。

与串行I/O控制器1030连接的能够经由串行I/O端口进行通信的设备1031～103x，可以是马达22、排气泵46等。

与A/D、D/A转换器1040连接的能够经由模拟端口进行通信的设备1041～104x，可以是压力传感器16或光传感器17c等各种传感器。

通过如上所述地构成，控制部能够实现各实施方式所示的动作。

上述说明的意图不是限制，而是简单的例示。因此，本领域技术人员会明白，能够在不脱离附加的权利要求书的前提下对本公开的实施方式施加变更。

本说明书和附加的权利要求书整体中使用的用语应该解释为“非限定性”用语。例如，“包含”或“所包含”这样的用语应该解释为“不限于记载为所包含的内容的情况”。“具有”这样的用语应该解释为“不限于记载为具有的内容的情况”。并且，本说明书和附加的权利要求书中记载的修饰句“一个”应该解释为意味着“至少一个”或者“一个或一个以上”。

Claims (6)

1.一种激光装置，其中，所述激光装置具有：

腔室，其在内部配置有一对放电电极；

气体供给排放装置，其向所述腔室的内部供给激光气体，并排放所述腔室的内部的激光气体；以及

控制部，其构成为进行第1控制、第2控制和第3控制，

在该第1控制中，对所述气体供给排放装置进行控制，以一边进行激光振荡，一边向所述腔室内供给第1量的激光气体或从所述腔室内排放第1量的激光气体，

在该第2控制中，对所述气体供给排放装置进行控制，以在所述第1控制之前，一边进行所述激光振荡，一边向所述腔室内供给比所述第1量多的第2量的激光气体或从所述腔室内排放所述第2量的激光气体，

在该第3控制中，对所述气体供给排放装置进行控制，以按照第1射数或按照第1经过时间，停止所述激光振荡来更换所述腔室内的激光气体，

在所述腔室更换后，在进行规定次数的所述第3控制之前，进行所述第2控制，然后，进行所述第1控制。

2.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

所述规定次数为1次以上且28次以下。

3.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

所述第1控制和所述第2控制用于在施加给所述一对放电电极的脉冲状的电压高于规定的上限值的情况下，向所述腔室内供给激光气体。

4.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

所述第1控制和所述第2控制用于在施加给所述一对放电电极的脉冲状的电压低于规定的下限值的情况下，从所述腔室内排放激光气体。

5.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

所述气体供给排放装置构成为向所述腔室的内部供给第1激光气体和第2激光气体，该第1激光气体包含卤素气体，该第2激光气体的卤素气体浓度比所述第1激光气体低，

所述第1控制用于向所述腔室内供给所述第1量的所述第1激光气体，并且从所述腔室内排放所述第1量的激光气体，

所述第2控制用于向所述腔室内供给所述第2量的所述第1激光气体，并且从所述腔室内排放所述第2量的激光气体。

6.根据权利要求1所述的激光装置，其中，

所述气体供给排放装置构成为向所述腔室的内部供给第1激光气体和第2激光气体，该第1激光气体包含卤素气体，该第2激光气体的卤素气体浓度比所述第1激光气体低，

所述第1控制用于向所述腔室内供给所述第1激光气体和所述第2激光气体，使得向所述腔室内供给的所述第1激光气体和所述第2激光气体的合计量成为所述第1量，所述第1控制还用于从所述腔室内排放所述第1量的激光气体，

所述第2控制用于向所述腔室内供给所述第1激光气体和所述第2激光气体，使得向所述腔室内供给的所述第1激光气体和所述第2激光气体的合计量成为所述第2量，所述第2控制还用于从所述腔室内排放所述第2量的激光气体。

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