CN114685464A - 一种含三嗪类结构的化合物及其应用 - Google Patents
一种含三嗪类结构的化合物及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114685464A CN114685464A CN202011602083.3A CN202011602083A CN114685464A CN 114685464 A CN114685464 A CN 114685464A CN 202011602083 A CN202011602083 A CN 202011602083A CN 114685464 A CN114685464 A CN 114685464A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substituted
- unsubstituted
- represented
- general formula
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 54
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 84
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 12
- -1 biphenylyl Chemical group 0.000 claims description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 11
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 8
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004593 naphthyridinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CN=C12)* 0.000 claims description 4
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 2
- 125000005509 dibenzothiophenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 claims description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000005551 pyridylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000006836 terphenylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 76
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 27
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 27
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 27
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 24
- 238000004895 liquid chromatography mass spectrometry Methods 0.000 description 24
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 24
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 23
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 22
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 21
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 18
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 18
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 15
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 13
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N Pd(PPh3)4 Substances [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 12
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 12
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 12
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UNXISIRQWPTTSN-UHFFFAOYSA-N boron;2,3-dimethylbutane-2,3-diol Chemical compound [B].[B].CC(C)(O)C(C)(C)O UNXISIRQWPTTSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 4
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 4
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 4
- UNEATYXSUBPPKP-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diisopropylbenzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1 UNEATYXSUBPPKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 3
- OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N Allyl chloride Chemical compound ClCC=C OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 3
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 125000003037 imidazol-2-yl group Chemical group [H]N1C([*])=NC([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 1,8-naphthyridine Chemical group N1=CC=CC2=CC=CN=C21 FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001616 biphenylenes Chemical group 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005610 quantum mechanics Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
- C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
- C07D403/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
- C07D403/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
- C07D403/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing three or more hetero rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
- C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D487/06—Peri-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1088—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing oxygen as the only heteroatom
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种含三嗪结构的化合物及其应用，属于半导体技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(1)所示；本发明化合物应用于OLED器件后，器件的电压和效率均得到很大改善；同时，对于器件寿命提升非常明显，在OLED发光器件中具有良好的应用效果，具有良好的产业化前景。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种含有三嗪化合物及其应用。
背景技术
有机电致发光器件包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的包括发光层的有机功能层，其中有机功能层是在阴极和阳极之间各层的总称。此外，在阳极和发光层之间可以存在空穴传输区域，并且在发光层和阴极之间可以存在电子传输区域。来自阳极的空穴可以通过空穴传输区域向发光层迁移，来自阴极的电子可以通过电子传输区域向发光层迁移。载流子(例如，空穴和电子)在发光层中复合并产生激子。根据量子力学原理，有机金属化合物材料作为掺杂材料可以实现100％的内量子产率。
尽管如此，对于三线态发光的磷光OLED，在器件电压、电流效率以及寿命方面仍然有改进的需求。尤其是对发光层中的主体和掺杂材料提出了更高的要求。其中，主体材料的性能通常会较大程度地影响有机电致发光器件的上述关键性能。
根据现有技术，咔唑类衍生物通常用作磷光掺杂的空穴型主体材料，三嗪类衍生物通常用作磷光掺杂的电子型主体材料。电子型主体材料的性能对有机电致发光器件的上述关键性能会产生显著影响，现有的电子型主体材料在器件电压、效率，尤其是器件寿命上均有改善的需求。
对于磷光OLED，发光层使用单一主体通常会导致空穴和电子不平衡，高电流密度下器件效率滚降严重且寿命缩短。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本发明申请人提供了一种含有三嗪化合物及其应用。本发明化合物具有三嗪结构，与其他取代基搭配，通过器件结构优化，可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。
本发明技术方案的内容：
一种含三嗪类结构的化合物，所述化合物结构如通式(1)所示：
通式(1)中，Ra表示为通式(2)或通式(3)所示结构：
Ra通过CL1-CL2键或者CL3-CL4-CL5键与通式(1)中相邻的*标位点并环相连；
R3、R4分别独立的表示为通式(4)-通式(8)所示结构中的任一种；且R3与R4不同时表示为通式(8)所示结构；
通式(1)-(4)、通式(7)中，Z1、Z2分别独立地表示为C-R10，R10每次出现分别独立地表示为氢、氘、氚或苯基；
通式(1)、通式(2)中，
表示通过单键连接或不连接，且通式(1)中，至少有两个
表示为通过单键连接；
Y1-Y8分别独立地表示为C-R11，R11每次出现时分别独立地表示为氢、氘、氚或苯基；当
表示通过单键连接时，连接处的Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7或Y8表示为C；
通式(1)中，
与Z1、Y1-Y6中任意位置连接时，连接处的Z1、Y1-Y6处表示为C；
所述R5表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种；
所述L3表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚二联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基中的一种；
用于取代基团的取代基任选自氘、氚、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、丁基、戊基、己基、苯基、萘基、萘啶基、二联苯基、三联苯基、吡啶基中的一种或多种。
