CN112352177A - 光发送设备 - Google Patents

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Abstract

本发明的光发送设备(60)具备：半导体激光器芯片(61)，其形成有具有在第一半导体基板(1)形成的多个分布反馈式半导体激光器(31)的半导体激光器阵列(30)；和半导体波导路芯片(62)，其形成有在第二半导体基板(21)形成并且具有与半导体激光器(31)相同数量的半导体调制器(41)的半导体调制器阵列(40)。光发送设备(60)将波导路(12)与波导路(13)对接来连接，使得半导体激光器阵列(30)的各个半导体激光器(31)中的半导体调制器阵列侧的波导路(12)的端面、与半导体调制器阵列(40)的各个半导体调制器(41)中的半导体激光器阵列侧的波导路(13)的端面的距离为10μm以内。

Description

光发送设备
技术领域
本申请涉及光发送设备。
背景技术
由搭载有多个激光器的半导体激光器阵列、和搭载有多个调制器的半导体调制器阵列构成的光通信用的发送设备(光发送设备)与由单一的激光器和单一的调制器构成的光发送设备相比，能够扩大传送容量。作为小型地集成半导体激光器阵列和半导体调制器阵列的方法，存在单片集成于一个InP基板等半导体基板上的方法、和通过安装而将在不同的半导体基板上形成的半导体激光器阵列和半导体调制器阵列集成的混合集成的方法。在将InP基板上的半导体激光器阵列与Si基板上的半导体调制器阵列集成的情况下，主要使用混合集成的方法。
在专利文献1中公开有将半导体激光器阵列和半导体调制器阵列混合集成的光发送设备。专利文献1的光发送设备是在Si系材料的波导路(Si波导路)粘贴III-V族半导体(III-V族增幅介质)作为增幅介质，并在Si系材料的波导路形成反射构造(具备反射器对的光共振器)的激光器构造。
专利文献1：日本特表2009-537871号公报(图1、图2、0015段～0024段)
专利文献1的光发送设备在Si波导路与III-V族增幅介质的粘贴中需要较高的技术，并且是在III-V族增幅介质内没有共振器构造而在Si波导路设置有共振器构造的复杂的激光器构造。另外，专利文献1的光发送设备存在以下问题：在III-V族增幅介质与Si波导路之间产生光耦合损失，每注入电流的激光器输出光(激光器射出光)的比率(称为激光器效率)比具有仅由III-V族材料形成的共振器构造的半导体激光器差。
发明内容
本申请说明书公开的技术是为了解决上述那样的问题所做出的，目的在于实现构造简单并且激光器效率良好的、将半导体激光器阵列与半导体调制器阵列混合集成的光发送设备。
本申请说明书公开的一个例子的光发送设备具备：半导体激光器阵列，其具有形成于第一半导体基板的多个分布反馈式半导体激光器；和半导体调制器阵列，其形成于第二半导体基板并且具有与半导体激光器相同数量的半导体调制器，所述光发送设备具备：形成有半导体激光器阵列的半导体激光器芯片、和形成有半导体调制器阵列的半导体波导路芯片。光发送设备将激光器波导路与调制器波导路对接来连接，使得半导体激光器阵列的各个半导体激光器中的半导体调制器阵列侧的波导路亦即激光器波导路的端面、与半导体调制器阵列的各个半导体调制器中的半导体激光器阵列侧的波导路亦即调制器波导路的端面的距离为10μm以内。
本申请说明书公开的一个例子的光发送设备以相互对置的半导体激光器阵列的激光器波导路的端面与半导体调制器阵列的调制器波导路的端面的距离为10μm以内的方式，将激光器波导路与调制器波导路对接来连接，因此构造简单并且获得较高的激光器效率。
附图说明
图1是表示实施方式1的光发送设备的俯视图。
图2是表示图1的半导体激光器和半导体调制器的简要结构的图。
图3是图1的光发送设备的剖视图。
图4是图2的半导体调制器的剖视图。
图5是表示图1的半导体激光器和半导体调制器的波导路形状的俯视图。
图6是表示实施方式1的另一光发送设备的俯视图。
图7是图6的另一光发送设备的剖视图。
图8是表示实施方式2的光发送设备的俯视图。
图9是图8的光发送设备的剖视图。
图10是表示实施方式3的光发送设备的俯视图。
具体实施方式
实施方式1
图1是表示实施方式1的光发送设备的俯视图。图2是表示图1的半导体激光器和半导体调制器的简要结构的图，图3是图1的光发送设备的剖视图。图4是图2的半导体调制器的剖视图，图5是表示图1的半导体激光器和半导体调制器的波导路形状的俯视图。图3表示图1中的A-A的剖面，图4表示图2中的B-B的剖面。实施方式1的光发送设备60是将形成有半导体激光器阵列30的半导体激光器芯片61和形成有半导体调制器阵列40的半导体波导路芯片62混合集成的光发送设备即混合集成发送设备。光发送设备60具备：形成有半导体激光器阵列30的半导体激光器芯片61、形成有半导体调制器阵列40的半导体波导路芯片62、安装有半导体激光器芯片61的辅助支承基板10、安装有半导体波导路芯片62的辅助支承基板11、以及安装有辅助支承基板10、11的基座9。半导体激光器阵列30具有多个半导体激光器31，半导体调制器阵列40具有与半导体激光器31相同数量的半导体调制器41。在基座9经由辅助支承基板10搭载有半导体激光器芯片61，经由辅助支承基板11搭载有半导体波导路芯片62。半导体激光器芯片61安装并搭载于辅助支承基板10，半导体波导路芯片62安装并搭载于辅助支承基板11。
半导体激光器阵列30具备形成于n-InP基板1上的16个分布反馈式的半导体激光器31。各半导体激光器31在n-InP基板1上依次形成有n-InP包层2、InGaAsP活性层3、p-InP包层4、p-InGaAs接触层5。在InGaAsP活性层3的上部(表面)形成有由p-InGaAsP层和p-InP包层4构成的衍射光栅构造(未图示)。另外，各半导体激光器31在InP埋入层未图示)埋入有InGaAsP活性层3的两边，从而成为所谓的埋入型的波导路构造。在n-InP基板1的背面(与辅助支承基板10对置的面)形成有所有的半导体激光器31共用的阴极电极6，在各半导体激光器31的波导路(激光器波导路)12的上部形成有各自的阳极电极7。波导路(激光器波导路)12包括InGaAsP活性层3。各半导体激光器31的衍射光栅的周期为不同的值，从而各半导体激光器31射出不同的波长的光。半导体激光器阵列30具备多个射出不同的波长的光的半导体激光器31，因此是多波长光源。半导体激光器阵列30射出的射出光的波长是1.3μm带。半导体激光器阵列30的n-InP基板1的背面、即半导体激光器芯片61的n-InP基板1的背面通过焊料8安装于辅助支承基板10上(表面)。此外，安装有半导体激光器芯片61的辅助支承基板10通过焊料8安装于金属制的基座9上(表面)。各半导体激光器31的阳极电极7通过金丝线等金属丝17与形成于辅助支承基板10的金属配线(未图示)连接。
半导体调制器阵列40具备形成于Si基板21上的16个马赫-曾德尔调制器亦即半导体调制器41。各半导体调制器41具有波导路(调制器波导路)13，波导路13由入射侧波导路14、两个臂波导路15a、15b以及射出侧波导路16构成。各半导体调制器41在Si基板21的表面(辅助支承基板11侧的面)依次形成有SiО2的第一绝缘层22、Si层23、SiО2的第二绝缘层24。各半导体调制器41具有在Si层23形成有台面条纹的肋形波导路构造。即，入射侧波导路14、两个臂波导路15a、15b、射出侧波导路16具有形成有台面条纹的肋形波导路构造。在图4中示出了两个臂波导路15a、15b中的台面条纹46a、46b。如图4所示，各半导体调制器41在臂波导路15a、15b的两边、即台面条纹46a、46b的两边存在阴极电极26、阳极电极27，阴极电极26和阳极电极27都形成于波导路面侧(与Si基板21相反的一侧、辅助支承基板11侧)的Si层23的表面。即，阴极电极26和阳极电极27形成于与Si基板21相反的一侧的调制器波导路(波导路13)侧。
形成有半导体调制器阵列40的半导体波导路芯片62，通过焊料凸部29将波导路面侧安装于辅助支承基板11上(表面)。各半导体调制器41的阴极电极26和阳极电极27通过焊料凸部29与形成于辅助支承基板11的金属配线20连接。即，形成有半导体调制器阵列40的半导体波导路芯片62与形成有半导体激光器阵列30的半导体激光器芯片61不同，是在电连接中不使用金属丝17的安装、倒装安装。焊料凸部29是与金属丝17不同的连接件。在图4中示出了将一个阴极电极26配置于臂波导路15a与臂波导路15b之间，并将两个阳极电极27配置于臂波导路15a、15b的外侧的例子。在将半导体调制器阵列40安装于辅助支承基板11时，安装为半导体调制器阵列40的半导体激光器阵列30侧的端面亦即调制器端面42比辅助支承基板11的半导体激光器阵列30侧的端面亦即基板端面18向半导体激光器阵列30侧伸出(向光轴方向凸出)。即，对于半导体波导路芯片62而言，包括调制器波导路(波导路13)的端面在内的调制器端面42配置为比辅助支承基板11的半导体激光器阵列30侧的端面亦即基板端面18更接近包括激光器波导路(波导路12)的端面在内的激光器端面32。使用树脂28将半导体调制器阵列40的辅助支承基板11安装于基座9上(表面)。
实施方式1的光发送设备60具有将半导体激光器阵列30的各波导路12与半导体调制器阵列40的各波导路13以对接的方式安装的特征。另外，如上述的那样，对于实施方式1的光发送设备60而言，半导体激光器阵列30相对于基座9以上部结合的状态(InGaAsP活性层3为与基座9相反的一侧的状态)安装于辅助支承基板10，对于半导体调制器阵列40而言，波导路13朝向基座9的一侧安装于辅助支承基板11。换言之，对于实施方式1的光发送设备60而言，以InGaAsP活性层3相对于基座9的位置比n-InP基板1的位置远的方式配置有半导体激光器阵列30，并以波导路13相对于基座9的位置比Si基板21近的方式配置有半导体调制器阵列40。另外也能够表达为：半导体激光器阵列30配置为包括半导体激光器31的活性层(InGaAsP活性层3)在内的激光器波导路(波导路12)处于比第一半导体基板(n-InP基板1)远离基座9的位置，半导体调制器阵列40配置为半导体调制器41的调制器波导路(波导路13)为比第二半导体基板(Si基板21)靠基座9侧的位置。
接下来，使用图5对将半导体激光器阵列30的波导路12与半导体调制器阵列40的波导路13对接来连接的对接连接部进行说明。在图5中示出了半导体激光器阵列30的一个半导体激光器31、与半导体调制器阵列40的一个半导体调制器41的对接连接部。对于半导体激光器阵列30而言，与半导体调制器阵列40对置的端面亦即激光器端面32与半导体调制器阵列40中的与半导体激光器阵列30对置的端面亦即调制器端面42在预先决定的距离以内对接来连接，即以间隙尽量变窄的方式配置来进行光耦合连接。在此，预先决定的距离为10μm以内。
半导体激光器阵列30的波导路12的芯层是InGaAsP活性层3。半导体调制器阵列40的波导路13是肋形波导路、即Si层的台面条纹。在图5中示出了InGaAsP活性层3的平面形状作为波导路12的平面形状，并示出了台面条纹45的平面形状作为波导路13的平面形状。图5所示的波导路13位于与半导体激光器阵列30对置的半导体调制器阵列40的调制器端面42侧，因此示出了图2所示的入射侧波导路14。波导路12具备远离激光器端面32的区域的传送部34、和激光器端面32侧的光点尺寸变换部33。在图5中从虚线71a向左侧的传送部34的波导路宽度是1.3μm。对于在图5中从虚线71a到虚线71b(激光器端面32的位置)的光点尺寸变换部33而言，波导路宽度从与激光器端面32远离100μm的位置(虚线71a的位置)朝向激光器端面32以锥状变窄。即，从该虚线71a到虚线71b的波导路变为改变激光器输出光(激光器射出光)的光点尺寸的光点尺寸变换器。
半导体调制器阵列40的波导路13的调制器端面42侧、即入射侧波导路14具备：远离调制器端面42的区域的传送部44、和调制器端面42侧的光点尺寸变换部43。在图5中从虚线71c向右侧的传送部44的波导路宽度、即台面条纹宽度是500nm。对于在图5中从虚线71c到虚线71b(调制器端面42的位置)的光点尺寸变换部43而言，从与调制器端面42远离200μm的位置(虚线71c的位置)朝向端面波导路宽度、即台面条纹宽度以锥状变窄。即，从该虚线71c到虚线71b的波导路(台面条纹45)变为改变激光器输出光(激光器射出光)的光点尺寸的光点尺寸变换器。
实施方式1的光发送设备60具备产生多波长光的半导体激光器阵列30和半导体调制器阵列40，与具备单一的半导体激光器31和单一的半导体调制器41的设备相比，通过波长重叠通信能够扩大通信容量(传送容量)。另外，实施方式1的光发送设备60是通过安装将独立的半导体激光器阵列30和半导体调制器阵列40、即半导体激光器芯片61和半导体波导路芯片62混合集成的构造。因此，实施方式1的光发送设备60与专利文献1那样的光发送设备、将III-V族半导体粘贴于Si半导体而在Si半导体设置共振器构造的光发送设备相比，是简单的构造。因此，实施方式1的光发送设备60的量产性优异，能够以低成本制造。另外，实施方式1的光发送设备60的激光器构造与专利文献1的光发送设备不同，是在n-InP基板1上独立形成的分布反馈式激光器，能够获得较高的激光器效率。
另外，实施方式1的光发送设备60是在半导体激光器阵列30与半导体调制器阵列40的光耦合中不使用透镜的构造。在半导体激光器与调制器的光耦合中使用透镜的方式中存在以下3个问题。第1问题是需要各透镜的高精度的对位，为了安装所有的透镜而具有长时间。第2问题是由于多个透镜而使光发送设备的尺寸变大。第3问题是由于使用多个透镜而使光发送设备变得高价。另外，在激光器与调制器的光耦合中使用透镜的方式中，若半导体激光器和调制器的数量变多，则这3个问题变得更加显著。
与此相对，在实施方式1的光发送设备60中不使用透镜，因此不产生第2和第3问题。对于第1问题，实施方式1的光发送设备60通过将半导体激光器阵列30与半导体调制器阵列40的波导路间间距对齐配置，即通过将最外侧的两个半导体激光器31与半导体调制器41的对(pair)的波导路的对位，能够将所有的半导体激光器31与半导体调制器41之间的波导路(波导路12、13)的位置对齐。
如图1所示，在实施方式1的光发送设备60中，半导体激光器阵列30的n-InP基板1(半导体基板)的露出面处于基座9侧(半导体基板的露出面为垂直方向向下)，半导体调制器阵列40的Si基板21(半导体基板的露出面)处于与基座9相反的一侧(半导体基板面为垂直方向向上)。对于实施方式1的光发送设备60中的半导体激光器阵列30和半导体调制器阵列40而言，形成于半导体基板上(半导体基板表面)的层(层叠构造层)的层厚比半导体基板的层厚薄。因此，实施方式1的光发送设备60通过使半导体激光器阵列30和半导体调制器阵列40的半导体基板的露出面相对于基座9上下方向相反，从而在安装半导体激光器芯片61、半导体波导路芯片62时在垂直方向上产生自由度，半导体激光器芯片61、半导体波导路芯片62的安装变得容易。以下进行详细地说明。
对半导体激光器芯片61、半导体波导路芯片62的安装方法进行说明。首先，通过焊料8将安装于辅助支承基板10的半导体激光器芯片61芯片焊接于基座9。接下来，在以将半导体激光器阵列30的波导路12与半导体调制器阵列40的波导路13对接的方式对位之后，用树脂28将安装于辅助支承基板11的半导体波导路芯片62固定于基座9。相对于半导体激光器阵列30的n-InP基板1的层厚，半导体调制器阵列40的从第一绝缘层22到第二绝缘层24的厚度(层厚)较薄，因此在半导体调制器阵列40的辅助支承基板11与基座9之间，为了调整相互的相对位置而存在足够的间隙。因此对于实施方式1的光发送设备60而言，在半导体波导路芯片62对位时垂直方向的自由度较大，半导体波导路芯片62的对位变得容易。此外，实施方式1的光发送设备60在半导体激光器阵列30为上部结合的状态下、即在InGaAsP活性层3为比n-InP基板1远离基座9的位置的状态下经由辅助支承基板10安装于基座9，因此能够实现半导体激光器阵列30的较高的可靠性。光通信用的光发送设备要求较高的可靠性。实施方式1的光发送设备60的半导体激光器阵列30具有较高的可靠性，因此满足了光通信用的光发送设备的要求。
对于实施方式1的光发送设备60而言，如图4那样，半导体调制器阵列40为不使用金属丝17的倒装安装。实施方式1的光发送设备60不使用金属丝17，因此能够实现半导体调制器阵列40的优异的高频响应特性。特别是如实施方式1那样，在半导体调制器41的数量较多的情况下，不使用金属丝17的效果、即高频响应特性优异的效果变得更加显著。
作为比较例，考虑半导体调制器阵列40使用金属丝17来与辅助支承基板11连接的例子(比较例1)。在使用金属丝17的情况下，到作为安装光发送设备60的外部电气电路基板的辅助支承基板11为止的电气配线跨过多个半导体调制器41用长条的金属丝17配线至外部电气电路，或者在半导体调制器41的波导路13上以横穿波导路13的形式形成半导体调制器阵列40的阴极电极26或者阳极电极27、或者其双方。长条的金属丝17导致高频响应特性的劣化，横穿波导路13的电极(阴极电极、阳极电极)需要在抑制光反射方面下工夫。实施方式1的光发送设备60与比较例1不同，半导体调制器阵列40通过不使用金属丝17的倒装安装而安装于辅助支承基板11，因此无需在抑制光反射方面下工夫，从而高频响应特性优异。
另外，对于实施方式1的光发送设备60而言，半导体调制器阵列40在与半导体激光器阵列30对接连接的一侧的端面(调制器端面42)比辅助支承基板11的基板端面18向半导体激光器阵列30侧凸出地安装。在通过将半导体激光器阵列30的波导路12与半导体调制器阵列40的波导路13对接连接来进行光耦合的情况下，为了减少光耦合损失，需要尽可能缩小波导路12与波导路13之间的间隙。在此，考虑半导体调制器阵列40的调制器端面42比辅助支承基板11的基板端面18远离半导体激光器阵列30的比较例2。在比较例2的情况下，在将半导体调制器阵列40与半导体激光器阵列30对接连接之后，在半导体激光器阵列30与半导体调制器阵列40的波导路之间产生较大的间隙，从而光耦合损失变大。通过使半导体调制器阵列40的调制器端面42比辅助支承基板11的基板端面18向半导体激光器阵列30侧凸出，或者通过使半导体调制器阵列40的调制器端面42与辅助支承基板11的基板端面18共面，即例如通过使包括相对于半导体激光器阵列30的激光器端面32的调制器端面42在内的平面与包括基板端面18在内的平面一致，从而能够解决该问题。另外，如图3所示，搭载有半导体激光器芯片61的辅助支承基板10的基板端面19与半导体激光器芯片61的激光器端面32共面。
图1、图3所示的例子示出了半导体调制器阵列40的调制器端面42比辅助支承基板11的基板端面18向半导体激光器阵列30侧凸出的例子。对于图1、图3所示的实施方式1的光发送设备60而言，半导体调制器阵列40的调制器端面42比辅助支承基板11的基板端面18向半导体激光器阵列30侧凸出，因此能够使半导体激光器阵列30与半导体调制器阵列40的光耦合损失比比较例2减少，从而能够延长作为光信号射出的射出光的传送距离。
在使用焊料凸部29将形成有半导体调制器阵列40的半导体波导路芯片62安装于辅助支承基板11时，产生位置差别，因此通过采用从一开始就将半导体调制器阵列40的调制器端面42比辅助支承基板11的基板端面18向半导体激光器阵列30侧凸出的设计，即使存在芯片位置偏移，也能够防止半导体调制器阵列40的调制器端面42比基板端面18从半导体激光器阵列30侧缩进。即，能够缓和对半导体波导路芯片62的辅助支承基板11的要求安装位置精度。
如图5所示，实施方式1的光发送设备60在半导体激光器阵列30与半导体调制器阵列40的对接连接的端面侧，分别设置有变换光点尺寸的光点尺寸变换部33、43。由此，对于实施方式1的光发送设备60而言，半导体激光器阵列30的射出端面(激光器端面32)的射出光的光点尺寸扩大，并且半导体调制器阵列40的入射侧波导路14的光模式的光点尺寸也扩大。由此，具有抑制在将半导体调制器阵列40安装于基座9时产生了位置偏移的情况下的光耦合效率的降低的效果。换言之，实施方式1的光发送设备60能够缓和为了在波导路的对接连接中获得某个值(允许下限值)以上的光耦合效率所需要的半导体调制器阵列40的要求安装位置精度。
另外，在图5中示出了相互对置的半导体激光器阵列30与半导体调制器阵列40双方在相互对置的波导路12、13的端面侧具有变更半导体激光器阵列30生成的激光束的光点尺寸的光点尺寸变换部33、43的例子。但是变更半导体激光器阵列30生成的激光束的光点尺寸的光点尺寸变换部，也可以是相互对置的半导体激光器阵列30与半导体调制器阵列40的任意一方具有。即，实施方式1的光发送设备60也可以是作为相互对置的半导体激光器阵列30与半导体调制器阵列40的任意一方的半导体激光器阵列30，在波导路12的端面侧具有变更半导体激光器阵列30生成的激光束的光点尺寸的光点尺寸变换部33的情况。另外，对于实施方式1的光发送设备60而言，也可以是作为相互对置的半导体激光器阵列30与半导体调制器阵列40的任意一方的半导体调制器阵列40在波导路13的端面侧具有变更半导体激光器阵列30生成的激光束的光点尺寸的光点尺寸变换部43的情况。
另外，光发送设备60也可以是半导体调制器阵列40的调制器端面42与辅助支承基板11的基板端面18共面的光发送设备。即，光发送设备60也可以是包括相对于半导体激光器阵列30的激光器端面32的调制器端面42在内的平面与包括基板端面18在内的平面一致的光发送设备(第一个例子)。
图6是表示实施方式1的另一光发送设备的俯视图，图7是图6的另一光发送设备的剖视图。图7表示图6中的C-C的剖面。图6、图7所示的实施方式1的另一光发送设备60在半导体调制器阵列40的调制器端面42与辅助支承基板11的基板端面18共面这一点上与图1、图3所示的光发送设备60不同。图6、图7所示的实施方式1的另一光发送设备60是上述的第一个例子。对于图6、图7所示的实施方式1的另一光发送设备60的第一个例子而言，对半导体波导路芯片62的辅助支承基板11的要求安装位置精度比图1、图3所示的光发送设备60严格。但是对于图6、图7所示的实施方式1的另一光发送设备60的第一个例子而言，除了对半导体波导路芯片62的辅助支承基板11的要求安装位置精度的缓和效果以外，起到与图1、图3所示的光发送设备60相同的效果。
