CN112323015A - 一种吸气薄膜及其制备方法和应用 - Google Patents
一种吸气薄膜及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112323015A CN112323015A CN202011223916.5A CN202011223916A CN112323015A CN 112323015 A CN112323015 A CN 112323015A CN 202011223916 A CN202011223916 A CN 202011223916A CN 112323015 A CN112323015 A CN 112323015A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- getter
- film
- substrate
- air suction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 20
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 14
- 238000005237 degreasing agent Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000013527 degreasing agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 18
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000017531 blood circulation Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
- C23C14/025—Metallic sublayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Abstract
本发明公开了一种吸气薄膜，其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成，该打底层是由Cr构成，该吸气层是由Pd构成；所述打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。本发明还公开了吸气薄膜的制备方法和应用。其中，吸气薄膜的制备方法包括如下步骤：对基材利用碳酸钠去脂剂对基材进行清洗；将清洗后的基材放置于烤箱中进行烘烤；再对基材进行辉光清洗；然后在基材上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜，作为打底层；在打底层上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜，作为吸气层。该吸气薄膜设置于真空腔体基材上，可以赋予腔体较好的吸气能力，能够吸收腔体内的废气，维持良好的真空度，改善基材的服役环境，减轻腐蚀以及氧化情况，提高基材使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及吸气材料技术领域，具体涉及基于磁控溅射技术的一种吸气薄膜及其制备方法和应用。
背景技术
随着社会快速发展，人们越来越离不开电子信息产品，比如智能手机、计算机、服务器等等。随着大数据时代的到来，服务器扮演着至关重要的角色。众所周知，芯片处理器是服务器的心脏，那么散热系统就是其血液循环系统。服务器的服役周期较长，通常要求10～15年，所以相关零部件服役时间要求亦较高，尤其是其中的真空腔体基材，包括热管、水冷板、均温板等。热管、水冷板、均温板长时间受到热腐蚀以及氧化作用，同时液体与热管、水冷板、均温板会发生电化学反应，释放气体，真空腔体的真空度会下降，从而导致散热能力下降，进而影响产品的性能。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种吸气薄膜及其制备方法和应用。该吸气薄膜设置于真空腔体基材(热管、水冷板或均温板)上，可以赋予腔体较好的吸气能力，能够吸收腔体内的废气，维持良好的真空度，改善基材的服役环境，减轻腐蚀以及氧化情况，提高基材使用寿命。
为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：
一种吸气薄膜，其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成，该打底层是由Cr构成，该吸气层是由Pd构成；所述打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。
进一步的，所述基材为热管、水冷板或均温板。
进一步的，打底层中的Cr的纯度为99.95％以上，吸气层中的Pd的纯度为99.95％以上。
进一步的，所述打底层的厚度为0.001～10μm，所述吸气层的厚度为0.1～10μm。
进一步的，所述打底层和吸气层均是通过磁控溅射的方法沉积而成。
上述吸气薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)准备基材，利用碳酸钠去脂剂对基材进行清洗；
(2)将清洗后的基材放置于烤箱中，于25～100℃的温度条件下，烘烤1～60min；
(3)对经过步骤(2)处理后的基材进行辉光清洗，辉光清洗的电压为100～1000V，工作压强为1～100Pa，清洗时间为5～60min；
(4)在基材上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜，作为打底层；
(5)在打底层上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜，作为吸气层。
上述方法的步骤(4)和步骤(5)中，制备打底层和吸气层时，沉积室的真空度达到6.0×10-5～3×10-3Pa，沉积过程中的工作压强为0.1～2.0Pa，溅射电流为0.01～10A，功率密度为10～200W/cm2，沉积时间为1～200min。
