CN112309905A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够在处理多张基板的批量式的装置中提高处理槽的槽内的温度控制性。所述基板处理装置具有：处理槽，其用于贮存处理液，多张基板浸在该处理液中；多个液供给部，所述多个液供给部包括用于向所述处理槽的槽内供给所述处理液的供给路径以及在所述供给路径的中途将所述处理液进行加热的加热机构；以及多个槽内温度传感器，所述多个槽内温度传感器在所述处理槽的槽内的多个部位测定所述处理液的温度。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
专利文献1所记载的基板处理装置具有处理槽、循环线路、泵、加热器、至少两个温度传感器以及控制器。处理槽用于贮存处理液，基板浸在该处理液中。循环线路用于使从处理槽取出的处理液返回处理槽。泵、加热器以及一个温度传感器设置于循环线路的中途。另一个温度传感器设置于处理槽的槽内。控制器基于至少两个温度传感器的检测温度来控制加热器的发热量。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-133558号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一个方式提供一种能够提高处理槽的槽内的温度控制性的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式所涉及的基板处理装置具有：处理槽，其用于贮存处理液，多张基板浸在该处理液中；多个液供给部，所述多个液供给部包括用于向所述处理槽的槽内供给所述处理液的供给路径以及在所述多个供给路径的中途将所述处理液进行加热的加热机构；以及多个槽内温度传感器，所述多个槽内温度传感器在所述处理槽的槽内的多个部位测定所述处理液的温度。
发明的效果
根据本公开的一个方式，关于处理多张基板的批量式的装置能够提高处理槽的槽内的温度控制性。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的正面剖视图。
图2A是表示一个实施方式所涉及的多个液供给部和多个槽内温度传感器的配置的侧面截面图。
图2B是表示图2A所示的多个液供给部各自的水平管的配置的俯视图。
图3是通过功能块表示一个实施方式所涉及的控制部的构成要素的图。
图4是表示第一变形例所涉及的多个液供给部和多个槽内温度传感器的配置的侧面剖视图。
图5是通过功能块表示第一变形例所涉及的控制部的构成要素的图。
图6A是表示第二变形例所涉及的多个液供给部和多个槽内温度传感器的配置的侧面剖视图。
图6B是表示图6A所示的多个液供给部的配置的俯视图。
图7是表示第三变形例所涉及的多个液供给部的配置的侧面剖视图。
图8是表示第四变形例所涉及的多个液供给部的配置的侧面剖视图。
附图标记说明
1：基板处理装置；2：基板；5：处理槽；6：液供给部；61：供给路径；63：加热机构；81：槽内温度传感器。
具体实施方式
下面，参照附图来说明本公开的实施方式。此外，在各附图中，对相同或对应的结构标注相同的标记，有时省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向为彼此垂直的方向。X轴方向和Y轴方向为水平方向，Z轴方向为铅垂方向。
图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置的正面剖视图。基板处理装置1为将多张基板2浸在处理液3中进行处理的批量式，该基板处理装置1具有处理槽5。处理槽5用于贮存处理液3，多张基板2浸在处理槽5的槽内的处理液3中被进行处理。
基板2例如包括硅晶圆、氧化硅膜以及氮化硅膜。重复地使氧化硅膜和氮化硅膜交替层叠来形成层叠膜。层叠膜包括将层叠膜沿厚度方向贯通的开口部。
处理液3例如为进行基板2的蚀刻所用的蚀刻液。处理液3例如为磷酸水溶液，在处理槽5的槽内维持为沸腾状态，该处理液3进入层叠膜的开口部，选择性地蚀刻氧化硅膜和氮化硅膜中的氮化硅膜将其去除。
处理槽5例如为双层槽，具有用于贮存处理液3的内槽51和用于回收从内槽51溢出的处理液3的外槽52。外槽52包围内槽51的上部。
在图1中，内槽51的下部配置于外槽52的外部，但也可以配置于外槽52的内部。也就是说，外槽52可以将内槽51收容于其内部。
在内槽51的槽内，多张基板2浸在处理液3中且被处理液3进行处理。可以在内槽51的上方配置盖53以进行处理液3的保温和飞散抑制。
基板处理装置1具有向处理槽5的槽内供给处理液3的液供给部6。液供给部6具有用于流通处理液3的供给路径61。供给路径61可以为用于将从处理槽5的外部供给的新的处理液3供给至处理槽5的流路，但在本实施方式中为用于使从处理槽5取出的处理液3返回处理槽5的循环路径。循环路径例如用于使从外槽52取出的处理液3返回内槽51。能够进行处理液3的再利用。
液供给部6在供给路径61的中途具有送液机构62、加热机构63、加热温度传感器64以及流量计65。送液机构62例如为泵，进行处理液3的输送。加热机构63例如为电加热器，进行处理液3的加热。加热温度传感器64测定比加热机构63靠下游的位置的处理液3的温度。加热机构63的输出变化立即反映在加热温度传感器64的测定值中。加热温度传感器64可以配置于加热机构63的附近，以提高针对加热机构63的输出变化的响应性。流量计65在送液机构62的下游测定处理液3的流量。送液机构62的输出变化立即反映在流量计65的测定值中。
液供给部6在供给路径61的前端具有向处理槽5的槽内喷出处理液3的喷嘴66。喷嘴66例如向内槽51的槽内喷出处理液3。喷嘴66可以喷出处理液3与气体的混合流体。例如图2A所示的喷嘴66A、66B为L字状，具有铅垂管69A、69B以及从铅垂管69A、69B的下端水平地延伸出的水平管67A、67B。
如图1所示，水平管67为在比基板2靠下方的位置沿基板2的排列方向(X轴方向)延伸的中空的棒，在Y轴方向上隔开间隔地设置有多个。多个水平管67的各水平管在其长度方向上隔开间隔地具有多个喷出口68，多个喷出口68分别朝向正上方喷出处理液3。由此，能够在内槽51的槽内形成帘幕状的上升流。
基板处理装置1具有保持多张基板2的基板保持部7。基板保持部7具有在周向上隔开间隔地保持基板2的外周的多个保持棒71以及与多个保持棒71各自的一端连结的未图示的连结板。多个保持棒71的各保持棒从上述连结板起沿基板2的排列方向即X轴方向延伸，并且在其长度方向上隔开间隔地具有多个保持槽。多个保持棒71通过保持槽将基板2铅垂地保持。
基板保持部7在待机位置与处理位置之间升降。待机位置为相对于未图示的搬送装置交接多张基板2的位置，设定于处理位置的上方。处理位置为将多张基板2浸在处理液3中的位置。
基板保持部7在待机位置从搬送装置接受处理前的基板2，接着下降至处理位置，在经过规定时间后再次上升至待机位置，在待机位置将处理后的基板2传递至搬送装置。之后，重复进行相同的动作。
在基板保持部7进行升降时，盖53打开以免与基板保持部7发生干扰。另一方面，在基板保持部7停止于待机位置或处理位置时，盖53关闭。通过关闭盖53，能够将处理液3保温，另外，能够抑制处理液3的飞散。
控制部9例如为计算机，如图1所示，具备CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)91、存储器等存储介质92。在存储介质92中保存用于控制在基板处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部9通过使CPU 91执行存储介质92中存储的程序来控制基板处理装置1的动作。另外，控制部9具备输入接口93和输出接口94。控制部9通过输入接口93接收来自外部的信号，通过输出接口94向外部发送信号。
上述程序存储于例如可由计算机读取的存储介质中，并且从该存储介质安装于控制部9的存储介质92中。作为可由计算机读取的存储介质，例如列举硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。此外，也可以经由网络从服务器下载程序并安装至控制部9的存储介质92中。
图2A是表示一个实施方式所涉及的多个液供给部和多个槽内温度传感器的配置的侧面剖视图。图2B是表示图2A所示的多个液供给部各自的水平管的配置的俯视图。
基板处理装置1具有多个液供给部6A、6B，多个液供给部6A、6B的各液供给部包括加热机构63。能够针对每个液供给部6A、6B调整加热机构63的输出，因此能够容易地调整内槽51的槽内温度的分布。下面，将内槽51的槽内温度也简称为“槽内温度”。
处理液3通过多个液供给部6A、6B被进行温度调节，之后被供给至内槽51的槽内，接着从内槽51溢出而被回收至图1所示的外槽52。处理液3在外槽52的槽内混合，处理液3的温度变得均匀。
因此，多个液供给部6A、6B可以从外槽52的相同的位置取出处理液3。在该情况下，设置将外槽52的一个取出口与多个液供给部6A、6B各自的供给路径61连结的共同通路。
但是，多个液供给部6A、6B也可以从外槽52的不同的位置取出处理液3。在该情况下也是，如果多个液供给部6A、6B的各液供给部分别包括加热机构63，则能够针对每个液供给部6A、6B调整加热机构63的输出，因此能够容易地调整槽内温度的分布。
另外，基板处理装置1具有多个槽内温度传感器81，在内槽51的槽内的多个部位测定处理液3的温度。能够基于多个槽内温度传感器81的测定值来求出槽内温度的分布。
槽内温度的分布作为将多个槽内温度传感器81各自的测定点的位置与该测定点处的测定值进行了关联的数据被求出。关于测定点的位置，读出并使用预先存储于存储介质92中的位置。
槽内温度的分布还可以包括将测定点以外的预测点的位置与该预测点处的预测值进行了关联的数据。预测点可以设定于多个测定点之间，也可以设定于多个测定点之外。例如通过内插法和外插法等通常的预测法求出预测值。
槽内温度的分布在本实施方式中为水平方向上的分布，但也可以为铅垂方向上的分布，也可以为水平方向和铅垂方向这两个方向上的分布。另外，槽内温度的分布可以为一维分布、二维分布以及三维分布中的任一种分布。
根据本实施方式，基于多个槽内温度传感器81的测定值来求出槽内温度的分布，因此能够进行使实际的分布接近目标分布的操作。其结果是，能够提高槽内温度的控制性。
如图2B所示，在俯视观察时，内槽51的槽内在水平方向上被划分为第一区ZA和第二区ZB，多个液供给部6A、6B配置为从不同的液供给部6对每个区ZA、ZB喷出处理液3。相邻的区ZA、ZB的边界线是虚拟的。在图2B中，内槽51的槽内在基板2的排列方向上被划分为两个区ZA、ZB，但也可以被划分为三个以上的区。
如上所述，多个区ZA、ZB是将内槽51的槽内例如在基板2的排列方向(X轴方向)上进行划分所得到的。将多个基板2在排列方向上分为多个组，能够针对每个组调整基板2的处理条件。在特定的组的基板2发生处理问题的情况下，能够变更该组的基板2的处理条件，从而能够提高成品率。
第一液供给部6A包括第一供给路径61A、第一送液机构62A、第一加热机构63A、第一加热温度传感器64A、第一流量计65A以及第一喷嘴66A。第一喷嘴66A具有第一水平管67A和第一喷出口68A。另外，第一喷嘴66A具有第一铅垂管69A。
第一水平管67A为沿基板2的排列方向(X轴方向)延伸的中空的棒，可以在Y轴方向上隔开间隔地配置多个。第一喷出口68A配置于第一区ZA，不配置于第二区ZB。也就是说，第一液供给部6A向第一区ZA喷出处理液3，不向第二区ZB喷出处理液3。
同样地，第二液供给部6B包括第二供给路径61B、第二送液机构62B、第二加热机构63B、第二加热温度传感器64B、第二流量计65B以及第二喷嘴66B。第二喷嘴66B具有第二水平管67B和第二喷出口68B。另外，第二喷嘴66B具有第二铅垂管69B。
第二水平管67B为沿基板2的排列方向(X轴方向)延伸的中空的棒，可以在Y轴方向上隔开间隔地配置多个。第二喷出口68B配置于第二区ZB，不配置于第一区ZA。也就是说，第二液供给部6B向第二区ZB喷出处理液3，不向第一区ZA喷出处理液3。
如上所述，多个液供给部6A、6B配置为从不同的液供给部6对每个区ZA、ZB喷出处理液3。向任意一个区(例如区ZA)喷出处理液3的液供给部(例如液供给部6A)与向其余的任意一个区(例如区ZB)喷出处理液3的液供给部(例如液供给部6B)不完全一致即可。
例如，多个液供给部6A、6B配置为多个液供给部6A、6B不对多个区ZA、ZB的各区重复喷出处理液3。多个液供给部6A、6B向从多个区ZA、ZB之中选择的互不相同的一个区喷出处理液3。针对同一区(例如第一区ZA)，仅从一个液供给部(例如第一液供给部6A)喷出处理液。
如上所述，如果针对每个区ZA、ZB从不同的液供给部6喷出处理液3，则能够针对每个区ZA、ZB调整处理液3的温度，能够容易地调整槽内温度的水平方向分布。
在多个区ZA、ZB的各区配置一个以上(在图2A中为一个)槽内温度传感器81。因而，能够测定槽内温度的水平方向分布。另外，能够针对每个区ZA、ZB一边监视处理液3的槽内温度一边调整处理液3的加热温度。
图3是通过功能块表示一个实施方式所涉及的控制部的构成要素的图。图3所图示的各功能块是概念性的，在物理结构上无需一定如图示那样构成。能够将各功能块的全部或一部分以任意的单位在功能或物理结构上进行分散/统合来构成各功能块。由各功能块实现的各处理功能的全部或任意一部分能够通过由CPU执行的程序来实现，或者实现为基于有线逻辑的硬件。在后述的图5中同样。
如图3所示，控制部9具有加热温度设定部95和加热控制部96。加热温度设定部95基于多个槽内温度传感器81的测定值BPV来求出槽内温度的分布，基于求出的分布来设定通过加热机构63达到的处理液3的加热温度的目标值HSV。加热控制部96基于加热温度的目标值HSV来控制加热机构63。
加热温度设定部95基于多个槽内温度传感器81的测定值BPV来求出槽内温度的分布，基于求出的分布与其目标分布的偏差来设定通过加热机构63达到的处理液3的加热温度的目标值HSV。通过进行使上述偏差为零的运算来求出目标值HSV。该运算例如使用PI运算或PID运算等。
关于槽内温度的目标分布，读出并使用预先存储于存储介质92中的温度。槽内温度的目标分布可以为均匀的分布也可以为不均匀的分布，能够基于通过处理液3进行了处理的基板2的检查结果恰当地更新该目标分布。以能够减少基板2的处理问题的方式决定槽内温度的目标分布，有时也可以决定为不均匀的分布。
如上所述，加热温度设定部95基于槽内温度的实际分布与其目标分布的偏差，来设定加热机构63的加热温度的目标值HSV，因此能够使槽内温度的实际分布与目标分布一致，从而能够减少基板2的处理问题。
加热温度设定部95可以对全部的液供给部6设定共同的目标值HSV，但在本实施方式中，针对每个液供给部6分别设定目标值HSV。具体地说，加热温度设定部95求出第一区ZA内的测定值BPV与其目标值BSV的偏差，基于求出的偏差来设定通过第一加热机构63A达到的处理液3的加热温度的目标值HSV。另外，加热温度设定部95求出第二区ZB内的测定值BPV与其目标值BSV的偏差，基于求出的偏差来设定通过第二加热机构63B达到的处理液3的加热温度的目标值HSV。能够针对每个液供给部6调整处理液3的加热温度，因此能够容易地调整槽内温度的分布。
在加热温度设定部95针对每个液供给部6设定目标值HSV的情况下，针对每个液供给部6设置加热控制部96。
加热控制部96基于加热温度的目标值HSV与加热温度传感器64的测定值HPV的偏差来控制加热机构63。加热控制部96控制加热机构63的输出，以使目标值HSV与测定值HPV的偏差为零。输出的运算例如使用PI运算或PID运算等。
直到加热机构63的输出变化反映在加热温度的测定值HPV中为止的时间比直到加热机构63的输出变化反映在槽内温度的测定值BPV中为止的时间短。因而，如果基于槽内温度的目标值BSV与测定值BPV的偏差来校正加热温度的目标值HSV，并且基于加热温度的目标值HSV与测定值HPV的偏差来控制加热机构63的输出，则能够提高响应性，从而能够在短时间内使槽内温度的测定值BPV与目标值BSV一致。
图3所示的控制为所谓的串级控制。在串级控制中，通过主回路和副回路来构成一个反馈回路。在图3所示的串级控制中，如上所述，校正加热温度的目标值HSV，以使槽内温度的目标值BSV与测定值BPV的偏差为零，并且控制加热机构63的输出，以使加热温度的目标值HSV与测定值HPV的偏差为零。
图4是表示第一变形例所涉及的多个液供给部和多个槽内温度传感器的配置的侧面剖视图。表示本变形例的水平管的配置的俯视图与图2B相同，因此省略图示。下面，主要说明本变形例与上述实施方式的不同点。
在本变形例中，在多个区ZA、ZB的各区以在铅垂方向上隔开间隔的方式配置多个槽内温度传感器81D、81U。因而，能够关于多个区ZA、ZB的各区求出槽内温度的铅垂方向分布，能够进行使槽内温度的铅垂方向分布接近其目标分布的操作。
能够通过从水平管67向铅垂上方喷出的处理液3的流量来调整槽内温度的铅垂方向分布。喷出口68的开口面积固定，因此处理液3的流量越多则处理液3的流速越快，处理液3在从喷出口68喷出后至到达液面之前不易被夺走热。因而，处理液3的流量越多，则铅垂方向上的槽内温度的差越小。
基板处理装置1具有多个液供给部6，多个液供给部6的各液供给部分别具有送液机构62。能够针对每个液供给部6调整送液机构62的输出，因此能够容易地调整槽内温度的铅垂方向分布。
另外，多个槽内温度传感器81D、81U配置于比水平管67靠上方的位置，下侧的槽内温度传感器81D比上侧的槽内温度传感器81U更靠近水平管67。因此，直到加热机构63的输出变化反映在下侧的槽内温度传感器81D的测定值HPV中为止的时间比直到加热机构63的输出变化反映在上侧的槽内温度传感器81U的测定值HPV中为止的时间短。
图3所示的加热温度设定部95可以从上侧的槽内温度传感器81U获取槽内温度的测定值BPV，但为了提高响应性，也可以从下侧的槽内温度传感器81D获取槽内温度的测定值BPV。加热温度设定部95可以求出下侧的槽内温度传感器81D的测定值BPV与其目标值BSV的偏差，基于求出的偏差来设定通过加热机构63达到的处理液3的加热温度的目标值HSV。
另一方面，图5所示的流量设定部97可以从上下两侧的槽内温度传感器81D、81U获取槽内温度的测定值BPV。
图5是通过功能块表示第一变形例所涉及的控制部的构成要素的图。图5所示的功能块可以与图3所示的功能块组合地使用，也可以单独地使用。
如图5所示，控制部9具有流量设定部97和送液控制部98。流量设定部97基于多个槽内温度传感器81D、81U的测定值BPV来求出槽内温度的铅垂方向分布，基于求出的铅垂方向分布来设定通过送液机构62达到的处理液3的流量的目标值FSV。铅垂方向分布例如用铅垂方向上的温度梯度(单位长度的温度变化)表示。送液控制部98基于流量的目标值FSV来控制送液机构62。
流量设定部97基于多个槽内温度传感器81D、81U的测定值BPV来求出槽内温度的铅垂方向分布，基于求出的铅垂方向分布与其目标分布的偏差来设定通过送液机构62达到的处理液3的流量的目标值FSV。通过进行使上述偏差为零的运算来求出目标值FSV。该运算例如使用PI运算或PID运算等。