优选方案，所述化合物结构通过通式(Ⅱ-1)至(Ⅱ-10)中任一种表示：
优选方案，所述化合物结构通过通式(Ⅲ-1)至(Ⅲ-9)中任一种表示：
Z1每次出现时，相同或不同的表示为C-H或C-D，其中D表示为氘。
优选方案，Z1或Z2每次出现时，Z1、Z2中至少有一个表示为C-D，其中D表示为氘。
优选方案，所述化合物具体结构为如下结构中的任一种：
一种有机电致发光器件，包含阴极、阳极和功能层，所述功能层位于阴极和阳极之间，所述有机电致发光器件中的功能层含有权利要求1～5任一项所述含三嗪类结构的化合物。
优选方案，所述功能层包括发光层，所述发光层含有所述含三嗪类结构的化合物。
优选方案，所述功能层包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层含有所述含三嗪类结构的化合物。
优选方案，所述功能层包括电子传输层，所述电子传输层含有所述含三嗪类结构的化合物。
一种照明或显示元件，所述照明或显示元件包括所述的有机电致发光器件。
与现有技术相比，本发明有益的技术效果在于：
(1)本发明提供的化合物三嗪和咔唑衍生物的组合方式保证材料具有合适的HOMO和LUMO能级，有助于发光层中载流子的高效注入和复合，保证器件的低电压和高效率。
(2)本发明提供的化合物较高的T1能级，能保证主客体之间的能量传递效率。
(3)对称性高的化合物在用于生产OLED显示器时，容易发生结晶化而堵塞用于蒸镀的坩埚口。本发明提供的化合物中二苯并呋喃、咔唑、三亚苯等基团的引入增加了分子的不对称性，具有较高的Tg，降低了分子的结晶性，有助于提升器件的高温稳定性。
(4)本发明提供的化合物分子内空间位阻较大，具有较大的分子体积，分子间相互作用较弱，故而具有分子不易结晶、蒸镀温度较低、成膜性良好等特点，具有优异的工业加工性能。
(5)本发明提供的化合物中二苯并五元环取代的三嗪片段具有较强的电子注入和传输能力，和“Ra”片段间的桥连基团能增加分子间电荷“跳跃”传输的速率，能进一步增加电子迁移率，应用于发光层主体或电子传输层材料有助于显著降低器件的驱动电压。
(6)本发明提供的化合物在刚性支链和桥连基团中进一步引入氘原子，分子辐射跃迁速率快，荧光量子产率高，应用于发光层有助于改善器件在高电流密度下的效率滚降问题并提升器件寿命。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图；
其中，1为透明基板层，2为阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为电子阻挡层，6为发光层，7为空穴阻挡层，8为电子传输层，9为电子注入层，10为阴极层，11为CPL层。
具体实施方式
本发明合成实施例中涉及到的原料均采购于中节能万润股份有限公司。
本发明所有合成实施例中的所有反应均在氮气保护的条件进行。
中间体实施例1：
1)将0.01mol的原料A1与0.012mol的原料B1加至120mL的甲苯：乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，在氮气保护下，加入5×10-5molPd(PPh3)4，升温至110℃反应6小时，取样点板，待原料A1反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体C1；LC-MS：测定值：354.22([M+H]+)；理论值：353.01。
2)加入0.01mol中间体C1，0.02mol三苯基膦，100mL邻二氯苯，加热至180℃，搅拌反应12小时，取样点板，显示无中间体C1剩余，反应完全；过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体D1；LC-MS：测定值：322.34([M+H]+)；理论值：321.02。
3)加入0.01mol中间体D1、0.012mol原料E1、100ml甲苯搅拌混合，加入0.02mol叔丁醇钠、5×10-5mol Pd2(dba)3，5×10-5mol三叔丁基膦，搅拌升温至115℃，回流反应12小时，取样点板，显示无中间体D1剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体F1；LC-MS：测定值：398.41([M+H]+)；理论值：397.05。
4)将0.01mol的中间体F1，0.012mol的原料G1加至120mL的甲苯：乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，在氮气保护下，加入5×10-5molPd(PPh3)4，升温至110℃反应6小时，取样点板，待中间体F1反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体H1；LC-MS：测定值：430.45([M+H]+)；理论值：429.13。
5)依次加入0.01mol中间体H1、0.02mol联硼酸频那醇酯、0.03mol乙酸钾、5×10- 5mol Pd(dppf)Cl2、100mL 1,4-二氧六环搅拌混合，加热至80℃，反应6小时，取样点板，显示无中间体H1剩余，反应完全；自然冷却至室温，加水后有固体析出，过滤，取滤饼用真空干燥箱烘干，然后过中性硅胶柱，得到硼酸酯化合物中间体I1；LC-MS：测定值：522.39([M+H]+)；理论值：521.25。
中间体实施例2：
1)加入0.01mol中间体D1、0.012mol原料E2、100ml甲苯搅拌混合，加入0.02mol叔丁醇钠、5×10-5mol Pd2(dba)3，5×10-5mol三叔丁基膦，搅拌升温至115℃，回流反应12小时，取样点板，显示无中间体D1剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体F2；LC-MS：测定值：476.13([M+H]+)；理论值：474.96。
2)加入0.01mol中间体F2，5×10-5mol催化剂(NHC)Pd(allyl)Cl(烯丙基氯化[1,3-双(2,6-二异丙基苯)咪唑-2-基]钯)，0.02mol K2CO3，100mL N,N-二甲基乙酰胺(DMA)搅拌混合。加热至130℃，搅拌反应8小时，取样点板，显示无中间体F2剩余，反应完全；过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体S2；LC-MS：测定值：396.26([M+H]+)；理论值：395.03。
3)将0.01mol的中间体S2与0.012mol的原料G1加至120mL的甲苯：乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，在氮气保护下，加入5×10-5molPd(PPh3)4，升温至110℃反应6小时，取样点板，待中间体S2反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体H2；LC-MS：测定值：428.35([M+H]+)；理论值：427.11。
4)依次加入0.01mol中间体H2、0.02mol联硼酸频那醇酯、0.03mol乙酸钾、5×10- 5mol Pd(dppf)Cl2、100mL 1,4-二氧六环搅拌混合，加热至80℃，反应6小时，取样点板，显示无中间体H2剩余，反应完全；自然冷却至室温，加水后有固体析出，过滤，取滤饼用真空干燥箱烘干，然后过中性硅胶柱，得到硼酸酯化合物中间体I2；LC-MS：测定值：520.35([M+H]+)；理论值：519.24。
中间体实施例3：
1)将0.01mol的原料B3与0.012mol的原料E1加至120mL的甲苯：乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，加入5×10-5mol Pd(PPh3)4，升温至110℃反应6小时，取样点板，待原料B3反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体M3；LC-MS：测定值：388.93([M+H]+)；理论值：387.81。
2)将0.01mol的中间体M3与0.012mol的原料A1加至120mL的甲苯：乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，加入5×10-5mol Pd(PPh3)4，升温至110℃反应6小时，取样点板，待原料B3反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体C3；LC-MS：测定值：432.25([M+H]+)；理论值：430.92。
3)加入0.01mol中间体C3，0.02mol三苯基膦，100mL邻二氯苯，加热至180℃，搅拌反应10小时，取样点板，显示无中间体C3剩余，反应完全；过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体D3；LC-MS：测定值：400.25([M+H]+)；理论值：398.93。
4)加入0.01mol中间体D3、0.012mol原料E1、100ml甲苯搅拌混合，加入0.02mol叔丁醇钠、5×10-5mol Pd2(dba)3，5×10-5mol三叔丁基膦，搅拌升温至115℃，回流反应10小时，取样点板，显示无中间体D3剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体F3；LC-MS：测定值：476.21([M+H]+)；理论值：474.96。
5)加入0.01mol中间体F3，5×10-5mol催化剂(NHC)Pd(allyl)Cl(烯丙基氯化[1,3-双(2,6-二异丙基苯)咪唑-2-基]钯)，0.02mol K2CO3，100mL N,N-二甲基乙酰胺(DMA)搅拌混合。加热至130℃，搅拌反应10小时，取样点板，显示无中间体F3剩余，反应完全；过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体S3；LC-MS：测定值：396.26([M+H]+)；理论值：395.03。
6)将0.01mol的中间体S3，0.012mol的原料G1加至120mL的甲苯：乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，加入5×10-5mol Pd(PPh3)4，升温至110℃反应6小时，取样点板，待中间体S3反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体H3；LC-MS：测定值：428.43([M+H]+)；理论值：427.11。
7)依次加入0.01mol中间体H3、0.02mol联硼酸频那醇酯、0.03mol乙酸钾、5×10- 5mol Pd(dppf)Cl2、100mL 1,4-二氧六环搅拌混合，加热至80℃，反应6小时，取样点板，显示无中间体H3剩余，反应完全；自然冷却至室温，加水后有固体析出，过滤，取滤饼用真空干燥箱烘干，然后过中性硅胶柱，得到硼酸酯化合物中间体I3；LC-MS：测定值：520.37([M+H]+)；理论值：519.24。
中间体实施例4：
1)将0.01mol的原料A4与0.012mol的原料B4加至120mL的甲苯：乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，在氮气保护下，加入5×10-5molPd(PPh3)4，升温至110℃反应6小时，取样点板，待原料A4反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体C4；LC-MS：测定值：432.26([M+H]+)；理论值：430.92。
2)加入0.01mol中间体C4，0.02mol三苯基膦，100mL邻二氯苯，加热至180℃，搅拌反应15小时，取样点板，显示无中间体C4剩余，反应完全；过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体D4；LC-MS：测定值：400.13([M+H]+)；理论值：398.93。
3)加入0.01mol中间体D4、0.012mol原料E1、100ml甲苯搅拌混合，加入0.02mol叔丁醇钠、5×10-5mol Pd2(dba)3，5×10-5mol三叔丁基膦，搅拌升温至115℃，回流反应12小时，取样点板，显示无中间体D4剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体F4；LC-MS：测定值：476.15([M+H]+)；理论值：474.96。
4)加入0.01mol中间体F4，5×10-5mol催化剂(NHC)Pd(allyl)Cl(烯丙基氯化[1,3-双(2,6-二异丙基苯)咪唑-2-基]钯)，加入浓度为2mol/L的K2CO3水溶液10mL，100mL N,N-二甲基乙酰胺(DMA)搅拌混合。加热至130℃，搅拌反应10小时，取样点板，显示无中间体F4剩余，反应完全；过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体S4；LC-MS：测定值：396.27([M+H]+)；理论值：395.03。
5)将0.01mol的中间体S4，0.012mol的原料G4加至120mL的甲苯：乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，在氮气保护下，加入5×10-5molPd(PPh3)4，升温至110℃反应6小时，取样点板，待中间体S4反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体H4；LC-MS：测定值：428.35([M+H]+)；理论值：427.11。
6)依次加入0.01mol中间体H4、0.02mol联硼酸频那醇酯、0.03mol乙酸钾、5×10- 5mol Pd(dppf)Cl2、100mL 1,4-二氧六环搅拌混合，加热至80℃，反应6小时，取样点板，显示无中间体H4剩余，反应完全；自然冷却至室温，加水后有固体析出，过滤，取滤饼用真空干燥箱烘干，然后过中性硅胶柱，得到硼酸酯化合物中间体I4；LC-MS：测定值：520.47([M+H]+)；理论值：519.24。
其他目标化合物的制备方法与中间体实施例1-4的制备方法类似，本发明用到的原料和中间体的具体结构如表1所示。
表1
制备实施例1
将0.01mol的中间I1与0.012mol的中间体J1加至150mL的甲苯：乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，在氮气保护下，加入5×10-5molPd(PPh3)4，升温至110℃反应12小时，取样点板，待中间体I1反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到化合物1；详细表征数据见表3。
制备实施例2
1)将0.01mol的原料K2与0.012mol的原料L2加至120mL的甲苯:乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，加入5×10-5mol Pd(PPh3)4，升温至110℃反应6小时，取样点板，待原料K2反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到中间体J2；LC-MS：测定值：365.38([M+H]+)；理论值：364.11。
2)将0.01mol的中间体J2与0.012mol的中间体I9加至120mL的甲苯:乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，加入5×10-5mol Pd(PPh3)4，升温至110℃反应7小时，取样点板，待中间体J2反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到化合物220；详细表征数据见表3。
制备实施例3
1)加入0.01mol原料K3、0.012mol原料L2、100ml甲苯搅拌混合，加入0.02mol叔丁醇钠、5×10-5mol Pd2(dba)3，5×10-5mol三叔丁基膦，搅拌升温至115℃，回流反应12小时，取样点板，显示无原料K3剩余，反应完全；自然冷却至室温，过滤，滤液进行减压旋蒸至无馏分，过中性硅胶柱，得到中间体J3；LC-MS：测定值：365.26([M+H]+)；理论值：364.13。
2)将0.01mol的中间体J3与0.012mol的中间体I7加至120mL的甲苯:乙醇＝2:1(体积比)的混合溶剂中，加入浓度为2mol/L的碳酸钠水溶液10mL，加入5×10-5mol Pd(PPh3)4，升温至110℃反应6小时，取样点板，待中间体J3反应完全后，自然冷却、过滤，将滤液进行减压蒸馏除去溶剂，粗产品过硅胶柱，得到化合物228；详细表征数据见表3。
其他目标化合物的制备方法与制备实施例1-3的制备方法类似，本发明用到的中间体的具体结构如表2所示，化合物详细表征数据见表3。
表2
为了对实施例制备的化合物进行结构分析，结果表征如表3所示。
表3
本发明化合物在发光器件中使用，可以作为发光层或者空穴阻挡层或者电子传输层材料使用。对本发明上述实施例制备的化合物分别进行物化性质的测试，检测结果如表4所示：
表4
注：三线态能级T1是由Horiba的Fluorolog-3系列荧光光谱仪测试，材料的测试条件为2*10-5mol/L的甲苯溶液；荧光量子产率PLQY是由Horiba的Fluorolog-3系列荧光光谱仪测试，材料测试样品为与mCP混蒸形成的掺杂膜(30wt％浓度)；玻璃化转变温度Tg由示差扫描量热法(DSC，德国耐驰公司DSC204F1示差扫描量热仪)测定，升温速率10℃/min；最高占据分子轨道HOMO能级是由电离能量测试系统(IPS-3)测试，测试为大气环境；Eg通过双光束紫外可见分光光度计(型号：TU-1901)进行测试，LUMO＝HOMO-Eg。电子迁移率是将材料制作成单电荷器件，用SCLC方法测定得到。
由上表数据可知，本发明的有机化合物具有高的玻璃化转变温度，可应用于提高材料膜相态稳定性；本发明的有机化合物具有合适的HOMO和LUMO能级和较高的T1能级，可作为主体材料或空穴阻挡或电子传输材料使用；出乎意料的是，本发明化合物相比对比化合物具有更高的电子迁移率和荧光量子产率。
以下通过器件实施例1-40和器件比较例1-6详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明器件实施例2-40以及器件比较例1-6与器件实施例1相比器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对器件中的发光层或空穴阻挡层或电子传输层材料做了更换。
器件实施例1
如图1所示，透明基板层1为透明PI膜，对阳极层2(ITO(15nm)/Ag(150nm)/ITO(15nm))进行洗涤，即依次进行清洗剂洗涤(SemiClean M-L20)、纯水洗涤、干燥，再进行紫外线-臭氧洗涤以清除阳极层表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀HT-1和P-1作为空穴注入层3，膜厚为10nm，HT-1和P-1的质量比为97:3。接着蒸镀HT-1作为空穴传输层4，厚度为130nm。随后蒸镀EB-1作为电子阻挡层5，厚度为40nm。上述电子阻挡层材料蒸镀结束后，制作OLED发光器件的发光层6，其结构包括OLED发光层6所使用化合物1作为主体材料，GD-1作为掺杂材料，化合物1与GD-1的质量比为94:6，发光层膜厚为40nm。在上述发光层6之后，继续真空蒸镀HB-1，膜厚为5nm，此层为空穴阻挡层7。在上述空穴阻挡层7之后，继续真空蒸镀ET-1和Liq，ET-1和Liq质量比为1:1，膜厚为35nm，此层为电子传输层8。在电子传输层8上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的LiF层，此层为电子注入层9。在电子注入层9上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为15nm的Mg：Ag电极层，Mg、Ag质量比为1:9，此层为阴极层10使用。在阴极层10上，真空蒸镀CP-1作为CPL层11，厚度为70nm。得到有机电致发光器件1。