本发明还提供了上述吸气薄膜在热管、水冷板或均温板上的应用。
本发明的有益效果是：该吸气薄膜设置于真空腔体基材(热管、水冷板或均温板)上，可以赋予腔体较好的吸气能力，能够吸收腔体内的废气，维持良好的真空度，改善基材的服役环境，提高了腔体基材耐腐蚀性和抗氧化性，加强了毛细作用，提升散热能力，提高基材使用寿命。
该吸气薄膜是由打底层和吸气层构成，打底层的设置，形成吸气层的沉积基础，使得沉积于打底层上的吸气层结构更加理想，毛细作用更强；吸气层采用Pd成分，从而无需在吸气层再设置保护层，且无需激活，室温下即可实现较好的吸气效果。
附图说明
图1为本发明的吸气薄膜与基材配合的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合具体实施例对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，一种吸气薄膜，其是由依次在基材1表面上生长的打底层2和吸气层3组成，该打底层2是由Cr构成，该吸气层3是由Pd构成；所述打底层2和吸气层3均为柱状晶粒结构，其是由柱状晶粒密集排列而成。
上述基材1为热管、水冷板或均温板。
其中，打底层2中的Cr的纯度为99.95％以上，吸气层3中的Pd的纯度为99.95％以上。
其中，打底层2的厚度为0.001～10μm，所述吸气层3的厚度为0.1～10μm。
其中，打底层2和吸气层3均是通过磁控溅射的方法沉积而成。
上述吸气薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)准备基材1，利用碳酸钠去脂剂对基材进行清洗；
(2)将清洗后的基材1放置于烤箱中，于25～100℃的温度条件下，烘烤1～60min；
(3)对经过步骤(2)处理后的基材1进行辉光清洗，辉光清洗的电压为100～1000V，工作压强为1～100Pa，清洗时间为5～60min；
(4)在基材1上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜，作为打底层2；
(5)在打底层2上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜，作为吸气层3。
步骤(4)和步骤(5)中，制备打底层2和吸气层3时，沉积室的真空度达到6.0×10-5～3×10-3Pa，沉积过程中的工作压强为0.1～2.0Pa，溅射电流为0.01～10A，功率密度为10～200W/cm2，沉积时间为1～200min。
实施例1
一种吸气薄膜，其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成，该打底层是由Cr构成，该吸气层是由Pd构成；打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。在该实施例1中，基材采用水冷板。打底层和吸气层均是通过磁控溅射的方法沉积而成。
其中，打底层中的Cr的纯度为99.96％，吸气层中的Pd的纯度为99.98％。
该实施例1的吸气薄膜中，打底层的厚度为0.005μm，吸气层的厚度为0.5μm。
该实施例1的吸气薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)准备水冷板基材，利用碳酸钠去脂剂对水冷板进行清洗；
(2)将清洗后的水冷板放置于烤箱中，于45℃的温度条件下，烘烤20min；
(3)对经过步骤(2)处理后的基材进行辉光清洗，辉光清洗的电压为300V，工作压强为50Pa，清洗时间为25min；
(4)在水冷板上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜，作为打底层；
(5)在打底层上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜，作为吸气层。
步骤(4)和步骤(5)中，制备打底层和吸气层时，沉积室的真空度抽至6.0×10-5Pa，沉积过程中的工作压强设计为0.5Pa，溅射电流为2A，功率密度为60W/cm2，沉积时间为20min。
实施例2
一种吸气薄膜，其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成，该打底层是由Cr构成，该吸气层是由Pd构成；打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。在该实施例2中，基材采用均温板。打底层和吸气层均是通过磁控溅射的方法沉积而成。
其中，打底层中的Cr的纯度为99.96％，吸气层中的Pd的纯度为99.98％。
该实施例2的吸气薄膜中，打底层的厚度为1μm，吸气层的厚度为1μm。
该实施例2的吸气薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)准备均温板基材，利用碳酸钠去脂剂对均温板进行清洗；
(2)将清洗后的均温板放置于烤箱中，于60℃的温度条件下，烘烤35min；
(3)对经过步骤(2)处理后的基材进行辉光清洗，辉光清洗的电压为500V，工作压强为80Pa，清洗时间为40min；
(4)在均温板上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜，作为打底层；
(5)在打底层上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜，作为吸气层。
步骤(4)和步骤(5)中，制备打底层和吸气层时，沉积室的真空度抽至4.5×10-4Pa，沉积过程中的工作压强设计为1Pa，溅射电流为5A，功率密度为140W/cm2，沉积时间为90min。
实施例3
一种吸气薄膜，其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成，该打底层是由Cr构成，该吸气层是由Pd构成；打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。在该实施例3中，基材采用热管。打底层和吸气层均是通过磁控溅射的方法沉积而成。
其中，打底层中的Cr的纯度为99.96％，吸气层中的Pd的纯度为99.98％。
