CN112291917B - 一种柔性电路板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种柔性电路板及其制作方法。该柔性电路板包括柔性基材1，所述柔性基材1上由下至上依次形成有：过渡层2；光学增透层3；光学增透层4；保护过渡层5；过渡层6；种子层7；铜层8和保护层9。制作方法包括(1)镀层的步骤和(2)刻蚀电路的步骤。本发明在柔性基材1与导电的铜层8之间引入过渡层、保护层和种子层，提高基材与导电铜之间的附着力，从而实现可以在基材表面电镀20‑30um厚的铜箔，焊盘拉拔力可以达到1N以上。本发明引入了光学增透层3和光学增透层4，两者构成了光学增透结构，提高电路板的可见光透过率，可以将透过率的损失值降低到5％以内。

Description

一种柔性电路板及其制作方法
技术领域
本发明涉及电路板技术领域，尤其涉及一种柔性电路板及其制作方法。
背景技术
LED电子显示屏是由几百到几十万个发光二极管按矩阵均匀排列所组成，用来显示文字、图形、图像、动画、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。常规的平面型LED显示屏已经无法满足现代市场的需求。柔性LED显示屏因其可满足多种造型(例如，可以为圆柱形、内弧形、飘带形、螺旋形等)而越来越受到关注。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种柔性电路板，该柔性透明电路板可以应用于柔性LED显示屏，与不同形状的玻璃墙体贴合性能好，既可以播放图形图案等，又不影响玻璃墙体的通透性；
本发明的第二目的在于提供一种柔性电路板的制作方法。
为了实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：
一种柔性电路板，包括柔性基材，所述柔性基材1上由下至上依次形成有：
过渡层2；
光学增透层3；
光学增透层4；
保护过渡层5；
过渡层6；
种子层7；
铜层8；和
保护层9。
优选地，过渡层2的材料为硅、铬、锆中的任一种或多种；
光学增透层3的材料为氧化硅和/或氮化硅；
光学增透层4的材料为氧化铌和/或氧化钛；
保护过渡层5的材料为氧化硅；
过渡层6的材料为镍、银、金中的任一种或多种；
种子层7的材料为铜和/或铜镍合金；和/或
保护层9的材料为镍、银、锡中的任一种或多种。
优选地，所述柔性基材1上由下至上形成有：
厚度为1-5nm的过渡层2；
厚度为15-50nm的光学增透层3；
厚度为30-100nm的光学增透层4；
厚度为5-200nm的保护过渡层5；
厚度为5-200nm的过渡层6；
厚度为20-300nm的种子层7；
厚度为10-35μm的铜层8；和/或
厚度为100-2000nm的保护层9。
优选地，柔性基材1的材料为透明聚酰亚胺、聚乙烯树脂、透明涤纶树脂、柔性透明玻璃中的任一种或多种；
柔性基材1的厚度为20-500μm。
优选地，所述柔性电路板具有如下一个或多个性质:
线路线宽为20-2000μm；
通透度可达80％以上，透过率达到95％以上，每平方米内的LED灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上。
一种所述柔性电路板的制作方法，所述制作方法包括如下步骤：
(1)镀层的步骤：在柔性基材1上依次镀上过渡层2、光学增透层3、光学增透层4、保护过渡层5、过渡层6、种子层7、铜层8和保护层9；和
(2)刻蚀电路的步骤。
优选地，所述步骤(1)按照如下方法进行：
在柔性基材1上采用磁控溅射方法或蒸发法依次镀上过渡层2、光学增透层3、光学增透层4、保护过渡层5、过渡层6和种子层7，然后再通过电镀法依次镀上铜层8和保护层9。
优选地，采用磁控溅射方法镀上过渡层2，磁控溅射的工艺条件为：功率500-1000W,气压0.1-1.0Pa，时间0.5-2分钟；
采用磁控溅射方法镀上光学增透层3，磁控溅射的工艺条件为：功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟；
采用磁控溅射方法镀上光学增透层4，磁控溅射的工艺条件为：功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟；
采用磁控溅射方法镀上保护过渡层5，磁控溅射的工艺条件为：功率500-5000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟；
采用磁控溅射方法镀上过渡层6，磁控溅射的工艺条件为：功率500-2000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟；和/或
采用磁控溅射方法镀上种子层7，磁控溅射的工艺条件为：功率500-300W,气压0.1-1.0Pa，时间1-10分钟。
优选地，铜层8的电镀采用水性电镀，工艺条件为：pH值3-6，CuSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃；和/或
保护层9的电镀采用水性电镀，工艺条件为：pH值3-6，NiSO4/AgSO4/SnSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃。
优选地，所述步骤(2)按照如下方法进行：
整体涂布光刻材料，再根据电路图形要求，在相应的电路图菲林图下曝光显影，将所需要的电路膜层表面盖上光刻材料，最后置于酸性蚀刻液内蚀刻线路。
有益效果
本发明的上述技术方案具有如下优点：
本发明在柔性基材1与导电的铜层8之间引入过渡层、保护层和种子层，提高基材与导电铜之间的附着力，从而实现可以在基材表面电镀20-30um厚的铜箔，焊盘拉拔力可以达到1N以上。
本发明引入了光学增透层3和光学增透层4，两者构成了光学增透结构，提高电路板的可见光透过率，可以将透过率的损失值降低到5％以内。
本发明对各层材料和厚度进行优化，可获得一种通透度可达80％以上，透过率达到95％以上，每平方米内的LED灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上的柔性电路板。
附图说明
图1是本发明提供的柔性电路板的层结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
〈第一方面〉
本发明在第一方面提供了一种柔性电路板，如图1所示，所述柔性电路板包括柔性基材1和依次形成在柔性基材1上的各个镀层，各个镀层上由下至上依次为过渡层2、光学增透层3、光学增透层4、保护过渡层5、过渡层6、种子层7、铜层8和保护层9。
过渡层2的材料优选为单质硅、单质铬、单质锆中的任一种或多种，厚度优选为1-5nm，例如，1nm，2nm，3nm，4nm，5nm。过渡层2提供应力过渡，使得后续镀层在柔性基材1上具有良好的附着力。
光学增透层3的材料优选为氧化硅和/或氮化硅，厚度优选为15-50nm，例如，15nm，20nm，25nm，30nm，35nm，40nm，45nm，50nm。光学增透层4的材料优选为氧化铌和/或氧化钛，厚度优选为30-100nm，例如，30nm，40nm，50nm，60nm，70nm，80nm，90nm，100nm。上述光学增透层3和光学增透层4发挥协同作用，形成增透结构，提高电路板的可见光透过率。
保护过渡层5的材料优选为氧化硅，厚度优选为5-200nm，例如，5nm，10nm，20nm，30nm，40nm，50nm，60nm，70nm，80nm，90nm，100nm，110nm，120nm，130nm，140nm，150nm，160nm，170nm，180nm，190nm，200nm。保护过渡层5能够防止增透结构被破坏，同时提高光学增透层4与后续镀层之间的附着力。
过渡层6的材料优选为单质镍、单质银、单质金中的任一种或多种，厚度优选为5-200nm，例如，5nm，10nm，20nm，30nm，40nm，50nm，60nm，70nm，80nm，90nm，100nm，110nm，120nm，130nm，140nm，150nm，160nm，170nm，180nm，190nm，200nm。过渡层6可以提高保护过渡层5与后续镀层之间的附着力。
种子层7的材料优选为铜和/或铜镍合金，厚度优选为20-300nm，例如，20nm，30nm，40nm，50nm，60nm，70nm，80nm，90nm，100nm，150nm，200nm，250nm，300nm，作为后面镀厚铜薄膜的种子层。
铜层8的厚度优选为10-35μm，例如，10μm，15μm，20μm，25μm，30μm，35μm，作为导电层，传导电流。
保护层9的材料优选为单质镍、单质银、单质锡中的任一种或多种，厚度优选为100-2000nm，例如，100nm，200nm，300nm，400nm，500nm，600nm，700nm，800nm，900nm，1000nm，1100nm，1200nm，1300nm，1400nm，1500nm，1600nm，1700nm，1800nm，1900nm，2000nm，用于保护铜导电层被氧化。
对于柔性基材1，其材质优选为透明聚酰亚胺、聚乙烯树脂、透明涤纶树脂、柔性透明玻璃中的任一种或多种，其厚度优选为20-500μm，例如，20μm，30μm，40μm，50μm，60μm，70μm，80μm，90μm，100μm，150μm，200μm，250μm，300μm，350μm，400μm，450μm，500μm。
柔性基材1由于其本身膨胀系数大，刚性差，放弃量大等原因，无法在其表面制作厚度达到20um-30um的导电铜膜(因为铜膜越厚，应力越大，容易将刚性差的柔性基材拉变形和导致铜膜与柔性基材剥离，从而无法在起表面制作需要过大电流的透明线路板)。本发明在柔性基材1与导电的铜层8之间引入过渡层、保护层和种子层，提高基材与导电铜之间的附着力，从而实现可以在基材表面电镀20-30um厚的铜箔，焊盘拉拔力可以达到1N以上。如，在柔性基材1上先镀有过渡层2，使得后续镀层在柔性基材1上具有良好的附着力。如，在光学增透层4上镀有保护过渡层5，保护过渡层5既能对增透结构起到保护作用，又能提高后续镀层在光学增透层4上的附着力。又如，在保护过渡层5上镀有过渡层6，过渡层6可以提高后续镀层在保护过渡层5上的附着力。又如，在过渡层6上镀有种子层7，作为后面镀厚铜薄膜的种子层。
由于柔性基材1(如PI或PET)与空气之间存在光学界面反射，使得电路板的透过率降低，透过率损失值大概为8％。本发明引入了光学增透层3和光学增透层4，两者构成了光学增透结构，提高电路板的可见光透过率，可以将透过率的损失值降低到5％以内。
铜电路暴露在空气中容易氧化，同时铜与焊锡之间也存在附着力的问题。本发明在导电铜层8的表面制作一层镍或银或锡作为保护层，以防止铜被氧化，降低寿命，同时提高焊盘与LED灯珠的附着力，从而提高焊接拉拔力。
为了实现各层效果，本发明对各层材料和厚度进行了优化，结合镀层目的，过渡层2的材料为单质硅、单质铬、单质锆中的任一种或多种，光学增透层3的材料为氧化硅和/或氮化硅；光学增透层4的材料为氧化铌和/或氧化钛；保护过渡层5的材料为氧化硅；过渡层6的材料为单质镍、单质银、单质金中的任一种或多种；种子层7的材料为铜和/或铜镍合金；保护层9的材料为单质镍、单质银、单质锡中的任一种或多种。
本发明提供的电路板具有如下一个或多个性质:
线路线宽为20-2000μm；
通透度可达80％以上，透过率达到95％以上，每平方米内的LED灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上。
〈第二方面〉
本发明在第二方面提供了本发明在第一方面提供的柔性电路板的制作方法，所述制作方法包括如下步骤：
(1)在柔性基材1上镀层的步骤
在柔性基材1上依次镀上过渡层2、光学增透层3、光学增透层4、保护过渡层5、过渡层6、种子层7、铜层8和保护层9。
结合各层厚度，从提高效率、降低成本、保证镀层质量三个角度对各层镀层工艺进行了优化，确定了各层的制备工艺。
在一些优选的实施方式中，采用磁控溅射方法镀上过渡层2，磁控溅射的工艺条件为：功率500-1000W,气压0.1-1.0Pa，时间0.5-2分钟。
在一些优选的实施方式中，采用磁控溅射方法镀上光学增透层3，磁控溅射的工艺条件为：功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在一些优选的实施方式中，采用磁控溅射方法镀上光学增透层4，磁控溅射的工艺条件为：功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在一些优选的实施方式中，采用磁控溅射方法镀上保护过渡层5，磁控溅射的工艺条件为：功率500-5000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在一些优选的实施方式中，采用磁控溅射方法镀上过渡层6，磁控溅射的工艺条件为：功率500-2000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在一些优选的实施方式中，采用磁控溅射方法镀上种子层7，磁控溅射的工艺条件为：功率500-3000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-10分钟。
在一些优选的实施方式中，铜层8的电镀采用水性电镀法，电镀工艺条件为：pH值3-6，CuSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃。
在一些优选的实施方式中，保护层9的电镀采用水性电镀法，电镀工艺条件为：pH值3-6，NiSO4/AgSO4/SnSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃。
(2)刻蚀电路的步骤。
所述步骤(2)可以按照如下方法进行：
整体涂布光刻材料，再根据电路图形要求，在相应的电路图菲林图下曝光显影，将所需要的电路膜层表面盖上光刻材料，最后置于酸性蚀刻液内蚀刻线路。
以下是本发明列举的实施例。
实施例1
本实施例提供的柔性电路板包括柔性基材，柔性基材的材料为PET(透明聚乙烯树脂)，在柔性基材上由下至上依次形成有；
厚度为1nm的过渡层2，材料为单质硅；
厚度为15nm的光学增透层3，材料为氧化硅；
厚度为30nm的光学增透层4，材料为氧化铌；
厚度为5nm的保护过渡层5，材料为氧化硅；
厚度为5nm的过渡层6，材料为单质镍；
厚度为20nm的种子层7，材料为单质铜；
厚度为10μm的铜层8；和
厚度为100nm的保护层9，材料为单质镍。
制作方法包括如下步骤：
在柔性透明基材1上采用磁控溅射方法镀一层过渡层2，功率500-1000W,气压0.1-1.0Pa，时间0.5-2分钟。
在过渡层2上磁控溅射一层光学增透层3，功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在光学增透层3上磁控溅射一层光学增透层4，功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在光学增透层4表面磁控溅射一层保护过渡层5，功率500-5000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在所述的保护过渡层5上磁控溅射一层应力过渡层6，功率500-2000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在所述的应力过渡层6上磁控溅射或蒸发一层种子层7，功率500-3000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-10分钟。
在所述的种子层7上面电镀一层铜导电层8，电镀工艺条件为：pH值3-6，CuSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃。
在所述的导电层8上电镀一层保护层9，电镀工艺条件为：pH值3-6，NiSO4/AgSO4/SnSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃。
完成上述镀层后，将上述膜层整体涂布光刻材料，在根据电路图形要求，在特定的电路图菲林图下曝光显影，将所需要的电路膜层表面盖上光刻材料，用于保护电路在蚀刻过程中，不被刻蚀液体蚀刻掉；
将含有光刻胶保护层的上述的膜层放置酸性蚀刻液内蚀刻线路。
在柔性电路板上采用SMT技术，贴合LED灯珠，制作成柔性透明LED显示屏。对通透度可达80％以上，透过率达到95％以上，每平方米内的LED灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上，整体显示屏的分辨率可以提高到P10水平。
实施例2
本实施例提供的柔性电路板包括柔性基材，柔性基材的材料为PI(透明聚酰亚胺)，在柔性基材上由下至上依次形成有；
厚度为3nm的过渡层2，材料为单质锆；
厚度为25nm的光学增透层3，材料为氮化硅；
厚度为60nm的光学增透层4，材料为氧化硅；
厚度为10nm的保护过渡层5，材料为氧化硅；
厚度为20nm的过渡层6，材料为单质银；
厚度为150nm的种子层7，材料为单质铜；
厚度为25μm的铜层8；和
厚度为1000nm的保护层9，材料为单质银。
制作方法包括如下步骤：
在柔性透明基材1上采用磁控溅射方法镀一层过渡层2，功率500-1000W,气压0.1-1.0Pa，时间0.5-2分钟。
在过渡层2上磁控溅射一层光学增透层3，功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在光学增透层3上磁控溅射一层光学增透层4，功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在光学增透层4表面磁控溅射一层保护过渡层5，功率500-5000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在所述的保护过渡层5上磁控溅射一层应力过渡层6，功率500-2000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在所述的应力过渡层6上磁控溅射或蒸发一层种子层7，功率500-3000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-10分钟。
在所述的种子层7上面电镀一层铜导电层8，电镀工艺条件为：pH值3-6，CuSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃。
在所述的导电层8上电镀一层保护层9，电镀工艺条件为：pH值3-6，NiSO4/AgSO4/SnSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃。
完成上述镀层后，将上述膜层整体涂布光刻材料，在根据电路图形要求，在特定的电路图菲林图下曝光显影，将所需要的电路膜层表面盖上光刻材料，用于保护电路在蚀刻过程中，不被刻蚀液体蚀刻掉；
将含有光刻胶保护层的上述的膜层放置酸性蚀刻液内蚀刻线路。
在柔性电路板上采用SMT技术，贴合LED灯珠，制作成柔性透明LED显示屏。对通透度可达80％以上，透过率达到95％以上，膜层抗拉拔力为1N，每平方米内的LED灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上，整体显示屏的分辨率可以提高到P10水平。
实施例3
本实施例提供的柔性电路板包括柔性基材，柔性基材的材料为PI(透明聚酰亚胺)，在柔性基材上由下至上依次形成有；
厚度为5nm的过渡层2，材料为单质铬；
厚度为50nm的光学增透层3，材料为氮化硅；
厚度为100nm的光学增透层4，材料为氧化钛；
厚度为200nm的保护过渡层5，材料为氧化硅；
厚度为200nm的过渡层6，材料为单质金；
厚度为300nm的种子层7，材料为单质铜；
厚度为35μm的铜层8，材料为单质铜；和
厚度为2000nm的保护层9，材料为单质锡。
制作方法包括如下步骤：
在柔性透明基材1上采用磁控溅射方法镀一层过渡层2，功率500-1000W,气压0.1-1.0Pa，时间0.5-2分钟。
在过渡层2上磁控溅射一层光学增透层3，功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在光学增透层3上磁控溅射一层光学增透层4，功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在光学增透层4表面磁控溅射一层保护过渡层5，功率500-5000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在所述的保护过渡层5上磁控溅射一层应力过渡层6，功率500-2000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟。
在所述的应力过渡层6上磁控溅射或蒸发一层种子层7，功率500-3000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-10分钟。
在所述的种子层7上面电镀一层铜导电层8，电镀工艺条件为：pH值3-6，CuSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃。
在所述的导电层8上电镀一层保护层9，电镀工艺条件为：pH值3-6，NiSO4/AgSO4/SnSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃。
完成上述镀层后，将上述膜层整体涂布光刻材料，在根据电路图形要求，在特定的电路图菲林图下曝光显影，将所需要的电路膜层表面盖上光刻材料，用于保护电路在蚀刻过程中，不被刻蚀液体蚀刻掉；
将含有光刻胶保护层的上述的膜层放置酸性蚀刻液内蚀刻线路。
在柔性电路板上采用SMT技术，贴合LED灯珠，制作成柔性透明LED显示屏。对通透度可达80％以上，透过率达到95％以上，每平方米内的LED灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上，整体显示屏的分辨率可以提高到P10水平。
实施例4
实施例4与实施例1基本上相同，不同之处在于：
不包括光学增透层3和光学增透层4。
与实施例1相比，透过率降低4％，膜层抗拉拔力为0.5N，每平方米内的LED灯珠数量为8000颗。
实施例5
实施例5与实施例1基本上相同，不同之处在于：
光学增透层3的厚度为60nm；
光学增透层4的厚度为110nm。增透膜过厚时，一方面是不满足1/4波长的增透原理；二是膜厚越大，应力越大，导致附着力下降。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种柔性电路板，包括柔性基材(1)，其特征在于，所述柔性基材(1)上由下至上依次形成有：
过渡层(2)；
光学增透层(3)；
光学增透层(4)；
保护过渡层(5)；
过渡层(6)；
种子层(7)；
铜层(8)；和
保护层(9)；
过渡层(2)的材料为硅、铬、锆中的任一种或多种；
光学增透层(3)的材料为氧化硅和/或氮化硅；
光学增透层(4)的材料为氧化铌和/或氧化钛；
保护过渡层(5)的材料为氧化硅；
过渡层(6)的材料为镍、银、金中的任一种或多种；
种子层(7)的材料为铜和/或铜镍合金；
保护层(9)的材料为镍、银、锡中的任一种或多种；
柔性基材(1)的材料为透明聚酰亚胺、聚乙烯树脂、透明涤纶树脂、柔性透明玻璃中的任一种或多种；柔性基材(1)的厚度为20-500μm。
2.根据权利要求1所述的柔性电路板，其特征在于，
所述柔性基材(1)上由下至上形成有：
厚度为1-5nm的过渡层(2)；
厚度为15-50nm的光学增透层(3)；
厚度为30-100nm的光学增透层(4)；
厚度为5-200nm的保护过渡层(5)；
厚度为5-200nm的过渡层(6)；
厚度为20-300nm的种子层(7)；
厚度为10-35μm的铜层(8)；和/或
厚度为100-2000nm的保护层(9)。
3.根据权利要求1所述的柔性电路板，其特征在于，
所述柔性电路板具有如下一个或多个性质:
线路线宽为20-2000μm；
通透度可达80％以上，透过率达到95％以上，每平方米内的LED灯珠数量在1万颗以上，亮度在7000流明以上。
4.一种权利要求1至3任一项所述柔性电路板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：
(1)镀层的步骤：在柔性基材(1)上依次镀上过渡层(2)、光学增透层(3)、光学增透层(4)、保护过渡层(5)、过渡层(6)、种子层(7)、铜层(8)和保护层(9)；和
(2)刻蚀电路的步骤。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，
所述步骤(1)按照如下方法进行：
在柔性基材(1)上采用磁控溅射方法或蒸发法依次镀上过渡层(2)、光学增透层(3)、光学增透层(4)、保护过渡层(5)、过渡层(6)和种子层(7)，然后再通过电镀法依次镀上铜层(8)和保护层(9)。
6.利用权利要求5所述的制作方法，其特征在于，
采用磁控溅射方法镀上过渡层(2)，磁控溅射的工艺条件为：功率500-1000W,气压0.1-1.0Pa，时间0.5-2分钟；
采用磁控溅射方法镀上光学增透层(3)，磁控溅射的工艺条件为：功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟；
采用磁控溅射方法镀上光学增透层(4)，磁控溅射的工艺条件为：功率500-8000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟；
采用磁控溅射方法镀上保护过渡层(5)，磁控溅射的工艺条件为：功率500-5000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟；
采用磁控溅射方法镀上过渡层(6)，磁控溅射的工艺条件为：功率500-2000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-5分钟；和/或
采用磁控溅射方法镀上种子层(7)，磁控溅射的工艺条件为：功率500-3000W,气压0.1-1.0Pa，时间1-10分钟。
7.利用权利要求5所述的制作方法，其特征在于，
铜层(8)的电镀采用水性电镀，工艺条件为：pH值3-6，CuSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃；和/或
保护层(9)的电镀采用水性电镀，工艺条件为：pH值3-6，NiSO4/AgSO4/SnSO4浓度为60-90g/L，H2SO4浓度为170-210g/L，氯离子浓度为30-70ppm，温度为20-30℃。
8.利用权利要求4至7任一项所述的制作方法，其特征在于，
所述步骤(2)按照如下方法进行：
整体涂布光刻材料，再根据电路图形要求，在相应的电路图菲林图下曝光显影，将所需要的电路膜层表面盖上光刻材料，最后置于酸性蚀刻液内蚀刻线路。
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