光发送设备60包括半导体调制器阵列40的调制器端面42比辅助支承基板11的基板端面18接近激光器端面32的情况、和半导体调制器阵列40的调制器端面42与辅助支承基板11的基板端面18共面的情况。因此，光发送设备60也能够表达为：半导体波导路芯片62配置为包括调制器波导路(波导路13)的端面在内的调制器端面42与辅助支承基板11的半导体激光器阵列30侧的端面亦即基板端面18相比，不远离包括激光器波导路(波导路12)的端面在内的激光器端面32。
实施方式1的光发送设备60是具备具有在第一半导体基板(n-InP基板1)形成的多个分布反馈式的半导体激光器31的半导体激光器阵列30、和形成于第二半导体基板(Si基板21)并且具有与半导体激光器31相同数量的半导体调制器41的半导体调制器阵列40的光发送设备，其具备形成有半导体激光器阵列30的半导体激光器芯片61、和形成有半导体调制器阵列40的半导体波导路芯片62。实施方式1的光发送设备60将激光器波导路(波导路12)与调制器波导路(波导路13)对接来连接，使得半导体激光器阵列30的各个半导体激光器31中的半导体调制器阵列侧的波导路12亦即激光器波导路的端面、与半导体调制器阵列40的各个半导体调制器41中的半导体激光器阵列侧的波导路13亦即调制器波导路的端面的距离为10μm以内。实施方式1的光发送设备60通过这样的结构，以相互对置的半导体激光器阵列30的激光器波导路(波导路12)的端面与半导体调制器阵列40的调制器波导路(波导路13)的端面的距离为10μm以内的方式将激光器波导路(波导路12)与调制器波导路(波导路13)对接来连接，因此构造简单并且获得较高的激光器效率。
实施方式2
图8是表示实施方式2的光发送设备的俯视图，图9是图8的光发送设备的剖视图。图9表示图8中的D-D的剖面。实施方式2的光发送设备60在半导体激光器阵列30在与半导体调制器阵列40对接连接的一侧的端面(激光器端面32)比辅助支承基板10的基板端面19向半导体调制器阵列40侧凸出地安装这一点(不同的结构)与图1、图3所示的实施方式1的光发送设备60不同。实施方式2的光发送设备60中的不同的结构以外的其他构造与图1～图5所示的实施方式1的光发送设备60相同。激光器端面32比辅助支承基板10的基板端面19向半导体调制器阵列40侧凸出，调制器端面42比辅助支承基板11的基板端面18向半导体激光器阵列30侧凸出，因此实施方式2的光发送设备60能够缩小波导路12与波导路13的间隙，从而能够减少光耦合损失。实施方式2的光发送设备60与实施方式1的光发送设备60同样以相互对置的半导体激光器阵列30的激光器波导路(波导路12)的端面与半导体调制器阵列40的调制器波导路(波导路13)的端面的距离为10μm以内的方式，将激光器波导路(波导路12)与调制器波导路(波导路13)对接来连接，因此构造简单并且获得较高的激光器效率。
实施方式3
图10是表示实施方式3的光发送设备的俯视图。实施方式3的光发送设备60在具备光合波器50这一点与实施方式1及实施方式2的光发送设备60不同。在图10中示出了变更图1所示的实施方式1的光发送设备60的例子。实施方式3的光发送设备60是将形成有半导体激光器阵列30的半导体激光器芯片61与形成有半导体调制器阵列40及光合波器50的半导体波导路芯片62混合集成的光发送设备、即混合集成发送设备。半导体调制器阵列40和光合波器50单片集成于Si基板21上。半导体波导路芯片62具有将从半导体调制器阵列40的各个半导体调制器41射出的多个射出光合波为一个射出光的光合波器50。半导体激光器阵列30的构造、半导体调制器阵列40的射出侧波导路16的形状以外的半导体调制器阵列40的构造与实施方式1相同。主要对与实施方式1的光发送设备60不同的部分进行说明。
在半导体激光器阵列30存在16个分布反馈式的半导体激光器31，在半导体调制器阵列40存在16个马赫-曾德尔调制器亦即半导体调制器41。光合波器50是阵列波导路衍射光栅(AWG：Arrayed Waveguide Grating)。在图10中，半导体波导路芯片62的从虚线72a向左侧是半导体调制器阵列40，半导体波导路芯片62的从虚线72a向右侧是光合波器50。半导体调制器阵列40的16条波导路13中的射出侧的射出侧波导路16与光合波器50连接。光合波器50具备16条入射侧波导路51、入射平板波导路52、具有16条波导路54的阵列波导路部53、射出平板波导路55、以及1条射出侧波导路56。
在光合波器50的射出侧波导路56，在射出端附近形成有光点尺寸变换部58。射出侧波导路56具备远离射出端的区域的传送部57、和射出端侧的光点尺寸变换部58。从图10的虚线72c到虚线72d是传送部57，从虚线72d到虚线72e是光点尺寸变换部58。光合波器50的射出端在图10中是半导体波导路芯片62的右侧端。光合波器50中的入射侧波导路51、波导路54、射出侧波导路56的波导路构造在Si基板21的表面(辅助支承基板11侧的面)依次形成有SiО2的第一绝缘层22、Si层23、SiО2的第二绝缘层24(参照图4)。Si层23为台面条纹状，该台面条纹状的Si层23成为波导路的芯。
在实施方式3的光发送设备60中，将具有在半导体激光器阵列30中生成的不同的波长的16个射出光在半导体调制器阵列40中分别调制，并通过光合波器50合波为一个射出光。实施方式3的光发送设备60通过将作为半导体调制器阵列40和阵列波导路衍射光栅的光合波器50单片集成于Si基板21上，从而与使用空间光学系光合波器的情况、或者用透镜将调制器阵列与光合波器光耦合的情况相比，能够将光发送设备小型化，也能够使安装变得容易。实施方式3的光发送设备60具备与实施方式1的光发送设备60相同的结构，因此起到与实施方式1的光发送设备60相同的效果。另外，在图10中示出了变更图1所示的实施方式1的光发送设备60的例子，但实施方式3的光发送设备60的结构也能够用于图6所示的实施方式1的另一光发送设备60、实施方式2的光发送设备60。
另外，本申请记载了各种例示性的实施方式和实施例，但在一个或者多个实施方式中记载的各种特征、方式以及功能并不局限于特定的实施方式的应用，而是能够单独或者以各种组合应用于实施方式。因此，在本申请说明书所公开的技术范围内设想未例示的无数的变形例。例如，包括使至少一个结构元件变形的情况、增加的情况或者省略的情况，并且包括抽出至少一个结构元件并与其他实施方式的结构元件组合的情况。
附图标记说明
1…n-InP基板(第一半导体基板)；3…InGaAsP活性层；9…基座；10…辅助支承基板(激光器用辅助支承基板)；11…辅助支承基板；12…波导路(激光器波导路)；13…波导路(调制器波导路)；18…基板端面；19…基板端面；20…金属配线；21…Si基板(第二半导体基板)；26…阴极电极；27…阳极电极；29…焊料凸部(连接件)；30…半导体激光器阵列；31…半导体激光器；32…激光器端面；33…光点尺寸变换部；40…半导体调制器阵列；41…半导体调制器；42…调制器端面；43…光点尺寸变换部；50…光合波器；60…光发送设备；61…半导体激光器芯片；62…半导体波导路芯片。

Claims (12)

1.一种光发送设备，具备：半导体激光器阵列，其具有形成于第一半导体基板的多个分布反馈式半导体激光器；和半导体调制器阵列，其形成于第二半导体基板并且具有与所述半导体激光器相同数量的半导体调制器，其特征在于，
具备：形成有所述半导体激光器阵列的半导体激光器芯片、和形成有所述半导体调制器阵列的半导体波导路芯片，
将激光器波导路与调制器波导路对接来连接，使得所述半导体激光器阵列的各个所述半导体激光器中的所述半导体调制器阵列侧的波导路亦即所述激光器波导路的端面、与所述半导体调制器阵列的各个所述半导体调制器中的所述半导体激光器阵列侧的波导路亦即所述调制器波导路的端面的距离为10μm以内。
2.根据权利要求1所述的光发送设备，其特征在于，
所述半导体激光器芯片和所述半导体波导路芯片搭载于基座，
所述半导体激光器阵列配置为使包括所述半导体激光器的活性层的所述激光器波导路处于比所述第一半导体基板远离所述基座的位置，
所述半导体调制器阵列配置为使所述半导体调制器的所述调制器波导路处于比所述第二半导体基板靠所述基座侧的位置。
3.根据权利要求1或2所述的光发送设备，其特征在于，
所述半导体波导路芯片搭载于辅助支承基板，
对于所述半导体调制器阵列而言，所述半导体调制器的阳极电极和阴极电极形成于与所述第二半导体基板相反的一侧的所述调制器波导路侧的位置，
所述阳极电极和所述阴极电极通过与金属丝不同的连接件而与形成于所述辅助支承基板的金属配线连接。
4.根据权利要求3所述的光发送设备，其特征在于，
所述连接件是焊料凸部。
5.根据权利要求3或4所述的光发送设备，其特征在于，
所述半导体波导路芯片配置为：使包括所述调制器波导路的端面在内的调制器端面比所述辅助支承基板的所述半导体激光器阵列侧的端面亦即基板端面靠近包括所述激光器波导路的端面在内的激光器端面。
6.根据权利要求3或4所述的光发送设备，其特征在于，
所述半导体波导路芯片配置为：使包括所述调制器波导路的端面在内的调制器端面与所述辅助支承基板的所述半导体激光器阵列侧的端面亦即基板端面相比，不远离包括所述激光器波导路的端面在内的激光器端面。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的光发送设备，其特征在于，
所述半导体激光器芯片搭载于激光器用辅助支承基板，
并且所述半导体激光器芯片配置为：使包括所述激光器波导路的端面在内的激光器端面，比所述激光器用辅助支承基板的所述半导体调制器阵列侧的端面亦即基板端面靠近包括所述调制器波导路的端面在内的调制器端面。
8.根据权利要求1～6中的任一项所述的光发送设备，其特征在于，
所述半导体激光器芯片搭载于激光器用辅助支承基板，
并且所述半导体激光器芯片配置为：包括所述激光器波导路的端面在内的激光器端面与所述激光器用辅助支承基板的所述半导体调制器阵列侧的端面亦即基板端面相比，不远离包括所述调制器波导路的端面在内的调制器端面。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的光发送设备，其特征在于，
相互对置的所述半导体激光器阵列以及所述半导体调制器阵列的任意一方或者双方，在相互对置的所述波导路的端面侧具有变更所述半导体激光器阵列生成的激光束的光点尺寸的光点尺寸变换部。
10.根据权利要求1～9中的任一项所述的光发送设备，其特征在于，
所述半导体波导路芯片具有光合波器，该光合波器将从所述半导体调制器阵列的各个所述半导体调制器射出的多个射出光合波为一个射出光。
11.根据权利要求10所述的光发送设备，其特征在于，
所述光合波器是阵列波导路衍射光栅。
12.根据权利要求1～11中的任一项所述的光发送设备，其特征在于，