该实施例3的吸气薄膜中，打底层的厚度为2μm，吸气层的厚度为2μm。
该实施例3的吸气薄膜的制备方法，包括如下步骤：
(1)准备热管基材，利用碳酸钠去脂剂对热管进行清洗；
(2)将清洗后的热管放置于烤箱中，于80℃的温度条件下，烘烤35min；
(3)对经过步骤(2)处理后的基材进行辉光清洗，辉光清洗的电压为600V，工作压强为100Pa，清洗时间为45min；
(4)在热管上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜，作为打底层；
(5)在打底层上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜，作为吸气层。
步骤(4)和步骤(5)中，制备打底层和吸气层时，沉积室的真空度抽至3×10-3Pa，沉积过程中的工作压强设计为2.0Pa，溅射电流为6A，功率密度为185W/cm2，沉积时间为170min。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的修改或等效变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种吸气薄膜，其特征在于，其是由依次在基材表面上生长的打底层和吸气层组成，该打底层是由Cr构成，该吸气层是由Pd构成；所述打底层和吸气层均为柱状晶粒结构。
2.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜，其特征在于：所述基材为热管、水冷板或均温板。
3.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜，其特征在于，打底层中的Cr的纯度为99.95％以上，吸气层中的Pd的纯度为99.95％以上。
4.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜，其特征在于，所述打底层的厚度为0.001～10μm，所述吸气层的厚度为0.1～10μm。
5.根据权利要求1所述的一种吸气薄膜，其特征在于，所述打底层和吸气层均是通过磁控溅射的方法沉积而成。
6.权利要求1至5任一项所述的一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)准备基材，利用碳酸钠去脂剂对基材进行清洗；
(2)将清洗后的基材放置于烤箱中，于25～100℃的温度条件下，烘烤1～60min；
(3)对经过步骤(2)处理后的基材进行辉光清洗，辉光清洗的电压为100～1000V，工作压强为1～100Pa，清洗时间为5～60min；
(4)在基材上利用磁控溅射的方法沉积Cr薄膜，作为打底层；
(5)在打底层上利用磁控溅射的方法沉积Pd薄膜，作为吸气层。
7.根据权利要求6所述的一种吸气薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(4)和步骤(5)中，制备打底层和吸气层时，沉积室的真空度达到6.0×10-5～3×10-3Pa，沉积过程中的工作压强为0.1～2.0Pa，溅射电流为0.01～10A，功率密度为10～200W/cm2，沉积时间为1～200min。
8.权利要求1至5任一项所述的吸气薄膜在热管、水冷板或均温板上的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011223916.5A CN112323015A (zh) | 2020-11-05 | 2020-11-05 | 一种吸气薄膜及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011223916.5A CN112323015A (zh) | 2020-11-05 | 2020-11-05 | 一种吸气薄膜及其制备方法和应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112323015A true CN112323015A (zh) | 2021-02-05 |
Family
ID=74315389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011223916.5A Pending CN112323015A (zh) | 2020-11-05 | 2020-11-05 | 一种吸气薄膜及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112323015A (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1313998A (zh) * | 1999-06-02 | 2001-09-19 | 工程吸气公司 | 能够无需激活处理而吸附氢的复合材料及其生产方法 |
| US20030062610A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Kovacs Alan L. | Multilayer thin film hydrogen getter |
| CN103182297A (zh) * | 2011-12-28 | 2013-07-03 | 北京有色金属研究总院 | 一种高吸气性能薄膜吸气剂及制备方法 |
| CN107400854A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-11-28 | 云南师范大学 | 非蒸散型低温激活锆基吸气剂薄膜及其制备方法 |
| CN108249386A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-07-06 | 苏州大学 | 激活温度可控的非蒸散型薄膜吸气剂及其应用 |
| WO2019045126A1 (ko) * | 2017-08-28 | 2019-03-07 | 한양대학교에리카산학협력단 | 박막 게터, 및 그 제조 방법 |