关材料的分子结构式如下所示：
器件实施例2-19的制备方法是与器件实施例1相比器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对器件中的发光层中材料做了更换。
器件实施例20的制备方法是，除发光层6之外，其余功能层的制备方法与器件比较例1相同。器件实施例20中发光层6的制备方式为，使用化合物1和GH-2作为双主体材料，GD-1作为掺杂材料，化合物1、GH-2和GD-1质量比为47:47:6，发光层膜厚为40nm。用同样的方法制备的器件实施例21-38。
器件实施例39的制备方法是，除发光层6和空穴阻挡层7之外，其余功能层的制备方法与器件实施例1相同。器件实施例39中发光层6的制备方式为，使用GH-1和GH-2作为双主体材料，GD-1作为掺杂材料，GH-1、GH-2和GD-1质量比为47:47:6，发光层膜厚为40nm。空穴阻挡层7的制备方式为，使用化合物109作为空穴阻挡层，膜厚为5nm。
器件实施例40的制备方法是，除发光层6和电子传输层7之外，其余功能层的制备方法与器件实施例1相同。器件实施例40中发光层6的制备方式为，使用GH-1和GH-2作为双主体材料，GD-1作为掺杂材料，GH-1、GH-2和GD-1质量比为47:47:6，发光层膜厚为40nm。电子传输层8的制备方式为，使用化合物199和Liq质量比为1:1，膜厚为35nm，作为电子传输层。
如上所述地完成OLED发光器件后，用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的电流效率、外量子效率和器件的寿命。具体材料组合方式如表5所示；所得器件的电压、电流效率、颜色和20mA/cm2下的LT95寿命的测试结果如表6所示。
表5
表6
注：电压、电流效率和色坐标是在电流密度为10mA/cm2条件下测试的，使用IVL(电流-电压-亮度)测试系统(苏州弗士达科学仪器有限公司)；寿命测试系统为日本系统技研公司EAS-62C型OLED器件寿命测试仪；LT95指的是在20mA/cm2下，器件亮度衰减到95％所用时间。
由表6的器件数据结果可以看出，与器件比较例1相比，本发明的有机发光器件无论是在器件效率还是器件寿命均相对于已知材料的OLED器件获得较大的提升。同时，本发明的有机发光器件电压相对于已知材料的OLED器件相比有所降低。
为了比较不同器件在高电流密度下效率衰减的情况，定义了各器件的效率衰减系数
其中μm表示为器件的最大电流效率，μ100表示驱动电流为100mA/cm2时器件的电流效率。
值越大，说明器件的效率滚降越严重，反之，说明器件在高电流密度下快速衰减的问题得到了控制。本发明测定了器件实施例1-40，器件比较例3-6所得器件的效率衰减系数
结果如表7示：
表7
从表7数据可知，采用本发明的化合物制备的有机发光器件和比较例1-5相比具有较小的效率衰减系数，说明采用本发明的化合物制备的有机电致发光器件能够有效地降低器件在高电流密度下的效率滚降。
更进一步的，本发明制备的OLED器件在高温下工作时寿命比较稳定，且高温寿命较长；将器件实施例1、4、9、15、17、25、27、30、32、35、38、40和比较例3～6在80℃进行寿命测试并和常温寿命进行比较，结果如表8所示。
表8
注：上表8中的高温寿命倍率指的是器件在25℃下的器件寿命与80℃下的器件寿命的比值；上述器件寿命均在初始亮度为10000nits的条件下测定。
从上表8所示，可以发现，应用本申请的主体材料或空穴阻挡层或电子传输层材料的器件，和比较例相比，在较高的温度下，其器件寿命仍然较长且高温寿命倍率明显小于比较例，表明应用本申请材料的器件具有更佳的高温稳定性。
综上，以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种含三嗪类结构的化合物，其特征在于，所述化合物结构如通式(1)所示：
通式(1)中，Ra表示为通式(2)或通式(3)所示结构：
Ra通过CL1-CL2键或者CL3-CL4-CL5键与通式(1)中相邻的*标位点并环相连；
R3、R4分别独立的表示为通式(4)-通式(8)所示结构中的任一种；且R3与R4不同时表示为通式(8)所示结构；
通式(1)-(4)、通式(7)中，Z1、Z2分别独立地表示C-R10，R10每次出现分别独立地表示为氢、氘、氚或苯基；
通式(1)、通式(2)中，“-----”表示通过单键连接或不连接，且通式(1)中，至少有两个“-----”表示为通过单键连接；
Y1-Y8分别独立地表示为C-R11，R11每次出现时分别独立地表示为氢、氘、氚或苯基；当“-----”表示通过单键连接时，连接处的Y1、Y2、Y3、Y4、Y5、Y6、Y7或Y8表示为C；
通式(1)中，
与Z1、Y1-Y6中任意位置连接时，连接处的Z1、Y1-Y6处表示为C；
所述R5表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基中的一种；
所述L3表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚二联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基中的一种；
用于取代基团的取代基任选自氘、氚、氰基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、丁基、戊基、己基、苯基、萘基、萘啶基、二联苯基、三联苯基、吡啶基中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述含三嗪类结构的化合物，其特征在于，所述化合物结构通过通式(Ⅱ-1)至(Ⅱ-10)中任一种表示：
3.据权利要求1所述含三嗪类结构的化合物，其特征在于，所述化合物结构通过通式(Ⅲ-1)至(Ⅲ-9)中任一种表示：
Z1每次出现时，相同或不同的表示为C-H或C-D，其中D表示为氘。
4.根据权利要求1所述含三嗪类结构的化合物，其特征在于，Z1或Z2每次出现时，Z1、Z2中至少有一个表示为C-D，其中D表示为氘。
5.根据权利要求1所述含三嗪类结构的化合物，其特征在于，所述化合物具体结构为如下结构中的任一种：
6.一种有机电致发光器件，包含阴极、阳极和功能层，所述功能层位于阴极和阳极之间，其特征在于，所述有机电致发光器件中的功能层含有权利要求1～5任一项所述含三嗪类结构的化合物。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，所述功能层包括发光层，其特征在于，所述发光层含有权利要求1～5任一项所述含三嗪类结构的化合物。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，所述功能层包括空穴阻挡层，其特征在于，所述空穴阻挡层含有权利要求1～5任一项所述含三嗪类结构的化合物。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，所述功能层包括电子传输层，其特征在于，所述电子传输层含有权利要求1～5任一项所述含三嗪类结构的化合物。
10.一种照明或显示元件，其特征在于，所述照明或显示元件包括权利要求6～9任一项所述的有机电致发光器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011602083.3A CN114685464B (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种含三嗪类结构的化合物及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011602083.3A CN114685464B (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种含三嗪类结构的化合物及其应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114685464A true CN114685464A (zh) | 2022-07-01 |
| CN114685464B CN114685464B (zh) | 2024-06-11 |
Family
ID=82133058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011602083.3A Active CN114685464B (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种含三嗪类结构的化合物及其应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114685464B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114835686A (zh) * | 2021-02-02 | 2022-08-02 | 江苏三月科技股份有限公司 | 一种含有菲与三嗪结构的化合物及其应用 |
| CN114853766A (zh) * | 2021-02-03 | 2022-08-05 | 江苏三月科技股份有限公司 | 一种咔唑稠环取代的三嗪类化合物及其应用 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105524071A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-04-27 | 乐金显示有限公司 | 延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置 |
| WO2017025164A1 (de) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen |
| CN106467516A (zh) * | 2016-07-25 | 2017-03-01 | 江苏三月光电科技有限公司 | 一种以三嗪为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 |
| KR20170113398A (ko) * | 2016-03-30 | 2017-10-12 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자 |
| CN107880027A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-06 | 江苏三月光电科技有限公司 | 一种以三嗪为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 |
| CN109535138A (zh) * | 2017-09-22 | 2019-03-29 | 北京绿人科技有限责任公司 | 含氘代苯基的三嗪化合物及其应用和有机电致发光器件 |
| WO2019235857A1 (ko) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 |
| WO2020045831A1 (ko) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| KR20200091778A (ko) * | 2019-01-23 | 2020-07-31 | 솔브레인 주식회사 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
-
2020
- 2020-12-29 CN CN202011602083.3A patent/CN114685464B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105524071A (zh) * | 2014-10-17 | 2016-04-27 | 乐金显示有限公司 | 延迟荧光化合物和使用该化合物的有机发光二极管和显示装置 |
| WO2017025164A1 (de) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen |
| KR20170113398A (ko) * | 2016-03-30 | 2017-10-12 | 주식회사 엘지화학 | 화합물 및 이를 이용한 유기발광소자 |
| CN106467516A (zh) * | 2016-07-25 | 2017-03-01 | 江苏三月光电科技有限公司 | 一种以三嗪为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 |
