CN112110481A - 一种超细氧化铟粉体的制备方法 - Google Patents
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- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 28
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 20
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 abstract description 8
- IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K indium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[In+3] IGUXCTSQIGAGSV-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 3
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000009841 combustion method Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 2
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
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Abstract
本发明公开了一种超细氧化铟粉体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将精铟粉加酸溶解,过滤得到澄清溶液;S2、将步骤S1得到的澄清溶液加热至60‑80℃,开启搅拌,将反应器抽至真空,同时通入氨气和氦气,当反应容器中的压力高于0.8atm时,停止通入氦气,仅通入氨气,直至反应溶液的PH值为7.0‑9.0,停止反应并通入空气使反应容器内外压力平衡,得到混合液;S3、将混合液静置后过滤得到沉淀物,用去离子水洗涤沉淀物,将洗涤后的沉淀物进行浓缩,加入无水酒精,烘干后进行气流粉碎,煅烧后得到超细氧化铟粉体。本发明在沉淀法的基础上,采用氨气作为沉淀气体;通过控制其流量和浓度,以控制沉淀氢氧化铟粒度得到氧化铟超细纳米颗粒。
Description
技术领域
本发明属于氧化铟加工制备技术领域,尤其涉及一种超细氧化铟粉体的制备方法。
背景技术
氧化铟是一种无机化工产品,用作光谱纯试剂、电子元件的材料、金属反射镜面的保护涂层、光电显示半导体薄膜、制造铟盐及玻璃等。目前采用的生产工艺有沉淀法、燃烧法、气化氧化法等,沉淀发生产氧化铟粉体设备简单、产量大,适用于大规模生产,燃烧法简单直接,但是粉体粒径无法均匀控制,气化法目前是世界上广泛使用且粒径控制较细的生产方法,但是设备投入极大,限制了该工艺的推广。
发明内容
基于背景技术所述,本发明提供了一种超细氧化铟粉体的制备方法,在沉淀法的基础上,采用氨气流进入铟盐体系,将氨气作为沉淀气体;通过控制其流量和浓度,以控制沉淀氢氧化铟粒度,进而煅烧得到氧化铟超细纳米颗粒。
本发明提出的一种种超细氧化铟粉体的制备方法,包括如下步骤:、
S1、将精铟粉加酸溶解,过滤得到澄清溶液;
S2、将步骤S1得到的澄清溶液转入压力反应容器中,加热至60-80℃,开启搅拌,将反应器抽至真空,真空度为0.01-0.1atm,向反应容器中同时通入氨气和氦气,氨气和氦气的流量比为1:5,当反应容器中的压力高于0.8atm时,停止通入氦气,仅通入氨气,直至反应容器中反应溶液的PH值为7.0-9.0,停止反应并通入空气使反应容器内外压力平衡,得到混合液;
S3、将混合液静置后过滤得到沉淀物,用去离子水洗涤沉淀物,将洗涤后的沉淀物浓缩至浓度为45-55wt%得到浓缩物,加入无水酒精,搅拌均匀,烘干后进行气流粉碎,煅烧,得到超细氧化铟粉体。
优选地,S1中,精铟粉的纯度大于等于99.995%,粒度为100-200目。
本发明中采用精铟粉末为原料,控制一定的粒径范围,使其易于溶解,同时又不会因溶解放热而融化掉。
优选地,S1中,酸为盐酸、硝酸、硫酸、醋酸中的一种,且酸的纯度为分析纯及以上,以避免铟的溶解试剂的加入而引入新杂质。
优选地,S1中,澄清溶液中铟的浓度为10-30g/L。
优选地,S2中,氨气和氦气的纯度大于等于99.9%。
优选地,S2中,反应过程中快速搅拌,保持反应容器恒温,区域温差小于2℃。
优选地,S2中,空气通入前需要进行过滤处理。
优选地,S3中,静置时间为20-30h。
优选地,S3中,用去离子水洗涤沉淀物直至洗涤液的电导率低于10μS·cm-1。
优选地,S3中,无水酒精和浓缩物的重量比为1:1。
优选地,S3中,烘干温度为90-100℃。
优选地,粉碎至200目以上。
优选地,煅烧温度为600-900℃,煅烧时间为100-480min。
本发明在沉淀法的基础上,采用氨气作为沉淀气体,通过氨气流量和浓度的调节,控制沉淀氢氧化铟粒度,进而煅烧得到氧化铟超细纳米颗粒,所得氧化铟粉体比表面积为可达87m2/g,仅有轻微团聚,一次粒径为20-40nm,二次粒径为60-80nm。
附图说明
图1为实施例1所得超细氧化铟的扫描电镜图,。
具体实施方式
下面结合具体实例对本发明做出详细说明,应当了解,实施例只用于说明本发明,而不是用于对本发明进行限定,任何在本发明基础上所做的修改、等同替换等均在本发明的保护范围内。
实施例1
一种超细氧化铟粉体的制备方法,包括如下步骤:、
S1、将粒度为100目的精铟粉加入硝酸溶解,过滤得到铟浓度为10g/L的澄清溶液;
S2、将步骤S1得到的澄清溶液转入压力反应容器中,加热至60℃,开启搅拌,将反应器抽至真空,真空度为0.01atm,向反应容器中同时通入氨气和氦气,氨气和氦气的流量比为1:5,当反应容器中的压力高于0.8atm时,停止通入氦气,仅通入氨气,直至反应容器中反应溶液的PH值为7.0,停止反应并通入过滤后的空气使反应容器内外压力平衡,得到混合液;
S3、将混合液静置24h后过滤得到沉淀物,用去离子水洗涤沉淀物,直至洗涤液的电导率低于10μS·cm-1,将洗涤后的沉淀物浓缩至浓度为55wt%得到浓缩物,按照重量比浓缩物:无水酒精为1:1加入无水酒精,搅拌均匀,在90℃烘干后进行气流粉碎至200目,在600℃下煅烧120min,得到超细氧化铟粉体。
实施例1所得超细氧化铟的扫描电镜图,从图1可以看出所得超细氧化铟粉体的一次粒径在10-40纳米之间,形貌为类球形,稍有团聚。
实施例2
一种超细氧化铟粉体的制备方法,包括如下步骤:、
S1、将粒度为200目的精铟粉加入硫酸溶解,过滤得到铟浓度为30g/L的澄清溶液;
S2、将步骤S1得到的澄清溶液转入压力反应容器中,加热至80℃,开启搅拌,将反应器抽至真空,真空度为0.1atm,向反应容器中同时通入氨气和氦气,氨气和氦气的流量比为1:5,当反应容器中的压力高于0.8atm时,停止通入氦气,仅通入氨气,直至反应容器中反应溶液的PH值为9.0,停止反应并通入过滤后的空气使反应容器内外压力平衡,得到混合液;
S3、将混合液静置24h后过滤得到沉淀物,用去离子水洗涤沉淀物,直至洗涤液的电导率低于10μS·cm-1,将洗涤后的沉淀物浓缩至浓度为45wt%得到浓缩物,按照重量比浓缩物:无水酒精为1:1加入无水酒精,搅拌均匀,在100℃烘干后进行气流粉碎至300目,在100℃下煅烧100min,得到超细氧化铟粉体。
实施例3
一种超细氧化铟粉体的制备方法,包括如下步骤:、
S1、将粒度为200目的精铟粉加入盐酸溶解,过滤得到铟浓度为20g/L的澄清溶液;
S2、将步骤S1得到的澄清溶液转入压力反应容器中,加热至70℃,开启搅拌,将反应器抽至真空,真空度为0.05atm,向反应容器中同时通入氨气和氦气,氨气和氦气的流量比为1:5,当反应容器中的压力高于0.8atm时,停止通入氦气,仅通入氨气,直至反应容器中反应溶液的PH值为8.0,停止反应并通入过滤后的空气使反应容器内外压力平衡,得到混合液;
S3、将混合液静置24h后过滤得到沉淀物,用去离子水洗涤沉淀物,直至洗涤液的电导率低于10μS·cm-1,将洗涤后的沉淀物浓缩至浓度为50wt%得到浓缩物,按照重量比浓缩物:无水酒精为1:1加入无水酒精,搅拌均匀,在100℃烘干后进行气流粉碎至200目,在100℃下煅烧100min,得到超细氧化铟粉体。
本发明在具体实施例中使用的盐酸、硝酸、硫酸的纯度均为分析纯,精铟粉的纯度为99.995%。
实施例1-3所得超细氧化铟粉体的比表面积和粒径大小如下表所示:
实施例 | 比表面积/(m<sup>2</sup>/g) | 一次粒径/nm | 二次粒径/nm |
实施例1 | 87 | 10-40 | 40-80 |
实施例2 | 67 | 20-60 | 60-110 |
实施例3 | 79 | 15-50 | 50-90 |
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种超细氧化铟粉体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、将精铟粉加酸溶解,过滤得到澄清溶液;
S2、将步骤S1得到的澄清溶液转入压力反应容器中,加热至60-80℃,开启搅拌,将反应器抽至真空,真空度为0.01-0.1atm,向反应容器中同时通入氨气和氦气,氨气和氦气的流量比为1:5--1:3之间,当反应容器中的压力0.5-0.8atm时,停止通入氦气,仅通入氨气,直至反应容器中反应溶液的PH值为7.0-9.0,停止反应并通入空气使反应容器内外压力平衡,得到混合液;
S3、将混合液静置后过滤得到沉淀物,用去离子水洗涤沉淀物,将洗涤后的沉淀物浓缩至浓度为45-55wt%得到浓缩物,加入无水酒精,搅拌均匀,烘干后进行气流粉碎,煅烧,得到超细氧化铟粉体。
2.根据权利要求1所述的超细氧化铟粉体的制备方法,其特征在于,S1中,精铟粉的纯度大于等于99.995%,粒度为100-200目。
3.根据权利要求1或2所述的超细氧化铟粉体的制备方法,其特征在于,S1中,酸为盐酸、硝酸、硫酸、醋酸中的一种,且酸的纯度为分析纯及以上。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的超细氧化铟粉体的制备方法,其特征在于,S1中,澄清溶液中铟的浓度为10-30g/L。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的超细氧化铟粉体的制备方法,其特征在于,S2中,氨气和氦气的纯度大于等于99.9%。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的超细氧化铟粉体的制备方法,其特征在于,S2中,反应过程中保持反应容器恒温,快速搅拌以保障容器中铟熔液各区域温差小于2℃。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的超细氧化铟粉体的制备方法,其特征在于,S2中,空气通入前需要进行过滤处理。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的超细氧化铟粉体的制备方法,其特征在于,S3中,静置时间为20-30h;优选地,用去离子水洗涤沉淀物直至洗涤液的电导率低于10μS·cm-1。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的超细氧化铟粉体的制备方法,其特征在于,S3中,无水酒精和浓缩物的重量比为1:1。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的超细氧化铟粉体的制备方法,其特征在于,S3中,烘干温度为90-100℃;优选地,粉碎至200目以上;优选地,煅烧温度为600-900℃,煅烧时间为100-480min。
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---|---|---|---|
CN202010891883.5A CN112110481A (zh) | 2020-08-27 | 2020-08-27 | 一种超细氧化铟粉体的制备方法 |
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