如上所述，流量设定部97基于槽内温度的实际的铅垂方向分布与其目标分布的偏差来设定送液机构62的流量的目标值FSV，因此能够使槽内温度的实际的铅垂方向分布与目标分布一致，能够减少基板2的处理问题。
流量设定部97可以针对全部的液供给部6设定共同的目标值FSV，但在本实施方式中，针对每个液供给部6设定目标值FSV。具体地说，流量设定部97求出第一区ZA内的铅垂方向分布与其目标分布的偏差，基于求出的偏差来设定通过第一送液机构62A达到的处理液3的流量的目标值FSV。另外，流量设定部97求出第二区ZB内的铅垂方向分布与其目标分布的偏差，基于求出的偏差来设定通过第二送液机构62B达到的处理液3的流量的目标值FSV。能够针对每个液供给部6调整处理液3的流量，因此能够容易地调整槽内温度的铅垂方向分布。
在流量设定部97针对每个液供给部6设定目标值FSV的情况下，针对每个液供给部6设置送液控制部98。
送液控制部98基于流量的目标值FSV与流量计65的测定值FPV的偏差来控制送液机构62。送液控制部98控制送液机构62的输出，以使目标值FSV与测定值FPV的偏差为零。输出的运算例如使用PI运算或PID运算等。
直到送液机构62的输出变化反映在流量的测定值FPV中为止的时间比直到送液机构62的输出变化反映在槽内温度的测定值BPV中为止的时间短。因而，如果基于槽内温度的铅垂方向分布与其目标分布的偏差来校准流量的目标值FSV，并且基于流量的目标值FSV与测定值FPV的偏差来控制送液机构62的输出，则能够提高响应性，从而能够在短时间内使槽内温度的测定值BPV与目标值BSV一致。
图5所示的控制为所谓的串级控制。在串级控制中，通过主回路和副回路来组成一个反馈回路。在图5所示的串级控制中，如上所述，校正流量的目标值FSV，以使槽内温度的铅垂方向分布与其目标分布的偏差为零，并且控制送液机构62的输出，以使流量的目标值FSV与测定值FPV的偏差为零。
图6A是表示第二变形例所涉及的多个液供给部和多个槽内温度传感器的配置的侧面剖视图。图6B是表示图6A所示的多个液供给部的配置的俯视图。下面，主要说明本变形例与上述实施方式和上述第一变形例的不同点。
如图6A所示，槽内温度传感器81可以安装于液供给部6的水平管67。不需要用于支承槽内温度传感器81的专用构件。另外，水平管67配置于比被浸在处理液3中的状态的基板2靠下方的位置，因此能够在比基板2靠下方的水平面内二维地排列槽内温度传感器81，能够求出比基板2靠下方的水平面内的温度分布。
另外，槽内温度传感器81也可以安装于盖53。不需要用于支承槽内温度传感器81的专用构件。另外，盖53配置于比浸在处理液3的状态的基板2靠上方的位置，因此能够在比基板2靠上方的水平面内二维地排列槽内温度传感器81，能够求出比基板2靠上方的水平面内的温度分布。
并且，槽内温度传感器81可以二维地排列于水平管67并且二维地排列于盖53。能够求出比基板2靠下方的水平面内的温度分布和比基板2靠上方的水平面内的温度分布这两方，从而能够求出槽内的三维的温度分布。
此外，当然也能够根据安装于水平管67和53以外的构件的槽内温度传感器81的测定值来求出槽内的三维的温度分布。
如图6B所示，也可以是，在俯视观察时，内槽51的槽内在基板2的排列方向(X轴方向)及其正交方向(Y轴方向)上被划分为多个区ZA1、ZA2、ZA3、ZA4、ZB1、ZB2、ZB3、ZB4。也就是说，也可以是内槽51的槽内在X轴方向上被划分为多个区群ZA、ZB，这些区群ZA、ZB在Y轴方向上进一步被划分为多个区。区群ZA被划分为区ZA1、ZA2、ZA3、ZA4，区群ZB被划分为区ZB1、ZB2、ZB3、ZB4。
多个液供给部6A1、6A2、6A3、6A4、6B1、6B2、6B3、6B4配置为从不同的液供给部6对这些区ZA1、ZA2、ZA3、ZA4、ZB1、ZB2、ZB3、ZB4的每个区喷出处理液3。使向任意一个区(例如区ZA1)喷出处理液3的液供给部(例如液供给部6A1)与向其余的任意一个区(例如区ZA2)喷出处理液3的液供给部(例如液供给部6A2)不完全一致即可。
如上所述，在俯视观察时，槽内在基板2的排列方向上被划分为多个区群ZA、ZB，针对这些区群ZA、ZB的每个区群从不同的液供给部6喷出处理液3。因此，能够将多个基板2在排列方向上分为多个组，并且针对每个组调整基板2的处理条件。在特定的组的基板2发生处理问题的情况下，能够变更该组的基板2的处理条件，能够提高成品率。
