CN112151078B - 磁盘装置以及写数据的调整方法 - Google Patents

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Abstract

实施方式提供能够提高访问性能的磁盘装置以及写数据的调整方法。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区中提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录密度，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录密度。

Description

磁盘装置以及写数据的调整方法
本申请享受以日本专利申请2019－121807号(申请日：2019年6月28日)为基础申请的优选权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘装置以及写数据的调整方法。
背景技术
在磁盘装置的磁盘(以下简称为盘)的预定磁道中，位错误率(BER)可能会因成膜不匀等而发生变化。该预定磁道中的BER的变化在盘的半径方向上的各区域中会不同。在盘的配置在半径方向上的各磁道中，希望BER成为一定。
发明内容
本发明的实施方式提供能够提高访问性能的磁盘装置以及写数据的调整方法。
实施方式涉及的磁盘装置磁盘装置，具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录密度，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录密度。
本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其在所述盘的第1磁道中，在比基准值低的第1重写的第1扇区中提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录能力，降低在比所述基准值高的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录能力。
本实施方式涉及的写数据的调整方法，应用于具备盘和头的磁盘装置，所述头对所述盘写入数据，从所述盘读取数据，所述调整方法包括：在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区中提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录密度，在所述盘的第1磁道中，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录密度。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。
图2是表示第1实施方式涉及的伺服区域的配置的一个例子的示意图。
图3是表示第1实施方式涉及的伺服扇区的构成的一个例子的示意图。
图4是表示盘以及头的一个例子的放大剖面图。
图5是表示盘的各分区(zone)的各磁道的1周内的BER的一个例子的图。
图6是表示第1实施方式涉及的写数据特性值的变化的一个例子的图。
图7是表示第1实施方式涉及的写数据特性值的调整处理的一个例子的图。
图8是表示向当前的访问区域的写处理对于相邻区域的影响的一个例子的图。
图9是表示盘的预定磁道的1周内的On-track(在轨)BER的变化的一个例子的图。
图10是表示与图9对应的OW(Overwrite，重写)的变化的一个例子的图。
图11是表示与图9对应的Adjacent track write(相邻磁道写入)BER的变化的一个例子的图。
图12是表示与图9对应的Adjacent track write BER的变化的一个例子的图。
图13是表示与图9的On-track BER的变化对应的磁道中的调整BPI的变化的一个例子的图。
图14是表示基于图13的BPI的变化向图9的磁道写入了数据的情况下的On-trackBER的变化的一个例子的图。
图15是表示对基于图13的BPI的变化进行了写入的图9的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的Adjacent track write BER的变化的一个例子的图。
图16是表示在与图9的On-track BER的变化对应的磁道中进行了调整的BPI的变化的一个例子的图。
图17是表示基于图16的BPI的变化向图9的磁道写入了数据的情况下的On-trackBER的变化的一个例子的图。
图18是表示对基于图16的BPI的变化进行了写入的图9的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的Adjacent track write BER的变化的一个例子的图。
图19是表示第1实施方式涉及的BPI的调整方法的一个例子的流程图。
图20是表示第1实施方式涉及的BPI的调整方法的一个例子的流程图。
图21是表示变更记录能力的定时的一个例子的图。
图22是表示变形例1涉及的Overwrite的变化的一个例子的图。
图23是表示在与图22的Overwrite的变化对应的磁道中进行了调整的记录能力的变化的一个例子的图。
图24是表示基于图23的Overwrite的变化向图22的磁道写入了数据的情况下的On-track BER的变化的一个例子的图。
图25表示对基于图23的Overwrite的变化进行了写入的图23的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的Adjacent track write BER的变化的一个例子的图。
图26表示对基于图23的Overwrite的变化进行了写入的图23的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的Adjacent track write BER的变化的一个例子的图。
图27是表示变形例1涉及的记录能力的调整方法的一个例子的流程图。
图28是表示未突出的头的一个例子的图。
图29是突出了的头的一个例子的图。
图30是表示第2实施方式涉及的通常伺服以及短伺服的配置的一个例子的示意图。
图31是表示第2实施方式涉及的短伺服扇区的构成的一个例子的示意图。
图32是表示第2实施方式涉及的写数据特性值的调整处理的一个例子的图。
图33是表示第2实施方式涉及的写数据特性值的调整方法的一个例子的流程图。
图34是表示变形例3涉及的写数据特性值的调整处理的一个例子的图。
图35是表示写数据特性值的变动量相对于时间间隔的变化的一个例子的图。
图36是表示变形例3涉及的写数据特性值的调整方法的一个例子的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定发明的范围。
(第1实施方式)
图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。
磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下记载为头放大器IC或者前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90以及作为一个芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。
HAD具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载了头15的臂13以及音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动进行旋转。臂13以及VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10以及头15也可以设置有两个以上的数量。
盘10对其能够写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a和写入系统管理所需要的信息的系统区10b。以下，将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。另外，有时也将盘10的半径方向上的预定位置称为半径位置，将盘10的圆周方向上的预定位置称为圆周位置。有时也将半径位置以及圆周位置一并简称为位置。
头15将滑块作为主体，具备实际装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W向盘10写入数据。读取头15R读取记录于盘10的数据。此外，既有时将写入头15W简称为头15，也有时将读取头15R简称为头15，还有时将写入头15W以及读取头15R一并称为头15。有时也将头15的中心部称为头15，将写入头15W的中心部称为写入头15W，将读取头15R的中心部称为读取头15R。“磁道”以在盘10的半径方向上区分而得到的多个区域中的一个区域、在盘10的圆周方向上延长的数据、写到磁道的数据、其他各种含义来使用。“扇区”以将磁道在圆周方向上区分而得到的多个区域中的一个区域、在盘10的预定位置写入的数据、在扇区写入的数据、其他各种含义来使用。将磁道的半径方向上的宽度称为磁道宽度，将磁道宽度的中心位置称为磁道中央。以下，将向盘10写入的数据称为写数据，将从盘10读出的数据称为读数据。既有时将写数据简称为数据，也有是将读数据简称为数据，还有时将写数据以及读数据称为数据。以下，有时也将“向盘10写入数据”以及“从盘10读取数据”等称为“进行访问”。
图2是表示第1实施方式涉及的伺服区域SV的配置的一个例子的示意图。如图2所示，在半径方向上，将朝向盘10的外周的方向称为外方向(外侧)，将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。另外，在图2中示出盘10的旋转方向。此外，旋转方向也可以是相反方向。在图2中，用户数据区域10a被区分为位于内方向的内周区域IR、位于外方向的外周区域OR以及位于内周区域IR与外周区域OR之间的中周区域MR。
盘10包括在半径方向上排列的多个磁道。多个磁道分别相当于圆状的路径。例如，多个磁道分别配置为与盘10呈同心圆状。此外，多个磁道分别也可以不是圆状，例如也可以是在半径方向上变动的波状。另外，多个磁道分别也可以不是与盘10呈同心圆状。在图2所示的例子中，盘10包含磁道TRn。磁道TRn配置为与盘10呈同心圆状。在图2所示的例子中，磁道TRn位于中周区域MR。此外，磁道TRn也可以不是圆状。磁道TRn也可以不是与盘10呈同心圆状。另外，磁道TRn既可以位于内周区域IR，也可以位于外周区域OR。
盘10具有多个伺服区域SV。多个伺服区域SV跨多个磁道而在盘10的半径方向上呈放射状延伸，在圆周方向上空开预定的间隔来离散地配置。伺服区域SV具有多个伺服扇区。在圆周方向上连续地排列的两个伺服区域SV之间配置有写入用户数据等的区域。以下，有时也将在两个伺服区域SV之间写入用户数据的区域称为数据区域。有时也将在预定磁道中在两个伺服扇区之间写入用户数据的区域称为数据部。另外，有时也将伺服扇区和接着伺服扇区的数据部一并称为扇区。
图3是表示本实施方式涉及的伺服扇区SS的构成的一个例子的示意图。在图3中示出在预定的磁道TRn中写入的预定的伺服扇区SS。伺服扇区SS相当于与预定磁道对应的伺服区域SV的一部分。如图3所示，在圆周方向上，将进行读/写的方向称为读/写方向。读/写方向例如相当于与图2所示的旋转方向相反的方向。读/写方向从前方朝向后方。前方相当于在时间上靠前的方向，后方相当于在时间上靠后的方向。以下，有时也将前方简称为前，将后方简称为后。
伺服扇区SS包含伺服数据、例如前导(Preamble)、伺服标记(Servo Mark)、格雷码(Gray Code)、PAD、脉冲串数据以及区位码(Post Code)。此外，伺服扇区SS也可以不包含区位码。前导、伺服标记、格雷码、PAD、脉冲串数据以及区位码按这些的顺序朝向读/写方向的箭头的前端连续地配置。前导包含用于与由伺服标记以及格雷码等构成的伺服模式(ServoPattern)的再现信号进行同步的前导信息。伺服标记包含表示伺服模式的开始的伺服标记信息。格雷码由预定磁道的地址(柱面地址)和预定磁道的伺服扇区的地址构成。脉冲串数据是为了检测头15相对于预定磁道的磁道中央在半径方向以及/或者圆周方向的位置偏移(位置误差)而使用的数据(相对位置数据)，由预定周期的重复图案(Pattern)构成。PAD包含间隙以及伺服AGC等的同步信号的PAD信息。脉冲串数据例如包含N脉冲串(N Burst)以及Q脉冲串(Q Burst)。区位码包含用于对由与向盘写入了伺服数据时的盘10的旋转同步的抖动(重复性振摆：RRO)产生的相对于与盘10呈同心圆状的磁道中央(目标路径)的磁道歪斜所引起的误差进行修正的数据(以下称为RRO修正数据)等。
图4是表示盘10以及头15的一个例子的放大剖面图。以下，将从头15朝向盘10的方向称为下方向，将从盘10朝向头15的方向称为上方向。在图3中，盘10的旋转方向B和空气流C的方向一致。
在图示的例子中，盘10依次层叠有基板111、软磁性层112、磁记录层113以及保护膜层114。基板111由圆板状的非磁性体形成。软磁性层112由在基板111的上方呈现软磁特性的材料形成。磁记录层113在软磁性层112的上方相对于盘10的表面而在垂直方向上具有磁各向异性。保护膜层114形成在磁记录层113的上方。
在图示的例子中，头15具备滑块150。滑块150例如由氧化铝和碳化钛的烧结体(AlTiC)形成。滑块150具有与盘10的表面相对向的盘对向面(空气支承面(ABS))151和位于空气流C的流出侧的尾端153。读取头15R以及写入头15W的一部分在盘对向面151露出。
读取头15R由磁性膜161、屏蔽膜162、屏蔽膜163构成。磁性膜161位于屏蔽膜162与屏蔽膜163之间，产生磁阻效应。屏蔽膜162相对于磁性膜161而位于尾端153侧。屏蔽膜163与屏蔽膜162相对向。磁性膜161、屏蔽膜162以及屏蔽膜163的下端在盘对向面151露出。
写入头15W相对于读取头15R而设置在滑块150的尾端153侧。写入头15W具备主磁极171、尾屏蔽件(写屏蔽件)172、为了在主磁极171中流过磁通量而配置为卷绕于包括主磁极171以及写屏蔽件172的磁回路的记录线圈180。
主磁极171由具有高饱和磁通密度的软磁性体形成。主磁极171为了使盘10的磁记录层113磁化，使得相对于盘10的表面产生垂直方向的记录磁场。在图示的例子中，主磁极171相对于盘对向面151大致垂直地延伸。主磁极171的盘对向面151侧的前端部171a的下面在盘对向面151露出。主磁极171的前端部171a朝向盘对向面151以前端变窄的方式缩小，形成为宽度比其他部分窄的柱状。主磁极171的前端部171a的交叉磁道方向上的宽度与磁道的磁道宽度大致对应。交叉磁道方向例如是沿着半径方向的方向。
写屏蔽件172由具有高饱和磁通密度的软磁性体形成。写屏蔽件172是为了使磁路经由主磁极171正下的软磁性层112高效地闭合而设置的。写屏蔽件172相对于主磁极171而位于尾端153侧。写屏蔽件172经由绝缘体173与主磁极171连结。主磁极171和写屏蔽件172电绝缘，且形成磁回路。写屏蔽件172形成为大致L字形状，具有与主磁极171的前端部171a空开写间隙而相对向的前端部172a。前端部172a的下表面在滑块150的ABS151露出。
记录线圈180为了在主磁极171中流过磁通量而设置为卷绕于包含主磁极171以及写屏蔽件172的磁回路。记录线圈180例如设置在主磁极171与写屏蔽件172之间。通过对记录线圈180供给预定大小的电流(有时也称为记录电流、写电流或者记录能力)，在主磁极171以及写屏蔽件172激励记录磁场。因此，主磁极171以及写屏蔽件172被磁化。通过利用在该被磁化了的主磁极171以及写屏蔽件172中流过的磁通量来使盘10的磁记录层113的记录位的磁化方向变化，从而向盘10记录与记录能力相应的磁化图案。此外，记录能力包括记录电流(Iw)、Overshoot(过冲)、Pattern Dependent Write(模式依赖写入)的1T Boost、高频辅助记录型式的偏置电压以及热辅助记录型式的偏置电压等。以下，作为一个例子，有时也以记录电流这一含义来使用记录能力。
驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制，对SPM12以及VCM14的驱动进行控制。
头放大器IC(前置放大器)30具备读放大器以及写驱动器、例如记录能力控制部310。读放大器对从盘10读取的读信号进行放大，并输出至系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道40)。记录能力控制部310与写入头15W电连接，向写入头15W供给与从R/W通道40输出的写数据对应的记录能力。在一个例子中，记录能力控制部310与记录线圈180电连接，向记录线圈180供给与从R/W通道40输出的写数据对应的记录能力。记录能力控制部310按照系统控制器130、例如MPU60的控制，向写入头15W提供记录能力。例如，记录能力控制部310按照MPU60的控制，向记录线圈180提供记录能力。
易失性存储器70是当电力供给被切断时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)。
非易失性存储器80是即使电力供给被切断、也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory(闪速只读存储器)：FROM)。
缓冲存储器90是暂时性地记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70构成为一体。缓冲存储器90例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机访问存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻随机访问存储器)等。
系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50以及微处理器(MPU)60。系统控制器130例如与驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机100电连接。
R/W通道40按照来自后述的MPU60的指示，执行从盘10传输至主机100的读数据以及从主机100传输来的写数据的信号处理。R/W通道40具备测定读数据的信号品质的电路或者功能。R/W通道40例如与头放大器IC30、HDC50以及MPU60等电连接。
HDC50按照来自后述的MPU60的指示，对主机100与R/W通道40之间的数据转送进行控制。HDC50例如与R/W通道40、MPU60、易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等电连接。
MPU60是对磁盘装置1的各部进行控制的主控制器。MPU60经由驱动器IC20控制VCM14，执行进行头15的定位的伺服控制。另外，MPU60经由驱动器IC20控制SPM12，使盘10进行旋转。MPU60对向盘10写入数据的写动作进行控制，并且，选择写数据的保存目的地。另外，MPU60对从盘10读取数据的读动作进行控制，并且，对读数据的处理进行控制。MPU60与磁盘装置1的各部连接。MPU60例如与驱动器IC20、R/W通道40以及HDC50等电连接。
MPU60包括读/写控制部610以及数据控制部620。MPU60在固件上执行这些各部、例如读/写控制部610以及数据控制部620等的处理。此外，MPU60也可以作为电路来具备这些各部、例如读/写控制部610以及数据控制部620。
读/写控制部610按照来自主机100的命令，对数据的读处理以及写处理进行控制。读/写控制部610经由驱动器IC20控制VCM14，将头15定位于盘10的预定位置，进行数据的读或者写。
数据控制部620对数据、例如写数据以及读数据进行控制。数据控制部620基于盘10的预定的记录区域、例如分区、磁道或者扇区的写特性，对写到该记录区域的数据的特性值(以下称为写数据特性值)进行控制。分区相当于将盘10在半径方向上区分为几个而得到的区域。分区包括多个磁道。此外，有时也将写数据特性值简称为写数据。另外，写数据特性值也可以包含与写数据特性值对应的信号的频率这一含义。
数据控制部620基于盘10的预定的记录区域、例如分区、磁道或者扇区的写特性、例如错误率(位错误率：BER)，对写到该记录区域的数据的写数据特性值、例如记录密度(Bits Per Inch(每英寸位数)：BPI)进行控制。以下，为了便于说明，有时也将“写于预定的记录区域的数据的BER”简称为“预定的记录区域的BER”，将“写于预定的记录区域的数据的BPI”简称为“预定的记录区域的BPI”。数据控制部620基于预定磁道的各圆周位置、例如各扇区的BER，对该磁道的各扇区的BPI进行控制。此外，数据控制部620也可以基于盘10的预定的记录区域的BER，对与写于该记录区域的数据对应的写数据特性值、例如记录能力进行控制。以下，为了便于说明，有时也将“与写于预定的记录区域的数据对应的记录能力”简称为“预定的记录区域的记录能力”。BER也可以包含与BER对应的信号的频率这一含义。BPI也可以包含与BPI对应的信号的频率这一含义。另外，记录能力也可以包含与记录能力对应的信号的频率这一含义。
数据控制部620也可以实时地算出盘10的预定磁道的各扇区的BER。此外，数据控制部620也可以算出盘10的各磁道的各扇区的BER，将所算出的各磁道的各扇区的BER保持于预定的保存区域、例如盘10的系统区10b以及非易失性存储器80等。
数据控制部620基于盘10的预定的记录区域、例如分区、磁道或者扇区的写特性、例如重写(覆写，以下有时也称为Over Write(OW))，对该记录区域的BPI进行控制。OW相当于将其他数据(以下称为后数据)覆盖地写到预定的记录区域、例如分区、磁道或者扇区的数据(以下称为前数据)的情况下的前数据的衰减率。在当前访问的预定的记录区域、例如扇区、磁道或者分区等(以下有时也称为当前的访问区域)的OW高、例如比成为基准的OW(以下有时也称为基准OW)高的情况下，在当前的访问区域写入了数据的情况下的当前的访问区域的BER(以下称为On-track BER(在轨位错误率))可能变低，例如可能变为比成为基准的BER(以下有时也称为基准BER)低。换言之，在当前的访问区域的OW比基准OW高的情况下，能够改善On-track BER。以下，有时也将OW比基准OW高的区域称为高OW区域。在当前的访问区域为高OW区域的情况下，向当前的访问区域的写处理对于在当前的访问区域的半径方向上相邻的记录区域(以下称为相邻区域)的影响可能变大。换言之，在当前的访问区域为高OW区域的情况下，由向当前的访问区域的相邻区域的写处理产生的对于当前的访问区域的影响(以下有时也称为相邻写处理的影响)可能变大。以下，有时也将在当前的访问区域的相邻区域写入了数据的情况下的当前的访问区域的BER称为Adjacent track write BER。另外，“相邻”不仅包含“在半径方向上连续地配置”，也包含“以视为实质上相邻的距离而分离地配置”。在当前的访问区域为高OW区域的情况下，通过在当前的访问区域的相邻区域写入数据，擦除写于当前的访问区域的数据的可能性可能变高。也即是，随着向On-track BER低的记录区域(以下有时也称为低On-track BER区域)的相邻区域(以下有时也称为低BER相邻区域)的数据的写次数(以下有时也称为相邻写次数)变多，低On-track BER区域的Adjacent track write BER(以下有时也称为低Adjacent track write BER)可能变高。换言之，随着向低BER相邻区域的数据的相邻写次数变多，低Adjacent track write BER可能劣化。另一方面，在当前的访问区域的OW低、例如比基准OW低的情况下，On-track BER可能变高，例如可能变为比基准BER高。换言之，在当前的访问区域的OW比基准OW低的情况下，On-track BER可能劣化。以下，有时也将OW比基准OW低的区域称为低OW区域。在当前的访问区域为低OW区域的情况下，向当前的访问区域的写处理对于当前的访问区域的相邻区域的影响可能变低。换言之，在当前的访问区域为低OW区域的情况下，相邻写处理的影响可能变低。因此，在当前的访问区域为低OW区域的情况下，通过向当前的访问区域的相邻区域写入数据，擦除写于当前的访问区域的数据的可能性可能变低。也即是，随着向On-track BER高的记录区域(以下有时也称为高On-track BER区域)的相邻区域(以下有时也称为高BER相邻区域)的数据的相邻写次数变多，高On-track BER区域的Adjacent track write BER(以下有时也称为高Adjacent track write BER)可能变低。换言之，随着向高BER相邻区域的数据的写次数变多，高Adjacent track write BER与低Adjacent track write BER相比能够被改善或者被保持。此外，OW也可以包含与OW对应的信号的频率这一含义。
数据控制部620基于预定磁道的各圆周位置、例如各扇区的OW，对该磁道的各扇区的BPI进行控制。例如，数据控制部620在当前访问的磁道(以下有时也称为访问磁道)的1周内使On-track BER均匀的情况下，在高OW区域中，基于该区域的OW进行调整(修正或者设定)以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI高，在低OW区域中，基于该区域的OW进行调整(修正或者设定)以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI低。换言之，数据控制部620例如在访问磁道的1周内使On-track BER均匀的情况下，在低On-track BER区域中，基于该区域的BER进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI高，在高On-track BER区域中，基于该区域的BER进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI低。“均匀”或者“均等”包含完全相同，当然也包含在视为实质上相同的程度上有偏差。
例如，数据控制部620为了在访问磁道的1周内使Adjacent track write BER均匀，在高OW区域中，基于该区域的OW进行调整(修正或者设定)以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI低，在低OW区域中，基于该区域的OW进行调整(修正或者设定)以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI高。换言之，数据控制部620为了在访问磁道的1周内使Adjacenttrack write BER均匀，在低On-track BER区域中，基于该区域的BER进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI低，在高On-track BER区域中，基于该区域的BER进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI高。
数据控制部620也可以实时地算出盘10的预定磁道的各扇区的OW。例如，数据控制部620也可以基于盘10的预定磁道的各扇区的BER，实时地算出该磁道的各扇区的OW。此外，数据控制部620也可以算出盘10的各磁道的各扇区的OW，将所算出的各磁道的各扇区的OW记录于预定的保存区域、例如盘10的系统区10b以及非易失性存储器80等。例如，数据控制部620也可以基于预定磁道的各扇区的BER，算出该磁道的各扇区的OW，将所算出的该磁道的各扇区的OW记录于预定的保存区域、例如盘10的系统区10b以及非易失性存储器80等。
数据控制部620基于在访问磁道中位于在当前访问的预定扇区(以下称为当前的扇区)的读/写方向上连续的位置的扇区(以下称为接下来的扇区)的BER或者OW，对接下来的扇区的BPI进行调整(修正或者设定)。数据控制部620例如在从预定的磁道向作为目的地的磁道(以下称为目标磁道)的作为目的的扇区(以下称为目标扇区)进行寻道时，基于目标扇区的BER或者OW，设定(或者算出)目标扇区要调整的BPI(以下有时也称为调整BPI)，在到达目标扇区的数据部之前将目标扇区的当前的BPI调整(修正或者设定)为调整BPI。也即是，数据控制部620例如在寻道期间不执行访问处理(读/写处理)的区域中基于目标扇区的BER或者OW设定(或者算出)目标扇区的调整BPI，在达到目标扇区的数据部之前将目标扇区的当前的BPI调整(修正或者设定)为调整BPI。在从预定磁道向目标磁道进行寻道的情况下，预定磁道的预定扇区的写数据特性值与目标磁道的目标扇区的写数据特性值之差大的可能性高，因此，存在写数据特性值的调整在从预定磁道的预定扇区到访问目标扇区为止的时间内不会完成的可能性。因此，数据控制部620通过在寻道期间设定(或者算出)目标扇区的调整BPI，避免开销(Overhead)。数据控制部620例如在访问磁道的当前的扇区中基于接下来的扇区的BER或者OW设定接下来的扇区的调整BPI，在到达接下来的扇区的数据部之前将接下来的扇区的当前的BPI调整(修正或者设定)为调整BPI。
图5是表示盘10的各分区的各磁道的1周内的BER的一个例子的图。图5示出在盘10的各分区(zone)实际测定得到的BER的一个例子。在图5中，横轴表示圆周方向，纵轴表示lоg(BER)。在图5的纵轴上，lоg(BER)随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。在图5中示出位于外周区域OR的Zоne0和Zone1、位于中周区域MR的Zоne16以及位于内周区域IR的Zone31。在图5中，磁道TRk、磁道TRk－1以及磁道TRk－2位于Zone0，磁道TRj位于Zoen1。磁道TRi位于Zоne16。另外，磁道TRh位于Zone31。在图5中示出磁道TRk中的1周内的lоg(BER)的变化BC1、磁道TRk－1中的1周内的lоg(BER)的变化BC2、磁道TRk－2中的1周内的lоg(BER)的变化BC3、磁道TRj中的1周内的lоg(BER)的变化BC4、磁道Tri中的1周内的lоg(BER)的变化BC5、磁道TRh中的1周内的lоg(BER)的变化BC6。
在盘10中，因成膜不匀等，各记录区域的BER可能变化。例如，预定磁道的1周内的BER的变化可能近似为正弦波。另外，通过夹持器(clamper)，盘10的内侧被紧固，因此，预定磁道的1周内的BER的变化在内周区域IR和外周区域OR中会不同。在图5所示的例子中，磁道TRk－2～TRk的1周内的lоg(BER)的变化BC1、BC2以及BC3相当于1周期的正弦波，但磁道TRh的lоg(BER)的1周内的变化BC6相当于2周期的正弦波。如图5所示，盘10的预定磁道的1周内的BER的变化可能近似于正弦波。因此，数据控制部620也可以以正弦波逼近的方式来算出盘10的预定磁道的1周内的BER的变化。例如，数据控制部620也可以在访问该预定磁道时实时地通过正弦波逼近的方式来算出盘10的预定磁道的1周内的BER的变化。另外，数据控制部620也可以通过正弦波逼近的方式来算出盘10的各磁道的1周内的BER的变化，将所算出的各磁道的1周内的BER的变化记录于预定的保存区域、例如盘10的系统区10b以及非易失性存储器80等。
图6是表示本实施方式涉及的写数据特性值的变化的一个例子的图。在图6中，横轴表示圆周方向，纵轴表示写数据特性值。写数据特性值例如包含BPI以及记录能力等。在图6的横轴示出开始位置SP和结束位置EP。开始位置SP相当于在预定的访问磁道开始了访问处理的位置。结束位置EP相当于在预定的访问磁道结束了访问处理的位置。开始位置SP和结束位置EP例如相同。在图6的纵轴上，写数据特性值随着从原点(＝0)向正的箭头方向前进而向正值的方向变大，随着从原点向负值的箭头方向前进而向负值的方向变小。在图6中示出外周区域OR的预定的访问磁道的1周内的写数据特性值的变化TC1、和内周区域IR的预定的访问磁道的1周内的写数据特性值的变化TC2。写数据特性值的变化相当于各圆周位置、例如各扇区中的各写数据特性值。
数据控制部620为了在预定的访问磁道的1周内使On-track BER或者Adjacenttrack write BER均匀，基于该访问磁道的1周内的写特性的变化，例如以正弦波逼近的方式算出该访问磁道的1周内的写数据特性值。例如，数据控制部620为了在预定的访问磁道的1周内使On-track BER或者Adjacent track write BER均匀，基于该访问磁道的各扇区的各BER，通过以下式算出各扇区中的各写数据特性值，调整为在各扇区中所算出的各写数据特性值。
ΔWV＝A×sin(PD×2π×1/SVS×(SVN－(WS+SVS/4/PD))) 式(1)
在此，ΔWV为写数据特性值(写数据特性值的变化)，A为写数据特性值的增益(或者振幅)，PD为写数据特性值的变化的周期，WS为在预定的写磁道中SN比(signal to noiseratio)最低的扇区编号，SVS为预定的访问磁道的1周内的扇区的数量，SVN为作为对象的扇区(以下称为对象扇区)的扇区编号。如式(1)所示，数据控制部620能够在执行正弦波逼近时按扇区调整振幅、相位以及周期。例如如式(1)所示，数据控制部620能够在执行正弦波逼近时在各扇区中个别地调整写数据特性值的变化的振幅、相位以及周期。数据控制部620能够对外周区域OR的各扇区的写数据特性值的变化的周期、例如比1周期大的内周区域IR的各扇区的写数据特性值的变化的周期、例如2周期进行调整。
数据控制部620例如基于外周区域OR的预定的访问磁道的各扇区的BER，通过式(1)算出写数据特性值的变化TC1，基于所算出的写数据特性值的变化TC1，调整该访问磁道的各扇区的各写数据特性值。
数据控制部620例如基于位于内周区域IR的访问磁道的各扇区的BER，通过式(1)算出写数据特性值的变化TC2，基于所算出的写数据特性值的变化TC2，对该访问磁道的各扇区的各写数据特性值进行调整。
图7是表示本实施方式涉及的写数据特性值的调整处理的一个例子的图。在图7中，横轴表示圆周方向以及时间。在图7中示出磁道TRn、伺服控制的状态、写数据特性值、读栅极(RG)/写栅极(WG)。磁道TRn包含多个扇区SC(SC1、SC2、SC3、SC4、……)。多个扇区SC分别包含多个伺服扇区SS(SS1、SS2、SS3、SS4、……)和多个数据部DS(DS1、DS2、DS3、DS4、……)。扇区SC1～SC4沿着读/写方向按这些的顺序来配置。扇区SC1包含伺服扇区SS1和数据部DS1。扇区SC2包含伺服扇区SS2和数据部DS2。扇区SC3包含伺服扇区SS3和数据部DS3。扇区SC4包含伺服扇区SS4和数据部DS4。伺服扇区SS1～SS4沿着读/写方向按这些的顺序空开间隔而配置。伺服扇区SS1包含于伺服区域SV1，伺服扇区SS2包含于伺服区域SV2，伺服扇区SS3包含于伺服区域SV3，伺服扇区SS4包含于伺服区域SV4。在图7中，伺服扇区SS1的圆周方向上的宽度(以下简称为伺服扇区的宽度)SW1、伺服扇区SS2的宽度SW2、伺服扇区SS3的宽度SW3以及伺服扇区SS4的宽度SW4相同。此外，宽度SW1～SW4也可以分别不同。数据部DS1～DS4沿着读/写方向按这些的顺序空开间隔而配置。数据部DS1位于伺服扇区SS1与SS2之间，数据部DS2位于伺服扇区SS2与SS3之间，数据部DS3位于伺服扇区SS3与SS4之间，数据部DS4位于伺服扇区4的读/写方向的后方。在图7的横轴示出定时T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9以及T10和定时ST1、ST2、ST3、ST4、ST5以及ST6。定时T2相当于比定时T1靠后的定时，定时T3相当于比定时T2靠后的定时，定时T4相当于比定时T3靠后的定时，定时T5相当于比定时T4靠后的定时，定时T6相当于比定时T5靠后的定时，定时T7相当于比定时T6靠后的定时，定时T8相当于比定时T7靠后的定时，定时T9相当于比定时T8靠后的定时，定时T10相当于比定时T9靠后的定时。定时ST1是定时T1与T2之间的定时，与伺服扇区SS2的圆周方向上的前端位置(以下简称为前端位置)对应。定时ST2是定时T2与T3之间的定时，对应于伺服扇区SS2的与圆周方向上的前端位置相反侧的后端位置(以下简称为后端位置)。定时ST3是定时T3与T4之间的定时，与伺服扇区SS3的前端位置对应。定时ST4是定时T5与T6之间的定时，与伺服扇区SS3的后端位置对应。定时ST5是定时T7与T8之间的定时，与伺服扇区SS4的前端位置对应。定时ST6是定时T9与T10之间的定时，与伺服扇区SS4的后端位置对应。在图7中，伺服控制的状态表示寻道和向磁道TRn的在轨(on track，在磁道上)的切换的定时。在图7所示的例子中，寻道和在轨在定时T3切换。在图7中，写数据特性值表示写数据特性值的变化。在图7中，RG/WG表示访问的定时。
数据控制部620在从磁道TRn以外的其他磁道向磁道(目标磁道)TRn开始了寻道时，对写数据特性值、例如BPI或者记录能力进行调整。在图7所示的例子中，数据控制部620在从目标磁道TRn以外的其他磁道向目标磁道TRn的扇区(目标扇区)SC2开始了寻道时，使写数据特性值为0。数据控制部620基于目标扇区SC2的数据部DS2的BER，设定(或者算出)数据部DS2要调整的写数据特性值(以下有时也称为调整特性值)，在向数据部DS2写入数据之前将数据部DS2的当前的写数据特性值调整为调整特性值。在图7所示的例子中，数据控制部620在寻道期间基于数据部DS2的BER来设定数据部DS2的调整特性值，在定时T1开始从数据部DS2的当前的写数据特性值向调整特性值的调整，在与伺服扇区SS2对应的定时T2完成从数据部DS2的当前的写数据特性值向调整特性值的调整。数据控制部620到达(on track)目标磁道TRn，访问目标磁道TRn，基于接下来的扇区的数据部的BER，设定接下来的扇区的数据部的调整特性值，在与接下来的扇区的伺服扇区的宽度相当的时间间隔内将接下来的扇区的数据部的当前的写数据特性值调整为调整特性值。在图7所示的例子中，数据控制部620在定时T3到达目标磁道TRn的数据部DS2，基于数据部DS3的BER来设定数据部DS3的调整特性值，在与伺服扇区SS3对应的定时T4开始从数据部DS3的当前的写数据特性值向调整特性值的调整，在与伺服扇区SS3对应的定时T5完成从数据部DS3的当前的写数据特性值向调整特性值的调整。数据控制部620在定时T6开始对目标磁道TRn的数据部DS3的访问，基于数据部DS4的BER来设定数据部DS4的调整特性值，在定时T7结束对目标磁道TRn的数据部DS3的访问，在与伺服扇区SS4对应的定时T8开始从数据部DS4的当前的写数据特性值向调整特性值的调整，在与伺服扇区SS4对应的定时T9完成从数据部DS4的当前的写数据特性值向调整特性值的调整，在定时T10开始对数据部DS4的访问。
图8是表示向当前的访问区域的写处理对于相邻区域的影响的一个例子的图。在图8中示出在半径方向上空开间隔而连续地排列的磁道TRn－1、TRn以及TRn+1。
在图8所示的例子中，数据控制部620为了在当前访问的磁道TRn的1周内使On-track BER均匀，在磁道TRn的高OW区域中基于OW进行调整以使得提高BPI，在磁道TRn的低OW区域中基于OW进行调整以使BPI比基准BPI低。换言之，数据控制部620为了在当前访问的磁道TRn的1周内使On-track BER均匀，在低On-track BER区域中基于BER进行调整以使得提高BPI，在高On-track BER区域中基于BER进行调整以使得降低BPI。
在图8所示的例子中，数据控制部620为了在当前访问的磁道TRn的1周内使Adjacent track write BER、也即是在磁道TRn－1以及TRn+1写入了数据的情况下的磁道TRn的BER均匀，在磁道TRn的高OW区域中基于OW进行调整以使得降低BPI，在低OW区域中基于OW进行调整以使得降低BPI。换言之，数据控制部620为了在访问磁道的1周内使Adjacenttrack write BER均匀，在低On-track BER区域中基于BER进行调整以使得降低BPI，在高On-track BER区域中基于BER进行调整以使得降低BPI。
图9是表示盘10的预定磁道的1周内的On-track BER的变化OBL1的一个例子的图。在图9中，横轴表示圆周方向，纵轴表示On-track BER。在图9的纵轴上，On-track BER随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。图9所示的On-track BER的变化OBL1例如可能是因成膜不匀等而产生的。图9所示的On-track BER的变化OBL1相当于未执行BPI的修正、调整的预定磁道的On-track BER的变化。
在图9所示的例子中，On-track BER的变化OBL1从开始位置SP到结束位置EP为正弦波状。
图10是表示与图9对应的OW(Overwrite)的变化OWL1的一个例子的图。在图10中，横轴表示圆周方向，纵轴表示OW。在图10的纵轴上，OW随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。
在图10所示的例子中，OW的变化的WL1从开始位置SP到结束位置EP为波状。OW的变化OWL1为On-track BER的变化OBL1反转后的形状。
图11是表示与图9对应的Adjacent track write BER的变化AWB1的一个例子的图。在图11中，横轴表示圆周方向，纵轴表示Adjacent track write BER。在图11的纵轴上，Adjacent track write BER随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。在图11中，Adjacent track write BER的变化AWB1相当于在图9的磁道的相邻磁道执行了数十次、例如10次的写处理的情况下的图9的磁道的BER的1周内的变化。
在图11所示的例子中，Adjacent track write BER的变化AWB1从开始位置SP到结束位置EP为波状。Adjacent track write BER的变化AWB1是如与OW的变化OWL1相同那样的形状。
图12是表示与图9对应的Adjacent track write BER的变化AWB2的一个例子的图。在图12中，横轴表示圆周方向，纵轴表示Adjacent track write BER。在图12的纵轴上，Adjacent track write BER随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。在图12中，Adjacent track write BER的变化AWB2相当于在图9的磁道的相邻磁道执行了数千次、例如1000次的写处理的情况下的图9的磁道的BER的1周内的变化。
在图12所示的例子中，Adjacent track write BER的变化AWB2从开始位置SP到结束位置EP为波状。Adjacent track write BER的变化AWB2的振幅比Adjacent track writeBER的变化AWB1的振幅大。
图13是表示在与图9的On-track BER的变化OBL1对应的磁道中的调整BPI的变化BPL1的一个例子的图。在图13中，横轴表示圆周方向，纵轴表示BPI。在图13的纵轴上，BPI随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。
数据控制部620在图9的On-track BER的变化OBL1低的区域(低On-track BER区域)中如图13所示那样基于该区域的BER来提高该区域的BPI，在图9的On-track BER的变化OBL1高的区域(高On-track BER区域)中如图13所示那样基于该区域的BER来降低该区域的BPI。换言之，数据控制部620在图10的OW的变化OWL1高的区域(高OW区域)中如图13所示那样基于该区域的OW来提高该区域的BPI，在图10的OW的变化OWL1低的区域(低OW区域)中如图13所示那样基于该区域的OW来降低该区域的BPI。这样，通过在与图9的On-track BER的变化OBL1对应的磁道的各扇区调整BPI，该磁道的BPI的变化成为图13所示的BPI的变化BPL1。
图14是表示基于图13的BPI的变化BPL1在图9的磁道写入了数据的情况下的On-track BER的变化OBL2的一个例子的图。在图14中，横轴表示圆周方向，纵轴表示On-trackBER。在图14的纵轴上，On-track BER随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。
如图14所示，在基于图13的BPI的变化BPL1在图9的磁道写入了数据的情况下，图9的磁道的On-track BER的变化OBL2能在1周内变得均匀。
图15是表示对基于图13的BPI的变化BPL1进行了写入的图9的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的Adjacent track write BER的变化AWB3的一个例子的图。在图15中，横轴表示圆周方向，纵轴表示Adjacent track write BER。在图15的纵轴上，Adjacenttrack write BER随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。在图15中，Adjacent track write BER的变化AWB3相当于在与图13以及图14对应的磁道的相邻磁道执行了数千次、例如1000次的写处理的情况下的与图13以及图14对应的磁道的BER的1周内的变化。
在图9的On-track BER的变化OBL1低的区域(低On-track BER区域)中，如图15所示，Adjacent track write BER的变化AWB3变高，在图9的On-track BER的变化OBL1高的区域(高On-track BER区域)中，如图15所示，Adjacent track write BER的变化AWB3变低。换言之，在图10的OW的变化OWL1高的区域(高OW区域)中，如图15所示，Adjacent track writeBER的变化AWB3变高，在图10的OW的变化OWL1低的区域(低OW区域)中，如图15所示，Adjacent track write BER的变化AWB3变低。
图16是表示在与图9的On-track BER的变化OBL1对应的磁道中进行了调整的BPI的变化BPL2的一个例子的图。在图16中，横轴表示圆周方向，纵轴表示BPI。在图16的纵轴上，BPI随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。
数据控制部620在图9的On-track BER的变化OBL1低的区域(低On-track BER区域)中如图16所示那样基于该区域的BER来降低该区域的BPI，在图9的On-track BER的变化OBL1高的区域(高On-track BER区域)中如图16所示那样基于该区域的BER来提高该区域的BPI。换言之，数据控制部620在图10的OW的变化OWL1高的区域(高OW区域)中如图16所示那样基于该区域的OW来降低该区域的BPI，在图10的OW的变化OWL1低的区域(低OW区域)中如图16所示那样基于该区域的OW来提高该区域的BPI。
图17是表示基于图16的BPI的变化BPL2在图9的磁道写入了数据的情况下的On-track BER的变化OBL3的一个例子的图。在图17中，横轴表示圆周方向，纵轴表示On-trackBER。在图17的纵轴上，On-track BER随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。
在图9的On-track BER的变化OBL1低的区域(低On-track BER区域)中，如图17所示，On-track BER的变化OBL3变低，在图9的On-track BER的变化OBL1高的区域(高On-track BER区域)中，如图17所示，On-track BER的变化OBL3变高。换言之，在图10的OW的变化OWL1高的区域(高OW区域)中，如图17所示，On-track BER的变化OBL3变低，在图10的OW的变化OWL1低的区域(低OW区域)中，如图17所示，On-track BER的变化OBL3变高。
图18是表示对基于图16的BPI的变化BPL2进行了写入的图9的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的Adjacent track write BER的变化AWB4的一个例子的图。在图18中，横轴表示圆周方向，纵轴表示Adjacent track write BER。在图18的纵轴上，Adjacenttrack write BER随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。在图18中，Adjacent track write BER的变化AWB4相当于在与图16以及图17对应的磁道的相邻磁道执行了数千次、例如1000次的写处理的情况下的与图16以及图17对应的磁道的BER的1周内的变化。
如图18所示，在对基于图16的BPI的变化BPL2进行了写入的图9的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下，图9的磁道的Adjacent track write BER的变化AWB4能在1周内成为均匀。
图19是表示本实施方式涉及的BPI的调整方法的一个例子的流程图。图19示出用于在预定的磁道的1周内使On-track BER均匀化的该磁道的BPI的调整方法的一个例子。
系统控制器130在寻道期间对BPI进行调整(B1901)。例如，系统控制器130在寻道期间基于目标扇区的BER或者OW来设定目标扇区的调整BPI，在到达目标扇区的数据部之前开始从目标扇区的当前的BPI向调整BPI的调整，在与目标扇区的伺服扇区的宽度对应的时间间隔内完成从目标扇区的当前的BPI向调整BPI的调整。系统控制器130判定目标扇区是为高OW区域、还是为低OW区域(B1902)。换言之，系统控制器130判定目标扇区是为低On-track BER区域、还是为高On-track BER区域。在判定为目标扇区为高OW区域的情况下(B1902的高OW区域)，系统控制器130基于该目标扇区的OW进行调整以使得提高该目标扇区的BPI(B1903)。换言之，在判定为目标扇区为低On-track BER区域的情况下，系统控制器130算出该目标扇区的BER，基于所算出的目标扇区的BER进行调整以使得提高该目标扇区的BPI。在判定为目标扇区为低OW区域的情况下(B1902的低OW区域)，系统控制器130基于该目标扇区的OW进行调整以使得降低该目标扇区的BPI(B1904)。换言之，在判定为目标扇区为高On-track BER区域的情况下，系统控制器130算出该目标扇区的BER，基于所算出的目标扇区的BER进行调整以使得降低该目标扇区的BPI。
系统控制器130对接下来的扇区的BPI进行调整(B1905)。例如，系统控制器130在当前的扇区中基于接下来的扇区的BER或者OW来设定接下来的扇区的调整BPI，在到达接下来的扇区的数据部之前开始从接下来的扇区的当前的BPI向调整BPI的调整，在与伺服扇区的宽度对应的时间间隔内完成从接下来的扇区的当前的BPI向调整BPI的调整。系统控制器130判定接下来的扇区是为高OW区域、还是为低OW区域(B1906)。在判定为接下来的扇区为高OW区域的情况下(B1906的高OW区域)，系统控制器130基于该接下来的扇区的OW进行调整以使得提高该接下来的扇区的BPI(B1907)，结束处理。在判定为接下来的扇区为低OW区域的情况下(B1906的低OW区域)，系统控制器130基于该接下来的扇区的OW进行调整以使得降低该接下来的扇区的BPI(B1908)，结束处理。
图20是表示本实施方式涉及的BPI的调整方法的一个例子的流程图。图20示出用于在预定的磁道的1周内使Adjacent track write BER均匀化的该磁道的BPI的调整方法的一个例子。
系统控制器130在寻道期间对BPI进行调整(B1901)，判定目标扇区是为高OW区域、还是为低OW区域(B1902)。在判定为目标扇区为高OW区域的情况下(B1902的高OW区域)，系统控制器130基于该目标扇区的OW进行调整以使得降低该目标扇区的BPI(B2001)。换言之，在判定为目标扇区为低On-track BER区域的情况下，系统控制器130算出该目标扇区的BER，基于所算出的目标扇区的BER进行调整以使得降低该目标扇区的BPI。在判定为目标扇区为低OW区域的情况下(B1902的低OW区域)，系统控制器130基于该目标扇区的OW进行调整以使得提高该目标扇区的BPI(B2002)。换言之，在判定为目标扇区为高On-track BER区域的情况下，系统控制器130算出该目标扇区的BER，基于所算出的目标扇区的BER进行调整以使得提高该目标扇区的BPI。
系统控制器130对接下来的扇区的BPI进行调整(B1905)，判定接下来的扇区是为高OW区域、还是为低OW区域(B1906)。在判定为接下来的扇区为高OW区域的情况下(B1906的高OW区域)，系统控制器130基于该接下来的扇区的OW进行调整以使得降低该接下来的扇区的BPI(B2003)，结束处理。在判定为接下来的扇区为低OW区域的情况下(B1906的低OW区域)，系统控制器130基于该接下来的扇区的OW进行调整以使得提高该接下来的扇区的BPI(B2004)，结束处理。
根据本实施方式，磁盘装置1在寻道期间基于目标扇区的BER或者OW来设定目标扇区的调整BPI，在到达目标扇区的数据部之前开始从目标扇区的当前的BPI向调整BPI的调整，在与目标扇区的伺服扇区的宽度对应的时间间隔内完成从目标扇区的当前的BPI向调整BPI的调整。另外，磁盘装置1在当前的扇区中基于接下来的扇区的BER或者OW来设定接下来的扇区的调整BPI，在到达接下来的扇区的数据部之前开始从接下来的扇区的当前的BPI向调整BPI的调整，在与接下来的扇区的伺服扇区的宽度对应的时间间隔内完成从接下来的扇区的当前的BPI向调整BPI的调整。磁盘装置1在预定磁道的1周内使On-track BER均匀的情况下，在高OW区域中，基于该区域的OW进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI高，在低OW区域中，基于该区域的OW进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI低。换言之，磁盘装置1在预定磁道的1周内使On-track BER均匀的情况下，在低On-trackBER区域中，算出该区域的BER，基于所算出的BER进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI高，在高On-track BER区域中，算出该区域的BER，基于所算出的BER进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI低。磁盘装置1在预定磁道的1周内使Adjacent trackwrite BER均匀的情况下，在高OW区域中，基于该区域的OW进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI低，在低OW区域中，基于该区域的OW进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI高。换言之，磁盘装置1在预定磁道的1周内使Adjacent track write BER均匀的情况下，在低On-track BER区域中算出该区域的BER，基于所算出的BER进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI低，在低OW区域中，算出该区域的BER，基于所算出的BER进行调整以使该区域的BPI比该区域的当前的BPI高。磁盘装置1能够在预定磁道的1周内使On-track BER或者Adjacent track write BER均匀。因此，磁盘装置1能够提高访问性能。
接着，对变形例以及其他实施方式涉及的磁盘装置进行说明。在变形例以及其他实施方式中，对与前述的实施方式相同的部分标记同一参照标号，省略其详细的说明。
(变形例1)
变形例1涉及的磁盘装置1与前述的第1实施方式的磁盘装置1的不同点在于调整记录能力。
数据控制部620基于盘10的预定的记录区域、例如分区、磁道或者扇区的写特性、例如BER，对写于该记录区域的数据的写数据特性值、例如记录能力进行控制。数据控制部620基于预定磁道的各圆周位置、例如各扇区的BER，对该磁道的各扇区的记录能力进行控制。
数据控制部620基于盘10的预定的记录区域、例如分区、磁道或者扇区的写特性、例如OW，对该记录区域的记录能力进行控制。数据控制部620基于预定磁道的各圆周位置、例如各扇区的OW，对该磁道的各扇区的记录能力进行控制。
例如，数据控制部620为了在访问磁道的1周内使BER(On-track BER以及Adjacenttrack write BER)均匀，在低OW区域中，基于该区域的OW进行调整(修正或者设定)以使该区域的记录能力比该区域的当前的记录能力高，在高OW区域中，基于该区域的OW进行调整(修正或者设定)以使该区域的记录能力比该区域的当前的记录能力低。换言之，数据控制部620为了在访问磁道的1周内使BER均匀，在高On-track BER区域中，基于该区域的BER进行调整(修正或者设定)以使该区域的记录能力比该区域的当前的记录能力高，在低On-track BER区域中，基于该区域的BER进行调整(修正或者设定)以使该区域的记录能力比该区域的当前的记录能力低。
数据控制部620在访问磁道中基于接下来的扇区的OW或者BER，对接下来的扇区的记录能力进行调整。数据控制部620例如在从预定磁道向目标磁道的目标扇区进行寻道时，基于目标扇区的BER或者OW，设定(或者算出)目标扇区要调整的记录能力(以下有时也称为调整能力或者调整电流)，在到达目标扇区的数据部之前，将目标扇区的当前的记录能力调整(修正或者设定)为调整能力。数据控制部620例如在访问磁道的当前的扇区中，基于接下来的扇区的BER或者OW，设定接下来的扇区的调整能力，在到达接下来的扇区的数据部之前，将接下来的扇区的当前的记录能力调整(修正或者设定)为调整能力。数据控制部620例如在Servo Gate(伺服门)内对经由Serial I/F(串行接口)从R/W通道40向头放大器IC30的寄存器的写数据的记录完成的定时进行同步，调整记录能力。
图21是表示记录能力的变更的定时的一个例子的图。在图21中，横轴表示时间。在图21中示出Servo Gate和Serial I/F。在图21的Serial I/F示出表示写入写数据的扇区的地址的address和相当于与写数据对应的电流值的data。
如图21所示，在对记录能力进行调整的情况下，数据控制部620经由Serial I/F在Servo Gate内对通过头放大器IC30的记录能力控制部310改变记录能力的定时进行同步。
图22是表示变形例1涉及的OW(Overwrite)的变化OWL2的一个例子的图。在图22中，横轴表示圆周方向，纵轴表示OW。在图22的纵轴上，OW随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。图10所示的OW的变化OWL2例如相当于未执行记录能力、BPI的调整、修正的预定磁道的OW的变化。图22的OW的变化OWL2例如与图10的OW的变化OWL1是同等的。
在图22所示的例子中，OW的变化OWL2从开始位置SP到结束位置EP为波状、例如正弦波。
图23是表示在与图22的OW的变化OWL2对应的磁道中进行了调整的记录能力的变化RCL1的一个例子的图。在图23中，横轴表示圆周方向，纵轴表示记录能力。在图23的纵轴上，记录能力随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。
数据控制部620在图22的OW的变化OWL2低的区域(低OW区域)中如图23所示那样基于该区域的OW来提高该区域的记录能力，在图22的OW的变化OWL2高的区域(高OW区域)中如图23所示那样基于该区域的OW来降低该区域的记录能力。换言之，数据控制部620在图10的OW的变化OWL1高的区域(高OW区域)中如图13所示那样基于OW来提高BPI，在图10的OW的变化OWL1低的区域(低OW区域)中如图13所示那样基于OW来降低BPI。这样，通过在与图22的OW的变化OWL2对应的磁道的各扇区调整记录能力，该磁道的记录能力的变化成为图23所示的记录能力的变化RCL1。
图24是表示基于图23的OW的变化OWL2在图22的磁道写入了数据的情况下的On-track BER的变化OBL4的一个例子的图。在图24中，横轴表示圆周方向，纵轴表示On-trackBER。在图24的纵轴上，On-track BER随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。
如图24所示，在基于图23的OW的变化OWL2来在图22的磁道写入了数据的情况下，图22的磁道的On-track BER的变化OBL4能在1周内成为均匀。
图25是表示对基于图23的OW的变化OWL2进行了写入的图23的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的Adjacent track write BER的变化AWB5的一个例子的图。在图25中，横轴表示圆周方向，纵轴表示Adjacent track write BER。在图25的纵轴上，Adjacenttrack write BER随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。在图25中，Adjacent track write BER的变化AWB5相当于在与图23对应的磁道的相邻磁道执行了数十次、例如10次的写处理的情况下的与图23对应的磁道的BER的1周内的变化。
如图25所示，在对基于图23的OW的变化OWL2进行了写入的图23的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下，图23的磁道的Adjacent track write BER的变化AWB5能在1周内成为均匀。
图26是表示对基于图23的OW的变化OWL2进行了写入了的图23的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下的Adjacent track write BER的变化AWB6的一个例子的图。在图26中，横轴表示圆周方向，纵轴表示Adjacent track write BER。在图26的纵轴上，Adjacenttrack write BER随着向高的箭头方向前进而变高，随着向低的箭头方向前进而变低。在图26中，Adjacent track write BER的变化AWB6相当于在与图23对应的磁道的相邻磁道执行了数千次、例如1000次的写处理的情况下的与图23对应的磁道的BER的1周内的变化。
如图26所示，在对基于图23的OW的变化OWL2进行了写入的图23的磁道的相邻磁道写入了数据的情况下，图23的磁道的Adjacent track write BER的变化AWB6能在1周内成为均匀。
图27是表示变形例1涉及的记录能力的调整方法的一个例子的流程图。图27示出用于在预定磁道的1周内使BER(On-track BER以及Adjacent track write BER)均匀化的该磁道的记录能力的调整方法的一个例子。
系统控制器130在寻道期间对记录能力进行调整(B2701)。例如，系统控制器130在寻道期间基于目标扇区的BER或者OW来设定目标扇区的调整能力，在到达目标扇区的数据部之前开始从目标扇区的当前的记录能力向调整能力的调整，在与目标扇区的伺服扇区的宽度对应的时间间隔内完成从目标扇区的当前的记录能力向调整能力的调整。系统控制器130判定目标扇区是为高OW区域、还是为低OW区域(B1902)。在判定为目标扇区为高OW区域的情况下(B1902的高OW区域)，系统控制器130基于该目标扇区的OW进行调整以使得降低该目标扇区的记录能力(B2702)。在判定为目标扇区为低OW区域的情况下(B1902的低OW区域)，系统控制器130基于该目标扇区的OW进行调整以使得提高该目标扇区的记录能力(B2703)。
系统控制器130对接下来的扇区的记录能力进行调整(B2704)。例如，系统控制器130在当前的扇区中基于接下来的扇区的BER或者OW来设定接下来的扇区的调整能力，在到达接下来的扇区的数据部之前开始从接下来的扇区的当前的记录能力向调整能力的调整，在与接下来的扇区的伺服扇区的宽度对应的时间间隔内完成从接下来的扇区的当前的记录能力向调整能力的调整。系统控制器130判定接下来的扇区是为高OW区域、还是为低OW区域(B1906)。在判定为接下来的扇区为高OW区域的情况下(B1906的高OW区域)，系统控制器130基于该接下来的扇区的OW进行调整以使得降低该接下来的扇区的记录能力(B2705)，结束处理。在判定为接下来的扇区为低OW区域的情况下(B1906的低OW区域)，系统控制器130基于该接下来的扇区的OW进行调整以使得提高该接下来的扇区的记录能力(B2706)，结束处理。
根据变形例1，磁盘装置1例如在Servo Gate内对经由serial I/F从R/W通道40向头放大器IC30的寄存器的写数据的记录完成的定时进行同步，调整记录能力。磁盘装置1在预定磁道的1周内使BER(On-track BER以及Adjacent track write BER)均匀的情况下，在低OW区域中基于该区域的OW进行调整以使该区域的记录能力比该区域的当前的记录能力高，在高OW区域中基于该区域的OW进行调整以使该区域的记录能力比该区域的当前的记录能力低。磁盘装置1能够在预定磁道的1周内使On-track BER以及Adjacent track writeBER均匀。因此，磁盘装置1能够提高访问性能。
(变形例2)
变形例2涉及的磁盘装置1与前述的实施方式以及前述的变形例的磁盘装置1的不同点在于写数据特性值的调整方法。
图28是表示未突出的头15的一个例子的图，图29是表示突出了的头15的一个例子的图。
头15具备滑块150和加热器HT，该加热器HT设置在滑块150内，作为发热元件发挥功能。加热器HT与头放大器IC30连接。加热器HT通过被从头放大器IC30施加电流(或者电压)而进行发热，对周围的滑块150部分进行加热。通过这样用加热器HT进行加热，滑块150向盘10的表面侧突出。这样，通过加热器HT调整头15的上浮量(盘对向面151与盘10的表面之间的距离)。此外，加热器HT也可以设置有2个以上。
如图28所示，在未通过头放大器IC30对加热器HT进行通电(OFF的状态)或者施加了微小的电流(电压)的情况下，头15不向盘10侧突出。因此，头15的上浮量大。
如图29所示，通过头放大器IC30对加热器HT进行通电(ON的状态)，头15向盘10侧突出。因此，头15的上浮量小。
例如，数据控制部620在预定磁道中在与写数据特性值(例如BPI以及记录能力)的最大值相当的扇区对头15的上浮量进行调整。换言之，数据控制部620在预定磁道中在与写数据特性值的最大值相当的扇区对头15向盘10侧的突出量进行调整。
根据变形例2，磁盘装置1在预定磁道中在与写数据特性值(例如BPI以及记录能力)的最大值相当的扇区对头15的上浮量进行调整。因此，磁盘装置1能够防止头15接触盘10。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。
(第2实施方式)
第2实施方式涉及的磁盘装置1与前述的实施方式以及前述的变形例的磁盘装置1的不同点在于伺服区域SV的构成。
图30是表示第2实施方式涉及的通常伺服NSV以及短伺服SSV的配置的一个例子的示意图。
伺服区域SV例如具有伺服区域(以下称为通常伺服区域)NSV和与伺服区域NSV不同的伺服区域(以下称为短伺服区域)SSV。短伺服区域SSV的圆周方向上的数据图案的长度(以下有时也简称为长度)比通常伺服区域NSV的长度短。在图2所示的例子中，通常伺服区域NSV和短伺服区域SSV在圆周方向上交替地配置。换言之，在圆周方向上，在连续的两个通常伺服区域NSV之间配置有一个短伺服区域SSV。此外，在圆周方向上，也可以在连续的两个通常伺服区域NSV之间配置两个以上的短伺服区域SSV。通常伺服区域具有多个通常伺服扇区。通常伺服扇区相当于图3所示的伺服扇区SS。以下，称为通常伺服扇区SS。短伺服区域具有多个短伺服扇区。以下，有时也将通常伺服扇区SS和接着通常伺服扇区SS的数据部一并称为通常扇区。另外，有时也将短伺服扇区和接着短伺服扇区的数据部一并称为短扇区。
图31是表示第2实施方式涉及的短伺服扇区STS的构成的一个例子的示意图。在图31中示出在预定的磁道TRm所写入的预定的短伺服扇区STS。短伺服扇区STS包含于图30所示的短伺服区域SSV。短伺服扇区STS相当于与预定磁道对应的短伺服区域SSV的一部分。
短伺服扇区STS包含伺服数据、例如N脉冲串以及Q脉冲串。N脉冲串以及Q脉冲串按这些的顺序向读/写方向的箭头的前端连续地配置。短伺服扇区STS的N脉冲串的长度例如与通常伺服扇区SS的N脉冲串的长度是同等的。此外，短伺服扇区STS的N脉冲串的长度也可以与通常伺服扇区SS的N脉冲串的长度不同。短伺服扇区STS的Q脉冲串的长度例如与通常伺服扇区SS的Q脉冲串的长度是同等的。此外，短伺服扇区STS的Q脉冲串的长度也可以与通常伺服扇区SS的Q脉冲串的长度不同。
数据控制部620在包含通常扇区以及短扇区的磁道中仅在通常扇区设定(或者算出)调整特性值(调整BPI或者调整能力)，将通常扇区和位于在该通常扇区的读/写方向上连续的位置的短扇区的当前的写数据特性值调整为调整特性值。
例如，数据控制部620在访问磁道中通过在当前访问的通常扇区(以下有时也称为当前的通常扇区)读取前导、伺服标记以及格雷码等来取得了扇区编号的情况下，基于接着当前的通常扇区而位于读/写方向上的位置的通常扇区(以下有时也称为接下来的通常扇区)的BER或者OW，设定(或者算出)接下来的通常扇区和接着位于在当前的通常扇区的读/写方向上连续的位置的短扇区(以下有时也称为当前的短扇区)而位于读/写方向上的位置的短扇区(有时也称为接下来的短扇区)的调整BPI或者调整能力。另外，数据控制部620在到达接下来的通常扇区的数据部之前将接下来的通常扇区以及接下来的短扇区的当前的BPI或者记录能力调整(修正或者设定)为调整BPI或者调整能力。
图32是表示第2实施方式涉及的写数据特性值的调整处理的一个例子的图。在图32中，横轴表示圆周方向以及时间。在图32中示出磁道TRm。磁道TRm包括多个通常扇区NSC(NSC1、NSC2、……)、多个短扇区SSC(SSC1、SSC2、……)、多个数据部DS(DS5、DS6、DS7、DS8、……)。多个通常扇区NSC和多个短扇区SSC沿着圆周方向交替地配置。在图32中，通常扇区NSC1、短扇区SSC1以及通常扇区NSC2沿着读/写方向按这些的顺序来配置。通常扇区NSC1包括通常伺服扇区SS5和数据部DS5。短扇区SSC1包括短伺服扇区STS1和数据部DS6。通常扇区NSC2包括通常伺服扇区SS6和数据部DS7。通常伺服扇区SS5、短伺服扇区STS1、通常伺服扇区SS6以及短伺服扇区STS2沿着读/写方向按这些的顺序空开间隔来配置。通常伺服扇区SS5包含于通常伺服区域NSV1，短伺服扇区STS1包含于短伺服区域SSV1，通常伺服扇区SS6包含于通常伺服区域NSV2，短伺服扇区STS2包含于短伺服区域SSV2。在图32中，通常伺服扇区SS5的宽度SW5和通常伺服扇区SS6的宽度SW7相同。此外，宽度SW5和SW7也可以不同。短伺服扇区STS1的宽度SW6和短伺服扇区STS2的宽度SW8相同。此外，宽度SW6和SW8也可以不同。宽度SW5以及SW7比宽度SW6以及SW8大。数据部DS5～DS8沿着读/写方向按这些的顺序空开间隔来配置。数据部DS5位于通常伺服扇区SS5和短伺服扇区STS1之间，数据部DS6位于短伺服扇区STS1和通常伺服扇区SS6之间，数据部DS7位于通常伺服扇区SS6和短伺服扇区STS2之间，数据部DS8位于短伺服扇区STS2的读/写方向上的后方的位置。在图32中示出数据部DS5以及DS6的写数据特性值、例如记录密度(BPI)DN1和数据部DS7以及DS8的BPI DN2。BPI DN2与BPI DN1不同。例如，BPI DN2比BPI DN1大。此外，BPI DN1以及BPI DN2也可以相同。
在图32的横轴上示出了定时ST10、ST11、ST12、ST13、ST14、ST15、ST16以及ST17。定时ST10与通常伺服扇区SS5的前端位置对应，定时ST11与通常伺服扇区SS5的后端位置对应。定时ST12与短伺服扇区STS1的前端位置对应，定时ST13与短伺服扇区STS1的后端位置对应。定时ST14与通常伺服扇区SS6的前端位置对应，定时ST15与通常伺服扇区SS6的后端位置对应。定时ST16与短伺服扇区STS2的前端位置对应，定时ST17与短伺服扇区STS2的后端位置对应。在图32中示出时间间隔DT1、DT2、DT3以及DT4。时间间隔DT1相当于定时ST10和ST11的差分，与通常伺服扇区SS5的宽度SW5对应。时间间隔DT2相当于定时ST12和ST13的差分，与短伺服扇区STS1的宽度SW6对应。时间间隔DT3相当于定时ST14和ST15的差分，与通常伺服扇区SS6的宽度SW7对应。时间间隔DT4相当于定时ST16和ST17的差分，与短伺服扇区STS2的宽度SW8对应。
数据控制部620在磁道TRm的通常扇区(当前的通常扇区)NSC1中读取通常伺服扇区SS5来取得了扇区编号时，基于通常扇区(接下来的通常扇区)NSC2的数据部DS7的BER或者OW，设定数据部DS7以及接下来的短扇区SSC2的数据部DS8的调整BPI DN2，在到达数据部DS7之前将数据部DS7以及DS8的当前的BPI调整为调整BPI DN2。在图32所示的例子中，数据控制部620在定时ST10读取通常伺服扇区SS5来取得了扇区编号时，在到达定时ST14之前基于通常扇区NSC2的数据部DS7的BER或者OW来设定数据部DS7以及接下来的短扇区SSC2的数据部DS8的调整BPI DN2，在定时ST14开始从数据部DS7以及DS8的当前的BPI向调整BPI DN2的调整，从定时ST14起在时间间隔DT3内完成从数据部DS7以及DS8的当前的BPI向调整BPIDN2的调整。通过这样调整BPI，隔着短伺服扇区STS而相邻的2个数据部、例如数据部DS5和DS6的BPI(调整BPI)相同。此外，通过这样调整BPI，隔着短伺服扇区STS而相邻的2个数据部、例如数据部DS5和DS6的BPI(调整BPI)也可以不同。夹着通常伺服扇区SS而相邻的2个数据部、例如数据部DS6和DS7的BPI(调整BPI)不同。此外，夹着通常伺服扇区SS而相邻的2个数据部、例如数据部DS6和DS7的BPI(调整BPI)也可以相同。
图33是表示第2实施方式涉及的写数据特性值的调整方法的一个例子的流程图。
系统控制器130判定是为通常伺服扇区、还是为短伺服扇区(B3301)。在判定为是短伺服扇区的情况下(B3301：否)，系统控制器130结束处理。在判定为是通常伺服扇区的情况下(B3301：是)，系统控制器130调整写数据特性值(B3302)，结束处理。例如，系统控制器130在通过在预定扇区中读取前导、伺服标记以及格雷码等来取得了扇区编号的情况下，将该扇区判定为通常扇区。在取得了扇区编号的情况下，系统控制器130基于接下来的通常扇区的BER或者OW来设定接下来的通常扇区以及接下来的短扇区的调整BPI或者调整能力，在到达接下来的通常扇区的数据部之前将接下来的通常扇区以及接下来的短扇区的当前的BPI或者当前的记录能力调整为调整BPI或者调整能力，结束处理。
根据第2实施方式，磁盘装置1在通过读取前导、伺服标记以及格雷码等来取得了扇区编号的情况下，基于接下来的通常扇区的BER或者OW来设定接下来的通常扇区以及接下来的短扇区的调整BPI或者调整能力，在到达接下来的通常扇区的数据部之前将接下来的通常扇区以及接下来的短扇区的当前的BPI或者当前的记录能力调整为调整BPI或者调整能力。因此，磁盘装置1能够提高访问性能。
(变形例3)
变形例3涉及的磁盘装置1与第2实施方式的磁盘装置大致是同等的构成，但写数据特性值的调整方法与第2实施方式的磁盘装置1不同。
数据控制部620在包含通常扇区以及短扇区的磁道中在通常扇区以及短扇区分别设定(或者算出)调整特性值(调整BPI或者调整能力)，在通常扇区以及短扇区将当前的写数据特性值(BPI或者记录能力)分别调整为调整特性值。
例如，数据控制部620在访问磁道的当前的通常扇区中基于当前的短扇区的BER或者OW来设定当前的短扇区的调整BPI或者调整能力，在到达当前的短扇区的数据部之前将当前的短扇区的当前的BPI或者当前的记录能力调整(修正或者设定)为调整BPI或者调整能力。数据控制部620在访问磁道的当前的短扇区中基于接下来的通常扇区的BER或者OW来设定接下来的通常扇区的调整BPI或者调整能力，在到达接下来的通常扇区的数据部之前将接下来的通常扇区的当前的BPI或者记录能力调整(修正或者设定)为调整BPI或者调整能力。
图34是表示变形例3涉及的写数据特性值的调整处理的一个例子的图。图34与图32大致是同等的，但数据部的BPI不同。在图34中示出数据部DS5的写数据特性值、例如记录密度(BPI)DN3、数据部DS6的BPI DN4、数据部DS7的BPI DN5、数据部DS8的BPI DN6。BPI DN4～DN6分别不同。例如，BPI DN5比BPI DN4大，BPI DN6比BPI DN5大，BPI DN7比BPI DN6大，BPI DN8比BPI DN7大。此外，BPI DN4～DN6也可以相同。
数据控制部620在磁道TRm的通常扇区(当前的通常扇区)NSC1中基于短扇区(当前的短扇区)SSC1的数据部DS6的BER或者OW来设定数据部DS6的调整BPI DN4，在到达数据部DS6之前将数据部DS6的当前的BPI调整为调整BPI DN4。在图34所示的例子中，数据控制部620在通常扇区NSC1中在到达定时ST12之前基于短扇区SSC1的数据部DS6的BER或者OW来设定数据部DS6的调整BPI DN4，在定时ST12开始从数据部DS6的当前的BPI向调整BPI DN4的调整，从定时ST12起在时间间隔DT2内完成从数据部DS6的当前的BPI向调整BPI DN4的调整。
数据控制部620在短扇区SSC1中基于通常扇区NSC2的数据部DS7的BER或者OW来设定数据部DS7的调整BPI DN5，在到达数据部DS7之前将数据部DS7的当前的BPI调整为调整BPI DN5。在图34所示的例子中，数据控制部620在短扇区SSC1中在到达定时ST14之前基于通常扇区NSC2的数据部DS7的BER或者OW来设定数据部DS7的调整BPI DN5，在定时ST14开始从数据部DS7的当前的BPI向调整BPI DN5的调整，从定时ST14起在时间间隔DT3内完成从数据部DS7的当前的BPI向调整BPI DN5的调整。
数据控制部620在通常扇区NSC2中基于短扇区SSC2的数据部DS8的BER或者OW来设定数据部DS8的调整BPI DN6，在到达数据部DS8之前将数据部DS8的当前的BPI调整为调整BPI DN6。在图34所示的例子中，数据控制部620在通常扇区NSC2中在到达定时ST16之前基于短扇区SSC2的数据部DS8的BER或者OW来设定数据部DS8的调整BPI DN6，在定时ST16开始从数据部DS8的当前的BPI向调整BPI DN6的调整，从定时ST16起在时间间隔DT4内完成从数据部DS8的当前的BPI向调整BPI DN6的调整。
通过这样调整BPI，隔着短伺服扇区STS而相邻的2个数据部、例如数据部DS5和DS6的BPI(调整BPI)不同。此外，隔着短伺服扇区STS而相邻的2个数据部、例如数据部DS5和DS6的BPI(调整BPI)也可以相同。夹着通常伺服扇区SS而相邻的2个数据部、例如数据部DS6和DS7的BPI(调整BPI)不同。此外，夹着通常伺服扇区SS而相邻的2个数据部、例如数据部DS6和DS7的BPI(调整BPI)也可以相同。
图35是表示写数据特性值的变动量相对于时间间隔的变化BCL的一个例子的图。在图35中，横轴表示时间间隔，纵轴表示写数据特性值、例如BPI的变动量(以下称为BPI变动量)。在图35的横轴上，时间间隔随着从原点向箭头方向前进而变大。在图35的纵轴上，BPI变动量随着从原点向箭头方向前进而变大。在图35的横轴上，时间间隔DTn与短伺服扇区的宽度对应，时间间隔DTk与通常伺服扇区的宽度对应。时间间隔DTk比时间间隔DTn大。时间间隔DTn例如是90[nsec(纳秒)]，时间间隔DTk例如是310[nsec(纳秒)]。例如，在图35的纵轴上，BPI变动量ΔDn与短伺服扇区的宽度对应，BPI变动量ΔDk与通常伺服扇区的宽度对应。BPI变动量ΔDk比BPI变动量ΔDn大。BPI变动量ΔDn例如为100[ppm(parts permillion，百万分之一)]，BPI变动量ΔDk例如为400[ppm(parts per million)]。
如由图35的BPI变动量相对于时间间隔的的变化BCL所示那样，随着时间间隔变大，BPI变动量也变大。由于与短伺服扇区STS对应的时间间隔DTn比与通常伺服扇区SS的宽度对应的时间间隔DTk小，因此，BPI变动量ΔDn比BPI变动量ΔDk小。因此，数据控制部620能够在包含通常扇区以及短扇区的磁道中，与短扇区相比在通常扇区使写数据特性值(BPI或者记录能力)较大地变化。
图36是表示变形例3涉及的写数据特性值的调整方法的一个例子的流程图。
系统控制器130判定是为通常伺服扇区、还是为短伺服扇区(B3601)。在判定为是通常伺服扇区的情况下(B3601的通常伺服扇区)，系统控制器130在与通常伺服扇区的宽度对应的时间间隔调整写数据特性值、例如BPI(B3602)，结束处理。在判定为是短伺服扇区的情况下(B3601的短伺服扇区)，系统控制器130在与比通常伺服扇区的宽度小的短伺服扇区的宽度对应的时间间隔调整写数据特性值、例如BPI(B3603)，结束处理。
根据第2实施方式，磁盘装置1在访问磁道的当前的通常扇区中基于当前的短扇区的BER或者OW来设定当前的短扇区的调整BPI或者调整能力，在到达当前的短扇区的数据部之前将当前的短扇区的当前的BPI或者当前的记录能力调整(修正或者设定)为调整BPI或者调整能力。磁盘装置1在当前的短扇区中基于接下来的通常扇区的BER或者OW来设定接下来的通常扇区的调整BPI或者调整能力，在到达接下来的通常扇区的数据部之前将接下来的通常扇区的当前的BPI或者记录能力调整(修正或者设定)为调整BPI或者调整能力。因此，磁盘装置1能够提高访问性能。
以上对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。

Claims (18)

1.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，其在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录密度，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录密度，
所述第1记录密度和在所述第1磁道中在与所述第1扇区相邻的第3扇区写入的数据的第3记录密度不同。
2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述第1重写比基准值高，所述第2重写比所述基准值低。
3.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述第1重写比基准值低，所述第2重写比所述基准值高。
4.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器以所述第1扇区对所述第3扇区设定所述第3记录密度。
5.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器在从与所述第1磁道不同的第2磁道向所述第1磁道的所述第1扇区的寻道期间对所述第1扇区设定所述第1记录密度。
6.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器对在所述第1磁道中与所述第3扇区相邻、且包含比所述第3扇区的第1伺服扇区短的第2伺服扇区的第4扇区设定所述第3记录密度。
7.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器以所述第3扇区对在所述第1磁道中与所述第3扇区相邻、且包含比所述第3扇区的第1伺服扇区短的第2伺服扇区的第4扇区设定与所述第3记录密度不同的第4记录密度。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的磁盘装置，
所述控制器以正弦波逼近的方式算出并保持所述第1磁道内的记录密度的变化。
9.根据权利要求8所述的磁盘装置，
所述控制器在执行所述正弦波逼近时对所述记录密度的变化的相位、振幅以及周期个别地进行调整。
10.根据权利要求1～7中任一项所述的磁盘装置，
所述控制器对比所述第1磁道内的记录密度的变化的第1周期大的、与所述第1磁道相比位于内侧的第3磁道内的记录密度的变化的第2周期进行调整。
11.一种磁盘装置，具备：
盘；
头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及
控制器，其在所述盘的第1磁道中，在比基准值低的第1重写的第1扇区提高在所述第1扇区中写入的数据的第1记录能力，降低在比所述基准值高的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录能力，
所述第1记录能力和在所述第1磁道中在与所述第1扇区相邻的第3扇区写入的数据的第3记录能力不同。
12.根据权利要求11所述的磁盘装置，
所述控制器对在所述第1磁道中与所述第3扇区相邻、且包含比所述第3扇区的第1伺服扇区短的第2伺服扇区的第4扇区设定所述第3记录能力。
13.根据权利要求11所述的磁盘装置，
所述控制器以所述第3扇区对在所述第1磁道中与所述第3扇区相邻、且包含比所述第3扇区的第1伺服扇区短的第2伺服扇区的第4扇区设定与所述第3记录能力不同的第4记录能力。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的磁盘装置，
所述控制器以正弦波逼近的方式算出并保持所述第1磁道内的记录能力的变化。
15.根据权利要求11所述的磁盘装置，
所述控制器使对所述第1记录能力以及所述第2记录能力进行变更的定时分别在伺服门内同步。
16.根据权利要求11～13中任一项所述的磁盘装置，
所述第1记录能力以及所述第2记录能力包括过冲、模式依赖写入的1T Boost、高频辅助记录型式的偏置电压以及热辅助记录型式的偏置电压。
17.根据权利要求11～13中任一项所述的磁盘装置，
所述控制器对比所述第1磁道内的记录能力的变化的第1周期大的、与所述第1磁道相比位于内侧的第2磁道内的记录能力的变化的第2周期进行调整。
18.一种写数据的调整方法，应用于具备盘和头的磁盘装置，所述头对所述盘写入数据，从所述盘读取数据，所述调整方法包括：
在所述盘的第1磁道中，在第1重写的第1扇区中提高在所述第1扇区写入的数据的第1记录密度，
在所述盘的第1磁道中，降低在与所述第1重写不同的第2重写的第2扇区写入的数据的第2记录密度，
所述第1记录密度和在所述第1磁道中在与所述第1扇区相邻的第3扇区写入的数据的第3记录密度不同。
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