CN115938401A - 磁盘装置及记录型式的变更方法 - Google Patents

Abstract

提供能够提高可靠性的磁盘装置及记录型式的变更方法。本实施方式的磁盘装置具备：盘；头，其具有从所述盘读取数据的读取头、向所述盘写入数据的写入头以及产生提高所述写入头的写入性能的能量的辅助元件；以及控制器，其对第1记录型式和与所述第1记录型式不同的第2记录型式进行选择来加以执行，根据所述辅助元件的辅助效果，对所述第1记录型式和所述第2记录型式中的任一方进行选择来加以执行。

Description

磁盘装置及记录型式的变更方法

本申请享受以日本专利申请2021-152013号(申请日：2021年9月17日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁盘装置及记录型式的变更方法。

背景技术

为了实现磁盘装置的高记录密度化和高记录容量化，开发了高频(微波)辅助磁记录型式(Microwave Assisted Magnetic Recording:MAMR)、热辅助磁记录(ThermallyAssisted Magnetic Recording:TAMR)型式等。高频辅助记录型式是如下技术：使用具有记录磁极(主磁极)和高频振荡器的磁头，向盘施加通过对高频振荡器进行通电来产生的高频磁场，由此，使施加了高频磁场的盘的部分的矫顽力降低，所述记录磁极通过被施加记录电流来进行励磁而产生记录磁场。热辅助磁记录型式是如下技术：使用具有向盘照射光的光照射元件的磁头，从光照射元件的前端向盘照射光来对盘进行局部的加热，由此，使被进行了加热的盘的部分的矫顽力降低。

另外，具有在盘的半径方向上隔开间隔来进行多个磁道的写入的通常记录(Conventional Magnetic Recording：CMR)型式(或者以往记录型式)的磁盘装置和在盘的半径方向上进行多个磁道的重叠写入的瓦记录(Shingled write Magnetic Recording：SMR、或者Shingled Write Recording：SWR)型式的磁盘装置。近年来，开发了能够对通常记录型式和瓦记录型式进行选择来加以执行的磁盘装置。

发明内容

本发明的实施方式要解决的课题在于，提供能够提高可靠性的磁盘装置及记录型式的变更方法。

本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有从所述盘读取数据的读取头、向所述盘写入数据的写入头以及产生提高所述写入头的写入性能的能量的辅助元件；以及控制器，其对第1记录型式和与所述第1记录型式不同的第2记录型式进行选择来加以执行，根据所述辅助元件的辅助效果，对所述第1记录型式和所述第2记录型式中的任一方进行选择来加以执行。

附图说明

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。

图2是表示第1实施方式涉及的头相对于盘的配置的一个例子的示意图。

图3是表示第1实施方式涉及的盘和头的一个例子的放大剖视图。

图4是表示通常记录处理的一个例子的示意图。

图5是表示瓦记录处理的一个例子的示意图。

图6是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的BER的差分值相对于使用时间的变化的一个例子的示意图。

图7是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的辅助元件电阻值的差分值相对于使用时间的变化的一个例子的示意图。

图8是表示第1实施方式涉及的与辅助元件的寿命相应的对象头的记录型式的变更方法的一个例子的流程图。

图9是表示变形例1涉及的头的一个例子的放大剖视图。

图10是表示变形例2涉及的与辅助元件的寿命相应的对象头的记录型式的变更方法的一个例子的流程图。

图11是表示变形例3涉及的与辅助元件的寿命相应的预定头的记录型式的变更方法的一个例子的流程图。

图12是表示第2实施方式涉及的写入处理方法的一个例子的示意图。

图13是表示变形例4涉及的写入处理方法的一个例子的示意图。

图14是表示第3实施方式涉及的写入处理方法的一个例子的示意图。

图15是表示变形例5涉及的写入处理方法的一个例子的示意图。

标号说明

1磁盘装置、10磁盘、10a用户数据区域、10b介质高速缓存、10c系统区、12主轴马达(SPM)、13臂、14音圈马达(VCM)、15头、15W写入头、15R读取头、20驱动器IC、30头放大器IC、40读/写(R/W)通道、50硬盘控制器(HDC)、60微处理器(MPU)、70易失性存储器、80非易失性存储器、90缓冲存储器、100主机系统(主机)、130系统控制器

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定发明的范围。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。

磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下记载为头放大器IC或者前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90以及作为单个芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。

HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载有头15的臂13以及音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动进行旋转。臂13和VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10和头15分别设置有多个。此外，盘10和头15也可以分别仅设置一个。

盘10对其能够写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a、在将从主机等传输来的数据(或者命令)写入到用户数据区域10a的预定区域之前暂时性地保存或者记录该数据的介质高速缓存(有时也被称为介质高速缓存区域或者保存区域)10b以及写入系统管理所需要的信息的系统区10c。以下，将从盘10的内周朝向外周的方向或者从盘10的外周朝向内周的方向称为半径方向。在半径方向上，将从内周朝向外周的方向称为外方向(外侧)，将从外周朝向内周的方向称为内方向(内侧)。将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。圆周方向相当于沿着盘10的圆周的方向。半径方向和圆周方向彼此正交。另外，有时也将盘10的半径方向上的预定位置称为半径位置，将盘10的圆周方向上的预定位置称为圆周位置。有时也将半径位置和圆周位置一并简称为位置。盘10可以被区分为多个区域。例如，盘10可以在半径方向上被按包括预定数量的磁道的区域(以下有时也称为分区(zone))来进行区分。分区可以在半径方向上按各磁道来进行区分。

此外，“磁道”以将盘10在半径方向上进行区分而得到的多个记录区域中的一个记录区域、盘10的预定半径位置的1周量的记录区域、盘10的预定半径位置的预定记录区域、盘10的在圆周方向上延长的记录区域、与定位于盘10的预定半径位置的头15的路径相当的记录区域、定位于盘10的预定半径位置的头15的路径、将盘10在半径方向上进行区分而得到的多个记录区域中的一个记录区域所写入的数据、盘10的预定半径位置的1周量的记录区域所写入的数据、盘10的预定半径位置的预定记录区域所写入的数据、盘10的在圆周方向上延长的记录区域所写入的数据、与定位于盘10的预定半径位置的头15的路径相当的记录区域所写入的数据、沿着定位于盘10的预定半径位置的头15的路径所写入的数据、在盘10中在圆周方向上延长的数据、盘10的预定磁道所写入的数据、盘10的预定磁道所写入的1周量的数据、盘10的预定磁道所写入的数据的一部分、和/或其它各种含义来使用。“扇区”以将盘10的预定磁道在圆周方向上进行区分而得到的多个记录区域中的一个记录区域、将在盘10的预定半径位置沿着圆周方向延长的记录区域进行区分而得到的多个记录区域中的一个记录区域、盘10的预定磁道的预定记录区域、盘10的预定磁道的预定圆周位置、盘10的预定半径位置处的预定圆周位置(预定位置)、将盘10的预定磁道在圆周方向上进行区分而得到的多个记录区域中的一个记录区域所写入的数据、将在盘10的预定半径位置沿着圆周方向延长的记录区域进行区分而得到的多个记录区域的一个记录区域所写入的数据、盘10的预定磁道的预定记录区域所写入的数据、盘10的预定磁道的预定圆周位置所写入的数据、盘10的预定半径位置处的预定圆周位置(预定位置)所写入的数据、预定扇区所写入的数据、和/或其它各种含义来使用。有时也将“磁道的半径方向上的宽度”称为“磁道宽度”。有时也将“穿过预定磁道中的磁道宽度的中心位置的路径”称为“磁道中央”。有时也将用户数据区域10a所写入的能够由用户利用的数据称为用户数据。

头15与盘10相对向。例如，一个头15与盘10的一个面相对向。头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W向盘10写入数据。读取头15R对写入到盘10的数据进行读取。此外，既有时将“写入头15W”简称为“头15”，也有时将“读取头15R”简称为“头15”，还有时将“写入头15W和读取头15R”一并称为“头15”。有时也将“头15的中心部”称为“头15”，将“写入头15W的中心部”称为“写入头15W”，将“读取头15R的中心部”称为“读取头15R”。既有时将“写入头15W的中心部”简称为“头15”，也有时将“读取头15R的中心部”简称为“头15”。有时也以“将头15定位于预定磁道”、“将头15配置于预定磁道”或者“使头15位于预定磁道”等来表达“将头15的中心部定位于预定磁道的磁道中央”。

图2是表示本实施方式涉及的头15相对于盘10的配置的一个例子的示意图。如图2所示，在圆周方向上，将盘10旋转的方向称为旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向以逆时针方向来表示，但也可以是相反方向(顺时针方向)。

在图2所示的例子中，盘10包括盘10-0……。盘10具有面10S(10S0、10S1、……)。盘10-0具有表面10S0和表面10S0的相反侧的背面10S1。表面10S0具有用户数据区域10a0、介质高速缓存10b0以及系统区10c0。背面10S1具有用户数据区域10a1、介质高速缓存10b1以及系统区10c1。

头15包括多个头15。在图2所示的例子中，头15包括头15-0、头15-1、……。头15与面10S相对向。多个头15分别与多个盘的面10S相对向。在图2所示的例子中，头15-0与表面10S0相对向。头15-0向表面10S0写入数据，从表面10S0读取数据。头15-1与背面10S1相对向。头15-1向背面10S1写入数据，从背面10S1读取数据。此外，头15和盘10也可以设置3个以上。

图3是表示本实施方式涉及的盘10和头15的一个例子的放大剖视图。在图3中，盘10(10-0、……)的旋转方向B与空气流C的方向一致。以下，将从头15(15-0、15-1、……)朝向盘10的方向称为下方向或者简称为下，将从盘10朝向头15的方向称为上方向或者简称为上。在采用了如“预定层上的其它层”和“预定层下的其它层”这样的表达的情况下，其它层既可以与预定层接触，也可以位于从预定层离开的位置。

在图3所示的例子中，盘10依次层叠有基板111、软磁性层112、磁记录层113以及保护膜层114。基板111由圆板状的非磁性体形成。软磁性层112位于基板111上。软磁性层112由呈现软磁特性的材料形成。磁记录层113位于软磁性层112上。磁记录层113在相对于盘10的表面(磁记录层113的表面或者保护膜层114的表面)垂直的方向上具有磁各向异性。保护膜层114位于磁记录层113上。

在图3所示的例子中，头15具备滑块150。滑块150例如由氧化铝和碳化钛的烧结体(AlTiC)形成。滑块150具有与盘10的表面、例如保护膜层114相对向的盘对向面(空气支承面(ABS))151和位于空气流C的流出侧的尾随端153。读取头15R和写入头15W的一部分在盘对向面151露出。

读取头15R由磁性膜161、屏蔽膜162以及屏蔽膜163构成。磁性膜161位于屏蔽膜162与屏蔽膜163之间，产生磁阻效应。屏蔽膜162相对于磁性膜161位于尾随端153侧。屏蔽膜163与屏蔽膜162相对向。磁性膜161、屏蔽膜162以及屏蔽膜163的下端在盘对向面151露出。

写入头15W相对于读取头15R设置在滑块150的尾随端153侧。写入头15W具备主磁极171、尾随屏蔽件(写入屏蔽件)172、绝缘体173、为了向主磁极171流通磁通而以卷绕于包括主磁极171和写入屏蔽件172的磁回路的方式配置的记录线圈180以及辅助元件例如磁通控制部{自旋转矩振荡器(spin torque oscillator：STO)}200。

主磁极171由具有高饱和磁通密度的软磁性体形成。主磁极171为了使盘10的磁记录层113磁化，产生相对于盘10的表面垂直的方向的记录磁场。在图示的例子中，主磁极171相对于盘对向面151大致垂直地延伸出来。主磁极171的盘对向面151侧的前端部171a的下表面在盘对向面151露出。主磁极171的前端部171a朝向盘对向面151以前端变细的方式缩窄，形成为宽度比其它部分窄的柱状。主磁极171的前端部171a的跨磁道(cross track)方向上的宽度与预定磁道的磁道宽度大致对应。跨磁道方向例如是沿着半径方向的方向。

写入屏蔽件172由具有高饱和磁通密度的软磁性体形成。写入屏蔽件172是为了经由主磁极171正下的软磁性层112高效地使磁路闭合而设置的。写入屏蔽件172相对于主磁极171位于尾随端153侧。写入屏蔽件172经由绝缘体173连结于主磁极171。主磁极171和写入屏蔽件172电绝缘，并且，形成磁回路。写入屏蔽件172形成为大致L字形状，在盘对向面151侧具有与主磁极171的前端部171a隔开写入间隙地相对向的前端部172a。前端部172a的下表面在滑块150的盘对向面151露出。

记录线圈180为了向主磁极171流通磁通而设置为卷绕于包括主磁极171和写入屏蔽件172的磁回路。记录线圈180例如设置在主磁极171与写入屏蔽件172之间。通过向记录线圈180供给预定大小的电流(称为写入电流或者记录电流)，在主磁极171和写入屏蔽件172激励记录磁场。因此，主磁极171和写入屏蔽件172被磁化。通过在该磁化了的主磁极171和写入屏蔽件172中流通的磁通使盘10的磁记录层113的记录位(bit)的磁化方向变化，从而在盘10记录与记录电流相应的磁化模式。

辅助元件、例如自旋转矩振荡器(STO)200设置在主磁极171的前端部171a与写入屏蔽件172的前端部172a之间。换言之，辅助元件(STO)200设置于写入间隙。辅助元件(STO)200例如具有如下构造：从主磁极171的前端部171a侧向写入屏蔽件172的前端部172a侧依次层叠了由非磁性导电层形成的基底层、自旋注入层、中间层、振荡层以及由非磁性导电层形成的间隙层。

辅助元件(STO)200对盘10的面10S(10S0、10S1、……)产生提高写入头15W向盘10的写入性能的能量。辅助元件(STO)200通过被施加预定能量(以下有时也称为元件能量)、例如预定电流(以下称为偏置电流、驱动电流或者辅助电流)或者预定电压(以下称为偏置电压、驱动电压或者辅助电压)，利用在写入间隙内产生的间隙磁场，磁化均匀地旋转(自旋的进动)，使得向盘10产生频率比记录信号的频率足够高的高频磁场(微波)。辅助元件(STO)200通过向盘10的磁记录层113施加高频磁场，从而降低磁记录层113的矫顽力。在用辅助元件(STO)200较大地产生了自旋的进动的情况下，辅助元件(STO)200的磁导率成为低到与空气的磁导率同等的状态。因此，来自主磁极171的磁通，与写入间隙(辅助元件200)相比，更容易流向盘10一方。另一方面，在未用辅助元件(STO)200产生自旋的进动或者比通常小地产生了自旋的进动的情况下，辅助元件(STO)200的磁导率成为比空气的磁导率高的状态。因此，来自主磁极171的磁通，与盘10相比，容易流向写入间隙(辅助元件200)一方。以下，有时也将对辅助元件、例如STO200供给元件能量、例如驱动电流(或者有时也称为辅助电流)或者驱动电压(或者有时也称为辅助电压)来写入数据的写入处理称为辅助记录或者高频辅助记录。以下，有时也将对向盘10的写入处理进行辅助的效果称为辅助效果。另外，有时也将“进行辅助记录”简称为“写入”。

驱动器IC20连接于系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)、SPM12以及VCM14，按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制，对SPM12和VCM14的驱动进行控制。

头放大器IC(前置放大器)30具备未图示的读取放大器和写入驱动器。读取放大器对从盘10读取到的读信号进行放大，并输出给系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道40)。写入驱动器例如具备记录电流控制电路310和元件能量控制电路320等。记录电流控制电路310电连接于记录线圈180，向记录线圈180供给与从R/W通道40输出的写数据相应的记录电流。以下，有时也将写入到盘10的数据称为写数据，将从盘10读取的数据称为读数据。例如，记录电流控制电路310按照系统控制器130(MPU60)的控制，向记录线圈180供给记录电流。元件能量控制电路320电连接于辅助元件、例如自旋转矩振荡器200，按照系统控制器130、例如MPU60的控制，向自旋转矩振荡器200施加预定的元件能量、例如预定的辅助电流或者预定的辅助电压。另外，元件能量控制电路320测定辅助元件、例如自旋转矩振荡器200的电阻值(以下有时也称为辅助元件电阻值)。

易失性存储器70是当电力供给被切断时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的各部中的处理所需要的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机访问存储器)。

非易失性存储器80是即使电力供给被切断，也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory：FROM)。

缓冲存储器90是暂时性地记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器90也可以与易失性存储器70构成为一体。缓冲存储器90例如为DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机访问存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机访问存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻随机访问存储器)等。

系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50以及微处理器(MPU)60。R/W通道40、HDC50以及MPU60分别相互电连接。系统控制器130例如电连接于驱动器IC20、头放大器IC60、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机系统100等。

R/W通道40按照来自后述的MPU60的指示，执行从盘10向主机100传输的数据、例如读数据和从主机100传输的数据、例如写数据的信号处理。R/W通道40例如电连接于头放大器IC30、HDC50以及MPU60等。R/W通道40具有对写数据进行调制的电路或者功能。另外，R/W通道40具有测定读数据的信号品质的电路或者功能。

HDC50按照来自后述的MPU60的指示，对主机100与R/W通道40之间的数据传输进行控制。HDC50例如电连接于R/W通道40、MPU60、易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等。

MPU60是对磁盘装置1的各部进行控制的主控制器。MPU60经由驱动器IC20对VCM14进行控制，执行头15的定位。MPU60对向盘10写入数据的写动作进行控制，并且，选择从主机100传输的数据、例如写数据的保存目的地。另外，MPU60对从盘10读取数据的读动作进行控制，并且，对从盘10向主机100传输的数据、例如读数据的处理进行控制。另外，MPU60对记录数据的区域进行管理。MPU60与磁盘装置1的各部连接。MPU60例如电连接于驱动器IC20、R/W通道40以及HDC50等。

MPU60具备能量控制部610、电阻值测定部620、读/写控制部630以及寿命管理部640等。MPU60在固件上执行各部、例如能量控制部610、电阻值测定部620、读/写控制部630以及寿命管理部640等的处理。此外，MPU60也可以将各部、例如能量控制部610、电阻值测定部620、读/写控制部630以及寿命管理部640等作为电路来具备。

能量控制部610对向头15供给的能量进行控制(或者调整)。能量控制部610对向记录线圈180供给(或者施加)的记录电流和向辅助元件供给(或者施加)的元件能量进行控制(或者调整)。

能量控制部610对经由记录电流控制电路310向记录线圈180供给(或者施加)的能量、例如记录电流或者记录电压进行控制(或者调整)。能量控制部610对经由记录电流控制电路310向分别搭载于多个头15、例如头15-0、头15-1、……的多个记录线圈180供给(或者施加)的能量、例如记录电流或者记录电压进行控制(或者调整)。

能量控制部610对经由元件能量控制电路320向辅助元件、例如STO200供给(或者施加)的元件能量、例如辅助电流或者辅助电压进行控制(或者调整)。能量控制部610对经由元件能量控制电路320向分别搭载于多个头15、例如头15-0、头15-1、……的多个辅助元件、例如STO200供给(或者施加)的元件能量、例如辅助电流或者辅助电压进行控制(或者调整)。

电阻值测定部620测定头15的各部的电阻值。电阻值测定部620测定辅助元件、例如STO200的辅助元件电阻值。电阻值测定部620经由头放大器IC30的元件能量控制电路320，测定辅助元件、例如STO200的辅助元件电阻值。辅助元件电阻值例如随着辅助元件200的劣化而变大。换言之，辅助元件电阻值例如随着辅助元件200的寿命变短而变大。也即是，辅助元件电阻值例如随着辅助元件200的辅助效果降低而变大。电阻值测定部620经由元件能量控制电路320测定与分别搭载于多个头15、例如头15-0、头15-1、……的多个辅助元件、例如STO200分别对应的多个辅助元件电阻值。

读/写控制部630按照来自主机100等的命令等，对数据的写处理和读处理进行控制。读/写控制部630在从主机100等接受到命令的情况下，执行向预定区域写入数据的写处理。读/写控制部630在从主机100等接受到命令的情况下，执行从预定区域读取数据的读处理。读/写控制部630经由驱动器IC20对VCM14进行控制，将头15定位于盘10的目标位置，执行写处理或者读处理。以下，有时也以包括“向预定区域记录或者写入数据(或者写处理)”、“从预定区域读出或者读取数据(或者读处理)”、“使头15等移动至预定区域”的含义使用“访问”这一术语。

读/写控制部630例如以通常记录(Conventional Magnetic Recording：CMR)型式执行写处理，该通常记录型式为如下型式：从预定磁道或者预定扇区在半径方向上隔开预定间隔(间隙)来向与该磁道或者该扇区相邻的其它磁道(以下有时也称为相邻磁道)或者其它扇区(以下有时也称为相邻扇区)写入数据或者随机地写入数据。在此，“相邻”当然包括数据、物体、区域以及空间等相接地排列，但也包括隔开预定间隔地排列。“相邻磁道”包括“与预定磁道在外方向上相邻的磁道”、“与预定磁道在内方向上相邻的磁道”、以及“与预定磁道在外方向和内方向上相邻的多条磁道”。“相邻扇区”包括“与预定扇区在外方向上相邻的扇区”、“与预定扇区在内方向上相邻的扇区”以及“与预定扇区在外方向和内方向上相邻的多个扇区”。以下，有时也将“以通常记录型式写入数据”称为“进行通常记录”、“执行通常记录处理”，或者简称为“写入”。以下，有时也将“进行了通常记录的磁道”称为“CMR磁道”。

另外，读/写控制部630以瓦记录(Shingled write Magnetic Recording：SMR、或者Shingled Write Recording：SWR)型式执行写入处理，该瓦记录型式为如下型式：在顺序地进行多个磁道的写入时，对前一个进行了写入的磁道的半径方向上的一部分进行接下来要写入的磁道的重叠写入。以下，有时也将“以瓦记录型式写入数据”称为“瓦记录”或者“执行瓦记录处理”，或者简称为“写入”。以下，有时也将“进行了瓦记录的磁道”称为“SMR磁道”。读/写控制部630在对用户数据区域10a进行瓦记录的情况下，将从主机100等传输来的数据暂时性地写入到介质高速缓存10b，读取暂时性地写入到介质高速缓存10b的数据，将从介质高速缓存10b读取到的数据写入到用户数据区域10a。

读/写控制部630按照来自主机100的命令等，执行通常记录处理或者执行瓦记录处理。换言之，读/写控制部630按照来自主机100的命令等，选择性地执行通常记录处理和瓦记录处理。此外，读/写控制部630既可以构成为仅执行通常记录处理，也可以构成为仅执行瓦记录处理。例如，读/写控制部630能够按照来自主机100的命令等，对多个头15、例如头15-0、头15-1、……分别选择性地执行通常记录处理或者瓦记录处理。此外，磁盘装置1中，有用户能够详细地设定执行通常记录处理和瓦记录处理的区域的主机管理磁盘装置、和用户无法设定执行通常记录处理和瓦记录处理的区域的驱动器管理磁盘装置。

图4是表示通常记录处理的一个例子的示意图。在图4中示出行进方向。有时也将在圆周方向上头15顺序地对盘10进行数据的写入以及读取的方向、也即是在圆周方向上头15相对于盘10行进的方向称为行进方向。例如，行进方向是与盘10的旋转方向相反的方向。此外，行进方向也可以是与盘10的旋转方向相同的方向。在图4中示出CMR磁道CTR1、CTR2以及CTR3。在图4中，例如CMR磁道CTR1、CTR2以及CTR3的磁道宽度相同。此外，CMR磁道CTR1～CTR3的磁道宽度也可以不同。“相同”、“同一”、“一致”以及“同等”等术语当然包括完全相同这一含义，但也包括在可视为实质上相同的程度上不同这一含义。在图4中示出CMR磁道CTR1的磁道中央CTC1、CMR磁道CTR2的磁道中央CTC2以及CMR磁道CTR3的磁道中央CTC3。在图4所示的例子中，CMR磁道CTR1和CTR2被以磁道间距CTP1进行写入。CMR磁道CTR2和CTR3被以磁道间距CTP2进行写入。CMR磁道CTR1的磁道中央CTC1与CMR磁道CTR2的磁道中央CTC2相距磁道间距CTP1。CMR磁道CTR2的磁道中央CTC2与磁道CTR3的磁道中央CTC3相距磁道间距CTP2。磁道间距CTP1和CTP2既可以不同，也可以相同。以下，有时也将对磁道进行写入时的磁道间距称为记录间距。CMR磁道CTR1和CMR磁道CTR2以间隙GP1分离。CMR磁道CTR2和CMR磁道CTR3以间隙GP2分离。间隙GP1和GP2既可以不同，也可以相同。在图4中，为了便于说明，将各磁道表示为以预定的磁道宽度在圆周方向上延伸的长方形状，但实际上沿着圆周方向弯曲。另外，各磁道也可以是一边在半径方向上变动、一边在圆周方向上延伸的波状。

在图4所示的例子中，读/写控制部630在盘10的预定区域、例如用户数据区域10a中，将头15定位于磁道中央CTC1来对CMR磁道CTR1或者CMR磁道CTR1的预定扇区进行通常记录。读/写控制部630在用户数据区域10a中，将头15定位于从CMR磁道CTR1的磁道中央CTC1向内方向离开了记录间距CTP1的磁道中央CTC2，对CMR磁道CTR2或者CMR磁道CTR2的预定扇区进行通常记录。读/写控制部630在用户数据区域10a中，将头15定位于从CMR磁道CTR2的磁道中央CTC2向内方向离开了记录间距CTP2的磁道中央CTC3，对CMR磁道CTR3或者CMR磁道CTR3的预定扇区进行通常记录。读/写控制部630在盘10的预定区域、例如用户数据区域10a中，既可以顺序地对CMR磁道CTR1、CTR2、以及CTR3进行通常记录，也可以随机地对CMR磁道CTR1的预定扇区、CMR磁道CTR2的预定扇区以及CMR磁道CTR3的预定扇区进行通常记录。

图5是表示瓦记录处理的一个例子的示意图。在图5中示出了顺向。有时也将在半径方向上连续地对多个磁道进行瓦记录的方向、也即是在半径方向上对前一个进行了写入的磁道重叠接下来要写入的磁道的方向称为顺向。在图5中，在半径方向上将内方向作为了顺向，但也可以在半径方向上将外方向作为顺向。在图5中示出在半径方向上沿着一个方向连续地进行了重叠写入的多个SMR磁道STR1、STR2以及STR3。以下，在瓦记录中，有时也将通过写入头15W写入了数据的区域称为写磁道，将在预定磁道中进行了其它写磁道的重叠写入的区域以外的其余区域称为读磁道。在图5中示出没有进行其它SMR磁道的重叠写入的情况下的SMR磁道STR1的磁道中央STC1、没有进行其它SMR磁道的重叠写入的情况下的SMR磁道STR2的磁道中央STC2以及没有进行其它SMR磁道的重叠写入的情况下的SMR磁道STR3的磁道中央STC3。在图5所示的例子中，SMR磁道STR1和STR2被以磁道间距(记录间距)STP1进行写入。SMR磁道STR2和STR3被以磁道间距(记录间距)STP2进行写入。SMR磁道(或者写磁道)STR1的磁道中央STC1与SMR磁道(或者写磁道)STR2的磁道中央STC2相距记录间距STP1。SMR磁道STR2的磁道中央STC2与SMR磁道STR3的磁道中央STC3相距记录间距STP2。记录间距STP1和STP2既可以不同，也可以相同。在图5中，在SMR磁道STR1中没有进行SMR磁道STR2的重叠写入的区域(读磁道)的半径方向上的宽度与在SMR磁道STR2中没有进行SMR磁道STR3的重叠写入的区域(读磁道)的半径方向上的宽度相同。此外，在SMR磁道STR1中没有进行SMR磁道STR2的重叠写入的区域(读磁道)的半径方向上的宽度与在SMR磁道STR2中没有进行SMR磁道STR3的重叠写入的区域(读磁道)的半径方向上的宽度也可以不同。在图5中，为了便于说明，将各磁道表示为了以预定的磁道宽度在圆周方向上延伸的长方形状，但实际上沿着圆周方向弯曲。另外，各磁道也可以是一边在半径方向上变动、一边在圆周方向上延伸的波状。此外，在图5中，对三条磁道进行了重叠写入，但也可以对小于三条或者多于三条的磁道进行重叠写入。

在图5所示的例子中，读/写控制部630向内方向顺序地对SMR磁道STR1～STR3进行瓦记录。此外，读/写控制部630也可以向外方向顺序地对SMR磁道STR1～STR3进行瓦记录。读/写控制部630在SMR磁道STR1的内方向上以记录间距STP1进行SMR磁道STR2的写入，对SMR磁道STR1的内方向上的一部分进行磁道STR2的重叠写入。读/写控制部630在SMR磁道STR2的内方向上以记录间距STP2进行SMR磁道STR3的写入，对SMR磁道STR2的内方向上的一部分进行SMR磁道STR3的重叠写入。此外，读/写控制部630也可以在SMR磁道STR1的外方向上以记录间距STP1进行SMR磁道STR2的写入，对SMR磁道STR1的内方向上的一部分进行磁道STR2的重叠写入。读/写控制部630也可以在SMR磁道STR2的外方向上以记录间距STP2进行SMR磁道STR3的写入，对SMR磁道STR2的内方向上的一部分进行SMR磁道STR3的重叠写入。

读/写控制部630向记录线圈180供给记录电流来对主磁极171和写入屏蔽件172激励记录磁场，向辅助元件、例如STO200供给元件能量、例如辅助电流或者辅助电压来使得产生高频磁场，对盘10的预定区域写入(辅助记录)数据。此外，读/写控制部630也可以向记录线圈180供给记录电流来对主磁极171和写入屏蔽件172激励记录磁场，通过不向辅助元件、例如STO200供给元件能量、例如辅助电流或者辅助电压来以没有辅助效果的方式向盘10的预定区域写入数据。读/写控制部630对向分别搭载于多个头15、例如头15-0、头15-1、……、的多个记录线圈180供给的记录电流分别进行调整，对向分别搭载于多个头15、例如头15-0、头15-1、……、的辅助元件200、例如STO200供给的元件能量、例如辅助电流或者辅助电压进行调整。

读/写控制部630能够以辅助记录方式选择性地执行通常记录或者瓦记录。以下，有时也将“以辅助记录方式执行通常记录”称为“辅助/通常记录”。有时也将“执行辅助/通常记录”简称为“辅助记录”、“通常记录”或者“写入”。有时也将“不执行辅助记录而执行通常记录”简称为“通常记录”或者“写入”。另外，有时也将“以辅助记录方式执行瓦记录”称为“辅助/瓦记录”。有时也将“执行辅助/瓦记录”简称为“辅助记录”、“瓦记录”或者“写入”。有时也将“不执行辅助记录而执行瓦记录”简称为“瓦记录”或者“写入”。读/写控制部630对多个头、例如头15-0、头15-1、……、分别选择性地执行辅助/通常记录或者辅助/瓦记录。

寿命管理部640对头15、例如辅助元件200的寿命进行管理。辅助元件200的寿命例如相当于到辅助效果消失为止的期间、到辅助效果降低到预定量为止的期间、到变为无法使用辅助元件200为止的期间、辅助元件200的耐久性下降到预定程度的期间、或者辅助元件200的劣化量劣化到预定值的期间等。寿命管理部640对与辅助元件200的寿命对应的评价指标进行测定。寿命管理部640对与分别搭载于多个头15、例如头15-0、15-1、……、的多个辅助元件200的寿命分别对应的多个评价指标进行测定。辅助元件200可能根据磁盘装置1或者辅助元件200的使用次数、和磁盘装置1或者辅助元件200的使用时间而劣化。也即是，辅助元件200的寿命根据磁盘装置1或者辅助元件200的使用次数、和磁盘装置1或者辅助元件200的使用时间而变短。因此，评价指标根据磁盘装置1或者辅助元件200的使用次数、和磁盘装置1或者辅助元件200的使用时间而劣化。评价指标例如包括用预定头15进行了写入的数据的记录品质、例如位错误率(BER)以及搭载于预定头15的辅助元件200的辅助元件电阻值。

寿命管理部640在判定为了与搭载于多个头15中的预定头15(以下有时也称为对象头)的预定的辅助元件(以下有时也称为对象辅助元件)200对应的评价指标(以下有时也称为对象评价指标)比表示对象辅助元件200的寿命减少或者劣化的征兆的阈值(以下有时也称为指标阈值或者对象指标阈值)大(或者超过了该阈值)的情况下，输出表示对象辅助元件200的寿命减少或者劣化的征兆的信号(以下有时也称为劣化信号)。例如，寿命管理部640在判定为了与搭载对象辅助元件200的对象头15对应的BER(以下有时也称为对象BER)比表示对象辅助元件200的寿命减少或者劣化的征兆的与BER对应的阈值(以下有时称为BER阈值或者对象BER阈值)大(或者超过了该阈值)的情况下，输出劣化信号。例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的辅助元件电阻值(以下有时也称为对象辅助元件电阻值)比表示对象辅助元件200的寿命减少或者劣化的征兆的与电阻值对应的阈值(以下有时也称为电阻阈值或者对象电阻阈值)大(或者超过了该阈值)的情况下，输出劣化信号。评价阈值包括BER阈值和电阻阈值。

寿命管理部640根据与对象辅助元件200对应的对象评价指标，输出催促对与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式进行变更的信号(以下有时也称为记录型式变更信号)。寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标比对象指标阈值大(或者超过了该对象指标阈值)的情况下，输出催促将与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式变更为瓦记录型式的信号(以下有时也称为瓦记录变更信号)。寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的评价指标为指标阈值以下的情况下，输出催促将与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式变更为通常记录型式的信号(以下有时也称为通常记录变更信号)。记录型式变更信号包括瓦记录变更信号和通常记录变更信号。

在瓦记录处理中，与通常记录处理相比，不执行随机写入，或者执行对因来自写入了数据时的头15的磁通泄漏等所导致的影响(Adjacent Track Interference(邻近磁道干扰)：ATI)而发生了劣化的数据进行重写的处理(以下有时也称为刷新处理)的频度少。因此，与执行通常记录处理相比，执行瓦记录处理一方更能够抑制头15的使用频度。因此，与执行通常记录处理相比，执行瓦记录处理一方更能够延长头15的辅助元件200的寿命。

例如，寿命管理部640根据与搭载对象辅助元件200的对象头15对应的对象BER，输出与对象辅助元件200对应的记录型式变更信号。例如，寿命管理部640在判定为了与搭载对象辅助元件200的对象头15对应的对象BER比对象BER阈值大(或者超过了该对象BER阈值)的情况下，输出与对象辅助元件200对应的瓦记录变更信号。例如，寿命管理部640在判定为了与搭载对象辅助元件200的对象头15对应的对象BER为对象BER阈值以下的情况下，输出与对象辅助元件200对应的通常记录变更信号。

例如，寿命管理部640根据与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值，输出与对象辅助元件200对应的记录型式变更信号。例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值超过了对象电阻阈值的情况下，输出瓦记录变更信号。例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值为对象电阻阈值以下的情况下，输出通常记录变更信号。

寿命管理部640根据与对象辅助元件200对应的对象评价指标，经由读/写控制部630对与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式进行变更。寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标比指标阈值大(或者超过了该指标阈值)的情况下，经由读/写控制部630将与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用与对象辅助元件200对应的对象头15执行瓦记录处理。寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标为对象指标阈值以下的情况下，经由读/写控制部630将与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式从瓦记录型式变更为通常记录型式，用与对象辅助元件200对应的对象头15执行通常记录处理。

例如，寿命管理部640根据与搭载对象辅助元件200的对象头15对应的BER，经由读/写控制部630对与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式进行变更。例如，寿命管理部640在判定为了与搭载对象辅助元件200的对象头15对应的对象BER比对象BER阈值大(或者超过了该对象BER阈值)的情况下，经由读/写控制部630将与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用与对象辅助元件200对应的对象头15执行瓦记录处理。例如，寿命管理部640在判定为了与搭载对象辅助元件200的对象头15对应的对象BER为对象BER阈值以下的情况下，经由读/写控制部630将与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式从瓦记录型式变更为通常记录型式，用与对象辅助元件200对应的对象头15执行通常记录处理。

例如，寿命管理部640根据与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值，经由读/写控制部650对与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式进行变更。例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值比对象电阻阈值大(或者超过了该对象电阻阈值)的情况下，经由读/写控制部650将与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用与对象辅助元件200对应的对象头15执行瓦记录处理。例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值为对象电阻阈值以下的情况下，经由读/写控制部650将与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式从瓦记录型式变更为通常记录型式，用与对象辅助元件200对应的对象头15执行通常记录处理。

图6是表示本实施方式涉及的磁盘装置1的BER的差分值相对于使用时间的变化的一个例子的示意图。在图6中，横轴表示磁盘装置1(预定头15或者预定的辅助元件200)的使用时间(或者使用次数)，纵轴表示与磁盘装置1的预定头15对应的磁盘装置1(预定头15或者预定的辅助元件200)的使用开始时的BER和当前的BER的差分值(以下有时也称为BER差分值)ΔBER。在图6的纵轴上，BER差分值随着向箭头的前端侧前进而变大，随着向与箭头的前端相反侧前进而变小。在图6的纵轴示出评价阈值、例如BER阈值ThB。在图6的横轴上，使用时间随着向箭头的前端侧前进而经过。在图6的横轴中示出与评价阈值、例如BER阈值ThB对应的使用时间T0(或者使用次数)。在图6中示出对盘10进行了通常记录的情况下的BER差分值(ΔBER)相对于磁盘装置1(预定头15或者预定辅助元件200)的使用时间(或者使用次数)的变化(以下有时也称为通常记录时的BER差分值的变化)BL1、和对盘10进行了瓦记录的情况下的BER差分值(ΔBER)相对于磁盘装置1(预定头15或者预定辅助元件200)的使用时间(或者使用次数)的变化(以下有时也称为瓦记录时的BER差分值的变化)BL2。通常记录时的BER差分值的变化BL1和瓦记录时的BER差分值的变化BL2包括与BER阈值ThB对应的点A。

在图6所示的例子中，瓦记录时的BER差分值的变化BL2的变化从点A起比通常记录时的BER差分值的变化BL1缓和地变化。也即是，在与预定头15对应的BER差分值超过了BER阈值ThB的情况下，通过将该头15的记录型式从通常记录型式向瓦记录型式进行变更，能够使与该头15对应的BER差分值的变化缓和。在与预定头15对应的BER差分值超过了BER阈值ThB的情况下，通过将该头15的记录型式从通常记录型式向瓦记录型式进行变更，能够延长搭载于该头15的辅助元件200的寿命。因此，在与预定头15对应的BER差分值超过了BER阈值的情况下，通过将该头15的记录型式从通常记录型式向瓦记录型式进行变更，能够延长搭载于该头15的磁盘装置1的寿命。

图7是表示本实施方式涉及的磁盘装置1的辅助元件电阻值的差分值相对于使用时间的变化的一个例子的示意图。在图7中，横轴表示磁盘装置1(预定头15或者预定辅助元件200)的使用时间(或者使用次数)，纵轴表示与搭载于磁盘装置1的预定头15的预定辅助元件200对应的磁盘装置1(预定头15或者预定辅助元件200)的使用开始时的辅助元件电阻值和当前的辅助元件电阻值的差分值(以下有时也称为电阻差分值)ΔR。在图7的纵轴上，电阻差分值随着向箭头的前端侧前进而变大，随着向与箭头的前端相反侧前进而变小。在图7的纵轴示出评价阈值、例如电阻阈值ThR。在图7的横轴上，使用时间随着向箭头的前端侧前进而经过。在图7的横轴示出与评价阈值、例如电阻阈值ThR对应的使用时间T1(或者使用次数)。在图7示出对盘10进行了通常记录的情况下的电阻差分值(ΔR)相对于磁盘装置1(预定头15或者预定辅助元件200)的使用时间(或者使用次数)的变化(以下有时也称为通常记录时的电阻差分值的变化)RL1、和对盘10进行了瓦记录的情况下的电阻差分值(ΔR)相对于磁盘装置1(预定头15或者预定辅助元件200)的使用时间(或者使用次数)的变化(以下有时也称为瓦记录时的电阻差分值的变化)RL2。通常记录时的电阻差分值的变化RL1和瓦记录时的电阻差分值的变化RL2包括与电阻阈值ThR对应的点B。

在图7所示的例子中，瓦记录时的电阻差分值的变化RL2的变化从点B起比通常记录时的电阻差分值的变化RL1缓和地变化。也即是，在与预定头15的预定辅助元件200对应的电阻差分值超过了电阻阈值ThR的情况下，通过将该头15的记录型式从通常记录型式向瓦记录型式进行变更，能够使与该辅助元件200对应的电阻差分值的变化缓和。在与预定头15的预定辅助元件200对应的电阻差分值超过了电阻阈值ThR的情况下，通过将该头15的记录型式从通常记录型式向瓦记录型式进行变更，能够延长搭载于该头15的辅助元件200的寿命。因此，在与预定头15对应的电阻差分值超过了电阻阈值ThR的情况下，通过将该头15的记录型式从通常记录型式向瓦记录型式进行变更，能够延长搭载于该头15的磁盘装置1的寿命。

图8是表示本实施方式涉及的与辅助元件200的寿命相应的对象头15的记录型式的变更方法的一个例子的流程图。

MPU60用多个头15中的对象头15对盘10的预定区域执行辅助/通常记录处理(B801)。MPU60判定与对象头15对应的对象评价指标是比对象指标阈值大、还是为对象指标阈值以下(B802)。例如，MPU60判定与对象头15对应的BER(或者BER差分值)是比BER阈值大、还是为BER阈值以下。例如，MPU60判定与搭载于对象头15的对象辅助元件200对应的辅助元件电阻值是比电阻阈值大、还是为电阻阈值以下。

在判定为了对象评价阈值为对象指标阈值以下的情况下(B802：否)，MPU60结束处理。例如在判定为了对象BER(或者BER差分值)为对象BER阈值以下的情况下，MPU60结束处理。例如在判定为了对象辅助元件电阻值为对象电阻阈值以下的情况下，MPU60结束处理。

在判定为了对象评价阈值比对象指标阈值大的情况下(B802：是)，MPU60将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式来用对象头15执行辅助/瓦记录处理(B803)，结束处理。例如在判定为了对象BER(或者BER差分值)比对象BER阈值大的情况下，MPU60将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式来用对象头15执行辅助/瓦记录处理，结束处理。例如在判定为了对象辅助元件电阻值比对象电阻阈值大的情况下，MPU60将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式来用对象头15执行辅助/瓦记录处理，结束处理。

根据本实施方式，磁盘装置1用多个头15中的对象头15对盘10的预定区域执行辅助/通常记录处理。在判定为了与对象头15对应的对象评价指标比对象指标阈值大的情况下，磁盘装置1将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式来用对象头15执行辅助/瓦记录处理。例如在判定为了与对象头15对应的对象BER(或者BER差分值)比对象BER阈值大的情况下，磁盘装置1将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式来用对象头15执行辅助/瓦记录处理，例如在判定为了对象辅助元件电阻值比对象电阻阈值大的情况下，磁盘装置1将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式来用对象头15执行辅助/瓦记录处理。磁盘装置1通过用多个头15中的对象头15在盘10的预定区域中将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式来用对象头15执行辅助/瓦记录处理，不执行随机写入，或者刷新处理的执行频度变少，因此，能够抑制对象头15的使用频度。因此，磁盘装置1能够延长对象头15的寿命。也即是，磁盘装置1的寿命能够延长。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

接着，对第1实施方式的变形例以及其它实施方式涉及的磁盘装置进行说明。在变形例以及其它实施方式中，对与前述的第1实施方式相同的部分赋予同一参照标号，省略其详细的说明。

(变形例1)

变形例1涉及的磁盘装置1能够以热辅助磁记录(Thermally Assisted MagneticRecording:TAMR)型式写入数据，这与第1实施方式的磁盘装置1不同。

图9是表示变形例1涉及的头15的一个例子的放大剖视图。

在图9所示的例子中，滑块150具备写入头15W、读取头15R、光产生元件(例如激光二极管)250、波导255以及近场光照射元件(plasmon generator(等离子体发生器)、nearfield transducer(近场换能器))256。

光产生元件250是(激光)光源，设置在滑块150的上部或者万向架。光产生元件250通过被从头放大器IC30施加电流或者电压等来向波导255供给光。此外，光产生元件250也可以设置在滑块150或者万向架以外的部位。例如，光产生元件250也可以设置在臂13和头15的外部。波导255将光产生元件250产生的光传播到近场光照射元件256。

近场光照射元件256设置于与盘10相对向的滑块150的下端部。近场光照射元件256在向盘10写入数据时，从经由波导255传播来的激光产生近场光，向盘10照射近场光。所照射的近场光对盘10的记录层进行加热，使盘10的记录层的矫顽力降低。近场光照射元件256包括金属部件。此外，也可以代替近场光照射元件256，而具备将从光产生元件250传播的光聚光到盘10的透镜。这样，通过向盘10照射从近场光照射元件256产生的近场光，磁盘装置1能够对作为高矫顽力介质的盘10进行高密度的磁记录。以下，有时也将向光产生元件250供给预定电压或者预定电流来写入数据的写处理称为辅助记录或者热辅助记录。此外，有时也将用于执行热辅助记录的结构、例如光产生元件(例如激光二极管)250、波导255以及近场光照射元件(plasmon generator(等离子体发生器)、near field transducer(近场换能器))256等称为辅助元件200。

近场光照射元件256通过近场光的照射范围(或者有时也称为光斑范围、热分布宽度)，对由写入头15W写入的磁道宽度(或者记录宽度)进行规定。也即是，磁道宽度与近场光的照射范围的宽度对应。例如，在近场光照射元件256以比写入头15W的宽度小的宽度对近场光的照射范围进行了照射的情况下，由写入头15W进行了写入的磁道的磁道宽度可能比写入头15W的宽度小。另外，在近场光照射元件256以比写入头15W的宽度大的宽度对近场光的照射范围进行了照射的情况下，由写入头15W进行了写入的磁道的磁道宽度可能比写入头15W的宽度大。因此，在因照射近场光时产生的热等的原因而近场光照射元件的形状发生了变化的情况下，近场光的照射范围会变动，伴随于此，由写入头15W进行了写入的磁道的磁道宽度会变化。例如在使向光产生元件250供给的电流(偏置电流、驱动电流或者辅助电流)或者电压(称为偏置电压、驱动电压或者辅助电压)增大了的情况下，从近场光照射元件256照射的近场光的强度变大，热辅助效果可能提高，但照射范围也变大，磁道宽度也可能变大。

根据变形例1，磁盘装置1能够以热辅助磁记录(TAMR)型式写入数据。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

(变形例2)

变形例2涉及的磁盘装置1在用对象头15执行瓦记录处理的情况下减小与对象头15对应的辅助电流(或者辅助电压)，这与前述的实施方式以及变形例1涉及的磁盘装置1不同。

MPU60在判定为与搭载于对象头15的对象辅助元件200对应的对象评价指标比对象指标阈值大(或者超过了对象指标阈值)、将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为了瓦记录型式的情况下，将向对象辅助元件200供给的辅助电流(以下有时也称为对象辅助电流)或者辅助电压(以下有时也称为对象辅助电压)变更(或者调整)为比执行通常记录处理时向对象辅助元件200供给的辅助电流(以下有时也称为通常记录辅助电流或者对象通常记录辅助电流)或者辅助电压(以下有时也称为通常记录辅助电压或者对象通常记录辅助电压)小的、执行瓦记录处理时向对象辅助元件200供给的辅助电流(以下有时也称为瓦记录辅助电流或者对象瓦记录辅助电流)或者辅助电压(以下有时也称为瓦记录辅助电压或者对象瓦记录辅助电压)。此时，MPU60将向对象头15的记录线圈180供给的记录电流(以下有时也称为对象记录电流)或者记录电压(以下有时也称为对象记录电压)变更(或者调整)为比执行通常记录处理时向对象头15的记录线圈180供给的记录电流(以下有时也称为通常记录电流或者对象通常记录电流)或者记录电压(以下有时也称为通常记录电压或者对象通常记录电压)大的、执行瓦记录处理时向对象头15的记录线圈180供给的记录电流(以下有时也称为瓦记录电流或者对象瓦记录电流)或者记录电压(以下有时也称为瓦记录电压或者对象瓦记录电压)。从对象通常记录电流(或者对象通常记录电压)变更为了对象瓦记录电流(或者对象瓦记录电压)时的通过对象头15进行了写入的数据的记录品质的变化量(以下有时也称为从通常记录电流(或者通常记录电压)变更为瓦记录电流(或者瓦记录电压)时的记录品质的变化量)相当于从对象通常记录辅助电流(或者对象通常记录辅助电压)变更为了对象瓦记录辅助电流(或者对象瓦记录辅助电压)时的通过对象头15写入的数据的记录品质的变化量(以下有时也称为从通常记录辅助电流(或者通常记录辅助电压)变更为瓦记录辅助电流(或者瓦记录辅助电压)时的记录品质的变化量)。

MPU60在将与对象辅助元件200对应的对象头15的记录型式从通常记录型式变更为了瓦记录型式的情况下，使向对象辅助元件200供给的对象辅助电流或者对象辅助电压从对象通常记录辅助电流或者对象通常记录辅助电压降低为对象瓦记录辅助电流或者对象瓦记录辅助电压，使向对象头15的记录线圈180供给的对象记录电流或者对象记录电压从对象通常记录电流或者对象通常记录电压增大为对象瓦记录电流或者对象瓦记录电压，以使得对因使之从对象通常记录辅助电流或者对象通常记录辅助电压降低为了对象瓦记录辅助电流或者对象瓦记录辅助电压而变化的用对象头15写入了数据时的记录品质的变化量进行补偿。

图10是表示变形例2涉及的与辅助元件200的寿命相应的对象头15的记录型式的变更方法的一个例子的流程图。

MPU60用多个头15中的对象头15对盘10的预定区域执行辅助/通常记录处理(B801)。MPU60判定与对象头15对应的对象评价指标是比对象指标阈值大、还是为对象指标阈值以下(B802)。

在判定为了对象评价阈值为对象指标阈值以下的情况下(B802：否)，MPU60结束处理。

在判定为了对象评价阈值比对象指标阈值大的情况下(B802：是)，MPU60将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式来用对象头15执行辅助/瓦记录处理(B803)。

MPU60使向与对象头15对应的对象辅助元件200供给的对象辅助电流(或者对象辅助电压)从对象通常记录辅助电流(或者对象通常记录辅助电压)降低为对象瓦记录辅助电流(或者对象瓦记录辅助电压)(B1001)。MPU60使向对象头15的记录线圈180供给的对象记录电流(或者对象记录电压)从对象通常记录电流(或者对象通常记录电压)增大为对象瓦记录电流(或者对象瓦记录电压)，以使得对因使之从对象通常记录辅助电流(或者对象通常记录辅助电压)降低为了对象瓦记录辅助电流(或者对象瓦记录辅助电压)而变化的用对象头15写入了数据时的记录品质的变化量进行补偿，结束处理。

根据变形例2，磁盘装置1在将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为了瓦记录型式的情况下，使向与对象头15对应的对象辅助元件200供给的对象辅助电流或者对象辅助电压从对象通常记录辅助电流或者对象通常记录辅助电压降低为对象瓦记录辅助电流或者对象瓦记录辅助电压。磁盘装置1使向对象头15的记录线圈180供给的对象记录电流或者对象记录电压从对象通常记录电流或者对象通常记录电压增大为对象瓦记录电流或者对象瓦记录电压，以使得对因使之从对象通常记录辅助电流或者对象通常记录辅助电压降低为了对象瓦记录辅助电流或者对象瓦记录辅助电压而变化的用对象头15写入了数据时的记录品质的变化量进行补偿。因此，磁盘装置1能够延长对象头15的寿命。也即是，磁盘装置1的寿命能够延长。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

(变形例3)

变形例3涉及的磁盘装置1在用多个头15中的对象头15执行瓦记录处理的情况下，用多个头15中的与对象头15不同的其它头15对介质高速缓存10b进行写入，用对象头15对用户数据区域10a进行写入，这与前述的实施方式以及变形例1涉及的磁盘装置1不同。

MPU60在判定为了与搭载于多个头中的对象头15的对象辅助元件200对应的对象评价指标超过了对象指标阈值、将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为了瓦记录型式的情况下，选择与搭载了评价指标(以下有时也称为其它评价指标)为指标阈值(以下有时也称为其它指标阈值)以下的辅助元件(以下有时也称为其它辅助元件)200的多个头15中的对象头15不同的头(以下有时也称为其它头)15。MPU60用所选择的其它头15对其它头15所相对向的盘10的面(以下有时也称为其它面)的介质高速缓存(以下有时也称为其它介质高速缓存)10b暂时性地写入从主机100等传输来的数据，用其它头15读取在其它介质高速缓存10b所写入的数据，用对象头15将用其它头15从其它介质高速缓存10b读取到的数据辅助/瓦记录到对象头15所相对向的盘10的面(以下有时也称为对象面)的用户数据区域(以下有时也称为对象用户数据区域)10a。

例如，在图2中，MPU60在判定为与搭载于对象头15-0的对象辅助元件200对应的对象评价指标比对象评价阈值大(或者超过了该对象评价阈值)、将对象头15-0的记录型式从通常记录型式变更为了瓦记录型式的情况下，选择搭载了其它评价指标为其它评价阈值以下的其它辅助元件200的其它头15-1。MPU60用所选择的其它头15-1将从主机100等传输来的数据暂时性地写入到介质高速缓存10b1，用其它头15-1读取在介质高速缓存10b1所写入的数据，用对象头15-0将用其它头15-1从介质高速缓存10b1读取到的数据辅助/瓦记录到用户数据区域10a0。

图11是表示变形例3涉及的与辅助元件200的寿命相应的预定头15的记录型式的变更方法的一个例子的流程图。

MPU60用多个头15中的对象头15对盘10的预定区域执行辅助/通常记录处理(B801)。MPU60判定与对象头15对应的对象评价指标是比对象指标阈值大、还是为指标阈值以下(B802)。

在判定为了对象评价阈值为对象指标阈值以下的情况下(B802：否)，MPU60结束处理。

在判定为了对象评价阈值比对象指标阈值大的情况下(B802：是)，MPU60将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式来用对象头15执行辅助/瓦记录处理(B803)。

MPU60判定在多个头15中是具有其它评价指标为其它指标阈值以下的其它头15、还是没有其它头15(B1101)。在判定为了没有其它头15的情况下(B1101：否)，MPU60结束处理。在判定为了具有其它头15的情况下(B1101：是)，MPU60从多个头15选择其它头15(B1102)。MPU60用所选择的其它头15向其它介质高速缓存10b写入从主机100等传输来的数据，用其它头15从其它介质高速缓存10b读取所写入的数据(B1103)。MPU60用对象头15向对象用户数据区域10a辅助/瓦记录用其它头15从其它介质高速缓存10b读取到的数据(B1104)，结束处理。

根据变形例3，磁盘装置1在将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为了瓦记录型式的情况下，从多个头15选择其它头15。磁盘装置1用所选择的其它头15向其它介质高速缓存10b写入从主机100等传输来的数据，用其它头15从其它介质高速缓存10b读取所写入的数据。磁盘装置1用对象头15向对象用户数据区域10a辅助/瓦记录用其它头15从其它介质高速缓存10b读取到的数据。因此，磁盘装置1能够延长对象头15的寿命。也即是，磁盘装置1的寿命能够延长。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

此外，前述的实施方式以及变形例的构成可以应用于主机管理磁盘装置和驱动器管理磁盘装置。

(第2实施方式)

第2实施方式涉及的磁盘装置1的写入处理方法与前述的第1实施方式、变形例1、变形例2以及变形例3的磁盘装置1不同。

寿命管理部640在经由读/写控制部630用对象头15将预定数据写入到盘10的作为对象的记录区域(以下有时也称为对象记录区域)的情况下，用其它头15将该数据的一部分或者全部暂时性地写入到与对象记录区域不同的记录区域(以下有时也称为其它记录区域)，用对象头15将用其它头15写入到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域。以下，有时也将“将预定区域的预定数据暂时性地写入到与该预定区域不同的区域”称为“退避”。寿命管理部640在经由读/写控制部630用对象头15向盘10的对象记录区域写入预定数据的情况下，用其它头15将该数据的一部分或者全部退避到其它记录区域，用对象头15将用其它头15退避到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域。

例如，寿命管理部640在经由读/写控制部630用对象头15将从主机100传输来的数据写入到对象面的对象用户数据区域10a之前，用其它头15将其暂时性地写入到其它面的其它介质高速缓存区域10b，用其它头15对被写入到了其它介质高速缓存区域10b的数据进行读取，用对象头15将用其它头15从其它介质高速缓存10b读取到的数据写入到盘10的对象面的对象用户数据区域10a。换言之，寿命管理部640在经由读/写控制部630用对象头15将从主机100传输来的数据写入到对象面的对象用户数据区域10a之前，用其它头15将其退避到其它面的其它介质高速缓存区域10b，用其它头15对退避到了其它介质高速缓存区域10b的数据进行读取，用对象头15将用其它头15从其它介质高速缓存10b读取到的数据写入到盘10的对象面的对象用户数据区域10a。

例如，寿命管理部640经由读/写控制部630执行如下的刷新处理：在与对对象面的对象用户数据区域10a的预定区域(以下有时也称为重写区域)、例如预定磁道(以下有时也称为重写磁道)所写入的数据的一定期间内进行了访问的次数相当的访问频度为预定次数(以下有时也称为访问频度阈值)以下的情况下，用其它头15暂时性地将该数据写入到其它面的其它介质高速缓存区域10b，用其它头15对写入到了其它介质高速缓存区域10b的数据进行读取，用对象头15将用其它头15从其它介质高速缓存10b读取到的数据重写到盘10的对象面的对象用户数据区域10a的重写区域、例如重写磁道。换言之，寿命管理部640经由读/写控制部630执行如下的刷新处理：在对被写入到了对象面的对象用户数据区域10a的重写区域的数据的访问频度为访问频度阈值以下的情况下，用其它头15将该数据退避到其它面的其它介质高速缓存区域10b，用其它头15读取退避到了其它介质高速缓存区域10b的数据，用对象头15将用其它头15从其它介质高速缓存10b读取到的数据重写到盘10的对象面的对象用户数据区域10a的重写区域。

图12是表示第2实施方式涉及的写入处理方法的一个例子的示意图。

MPU60执行写入处理(B1201)，选择其它头15(B1202)。MPU60用其它头15将预定数据退避到其它记录区域(B1203)，用对象头15将用其它头15退避到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域(B1204)，结束处理。例如，MPU60在用对象头15将从主机100传输来的数据写入到对象面的对象用户数据区域10a之前，用其它头15将其退避到其它面的其它介质高速缓存区域10b，用其它头15读取退避到了其它介质高速缓存区域10b的数据，用对象头15将用其它头15从其它介质高速缓存10b读取到的数据写入到盘10的对象面的对象用户数据区域10a。另外，例如MPU60经由读/写控制部630执行如下的刷新处理：在对被写入到了对象面的对象用户数据区域10a的重写区域的数据的访问频度为访问频度阈值以下的情况下，用其它头15将该数据退避到其它面的其它介质高速缓存区域10b，用其它头15读取退避到了其它介质高速缓存区域10b的数据，用对象头15将用其它头15从其它介质高速缓存10b读取到的数据重写到盘10的对象面的对象用户数据区域10a的重写区域。

根据第2实施方式，磁盘装置1用其它头15将要用对象头15写入到对象记录区域的数据退避到其它记录区域，用对象头15将用其它头15退避到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域。磁盘装置1能够抑制对象头15的使用频度。因此，磁盘装置1能够延长对象头15的寿命。也即是，磁盘装置1的寿命能够延长。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

(变形例4)

变形例4涉及的磁盘装置1的写入处理方法与前述的第2实施方式所记载的磁盘装置1不同。

寿命管理部640在根据与对象辅助元件200对应的对象评价指标来经由读/写控制部630用对象头15将预定数据写入到盘10的对象记录区域的情况下，用其它头15将该数据的一部分或者全部暂时性地写入到其它记录区域，用对象头15将用其它头15暂时性地写入到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域。换言之，寿命管理部640在根据与对象辅助元件200对应的对象评价指标来经由读/写控制部630用对象头15将预定数据写入到盘10的对象记录区域的情况下，用其它头15将该数据的一部分或者全部退避到其它记录区域，用对象头15将用其它头15退避到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域。

寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标(的变化量)比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，选择搭载了其它评价指标(的变化量)为其它指标(其它评价指标的变化量的)阈值以下的其它辅助元件200的其它头15。例如，寿命管理部640在判定为了对象评价指标(的变化量)比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，选择其它评价指标(的变化量)比对象评价指标(的变化量)小的其它头15。换言之，寿命管理部640在判定为了对象评价指标(的变化量)比其它评价指标(的变化量)大、且比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，选择其它评价指标(的变化量)比对象评价指标(的变化量)小的其它头15。寿命管理部640经由读/写控制部630，用所选择的其它头15将预定数据的一部分或者全部退避到其它记录区域，用对象头15将用所选择的其它头15退避到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域。寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标(的变化量)为对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值以下的情况下，经由读/写控制部630，用对象头15将预定数据的一部分或者全部退避到预定记录区域，用对象头15将用对象头15退避到了预定记录区域的数据写入到对象记录区域。

寿命管理部640在根据与搭载对象辅助元件200的对象头15对应的对象BER来经由读/写控制部630用对象头15将预定数据写入到盘10的对象记录区域的情况下，用其它头15将该数据的一部分或者全部退避到其它记录区域，用对象头15将用其它头15退避到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域。寿命管理部640在判定为了对象BER(的变化量)比对象BER(的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，选择搭载了与其它头15对应的其它BER(的变化量)为与其它头15对应的BER(的变化量的)阈值(以下有时也称为其它BER阈值)以下的其它辅助元件200的其它头15。例如，寿命管理部640在判定为了对象BER(的变化量)比对象BER(的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，选择其它BER(的变化量)比对象BER(的变化量)小的其它头15。换言之，寿命管理部640在判定为了对象BER(的变化量)比其它BER(的变化量)大、且比对象BER(的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，选择其它BER(的变化量)比对象BER(的变化量)小的其它头15。寿命管理部640经由读/写控制部630，用所选择的其它头15将预定数据的一部分或者全部退避到其它记录区域，用对象头15将用所选择的其它头15退避到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域。寿命管理部640在判定为了对象BER(的变化量)为对象BER(的变化量的)阈值以下的情况下，经由读/写控制部630，用对象头15将预定数据的一部分或者全部退避到预定记录区域，用对象头15将用对象头15退避到了预定记录区域的数据写入到对象记录区域。

寿命管理部640在根据与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值来经由读/写控制部630用对象头15将预定数据写入到盘10的对象记录区域的情况下，用其它头15将该数据的一部分或者全部退避到其它记录区域，用对象头15将用其它头15退避到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域。寿命管理部640在判定为了对象辅助元件电阻值(的变化量)比对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，选择搭载了与搭载于其它头15的其它辅助元件200对应的辅助元件电阻值(以下有时也称为其它辅助元件电阻值)(的变化量)为与其它辅助元件200对应的电阻阈值(以下有时也称为其它电阻阈值)(其它电阻值的变化量的阈值)以下的其它辅助元件200的其它头15。例如，寿命管理部640在判定为了对象辅助元件电阻值(的变化量)比对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，选择其它辅助元件电阻值(的变化量)比对象电阻(对象电阻值的变化量)阈值小的其它头15。换言之，寿命管理部640在判定为了对象辅助元件电阻值(的变化量)比其它辅助元件电阻值(的变化量)大、且比对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，选择其它辅助元件电阻值(的变化量)比对象辅助元件电阻值(的变化量)小的其它头15。寿命管理部640经由读/写控制部630，用所选择的其它头15将预定数据的一部分或者全部退避到其它记录区域，用对象头15将用所选择的其它头15退避到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域。寿命管理部640在判定为了对象辅助元件电阻值(的变化量)为对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值以下的情况下，经由读/写控制部630，用对象头15将预定数据的一部分或者全部退避到预定记录区域，用对象头15将用对象头15退避到了预定记录区域的数据写入到对象记录区域。

图13是表示变形例4涉及的写入处理方法的一个例子的示意图。

MPU60执行写入处理(B1201)。MPU60判定与对象辅助元件200对应的对象评价指标(的变化量)比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大、还是对象评价指标(的变化量)阈值为对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值以下(B1301)。在判定为了对象评价指标(的变化量)为对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值以下的情况下(B1301：否)，MPU60结束处理。在判定为了对象评价指标(的变化量)比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大的情况下(B1301：是)，MPU60判定是否具有其它评价指标(的变化量)为其它指标(其它评价指标的变化量的)阈值以下的其它头15(B1302)。在判定为了没有其它评价指标(的变化量)为其它指标(其它评价指标的变化量的)阈值以下的其它头15的情况下(B1302：否)，MPU60结束处理。在判定为了具有其它评价指标(的变化量)为其它指标(其它评价指标的变化量的)阈值以下的其它头15的情况下(B1302：是)，MPU60选择其它头15(B1202)。MPU60用其它头15将预定数据退避到其它记录区域(B1203)，用对象头15将用其它头15退避到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域(B1204)，结束处理。

根据变形例4，磁盘装置1在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标(的变化量)比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大的情况下，选择搭载了其它评价指标(的变化量)为其它指标(其它评价指标的变化量的)阈值以下的其它辅助元件200的其它头15。磁盘装置1用所选择的其它头15将预定数据退避到其它记录区域，用对象头15将用所选择的其它头15退避到了其它记录区域的数据写入到对象记录区域。因此，磁盘装置1能够延长对象头15的寿命。也即是，磁盘装置1的寿命能够延长。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

(第3实施方式)

第3实施方式涉及的磁盘装置1的写入处理方法与前述的第1实施方式、第2实施方式、变形例1、变形例2、变形例3以及变形例4所记载的磁盘装置1不同。

寿命管理部640在经由读/写控制部630用对象头15将预定数据写入到对象记录区域的情况下，对记录型式进行变更，用对象头15将预定数据写入到对象记录区域，或者用其它头15将预定数据写入到其它记录区域。

例如，寿命管理部640在经由读/写控制部630用对象头15将预定数据通常记录到对象面的情况下，将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15将预定数据瓦记录到对象记录区域，或者用其它头15将预定数据通常记录到其它面。

图14是表示第3实施方式涉及的写入处理方法的一个例子的示意图。

MPU60用对象头15对对象面执行写入处理(B1401)，判定是否变更对象头15的记录型式(B1402)。例如，MPU60用对象头15对对象面执行通常记录处理，判定是否变更记录型式。例如，MPU60用对象头15对对象面执行瓦记录处理，判定是否变更对象头15的记录型式。

在判定为了不变更对象头15的记录型式的情况下(B1402：否)，MPU60结束处理。在判定为了变更对象头15的记录型式的情况下(B1402：是)，MPU60用变更了记录型式的对象头15进行写入，或者选择其它头15，用所选择的其它头15向其它面进行写入(B1403)。例如在判定为了变更记录型式的情况下，MPU60用对象头15瓦记录到对象面，或者用其它头15通常记录到其它面。

根据第3实施方式，磁盘装置1在用对象头15向对象面进行写入时变更记录型式的情况下，用其它头15向其它面进行写入。磁盘装置1能够抑制对象头15的使用频度。因此，磁盘装置1能够延长对象头15的寿命。也即是，磁盘装置1的寿命能够延长。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

(变形例5)

变形例5涉及的磁盘装置1的写入处理方法与前述的第3实施方式所记载的磁盘装置1不同。

寿命管理部640在根据与对象辅助元件200对应的对象评价指标来经由读/写控制部630用对象头15将预定数据写入到对象记录区域的情况下，变更对象头15的记录型式，用对象头15将预定数据写入到对象记录区域，或者用其它头15将预定数据写入到其它记录区域。

寿命管理部640在根据与对象辅助元件200对应的对象评价指标来经由读/写控制部630用对象头15将预定数据通常记录到对象面的情况下，将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15将预定数据瓦记录到对象记录区域，或者用其它头15通常记录到其它面。

寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标(的变化量)比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15向对象记录区域进行写入时变更对象头15的记录型式，用对象头15向对象记录区域进行写入，或者选择搭载了其它评价指标(的变化量)为其它指标(其它评价指标的变化量的)阈值以下的其它辅助元件200的其它头15，用所选择的其它头15向其它记录区域进行写入。例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标(的变化量)比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15向对象记录区域进行写入时变更对象头15的记录型式，用对象头15向对象记录区域进行写入，或者选择搭载了其它评价指标(的变化量)比对象指标(的变化量)小的其它辅助元件200的其它头15。换言之，寿命管理部640在判定为了对象评价指标(的变化量)比其它评价指标(的变化量)大、且比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15向对象记录区域进行写入时变更对象头15的记录型式，用对象头15向对象记录区域进行写入，或者选择其它评价指标(的变化量)比对象指标(的变化量)小的其它头15。寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标(的变化量)为对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值以下的情况下，经由读/写控制部630，用对象头15向对象记录区域进行写入。

寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标(的变化量)比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15通常记录到对象记录区域时将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15向对象记录区域进行写入，或者选择搭载了其它评价指标(的变化量)为其它指标(其它评价指标的变化量的)阈值以下的其它辅助元件200的其它头15，用所选择的其它头15向其它记录区域进行通常记录。例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标(的变化量)比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15通常记录到对象记录区域时将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15瓦记录到对象记录区域，或者选择搭载了其它评价指标(的变化量)比对象评价指标(的变化量)小的其它辅助元件200的其它头15。换言之，寿命管理部640在判定为了对象评价指标(的变化量)比其它评价指标(的变化量)大、且比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15通常记录到对象记录区域时将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15瓦记录到对象记录区域，或者选择其它评价指标(的变化量)比对象评价指标(的变化量)小的其它头15。寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标(的变化量)为对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值以下的情况下，经由读/写控制部630，用对象头15通常记录到对象记录区域。

例如，寿命管理部640在根据与搭载对象辅助元件200的对象头15对应的对象BER来经由读/写控制部630用对象头15将预定数据写入到对象记录区域的情况下，变更对象头15的记录型式，用对象头15将预定数据写入到对象记录区域，或者用其它头15将预定数据写入到其它记录区域。

寿命管理部640在根据与搭载对象辅助元件200的对象头15对应的对象BER来经由读/写控制部630用对象头15将预定数据通常记录到对象面的情况下，将记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15将预定数据瓦记录到对象记录区域，或者用其它头15将预定数据通常记录到其它面。

例如，寿命管理部640在判定为了与搭载有对象辅助元件200的对象头15对应的对象BER比对象BER阈值大(或者超过了该对象BER阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15向对象记录区域进行写入时变更对象头15的记录型式，用对象头15向对象记录区域进行写入，或者选择搭载了其它BER为其它BER阈值以下的其它辅助元件200的其它头15，用所选择的其它头15向其它记录区域进行写入。例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象BER(的变化量)比对象BER(的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15向对象记录区域进行写入时变更对象头15的记录型式，用对象头15向对象记录区域进行写入，或者选择搭载了其它评价指标比对象指标小的其它辅助元件200的其它头15。换言之，寿命管理部640在判定为了对象BER(的变化量)比其它BER(的变化量)大、且比对象BER(的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15向对象记录区域进行写入时变更对象头15的记录型式，用对象头15向对象记录区域进行写入，或者选择其它BER比对象BER小的其它头15。寿命管理部640在判定为了对象BER(的变化量)为对象BER(的变化量的)阈值以下的情况下，经由读/写控制部630，用对象头15向对象记录区域进行写入。

寿命管理部640在判定为了与搭载了对象辅助元件200的对象头15对应的对象BER(的变化量)比对象BER(的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15通常记录到对象记录区域时将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15瓦记录到对象记录区域，或者选择搭载了其它BER(的变化量)为其它BER(的变化量的)阈值以下的其它辅助元件200的其它头15，用所选择的其它头15通常记录到其它记录区域。例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象BER比对象BER阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15通常记录到对象记录区域时将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15瓦记录到对象记录区域，或者选择搭载了其它对象BER(的变化量)比对象BER(的变化量)小的其它辅助元件200的其它头15。换言之，寿命管理部640在判定为了对象BER(的变化量)比其它BER(的变化量)大、且比对象BER(的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15通常记录到对象记录区域时将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15瓦记录到对象记录区域，或者选择其它BER(的变化量)比对象BER(的变化量)小的其它头15。寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象BER(的变化量)为对象BER(的变化量的)阈值以下的情况下，经由读/写控制部630，用对象头15通常记录到对象记录区域。

例如，寿命管理部640在根据与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值来经由读/写控制部630用对象头15将预定数据写入到对象记录区域的情况下，变更对象头15的记录型式，用对象头15将预定数据写入到对象记录区域，或者用其它头15向其它记录区域进行写入。

寿命管理部640在根据与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值来经由读/写控制部630用对象头15将预定数据通常记录到对象面的情况下，将记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15将预定数据瓦记录到对象记录区域，或者用其它头15将预定数据通常记录到其它记录区域。

例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值(的变化量)比对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15向对象记录区域进行写入时变更对象头15的记录型式，用对象头15向对象记录区域进行写入，或者选择搭载了其它辅助元件电阻值(的变化量)为其它对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值以下的其它辅助元件200的其它头15，用所选择的其它头15向其它记录区域进行写入。例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值(的变化量)比对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15向对象记录区域进行写入时变更对象头15的记录型式，用对象头15向对象记录区域进行写入，或者选择搭载了其它辅助元件电阻值(的变化量)比对象辅助元件电阻值(的变化量)小的其它辅助元件200的其它头15。换言之，寿命管理部640在判定为了对象辅助元件电阻值(的变化量)比其它辅助元件电阻值(的变化量)大、且比对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15向对象记录区域进行写入时变更对象头15的记录型式，用对象头15向对象记录区域进行写入，或者选择其它辅助元件电阻值(的变化量)比对象辅助元件电阻值(的变化量)小的其它头15。寿命管理部640在判定为了对象辅助元件电阻值(的变化量)为对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值以下的情况下，经由读/写控制部630，用对象头15向对象记录区域进行写入。

寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值(的变化量)比对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15通常记录到对象记录区域时，将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15瓦记录到对象记录区域，或者选择搭载了其它辅助元件电阻值(的变化量)为其它电阻(对象电阻值的变化量的)阈值以下的其它辅助元件200的其它头15，用所选择的其它头15通常记录到其它记录区域。例如，寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值(的变化量)比对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15通常记录到对象记录区域时将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15瓦记录到对象记录区域，或者选择搭载了其它辅助元件电阻值(的变化量)比其它电阻(对象电阻值的变化量的)阈值小的其它辅助元件200的其它头15。换言之，寿命管理部640在判定为了对象辅助元件电阻值(的变化量)比其它辅助元件电阻值(的变化量)大、且比对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值大(或者超过了该阈值)的情况下，经由读/写控制部630，当用对象头15通常记录到对象记录区域时将对象头15的记录型式从通常记录型式变更为瓦记录型式，用对象头15瓦记录到对象记录区域，或者选择其它辅助元件电阻值(的变化量)比对象辅助元件电阻值(的变化量)小的其它头15。寿命管理部640在判定为了与对象辅助元件200对应的对象辅助元件电阻值(的变化量)为对象电阻(对象电阻值的变化量的)阈值以下的情况下，经由读/写控制部630，用对象头15通常记录到对象记录区域。

图15是表示变形例5涉及的写入处理方法的一个例子的示意图。

MPU60用对象头15对对象面执行写入处理(B1401)，判定与对象辅助元件200对应的对象评价指标(的变化量)比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大、还是对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值为对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值以下(B1501)。在判定为了对象评价指标为对象指标阈值以下的情况下(B1501：否)，MPU60结束处理。在判定为了对象评价指标(的变化量)比对象指标(对象评价指标的变化量的)阈值大的情况下(B1301：是)，MPU60判定是否变更对象头15的记录型式(B1402)。

在判定为了不变更对象头15的记录型式的情况下(B1402：否)，MPU60结束处理。在判定为了变更对象头15的记录型式的情况下(B1402：是)，MPU60判定是否具有其它评价指标(的变化量)为其它指标(其它评价指标的变化量的)阈值以下的其它头15(B1502)。在判定为了没有其它评价指标(的变化量)为其它指标(其它评价指标的变化量的)阈值以下的其它头15的情况下(B1302：否)，MPU60结束处理。在判定为了具有其它评价指标(的变化量)为其它指标(其它评价指标的变化量的)阈值以下的其它头15的情况下(B1302：是)，MPU60用变更了记录型式的对象头进行写入，或者选择其它头15，用所选择的其它头15向其它面进行写入(B1403)。

根据变形例5，磁盘装置1在判定为了与对象辅助元件200对应的对象评价指标比对象指标阈值大(或者超过了该对象指标阈值)的情况下，当用对象头15向对象记录区域进行写入时变更记录型式，用对象头15向对象记录区域进行写入，或者选择搭载了其它评价指标为其它指标阈值以下的其它辅助元件200的其它头15，用所选择的其它头15向其它记录区域进行写入。磁盘装置1能够抑制对象头15的使用频度。因此，磁盘装置1能够延长对象头15的寿命。也即是，磁盘装置1的寿命能够延长。因此，磁盘装置1能够提高可靠性。

以上对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是意在限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其它各种各样的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含在发明的范围、宗旨内，并且，包含在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。

Claims (20)

1.一种磁盘装置，具备：

盘；

头，其具有从所述盘读取数据的读取头、向所述盘写入数据的写入头以及产生提高所述写入头的写入性能的能量的辅助元件；以及

控制器，其对第1记录型式和与所述第1记录型式不同的第2记录型式进行选择来加以执行，根据所述辅助元件的辅助效果，对所述第1记录型式和所述第2记录型式中的任一方进行选择来加以执行。

2.根据权利要求1所述的磁盘装置，

所述第1记录型式是在所述盘的半径方向上隔开间隔来对磁道进行写入的通常记录型式，

所述第2记录型式是在所述半径方向上重叠地对磁道进行写入的瓦记录型式。

3.根据权利要求2所述的磁盘装置，

所述控制器根据与所述头对应的错误率，对所述第1记录型式和所述第2记录型式中的任一方进行选择来加以执行。

4.根据权利要求3所述的磁盘装置，

所述控制器在判定为了所述错误率比表示所述辅助元件的劣化的征兆的第1阈值大的情况下，执行所述第2记录型式。

5.根据权利要求4所述的磁盘装置，

所述控制器在判定为了所述错误率比所述第1阈值大的情况下，使向所述辅助元件供给的第1电流降低，增大向所述写入头供给的第2电流。

6.根据权利要求4所述的磁盘装置，

所述盘具有包含第1介质高速缓存以及第1用户数据区域的第1面、和包含第2介质高速缓存以及第2用户数据区域的与所述第1面不同的第2面，

所述头具有向所述第1面进行写入的第1头和向所述第2面进行写入的第2头，

所述控制器在判定为了与所述第1头对应的第1错误率比所述第1阈值大的情况下，用所述第2头暂时性地将第1数据写入到所述第2介质高速缓存，用所述第1头将从所述第2介质高速缓存读取到的所述第1数据写入到所述第1用户数据区域。

7.根据权利要求2所述的磁盘装置，

所述控制器根据所述辅助元件的电阻值，对所述第1记录型式和所述第2记录型式中的任一方进行选择来加以执行。

8.根据权利要求7所述的磁盘装置，

所述控制器在判定为了所述电阻值比表示所述辅助元件的劣化的征兆的第2阈值大的情况下，执行所述第2记录型式。

9.根据权利要求8所述的磁盘装置，

所述控制器在判定为了所述电阻值比所述第2阈值大的情况下，使向所述辅助元件供给的第1电流降低，增大向所述写入头供给的第2电流。

10.根据权利要求8所述的磁盘装置，

所述盘具有包含第1介质高速缓存以及第1用户数据区域的第1面、和包含第2介质高速缓存以及第2用户数据区域的与所述第1面不同的第2面，

所述头具有向所述第1面进行写入的第1头和向所述第2面进行写入的第2头，

所述控制器在判定为了与所述第1头对应的第1电阻值比所述第2阈值大的情况下，用所述第2头暂时性地将第1数据写入到所述第2介质高速缓存，用所述第1头将从所述第2介质高速缓存读取到的所述第1数据写入到所述第1用户数据区域。

11.一种记录型式的变更方法，应用于磁盘装置，所述磁盘装置具备盘和头，所述头具有从所述盘读取数据的读取头、向所述盘写入数据的写入头以及产生提高所述写入头的写入性能的能量的辅助元件，所述变更方法包括：

对第1记录型式和与所述第1记录型式不同的第2记录型式进行选择来加以执行；和

根据所述辅助元件的辅助效果，对所述第1记录型式和所述第2记录型式中的任一方进行选择来加以执行。

12.一种磁盘装置，具备：

盘，其具有包含第1介质高速缓存以及第1用户数据区域的第1面、和包含第2介质高速缓存以及第2用户数据区域的与所述第1面不同的第2面；

第1头，其具有从所述第1面读取数据的第1读取头、向所述第1面写入数据的第1写入头以及产生提高所述第1写入头的写入性能的能量的第1辅助元件；

第2头，其具有从所述第2面读取数据的第2读取头、向所述第2面写入数据的第2写入头以及产生提高所述第2写入头的写入性能的能量的第2辅助元件；以及

控制器，其在用所述第1头向所述第1面写入第1数据的情况下，用所述第2头暂时性地将所述第1数据写入到所述第2面。

13.根据权利要求12所述的磁盘装置，

所述第1辅助元件的第1电阻值的变化量比所述第2辅助元件的第2电阻值的变化量大。

14.根据权利要求12所述的磁盘装置，

与所述第1头对应的第1BER的变化量比与所述第2头对应的第2BER的变化量大。

15.根据权利要求12～14中任一项所述的磁盘装置，

所述控制器在对所述第1数据的访问频度为第1阈值以下的情况下，对包含所述第1数据的第1磁道执行刷新处理。

16.根据权利要求12～14中任一项所述的磁盘装置，

所述控制器在用所述第1头向所述第1用户数据区域写入第1数据的情况下，用所述第2头暂时性地将所述第1数据写入到所述第2介质高速缓存。

17.根据权利要求12～14中任一项所述的磁盘装置，

所述控制器在用所述第1头向所述第1用户数据区域写入第1数据的情况下，用所述第2头暂时性地将所述第1数据写入到所述第2用户数据区域。

18.一种磁盘装置，具备：

盘，其具有包含第1介质高速缓存以及第1用户数据区域的第1面、和包含第2介质高速缓存以及第2用户数据区域的与所述第1面不同的第2面；

第1头，其具有从所述第1面读取数据的第1读取头、向所述第1面写入数据的第1写入头以及产生提高所述第1写入头的写入性能的能量的第1辅助元件；

第2头，其具有从所述第2面读取数据的第2读取头、向所述第2面写入数据的第2写入头以及产生提高所述第2写入头的写入性能的能量的第2辅助元件；以及

控制器，其在用所述第1头向所述第1面进行写入时变更了记录型式的情况下，用所述第1头向所述第1面进行写入，或者用所述第2头向所述第2面进行写入。

19.根据权利要求18所述的磁盘装置，

所述第1辅助元件的第1电阻值的变化量比所述第2辅助元件的第2电阻值的变化量大。

20.根据权利要求18所述的磁盘装置，

与所述第1头对应的第1BER的变化量比与所述第2头对应的第2BER的变化量大。

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