CN112300144B - 一种基于咔唑为核心的有机化合物及其在oled上的应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于咔唑为核心的有机化合物及在OLED上的应用,本发明化合物以咔唑为核心,咔唑的氮原子连接苯并噁唑,两侧苯环同时被杂芳基取代,具有较高的玻璃化温度和热稳定性。材料蒸镀温度较低,并且材料的分解温度大于材料的蒸镀温度;在可见光领域具有较低的消光系数和高折射率,作为覆盖层应用于OLED器件后,可有效提升OLED器件的光取出效率,从而提升器件发光效率,降低器件功耗。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种基于咔唑为核心的有机化合物及其在OLED上的应用。
背景技术
当前,OLED显示技术已经在智能手机,平板电脑等领域获得应用,进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展。但是,由于OLED的外量子效率和内量子效率之间存在巨大差距,极大地制约了OLED的发展。因此,如何提高OLED的光取出效率成为研究热点。ITO薄膜和玻璃衬底的界面以及玻璃衬底和空气的界面处会发生全反射,出射到OLED器件前向外部空间的光约占有机材料薄膜EL总量的20%,其余约80%的光主要以导波形式限制在有机材料薄膜、ITO薄膜和玻璃衬底中。可见常规OLED器件的出光效率较低(约为20%),这严重制约了OLED的发展和应用。如何减少OLED器件中的全反射效应、提高光耦合到器件前向外部空间的比例(出光效率)引起人们的广泛关注。
目前,实现提高OLED外量子效率的一类重要方法是在基底出光表面形成如褶皱、光子晶体、微透镜陈列(MLA)和添加表面覆盖层等结构。前两种结构会影响OLED的辐射光谱角度分布,第三种结构制作工艺复杂,而使用表面覆盖层工艺简单,发光效率提高30%以上,尤为人们关注。根据光学原理,当光透射过折射率为n1的物质到折射率为n2的物质时(n1>n2),只有在arcsin(n2/n1)的角度内才能入射到折射率为n2的物质里,吸收率B可以用以下的公式计算:
设n1=n一般OLED有机材料=1.70,n2=n玻璃=1.46,则2B=0.49。假设向外传播的光全部被金属电极反射,则只有51%的光能被高折射率的有机膜和ITO层所波导,同样可以计算光从玻璃基底射出到空气时的透过率。因此从有机层发出的光射出器件的外部时,只有约17%的光能被人们所看见。因此,针对目前OLED器件光取出效率低的现状,需要在器件结构中增加一层CPL层,即光提取材料,根据光学吸收、折射原理,此表面覆盖层材料的折射率应该越高越好。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题,本申请人提供了一种基于咔唑为核心的有机化合物及其在OLED上的应用。本发明化合物以咔唑为核心,咔唑的氮原子连接苯并噁唑,两侧苯环同时被杂芳基取代,具有较高的玻璃化温度,在可见光领域折射率高,在应用于OLED器件的CPL层后,可有效提升OLED器件的光取出效率。
本发明的技术方案如下:一种基于咔唑为核心的有机化合物,所述有机化合物的结构如通式(1)所示:
通式(1)中,L1、L2分别独立地表示为单键、取代或未取代的C6-30亚芳基、取代或未取代的C2-30亚杂芳基,L1、L2可以相同或不同;
R1表示为取代或未取代的C2-30杂芳基,
可被取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、氚原子、C1-10的烷氧基、卤素原子、氰基、C1-10的烷基、C6-30的芳基、C2-30的杂芳基;
所述杂芳基和亚杂芳基中的杂原子任选自氧、硫或氮中的一种或多种。
作为本发明的进一步改进,所述R1表示为取代或未取代的以下基团:联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、胺基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吡唑基、异噁唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、三唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚嗪基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、酞嗪基、喹唑啉基、喹喔啉基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、吲唑基、苯并异噁唑基、苯并异噻唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、呫吨基、噻蒽基、糠基、吡喃基、2H-吡喃基、苯氧基噻吩基、联吡啶基、中氮茚基、嘌呤基、萘啶基、蝶啶基、咔啉基、苯并三唑基、呋咱基、苯并呋咱基、4-咪唑并[1,2-a]苯并咪唑基。
作为本发明的进一步改进,所述R1表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)、通式(5)或通式(6)所示结构;
通式(2)通式(3)通式(4)通式(5)通式(6)
通式(2)中,Z1每次出现分别独立地表示为N或者C-R2,X4表示为O、S或N-R3;与其他基团连接处的Z1为C;与其他基团连接处的X4为C或N;
通式(3)中,Y1每次出现分别独立地表示为N或者C-R4,且其中至少一个表示为N;与其他基团连接处的Y1为C;
通式(4)中,Y2每次出现分别独立地表示为N或者C-R5,且其中至少一个表示为N;与其他基团连接处的Y2为C;
通式(5)中,X1表示为O、S或-NR6,X5、X6分别独立地表示为N或C-R11,Z3每次出现分别独立地表示为N或者C-R12;与其他基团连接处的Z3为C;与其他基团连接处的X5为C;与其他基团连接处的X1为C或N;与其他基团连接处的X6为C;
通式(6)中,X2、X3分别独立地表示为单键、O、S、-C(R7)(R8)-或-N(R9),X2和X3不同时表示为单键,Z2每次出现分别独立地表示为N或者C-R10;与其他基团连接处的Z2为C;与其他基团连接处的X2为N;
R2-R6、R10-R12分别独立地表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、C1-10的烷基、C6-30的芳基、C2-30的杂芳基;其中相邻的R2可以相互连接成苯环;相邻的R5可以相互连接成苯环;
R7-R9分别独立地表示为C1-10的烷基、C6-30的芳基、C2-30的杂芳基,R7和R8还可以相互键接成环。
作为本发明的进一步改进,所述L1、L2分别独立地表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚二联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基;
作为本发明的进一步改进,所述R2-R6、R10-R12分别独立地表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、卤素、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、蒽基、菲基、芘基、苯并菲、芴基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、萘啶基、芴基、二苯并呋喃基、咔唑基、N-苯基咔唑基或二苯并噻吩基中的一种;
所述R7、R8分别独立的表示为甲基、苯基、二联苯基中的一种;R9表示为苯基、萘基、二联苯基、三联苯基、蒽基、菲基、芘基、苯并菲、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并恶唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基、萘啶基、芴基、咔唑基、N-苯基咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基中的一种;R7和R8还可以相互键接成环;
可被取代基团的取代基任选自氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、甲基、甲氧基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、联苯基、萘基中的一种或多种。
作为本发明的进一步改进,所述有机化合物的具体结构式为以下结构中的任一种:
一种有机电致发光器件,包括阳极、阴极和有机功能层,所述有机功能层位于所述阳极和阴极之间,所述有机功能层含有所述以咔唑为核心的有机化合物。
作为本发明的进一步改进,所述有机功能层包括CPL层,所述CPL层含有所述以咔唑为核心的有机化合物。
一种照明或显示元件,所述照明或显示元件含有所述的有机电致发光器件。
上述方案的有益的技术效果是:
本发明的有机化合物的结构以咔唑为核心,咔唑的氮原子连接苯并噁唑,两侧苯环同时被杂芳基取代,结构刚性较强,提升了材料结构稳定性;本发明有机化合物在空间结构上,三个支链向三个方向延伸,使得材料具有较好的平面性,获得了较高的折射率;同时,使得本发明有机化合物都具有很高的Tg和分子热稳定性,本发明化合物分子间相互作用力较低,使得材料在真空状态下的蒸镀温度一般都较小,既保证了材料在量产时长时间蒸镀材料不分解,又降低了由于蒸镀温度的热辐射对蒸镀MASK(掩模板)的形变影响。
CPL层不参与器件的电子和空穴传输,但对材料的热稳定性、膜结晶性及折射率具有非常高的要求。如上分析,咔唑和苯并噁唑均为刚性基团,提高了材料的热稳定性;高的Tg,保证了材料在薄膜状态下不结晶;高的折射率则是本发明材料能应用于CPL层的最主要因素。本发明有机化合物在可见光领域吸收低、折射率高,在应用于OLED器件的CPL层后,可有效提升OLED器件的光取出效率。综上,本发明所述化合物在OLED发光器件中具有良好的应用效果和产业化前景。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图;
其中,1为基板层,2为ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm)阳极层,3为空穴注入层,4为空穴传输层,5为电子阻挡层,6为发光层,7为电子传输或空穴阻挡层,8为电子注入层,9为阴极层,10为CPL层。
具体实施方式
下述实施例中所有原料均采购于烟台万润精细化工股份有限公司。
为了对实施例1至17制备的化合物进行结构分析,利用LC-MS测量分子量,且通过在氘代氯仿溶剂中溶解制备的化合物并利用500MHz的NMR设备测量1H-NMR。
实施例1:化合物8的合成:
在氮气气氛下,向500ml三口烧瓶中加入0.01mol原料I-1、0.025mol原料II-1、0.03mol叔丁醇钠、5×10-5mol Pd2(dba)3和5×10-5mol三叔丁基磷,然后加入150ml甲苯将其溶解,加热至100℃,回流24小时,利用TLC观察反应,直至反应完全。自然冷却至室温,过滤,将滤液旋蒸至无馏分。所得物质通过硅胶柱(石油醚作为洗脱剂)纯化,得到中间体A-1;
