CN112165783A - 一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺 - Google Patents

一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺 Download PDF

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Abstract

本发明属于线路板制作技术领域，尤其是一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，针对现有的电路板板料制作凸面多采用加铜的方式进行制作，部分采用减铜的方式制作，其制作方式复杂，制备效率低的问题，现提出如下方案，其包括以下制备步骤：S1：加工前使用两面一致板料；S2：第一次干膜；S3：钻孔、清孔、沉铜；S4：第一次脱膜；S5：第二次干膜，将板料的一面进行全部干膜，将板料的另一面进行部分干膜，暴露出需要减铜的位置；S6：酸性蚀刻进行减铜，使得减铜位置凹陷；S7：清洗、干燥；S8：图电塑型；S9：第二脱膜、蚀刻，然后正常按照PCB板加工。本发明操作方便，制备简单，可以采用减铜的方式制作出单面局部凸铜板料。

Description

一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺
技术领域
本发明涉及线路板制作技术领域，尤其涉及一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺。
背景技术
印刷电路板是组装电子零件用的基板，是在通用基板上按预定设计形成点间连接及印制元件的印制板，设计人员一般会采用将PCB板上大电流部分走线的阻焊去除，使其能够在PCB板的铜箔表层人工镀锡，从而增加电流承载能力，此方法较为便捷，对大批量生产的产品一致性无法保障在印刷印刷电路板制作过程中，为了达到面铜厚度控制要求，多采用增加电镀铜的方式进行制作，进而形成凸起。
现有的电路板板料制作凸面多采用加铜的方式进行制作，部分采用减铜的方式制作，其制作方式复杂，制备效率低。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有的电路板板料制作凸面多采用加铜的方式进行制作，部分采用减铜的方式制作，其制作方式复杂，制备效率低的缺点，而提出的一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案
一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，包括以下制备步骤：
S1：加工前使用两面一致板料；
S2：第一次干膜；
S3：钻孔、清孔、沉铜；
S4：第一次脱膜；
S5：第二次干膜，将板料的一面进行全部干膜，将板料的另一面进行部分干膜，暴露出需要减铜的位置；
S6：酸性蚀刻进行减铜，使得减铜位置凹陷；
S7：清洗、干燥；
S8：图电塑型；
S9：第二脱膜、蚀刻，然后正常按照PCB板加工。
优选的，所述S2中将板材的双面同时进行进行第一次干膜，可以避免钻孔、沉铜的影响。
优选的，所述S3中对板料进行钻孔，然后将孔内的油脂和碎屑清理干净，然后进行沉铜，沉铜目的使钻孔的内壁上通过化学反应而沉积一层0.3um-0.5um的铜。
优选的，所述S4中第一次脱膜后，将板料清洗和干燥，干燥时采用烘干机进行干燥，干燥时间为30-40min，干燥温度为36-50℃。
优选的，所述S5中进行第二次干膜，将板料的一面进行全部干膜作为负极，将板料的另一面进行部分干膜作为正极，暴露出需要减铜的位置，暴露的形状和尺寸可以提前制定。
优选的，所述S6中采用：无机酸化合物、双氧水稳定剂、减铜加速剂和水混合液作为酸性蚀刻的侵蚀液体，无机酸化合物、双氧水稳定剂、减铜加速剂和水的比例为：13:5:7:65，可以将板料暴露的部分进行侵蚀减铜，使得减铜位置凹陷，可以采用红外成像仪进行测量。
优选的，所述S7中将板料进行清洗，然后干燥，干燥时采用烘干机进行干燥，干燥时间为30-40min，干燥温度为36-50℃。
优选的，所述S8中采用图电的方式对凹槽位置进行电镀和雕刻，使得凹陷位置光滑、干净。
优选的，所述S9中使用第二脱膜时，采用NaOH溶液进行退膜，同时可以将部分酸性物质中和，即可得到单面局部凸铜板料。
优选的，所述S9中第二次脱膜后进行蚀刻，然后将板料按照正常PCB流程生产。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
(1)本方案采用两次干膜可以对板料进行保护，避免在钻孔、沉铜和减铜的过程中对板料的整体和外观造成影响；
(2)采用无机酸化合物、双氧水稳定剂、减铜加速剂和水混合液作为酸性蚀刻的侵蚀液体对板料上的铜片进行侵蚀，可以提高减铜效果；
本发明操作方便，制备简单，可以采用减铜的方式制作出单面局部凸铜板料。
附图说明
图1为本发明提出的一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例一
参照图1，一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，包括以下制备步骤：
S1：加工前使用两面一致板料；
S2：第一次干膜；
S3：钻孔、清孔、沉铜；
S4：第一次脱膜；
S5：第二次干膜，将板料的一面进行全部干膜，将板料的另一面进行部分干膜，暴露出需要减铜的位置；
S6：酸性蚀刻进行减铜，使得减铜位置凹陷；
S7：清洗、干燥；
S8：图电塑型；
S9：第二脱膜、蚀刻，然后正常按照PCB板加工。
本实施例中，S2中将板材的双面同时进行进行第一次干膜，可以避免钻孔、沉铜的影响。
本实施例中，S3中对板料进行钻孔，然后将孔内的油脂和碎屑清理干净，然后进行沉铜，沉铜目的使钻孔的内壁上通过化学反应而沉积一层0.3um-0.5um的铜。
本实施例中，S4中第一次脱膜后，将板料清洗和干燥，干燥时采用烘干机进行干燥，干燥时间为30-40min，干燥温度为36-50℃。
本实施例中，S5中进行第二次干膜，将板料的一面进行全部干膜作为负极，将板料的另一面进行部分干膜作为正极，暴露出需要减铜的位置，暴露的形状和尺寸可以提前制定。
本实施例中，S6中采用：无机酸化合物、双氧水稳定剂、减铜加速剂和水混合液作为酸性蚀刻的侵蚀液体，无机酸化合物、双氧水稳定剂、减铜加速剂和水的比例为：13:5:7:65，可以将板料暴露的部分进行侵蚀减铜，使得减铜位置凹陷，可以采用红外成像仪进行测量。
本实施例中，S7中将板料进行清洗，然后干燥，干燥时采用烘干机进行干燥，干燥时间为30-40min，干燥温度为36-50℃。
本实施例中，S8中采用图电的方式对凹槽位置进行电镀和雕刻，使得凹陷位置光滑、干净。
本实施例中，S9中使用第二脱膜时，采用NaOH溶液进行退膜，同时可以将部分酸性物质中和，即可得到单面局部凸铜板料。
本实施例中，S9中第二次脱膜后进行蚀刻，然后将板料按照正常PCB流程生产。
实施例二
参照图1，一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，包括以下制备步骤：
S1：加工前使用两面一致板料；
S2：第一次干膜；
S3：钻孔、清孔、沉铜；
S4：第一次脱膜；
S5：第二次干膜，将板料的一面进行全部干膜，将板料的另一面进行部分干膜，暴露出需要减铜的位置；
S6：酸性蚀刻进行减铜，使得减铜位置凹陷；
S7：清洗、干燥；
S8：图电塑型；
S9：第二脱膜、蚀刻，然后正常按照PCB板加工。
本实施例中，S2中将板材的双面同时进行进行第一次干膜，可以避免钻孔、沉铜的影响。
本实施例中，S3中对板料进行钻孔，然后将孔内的油脂和碎屑清理干净，然后进行沉铜，沉铜目的使钻孔的内壁上通过化学反应而沉积一层0.3um-0.5um的铜，通常使用：络合铜离子(Cu2+-L)得到电子而被还原为金属铜；具体方式是利用甲醛在强碱性环境中所具有的还原性并在Pd作用下面而使Cu2+被还原：Cu2++2HCHO+4OH-Cu+2HC—O-。
本实施例中，S4中第一次脱膜后，将板料清洗和干燥，干燥时采用烘干机进行干燥，干燥时间为30-40min，干燥温度为36-50℃。
本实施例中，S5中进行第二次干膜，将板料的一面进行全部干膜作为负极，将板料的另一面进行部分干膜作为正极，暴露出需要减铜的位置，暴露的形状和尺寸可以提前制定。
本实施例中，S6中采用：无机酸化合物、双氧水稳定剂、减铜加速剂和水混合液作为酸性蚀刻的侵蚀液体，无机酸化合物、双氧水稳定剂、减铜加速剂和水的比例为：13:5:7:65，可以将板料暴露的部分进行侵蚀减铜，使得减铜位置凹陷，可以采用红外成像仪进行测量，无机酸化合物为硫酸、盐酸、醋酸、碳酸中的一种或两种以上的混合物，减铜加速剂为胺类化合物中苯胺、甲胺、三乙醇胺、二正丁胺、二异丙胺、环已胺、溴化四甲基胺中的一种或两种以上混合物。
本实施例中，S7中将板料进行清洗，然后干燥，干燥时采用烘干机进行干燥，干燥时间为30-40min，干燥温度为36-50℃。
本实施例中，S8中采用图电的方式对凹槽位置进行电镀和雕刻，使得凹陷位置光滑、干净。
本实施例中，S9中使用第二脱膜时，采用NaOH溶液进行退膜，同时可以将部分酸性物质中和，即可得到单面局部凸铜板料。
本实施例中，S9中第二次脱膜后进行蚀刻，然后将板料按照正常PCB流程生产。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，其特征在于，包括以下制备步骤：
S1：加工前使用两面一致板料；
S2：第一次干膜；
S3：钻孔、清孔、沉铜；
S4：第一次脱膜；
S5：第二次干膜，将板料的一面进行全部干膜，将板料的另一面进行部分干膜，暴露出需要减铜的位置；
S6：酸性蚀刻进行减铜，使得减铜位置凹陷；
S7：清洗、干燥；
S8：图电塑型；
S9：第二脱膜、蚀刻，然后正常按照PCB板加工。
2.根据权利要求1所述的一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，其特征在于，所述S2中将板材的双面同时进行进行第一次干膜，可以避免钻孔、沉铜的影响。
3.根据权利要求1所述的一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，其特征在于，所述S3中对板料进行钻孔，然后将孔内的油脂和碎屑清理干净，然后进行沉铜。
4.根据权利要求1所述的一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，其特征在于，所述S4中第一次脱膜后，将板料清洗和干燥，干燥时采用烘干机进行干燥，干燥时间为30-40min，干燥温度为36-50℃。
5.根据权利要求1所述的一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，其特征在于，所述S5中进行第二次干膜，将板料的一面进行全部干膜作为负极，将板料的另一面进行部分干膜作为正极，暴露出需要减铜的位置，暴露的形状和尺寸可以提前制定。
6.根据权利要求1所述的一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，其特征在于，所述S6中采用：无机酸化合物、双氧水稳定剂、减铜加速剂和水混合液作为酸性蚀刻的侵蚀液体，可以将板料暴露的部分进行侵蚀减铜，使得减铜位置凹陷，可以采用红外成像仪进行测量。
7.根据权利要求1所述的一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，其特征在于，所述S7中将板料进行清洗，然后干燥，干燥时采用烘干机进行干燥，干燥时间为30-40min，干燥温度为36-50℃。
8.根据权利要求1所述的一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，其特征在于，所述S8中采用图电的方式对凹槽位置进行电镀和雕刻，使得凹陷位置光滑、干净。
9.根据权利要求1所述的一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，其特征在于，所述S9中使用第二脱膜时，采用NaOH溶液进行退膜，同时可以将部分酸性物质中和，即可得到单面局部凸铜板料。
10.根据权利要求1所述的一种用减铜方式制作单面局部凸铜工艺，其特征在于，所述S9中第二次脱膜后进行蚀刻，然后将板料按照正常PCB流程生产。
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