另外，如上所述，在俯视观察时，槽内(例如区群ZA)在与基板2的排列方向正交的方向上被划分为多个区(例如ZA1、ZA2、ZA3)，针对这些区的每个区从不同的液供给部6喷出处理液3。因此，能够将一张基板2在与排列方向正交的方向上分割为多个区域，并且针对每个区域调整基板2的处理条件。在一张基板2的特定的区域发生处理问题的情况下，能够变更该区域的基板2的处理条件，能够提高成品率。在内槽51的槽内仅在与基板2的排列方向正交的方向上被划分为多个区的情况下，也能够得到该效果。
在本变形例中，相比于上述实施方式和上述第一变形例，划分出的区的数量多，但在针对每个区控制槽内温度这一点是相同的。因而，在本变形例中也能够应用图3和图5所示的控制。
在俯视观察时，针对多个区ZA1、ZA2、ZA3、ZA4、ZB1、ZB2、ZB3、ZB4的各区配置一个以上的槽内温度传感器81。因而，能够测定槽内温度的水平方向分布。另外，能够针对区ZA1、ZA2、ZA3、ZA4、ZB1、ZB2、ZB3、ZB4的每个区一边监视处理液3的槽内温度一边调整通过加热机构63达到的处理液3的加热温度。
在一个区沿水平方向相分离地配置多个槽内温度传感器81的情况下，可以将从这些槽内温度传感器81中选择的一个测定值使用于对通过加热机构63达到的处理液3的加热温度的控制。不特别地限定对槽内温度传感器81的选择方式，但例如可以选择离基板2的发生处理问题的部位最近的传感器，并且可以基于基板2的检查结果适当进行更新。另外，可以将多个槽内温度传感器81各自的测定值的平均值使用于对通过加热机构63达到的处理液3的加热温度的控制中。
另外，针对多个区ZA1、ZA2、ZA3、ZA4、ZB1、ZB2、ZB3、ZB4的各区配置至少一组以上的槽内温度传感器81。一组槽内温度传感器81包括在铅垂方向上相分离地配置的多个槽内温度传感器81。能够测定槽内温度的铅垂方向分布。另外，能够针对区ZA1、ZA2、ZA3、ZA4、ZB1、ZB2、ZB3、ZB4的每个区一边监视槽内温度的铅垂方向分布一边调整通过送液机构62达到的处理液3的流量。
在一个区沿水平方向相分离地配置多组槽内温度传感器81的情况下，可以将从多组中选择的一组测定值使用于对通过送液机构62达到的处理液3的流量的控制。不特别地限定从多组中选择一组的选择方式，例如可以选择离基板2的发生处理问题的部位最近的一组，并且可以基于基板2的检查结果适当进行更新。另外，可以将多组测定值的平均值使用于对通过送液机构62达到的处理液3的流量的控制中。
图7是表示第三变形例所涉及的多个液供给部的配置的侧面剖视图。表示本变形例的水平管的配置的俯视图与图2B相同，因此省略图示。此外，表示本变形例的水平管的配置的俯视图可以与图6B相同。下面，主要说明本变形例与上述实施方式的不同点。
在上述实施方式中，多个液供给部6A、6B配置为多个液供给部6A、6B不对多个区ZA、ZB的各区重复喷出处理液3。多个液供给部6A、6B向从多个区ZA、ZB之中选择的互不相同的一个区喷出处理液3。针对同一区(例如第一区ZA)，仅从一个液供给部(例如第一液供给部6A)喷出处理液。
另一方面，在本变形例中，针对第一区ZA，从第一液供给部6A和第二液供给部6B这两方重复喷出处理液3。但是，针对第二区ZB，仅从第二液供给部6B喷出处理液3。因而，向第一区ZA喷出处理液3的液供给部6A、6B与向第二区ZB喷出处理液3的液供给部6B不完全一致，因此不同。
在本变形例中也是，与上述实施方式同样地，针对每个区ZA、ZB从不同的液供给部6喷出处理液3，因此能够针对每个区ZA、ZB调整处理液3的温度，能够容易地调整槽内温度的水平方向分布。
本变形例中，如上所述，针对第一区ZA，从第一液供给部6A和第二液供给部6B这两方重复喷出处理液3，针对第二区ZB，仅从第二液供给部6B喷出处理液3。因此，加热温度设定部95先设定通过第二加热机构63B达到的处理液3的加热温度的目标值HSV，基于该目标值HSV设定通过第一加热机构63A达到的处理液3的加热温度的目标值HSV。同样地，流量设定部97先设定通过第二送液机构62B达到的处理液3的流量的目标值FSV，基于该目标值FSV设定通过第一送液机构62A达到的处理液3的流量的目标值FSV。
但是，如果如上述实施方式那样将多个液供给部6A、6B配置为多个液供给部6A、6B不对多个区ZA、ZB的各区重复喷出处理液3，则容易进行加热温度的目标值HSV的设定以及流量的目标值FSV的设定。这是因为，能够针对每个液供给部6A、6B独立地设定目标值HSV、FSV。
图8是表示第四变形例所涉及的多个液供给部的配置的侧面剖视图。表示本变形例的水平管的配置的俯视图与图2B相同，因此省略图示。此外，表示本变形例的水平管的配置的俯视图可以与图6B相同。下面，主要说明本变形例与上述实施方式的不同点。
本变形例的基板处理装置1除了具有第一液供给部6A和第二液供给部6B以外，还具有第三液供给部6C和第四液供给部6D。此外，基板处理装置1也可以仅具有第三液供给部6C和第四液供给部6D。
在本变形例中，内槽51的槽内(例如区群ZA)在铅垂方向上被划分为多个区ZA1、ZA2。多个液供给部6C、6D配置为从不同的液供给部6对沿铅垂方向排列的多个区ZA1、ZA2的每个区喷出处理液3。
第三液供给部6C包括第三供给路径61C、第三送液机构62C、第三加热机构63C、第三加热温度传感器64C、第三流量计65C以及第三喷嘴66C。第三喷嘴66C具有第三铅垂管69C和第三喷出口68C。
第三铅垂管69C设置于内槽51的槽内的基板2的排列方向端部。第三铅垂管69C为沿铅垂方向延伸的中空的棒，可以在Y轴方向上隔开间隔地配置多个。第三喷出口68C朝向基板2的排列方向喷出处理液3。
第三喷出口68C配置于沿铅垂方向排列的两个区ZA1、ZA2中的下侧的区ZA1，不配置于上侧的区ZA2。也就是说，第三液供给部6C向下侧的区ZA1喷出处理液3，不向上侧的区ZA2喷出处理液3。
同样地，第四液供给部6D包括第四供给路径61D、第四送液机构62D、第四加热机构63D、第四加热温度传感器64D、第四流量计65D以及第四喷嘴66D。第四喷嘴66D具有第四铅垂管69D和第四喷出口68D。
第四铅垂管69D设置于内槽51的槽内的基板2的排列方向端部。第四铅垂管69D为沿铅垂方向延伸的中空的棒，可以在Y轴方向上隔开间隔地配置多个。第四喷出口68D朝向基板2的排列方向喷出处理液3。
第四喷出口68D配置于沿铅垂方向排列的两个区ZA1、ZA2中的上侧的区ZA2，不配置于下侧的区ZA1。也就是说，第四液供给部6D向上侧的区ZA2喷出处理液3，不向下侧的区ZA1喷出处理液3。
在本变形例中也是，与上述实施方式同样地，针对沿铅垂方向排列的区ZA1、ZA2的每个区从不同的液供给部6喷出处理液3，因此能够针对区ZA1、ZA2的每个区调整处理液3的温度，从而能够容易地调整槽内温度的铅垂方向分布。
针对沿铅垂方向排列的多个区ZA1、ZA2的各区配置一个以上(在图8中为一个)槽内温度传感器81。因而，能够测定槽内温度的铅垂方向分布。另外，能够针对每个区ZA1、ZA2一边监视处理液3的槽内温度一边调整处理液3的加热温度。
另外，在本变形例中也是，与上述实施方式同样地，针对沿铅垂方向排列的区ZA1、ZA2的每个区，从不同的液供给部6沿水平方向喷出处理液3，因此能够针对每个区ZA1、ZA2调整处理液3的流量，还能够调整槽内温度的水平方向分布。
以上说明了本公开所涉及的基板处理装置和基板处理方法的实施方式，但本公开不限定为上述实施方式等。能够在权利要求书所记载的范畴内进行各种变更、修正、置换、附加、删除以及组合。这些也当然属于本公开的技术范围中。
上述实施方式的处理液3为磷酸水溶液，但本公开的技术也能够应用于磷酸水溶液以外的其它处理液。处理液3只要能够蚀刻基板2即可，例如可以为氨水。另外，可以使用有机溶剂来代替水。
上述实施方式的基板2包括硅晶圆21、氧化硅膜22以及氮化硅膜23，但不特别限定基板2的结构。例如，基板2可以包括碳化硅基板、氧化镓基板、氮化镓基板、蓝宝石基板或玻璃基板等，以取代硅晶圆21。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，具有：
处理槽，其用于贮存处理液，多张基板浸在所述处理液中；
多个液供给部，所述多个液供给部包括用于向所述处理槽的槽内供给所述处理液的供给路径以及在所述供给路径的中途将所述处理液进行加热的加热机构；以及
多个槽内温度传感器，所述多个槽内温度传感器在所述处理槽的槽内的多个部位测定所述处理液的温度。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理槽的槽内沿水平方向被划分为多个区，多个所述液供给部配置为从不同的所述液供给部对每个该区喷出所述处理液，
在沿水平方向排列的多个所述区的各个区配置一个以上的所述槽内温度传感器。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在沿水平方向排列的多个所述区中的至少一个区，在铅垂方向上相分离地配置多个所述槽内温度传感器。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，具有：
加热温度设定部，其基于多个所述槽内温度传感器的测定值来求出所述处理槽的槽内温度的分布，基于求出的分布来设定通过所述加热机构达到的所述处理液的加热温度的目标值；以及
加热控制部，其基于所述加热温度的目标值来控制所述加热机构的输出。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
所述加热温度设定部针对每个所述液供给部设定所述加热温度的目标值。
6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置，其特征在于，
多个所述液供给部分别具有在所述加热机构的下游测定所述处理液的温度的加热温度传感器，
所述加热控制部基于所述加热温度的目标值与所述加热温度传感器的测定值的偏差来控制所述加热机构的输出。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液供给部的所述供给路径为用于使从所述处理槽的槽内取出的所述处理液返回所述处理槽的槽内的循环路径。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液供给部具有通过所述供给路径输送所述处理液的送液机构，
所述基板处理装置还具有控制所述送液机构的输出的送液控制部。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
具有流量设定部，所述流量设定部基于多个所述槽内温度传感器的测定值来求出所述处理槽的槽内温度的分布，基于求出的分布来设定通过所述送液机构达到的所述处理液的流量的目标值，
所述送液控制部基于所述流量的目标值来控制所述送液机构的输出。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理槽的槽内沿铅垂方向被划分为多个区，多个所述液供给部配置为从不同的所述液供给部对每个该区喷出所述处理液，
在沿铅垂方向排列的多个所述区的各个区配置一个以上的所述槽内温度传感器。
11.一种基板处理方法，包括：
在处理槽中贮存处理液，多张基板浸在所述处理液中；以及
在所述处理槽的槽内的多个部位测定所述处理液的温度，求出槽内温度的分布。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，包括：
在所述处理槽的槽内的多个部位分别调整所供给的所述处理液的加热温度，以使求出的所述分布与其目标分布的偏差为零。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，
校正所述处理液的加热温度的目标值，以使求出的所述分布与其目标分布的偏差为零，控制将所述处理液进行加热的加热机构的输出，以使校正后的目标值与测定值的偏差为零。
14.根据权利要求11至13中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，包括：
在所述处理槽的槽内的多个部位分别调整所供给的所述处理液的流量，以使求出的所述分布与其目标分布的偏差为零。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，
校正所述处理液的流量的目标值，以使求出的所述分布与其目标分布的偏差为零，控制输送所述处理液的送液机构的输出，以使校正后的目标值与测定值的偏差为零。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04357835A (ja) * 1991-06-04 1992-12-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウエット処理装置
JPH11243074A (ja) * 1997-12-25 1999-09-07 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JP5890198B2 (ja) 2011-03-25 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP6762214B2 (ja) * 2016-12-02 2020-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、および基板液処理方法
JP6999392B2 (ja) 2017-02-15 2022-01-18 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6878077B2 (ja) 2017-03-24 2021-05-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6721116B2 (ja) * 2017-04-07 2020-07-08 三菱電機株式会社 熱媒循環システム
JP7023122B2 (ja) 2018-01-16 2022-02-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI837779B (zh) 2022-03-16 2024-04-01 日商鎧俠股份有限公司 基板處理裝置

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