| CN109536908A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-03-29 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种Pd/Zr-Co-Ce/Ti薄膜吸气剂及其制备 |
| CN109625632A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-16 | 南充辉泓真空技术有限公司 | 一种高真空度保温器皿的制备工艺 |
-
2020
- 2020-11-05 CN CN202011223916.5A patent/CN112323015A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1313998A (zh) * | 1999-06-02 | 2001-09-19 | 工程吸气公司 | 能够无需激活处理而吸附氢的复合材料及其生产方法 |
| US20030062610A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-03 | Kovacs Alan L. | Multilayer thin film hydrogen getter |
| CN103182297A (zh) * | 2011-12-28 | 2013-07-03 | 北京有色金属研究总院 | 一种高吸气性能薄膜吸气剂及制备方法 |
| CN107400854A (zh) * | 2017-07-17 | 2017-11-28 | 云南师范大学 | 非蒸散型低温激活锆基吸气剂薄膜及其制备方法 |
| WO2019045126A1 (ko) * | 2017-08-28 | 2019-03-07 | 한양대학교에리카산학협력단 | 박막 게터, 및 그 제조 방법 |
| CN108249386A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-07-06 | 苏州大学 | 激活温度可控的非蒸散型薄膜吸气剂及其应用 |
| CN109625632A (zh) * | 2018-12-10 | 2019-04-16 | 南充辉泓真空技术有限公司 | 一种高真空度保温器皿的制备工艺 |
| CN109536908A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-03-29 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种Pd/Zr-Co-Ce/Ti薄膜吸气剂及其制备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11799094B2 (en) | Graphite micro-crystalline carbon coating for metal bipolar plates of fuel cells and application thereof | |
| CN111519157B (zh) | 一种Cr-Al-C系MAX相涂层的制备方法及其应用 | |
| CN103819215B (zh) | 氮化铝基陶瓷覆铜板的制备方法 | |
| TW201127266A (en) | Vapor chamber and manufacturing method thereof | |
| WO2018024182A1 (zh) | 一种三维石墨烯-Si-MoS2复合材料的制备方法 | |
| CN106129422B (zh) | 提高燃料电池金属双极板表面镀层致密和耐腐蚀的方法 | |
| CN1734751A (zh) | 散热模组及其制备方法 | |
| CN113684453B (zh) | 一种低二次电子发射系数的膜层及其制备方法 | |
| CN107881466B (zh) | 一种银掺杂类石墨碳涂层及其制备方法 | |
| CN108018529A (zh) | 一种铝基燃料电池双极板表面复合涂层及其制备方法 | |
| CN111234721A (zh) | 一种散热缓冲膜 | |
| CN104144531A (zh) | 一种高发热碳晶板及其制备方法 | |
| CN112553576B (zh) | 一种多孔高熵合金氧化物薄膜及其制备方法 | |
| CN113249683A (zh) | 高导电耐蚀长寿命max相固溶复合涂层、其制法与应用 | |
| CN103266306B (zh) | 一种用pvd技术制备石墨烯或超薄碳膜的方法 | |
| CN113174575A (zh) | 一种AlN陶瓷基板金属化、热沉一体化制备方法 | |
| CN105931932B (zh) | 一种氮化铝绝缘层阴极热丝的制备方法 | |
| CN112323015A (zh) | 一种吸气薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN107910443A (zh) | 一种碳电极钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN108486568B (zh) | 一种用于导热的大鳞片石墨烯/金属异质结复合薄膜及其制备方法 | |
| WO2023236403A1 (zh) | 一种发热体及其制备方法 | |
| CN107642767A (zh) | Led散热基材表面无粘胶超导热复合涂层、led散热基板及其制备方法 | |
| CN111907096A (zh) | 一种石墨烯导热膜的制备方法 | |
| CN111342073A (zh) | 一种用于燃料电池的导电耐蚀钛制金属双极板及制备方法 | |
| CN106119795A (zh) | 利用真空磁控溅射镀膜技术制备锂电池C‑Si负极涂层的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210205 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |