CN112194373A - 玻璃陶瓷烧结体及配线基板 - Google Patents

玻璃陶瓷烧结体及配线基板 Download PDF

Info

Publication number
CN112194373A
CN112194373A CN202010644958.XA CN202010644958A CN112194373A CN 112194373 A CN112194373 A CN 112194373A CN 202010644958 A CN202010644958 A CN 202010644958A CN 112194373 A CN112194373 A CN 112194373A
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass ceramic
sintered body
ceramic sintered
mass
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010644958.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN112194373B (zh
Inventor
高根晋
二俣阳介
酒井健一
宫内泰治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Publication of CN112194373A publication Critical patent/CN112194373A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112194373B publication Critical patent/CN112194373B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0009—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing silica as main constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
    • C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/206—Insulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2315/00—Other materials containing non-metallic inorganic compounds not provided for in groups B32B2311/00 - B32B2313/04
    • B32B2315/08—Glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2204/00—Glasses, glazes or enamels with special properties
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298—Multilayer circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明提供一种在10GHz以上的高频区域中介电损耗小的玻璃陶瓷烧结体以及使用其的配线基板。一种玻璃陶瓷烧结体，其含有结晶化玻璃、氧化铝填料及二氧化硅。结晶化玻璃的含量为45质量％～85质量％，氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为14.8质量％～50.1质量％，二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.2质量％～4.9质量％。

Description

玻璃陶瓷烧结体及配线基板
技术领域
本发明涉及一种玻璃陶瓷烧结体及使用其的配线基板。详细而言，涉及一种用于各种模块基板、半导体元件收纳用封装等的玻璃陶瓷烧结体及配线基板。
背景技术
目前，第五代移动通信系统(下称为5G)正在朝着标准化方向发展。在5G中，为了扩大频带，探讨使用10GHz以上的频带，特别是10～30GHz的准毫米波段或30～300GHz的毫米波段(millimeterwave)。
作为5G中使用的构成微波用电路部件的带通滤波器，探讨使用利用了玻璃陶瓷烧结体的低温烧成基板等。利用了玻璃陶瓷烧结体的配线基板能够将Cu、Ag等低熔点且低电阻的金属材料用于内层配线中。
5G中使用的构成微波用电路部件的带通滤波器用玻璃陶瓷烧结体要求在10GHz以上的高频区域中介电损耗小。
例如，专利文献1中公开了一种电介质材料用玻璃粉末，其具有析出透辉石和榍石(titanite)和/或二氧化钛的性质，以质量百分比计，含有35～65％的SiO2、10～30％的CaO、10～20％的MgO、12～30％的TiO2。
但是，就专利文献1所述的电介质材料用玻璃粉末而言，因为TiO2的含量多，所以存在在10GHz以上的高频区域中介电损耗变大的趋势。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4288656号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明是鉴于这种实际情况而完成的，其目的在于，提供一种在10GHz以上的高频区域中介电损耗小的玻璃陶瓷烧结体及使用其的配线基板。
用于解决技术问题的手段
用于实现上述目的的本发明的玻璃陶瓷烧结体如下。
[1]一种玻璃陶瓷烧结体，其是含有结晶化玻璃、氧化铝填料及二氧化硅的玻璃陶瓷烧结体，
所述结晶化玻璃的含量为45质量％～85质量％，
所述氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为14.8质量％～50.1质量％，
所述二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.2质量％～4.9质量％。
作为上述[1]的具体方式，示例了下述方式。
[2]根据上述[1]记载的玻璃陶瓷烧结体，其中，
所述结晶化玻璃析出至少包含Mg、Ca及Si的透辉石型氧化物结晶相。
[3]根据上述[1]或[2]中任一项记载的玻璃陶瓷烧结体，其中，
还包含选自氧化钛、钛酸钙及钛酸锶中的任一种以上。
[4]根据上述[1]或[2]中任一项记载的玻璃陶瓷烧结体，其中，
还包含氧化钛及钛酸钙中的任一种以上。
[5]一种配线基板，其具有绝缘基体和配线导体，
所述绝缘基体由上述[1]～[4]中任一项记载的玻璃陶瓷烧结体构成。
附图说明
图1是本发明的实施方式的玻璃陶瓷配线基板的示意截面图。
图2(S1)～图2(S3)是表示本发明的一个实施方式的玻璃陶瓷配线基板的制造方法的流程的一例的大致截面图。
图3(S1)～图3(S3)是表示本发明的其它实施方式的玻璃陶瓷基板的制造方法的流程的一例的大致截面图。
图4是本发明的实施例18的陶瓷烧结体的截面的SEM照片。
图5是本发明的实施例4和比较例2的XRD图案。
符号说明
1……玻璃陶瓷烧结体
1a～1d……绝缘层
3……通孔导体
4……安装用表面端子
5……内部导体层
6……表面导体层
10……生片
11a～11d……配线基板用生片
12a～12d……基板用生片
13……通孔导体图案
14……表面端子图案
15……内部导体图案
16……表面导体图案
21……配线基板用层叠体
22……基板用层叠体
101……配线基板
102……基板
具体实施方式
下面，参照附图对用于实施本发明的实施方式进行说明。此外，在附图中，对共同的部件标注共同的符号，省略其说明的一部分。另外，本发明不限于以下的实施方式，在本发明的目的范围内可以适当地施加变更并实施。而且，时适当地省略对重复部分的说明，但并非限定发明的主旨。
＜第一实施方式＞
下面，以使用本发明的一个实施方式的玻璃陶瓷烧结体的玻璃陶瓷配线基板和其制造方法为例对本发明的一个实施方式进行说明。
1.玻璃陶瓷配线基板
图1是本实施方式的玻璃陶瓷配线基板101的示意截面图。在图1中针对构成以任意跨距(pitch)配置于基板内的电路的基本结构体中的一个示出了其中央附近的截面图。
如图1所示，玻璃陶瓷配线基板101具有：由玻璃陶瓷烧结体1构成的绝缘基体(绝缘层1a～1d)和配线导体(通孔导体3、安装用表面端子4、内部导体层5及表面导体层6)。即，玻璃陶瓷配线基板101具有以规定图案设置于图1中上下相邻的绝缘层1a～1d之间的内部导体层5、设置于作为最外层的绝缘层1a、1d的外表面的表面导体层6、以及安装用表面端子4。而且，玻璃陶瓷配线基板101具有贯通绝缘层1a～1d而连接存在于不同层位置的内部导体层5的相互之间或者连接表面导体层6和内部导体层5的通孔导体3。
此外，在图1所示的实施方式的玻璃陶瓷配线基板101中，通孔导体3连接存在于不同层位置的内部导体层5的相互之间或者连接表面导体层6和内部导体层5，但本发明不限于此。
另外，图1所示的各绝缘层1a～1d可以通过烧成单一生片而获得，或者，也可以通过烧成多个生片的层叠体而获得。另外，绝缘层1a～1d的层叠数不限于图示的实施方式。
另外，对玻璃陶瓷配线基板101的外形或尺寸没有特别限定，可以根据用途适当地设定，通常，将外形设为大致长方体形状，尺寸通常为纵50mm～200mm×横50mm～200mm×厚度0.2mm～2.5mm左右。
1-1.玻璃陶瓷烧结体
上述绝缘层1a～1d由本发明的一个实施方式的玻璃陶瓷烧结体1构成。
即，本实施方式的陶瓷烧结体是含有结晶化玻璃、氧化铝填料及二氧化硅的玻璃陶瓷烧结体，结晶化玻璃的含量为45质量％～85质量％，氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为14.8质量％～50.1质量％，二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.2质量％～4.9质量％。
本实施方式的玻璃陶瓷烧结体通过为上述组成，从而在10GHz～30GHz的准毫米波段或30～300GHz的毫米波段中，介电损耗(tanδ)小，即Q值大。其原因在于，Q值是tanδ的倒数。
另外，本实施方式的玻璃陶瓷烧结体可以以1000℃以下的低温进行烧成。因此，根据这种玻璃陶瓷烧结体，能够形成Cu、Ag等低电阻金属形成的导体层，可得到适用于使用微波或毫米波的各种模块或安装有半导体元件等的封装的玻璃陶瓷配线基板。
下面，对本实施方式的玻璃陶瓷烧结体进行详细说明。
1-1-1.结晶化玻璃
本实施方式的玻璃陶瓷烧结体中包含的结晶化玻璃优选为析出至少包含Mg、Ca及Si的透辉石型氧化物结晶相的结晶化玻璃。以这种透辉石型结晶相为主相的玻璃成分在高频区域中使玻璃陶瓷烧结体的介电损耗减小，即，使Q值增大。
在此，析出透辉石型氧化物结晶相的结晶化玻璃(下面，有时称为“透辉石结晶化玻璃”)是通过烧成而析出透辉石结晶作为主结晶的玻璃。
在本实施方式中，结晶化玻璃相对于玻璃陶瓷烧结体总量的含量为45质量％～85质量％，优选为60质量％～75质量％。通过将结晶化玻璃的含量设为上述范围，能够减小玻璃陶瓷烧结体的介电损耗。
本实施方式的透辉石结晶化玻璃至少包含Mg、Ca及Si，优选还包含选自Al、Cu、Sr、Zn及Ti中的一种以上。此外，本实施方式的透辉石结晶化玻璃还可以在不损害介电损耗等特性的范围内包含除上述外的成分。
在本实施方式的透辉石结晶化玻璃中，Mg为透辉石结晶的构成成分。Mg的含量以MgO换算计相对于透辉石结晶化玻璃总量优选为11质量％～30质量％，更优选为12质量％～25质量％。Mg的含量为11质量％以上，由此存在结晶容易析出的倾向。另外，Mg的含量为30质量％以下，由此存在制造时容易玻璃化的倾向。
在本实施方式的透辉石结晶化玻璃中，Ca为透辉石结晶的构成成分。Ca的含量以CaO换算计相对于透辉石结晶化玻璃总量优选为10质量％～35质量％，更优选为15质量％～30质量％。Ca的含量为10质量％以上，由此存在介电损耗变小的倾向。另外，Ca的含量为35质量％以下，由此存在制造时容易玻璃化的倾向。
在本实施方式的透辉石结晶化玻璃中，Si为玻璃的网络形成体，并且为透辉石结晶的构成成分。Si的含量以SiO2换算计相对于透辉石结晶化玻璃总量优选为40质量％～65质量％，更优选为45质量％～65质量％。Si的含量为40质量％以上，由此存在容易玻璃化的倾向，Si的含量为65质量％以下，由此存在密度变高的倾向。
在本实施方式的透辉石结晶化玻璃中，Al为调节玻璃的结晶性的成分。Al含量以Al2O3换算计相对于透辉石结晶化玻璃总量优选为0.5质量％～10质量％，更优选为1质量％～5质量％。Al的含量为0.5质量％以上，由此存在结晶性良好且容易玻璃成形的倾向。另外，Al的含量为10质量％以下，由此存在透辉石结晶容易析出的倾向。
在透辉石结晶化玻璃中，Cu是对Ag施加电子且抑制向玻璃陶瓷中的扩散的成分。Cu的含量以CuO换算计相对于透辉石结晶化玻璃成分总量优选为0.01质量％～1.0质量％。Cu的含量为0.01质量％以上，由此存在充分发挥上述效果的倾向。另外，Cu的含量为1.0质量％以下，由此存在介电损耗变小的倾向。
在透辉石结晶化玻璃成分中，Sr、Zn及Ti是用于使玻璃化变容易的成分。分别以SrO、ZnO及TiO2换算计，各成分的含量相对于透辉石结晶化玻璃成分总量优选为0质量％～25质量％，更优选为0质量％～20质量％。这些成分的含量分别处于上述范围内，由此存在结晶性良好、透辉石的析出量变多且介电损耗变小的倾向。
1-1-2.氧化铝填料
本实施方式的玻璃陶瓷烧结体包含氧化铝填料(Al2O3)。
在本实施方式中，氧化铝填料是有助于提高机械强度及调整介电性能的填料。
对氧化铝填料的形状没有特别限定，可以使用板状或球状、不规则形状的填料等。另外，对氧化铝填料的平均粒径也没有特别限定，但优选为2μm～10μm，更优选为2μm～5μm。
在本实施方式中，以Al2O3换算计，氧化铝填料的含量相对于玻璃陶瓷烧结体整体为14.8质量％～50.1质量％，优选为20质量％～33质量％。通过将氧化铝填料的含量设为上述范围，从而可以实现无空穴等缺陷的烧结性优异的烧结体。
1-1-3.二氧化硅
本实施方式的玻璃陶瓷烧结体包含二氧化硅(SiO2)。这种玻璃陶瓷烧结体促进以透辉石型结晶相为主相的玻璃成分的结晶化，有助于玻璃陶瓷烧结体的介电损耗的降低。
以SiO2换算计，本实施方式的二氧化硅的含量相对于玻璃陶瓷烧结体总量为0.2质量％～4.9质量％，优选为0.4质量％～4.7质量％。
1-1-4.高介电常数材料
本实施方式的玻璃陶瓷烧结体也可以包含氧化钛(TiO2)、钛酸钙(CaTiO3)、钛酸锶(SrTiO3)、CaTiO3-SrTiO3等钙钛矿系氧化物、以及包含氧化钡(BaO)、氧化钕(Nd2O3)及TiO2的BaNdTiO系氧化物等高介电常数材料。由此，进一步改善了介电常数的温度特性(τf)，并且提高了相对介电常数。
另外，本实施方式的玻璃陶瓷烧结体为上述组成，由此温度特性(τf)良好。具体而言，具有在10GHz～30GHz的准毫米波段或30～300GHz的毫米波段下，特性不易相对于-40℃～85℃的温度变化而变动的特性。因此，本实施方式的玻璃陶瓷烧结体的环境性能优异。
高介电常数材料可以单独使用一种，也可以将多种组合而使用。通过改变高介电常数材料的种类、多种的组合、含量，从而能够调整玻璃陶瓷烧结体的介电常数及温度特性(τf)。
本实施方式的氧化钛(TiO2)的含量以TiO2换算计相对于玻璃陶瓷烧结体总量为5质量％～17质量％，优选为6质量％～15质量％。
本实施方式的钛酸钙(CaTiO3)的含量以CaTiO3换算计相对于玻璃陶瓷烧结体总量为3质量％～15质量％，优选为4质量％～11质量％。
本实施方式的钛酸锶的含量以SrTiO3换算计相对于玻璃陶瓷烧结体总量为4质量％～14质量％，优选为6质量％～11质量％。
如上所述，作为构成本实施方式的玻璃陶瓷烧结体的成分，对规定的玻璃成分、氧化铝填料、二氧化硅及高介电常数材料进行了说明，但本实施方式的玻璃陶瓷烧结体也可以在不妨碍本发明的效果的范围内含有上述以外的成分。此外，在该情况下，上述以外的成分的含量为玻璃陶瓷烧结体整体的10质量％以下，进一步优选为5质量％以下。
作为上述外的成分，可举出无定形玻璃成分、氧化铝填料以外的陶瓷填料或上述以外的氧化物等。作为氧化铝填料以外的陶瓷填料，可举出例如选自氧化镁、尖晶石、莫来石(mullite)、镁橄榄石(forsterite)、滑石(steatite)、堇青石(cordierite)、锶长石、石英、硅酸锌、氧化锆及二氧化钛中的至少一种材料。
另外，作为上述以外的氧化物，可举出例如Mn、B、Li、Co、Ag或Cu的氧化物等。玻璃陶瓷烧结体中的B的氧化物以B2O3换算计优选为0质量％～3质量％，Li的氧化物以Li2O换算计优选为0质量％～0.5质量％，Co的氧化物以CoO换算计优选为0质量％～0.2质量％，Ag的氧化物以Ag2O换算计优选为0质量％～0.3质量％。由此，在10GHz以上的高频区域下，能够减小介电损耗。
除不可避免地包含的情况外，本实施方式的玻璃陶瓷烧结体优选实质上不包含Fe。
此外，本实施方式的玻璃陶瓷烧结体中包含的各种成分的测定方法可以使用目前已知的方法，但也可以根据例如通过荧光X射线分析装置(XRF)进行分析的方法、将试样熔融并通过高频耦合等离子体发光分析装置(ICP-AES)或者高频电感耦合等离子质量分析装置(ICP-MS)进行分析的方法等进行测定。
以上，关于本发明的一个实施方式的玻璃陶瓷配线基板101对优选的实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述实施方式。
另外，对配线基板中具备的绝缘基体(绝缘层)的片数、及配线导体(内层导体层、表面导体层及通孔导体等)的结构或材质也没有特别限定。例如，作为配线导体的材质，可举出Ag、Ag-Pd合金、Cu、Ni等。
2.制造方法
接下来，参照附图对本实施方式的玻璃陶瓷配线基板的制造方法的优选实施方式进行说明。图2(S1)～图2(S3)是用于说明玻璃陶瓷配线基板的制造方法的流程的大致截面图。特别地，图2(S1)是形成有基板烧成前的各种图案的玻璃陶瓷配线基板用生片的示意截面图。另外，图2(S2)是层叠了图2(S1)中准备的玻璃陶瓷配线基板用生片的烧成前的玻璃陶瓷配线基板用层叠体的示意截面图。另外，图2(S3)是通过烧成图2(S2)而得到的玻璃陶瓷配线基板的示意截面图。
本实施方式的玻璃陶瓷配线基板与现有的玻璃陶瓷配线基板同样，首先，如图2(S1)所示，制作形成有通孔导体图案13、安装用表面端子图案14、内部导体图案15及表面导体图案16中的至少一种的玻璃陶瓷配线基板用生片11a～11d。
具体而言，通过以下的方法，制作生片10，形成各种导体图案13、14、15及16。
首先，作为构成玻璃陶瓷烧结体的成分的原料，至少准备结晶化玻璃、氧化铝填料及二氧化硅。另外，还可以准备高介电常数材料。
此外，结晶化玻璃可以单独使用一种，也可以将多种组合而使用，在任一种情况下，都可以使用市售的结晶化玻璃或生成的结晶化玻璃。
氧化铝填料、二氧化硅及高介电常数材料可以使用市售的材料或生成的材料。
对结晶化玻璃的粒径没有特别限定，但优选为0.5μm～3μm。
对氧化铝填料的形状没有特别限定，可以使用板状或球状、不定形状的填料等。另外，对氧化铝填料的平均粒径也没有特别限定，但优选为2μm～10μm，更优选为2μm～5μm。
对二氧化硅的粒径没有特别限定，但优选为0.2μm～2μm。
对高介电常数材料的粒径没有特别限定，但优选为0.2μm～2μm。
此外，本实施方式中使用的二氧化硅可以是α-SiO2，也可以是β-SiO2，但优选是α-SiO2。
接着，根据制造的玻璃陶瓷烧结体的组成比例，称量结晶化玻璃、氧化铝填料以及二氧化硅，并根据需要称量高介电常数材料。
在本实施方式中，对进行混合的方法不进行特别限定，例如可以添加水或有机溶剂、根据需要添加粘合剂或塑化剂、分散剂等，使用球磨机等并通过湿式混合来进行。由此，将上述原料的混合物(原料粉末)涂料化，调整生片用膏体。
生片用膏体可以为将上述原料粉末和有机载体混练后得到的有机系涂料，也可以为水系涂料。对溶剂或添加剂的添加量没有特别限定，只要为通常的添加量即可，可以根据使用的混合装置或后工序中形成的片材的膜厚等适当地选择。
例如，在使用有机载体的情况下，上述生片用膏体中的有机载体的含量相对于原料粉体100重量％而言，粘合剂为5～15重量％左右、溶剂为50～150重量％左右即可。另外，根据需要添加的各种分散剂或塑化剂等的添加物在它们的总含量中优选为10重量％以下。
此外，作为粘合剂，可举出例如聚乙烯缩丁醛树脂及甲基丙烯酸树脂等。作为塑化剂，可举出例如邻苯二甲酸二丁脂等。作为溶剂，可举出例如甲苯、甲基乙基酮等。
接着，将所得的生片用膏体在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)片材等支承体上成膜，在支承体上形成生片10。
作为成膜方法，可以使用刮刀法、压延辊(calender roll)等成型方法。
准备通过上述方法制作的生片10，形成各种导体图案(内部导体图案15、表面导体图案16、安装用表面端子图案14或通孔导体图案13等)，制作玻璃陶瓷配线基板用生片11a～11d。
具体而言，首先，如图2(S1)所示，在准备的生片10的规定位置形成贯通孔(通孔)，将导体膏填充于此处，由此形成通孔导体图案13。另外，将导体膏以规定图案印刷于成为内层的生片10的表面，形成内部导体图案15。而且，在配置于最外侧的生片10上形成表面导体图案16及安装用表面端子图案14。此外，也可以根据需要，在生片10上形成电子元件(电感器或电容器等)。
用于形成导体图案的导电膏可以通过例如将由Ag、Ag-Pd合金、Cu、Ni等各种导电性金属或合金构成的导电材料和有机载体混炼而调制。用于导电膏的有机载体含有粘合剂和溶剂作为主成分。对粘合剂、溶剂及导电材料的配合比没有特别限定，例如可以相对于导电材料配合1质量％～15质量％的粘合剂、10质量％～50质量％的溶剂。也可以根据需要向导电膏中添加选自各种分散剂或塑化剂等的添加物。
接着，如图2(S2)所示，将玻璃陶瓷配线基板用生片11a、11b、11c及11d依次层叠，形成玻璃陶瓷配线基板用层叠体21。
之后，在对玻璃陶瓷配线基板用层叠体21进行加压后，从加热大气气氛中去除玻璃陶瓷配线基板用层叠体21中的有机载体等成分，在800℃～1000℃的大气气氛中或者低氧气氛中进行烧成，得到如图2(S3)所示的玻璃陶瓷配线基板101。低氧气氛是指氧分压比大气低的气氛，可举出例如氮或氩等惰性气体气氛、将氮等惰性气体混入大气后的气氛、氮和氢的混合气体气氛、真空气氛等。
此时，通过烧成，能够在生片中析出CaMgSi2O6所表示的透辉石型结晶相，并实现致密且低损耗的玻璃陶瓷烧结体。
特别地，认为在本实施方式中，与结晶化玻璃一同添加的二氧化硅发挥促进玻璃的结晶化的作用，作为其结果，能够通过实现介电损耗的降低，得到高频，尤其是微波用玻璃陶瓷烧结体。
另外，通孔内的通孔导体图案13成为通孔导体3，安装用表面端子图案14成为安装用表面端子4，内部导体图案15成为内部导体层5，表面导体图案16成为表面导体层6。
而且，也可以根据情况在表面导体图案上实施镀敷。作为镀敷层，可使用包含选自Ni、Sn、Pd、Au、Pt等中的至少一种金属的镀敷层。
3.本实施方式的总结
本实施方式的玻璃陶瓷烧结体是含有结晶化玻璃、氧化铝填料及二氧化硅的玻璃陶瓷烧结体。结晶化玻璃的含量为45质量％～85质量％，氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为14.8质量％～50.1质量％，二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.2质量％～4.9质量％。
本实施方式的玻璃陶瓷烧结体在10GHz以上的高频区域中介电损耗小。
＜第二实施方式＞
接下来，以使用本发明的玻璃陶瓷烧结体的玻璃陶瓷基板和其制造方法为例对与上述不同的一个方式进行说明。此外，除如下所示的部分外，具有与第一实施方式同样的结构及作用效果，并省略一部分重复的记载。
图3是用于说明第二实施方式的玻璃陶瓷基板的制造方法的截面图。特别是，图3(S1)是烧成前的玻璃陶瓷基板用生片的截面示意图。另外，图3(S2)是层叠图3(S1)中准备的玻璃陶瓷基板用生片的烧成前的玻璃陶瓷基板用层叠体的示意截面图。另外，图3(S3)是通过烧成图3(S2)而得到的玻璃陶瓷基板的示意截面图。
在本实施方式中，首先，如图3(S1)所示准备生片10。具体而言，与上述生片的制作方法同样即可。接着，如图3(S1)所示，将玻璃陶瓷基板用生片12a、12b、12c及12d依次层叠，得到玻璃陶瓷基板用层叠体22。之后，对玻璃陶瓷基板用层叠体22进行加压，从加热大气气氛中去除玻璃陶瓷基板用层叠体22中的有机载体等成分，并进行烧成，由此得到图3(S3)所示的玻璃陶瓷基板102。
本实施方式的玻璃陶瓷基板102由本发明的玻璃陶瓷烧结体1构成。
如上所述，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不受这样的实施方式的任何限制，显然在不脱离本发明的主旨的范围内可以以各种方式进行实施。
例如，在第二实施方式中，将生片层叠，形成玻璃陶瓷层叠体而制作玻璃陶瓷基板，但也可以不必将生片层叠，而将以规定厚度形成的生片以单板烧成并作为玻璃陶瓷基板。
实施例
以下，参照实施例及比较例对本发明进行更加详细的说明，但本发明不限于下述的实施例。
(制造例1)实施例1～7、26～29、比较例1、2
准备玻璃粉末(析出SiO2＝45质量％、CaO＝17质量％、MgO＝15质量％、Al2O3＝5质量％、SrO＝18质量％的透辉石的结晶化玻璃粉末)、氧化铝填料(高纯度化学研究所(KOJUNDO CHEMICALLABORATORY CO.,LTD.)制α-氧化铝3N)、二氧化硅(高纯度化学研究所制SiO2 3N)，称量各材料以使各试样的组成比为表1、表5及表6所示的值。
接着，将19.4质量份的丙烯酸树脂、59.1质量份的甲苯、3质量份的乙醇、6.5质量份的塑化剂(丁基邻苯二甲酰羟乙酸丁酯，butylphthalyl butyl glycolate)混合，调制有机载体。
然后，配合称量的玻璃粉末、氧化铝填料及二氧化硅和调制的有机载体，使用球磨机混合24小时，从而调制用于形成基板用生片的涂料。
通过刮刀法将上述基板用生片用涂料在聚对苯二甲酸乙二酯膜上成膜而形成基板用生片。此外，调整生片的厚度以使其烧成后成为50μm。接着，在将它们重叠10片后，以74MPa进行加压，之后在900℃下烧成30分钟，制作了玻璃陶瓷烧结体。
接着，关于所得的玻璃陶瓷烧结体，对介电损耗(tanδ)、相对介电常数(εr)及温度特性(τf)进行评价。将结果示于表1。另外，关于实施例4及比较例2，进行了X射线衍射的测定。此外，通过以下方法对各种评价项目进行了评价。
[组成评价]
分析所得的玻璃陶瓷烧结体的组成。组成分析通过基于荧光X射线分析装置(XRF)的分析方法而进行。其结果，确认了各烧结体的组成与填料组成(表1、表5及表6的组成)相等。
[相对介电常数及介电损耗]
关于相对介电常数(εr)及介电损耗(tanδ)，通过截止圆形波导管法(JIS R1660-1)对频率约28GHz下的特性进行评价。将玻璃陶瓷烧结体加工成规定形状进行评价。具体而言，从烧结基板中切出10×10×0.7mm板状，将该切出的板状样品夹入TE011模式截止圆形谐振器中进行测定。为了测定截止圆形谐振器的谐振峰的状态，与KeysightTechnologiesInc.(株式会社)制网络分析仪网络分析仪N5247A及用于解析的计算机连接，并通过这一系列的系统进行测定。
[温度特性]
就温度系数τf而言，依据JIS R1627，在11GHz～15GHz的谐振频率下，测定谐振频率的-25～85℃间的温度变化率。
[X射线衍射]
通过PANalytical制X‘Pert Pro、X射线(Cu-Kα射线)衍射装置，在2θ/θ＝16～40deg间，将X射线产生条件设为45kV-40mA、将扫描宽度设为0.033°、将扫描速度设为0.13°/s，将X射线检测条件设为：入射侧光学系统为Ni滤波片10μm、索勒狭缝0.04rad、发散狭缝1/2°、掩模(mask)10mm、防散射狭缝1°，接收侧光学系统设为防散射狭缝5.5mm、索勒狭缝0.04rad、Ni滤波片20μm。
(制造例2)实施例8～14、比较例3、4
除制造例1所述的玻璃粉末、氧化铝填料及二氧化硅外，还准备氧化钛，称量各材料以使各试样的组成比成为表2所示的值来使用，除此之外，与制造例1同样，得到了玻璃陶瓷烧结体。
接着，关于所得的玻璃陶瓷烧结体，对介电损耗(tanδ)、相对介电常数(εr)及温度特性(τf)进行评价。将结果示于表2。另外，分析所得到的玻璃陶瓷烧结体的组成。组成分析通过基于荧光X射线分析装置(XRF)的分析方法而进行。其结果，确认了各烧结体的组成与进样组成(表2的组成)相等。
(制造例3)实施例15～21、比较例5、6
除制造例1所述的玻璃粉末、氧化铝填料及二氧化硅外，还准备钛酸钙，称量各材料以使各试样的组成比为表3所示的值来使用，除此之外，与制造例1同样，得到玻璃陶瓷烧结体。
接着，关于所得的玻璃陶瓷烧结体，对介电损耗(tanδ)、相对介电常数(εr)及温度特性(τf)进行评价。将结果示于表3。另外，分析所得的玻璃陶瓷烧结体的组成。组成分析通过基于荧光X射线分析装置(XRF)的分析方法而进行。其结果，确认了各烧结体的组成与进样组成(表3的组成)相等。
(制造例4)实施例22～25、比较例7～9
除制造例1所述的玻璃粉末、氧化铝填料及二氧化硅外，还准备钛酸锶，称量各材料以使各试样的组成比为表4所示的值来使用，除此之外，与制造例1同样，得到玻璃陶瓷烧结体。此外，在比较例9中，还准备了B2O3、Li2O、CoO及Ag2O，称量各材料以成为表7所示的值。
接着，关于所得的玻璃陶瓷烧结体，对介电损耗(tanδ)、相对介电常数(εr)及温度特性(τf)进行评价。将结果示于表4。另外，分析所得到的玻璃陶瓷烧结体的组成。组成分析通过基于荧光X射线分析装置(XRF)的分析方法而进行。其结果，确认了各烧结体的组成与进样组成(表4或表7的组成)相等。
表1
表2
Figure BDA0002572782560000152
表3
Figure BDA0002572782560000161
表4
Figure BDA0002572782560000162
表5
Figure BDA0002572782560000163
表6
Figure BDA0002572782560000171
表7
Figure BDA0002572782560000172
根据表1可确认与二氧化硅(SiO2)的含量以SiO2换算计低于0.2质量％的情况(比较例2)相比，二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.2质量％以上的情况下(实施例1～实施例7)的介电损耗(tanδ)小，温度特性(τf)良好。
根据表5可确认在结晶化玻璃的含量为46.5质量％的情况(实施例26)及结晶化玻璃的含量为83.7质量％的情况(实施例27)下，介电损耗(tanδ)也小。
根据表6可确认在氧化铝填料的含量为15.1质量％的情况(实施例28)及氧化铝填料的含量为49.0质量％的情况(实施例29)下，介电损耗(tanδ)也小。
图4是实施例18的玻璃陶瓷烧结体的截面的SEM照片(5,000倍)。实施例18的玻璃陶瓷烧结体通过烧成结晶化玻璃、氧化铝填料及二氧化硅的混合物而得到。在烧成时结晶化玻璃软化，弥补空孔，从而在烧结后如图4所示成为玻璃覆盖氧化铝填料等的周围的结构。另外，在图4中可确认二氧化硅颗粒与玻璃和氧化铝填料分开地存在。图4中黑圈包围的部分为二氧化硅颗粒。
根据图5，从实施例4的X射线衍射光谱主要可确认来自透辉石的峰，从比较例2的光谱中，除透辉石外，还可确认来自镁黄长石(akermanite)的峰。
这样，在实施例1～实施例7及实施例26～实施例29中，因为二氧化硅的含量多，所以析出透辉石型结晶相(CaMgSi2O6)而非镁黄长石(Ca2Mg(Si2O7))，认为由此介电损耗变小。
另一方面，在比较例2中，因为二氧化硅的含量少，所以除透辉石型结晶相外，还形成镁黄长石，也认为由此介电损耗变大。
根据表1可确认与二氧化硅(SiO2)的含量以SiO2换算计比4.9质量％多的情况(比较例1)相比，二氧化硅的含量以SiO2换算计为4.9质量％以下的情况下(实施例1～实施例7)的介电损耗(tanδ)小。
根据表1～表4可确认通过包含高介电常数材料(TiO2、CaTiO3及SrTiO3)，从而相对介电常数(εr)及温度特性(τf)提高了。
根据表7可确认在包含1.4质量％的CoO且包含0.8质量％的Ag2O的情况下，介电损耗(tanδ)变大。
(制造例5)
[玻璃陶瓷配线基板的制作]
与实施例1同样，调制了基板用生片用涂料。
通过刮刀法将调制的基板用生片用涂料在聚对苯二甲酸乙二酯膜上成膜而形成多个基板用生片。此外，生片的厚度调整为在烧成后成为25μm。
之后，通过丝网印刷在表层用生片上形成与希望的电路对应的表层导体用图案(表面导体图案或安装用表面端子图案)。此外，在本实施例中，表面导体图案及安装用表面端子图案是将银膏按照规定图案印刷于配置在最外侧的基板用生片上而形成。
另外，关于除表层用生片外的生片，也通过丝网印刷，根据希望的电路形成内层的导体图案(内部导体图案或通孔导体图案等)。此外，在本实施例中，通孔导体图案是通过在各基板用生片的规定位置形成贯通孔(通孔)，将银膏填充于此处而形成。另外，内部导体图案是在成为内层的基板用生片的表面按照规定的图案印刷银膏而形成。
接着，在将它们按照规定的顺序重叠后，以74MPa进行加压，之后，在大气中以900℃烧成2小时，得到包含图1中显示截面结构的通孔导体3、表面端子4、内部导体5、表面导体6的多层结构的玻璃陶瓷配线基板101。
此外，烧成后的玻璃陶瓷配线基板的合计厚度为0.20mm，形成有表面导体6的最表层部的厚度为25μm。之后，在表面导体上以镍为基底，实施镀金。
确认了由此得到的玻璃陶瓷配线基板在高频区域中具有小的介电损耗，将Ag等低电阻金属用于导体层中，可以以1000℃以下的低温进行烧成。
产业上的可利用性
根据本发明，能够提供一种在10GHz以上的高频区域下介电损耗小，并且特性难以相对于温度变化而变动的玻璃陶瓷烧结体及使用其的配线基板。

Claims (5)

1.一种玻璃陶瓷烧结体，其特征在于，
所述玻璃陶瓷烧结体含有结晶化玻璃、氧化铝填料及二氧化硅，
所述结晶化玻璃的含量为45质量％～85质量％，
所述氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为14.8质量％～50.1质量％，
所述二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.2质量％～4.9质量％。
2.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷烧结体，其特征在于，
所述结晶化玻璃析出至少包含Mg、Ca及Si的透辉石型氧化物结晶相。
3.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷烧结体，其特征在于，
所述玻璃陶瓷烧结体还包含选自氧化钛、钛酸钙及钛酸锶中的任一种以上。
4.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷烧结体，其特征在于，
所述玻璃陶瓷烧结体还包含氧化钛及钛酸钙中的任一种以上。
5.一种配线基板，其特征在于，
具有绝缘基体和配线导体，
所述绝缘基体由权利要求1～4中任一项所述的玻璃陶瓷烧结体构成。
CN202010644958.XA 2019-07-08 2020-07-07 玻璃陶瓷烧结体及配线基板 Active CN112194373B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019127099A JP6927251B2 (ja) 2019-07-08 2019-07-08 ガラスセラミックス焼結体および配線基板
JP2019-127099 2019-07-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112194373A true CN112194373A (zh) 2021-01-08
CN112194373B CN112194373B (zh) 2022-10-21

Family

ID=74006059

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010644958.XA Active CN112194373B (zh) 2019-07-08 2020-07-07 玻璃陶瓷烧结体及配线基板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11780767B2 (zh)
JP (1) JP6927251B2 (zh)
CN (1) CN112194373B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115432933A (zh) * 2022-08-30 2022-12-06 电子科技大学 高抗弯强度玻璃陶瓷材料及其制备方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6927252B2 (ja) * 2019-07-08 2021-08-25 Tdk株式会社 ガラスセラミックス焼結体および配線基板
TW202247725A (zh) * 2021-02-15 2022-12-01 日商大日本印刷股份有限公司 貫通電極基板

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999021803A2 (en) * 1997-10-29 1999-05-06 The Westaim Corporation Dielectric glasses for low dielectric loss, low temperature cofired ceramics with medium dielectric constants
JP2000086288A (ja) * 1998-06-30 2000-03-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 結晶化ガラス―セラミック複合体及びそれを用いた配線基板並びにその配線基板が配設されたパッケ―ジ
JP2001261432A (ja) * 2000-03-21 2001-09-26 Kyocera Corp 高周波用磁器組成物および高周波用磁器
US20020091058A1 (en) * 2000-11-17 2002-07-11 Yoshio Umayahara Glass ceramics dielectric material and sintered glass ceramics
JP2003327450A (ja) * 2002-03-04 2003-11-19 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスセラミック誘電体材料
JP2004256346A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Kyocera Corp ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその実装構造
US20100080981A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Tdk Corporation Glass ceramic substrate
JP2014236072A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ 多層配線基板
CN107635940A (zh) * 2015-05-28 2018-01-26 追踪有限公司 玻璃陶瓷烧结的压坯及布线板

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60260465A (ja) * 1984-06-01 1985-12-23 鳴海製陶株式会社 低温焼成セラミツクス
JPH0634452B2 (ja) * 1985-08-05 1994-05-02 株式会社日立製作所 セラミツクス回路基板
US4755490A (en) * 1986-04-18 1988-07-05 Tektronix, Inc. Low firing temperature ceramic materials
JP3416033B2 (ja) * 1996-09-05 2003-06-16 株式会社オハラ 磁気ヘッド用結晶化ガラス基板およびその製造方法
US6232251B1 (en) * 1998-09-29 2001-05-15 Kyocera Corporation Dielectric ceramics
CN1391537A (zh) * 1999-09-21 2003-01-15 株式会社小原 信息存储磁盘用保持构件及信息存储磁盘驱动器
JP3793560B2 (ja) * 2000-11-30 2006-07-05 京セラ株式会社 低温焼成磁器およびその製造方法
WO2004065325A1 (ja) * 2003-01-24 2004-08-05 Ube Industries, Ltd. 誘電体磁器組成物、誘電体磁器およびこれを用いた積層セラミック部品
US7291573B2 (en) * 2004-11-12 2007-11-06 Asahi Techno Glass Corporation Low melting glass, sealing composition and sealing paste
JP5481854B2 (ja) * 2008-12-16 2014-04-23 Ｔｄｋ株式会社 電子部品
TW201102361A (en) * 2009-07-14 2011-01-16 Ind Tech Res Inst Ceramic powder composition optoelectric device substrate utilizing the same
EP2637204B8 (en) * 2010-11-01 2017-05-31 Nippon Steel & Sumikin Electronics Devices Inc. An electronic component element housing package
DE102011003481A1 (de) * 2011-02-02 2012-08-02 Robert Bosch Gmbh Elektronisches Bauteil umfassend einen keramischen träger und Verwendung eines keramischen Trägers
WO2013121928A1 (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 株式会社村田製作所 複合積層セラミック電子部品
EP2894137A4 (en) * 2012-09-10 2016-04-20 Ngk Insulators Ltd CERAMIC COMPOSITE
US10029939B2 (en) * 2015-02-27 2018-07-24 Corning Incorporated Ceramic composite beads and methods for making same
CN110291593B (zh) * 2017-02-16 2024-04-16 乔罗克国际股份有限公司 用于处理有害污泥和离子交换介质的组合物和方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999021803A2 (en) * 1997-10-29 1999-05-06 The Westaim Corporation Dielectric glasses for low dielectric loss, low temperature cofired ceramics with medium dielectric constants
JP2000086288A (ja) * 1998-06-30 2000-03-28 Ngk Spark Plug Co Ltd 結晶化ガラス―セラミック複合体及びそれを用いた配線基板並びにその配線基板が配設されたパッケ―ジ
JP2001261432A (ja) * 2000-03-21 2001-09-26 Kyocera Corp 高周波用磁器組成物および高周波用磁器
US20020091058A1 (en) * 2000-11-17 2002-07-11 Yoshio Umayahara Glass ceramics dielectric material and sintered glass ceramics
JP2003327450A (ja) * 2002-03-04 2003-11-19 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスセラミック誘電体材料
JP2004256346A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Kyocera Corp ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体とその製造方法、並びにそれを用いた配線基板とその実装構造
US20100080981A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Tdk Corporation Glass ceramic substrate
JP2014236072A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ 多層配線基板
CN107635940A (zh) * 2015-05-28 2018-01-26 追踪有限公司 玻璃陶瓷烧结的压坯及布线板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115432933A (zh) * 2022-08-30 2022-12-06 电子科技大学 高抗弯强度玻璃陶瓷材料及其制备方法
CN115432933B (zh) * 2022-08-30 2023-08-04 电子科技大学 高抗弯强度玻璃陶瓷材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021011411A (ja) 2021-02-04
US20210009463A1 (en) 2021-01-14
JP6927251B2 (ja) 2021-08-25
CN112194373B (zh) 2022-10-21
US11780767B2 (en) 2023-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2397452B1 (en) Sintered body of low temperature cofired ceramic (ltcc) and multilayer ceramic substrate
CN112194373B (zh) 玻璃陶瓷烧结体及配线基板
CN107635940B (zh) 玻璃陶瓷烧结的压坯及布线板
WO2009113475A1 (ja) ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層型セラミック電子部品
JP4883224B2 (ja) 低温焼結セラミック材料およびセラミック基板
JP5821975B2 (ja) 複合積層セラミック電子部品
JP5435176B2 (ja) 複合積層セラミック電子部品
JP5761341B2 (ja) ガラスセラミック組成物
WO2010058697A1 (ja) ガラスセラミック組成物およびガラスセラミック基板
JP5888524B2 (ja) 複合積層セラミック電子部品
JP5533674B2 (ja) 低温焼結セラミック材料およびセラミック基板
JP2001114554A (ja) 低温焼成セラミック組成物及びセラミック多層基板
CN112194374B (zh) 玻璃陶瓷烧结体及配线基板
US8652982B2 (en) Ceramic sintered body and method for producing ceramic sintered body
JPH10236873A (ja) 高周波用磁器組成物および高周波用磁器の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant