CN117859245A - 一种具有集成mPD的半导体发射器 - Google Patents

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Abstract

一种复合发射机结构(400)，包括：衬底；以及有源波导结构，包括：位于衬底的第一区域的激光发射器(301)；位于衬底的第二区域的光调制器(302)；以及位于激光发射器(301)和光调制器(302)之间的监控光电检测器(419)，其中监控光电检测器(419)用于测量激光发射器(301)的强度。这样，监控光电检测器(419)可以集成在复合发射机结构(400)中，以尽可能减少对复合发射机结构(400)的尺寸和性能的影响。

Description

一种具有集成mPD的半导体发射器
技术领域
本发明涉及提供一种包括监控光电检测器的复合光学器件。
背景技术
复合光学器件，尤其是复合发射机结构，在电信领域得到了广泛的应用。复合发射机结构可以包括具有激光发射器和光调制器的有源波导结构。监控光电检测器可用于测量激光发射器的强度。已知现有技术中的复合发射机结构中，为复合发射机结构提供了分开的监控光电检测器。
图1示出了现有技术中的第一种复合发射机结构。在该示例中，复合发射机结构100包括激光发射器101和光调制器102。监控光电检测器103位于复合发射机结构100的外部。具体地，监控光电检测器103位于激光发射器101的背面。监控光电检测器103焊接在子底座上。这种解决方案可能会导致许多缺点。监控光电检测器103可以比复合发射机结构100大。因此，监控光电检测器103可能会占用子底座上的大量空间。此外，监控光电检测器103的焊接可能是额外的过程，会带来额外的时间和制造成本。
图2示出了现有技术中的第二种复合发射机结构。在该示例中，复合发射机结构200包括激光发射器201和光调制器202。监控光电检测器203集成在激光发射器201的背面。具体地，监控光电检测器203位于激光发射器201的背面，并嵌入到激光发射器201的背面。这种解决方案可能会导致许多缺点。通常，为了增加激光发射器201的输出功率，会在激光发射器201的背面涂覆反射率增强涂层。通过将监控光电检测器203集成在激光发射器201的背面，这可以等效于在背面给激光发射器201涂覆反射率降低涂层。因此，激光发射器201的输出功率可能会大大降低。此外，以这种方式集成监控光电检测器203可能会增加复合发射机结构的整体尺寸，从而可能会增加芯片和/或制造成本。
需要开发改进的、可以克服一些上述缺点的复合发射机结构。
发明内容
根据第一方面，提供了一种复合发射机结构，包括：衬底；以及有源波导结构，包括：位于所述衬底的第一区域的激光发射器；位于所述衬底的第二区域的光调制器；以及位于所述激光发射器和所述光调制器之间的监控光电检测器，其中所述监控光电检测器用于测量所述激光发射器的强度。这样，所述监控光电检测器可以集成在所述复合发射机结构中，以尽可能减少对芯片尺寸的影响并增强所述复合发射机结构的性能。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述有源波导结构包括电隔离区，所述电隔离区在所述激光发射器和所述光调制器之间延伸。这样，所述激光发射器可以与所述光调制器电隔离。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述监控光电检测器位于所述电隔离区中。这样，所述监控光电检测器可以与所述激光发射器和所述光调制器电隔离。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述激光发射器与所述光调制器光耦合。这样，光可以从所述激光发射器传输到所述光调制器。
在一些实施方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述有源波导结构包括与所述监控光电检测器接触的监控光电检测器电极。这样，可以向所述监控光电检测器施加电偏压。
在一些实施方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述监控光电检测器电极位于所述电隔离区之外。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述有源波导结构包括所述激光发射器上的激光发射器电极。这样，可以向所述激光发射器施加电流。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述有源波导结构包括所述光调制器上的光调制器电极。这样，可以对所述光调制器施加电反向偏压。
在一些实施方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述有源波导结构包括基极，所述基极位于所述衬底与所述激光发射器和所述光调制器之间。这样，可以分别对所述激光发射器施加电流，对所述光调制器施加电偏压。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述激光发射器包括多量子阱层上的p掺杂层。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述光调制器包括多量子阱层上的p掺杂层。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述激光发射器的所述多量子阱层与所述光调制器的所述多量子阱层光耦合。这样，光可以从所述激光发射器的所述多量子阱层传输到所述光调制器的所述多量子阱层。
在一些实施方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述电隔离区在所述激光发射器的所述p掺杂层与所述光调制器的所述p掺杂层之间延伸。这样，所述激光发射器的所述p掺杂层可以与所述光调制器的所述p掺杂层部分电隔离。
在一些实施方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述有源波导结构包括n掺杂层，所述n掺杂层位于所述基极与所述激光发射器和所述光调制器中的至少一个之间。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述激光发射器通过对接耦合与所述光调制器光耦合。这样，可以优化所述光调制器的耦合性能。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述激光发射器为分布式反馈激光器。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述光调制器为电吸收调制器。
在一些实现方式中，所述复合发射机结构可以配置为使得所述激光发射器包括布拉格光栅。这样，所述布拉格光栅可以使得所述激光发射器反射特定的波。
在一些实施方式中，所述复合发射机结构可以配置使得所述激光发射器至少部分地涂覆在反射率增强涂层中，所述光调制器至少部分地涂覆在反射率降低涂层中。
根据第二方面，提供了一种形成复合发射机结构的方法，包括在衬底上形成激光发射器、光调制器和监控光电检测器，以至少部分地提供有源波导结构，其中所述监控光电检测器位于所述激光发射器和所述光调制器之间。这样，在制造期间，所述监控光电检测器可以集成在所述复合发射机结构中，以尽可能减少对所述复合发射机结构的尺寸和性能的影响。
附图说明
下面结合附图通过示例的方式对本发明进行描述。
图1示出了现有技术中的第一种复合发射机结构。
图2示出了现有技术中的第二种复合发射机结构。
图3A和图3B示出了不具有监控光电检测器的复合发射机结构。
图4A和图4B示出了具有监控光电检测器的复合发射机结构的示例性实施例。
具体实施方式
本文描述的复合发射机结构和形成复合发射机结构的方法涉及将监控光电检测器集成到复合发射机结构中。
本发明系统的实施例可以通过在激光发射器和光调制器之间引入监控光电检测器来解决前文提到的一个或多个问题。这样，监控光电检测器可以集成在复合发射机结构中，以尽可能减少对尺寸的影响并增强复合发射机结构的性能。
图3A和图3B示出了复合发射机结构300。图3A示出了从上方看的复合发射机结构300的俯视图。图3B示出了复合发射机结构300的横截面，该截面如图3A所示。
复合发射机结构300可以包括有源波导结构。有源波导结构可以位于衬底上。术语“上”可以定义为在图中所示方向上，某个组件位于另一个组件的上方。例如，有源波导结构可以位于衬底的某个区域。换句话说，有源波导结构可以位于图3A和图3B所示方向的衬底区域的柱体中。
有源波导结构可以包括激光发射器301。激光发射器301可以位于衬底的激光发射器区域。换句话说，激光发射器301可以位于衬底的激光发射器区域的柱体中。激光发射器301可以为分布式反馈(distributed feedback，DFB)激光器。
有源波导结构可以包括光调制器302。光调制器302可以位于衬底的光调制器区域。换句话说，光调制器302可以位于衬底的光调制器区域的柱体中。光调制器302可以为电吸收调制器(electro absorption modulator，EAM)。
有源波导结构可以包括脊状结构或埋入异质结构(buried heterostructure，BH)。
优选地，激光发射器区域与光调制器区域是电气分离的。换句话说，激光发射器301和光调制器302位于不同的区域，使得激光发射器301和光调制器302不重叠。
光可以由激光发射器301发射。光可以由光调制器302输出316。
可以为激光发射器301提供电流，可以为光调制器302提供反向偏压。这种布置可能需要激光发射器301和光调制器302电隔离。有源波导结构可以包括电隔离区303，电隔离区303在激光发射器301和光调制器302之间延伸。换句话说，电隔离区303可以设置在激光发射器301和光调制器302之间。电隔离区303可在激光发射器301的至少一部分和光调制器302之间提供隔离。在图3A和图3B中，电隔离区303在激光发射器301的上部和光调制器302之间延伸。电隔离区303可以通过蚀刻掉顶部的p-InP或者通过离子注入来形成。
激光发射器301可以包括p掺杂层307。另外，可替代地，激光发射器301可以包括多量子阱层310。p掺杂层307可以位于多量子阱层310上。换句话说，p掺杂层307可以位于多量子阱层310上方的柱体中。
光调制器302可以包括p掺杂层308。另外，可替代地，光调制器302可以包括多量子阱层311。p掺杂层308可以位于多量子阱层311上。换句话说，p掺杂层308可以位于多量子阱层311上方的柱体中。
电隔离区303可以在激光发射器301的p掺杂层307和光调制器302的p掺杂层308之间延伸。这样，激光发射器301的p掺杂层307可以与光调制器302的p掺杂层308电隔离。
有源波导结构还可以包括另外的p掺杂层306。另外的p掺杂层306可以在激光发射器301和光调制器302之间延伸。优选地，另外的p掺杂层306可以在激光发射器301的p掺杂层307和光调制器302的p掺杂层308之间延伸。另外的p掺杂层306也可以位于激光发射器301的多量子阱层310和/或光调制器302的多量子阱层311上。优选地，另外的p掺杂层306可以同时位于激光发射器301的多量子阱层310和光调制器302的多量子阱层311上。
激光发射器301和光调制器302可以彼此光耦合。这样，光可以从激光发射器301传输到光调制器302。优选地，激光发射器301通过对接耦合与光调制器302光耦合。图3A和图3B示出了激光发射器301和光调制器302之间的对接耦合接口309。
优选地，激光发射器301的多量子阱层310与光调制器302的多量子阱层311光耦合。这样，对接耦合接口309可以位于激光发射器301的多量子阱层310和光调制器302的多量子阱层311之间。
对接耦合接口309可以位于分别与激光发射器301和光调制器302之间的距离大致相等的位置，如图3A和3B所示。可选地，对接耦合接口309可以位于更靠近激光发射器301的位置，如图4A和图4B所示。通过改变对接耦合接口309的位置，可以提供不同的光学特性。
有源波导结构可以包括基极313。基极313可以位于子底座与激光发射器301和/或光调制器302之间。优选地，基极313位于子底座与激光发射器301和光调制器302之间。这样，可以使用相同的基极313为激光发射器301和光调制器302提供电接触。
有源波导结构还可以包括n掺杂层312，n掺杂层312位于基极313与激光发射器301和/或光调制器302之间。优选地，n掺杂层位于基极313与激光发射器301和所述光调制器302之间。这样，相同的n掺杂层312可以用于激光发射器301和光调制器302。
有源波导结构可以包括激光发射器301上的激光发射器电极304。换句话说，激光发射器电极304可以位于激光发射器301上方的柱体中。优选地，激光发射器电极304可以接触激光发射器301。这样，激光发射器电极304可以提供电接触，以向激光发射器301提供电流。
有源波导结构可以包括光调制器302上的光调制器电极305。换句话说，光调制器电极305可以位于光调制器302上方的柱体中。优选地，光调制器电极305可以接触光调制器302。这样，光调制器电极305可以提供电接触，以向光调制器302提供反向偏压。
激光发射器301的一面可以涂覆在反射增强或高反射(high reflection，HR)涂层314中。反射增强涂层314可以向激光发射器301的表面提供增强的反射率。优选地，反射增强涂层314覆盖激光发射器301的背对光调制器302的表面。
光调制器302的一面可以涂覆在反射降低或抗反射(anti-reflection，AR)涂层315中。反射降低或抗反射(anti-reflection，AR)涂层315可以向光调制器302的表面提供降低的反射率。优选地，反射降低涂层315覆盖光调制器302的背对激光发射器301的表面。这样，反射降低涂层315可以面向光通常输出316的方向。
图4A和图4B示出了复合发射机结构400。图4A示出了从上方看的复合发射机结构400的俯视图。图4B示出了复合发射机结构400的横截面，该截面如图4A所示。图3A和图3B中的复合发射机结构300的一些组件也包括在图4A和图4B中的复合发射机结构400中。在这种情况下，保留了附图标记。
如图4A和图4B所示，激光发射器301可以包括布拉格光栅418。根据布拉格光栅418的布置，布拉格光栅418可以使得激光发射器301反射特定波长并透射其他波长。
有源波导结构可以包括位于激光发射器301和光调制器302之间的监控光电检测器419。监控光电检测器419可以位于第一区域和第二区域之间。如图4A所示，用于粘接的监控光电检测器金属焊盘417可以横向地远离激光发射器301和光调制器302设置，并且位于激光发射器301和光调制器302的上方。
通过使监控光电检测器419位于激光发射器301和光调制器302之间，可以提供紧凑的复合发射机结构400。这样，复合发射机结构400可能不会具有笨重和制造成本高的缺点，这些缺点在现有技术中的第一种复合发射机结构100和第二种复合发射机结构200中可能出现。
监控光电检测器419可用于测量激光发射器301的强度。这可以与光输出316的强度相关联。监控光电检测器419可以直接或间接地用于通过控制激光电流来控制光输出316的强度。
监控光电检测器419的p掺杂层可以与激光发射器301的p掺杂层307和光调制器302的p掺杂层308采用相同的材料。
优选地，监控光电检测器419不接触激光发射器301或光调制器302的侧面。如图4A和图4B所示，在监控光电检测器419与激光发射器301和光调制器302之间可能存在间隙。
监控光电检测器419可以位于电隔离区303之间。所有的监控光电检测器419都可以位于电隔离区303中。这样，监控光电检测器419可以完全被电隔离区303包围。如图4A和图4B所示，监控光电检测器419的底表面与电隔离区303的顶表面对齐。
有源波导结构可以包括监控光电检测器电极417。监控光电检测器电极417可用于向监控光电检测器419提供电偏压。监控光电检测器电极417可以位于电隔离区303之外。如图4A和图4B所示，监控光电检测器电极417的底表面与电隔离区303的顶表面对齐。
监控光电检测器419可能只需要μA级光电流，例如10^–6安培的光电流。这可能是因为监控光电检测器419造成的损失可能是最小的。这样，复合发射机结构400可能不会具有输出功率损失的缺点，这一缺点在现有技术中的第二种复合发射机结构200/300中可能出现。
监控光电检测器419可以包括5μm到300μm之间的长度。监控光电检测器419可以包括0.8μm到5.0μm之间的宽度。在电隔离区303中，监控光电检测器419和激光发射器301之间的距离可以在20μm到100μm之间。在电隔离区303中，监控光电检测器419和光调制器302之间的距离可以在20μm到100μm之间。
复合发射机结构300、400可以通过在衬底上形成激光发射器301、光调制器302和监控光电检测器419来形成或制造。激光发射器301、光调制器302和监控光电检测器419可以各自沉积在衬底上。监控光电检测器419的p掺杂层306可以与光调制器302的p掺杂层308和激光发射器301的p掺杂层307同时生长。
激光发射器301和监控光电检测器419以及光调制器302和监控光电检测器303之间的电隔离可以通过电隔离区303的离子注入或通过蚀刻掉电隔离区303的顶层来提供。
所采用的材料可以基于但不限于InP。该材料可以是GaAs、GaN或其他半导体材料。
本文使用后跟定义条件或功能的术语的表述“配置为”或“配置成”，以指示表述的对象处于其具有该条件或能够执行该功能的状态，且该对象未被修改或进一步配置。
申请人在此单独公开本文描述的每一个别特征及两个或更多个此类特征的任何组合。以本领域技术人员的普通知识，能够基于本说明书将此类特征或组合作为整体实现，而不考虑此类特征或特征的组合是否能解决本文所公开的任何问题，且不对权利要求书的范围造成限制。申请人指出，本发明的各方面可以由任何这样的单独特征或特征的组合组成。鉴于上述描述，本领域技术人员将明显地了解，在本发明的范围内可以进行各种修改。

Claims (20)

1.一种复合发射机结构(400)，其特征在于，包括：
衬底；
有源波导结构，包括：
位于所述衬底的第一区域的激光发射器(301)；
位于所述衬底的第二区域的光调制器(302)；
位于所述激光发射器(301)和所述光调制器(302)之间的监控光电检测器(419)，其中
所述监控光电检测器(419)用于测量所述激光发射器的强度。
2.根据权利要求1所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述有源波导结构包括电隔离区(303)，其中所述电隔离区(303)在所述激光发射器(301)和所述光调制器(302)之间延伸。
3.根据权利要求2所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述监控光电检测器(419)位于所述电隔离区(303)中。
4.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述激光发射器(301)与所述光调制器(302)光耦合。
5.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述有源波导结构包括与所述监控光电检测器(419)接触的监控光电检测器电极(417)。
6.根据权利要求5所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述监控光电检测器电极(417)位于所述电隔离区(303)之外。
7.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述有源波导结构包括所述激光发射器(301)上的激光发射器电极(304)。
8.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述有源波导结构包括所述光调制器(302)上的光调制器电极(305)。
9.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述有源波导结构包括基极(313)，其中所述基极(313)位于所述衬底与所述激光发射器(301)和所述光调制器(302)中的至少一个之间。
10.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述激光发射器(301)包括多量子阱层(310)上的p掺杂层(307)。
11.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述光调制器(302)包括多量子阱层(311)上的p掺杂层(308)。
12.根据取决于权利要求10的权利要求11所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述激光发射器(301)的所述多量子阱层(310)与所述光调制器(302)的所述多量子阱层(311)光耦合。
13.根据取决于权利要求10的权利要求11或12所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述电隔离区(303)在所述激光发射器(301)的所述p掺杂层(307)和所述光调制器(302)的所述p掺杂层(308)之间延伸。
14.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述有源波导结构包括n掺杂层(312)，其中所述n掺杂层(312)位于所述基极(313)与所述激光发射器(301)和所述光调制器(302)中的至少一个之间。
15.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述激光发射器(301)通过对接耦合与所述光调制器(302)光耦合。
16.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述激光发射器(301)为分布式反馈激光器。
17.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述光调制器(302)为电吸收调制器。
18.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述激光发射器(301)包括布拉格光栅(418)。
19.根据前述任一权利要求所述的复合发射机结构(400)，其特征在于，所述激光发射器(301)至少部分地涂覆在反射率增强涂层(314)中，所述光调制器(302)至少部分地涂覆在反射率降低涂层(315)中。
20.一种形成复合发射机结构(400)的方法，包括在衬底上形成激光发射器(301)、光调制器(302)和监控光电检测器(419)，以至少部分地提供有源波导结构，其中所述监控光电检测器(419)位于所述激光发射器(301)和所述光调制器(302)之间。
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JPH04326585A (ja) * 1991-04-25 1992-11-16 Fujitsu Ltd レーザ・光変調器集積化光源
US6408014B1 (en) * 1999-07-07 2002-06-18 Agere Systems Guardian Corp. Apparatus and method for stabilizing the frequency of a light source
CA2463502C (en) * 2001-10-09 2011-09-20 Infinera Corporation Digital optical network architecture
JP4158383B2 (ja) * 2002-02-01 2008-10-01 住友電気工業株式会社 半導体光集積素子
WO2020224775A1 (en) * 2019-05-08 2020-11-12 Huawei Technologies Co., Ltd. Compound optical device

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