CN112300144B - 一种基于咔唑为核心的有机化合物及其在oled上的应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于咔唑为核心的有机化合物及在OLED上的应用,本发明化合物以咔唑为核心,咔唑的氮原子连接苯并噁唑,两侧苯环同时被杂芳基取代,具有较高的玻璃化温度和热稳定性。材料蒸镀温度较低,并且材料的分解温度大于材料的蒸镀温度;在可见光领域具有较低的消光系数和高折射率,作为覆盖层应用于OLED器件后,可有效提升OLED器件的光取出效率,从而提升器件发光效率,降低器件功耗。

Description

一种基于咔唑为核心的有机化合物及其在OLED上的应用
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种基于咔唑为核心的有机化合物及其在OLED上的应用。
背景技术
当前,OLED显示技术已经在智能手机,平板电脑等领域获得应用,进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展。但是,由于OLED的外量子效率和内量子效率之间存在巨大差距,极大地制约了OLED的发展。因此,如何提高OLED的光取出效率成为研究热点。ITO薄膜和玻璃衬底的界面以及玻璃衬底和空气的界面处会发生全反射,出射到OLED器件前向外部空间的光约占有机材料薄膜EL总量的20%,其余约80%的光主要以导波形式限制在有机材料薄膜、ITO薄膜和玻璃衬底中。可见常规OLED器件的出光效率较低(约为20%),这严重制约了OLED的发展和应用。如何减少OLED器件中的全反射效应、提高光耦合到器件前向外部空间的比例(出光效率)引起人们的广泛关注。
目前,实现提高OLED外量子效率的一类重要方法是在基底出光表面形成如褶皱、光子晶体、微透镜陈列(MLA)和添加表面覆盖层等结构。前两种结构会影响OLED的辐射光谱角度分布,第三种结构制作工艺复杂,而使用表面覆盖层工艺简单,发光效率提高30%以上,尤为人们关注。根据光学原理,当光透射过折射率为n1的物质到折射率为n2的物质时(n1>n2),只有在arcsin(n2/n1)的角度内才能入射到折射率为n2的物质里,吸收率B可以用以下的公式计算:
Figure BDA0002149406490000011
设n1=n一般OLED有机材料=1.70,n2=n玻璃=1.46,则2B=0.49。假设向外传播的光全部被金属电极反射,则只有51%的光能被高折射率的有机膜和ITO层所波导,同样可以计算光从玻璃基底射出到空气时的透过率。因此从有机层发出的光射出器件的外部时,只有约17%的光能被人们所看见。因此,针对目前OLED器件光取出效率低的现状,需要在器件结构中增加一层CPL层,即光提取材料,根据光学吸收、折射原理,此表面覆盖层材料的折射率应该越高越好。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题,本申请人提供了一种基于咔唑为核心的有机化合物及其在OLED上的应用。本发明化合物以咔唑为核心,咔唑的氮原子连接苯并噁唑,两侧苯环同时被杂芳基取代,具有较高的玻璃化温度,在可见光领域折射率高,在应用于OLED器件的CPL层后,可有效提升OLED器件的光取出效率。
本发明的技术方案如下:一种基于咔唑为核心的有机化合物,所述有机化合物的结构如通式(1)所示:
Figure BDA0002149406490000021
通式(1)中,L1、L2分别独立地表示为单键、取代或未取代的C6-30亚芳基、取代或未取代的C2-30亚杂芳基,L1、L2可以相同或不同;
R1表示为取代或未取代的C2-30杂芳基,
可被取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、氚原子、C1-10的烷氧基、卤素原子、氰基、C1-10的烷基、C6-30的芳基、C2-30的杂芳基;
所述杂芳基和亚杂芳基中的杂原子任选自氧、硫或氮中的一种或多种。
作为本发明的进一步改进,所述R1表示为取代或未取代的以下基团:联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、胺基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吡唑基、异噁唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、三唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚嗪基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、酞嗪基、喹唑啉基、喹喔啉基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、吲唑基、苯并异噁唑基、苯并异噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、呫吨基、噻蒽基、糠基、吡喃基、2H-吡喃基、苯氧基噻吩基、联吡啶基、中氮茚基、嘌呤基、萘啶基、蝶啶基、咔啉基、苯并三唑基、呋咱基、苯并呋咱基、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基。
作为本发明的进一步改进,所述R1表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)、通式(5)或通式(6)所示结构;
Figure BDA0002149406490000022
通式(2)通式(3)通式(4)通式(5)通式(6)
通式(2)中,Z1每次出现分别独立地表示为N或者C-R2,X4表示为O、S或N-R3;与其他基团连接处的Z1为C;与其他基团连接处的X4为C或N;
通式(3)中,Y1每次出现分别独立地表示为N或者C-R4,且其中至少一个表示为N;与其他基团连接处的Y1为C;
通式(4)中,Y2每次出现分别独立地表示为N或者C-R5,且其中至少一个表示为N;与其他基团连接处的Y2为C;
通式(5)中,X1表示为O、S或-NR6,X5、X6分别独立地表示为N或C-R11,Z3每次出现分别独立地表示为N或者C-R12;与其他基团连接处的Z3为C;与其他基团连接处的X5为C;与其他基团连接处的X1为C或N;与其他基团连接处的X6为C;
通式(6)中,X2、X3分别独立地表示为单键、O、S、-C(R7)(R8)-或-N(R9),X2和X3不同时表示为单键,Z2每次出现分别独立地表示为N或者C-R10;与其他基团连接处的Z2为C;与其他基团连接处的X2为N;
R2-R6、R10-R12分别独立地表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、C1-10的烷基、C6-30的芳基、C2-30的杂芳基;其中相邻的R2可以相互连接成苯环;相邻的R5可以相互连接成苯环;
R7-R9分别独立地表示为C1-10的烷基、C6-30的芳基、C2-30的杂芳基,R7和R8还可以相互键接成环。
作为本发明的进一步改进,所述L1、L2分别独立地表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚二联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基;
作为本发明的进一步改进,所述R2-R6、R10-R12分别独立地表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、蒽基、菲基、芘基、苯并菲、芴基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、萘啶基、芴基、二苯并呋喃基、咔唑基、N-苯基咔唑基或二苯并噻吩基中的一种;
所述R7、R8分别独立的表示为甲基、苯基、二联苯基中的一种;R9表示为苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、蒽基、菲基、芘基、苯并菲、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基、萘啶基、芴基、咔唑基、N-苯基咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基中的一种;R7和R8还可以相互键接成环;
可被取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、甲基、甲氧基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、联苯基、萘基中的一种或多种。
作为本发明的进一步改进,所述有机化合物的具体结构式为以下结构中的任一种:
Figure BDA0002149406490000031
Figure BDA0002149406490000041
Figure BDA0002149406490000051
Figure BDA0002149406490000061
Figure BDA0002149406490000071
Figure BDA0002149406490000081
Figure BDA0002149406490000091
Figure BDA0002149406490000101
Figure BDA0002149406490000111
Figure BDA0002149406490000121
Figure BDA0002149406490000131
Figure BDA0002149406490000141
Figure BDA0002149406490000151
Figure BDA0002149406490000161
Figure BDA0002149406490000171
一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极和有机功能层,所述有机功能层位于所述阳极和阴极之间,所述有机功能层含有所述以咔唑为核心的有机化合物。
作为本发明的进一步改进,所述有机功能层包括CPL层,所述CPL层含有所述以咔唑为核心的有机化合物。
一种照明或显示元件,所述照明或显示元件含有所述的有机电致发光器件。
上述方案的有益的技术效果是:
本发明的有机化合物的结构以咔唑为核心,咔唑的氮原子连接苯并噁唑,两侧苯环同时被杂芳基取代,结构刚性较强,提升了材料结构稳定性;本发明有机化合物在空间结构上,三个支链向三个方向延伸,使得材料具有较好的平面性,获得了较高的折射率;同时,使得本发明有机化合物都具有很高的Tg和分子热稳定性,本发明化合物分子间相互作用力较低,使得材料在真空状态下的蒸镀温度一般都较小,既保证了材料在量产时长时间蒸镀材料不分解,又降低了由于蒸镀温度的热辐射对蒸镀MASK(掩模板)的形变影响。
CPL层不参与器件的电子和空穴传输,但对材料的热稳定性、膜结晶性及折射率具有非常高的要求。如上分析,咔唑和苯并噁唑均为刚性基团,提高了材料的热稳定性;高的Tg,保证了材料在薄膜状态下不结晶;高的折射率则是本发明材料能应用于CPL层的最主要因素。本发明有机化合物在可见光领域吸收低、折射率高,在应用于OLED器件的CPL层后,可有效提升OLED器件的光取出效率。综上,本发明所述化合物在OLED发光器件中具有良好的应用效果和产业化前景。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图;
其中,1为基板层,2为ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm)阳极层,3为空穴注入层,4为空穴传输层,5为电子阻挡层,6为发光层,7为电子传输或空穴阻挡层,8为电子注入层,9为阴极层,10为CPL层。
具体实施方式
下述实施例中所有原料均采购于烟台万润精细化工股份有限公司。
为了对实施例1至17制备的化合物进行结构分析,利用LC-MS测量分子量,且通过在氘代氯仿溶剂中溶解制备的化合物并利用500MHz的NMR设备测量1H-NMR。
实施例1:化合物8的合成:
Figure BDA0002149406490000181
在氮气气氛下,向500ml三口烧瓶中加入0.01mol原料I-1、0.025mol原料II-1、0.03mol叔丁醇钠、5×10-5mol Pd2(dba)3和5×10-5mol三叔丁基磷,然后加入150ml甲苯将其溶解,加热至100℃,回流24小时,利用TLC观察反应,直至反应完全。自然冷却至室温,过滤,将滤液旋蒸至无馏分。所得物质通过硅胶柱(石油醚作为洗脱剂)纯化,得到中间体A-1;
在250ml的三口瓶中,通氮气保护下,加入0.01mol中间体A-1,0.015mol原料III-1,150ml甲苯搅拌混合,然后加入5×10-5mol Pd2(dba)3,5×10-5mol P(t-Bu)3,0.03mol叔丁醇钠,加热至110℃,回流反应24小时,利用TLC观察反应,直至反应完全。自然冷却至室温,过滤,滤液旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到目标产物,HPLC纯度99.71%,收率79.3%;元素分析结构(C43H28N6O)理论值:C,80.11;H,4.38;N,13.04;测试值:C,80.12;H,4.39;N,13.02。MS(m/z)(M+):计算值为644.23,实测值为644.45,1H NMR(500MHz,Chloroform-d)δ8.50(d,J=1.5Hz,2H),8.37(s,2H),7.96–7.91(m,2H),7.89(d,J=7.4Hz,2H),7.67–7.52(m,15H),7.49–7.40(m,3H),7.32(d,J=7.5Hz,2H)。
实施例2-16的制备方法与实施例1的制备方法类似,本实施例用到的原料I、原料II、原料III和产物的具体结构以及最终产物的结构表征如表1a和表1b所示。
表1a
Figure BDA0002149406490000191
Figure BDA0002149406490000201
Figure BDA0002149406490000211
表1b
Figure BDA0002149406490000221
Figure BDA0002149406490000231
将本发明化合物和化合物CP-1、CP-2用椭偏仪(美国J.A.Woollam Co.型号:ALPHA-SE)测量(测试为大气环境)折射率n和消光系数k;Eg通过双光束紫外可见分光光度计(北京普析通用公司,型号:TU-1901)进行测试;玻璃化温度Tg由示差扫描量热法(DSC,德国耐驰公司DSC204F1示差扫描量热仪)测定,升温速率10℃/min;耐热实验是在热稳定性设备(型号BOF-800C-8D)上进行的,数据如下表2和表3所示:
表2
Figure BDA0002149406490000232
Figure BDA0002149406490000241
表3
Figure BDA0002149406490000242
注:蒸镀温度为材料在TS(TS为蒸镀基板到蒸镀源的垂直距离)为500mm、真空度<1.0E-5Pa、蒸镀速率为
Figure BDA0002149406490000243
时的蒸镀温度。材料分解的判断标准是:耐热前HPLC减去耐热后HPLC>0.1%,即耐热前后HPLC的差值大于0.1%。
由上表2和3数据可知,对比化合物CP-1、CP-2,本发明的有机化合物具有较高的玻璃化温度和热稳定性,材料蒸镀温度较低,并且材料的分解温度大于材料的蒸镀温度;在可见光领域具有较低的消光系数和较高的折射率,作为覆盖层(CPL)在应用于OLED器件后,可有效提升OLED器件的光取出效率,降低功耗。
以下通过器件实施例1-60和器件比较例1-6详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明器件实施例4-6、7-9、10-12、13-15、16-18、19-21、22-24、25-27、28-30、31-33、34-36、37-39、40-42、43-45、46-48、49-51、52-54、55-57、58-60以及器件比较例1-3、4-6分别与器件实施例1-3相比器件的制作工艺完全相同,并且所采用了相同的基板材料和电极材料,电极材料的膜厚也保持一致,所不同的是对器件中的CPL层材料做了更换。
器件实施例1(蓝光)
基板层1/阳极层2(ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))/空穴注入层3(HT-1:P-1=97:3质量比,厚度10nm)/空穴传输层4(HT-1,厚度130nm)/电子阻挡层5(EB-1,厚度10nm)/发光层6(BH-1:BD-1=97:3质量比,厚度20nm)/空穴阻挡/电子传输层7(ET-1:Liq=1:1质量比,厚度35nm)/电子注入层8(Yb,厚度1nm)/阴极层9(Mg:Ag=1:9质量比,厚度15nm)/CPL层10(本发明化合物8,厚度70nm)。
具体制备过程如下:
如图1所示,基板层1为PI膜,对ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm)阳极层2进行洗涤,即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥,再进行紫外线-臭氧洗涤以清除阳极层表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的阳极层2上,利用真空蒸镀装置,蒸镀膜厚为10nm的HT-1和P-1作为空穴注入层3,HT-1和P-1的质量比为97:3。接着蒸镀130nm厚度的HT-1作为空穴传输层4。随后蒸镀10nm厚度的EB-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后,制作OLED发光器件的发光层6,其结构包括OLED发光层6所使用BH-1作为主体材料,BD-1作为掺杂材料,BH-1和BD-1质量比为97:3,发光层膜厚为20nm。在上述发光层6之后,继续真空蒸镀ET-1和Liq,ET-1和Liq质量比为1:1,膜厚为35nm,此层为空穴阻挡/电子传输层7。在空穴阻挡/电子传输层7上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为1nm的Yb层,此层为电子注入层8。在电子注入层8上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为15nm的Mg:Ag电极层,Mg、Ag质量比为1:9,此层为阴极层9使用。在阴极层9上,真空蒸镀70nm的本发明化合物8,作为CPL层10。
器件实施例2(绿光)