| CN107880027A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-04-06 | 江苏三月光电科技有限公司 | 一种以三嗪为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 |
| CN109535138A (zh) * | 2017-09-22 | 2019-03-29 | 北京绿人科技有限责任公司 | 含氘代苯基的三嗪化合物及其应用和有机电致发光器件 |
| WO2019235857A1 (ko) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 |
| WO2020045831A1 (ko) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| KR20200091778A (ko) * | 2019-01-23 | 2020-07-31 | 솔브레인 주식회사 | 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114835686A (zh) * | 2021-02-02 | 2022-08-02 | 江苏三月科技股份有限公司 | 一种含有菲与三嗪结构的化合物及其应用 |
| CN114835686B (zh) * | 2021-02-02 | 2024-10-11 | 江苏三月科技股份有限公司 | 一种含有菲与三嗪结构的化合物及其应用 |
| CN114853766A (zh) * | 2021-02-03 | 2022-08-05 | 江苏三月科技股份有限公司 | 一种咔唑稠环取代的三嗪类化合物及其应用 |
| CN114853766B (zh) * | 2021-02-03 | 2023-12-05 | 江苏三月科技股份有限公司 | 一种咔唑稠环取代的三嗪类化合物及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114685464B (zh) | 2024-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN114835686B (zh) | 一种含有菲与三嗪结构的化合物及其应用 | |
| CN114835697A (zh) | 一种含三嗪和菲类结构的化合物及其应用 | |
| CN110964021A (zh) | 一种以芴为核心的化合物、制备方法及其应用 | |
| CN111662225A (zh) | 一种含芘的有机化合物及其应用 | |
| CN111662259A (zh) | 一种含芘的有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用 | |
| CN111662258A (zh) | 一种含芘的有机化合物及其在oled上的应用 | |
| CN115433165B (zh) | 一种含三嗪和吡啶类结构的化合物及其应用 | |
| CN110885334A (zh) | 一种以苯并[1,2-b:3,4-b’]二苯并呋喃为核心的有机化合物及其应用 | |
| CN114853766A (zh) | 一种咔唑稠环取代的三嗪类化合物及其应用 | |
| CN110885335A (zh) | 一种以苯并[1,2-b:4,5-b’]二苯并呋喃为核心的化合物及其应用 | |
| CN113135903A (zh) | 一种芳香族二苯并呋喃类衍生物及其应用 | |
| CN113135928B (zh) | 一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件 | |
| CN114685464B (zh) | 一种含三嗪类结构的化合物及其应用 | |
| CN112479978B (zh) | 一种以咔唑衍生物为核心的有机化合物及其应用 | |
| CN114685513B (zh) | 一种以三嗪衍生物为核心的化合物及其应用 | |
| CN110577488A (zh) | 一种以咔唑为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 | |
| CN110577523B (zh) | 一种含三芳胺结构的化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
| CN114057660B (zh) | 一种含双三嗪结构的化合物及其应用 | |
| CN111943857A (zh) | 一种三芳胺类有机化合物及其应用 | |
| CN111362947A (zh) | 一种含苯并咪唑的有机化合物及其应用 | |
| CN110885333A (zh) | 一种以苯并[1,2-b:5,4-b’]二苯并呋喃为核心的化合物及其应用 | |
| CN113072568B (zh) | 一种含有双硼的有机电致发光材料及其应用 | |
| CN113416164A (zh) | 一种含咔唑的有机化合物及其应用 | |
| CN112552225B (zh) | 一种以咔唑为核心的三芳胺类有机化合物及其应用 | |
| CN114249684A (zh) | 一种基于咔唑、蒽酮类结构的化合物及其应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Country or region after: China Address after: B312-194, No. 2 Fengwei Road, Huizhi Enterprise Center, Xishan Economic and Technological Development Zone, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214101 Applicant after: Jiangsu March Technology Co.,Ltd. Address before: 214112 No.210 Xinzhou Road, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant before: Jiangsu March Technology Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |