CN112103309A - 显示设备 - Google Patents
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Abstract
公开了一种显示设备。该显示设备包括:基底,包括其中布置有多个像素区域的显示区域和与显示区域相邻且其中布置有包括多个垫电极的垫部的外围区域;第一信号线和第二信号线,在基底上位于显示区域中;第一连接线,电连接到第一信号线且连接到垫部,第一连接线的至少一部分位于显示区域中;以及虚设线,与第一连接线位于同一层上。
Description
技术领域
发明构思的实施例的多个方面涉及一种显示设备。
背景技术
近来,已经制造出具有轻重量且小尺寸的显示设备。由于性能和有竞争力的价格,阴极射线管(CRT)显示设备已经被使用。然而,CRT显示设备具有尺寸或便携性的弱点。因此,诸如等离子体显示设备、液晶显示设备和有机发光显示设备的显示设备由于小尺寸、轻重量和低功耗而已经受到高度重视。
通常,显示设备可以包括矩形显示区域和作为围绕显示区域的非显示区域的外围区域。近来,已经开发了具有圆角或倒角的显示设备或其中图像显示在侧表面上的边缘型显示设备。
在这种情况下,存在的问题在于,通过将用于传输图像信号的信号布线布置到拐角和侧表面,非显示区域增大而显示区域减小。
发明内容
根据发明构思的一个或更多个实施例的一方面,提供了一种能够改善显示质量的显示设备。
根据发明构思的一个或更多个实施例,显示设备包括:基底,包括其中布置有多个像素区域的显示区域和与显示区域相邻且其中布置有包括多个垫电极的垫部的外围区域;第一信号线和第二信号线,在基底上位于显示区域中;第一连接线,电连接到第一信号线且连接到垫部,其中,第一连接线的至少一部分位于显示区域中;以及虚设线,与第一连接线位于同一层上。
在实施例中,第一连接线可以包括在第一方向上延伸的水平线部和在与第一方向垂直(垂直或基本上垂直)的第二方向上延伸的竖直线部。
在实施例中,竖直分支可以从水平线部沿第二方向延伸。
在实施例中,多个像素区域可以包括:第一像素区域,与第二信号线叠置;第二像素区域,与第一连接线的水平线部叠置;以及第三像素区域,与第一连接线的竖直线部叠置。第二像素区域和第三像素区域可以比第一像素区域靠近显示区域的边缘。
在实施例中,虚设线可以包括在第一方向上延伸的水平虚设线和在第二方向上延伸的竖直虚设线。水平虚设线和竖直虚设线可以与第一像素区域叠置。第一像素区域中的竖直虚设线可以具有至少一个断开部。
在实施例中,显示区域可以沿着第一方向和第二方向布置成矩形形状,并且显示区域的四个拐角可以具有倒角或圆角形状。外围区域在第二方向上与显示区域相邻地沿第一方向延伸,垫部在第一方向上延伸,并且垫电极可以沿第一方向布置。
在实施例中,显示区域还可以包括从显示区域的至少一个边缘延伸且弯曲的侧显示区域。
在实施例中,显示设备还可以包括:薄膜晶体管层,位于基底上;第一导电图案,位于薄膜晶体管层上;第一过孔绝缘层,位于第一导电图案上;以及第二导电图案,位于第一过孔绝缘层上。第一导电图案可以包括第一信号线和第二信号线,并且第二导电图案可以包括第一连接线和虚设线。
在实施例中,显示设备还可以包括像素限定层,像素限定层位于基底、第一信号线和第二信号线、第一连接线和虚设线上,并且限定作为发射区域的、与多个像素区域中的每个对应的开口。第一像素区域的开口、第二像素区域的开口和第三像素区域的开口下方的电路布线的图案可以相同(相同或基本上相同)。
在实施例中,第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域均可以发射具有相同颜色的光。
在实施例中,多个像素区域中的每个可以包括发射红光的红色像素、发射绿光的绿色像素和发射蓝光的蓝色像素中的任意一个。可以在第一像素区域、第二像素区域和第三像素区域中发射红光或蓝光。
在实施例中,显示设备还可以包括像素限定层,像素限定层位于基底、第一信号线和第二信号线、第一连接线和虚设线上,并且限定作为发射区域的、与多个像素区域中的每个对应的开口。像素限定层可以包括黑色颜料或黑色染料。
在实施例中,显示设备还可以包括:平坦化绝缘层,位于第二导电图案上;第三导电图案,位于平坦化绝缘层上且包括包含反射材料的第一电极;发光层,位于第一电极上;以及第二电极,位于发光层上。
在实施例中,显示设备还可以包括竖直分支和与竖直分支相邻且在与竖直分支的延伸方向相同的方向上延伸的相邻的竖直分支。竖直分支和相邻的竖直分支可以形成断开部。第三导电图案还可以包括与断开部叠置的覆盖电极。
在实施例中,显示设备还可以包括:薄膜晶体管层,位于基底上;第一导电图案,位于薄膜晶体管层上;第一过孔绝缘层,位于第一导电图案上;第二导电图案,位于第一过孔绝缘层上;第二过孔绝缘层,位于第二导电图案上;发光结构,位于第二过孔绝缘层上;薄膜封装层,位于发光结构上;以及触摸线,位于薄膜封装层上。第一导电图案可以包括第一信号线和第二信号线。第二导电图案可以包括第一连接线和虚设线。显示设备还包括竖直分支和与竖直分支相邻且在与竖直分支的延伸方向相同的方向上延伸的相邻的竖直分支。竖直分支和相邻的竖直分支可以形成断开部。虚设线可以具有至少一个断开部。触摸线可以与断开部和至少一个断开部叠置。
在实施例中,触摸线可以包括彼此交叉的多条线,并且多条线交叉的交叉部可以与断开部和至少一个断开部叠置。
在实施例中,虚设线和第一连接线可以相对于多个像素区域一起形成矩阵网格,并且虚设线和第一连接线可以包括形成在其中的至少一个断开部。
根据发明构思的一个或更多个实施例,显示设备包括:基底;薄膜晶体管层,位于基底上;第一导电图案,位于薄膜晶体管层上且包括第一数据线和第二数据线;第一过孔绝缘层,位于第一导电图案上;以及第二导电图案,包括电连接到第一数据线的连接线和与连接线分隔开的虚设线。连接线和虚设线在第一方向和与第一方向垂直(垂直或基本上垂直)的第二方向上延伸,以形成限定多个像素区域的矩阵网格。在多个像素区域中的像素区域中,至少一个断开部形成在连接线或虚设线中。
在实施例中,多个像素区域可以包括其中定位有虚设线的第一像素区域和其中定位有连接线的第二像素区域。除了断开部的位置之外,第一像素区域的虚设线和第二像素区域的连接线在平面图中可以具有相同的形状。
在实施例中,显示设备还可以包括:第二过孔绝缘层,位于第二导电图案上;第三导电图案,位于第二过孔绝缘层上且包括反射材料,第三导电图案包括第一电极和与断开部叠置的覆盖电极;发光层,位于第一电极上;以及第二电极,位于发光层上。
根据本发明构思的实施例的多个方面,显示设备包括设置在显示区域中的连接线,可以减小与显示区域的边缘相邻的非显示区域,并且可以增大显示区域。另外,能够最小化或减少由于针对每个像素的布线构造的偏差导致的不平坦。因此,可以改善显示质量。
附图说明
通过参照附图进一步详细描述发明构思的一些实施例,发明构思的以上和其他方面和特征将变得更加清楚,在附图中:
图1是根据发明构思的实施例的显示设备的透视图;
图2是示出了处于展开状态的图1的显示设备的平面图;
图3是图2的区域的放大图;
图4是根据发明构思的实施例的显示设备的像素的等效电路图;
图5是根据发明构思的实施例的显示设备的驱动信号的时序图;
图6A至图6C是示出了图2的显示设备的第一像素区域至第四像素区域中的虚设线和连接线的平面图;
图7A至图7C是示出了根据发明构思的实施例的显示设备的第一像素区域至第四像素区域中的虚设布线、连接布线和开口区域的平面图;
图8是沿着图7A和图7C的线I-I'截取的第一像素区域或第三像素区域的剖视图;
图9是沿着图7B的线II-II'截取的第二像素区域或第四像素区域的剖视图;
图10是示出了沿着与图7A和图7C的线I-I'对应的线截取的根据发明构思的实施例的显示设备的剖视图;
图11是示出了根据发明构思的实施例的显示设备的剖视图;
图12A至图12C是示出了根据发明构思的实施例的显示设备的第一像素区域至第四像素区域中的虚设线、连接线、开口区域和触摸线的平面图;
图13是沿着图12C的线III-III'截取的第三像素区域的剖视图;
图14是示出了根据发明构思的实施例的显示设备的触摸线和断开部的平面图;
图15是图14的显示设备的剖视图;
图16是示出了根据发明构思的实施例的电子装置的框图;
图17A是示出了其中图16的电子装置被实现为电视的示例的图;以及
图17B是示出了其中图16的电子装置被实现为智能电话的示例的图。
具体实施方式
在此,将参照附图进一步详细描述发明构思的一些实施例。然而,发明构思可以以许多不同的形式实施,并且不应被解释为限于在此所阐述的实施例。
在本公开中,将理解的是,当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层,或者可以存在一个或更多个中间元件或层。
同样的附图标记始终表示同样的元件。在附图中,为了便于描述技术内容,可以夸大组件的厚度、比例和尺寸。
如在此所使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
将理解的是,尽管术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此,下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为“第二”元件、组件、区域、层或部分而不脱离本公开的教导。如在此所使用的,单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式,除非上下文另外明确指示。
为了便于描述,在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。
除非另有定义,否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是,术语(诸如在常用词典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且不应当以理想化或过于正式的意义来解释,除非在本文中明确地如此定义。
图1是根据发明构思的实施例的显示设备的透视图;图2是示出了处于展开状态的图1的显示设备的平面图。
参照图1和图2,显示设备可以包括其中显示图像的显示区域AA和作为与显示区域AA相邻的非显示区域的外围区域PA。
图像显示在显示区域AA中,并且可以布置多个像素区域。在实施例中,显示区域AA可以定位在基底100(见图8)的中心处,并且可以具有多边形形状。例如,如所示,显示区域AA可以沿着第一方向D1和与第一方向D1垂直的第二方向D2形成为矩形形状。在实施例中,显示区域AA的四个拐角CNR可以具有倒角形状。在实施例中,尽管未示出,但是四个拐角CNR可以具有圆角形状。
显示区域AA还可以包括从显示区域AA的至少一个边缘延伸且弯曲的侧显示区域EAA。例如,如附图中所示,显示区域AA还可以包括从显示区域AA的四个边缘延伸且以一定曲率(例如,预定曲率)弯曲的侧显示区域EAA。因此,可以实现四侧的边缘显示设备。
外围区域PA可以在第二方向D2上与显示区域AA相邻地沿第一方向D1延伸。包括多个垫(pad,或称为“焊盘”)电极的垫部PAD可以设置在外围区域PA中。垫部PAD可以在第一方向D1上延伸,并且多个垫电极可以沿第一方向D1布置。
图3是图2的区域的放大图。具体地,图3是图2的左下拐角区域的放大图。
参照图1至图3,显示设备还可以包括多条数据线DL1、……、DLn、……、DLm和多条连接线。
数据线可以包括第一数据线DL1至第n数据线DLn至第m数据线DLm,每条数据线在第二方向D2上延伸(n是大于或等于2的自然数,m是大于n的自然数)。
连接线可以包括第一连接线CLH1和CLV1。第一连接线可以包括在第一方向D1上延伸的水平线部CLH1和在第二方向D2上延伸的竖直线部CLV1。
第一连接线可以电连接到第一数据线DL1。在图3中,第一连接线被示出为在拐角CNR的非显示区域中与第一数据线DL1接触(由图上的点指示),但是本发明不限于此。例如,第一数据线DL1和第一连接线的水平线部CLH1可以在显示区域AA中彼此接触。
第一连接线的至少一部分可以设置在显示区域AA中,并且可以具有连接到垫部PAD的结构。因此,与其中第一数据线DL1以蜘蛛布线(spider wire)(或扇出布线)的形式布置在拐角CNR的非显示区域中的情况相比,可以减小非显示区域的尺寸。
在实施例中,显示区域AA中的像素区域可以包括与第m数据线DLm叠置的第一像素区域PXa、与第一连接线的竖直线部CLV1叠置的第二像素区域PXb、与第一连接线的水平线部CLH1叠置的第三像素区域PXc以及与第一数据线DL1和第一连接线叠置的第四像素区域PXd。
在此,第四像素区域PXd、第二像素区域PXb和第三像素区域PXc可以设置为比第一像素区域PXa靠近拐角CNR的显示区域AA。即,第一像素区域PXa可以是未设置有连接线的像素区域,第二像素区域至第四像素区域PXb、PXc和PXd是设置有连接线的像素区域。
图4是根据实施例的显示设备的像素的等效电路图。
在实施例中,如图4中所示,显示设备包括显示与视频信号对应的图像的多个像素PX以及多条信号线。每个像素PX可以包括连接到多条信号线的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、电容器Cst和发光二极管EL。在此,为了便于描述,将描述其中每个像素PX包括单个发光二极管EL的实施例,但是实施例不限于此。在另一实施例中,每个像素PX包括两个或更多个发光二极管。
信号线可以包括多条扫描线、多条控制线、多条数据线和多条驱动电压线。
多条扫描线可以分别传输扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)。扫描信号GWn、GIn和GI(n+1)可以传输可以使包括在每个像素PX中的晶体管T2、T3、T4和T7导通和截止的栅极导通电压和栅极截止电压。
连接到一个像素PX的扫描线可以包括传输扫描信号GWn的第一扫描线、在与第一扫描线的具有栅极导通电压的时间不同的时间具有栅极导通电压的第二扫描线以及传输扫描信号GI(n+1)的第三扫描线。在此,为了便于描述,将描述其中第二扫描线在第一扫描线之前的时间传输栅极导通电压的实施例。在实施例中,例如,扫描信号GWn是在一个帧时段期间施加的扫描信号之中的第n扫描信号Sn(在此,n是大于1的自然数),扫描信号GIn可以是诸如第n-1扫描信号S(n-1)的前一扫描信号,并且扫描信号GI(n+1)可以是第n扫描信号Sn,但不限于此。在另一实施例中,扫描信号GI(n+1)可以是除第n扫描信号Sn之外的扫描信号。
控制线可以传输控制信号,例如,控制包括在像素PX中的发光二极管EL的发射的发射控制信号。由控制线传输的控制信号可以传输栅极导通电压和栅极截止电压,并且可以具有与由扫描线传输的扫描信号的波形不同的波形。
数据线可以传输数据信号Dm,驱动电压线可以传输驱动电压ELVDD。数据信号Dm可以具有根据输入到显示设备的视频信号而变化的电压电平,驱动电压ELVDD可以具有基本上恒定的电压电平。
在实施例中,如图4中所示,每个像素PX中的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。
在这样的实施例中,第一扫描线可以将扫描信号GWn传输到第二晶体管T2和第三晶体管T3,第二扫描线可以将扫描信号GIn传输到第四晶体管T4,第三扫描线可以将扫描信号GI(n+1)传输到第七晶体管T7,控制线可以将发光控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。
第一晶体管T1的栅电极G1通过驱动栅极节点GN连接到电容器Cst的第一端Cst1,第一晶体管T1的源电极S1经由第五晶体管T5连接到驱动电压线,第一晶体管T1的漏电极D1经由第六晶体管T6电连接到发光二极管EL的阳极。第一晶体管T1根据第二晶体管T2的开关操作接收从数据线传输的数据信号Dm,并且将驱动电流Id供应到发光二极管EL。
第二晶体管T2的栅电极G2连接到第一扫描线,第二晶体管T2的源电极S2连接到数据线,第二晶体管T2的漏电极D2经由第五晶体管T5连接到驱动电压线,同时连接到第一晶体管T1的源电极S1。第二晶体管T2由通过第一扫描线接收的扫描信号GWn导通,并且将从数据线接收的数据信号Dm传输到第一晶体管T1的源电极S1。
第三晶体管T3的栅电极G3连接到第一扫描线,第三晶体管T3的源电极S3经由第六晶体管T6连接到发光二极管EL的阳极,同时连接到第一晶体管T1的漏电极D1。第三晶体管T3的漏电极D3连接到第四晶体管T4的漏电极D4、电容器Cst的第一端Cst1和第一晶体管T1的栅电极G1。第三晶体管T3根据通过第一扫描线接收的扫描信号GWn导通,并且通过将第一晶体管T1的栅电极G1和漏电极D1彼此连接来二极管连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4的栅电极G4连接到第二扫描线,第四晶体管T4的源电极S4连接到初始化电压端子,第四晶体管T4的漏电极D4通过第三晶体管T3的漏电极D3连接到电容器Cst的第一端Cst1和第一晶体管T1的栅电极G1。第四晶体管T4根据通过第二扫描线接收的扫描信号GIn导通,并且将初始化电压Vint传输到第一晶体管T1的栅电极G1,用于执行使第一晶体管T1的栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
第五晶体管T5的栅电极G5连接到控制线,第五晶体管T5的源电极S5连接到驱动电压线,第五晶体管T5的漏电极D5连接到第一晶体管T1的源电极S1和第二晶体管T2的漏电极D2。
第六晶体管T6的栅电极G6连接到控制线,第六晶体管T6的源电极S6连接到第一晶体管T1的漏电极D1和第三晶体管T3的源电极S3,第六晶体管T6的漏电极D6电连接到发光二极管EL的阳极。第五晶体管T5和第六晶体管T6根据通过控制线接收的发光控制信号EM并发地(例如,同时地)导通,因此,驱动电压ELVDD通过导通的第五晶体管T5和第六晶体管T6被二极管连接的第一晶体管T1补偿,然后补偿的驱动电压ELVDD被传输到发光二极管EL。
第七晶体管T7的栅电极G7连接到第三扫描线,第七晶体管T7的源电极S7连接到第六晶体管T6的漏电极D6和发光二极管EL的阳极,第七晶体管T7的漏电极D7连接到初始化电压端子和第四晶体管T4的源电极S4。在另一实施例中,第七晶体管T7的栅电极G7可以连接到附加控制线(未示出)。
在实施例中,晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7是诸如P型金属氧化物半导体(“PMOS”)晶体管等的P型沟道晶体管,但不限于此。在另一实施例中,晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的至少一个可以是N型晶体管。
在实施例中,如上所述,电容器Cst的第一端Cst1连接到第一晶体管T1的栅电极G1,电容器Cst的第二端Cst2连接到驱动电压线。发光二极管EL的阴极连接到传输共电压ELVSS的共电压端子,并且接收共电压ELVSS。
在实施例中,像素PX的结构不限于图4中所示的结构,并且可以对包括在每个像素PX中的晶体管的数量和电容器的数量以及它们之间的关系进行各种修改。
将参照图5以及图4来描述根据实施例的显示设备的操作。在此,现在将描述显示设备的实施例的一个帧时段期间的操作,其中,显示设备的每个像素的晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7是P型沟道晶体管。
图5是根据实施例的显示设备的驱动信号的时序图。
如图5中所示,低电平扫描信号……、S(n-2)、S(n-1)、Sn、……可以在一个帧时段中顺序地施加到连接到多个像素PX的多条第一扫描线。
在初始化时段期间,通过第二扫描线供应低电平扫描信号GIn。扫描信号GIn可以是例如第n-1扫描信号S(n-1)。然后,第四晶体管T4与低电平扫描信号GIn对应地导通,初始化电压Vint通过导通的第四晶体管T4传输到第一晶体管T1的栅电极G1,第一晶体管T1由此被初始化电压Vint初始化。
然后,当在数据编程时段和补偿时段期间通过第一扫描线供应低电平扫描信号GWn时,第二晶体管T2和第三晶体管T3响应于低电平扫描信号GWn导通。扫描信号GWn可以是例如第n扫描信号Sn。在这样的实施例中,第一晶体管T1被导通的晶体管T3二极管连接,因此在正向方向上偏置。然后,将补偿电压(Dm+Vth)施加到第一晶体管T1的栅电极G1,补偿电压(Dm+Vth)从数据线供应的数据信号Dm减小了第一晶体管T1的阈值电压(Vth)的量。即,施加到第一晶体管T1的栅电极G1的栅电压可以是补偿电压(Dm+Vth)。在此,阈值电压(Vth)具有负(-)值。
驱动电压ELVDD和补偿电压(Dm+Vth)施加到电容器Cst的相对端,并且与电容器Cst的相对端之间的电压差对应的电荷可以被存储在电容器Cst中。
然后,从控制线供应的发光控制信号EM在发光时段期间从高电平变为低电平。发光控制信号EM在其处从高电平变为低电平的时间可以是在一个帧时段中向所有第一扫描线施加扫描信号GWn的时间之后。然后,第五晶体管T5和第六晶体管T6在发光时段期间由发光控制信号EM的低电平导通。因此,产生与第一晶体管T1的栅电极G1的栅极电压和驱动电压ELVDD之间的电压差对应的驱动电流Id,并且驱动电流Id通过第六晶体管T6供应到发光二极管EL,使得电流Ied流到发光二极管EL。在发光时段期间,第一晶体管T1的栅极-源极电压(Vgs)由电容器Cst保持在(Dm+Vth)-ELVDD,根据第一晶体管T1的电流-电压关系,驱动电流Id可以与通过从栅极-源极电压减去阈值电压获得的值的平方(Dm-ELVDD)2成比例。因此,可以独立于第一晶体管T1的阈值电压Vth来确定驱动电流Id。
在这样的实施例中,在初始化时段期间,第七晶体管T7由通过第三扫描线接收低电平的扫描信号GI(n+1)导通。扫描信号GI(n+1)可以是第n扫描信号Sn。在这样的实施例中,第七晶体管T7可以与第二晶体管T2和第三晶体管T3并发地(例如,同时地)导通。驱动电流Id的一部分可以通过第七晶体管T7由导通的第七晶体管T7引出作为旁路电流Ibp。
图6A至图6C是示出了图2的显示设备的第一像素区域至第四像素区域中的虚设线和连接线的平面图。图6A示出了第一像素区域;图6B示出了第二像素区域和第四像素区域;图6C示出了第三像素区域。
参照图6A至图6C,连接线可以包括第一连接线。第一连接线包括在第一方向D1上延伸的水平线部CLH1和在与第一方向D1垂直的第二方向D2上延伸的竖直线部CLV1。
竖直分支VBR可以从水平线部CLH1突出且在第二方向D2上延伸。
竖直线部CLV1可以具有从竖直线部CLV1在第一方向D1上突出的水平分支HBR。
虚设线可以包括在第一方向D1上延伸的水平虚设线DMLH和在第二方向D2上延伸的竖直虚设线DMLV。第一像素区域PXa中的竖直虚设线DMLV可以具有至少一个断开部CT。
即,虚设线和连接线相对于多个像素区域一起形成矩阵网格,并且根据形成在虚设线和连接线中的断开部CT的位置,可以构造期望的电路。
例如,在一个像素区域中,至少一个断开部CT可以形成在连接线或虚设线中,除了断开部CT的位置之外,第一像素区域PXa(见图6A)的虚设线DMLH和DMLV以及第二像素区域PXb或第四像素区域PXd(见图6B)的连接线CLV1和HBR在平面图中可以具有相同的形状。另外,第一像素区域PXa(见图6A)的虚设线DMLH和DMLV与第三像素区域PXc(见图6C)的连接线CLH1和VBR在平面图中可以具有相同的形状。
因此,可以最小化或减少由于针对每个像素的布线构造的变化导致的不平坦,并且可以改善显示质量。
连接线和虚设线可以由同一层通过图案化来形成。例如,第一连接线和虚设线可以包括在第二导电图案(见图8等)中。
图7A至图7C是示出了根据发明构思的实施例的显示设备的第一像素区域至第四像素区域中的虚设布线、连接布线和开口区域的平面图。图7A示出了第一像素区域;图7B示出了第二像素区域和第四像素区域;图7C示出了第三像素区域。图8是沿着图7A和图7C的线I-I'截取的第一像素区域或第三像素区域的剖视图;图9是沿着图7B的线II-II'截取的第二像素区域或第四像素区域的剖视图。
参照图7A至图9,显示设备可以包括基底100、薄膜晶体管层TFTL、第一导电图案SD1、第一过孔绝缘层VIA1、第二导电图案、第二过孔绝缘层VIA2、像素限定层PDL、发光结构180和薄膜封装层TFE。
基底100可以由透明或不透明材料制成。在实施例中,基底100可以由具有柔性的柔性树脂基底制成。
薄膜晶体管层TFTL可以设置在基底100上。薄膜晶体管层TFTL可以包括多个薄膜晶体管、绝缘层等。例如,薄膜晶体管层TFTL可以包括设置在基底100上的有源图案、设置在有源图案上的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上的栅电极和在栅电极上的层间绝缘层。
第一导电图案SD1可以设置在薄膜晶体管层TFTL上。第一导电图案SD1可以包括诸如数据线和电压线的信号线。例如,第一导电图案SD1可以电连接到显示设备的数据线(见图3的DL1、DLn、DLm)、驱动电压线以及电连接到薄膜晶体管的有源图案的源电极和漏电极。
第一过孔绝缘层VIA1可以设置在第一导电图案SD1上。第一过孔绝缘层VIA1可以以单层结构形成,或者可以以包括至少两个绝缘层的多层结构形成。
第二导电图案可以设置在第一过孔绝缘层VIA1上。第二导电图案可以包括构成像素电路的电极图案ELP、虚设线和连接线。虚设线可以包括水平虚设线DMLH和竖直虚设线DMLV。连接线可以包括包含水平线部CLH1和竖直线部CLV1的第一连接线。竖直虚设线DMLV可以形成与从相邻的像素区域延伸的竖直虚设线DMLVa断开的断开部CT。
另外,连接线还包括分别从水平线部CLH1和竖直线部CLV1延伸的竖直分支VBR和水平分支HBR。竖直分支VBR可以形成与从相邻的像素区域延伸的竖直分支VBRa断开的断开部CT。
第二过孔绝缘层VIA2可以设置在第二导电图案上。第二过孔绝缘层VIA2可以以单层结构形成,或者可以以包括至少两个绝缘层的多层结构形成。
发光结构180可以包括第一电极181、发光层182和第二电极183。
第一电极181可以设置在第二过孔绝缘层VIA2上。第一电极181可以根据显示设备的发射类型包括反射材料或透射材料。在实施例中,第一电极181可以具有单层结构或多层结构,其可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。例如,第一电极181可以包括银(Ag)。
像素限定层PDL可以设置在其上设置有第一电极181的第二过孔绝缘层VIA2上。像素限定层PDL可以使用有机材料形成。例如,像素限定层PDL可以包括光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。在一些实施例中,可以通过蚀刻像素限定层PDL来形成暴露第一电极181的开口OP。显示设备的发射区域和非发射区域可以由像素限定层PDL的开口OP限定。例如,定位像素限定层PDL的开口OP的部分可以与发射区域对应,非发射区域可以与邻近像素限定层PDL的开口OP的部分对应。
发光层182可以设置在通过像素限定层PDL的开口OP暴露的第一电极181上。另外,发光层182可以在像素限定层PDL的开口OP的侧壁上延伸。在一些实施例中,发光层182可以包括有机发光层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等。在一些实施例中,除了有机发光层之外,空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可以公共地形成以与多个像素对应。在一些实施例中,可以根据显示设备的颜色像素使用用于产生不同颜色的光(诸如红色光、绿色光和蓝色光)的发光材料形成多个有机发光层。在一些实施例中,发光层182的有机发光层可以包括用于产生红色光、绿色光和蓝色光的多个堆叠的发光材料,以由此发射白色光。在此,发光层182的元件公共地形成以便与多个像素对应,并且每个像素可以被滤色器层分开。
第二电极183可以设置在像素限定层PDL和发光层182上。第二电极183可以根据显示设备的发射类型包括透射材料或反射材料。在实施例中,第二电极183也可以具有单层结构或多层结构,其可以包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电膜。
在此,在产生具有相同颜色的光的像素的情况下,设置在像素限定层PDL的开口OP下方的电路布线的图案可以具有相同的结构。即,位于图8中的第一像素区域PXa和第三像素区域PXc的开口OP下方的第一导电图案SD1和第二导电图案的形状和布置可以与位于图9中的第二像素区域PXb和第四像素区域PXd中的开口OP下方的第一导电图案SD1和第二导电图案的形状和布置相同(相同或基本上相同)。因此,即使通过电路布线的图案在第一电极181中形成不平坦,也由于在产生相同颜色的光的其它像素中也形成不平坦,因此可以不存在由于像素之间的偏差而导致的显示质量的劣化的问题。
薄膜封装层TFE可以设置在第二电极183上。薄膜封装层TFE可以防止或基本上防止湿气和氧从外部渗透。在实施例中,薄膜封装层TFE可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。至少一个有机层和至少一个无机层可以彼此交替地堆叠。例如,薄膜封装层TFE可以包括两个无机层和位于其间的一个有机层,但不限于此。在一些实施例中,可以提供密封基底而不是薄膜封装层TFE来屏蔽外部空气和湿气渗透到显示设备中。
图10是示出了沿着与图7A和图7C的线I-I'对应的线截取的根据发明构思的实施例的显示设备的剖视图。
参照图10,根据实施例的显示设备可以与图7A至图9的显示设备基本上相同。因此,省略了重复描述。
根据实施例的显示设备可以包括基底100、薄膜晶体管层TFTL、第一导电图案SD1、第一过孔绝缘层VIA1、第二导电图案、第二过孔绝缘层VIA2、黑色像素限定层BPDL、发光结构180和薄膜封装层TFE。
黑色像素限定层BPDL可以包括黑色颜料或黑色染料。因此,由于黑色像素限定层BPDL,布线图案可以不被视觉识别。例如,连接线和断开部CT可以被黑色像素限定层BPDL覆盖,使得由于断开部CT或连接线引起的不平坦可以不被视觉识别。
图11是示出了根据发明构思的实施例的显示设备的剖视图。
参照图11,除了设置在断开部CT上的平坦化绝缘层PL和覆盖电极CVE之外,根据实施例的显示设备可以与图7A至图9的显示设备基本上相同。因此,省略了重复描述。
根据实施例的显示设备可以包括基底100、薄膜晶体管层TFTL、第一导电图案SD1、第一过孔绝缘层VIA1、第二导电图案、平坦化绝缘层PL、第三导电图案、像素限定层PDL、发光结构180和薄膜封装层TFE。
平坦化绝缘层PL可以设置在其上设置有第二导电图案的第一过孔绝缘层VIA1上。平坦化绝缘层PL可以具有平坦的上表面。
第三导电图案可以设置在平坦化绝缘层PL上。第三导电图案可以包括第一电极181和覆盖电极CVE。第三导电图案可以包括反射材料。例如,第三导电图案可以包括银(Ag)。因此,覆盖电极CVE可以设置为与断开部CT叠置,并且可以包括反射材料,从而防止或基本上防止断开部CT被视觉识别。
图12A至图12C是示出了根据发明构思的实施例的显示设备的第一像素区域至第四像素区域中的虚设线、连接线、开口区域和触摸线的平面图。图12A示出了第一像素区域;图12B示出了第二像素区域和第四像素区域;图12C示出了第三像素区域。图13是沿着图12C的线III-III'截取的第三像素区域的剖视图。
参照图12A至图13,除了触摸线TL之外,根据实施例的显示设备可以与图7A至图9的显示设备基本上相同。因此,省略了重复描述。
根据实施例的显示设备可以包括基底100、薄膜晶体管层TFTL、第一导电图案SD1、第一过孔绝缘层VIA1、第二导电图案、第二过孔绝缘层VIA2、像素限定层PDL、发光结构180、薄膜封装层TFE和触摸线TL。第二导电图案可以包括电极图案ELP、虚设线和连接线。
虚设线和连接线可以形成断开部CT。
彼此交叉的多条触摸线TL可以设置在薄膜封装层TFE上。触摸线TL可以延伸以在与第一方向D1和第二方向D2不同的方向上彼此交叉。
在这种情况下,断开部CT可以设置为与触摸线TL叠置,并且可以由于触摸线TL而最小化或减小断开部CT的可见性。
图14是示出了根据发明构思的实施例的显示设备的触摸线和断开部的平面图;图15是图14的显示设备的剖视图。
参照图14和图15,除了断开部CT设置为与触摸线TL交叉的交叉部TLX叠置之外,根据实施例的显示设备可以与图12A至图13的显示设备基本上相同。因此,省略了重复描述。
其中触摸线TL彼此交叉的交叉部TLX可以设置为与断开部CT叠置。在实施例中,由于交叉部TLX形成为比触摸线TL的宽度大,因此即使当断开部CT与触摸线TL之间的距离相对远时,也可以最小化或减小断开部CT的可见性。
图16是示出了根据实施例的电子装置的框图;图17A是示出了其中图16的电子装置被实现为电视的示例的图;图17B是示出了其中图16的电子装置被实现为智能电话的示例的图。
参照图16至图17B,电子装置500可以包括处理器510、存储器装置520、存储装置530、输入/输出(I/O)装置540、电源550和显示设备560。在此,显示设备560可以与图1的显示设备对应。另外,电子装置500还可以包括用于与视频卡、声卡、存储器卡、通用串行总线(USB)装置、其他电子装置等通信的多个端口。在实施例中,如图17A中示出的,电子装置500可以被实现为电视。在另一实施例中,如图17B中示出的,电子装置500可以被实现为智能电话。然而,电子装置500的实施例不限于此。例如,电子装置500可以被实现为蜂窝电话、视频电话、智能板、智能手表、平板PC、汽车导航系统、计算机监视器、膝上型计算机、头戴式显示器(HMD)等。
处理器510可以执行各种计算功能。处理器510可以是微处理器、中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等。处理器510可以经由地址总线、控制总线、数据总线等结合到其他组件。另外,处理器510可以结合到诸如外围组件互连(PCI)总线的延伸总线。存储器装置520可以存储用于电子装置500的操作的数据。例如,存储器装置520可以包括至少一个非易失性存储器装置(诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)装置、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)装置、闪存装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置、电阻随机存取存储器(RRAM)装置、纳米浮栅存储器(NFGM)装置、聚合物随机存取存储器(PoRAM)装置、磁性随机存取存储器(MRAM)装置、铁电随机存取存储器(FRAM)装置等)和/或至少一个易失性存储器装置(诸如动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置、移动DRAM装置等)。存储装置530可以包括固态驱动器(SSD)装置、硬盘驱动器(HDD)装置、CD-ROM装置等。I/O装置540可以包括诸如键盘、小键盘、鼠标装置、触摸板、触摸屏等的输入装置和诸如打印机、扬声器等的输出装置中的任意一者。电源550可以为电子装置500的操作提供电力。
显示设备560可以经由总线或其它通信链路结合到其它组件。在一些实施例中,显示设备560可以包括在I/O装置540中。如上所述,显示设备560可以具有其中非显示区域减小、显示区域扩大且布线不规则不被视觉识别的结构。然而,由于这已经在上面进行了描述,因此将不重复其描述。
本发明的实施例可以应用于例如有机发光显示装置和包括其的各种电子装置。例如,本发明的实施例可以应用于移动电话、智能电话、视频电话、智能板、智能手表、平板PC、汽车导航系统、电视、计算机监视器、笔记本等。
前述内容是对发明构思的说明,不应被解释为对发明构思的限制。尽管已经描述了发明构思的一些实施例,但是本领域技术人员将容易地理解的是,在实质上不脱离发明构思的新颖教导和方面的情况下,实施例中的许多修改是可能的。因此,所有这样的修改旨在被包括在如权利要求中所阐述的发明构思的范围内。因此,将理解的是,前述内容是对发明构思的说明且不应被解释为限于所公开的具体实施例,并且对所公开的实施例以及其他实施例的修改旨在被包括在所附权利要求的范围内。发明构思由权利要求与将包括在其中的权利要求的等同物来限定。
Claims (17)
1.一种显示设备,所述显示设备包括:
基底,包括其中布置有多个像素区域的显示区域和与所述显示区域相邻且其中布置有包括多个垫电极的垫部的外围区域;
第一信号线和第二信号线,在所述基底上位于所述显示区域中;
第一连接线,电连接到所述第一信号线且连接到所述垫部,其中,所述第一连接线的至少一部分位于所述显示区域中;以及
虚设线,与所述第一连接线位于同一层上。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一连接线包括在第一方向上延伸的水平线部和在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的竖直线部。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,竖直分支从所述水平线部沿所述第二方向延伸。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述多个像素区域包括:
第一像素区域,与所述第二信号线叠置;
第二像素区域,与所述第一连接线的所述水平线部叠置;以及
第三像素区域,与所述第一连接线的所述竖直线部叠置,
其中,所述第二像素区域和所述第三像素区域比所述第一像素区域靠近所述显示区域的边缘。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述虚设线包括在所述第一方向上延伸的水平虚设线和在所述第二方向上延伸的竖直虚设线,
所述水平虚设线和所述竖直虚设线与所述第一像素区域叠置,并且
所述第一像素区域中的所述竖直虚设线具有至少一个断开部。
6.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述显示区域沿着所述第一方向和所述第二方向布置成矩形形状,并且所述显示区域的四个拐角具有倒角或圆角形状,并且
所述外围区域在所述第二方向上与所述显示区域相邻地沿所述第一方向延伸,所述垫部在所述第一方向上延伸,并且所述多个垫电极沿所述第一方向布置。
7.根据权利要求6所述的显示设备,其中,所述显示区域还包括从所述显示区域的至少一个边缘延伸且弯曲的侧显示区域。
8.根据权利要求4所述的显示设备,所述显示设备还包括:
薄膜晶体管层,位于所述基底上;
第一导电图案,位于所述薄膜晶体管层上;
第一过孔绝缘层,位于所述第一导电图案上;以及
第二导电图案,位于所述第一过孔绝缘层上,
其中,所述第一导电图案包括所述第一信号线和所述第二信号线,并且
所述第二导电图案包括所述第一连接线和所述虚设线。
9.根据权利要求8所述的显示设备,所述显示设备还包括像素限定层,所述像素限定层位于所述基底、所述第一信号线和所述第二信号线、所述第一连接线和所述虚设线上,并且限定作为发射区域的、与所述多个像素区域中的每个对应的开口,并且
所述第一像素区域的所述开口、所述第二像素区域的所述开口和所述第三像素区域的所述开口下方的电路布线的图案相同。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其中,所述第一像素区域、所述第二像素区域和所述第三像素区域均发射具有相同颜色的光。
11.根据权利要求9所述的显示设备,其中,所述多个像素区域中的每个包括发射红光的红色像素、发射绿光的绿色像素和发射蓝光的蓝色像素中的任意一个。
12.根据权利要求8所述的显示设备,所述显示设备还包括:
像素限定层,位于所述基底、所述第一信号线和所述第二信号线、所述第一连接线和所述虚设线上,并且限定作为发射区域的、与所述多个像素区域中的每个对应的开口,并且
所述像素限定层包括黑色颜料或黑色染料。
13.根据权利要求8所述的显示设备,所述显示设备还包括:
平坦化绝缘层,位于所述第二导电图案上;
第三导电图案,位于所述平坦化绝缘层上且包括包含反射材料的第一电极;
发光层,位于所述第一电极上;以及
第二电极,位于所述发光层上。
14.根据权利要求13所述的显示设备,所述显示设备还包括竖直分支和与所述竖直分支相邻且在与所述竖直分支的延伸方向相同的方向上延伸的相邻的竖直分支,其中,所述竖直分支和所述相邻的竖直分支形成断开部,并且
所述第三导电图案还包括与所述断开部叠置的覆盖电极。
15.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:
薄膜晶体管层,位于所述基底上;
第一导电图案,位于所述薄膜晶体管层上;
第一过孔绝缘层,位于所述第一导电图案上;
第二导电图案,位于所述第一过孔绝缘层上;
第二过孔绝缘层,位于所述第二导电图案上;
发光结构,位于所述第二过孔绝缘层上;
薄膜封装层,位于所述发光结构上;以及
触摸线,位于所述薄膜封装层上,
其中,所述第一导电图案包括所述第一信号线和所述第二信号线,
所述第二导电图案包括所述第一连接线和所述虚设线,
所述显示设备还包括竖直分支和与所述竖直分支相邻且在与所述竖直分支的延伸方向相同的方向上延伸的相邻的竖直分支,其中,所述竖直分支和所述相邻的竖直分支形成断开部,
所述虚设线包括至少一个断开部,并且
所述触摸线与所述断开部和所述至少一个断开部叠置。
16.根据权利要求15所述的显示设备,其中,所述触摸线包括彼此交叉的多条线,并且所述多条线交叉的交叉部与所述断开部和所述至少一个断开部叠置。
17.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述虚设线和所述第一连接线相对于所述多个像素区域一起形成矩阵网格,并且所述虚设线和所述第一连接线包括形成在其中的至少一个断开部。
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KR20200139301A (ko) * | 2019-06-03 | 2020-12-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
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Cited By (1)
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