透明基板层1/阳极层2(ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))/空穴注入层3(HT-1:P-1=97:3质量比,厚度10nm)/空穴传输层4(HT-1,厚度130nm)/电子阻挡层5(EB-2,厚度40nm)/发光层6(GH-1:GH-2:GD-1=47:47:6质量比,厚度40nm)/空穴阻挡/电子传输层7(ET-1:Liq=1:1质量比,厚度35nm)/电子注入层8(Yb,厚度1nm)/阴极层9(Mg:Ag=1:9质量比,厚度15nm)/CPL层10(本发明化合物8,厚度70nm)。
器件实施例3(红光)
透明基板层1/阳极层2(ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))/空穴注入层3(HT-1:P-1=97:3质量比,厚度10nm)/空穴传输层4(HT-1,厚度130nm)/电子阻挡层5(EB-3,厚度90nm)/发光层6(RH-1:RD-1=97:3质量比,厚度40nm)/空穴阻挡/电子传输层7(ET-1:Liq=1:1质量比,厚度35nm)/电子注入层8(Yb,厚度1nm)/阴极层9(Mg:Ag=1:9质量比,厚度15nm)/CPL层10(本发明化合物8,厚度70nm)。
器件实施例4-6:
器件实施例4-6的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:使用化合物31作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件实施例7-9:
器件实施例7-9的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:使用化合物43作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件实施例10-12:
器件实施例10-12的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:使用化合物57作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件实施例13-15、16-18、19-21、22-24、25-27:
器件实施例13-15、16-18、19-21、22-24、25-27的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:分别使用化合物59、71、75、83、99作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件实施例28-30、31-33、34-36、37-39、40-42:
器件实施例28-30、31-33、34-36、37-39、40-42:的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:分别使用化合物104、113、140、158、165作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件实施例43-45、46-48、49-51、52-54、55-57、58-60:
器件实施例43-45、46-48、49-51、52-54、55-57、58-60的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:分别使用化合物196、199、218、223、238、240作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件比较例1-3:
器件比较例1-3的制备方式和器件实施例1-3相同,不同之处在于:使用CP-1作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件比较例4-6:
器件比较例4-6的制备方式和器件实施例1-3相同,不同之处在于:使用CP-2作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
按照上述步骤完成电致发光器件的制备后,测量器件的电流效率、发光颜色、色坐标和可察觉色差,其结果如表4中所示。相关材料的分子结构式如下所示:
Figure BDA0002149406490000261
Figure BDA0002149406490000271
电流效率、CIE、可察觉色差(JNCD)的测定:
使用IVL(电流-电压-亮度)测试系统(苏州弗士达科学仪器有限公司),对上述实施例和比较实施例中的OLED装置进行电流效率、CIEx、CIEy及可察觉色差的测定,得到如下表4结果:
表4
Figure BDA0002149406490000272
Figure BDA0002149406490000281
Figure BDA0002149406490000291
注:Index=电流效率/CIEy,且仅应用于蓝光器件;
应理解,可察觉色差越小,色度变化量越小,意味着有机电致发光装置的出射光波长的角度依赖性被抑制的越好。
由表4的结果可以看出:
与器件比较例1~6相比,用本发明化合物制备的覆盖层制备的有机电致发光器件在蓝光、绿光、红光领域的电流效率显著提高,从而相应地提高了光取出效率。
与器件比较例1~6相比,用本发明化合物制备的覆盖层制备的有机电致发光器件在蓝光、绿光、红光领域的可察觉的色差较小,因而角度依赖性较小。
综上,以上仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种基于咔唑为核心的有机化合物,其特征在于,所述有机化合物的具体结构式为以下结构中的任一种:
Figure FDF0000020927640000011
2.一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极和有机功能层,所述有机功能层包括CPL层,其特征在于,所述CPL层含有权利要求1所述以咔唑为核心的有机化合物。
3.一种照明或显示元件,其特征在于,所述照明或显示元件含有权利要求2所述的有机电致发光器件。
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