CN112243410A - 可折式电子器件的保护技术 - Google Patents

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Abstract

本案提供一种可折式薄膜装置总成，其包含：一可挠性薄膜装置，其具有小于50微米的一厚度。该薄膜装置具有形成于一基体上的电活性层的一堆栈。一保护性无机罩盖层封盖电活性层的该堆栈，且一背侧弹性层背衬该可挠性薄膜装置。一前侧透明弹性层覆盖该可挠性薄膜装置，且背侧及前侧可挠性层经设定尺寸以机械地形成该保护性无机层的一中性线。该弹性材料具有小于100MPa小于100MPa的一杨氏模量及大于100微米的厚度，其中一挠曲刚度等于或大于该薄膜装置。

Description

可折式电子器件的保护技术
技术领域
本发明系关于弯曲半径≤2mm的可弯曲或可卷曲的可挠性薄膜装置。
背景技术
诸如薄膜PV、有机光侦测器、OLED照明装置及OLED显示器的可挠性装置系通过呈堆栈的薄膜制造，该等薄膜通常对湿度敏感。因此，必须保护装置免受环境影响。最敏感的装置为OLED且需要所谓的超障壁，其中水蒸气穿透率<10-6克/平方公尺/日。可达成此类障壁性质的薄膜材料为无机脆性薄膜，诸如氮化硅(SiN)或氧化铝(AlOx)。由于此等层为脆性的，因此其在伸展时可破裂。破坏应变，亦即，破裂开始出现于层中的应变，对于此等障壁层通常<1％，且严重约束装置的可挠性。塑料箔片上的装置的可挠性由挠曲刚度D判定，该挠曲刚度定义为
Figure BDA0002802990550000011
此处，h为基体的厚度，E为杨氏模量且v为泊松比。因此，可挠性取决于：
1.堆栈中的个别层的厚度。层的挠曲刚度(弯曲劲度D)与厚度的三次幂(h3)成比例。
2.堆栈中的层的杨氏模量E。较高E值对应于较大劲度，亦即，挠曲刚度与杨氏模量成线性比例。
3.堆栈中的关键脆性层的破坏应变，亦即，当外部障壁层具有较低破坏应变时，可执行较少弯曲。
对于可挠性基体，应变将由至“中性线(neutral line)”的距离判定，在中性线处，基体材料未经压缩。取决于曲率，中性线上方的材料经压缩且下方的材料经伸展。
应变可表达为基体材料相对于中性线的距离d1与基体的弯曲半径的比率：应变＝＝(d1+r)/r，参见图1B。
基于此等因素，为了达成可折式薄膜装置，亦即，可承受弯曲半径≤2mm的薄膜装置，基体必须极薄。
具有低挠曲刚度的此等极薄装置的问题为：当其未受到支撑时，处置变得愈来愈难。在独立式基体中，在处置时易于形成锥形缺陷，特别系所谓的可展锥或d锥(d-cone)，其中存在高度局部应变(图1C)。基体愈大，此等缺陷愈易于因处置而在箔片中的某处产生，如在处置一大张纸时易于经历的。在此等部位处，由于局部弯曲半径小，堆栈中的所有层倾向于遭受机械损坏，且在OLED的状况下，装置及障壁层破坏，此情形可导致黑点及短路。因此，在大且超薄的基体的情况下，基体接着将变得非常脆弱且尤其在弯曲时由于不均匀弯曲而变得非常脆弱。所谓的d锥将出现，其可在薄膜中引入严重的拉伸应力。本发明的目标中的一者为制造薄膜可折式装置，其承受小弯曲半径而不会由于处置而遭受d锥缺陷。
应注意，US20130041235展示一种薄膜装置，其具有在顶部及底部上的PDMS层以提供柔软弹性封装，该弹性封装提供生物兼容性且为生物流体及周围组织提供障壁。然而，彼案中所揭示的装置具有离散无机半导体电路组件或电极的数组，或无机半导体电路组件与电极的组合。此组态不同于基于超薄膜基体的显示器或大面积装置中的可挠性主动像素，对于弯曲半径≤2mm，该等超薄膜基体具有足够的挠曲刚度。