半导体调制器阵列的各个所述半导体调制器是马赫-曾德尔调制器。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007134480A (ja) * 2005-11-10 2007-05-31 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 波長可変光源
US20080044128A1 (en) * 2001-10-09 2008-02-21 Infinera Corporation TRANSMITTER PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS (TxPICs) AND OPTICAL TRANSPORT NETWORK SYSTEM EMPLOYING TxPICs
JP2010256760A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Nec Corp 半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法、半導体光集積素子及びその製造方法
US20150277044A1 (en) * 2014-03-28 2015-10-01 Fujitsu Limited Optical waveguide coupler and method for manufacturing same
US20150323738A1 (en) * 2014-05-08 2015-11-12 Fujitsu Limited Optical device and optical module
CN105281200A (zh) * 2015-10-09 2016-01-27 南京大学（苏州）高新技术研究院 基于rec技术的集成高速数字调制wdm-pon光模块
CN106532434A (zh) * 2016-12-22 2017-03-22 中国科学院半导体研究所 叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法
CN106605340A (zh) * 2015-08-18 2017-04-26 古河电气工业株式会社 光半导体装置
JP2017142464A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 富士通株式会社 光半導体装置及びその製造方法
CN107078462A (zh) * 2014-07-11 2017-08-18 阿卡西亚通信有限公司 具有可调输出的集成大功率可调谐激光器
JP6252718B1 (ja) * 2017-05-19 2017-12-27 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
CN108054182A (zh) * 2017-12-19 2018-05-18 苏州矩阵光电有限公司 一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09307134A (ja) * 1996-05-13 1997-11-28 Fujitsu Ltd 受光素子及びその光モジュール並びに光ユニット
JPH09311253A (ja) * 1996-05-20 1997-12-02 Fujitsu Ltd 光結合構造とその製造方法
US5793913A (en) * 1996-07-10 1998-08-11 Northern Telecom Limited Method for the hybrid integration of discrete elements on a semiconductor substrate
US6327289B1 (en) * 1997-09-02 2001-12-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Wavelength-variable semiconductor laser, optical integrated device utilizing the same, and production method thereof
US6807208B2 (en) * 2001-08-22 2004-10-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. Laser module
US9372306B1 (en) * 2001-10-09 2016-06-21 Infinera Corporation Method of achieving acceptable performance in and fabrication of a monolithic photonic integrated circuit (PIC) with integrated arrays of laser sources and modulators employing an extended identical active layer (EIAL)
US6785430B2 (en) * 2002-02-25 2004-08-31 Intel Corporation Method and apparatus for integrating an optical transmit module
US7257283B1 (en) 2006-06-30 2007-08-14 Intel Corporation Transmitter-receiver with integrated modulator array and hybrid bonded multi-wavelength laser array
US7961765B2 (en) * 2009-03-31 2011-06-14 Intel Corporation Narrow surface corrugated grating
US20120087004A1 (en) * 2010-10-06 2012-04-12 Electronics And Telecommunications Research Institute Optical comb generator
WO2012049273A1 (en) * 2010-10-14 2012-04-19 Rwth Aachen Laser to chip coupler
JPWO2014118836A1 (ja) * 2013-02-01 2017-01-26 日本電気株式会社 光機能集積ユニット及びその製造方法
JP5641631B1 (ja) * 2014-06-04 2014-12-17 日本碍子株式会社 外部共振器型発光装置
JP6190325B2 (ja) * 2014-06-09 2017-08-30 日本電信電話株式会社 光半導体素子実装方法及び装置
JP6070741B2 (ja) * 2015-03-02 2017-02-01 住友電気工業株式会社 光モジュール
CN105866903B (zh) * 2016-05-18 2019-01-22 武汉光迅科技股份有限公司 一种激光器与平面光波导混合集成结构及其制造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080044128A1 (en) * 2001-10-09 2008-02-21 Infinera Corporation TRANSMITTER PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS (TxPICs) AND OPTICAL TRANSPORT NETWORK SYSTEM EMPLOYING TxPICs
JP2007134480A (ja) * 2005-11-10 2007-05-31 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 波長可変光源
JP2010256760A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Nec Corp 半導体マッハツェンダー光変調器及びその製造方法、半導体光集積素子及びその製造方法
US20150277044A1 (en) * 2014-03-28 2015-10-01 Fujitsu Limited Optical waveguide coupler and method for manufacturing same
US20150323738A1 (en) * 2014-05-08 2015-11-12 Fujitsu Limited Optical device and optical module
CN107078462A (zh) * 2014-07-11 2017-08-18 阿卡西亚通信有限公司 具有可调输出的集成大功率可调谐激光器
CN106605340A (zh) * 2015-08-18 2017-04-26 古河电气工业株式会社 光半导体装置
CN105281200A (zh) * 2015-10-09 2016-01-27 南京大学（苏州）高新技术研究院 基于rec技术的集成高速数字调制wdm-pon光模块
JP2017142464A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 富士通株式会社 光半導体装置及びその製造方法
CN106532434A (zh) * 2016-12-22 2017-03-22 中国科学院半导体研究所 叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法
JP6252718B1 (ja) * 2017-05-19 2017-12-27 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法
CN108054182A (zh) * 2017-12-19 2018-05-18 苏州矩阵光电有限公司 一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法

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Publication number Publication date
TW202006410A (zh) 2020-02-01
US11385403B2 (en) 2022-07-12
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WO2020012590A1 (ja) 2020-01-16
CN112352177B (zh) 2022-06-21
JP6479293B1 (ja) 2019-03-06
JPWO2020012590A1 (ja) 2020-07-16
US20210103093A1 (en) 2021-04-08

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