在250ml的三口瓶中,通氮气保护下,加入0.01mol中间体A-1,0.015mol原料III-1,150ml甲苯搅拌混合,然后加入5×10-5mol Pd2(dba)3,5×10-5mol P(t-Bu)3,0.03mol叔丁醇钠,加热至110℃,回流反应24小时,利用TLC观察反应,直至反应完全。自然冷却至室温,过滤,滤液旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到目标产物,HPLC纯度99.71%,收率79.3%;元素分析结构(C43H28N6O)理论值:C,80.11;H,4.38;N,13.04;测试值:C,80.12;H,4.39;N,13.02。MS(m/z)(M+):计算值为644.23,实测值为644.45,1H NMR(500MHz,Chloroform-d)δ8.50(d,J=1.5Hz,2H),8.37(s,2H),7.96–7.91(m,2H),7.89(d,J=7.4Hz,2H),7.67–7.52(m,15H),7.49–7.40(m,3H),7.32(d,J=7.5Hz,2H)。
实施例2-16的制备方法与实施例1的制备方法类似,本实施例用到的原料I、原料II、原料III和产物的具体结构以及最终产物的结构表征如表1a和表1b所示。
表1a
表1b
将本发明化合物和化合物CP-1、CP-2用椭偏仪(美国J.A.Woollam Co.型号:ALPHA-SE)测量(测试为大气环境)折射率n和消光系数k;Eg通过双光束紫外可见分光光度计(北京普析通用公司,型号:TU-1901)进行测试;玻璃化温度Tg由示差扫描量热法(DSC,德国耐驰公司DSC204F1示差扫描量热仪)测定,升温速率10℃/min;耐热实验是在热稳定性设备(型号BOF-800C-8D)上进行的,数据如下表2和表3所示:
表2
表3
注:蒸镀温度为材料在TS(TS为蒸镀基板到蒸镀源的垂直距离)为500mm、真空度<1.0E-5Pa、蒸镀速率为时的蒸镀温度。材料分解的判断标准是:耐热前HPLC减去耐热后HPLC>0.1%,即耐热前后HPLC的差值大于0.1%。
由上表2和3数据可知,对比化合物CP-1、CP-2,本发明的有机化合物具有较高的玻璃化温度和热稳定性,材料蒸镀温度较低,并且材料的分解温度大于材料的蒸镀温度;在可见光领域具有较低的消光系数和较高的折射率,作为覆盖层(CPL)在应用于OLED器件后,可有效提升OLED器件的光取出效率,降低功耗。
以下通过器件实施例1-60和器件比较例1-6详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明器件实施例4-6、7-9、10-12、13-15、16-18、19-21、22-24、25-27、28-30、31-33、34-36、37-39、40-42、43-45、46-48、49-51、52-54、55-57、58-60以及器件比较例1-3、4-6分别与器件实施例1-3相比器件的制作工艺完全相同,并且所采用了相同的基板材料和电极材料,电极材料的膜厚也保持一致,所不同的是对器件中的CPL层材料做了更换。
器件实施例1(蓝光)
基板层1/阳极层2(ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))/空穴注入层3(HT-1:P-1=97:3质量比,厚度10nm)/空穴传输层4(HT-1,厚度130nm)/电子阻挡层5(EB-1,厚度10nm)/发光层6(BH-1:BD-1=97:3质量比,厚度20nm)/空穴阻挡/电子传输层7(ET-1:Liq=1:1质量比,厚度35nm)/电子注入层8(Yb,厚度1nm)/阴极层9(Mg:Ag=1:9质量比,厚度15nm)/CPL层10(本发明化合物8,厚度70nm)。
具体制备过程如下:
如图1所示,基板层1为PI膜,对ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm)阳极层2进行洗涤,即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥,再进行紫外线-臭氧洗涤以清除阳极层表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的阳极层2上,利用真空蒸镀装置,蒸镀膜厚为10nm的HT-1和P-1作为空穴注入层3,HT-1和P-1的质量比为97:3。接着蒸镀130nm厚度的HT-1作为空穴传输层4。随后蒸镀10nm厚度的EB-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后,制作OLED发光器件的发光层6,其结构包括OLED发光层6所使用BH-1作为主体材料,BD-1作为掺杂材料,BH-1和BD-1质量比为97:3,发光层膜厚为20nm。在上述发光层6之后,继续真空蒸镀ET-1和Liq,ET-1和Liq质量比为1:1,膜厚为35nm,此层为空穴阻挡/电子传输层7。在空穴阻挡/电子传输层7上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为1nm的Yb层,此层为电子注入层8。在电子注入层8上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为15nm的Mg:Ag电极层,Mg、Ag质量比为1:9,此层为阴极层9使用。在阴极层9上,真空蒸镀70nm的本发明化合物8,作为CPL层10。
器件实施例2(绿光)
透明基板层1/阳极层2(ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))/空穴注入层3(HT-1:P-1=97:3质量比,厚度10nm)/空穴传输层4(HT-1,厚度130nm)/电子阻挡层5(EB-2,厚度40nm)/发光层6(GH-1:GH-2:GD-1=47:47:6质量比,厚度40nm)/空穴阻挡/电子传输层7(ET-1:Liq=1:1质量比,厚度35nm)/电子注入层8(Yb,厚度1nm)/阴极层9(Mg:Ag=1:9质量比,厚度15nm)/CPL层10(本发明化合物8,厚度70nm)。
器件实施例3(红光)
透明基板层1/阳极层2(ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))/空穴注入层3(HT-1:P-1=97:3质量比,厚度10nm)/空穴传输层4(HT-1,厚度130nm)/电子阻挡层5(EB-3,厚度90nm)/发光层6(RH-1:RD-1=97:3质量比,厚度40nm)/空穴阻挡/电子传输层7(ET-1:Liq=1:1质量比,厚度35nm)/电子注入层8(Yb,厚度1nm)/阴极层9(Mg:Ag=1:9质量比,厚度15nm)/CPL层10(本发明化合物8,厚度70nm)。
器件实施例4-6:
器件实施例4-6的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:使用化合物31作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件实施例7-9:
器件实施例7-9的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:使用化合物43作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件实施例10-12:
器件实施例10-12的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:使用化合物57作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件实施例13-15、16-18、19-21、22-24、25-27:
器件实施例13-15、16-18、19-21、22-24、25-27的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:分别使用化合物59、71、75、83、99作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件实施例28-30、31-33、34-36、37-39、40-42:
器件实施例28-30、31-33、34-36、37-39、40-42:的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:分别使用化合物104、113、140、158、165作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件实施例43-45、46-48、49-51、52-54、55-57、58-60:
器件实施例43-45、46-48、49-51、52-54、55-57、58-60的制备方法与器件实施例1-3相同,不同之处在于:分别使用化合物196、199、218、223、238、240作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件比较例1-3:
器件比较例1-3的制备方式和器件实施例1-3相同,不同之处在于:使用CP-1作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
器件比较例4-6:
器件比较例4-6的制备方式和器件实施例1-3相同,不同之处在于:使用CP-2作为有机电致发光装置的覆盖层材料。
按照上述步骤完成电致发光器件的制备后,测量器件的电流效率、发光颜色、色坐标和可察觉色差,其结果如表4中所示。相关材料的分子结构式如下所示:
电流效率、CIE、可察觉色差(JNCD)的测定:
使用IVL(电流-电压-亮度)测试系统(苏州弗士达科学仪器有限公司),对上述实施例和比较实施例中的OLED装置进行电流效率、CIEx、CIEy及可察觉色差的测定,得到如下表4结果:
表4
注:Index=电流效率/CIEy,且仅应用于蓝光器件;
应理解,可察觉色差越小,色度变化量越小,意味着有机电致发光装置的出射光波长的角度依赖性被抑制的越好。
由表4的结果可以看出:
与器件比较例1~6相比,用本发明化合物制备的覆盖层制备的有机电致发光器件在蓝光、绿光、红光领域的电流效率显著提高,从而相应地提高了光取出效率。
与器件比较例1~6相比,用本发明化合物制备的覆盖层制备的有机电致发光器件在蓝光、绿光、红光领域的可察觉的色差较小,因而角度依赖性较小。
综上,以上仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围。
Claims (3)
Priority Applications (1)
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