发明内容
提供一种可折式薄膜装置总成，其包含：一可挠性独立式薄膜装置，其具有小于100微米的一厚度。该薄膜装置具有形成于一基体上的电活性层的一堆栈。一保护性无机罩盖层封盖该电活性层的该堆栈且一背侧弹性层背衬该可挠性薄膜装置。一前侧透明弹性层覆盖该可挠性薄膜装置，该前侧透明弹性层具有小于100MPa的一杨氏模量及大于75微米的厚度，其中一挠曲刚度等于或大于该薄膜装置。
在弯曲时，总堆栈的内侧将展现压缩应力且堆栈的外侧将展现拉伸应力。举例而言，在习知OLED装置中，使用约125μm的基体(例如，PEN)，其具有2.5×10-3Nm(2.5.E-03Nm)的挠曲刚度。新装置具有100μm的基体，使得挠曲刚度为3.5×10-5Nm(5.5.E-05Nm)，低2个数量级。
附图说明
本发明的此等及其他态样将自下文中所描述的实施例显而易见且参考下文中所描述的实施例进行阐明。
在附图中：
图1(A、B、C)展示可挠性或可卷曲显示屏幕；
图2展示例示性堆栈；
图3(A、B)展示新装置总成的应变及挠曲刚度的例示性图表；
图4A展示针对前侧及背侧弹性层所计算的应变曲线；
图4B展示背侧可挠性层的压缩力曲线；
图4C展示在前侧及背侧上由弹性层覆盖的薄膜装置的挠曲刚度之间的比较；
图4D展示相对于挠曲刚度绘制的由前侧弹性层经受的压缩力。
在诸图中，类似组件符号通常指类似部分。诸图未按比例绘制。
图1A说明可卷曲显示器105中的薄膜装置100。作为实例，可卷曲显示器105具有例如呈棒或圆筒形式的外壳106；含有驱动电子器件且包括控制器或处理器，以及诸如电池的电源，其例如可连接至诸如移动电话的电子设备。其他可卷曲或可弯曲薄膜装置可部分地形成于弯曲支撑件上，或可仅部分地以独立式(未受支撑)装置组态弯曲。在此实例中，该装置为显示设备，但对于诸如电光装置等的其他应用，该组态可同样适用。图1中的显示屏幕103提供在展开位置中的大的显示器(如所展示)，且在不使用时可卷曲至外壳106中，因此在不使用时提供小的外观尺寸，且在展开以供使用时仍提供大的显示器。薄膜装置100包括一基体、多个像素及将该等像素连接至适当驱动器电路系统的多个电极—进一步例于后续图中。在主动矩阵数组显示设备的状况下，该等像素可包括如通常已知的薄膜晶体管，其可具有有机半导体材料。该等像素具有电光显示组件、诸如发光有机聚合物的有机半导体材料，或电泳材料。在曝露于诸如光、空气或湿气的外部环境因素时，此等有机材料及与有机半导体材料接触的电极可降解，亦即，由此等材料制成的组件由于其曝露于此类因素而经历非想要的化学反应。此等组件亦可为柔软或可延展的，且由于磨损、处置或其他实体接触或使用而经受损坏。
在图1C中，作为实例，可通过在具有直径R的固定环中用中心尖端力F按压薄膜组件10来可再生地形成「d锥」。在使用厚度例如低于8至10微米的极薄装置时，防止形成d锥。堆栈内不经受应力的转变点被称作中性线。愈远离中性线，则经受愈多应力。新装置包含堆栈，该堆栈经机械优化使得无机罩盖层接近中性线且藉此在弯曲时将经受低于其破坏应变的应变值。
此通常暗示中性线接近装置层级，此系因为可在顶部及底部处使用类似薄膜障壁，在该状况下，背侧及前侧可挠性层经设定尺寸，从而通过控制可挠性层的厚度及杨氏模量范围来机械地形成接近装置及保护性无机层的中性线。
图2展示例示性薄膜装置总成100-1…100-4。薄膜装置100可为由有机聚合物或另一合适的可挠性材料形成的可挠性基体。举例而言，基体可由诸如PET、PEN、聚胺基甲酸酯、聚酯、聚碳酸酯或类似材料的可挠性聚合物材料制成。薄膜装置100具有形成于基体101上的电活性层的堆栈110，及封盖电活性层的堆栈的保护性无机罩盖层120。
由于在制造诸如OLED显示器或PV的薄膜封装式可挠性装置中所需的制程温度，难以或不可能直接在弹性材料上处理此等装置。因此，在具有构成性装置层110及罩盖层120的薄膜装置100的处理完成之后，通过固着、胶合或焊接来施加弹性层200及300。
装置总成100-1展示例示性变型，其具有背衬可挠性薄膜装置100的背侧可挠性层200；及覆盖可挠性薄膜装置100的前侧透明弹性层300。
背侧弹性层200及前侧弹性层300经设定尺寸以针对保护性无机层120机械地形成中性线N。此可例如通过匹配层220、300的各别厚度来进行(参见总成100-3)，其中背侧及覆盖侧具有相同材料且具有不同厚度。另外，人们可通过为背侧210(总成100-2)选择不同材料或使用填充剂来利用构成性可挠性层的略微不同的挠曲刚度。在典型实例中，背侧及覆盖侧具有可挠性，其中杨氏模量的范围介于0.5MPa与100MPa之间，其为高度可压缩的。
无机层120可为水蒸气穿透率<10-6克/平方公尺/日(小于10.E-06克/平方公尺/日)的罩盖层。由于例如SiN或AlOx薄层的极脆特性，此层的典型破坏应变小于1％。亦即，在蒸气穿透率高于1至3％的所指示应变临限值时，层120可能无法保持完整性，使得薄膜装置由于水进入电活性堆栈110中而变得有缺陷。
在一些装置总成中，薄膜装置100可为薄的使得装置可在两侧上由罩盖层121、122封盖，且对于具有形成用于装置100的中性线的可挠性前侧层200及背侧层300的总成100-2或100-4，在1％的应变容限内。
装置总成100-4展示前侧及/或背侧可挠性层可由凹陷330的图案覆盖的另一态样。凹陷可例如用以允许更多光射出薄膜装置100。凹陷可呈像素化形式或较大图案。一优点为：可挠性层320通过仅具有可挠性条带331形式或凹陷330的图案来提供其限制薄膜装置的应变曝露的功能。凹陷可由压印或雷射切割提供。在一些实例中，可已通过可仅充当额外柔软保护层的条带331或极深凹陷330形成足够的挠曲刚度。
凹陷的此图案取决于提供应变保护所需的整体挠曲刚度。凹陷331可相对较浅、极深或甚至形成通孔，其可有利于电气连接。凹陷之间距大小可在极精细(例如，10微米)至粗略(例如，10mm)之间变化。
替代地，为了提供具有小于50微米的厚度的可挠性薄膜装置100，在层压可挠性层200、300之前，可将至外部电子器件的电气接点形成于设备堆栈100中。举例而言，外部电子器件连接可包覆于可挠性层200、300中。在另一情境中，薄膜装置100大于弹性体，使得用于外部电子器件的接点位于层压区外部且可形成接点。另一可能性为将弹性体结构化为具有通孔，使得可形成至装置的电子连接。对电气连接(最常位于主动装置或数组的周边处)的偏好将为在弹性体的整个边缘处移除弹性体，从而产生层压层的结构化边缘，其中接点位于移除区中。
a.在一个实例中，可在层压至薄膜装置100之前执行可挠性层的结构化。举例而言，通过在装置部位或电气接点部位或其两者处对弹性体进行机械或雷射切割来产生孔。当将结构化的可挠性层层压至薄膜装置时，将结构与薄膜装置100及其电气接点对准。
b.在另一实例中，其中可在薄膜装置的整个区域上执行层压且之后优选通过雷射执行可挠性层的结构化，此系因为机械或热制程可易于损坏底层电子器件。
i)可在两步法中执行弹性体的层压，首先在低温下进行，其中装置/基体与弹性体之间具有低黏着性。之后，可通过雷射结构化弹性体，可移除冗余弹性体且执行最终层压步骤以达成剩余弹性体的良好黏着。
ii)可在可挠性层的前侧部分应在雷射结构化之后移除的部位处执行低黏附层的局部沉积。在此状况下，弹性体可层压于薄膜装置100的整个区域上，且之后经雷射结构化并易于连同对薄膜装置100具有弱黏着性的层(例如，形成于其上或其基体101上的接点)一起移除。
iii)优选地，可挠性层为透明弹性体。在例如薄膜装置100不透明的状况下，当雷射能量被吸收于下方的层中时，可能难以进行雷射结构化。可将染料添加至弹性体层，该染料优选具有在可见光范围外的吸收，亦即，UV或(近)红外线吸收且对雷射波长敏感。当对弹性体执行雷射结构化时，雷射光主要被吸收于弹性体中，且可执行结构化。
图3A展示无弹性层的可挠性OLED或OLED薄膜装置的封装堆栈的实例。基体、OCP1层、OCP2层(用于平坦化的有机涂层)及顶涂层通常为堆栈中的机械主导层，其可判定总厚度及其整体机械性质。厚度d1至d4通常均>1μm。薄膜装置进一步包含通常为SiN的罩盖层、背板及OLED层，其厚度通常均<<μm。因此，其机械贡献最小。此处，基体厚度为d1。箔片上的底部障壁由堆栈SiN1/OCP1/SiN2组成。引入OCP层以解耦SiN层中的针孔且确保针孔至针孔扩散作为供水进入的主导机制及极佳障壁效能[Akkerman,van de Weijer,OrganicElectronics,2017]。在底部障壁的顶部上，处理装置。之后，施加顶部封装且其由SiN3/OCP2/SiN4组成。施加顶涂层以用于机械保护顶部SiN层。当论述可挠性或可折式装置时，自机械观点来看，可挠性或可折式装置具有弯曲半径<2mm、接近装置层级(介于SiN2与SiN3之间)的中性线为优选的，此系因为在彼状况下，电子部分(装置)在弯曲时将不会展现太多机械应变。中性线的位置由个别层性质、杨氏模量[E]及厚度[d#]的组合判定。当在某一半径上弯曲时，在该等层中经历应变，其随着距中性线的距离而增加。在弯曲时中性线的内侧经受压缩应力，外侧经受拉伸应力。已知(脆性)SiN在破坏之前可经受～0.8％的拉伸应力。在弯曲时，外部SiN层(SiN1及SiN4，此等层中的至少1者，但可能两者)将经历大部分应变。因此，对于可折式装置，堆栈经设计以使得距离x1(中性线至SiN1)及x2(中性线至SiN4)最小化以确保当在某一半径上弯曲时，SiN1及/或SiN4中的应变位准保持低于破坏应变限值。优选地，对于接近装置层级的中性线，x1≈d2且x2≈d3。
堆栈的总厚度因此由d1+d2+d3+d4的总和判定。人们将可能期望d1+d2≈d3+d4以确保中性线接近装置层级，然而，因为杨氏模量在不同层之间可能变化很大，所以此并非必然的。高杨氏模量的薄基体在中性线的另一侧上可由具有低得多的杨氏模量的厚顶涂层“补偿”。
当在以上所呈现堆栈的顶部及/或底部处施加TPU或弹性体时，其杨氏模量相较于设备堆栈中的其他层极低。弹性体的杨氏模量通常低于100MPa，且对于以上层(基体/OCP/顶涂层)，杨氏模量>1GPa。此暗示：为了具有机械效应，将施加厚的弹性体层。此亦暗示：当弹性体在与以上所呈现层相同的厚度范围内时或当弹性体经施加于装置的两侧上时，中性线位置的移位最小。在彼状况下，关于弯曲稳定性、距离x1及/或x2的限制因素保持相同。然而，堆栈的总劲度可通过厚弹性层增加，此系因为弯曲劲度(或挠曲刚度D)取决于厚度的三次幂(d3)，而其与杨氏模量成线性比例。当弹性体的厚度增加时，由于增加的挠曲刚度≥～10-4Nm或在弯曲时弹性体的外层所经受的增加的压缩力(>2至3N)，因此防止d锥缺陷。人们在下文呈现极端状况下的若干数字及其如何与杨氏模量及压缩力相关。
图3A中所描绘的堆栈呈现用于生产的可能的最薄可折式装置。最薄装置的起始点为具有厚度d1的基体。为了减小基体厚度，处理的难度，尤其系自硬质载体脱黏的难度增加。在难度增加的情况下，完美装置的产率变低。因此，人们估计，使用厚度<5μm的聚酰亚胺层(用于OLED显示器的基体的常见选择)在可预见的未来为不现实的。最薄装置的第二考虑因素为底部及顶部障壁中的OCP的功能性。OCP可平坦化存在于下方SiN层中的粒子，以确保OCP的两侧上的两个SiN层中的针孔的完全解耦。粒子的大小及质量可由处理条件及环境判定，但为了高产率，OCP层可大于5μm。可用10μm OCP厚度达成良好结果，但小于5μm，OCP的功能性可变得有问题。当d1设定为5μm(且杨氏模量聚酰亚胺为～8GPa)且d2设定为5μm厚度时，具有实际杨氏模量范围的最薄可能装置将接着由d1＝d2＝d3＝d4＝5μm组成，因此总厚度为20μm。在实例中，当全部具有～8GPa的杨氏模量时，此堆栈的挠曲刚度为D＝7.5×10- 6Nm。在弯曲半径为0.7mm(对于中性线层级，半径为0.7mm)的情况下，SiN1及SiN4中的应变位准显着低于SiN的破坏应变。当施加弹性体时，存在可选择的杨氏模量的若干情形，产生不同最小厚度以达成约10-4Nm的总挠曲刚度。人们可选择极低杨氏模量(0.5MPa，实例PDMS)、中间杨氏模量(23MPa，受测试TPU的杨氏模量)及较高杨氏模量(100MPa)以找到限值：
为了通过在上文所提及的堆栈1的两侧上施加弹性体来达成D≈10-4Nm：
a.对于杨氏模量100MPa，厚度弹性体：100μm，在～0.6mm半径(在中性线层级处，为0.7mm)下的压缩为17％，其对应于压缩所需的～2.7N力。
b.对于杨氏模量23MPa，厚度弹性体：160μm，在～0.55mm半径(在中性线层级处，为0.7mm)下的压缩为26％，其对应于压缩所需的～5.1N力。
c.对于杨氏模量0.5MPa，在实际限值内，可能无法达成D≈10-4Nm。在弹性体厚度为500μm的情况下，D≈5.6×10-5Nm。弹性体内部的弯曲半径将接着为0.2mm(在中性线层级处，为0.7mm)且压缩为70％，其对应于压缩所需的～22N力。
图3B展示另一实例，其中基体厚度较大例如使得中性线移动至基体内的层级。此意谓x2大大增加且x2>>d3。此意谓在弯曲时，SiN4将展现大的应变，导致当装置将在小弯曲半径上弯曲时SiN4中的有限可耐受弯曲半径及快速损坏。此可为可说明具有适合生产的厚度的薄膜装置的上限的实例。
为了选择可达成可折性(弯曲半径<2mm)的较厚堆栈，选择例如具有略微较低杨氏模量的PEN基体的基体厚度d1，且可依据用于生产OLED显示器的温度稳定性来使用(尽管以有限方式)。举例而言，可使用30μm的厚度。在彼状况下，可将OCP1及OCP2的厚度选择为10μm及将顶涂层的厚度选择为60μm。箔片上的封装装置可具有110μm的总厚度。出于此目的，选择OCP及顶涂层作为当前材料，其具有～1.1GPa的杨氏模量。在此情形下，中性线可能不会准确地在装置层级中间。因此，由SiN 1及SiN 4经历的应变可能不相同。在2mm的弯曲半径下，具有最高应变的SiN层仍低于破坏应变。此堆栈的挠曲刚度已>10-4Nm，亦即，D＝3×10- 4Nm。因此，施加弹性层以将杨氏模量增加至高于10-4并非必需的。然而，当人们想要增加弯曲所需的力时，可在两侧上施加250μm的23MPa TPU层使得总厚度将为610μm且D＝8×10- 4Nm。在弯曲半径为1.75mm(在中性线层级处，半径为2mm)的情况下，由外部TPU经历的压缩将为约15％，其对应于压缩所需的2.3N力。
图4A展示针对前侧及背侧弹性层(热塑性聚胺基甲酸酯)所计算的应变曲线。对于较厚弹性层，该弹性层的前侧界面将随着厚度增加而经历较大应变值(外部拉伸，内部压缩)。
在厚度增加的弹性层及弯曲半径固定的可折式OLED的情况下，关于可折式OLED，图4B展示弹性层的背侧弹性层随着背侧可挠性层的厚度增加的压缩力曲线；在约1mm的恒定弯曲半径下。外部层的破坏应变位准保持不变，低于0.8％。
图4C展示随着层厚度增加，在前侧及背侧上由弹性层覆盖的薄膜装置的挠曲刚度之间的比较。对于各弹性层，在约125μm的层厚度下，总堆栈的挠曲刚度为约10-4Nm。在约彼厚度下，弹性层及装置的挠曲刚度D亦实质上相等。
在图4D中，相对于挠曲刚度(b)绘制由前侧弹性层经受的压缩力。可观察到，高于10-4Nm的挠曲刚度D，压缩力随着挠曲刚度D(在对数尺度上)大约线性地增加，且由弹性层的挠曲刚度主导。点线数字指示以微米为单位的对应层厚度—亦即，范围为10至300微米，其中对于高于100至125微米的厚度，装置表现为线性的。
弹性体为不遵守虎克定律(Hooke's law)的材料，变形与所施加负载不成正比。实例为TPU—已知为热塑性聚胺基甲酸酯的材料。弹性体具有类似于黏弹性材料的性质。与用于技术工程中的习知材料相比，弹性体的变形机制变化很大。弹性体的泊松比通常为0.5且如同液体般表现。因此，在变形的状况下，弹性材料的初始表现为几乎无应力—而在进一步变形条件中，弹性材料的内应力累积，直至其平衡施加于基体上的变形力的点。以此方式，其防止基体进一步变形，其中弯曲半径容限小于例如判定为安全值的2mm的给定值，对于该安全值，脆性有机层的应变仍可接受以维持层的完整性，低于破坏应变。合适选择的弹性层与具有极低破坏应变(亦即，极脆)的无机层的组合使此等层在使用应用中对于处置及变形为稳固的，在该等应用中，基体区域可足够大(例如，直径大于10cm或直径甚至大于20或40cm)，其中由于基体上的变形在弯曲半径将低于例如2mm或大于2mm或小于2mm(此取决于破坏应变)的半径容限的点中的传播，可出现d锥。
对于高于125μm的层厚度，总挠曲刚度(D)由弹性层主导，该层厚度同时对应于超过则压缩力在对数尺度上随D线性地增加(亦即，相对缓慢增加)的厚度。低于此值，压缩力更快速地增加。已发现，对于高于100μm的TPU厚度，在很大程度上防止了在此堆栈中形成d锥。虽然仍有可能因两侧上的100μm弹性层而强制性地形成d锥，但实质上防止了d锥的自发性形成，此系因为在实际使用中，提供产生d锥效应的较小弯曲半径的必需力为不现实的。在此范围中，对于此等TPU厚度，总堆栈的挠曲刚度的范围介于0.5至50×10-4Nm。
可推测，压缩力增加至高于2至3N防止形成自发性d锥；结合挠曲刚度≥～10-4Nm。举一些实例，标准的家用Al箔片为16μm厚且具有约70GPa的杨氏模量。其挠曲刚度为2.7×10-5Nm且其易于褶皱，亦即，在处置时形成d锥。对于如PI(E＝8GPa)及PEN(E＝5.8GPa)的塑料基体，用于10-4Nm的挠曲刚度的厚度接近50μm。此亦为此等箔片更易于处置的厚度。基体大小可在10至15cm×3至15cm的范围内。
假定当需要大于几牛顿来产生弯曲半径小于最小弯曲半径的局部弯曲点时，局部d锥的自发性形成不会发生，而替代地在较大区域上散布至更大弯曲半径。以上关于处置的实例皆系针对具有高于1GPa的杨氏模量的材料。对于较易于在平面内变形的优选的较软可挠性材料，例如具有杨氏模量(E<<100MPa)的TPU或PDMS，低挠曲刚度不会导致非常局部的d锥及急剧变形。
举例而言，对于商标名为platilon的具有杨氏模块(E＝23MPa)的250μm TPU层，当设置于OLED薄膜装置上时，挠曲刚度为D＝3.3×10-5Nm。
因此，在施加至可折式薄膜装置的保护性弹性体的可挠性层的实际应用中，弹性体的杨氏模量可在0.5至100MPa的范围内变化且厚度在75至500μm的范围内。对于低于75μm的厚度，TPU上的压缩力可能过低使得仍出现自发性局部d锥。对于高于500μm的厚度，总堆栈的可挠性将受TPU限制。此适用于杨氏模量显着低于基体且挠曲刚度等于或大于基体的挠曲刚度的极软材料的可挠性弹性层。
说明书及附图将以例示性方式来考虑且并不意欲限制后附申请专利范围的范畴。
在解释所附申请专利范围时，应理解：
a)词“包含”并不排除不同于给定技术方案中所列举的彼等组件或动作的其他组件或动作的存在；
b)在组件之前的词“一(a/an)”并不排除多个此类组件的存在；
c)申请专利范围中的任何参考符号并不限制其范畴；
d)除非另外特定地陈述，否则所揭示装置或其部分中的任一者可组合在一起或分成其他部分；及
e)除非特定地指示，否则不欲要求动作的特定序列。

Claims (10)

1.一种可折式薄膜装置总成，其包含：
一独立式可挠性薄膜装置(100)，其具有小于100微米的一厚度；该薄膜装置具有形成于一基体(101)上的电活性层的一堆栈；以及一或多个保护性无机罩盖层(120)；
一背侧弹性层(200)，其背衬该可挠性薄膜装置；以及
一前侧透明弹性层(300)，其覆盖该可挠性薄膜装置；
其中该背侧弹性层及该前侧弹性层由具有小于100MPa的一杨氏模量及大于75微米的厚度的一弹性材料形成，且各自具有等于或大于该薄膜装置的一挠曲刚度。
2.根据权利要求1所述的可折式薄膜装置总成，其中该无机罩盖层具有<10-6克/平方公尺/日的水蒸气穿透率及小于1％的破坏应变。
3.根据权利要求1或2所述的可折式薄膜装置总成，其中该背侧弹性层及该前侧弹性层具有相同材料且具有不同厚度。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的可折式薄膜装置总成，其中该前侧具有凹陷的一图案。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的可折式薄膜装置总成，其中该前侧弹性层具有带通孔的栅网格线的一图案。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的可折式薄膜装置总成，其中该前侧弹性层或该背侧弹性层具备用于提供与该薄膜装置的电气互连的一或多个通孔。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的可折式薄膜装置总成，其中该背侧弹性层及该前侧弹性层具有小于500微米的一厚度。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的可折式薄膜装置总成，其中该背侧弹性层及该前侧弹性层具有杨氏模量大于0.5MPa的可挠性。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的可折式薄膜装置总成，其中该背侧弹性层及该前侧弹性层形成具有一中性线(N)的一层堆栈，其中该一或多个无机罩盖层接近该中性线以便在折叠时，维持该一或多个保护性无机罩盖层的应变低于破坏应变。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的薄膜装置总成，其中薄膜为一可卷曲显示屏幕(300)。
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