CN112038497A - 量子点发光器件、其制作方法及量子点显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种量子点发光器件、其制作方法及量子点显示装置。该量子点发光器件包括依次排列的第一电极层、第一功能层、发光层、第二功能层和第二电极层，所述第一功能层包括溶解于第一溶剂的第一传输材料，所述第二功能包括溶于第二溶剂第二传输材料；所述发光层包括钙钛矿量子点和与所述钙钛矿量子点键合的配体，所述配体自组装为网络结构。本实施例提供的量子点发光器件引入的配体能够形成自组装网络以包裹发光层中的钙钛矿量子点，有利于使发光层保持较好的形貌，并降低功能层的溶剂对量子点结构的破坏，以提高发光层稳定性和器件寿命。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种量子点发光器件、其制作方法及量子点显示装置。
背景技术
钙钛矿(Perovskite，结构式为ABX3)是一种重要的荧光材料，具有溶液制成，低温合成，成本低，荧光量子产率高等优点，广泛应用于量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diode，QLED)领域。
钙钛矿量子点发光二极管普遍采用多层结构，主要包括正极/空穴传输层/发光层/电子传输层/负极等。在钙钛矿量子点发光二极管器件中，相邻膜层的引入通常需要选择极性不同的溶剂，例如，在成膜过程中，钙钛矿量子点的成膜通常选用非极性溶剂(如己烷，庚烷，辛烷，甲苯，氯仿等)，而电子传输层材料(氧化锌粒子等)通常分散在极性溶剂如乙醇中。乙醇溶剂对离子型的钙钛矿量子点具有非常大的破坏作用，主要是会破坏量子点的晶体结构，这会降低或者淬灭钙钛矿材料的荧光性能，并且进一步导致器件性能下降。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种量子点发光器件、其制作方法及量子点显示装置，用于解决发光层上的功能层所用的溶剂会对量子点结构造成破坏，影响量子点发光器件性能的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括：
第一电极层；
第一功能层，位于所述第一电极层的一侧，所述第一功能层包括第一传输材料；
发光层位于第一功能层远离所述第一电极的一侧，所述发光层包括钙钛矿量子点和与所述量子点键合的配体，所述配体自组装为网络结构；
第二功能层，位于所述发光层远离所述第一功能层的一侧，所述第二功能包括第二传输材料；
第二电极层，位于所述第二功能层远离所述发光层的一侧。
可选地，所述量子点包括金属离子Me，所述配体包括羟基OH，所述量子点与所述配体通过形成Me-OH化学键来实现键合。
可选地，所述金属离子包括铅离子、锡离子、锑离子、铋离子和银离子中的一种或组合。
可选地，所述配体的材料包括膦酸类化合物。
可选地，每个所述量子点与多个配体键合，与同一所述量子点键合的所述配体之间形成量子点内氢键，与不同所述量子点键合的所述配体之间形成量子点间氢键，以使所述配体自组装为网络结构，所述配体自组装形成的网络结构包裹所述量子点。
可选地，所述量子点发光器件还包括衬底基板，位于所述第一电极层远离所述第一功能层的一侧；其中，所述第一功能层为电子传输层，所述第二功能层为空穴传输层，或者所述第一功能层为空穴传输层，所述第二功能层为电子传输层。
可选地，所述量子点发光器件还包括空穴注入层，所述空穴注入层位于所述空穴传输层远离所述发光层的一侧。
第二个方面，本申请实施例提供了一种量子点显示装置，该量子点显示装置包括上述的量子点发光器件
第三个方面，本申请实施例提供了一种量子点发光器件的制作方法，所述量子点发光器件的制作方法包括：
提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成第一电极层；
将第一传输材料溶于第一溶剂以形成第一溶液，将所述第一溶液涂覆在所述第一电极层上以形成第一功能层；
将与配体键合的量子点溶解于溶剂以形成量子点溶液；
将所述量子点溶液涂覆在所述第一功能层上以形成发光层；
将第二传输材料溶于第二溶剂以形成第二溶液，将所述第二溶液涂覆在所述发光层上以形成第二功能层；
在所述第二功能层上形成第二电极层。
可选地，将与配体键合的量子点溶解于溶剂以形成量子点溶液，包括：
利用配体对所述量子点进行修饰以获得与配体键合量子点；
对所述与配体键合的量子点进行提纯和清洗；
将提纯和清洗后的所述与配体键合的量子点溶解于溶剂以形成量子点溶液。
可选地，将所述量子点溶液涂覆在所述第一功能层上以形成发光层，包括：将所述量子点溶液滴加到所述第一功能层上，并利用匀胶机旋涂，再在25℃～120℃条件下固化成膜。
可选地，所述第一功能层为电子传输层，所述第二功能层为空穴传输层，或者所述第一功能层为空穴传输层，所述第二功能层为电子传输层，所述量子点发光器件的制作方法还包括：形成空穴注入层，所述空穴注入层位于所述空穴传输层远离所述发光层的一侧。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
本申请实施例提供的量子点发光器件、其制作方法及量子点显示装置，引入的配体能够形成自组装网络，该自组装网络能够包裹发光层中的钙钛矿量子点，有利于使发光层保持较好的形貌，并降低功能层的溶剂对量子点结构的破坏，以提高发光层稳定性和器件寿命；量子点分别在配体形成的自组装网络内，能够避免量子点发生聚集、变大，也有利于隔离氧气分子进入发光层，以防止钙钛矿量子点中的金属离子发生氧化，以便发光层中的金属离子最大程度的保持原始状态，从而提升QLED器件的性能；降低倒置QLED器件结构中氧化锌层对量子点层的淬灭作用。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种量子点发光器件的截面结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种量子点发光器件的截面结构示意图；
图3为本申请实施例提供的又一种量子点发光器件的截面结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种钙钛矿量子点的晶格示意图；
图5为本申请实施例提供的一种发光层中配体形成的自组装网络的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种量子点发光器件的制作方法的流程示意图；
图7为图6中所示的量子点发光器件的制作方法中步骤S3的流程示意图。
附图标记：
1-第一电极层；2-第一功能层；3-发光层；301-量子点；302-配体；4-第二功能层；5-第二电极层；6-衬底基板；7-空穴注入层。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
本申请的发明人考虑到，在钙钛矿量子点发光二极管器件中，相邻膜层的引入通常需要选择极性不同的溶剂，例如，钙钛矿量子点的成膜通常选用非极性溶剂(如己烷，庚烷，辛烷，甲苯，氯仿等)，而电子传输层材料(氧化锌粒子等)通常分散在极性溶剂如乙醇中。乙醇溶剂对离子型的钙钛矿量子点具有非常大的破坏作用，这会降低或者淬灭钙钛矿材料的荧光性能，并且进一步导致器件性能下降。
本申请提供的量子点发光器件及其制作方法，旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种量子点发光器件，如图1和图5所示，包括：
第一电极层1；
第一功能层2，位于第一电极层1的一侧，第一功能层2包括第一传输材料；
发光层3位于第一功能层2远离第一电极层1的一侧，发光层3包括钙钛矿量子点301和与钙钛矿量子点301键合的配体302，配体302自组装为网络结构；
第二功能层4，位于发光层3远离第一功能层2的一侧，第二功能包括第二传输材料；
第二电极层5，位于第二功能层远离发光层3的一侧。
本实施例提供的量子点发光器件，引入的配体302能够形成自组装网络，该自组装网络能够包裹发光层3中的钙钛矿量子点301，有利于使发光层3保持较好的形貌，并降低功能层的溶剂对量子点结构的破坏，以提高发光层3稳定性和器件寿命；量子点301分别在配体302形成的自组装网络内，能够避免量子点发生聚集、变大，也有利于隔离氧气分子进入发光层3，以防止钙钛矿量子点301中的金属离子发生氧化，以便发光层3中的金属离子最大程度的保持原始状态，从而提升QLED器件的性能；降低倒置QLED器件结构中氧化锌层对发光层中的量子点的淬灭作用。
可选地，如图2所示，本实施例提供的量子点发光器件还包括衬底基板6，位于第一电极远离第一功能层2的一侧；第一功能层2为电子传输层，第二功能层4为空穴传输层，或者第一功能层2为空穴传输层，第二功能层4为电子传输层。
当第一功能层2为电子传输层、第二功能层4为空穴传输层时，第一电极层1为阳极，第二电极层5为阴极；当第一功能层2为空穴传输层、第二功能层4为电子传输层时，第一电极层1为阴极，第二电极层5为阳极。
进一步地，如图3所示，本实施例提供的量子点发光器件还包括空穴注入层7，空穴注入层7位于空穴传输层远离发光层3的一侧。
进一步地，如图5所示，每个钙钛矿量子点301与多个配体302键合，与同一量子点键合的配体302之间形成量子点内氢键，与不同量子点键合的配体302之间形成量子点间氢键，以使配体302自组装为网络结构，配体302自组装形成的网络结构包裹量子点。
进一步地，钙钛矿量子点301包括金属离子Me，配体302包括羟基OH，钙钛矿量子点301与配体302通过形成Me-OH化学键来实现键合。本实施例中，钙钛矿量子点301与配体302通过形成Me-OH化学键，能够消除量子点表面的缺陷状态，并保护裸露的金属粒子，钝化缺陷位点，提高量子点的荧光性能。
进一步地，金属离子包括铅离子、锡离子、锑离子、铋离子和银离子中的一种或组合。
具体地，如图4所示，钙钛矿量子点301的化学式ABX3，其中，A为铯(CS)、稀土元素或CH3NH3等；B为铅(Pb)、锡(Sn)、锑(Sb)、铋(Bi)或银(Ag)等；X为卤族元素。以下按B的不同对钙钛矿量子点301的具体成分进行举例说明。
(1)含铅的钙钛矿量子点301：铯铅卤量子点CsPbX3、稀土掺杂量子点MAPbX3(MA是指CH3NH3，稀土元素取代CH3NH3在晶格结构中所在的位置)、有机铅卤量子点CH3NH3PbX3等，其中，X优选Cl、Br或I。
(2)含锡的钙钛矿量子点301：铯锡卤量子点CsSnX3、Cs2SnX6，有机锡卤CH3NH3SnX3量子点，其中，X优选Cl、Br或I。
(3)含锑的钙钛型量子点：铯锑卤量子点CsSbX3，有机锑卤量子点CH3NH3SbX3等，其中，X优选Cl、Br或I。
(4)含银的钙钛矿量子点301：Cs2AgInCl6量子点，其中，X优选Cl、Br或I。
(5)含铋的钙钛矿型量子点，稀土掺杂量子点MA3Bi2Br9(MA是指CH3NH3，稀土元素取代CH3NH3在晶格结构中所在的位置)，有机铋卤量子点CH3NH3BiX3、(CH3NH3)3Bi2X9等，其中，X优选Cl、Br或I。
进一步地，配体302的材料包括膦酸类化合物。
具体地，配体302的材料主要包括：辛基膦酸、癸基膦酸、壬基膦酸、十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、十六烷基膦酸、十八烷基膦酸以及二十烷基膦酸等。
此外，可选地，量子点301还与油酸和/或油胺等常规配体键合。
以下采用CsPbX3作为钙钛矿量子点301，采用辛基膦酸作为配体302，对量子点发光层3的形成过程进行详细说明。
钙钛矿量子点301的晶格结构如图4所示，结合图4和图5所示，CsPbBr3量子点表面分布有多个铅离子(Pb)，铅离子(Pb)与辛基膦酸中的羟基(OH)形成Pb-O化学键，因此，以辛基膦酸配体302修饰后的CsPbBr3量子点表面键合有多个基膦酸配体302。辛基膦酸配体302修饰后的CsPbBr3量子点在乙腈的作用下，辛基膦酸配体302之间构成分子间氢键，形成辛基磷酸酯。
首先，辛基膦酸配体302修饰CsPbBr3量子点的反应式如下：
具体地，如上述反应式所示，CsPbBr3量子点表面的Pb与配体上的羟基形成Pb-O化学键，即如图5所示的第一化学键bond1；量子点晶格结构中的Cs不涉及上述反应，因此未在反应式中显示，反应式中的R是指辛基。
然后，辛基膦酸配体修饰的CsPbBr3量子点自组装的过程如下反应式所示：
具体地，如上述反应式所示，量子点晶格结构中的Cs不涉及上述反应，因此未在反应式中显示，反应式中的R是指辛基。
具体地，请结合图5和上述反应式，辛基膦酸配体之间构成分子间氢键，是指连接在同一量子点上的辛基膦酸配体之间构成分子内氢键bond2，连接在不同量子点上的辛基膦酸配体之间能够构成分子间氢键bond3，如此，辛基膦酸配体自组装为网络结构，而钙钛矿量子点301被基膦酸配体自组装构成的网络结构包覆。
需要说明的是，虽然图5显示的自组装网格为平面结构，但实际上，CsPbBr3量子点表面上的键合的多个辛基膦酸配体并非在同一平面上，形成的自组装网络并非是平面结构而是立体的自组装网络，该立体的自组装网络将量子点包裹在其中。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种量子点发光器件的制作方法，所述量子点发光器件的制作方法包括：
S1：提供一衬底基板6，在衬底基板6上形成第一电极层1。
具体地，该步骤具体包括：提供一衬底基板6，在衬底基板6上形成第一电极层1。在具体实施时，根据需求的不同，衬底基板6为玻璃基板等刚性基板或聚酰亚胺薄膜等柔性基板；第一电极层1的材料可以为铝、铜、银等金属材料，也可以为氧化铟锡等透明导电材料。
S2：将第一传输材料溶于第一溶剂以形成第一溶液，将第一溶液涂覆在第一电极层1上以形成第一功能层2。
具体地，第一功能层2可以为空穴传输层，也可以为电子传输层，当第一功能层2为空穴传输层时，制备出的量子点发光器件为正置量子点发光器件，当第一功能层2为电子传输层时，制备出的量子点发光器件为倒置量子点发光器件。正置结构和倒置结构的量子点发光器件的区别仅是制作步骤的顺序不同，但每个步骤的具体方法相同。在下述实施例中仅以正置结构的量子点发光器件为例进行说明。
具体地，将TFB(聚(9,9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺))，或PVK(聚乙烯咔唑)，或者其它商业化的空穴传输化合物溶于第一溶剂以获得第一溶液。再通过旋涂、蒸镀，或喷墨打印等方式将上述第一溶液涂覆在第一电极层1上以制备出空穴传输层。以TFB为例，将滴有TFB的样品放置在匀胶机上进行匀胶，并在130℃-150℃、惰性气体的环境下进行成膜。空穴传输层的膜层厚度可以根据匀胶机的转速来调控。具体地，第一溶剂通常可以选择氯苯，1,2-二氯苯，3,4-二氯苯胺，2,6-二氯苯甲醛，2,5-二氯苯腈，3,4-二氯苯硼酸等。
S3：将与配体302键合的钙钛矿型量子点溶解于溶剂以形成量子点溶液。
S4：将量子点溶液涂覆在第一功能层2上以形成发光层3。
具体地，以辛基膦酸作为配体修饰的CsPbBr3量子点溶液为例进行说明。该步骤包括：将量子点溶液上述辛基膦酸作为配体修饰的CsPbBr3量子点溶液滴加到第一功能层2上，并利用匀胶机进行旋涂，再在25℃-120℃条件下固化成膜。在本实施例中，可以调整匀胶机的转速来调整发光层3的膜层厚度。
S5：将第二传输材料溶于第二溶剂以形成第二溶液，将第二溶液涂覆在发光层3上以形成第二功能层4。
在正置结构的量子点发光器件中，第二功能层4为电子传输层。以氧化锌纳米粒子薄膜，或氧化锌溶胶凝胶薄膜等作为电子传输材料为例进行说明。
具体地，以氧化锌纳米粒子薄膜为例，将90μL-120μL的10mg/mL-30mg/mL的氧化锌纳米粒子滴加发光层3上，并将样品放置在匀胶机上，以500rpm-2500rpm的转速旋涂，并25℃-120℃的条件下进行加热以获得氧化锌纳米粒子薄膜。
具体地，以氧化锌溶胶凝胶薄膜为例，将2g醋酸锌加入至含有10mL乙醇胺和正丁醇混合溶剂中以形成醋酸锌溶液，将醋酸锌溶液滴加到发光层3上，并将样品放置在匀胶机上，以1000rpm-4000rpm的转速旋涂，并于180℃-250℃的条件下加热成膜。此外，电子传输层材料还可以选择离子掺杂型氧化锌纳米粒子，如Mg，In，Al，Ga等掺杂氧化锌纳米粒子等。
电子传输材料所采用的乙醇胺和正丁醇等溶剂极性较大，而量子点所采用的溶剂(正己烷、正庚烷、氯仿或甲苯等)为非极性溶剂，因此，电子传输材料所采用的溶剂对量子点层的结构具有一定的破坏性，甚至会降低或者淬灭钙钛矿材料的荧光性能。但本申请中利用配体形成的网状结构对量子点进行保护，能够有效降低电子传输擦剂的极性溶剂对量子点的破坏，因此，即使是倒置QLED结构也能够获得较好的性能。
S6：在第二功能层4上形成第二电极层5。
具体地，可以采用蒸镀的方式在第二功能层4上形成铝膜、铜膜或银膜等金属膜，也可以采用溅射方式形成氧化铟锡薄膜或氧化铟锌薄膜等。
本实施例提供的量子点发光器件的制作方法，引入的配体302能够形成自组装网络，该自组装网络能够包裹发光层3中的钙钛矿量子点301，有利于使发光层3保持较好的形貌，并降低功能层的溶剂对量子点结构的破坏，以提高发光层3稳定性和器件寿命；量子点301分布在配体302形成的自组装网络内，能够避免量子点发生聚集、变大，也有利于隔离氧气分子进入发光层3，以防止钙钛矿量子点301中的金属离子发生氧化，以便发光层3中的金属离子最大程度的保持原始状态，从而提升QLED器件的性能；降低倒置QLED器件结构中氧化锌层对量子点层的淬灭作用。
进一步地，本实施例提供的量子点发光器件的制作方法还包括：形成空穴注入层7，空穴注入层7位于空穴传输层远离发光层3的一侧。
具体地，在正置结构的量子点发光器件的制作方法中，形成空穴注入层7的步骤在形成第一电极层1之后且在形成空穴传输层之前。在倒置结构的量子点发光器件的制作方法中，形成空穴注入层7的步骤在形成空穴传输层之后且形成第二电极层5之前。
以制备正置结构的量子点发光器件为例，选用PEDOT:PSS 4083(聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)作为空穴注入材料，并以旋涂、蒸镀，或喷墨打印等方式涂覆在第一电极层1上以形成空穴注入层7。具体地，将涂PEDOT:PSS 4083溶液的样品放置在匀胶机上，并在500rpm-2500rpm的条件下进行旋涂，然后在130℃-150℃的条件下加热成膜。具体地，在具体实施时，可以通过调控溶液的浓度和转速，以调整空穴注入层的厚度。
进一步地，如图7所示，本实施例提供的量子点发光器件的制作方法中，步骤S3包括：
S301：利用配体302对量子点进行修饰以获得与配体302键合量子点。具体地，将配体分子加入到钙钛矿量子点的正己烷(或正庚烷，氯仿或甲苯等)等非极性溶剂中，室温搅拌30min-120min。加入2倍体积的乙醇或乙酸乙酯，以4000rpm-7000rpm的转速进行离心沉淀，倒去上清液。最后将沉淀再分散在正己烷(或正庚烷，氯仿或甲苯等)中，即可得到与配体302键合的量子点。
S302：对与配体302键合的量子点进行提纯和清洗。
具体地，以辛基膦酸修饰的CsPbBr3量子点为例对提纯和清洗的步骤进行说明。
首先，对与配体302键合的钙钛矿量子点进行提纯。将10ml，0.1mmol/ml-1mmol/ml的油酸修饰的CsPbBr3量子点溶液，该溶液可采用1-十八烯(ODE)作为溶剂，在50000rpm/min-10000pm/min条件下离心10min-30min；将下层量子点沉淀溶于2.5ml甲苯中，再重新于50000rpm/min-10000rpm/min的条件下离心10min-30min，保留上层量子点的甲苯清液，丢弃下层沉淀，以获得提纯后的量子点甲苯溶液。
然后进行第一次清洗。具体地，将量子点甲苯溶液与甲苯以体积比为1:1的比例进行混合均匀，再加入15ml乙酸乙酯，混匀，并在2000rpm/min-5000rpm/min的条件下离心10min-30min，保留上清液，并丢弃沉淀，以获得第一次清洗后的量子点溶液。
再进行第二次清洗。具体地，将2.5ml乙腈加入至上述第一次清洗后的量子点溶液中，并混匀，将上述混合液在5000rpm/min-10000rpm/min的条件下离心10min-30min，丢弃上清液，以获得第二次清洗后的量子点溶液。
S303：将提纯和清洗后的与配体302键合的量子点溶解于溶剂以形成量子点溶液。
具体地，将第二次清洗后的量子点溶液重新溶于1.5ml甲苯中，获得辛基膦酸作为配体302修饰的CsPbBr3量子点溶液。
具体地，本实施例提供的量子点发光器件的制作方法还包括：在紫外等激发下，采用紫外固化胶对器件进行封装，并加盖封装盖板，盖板用于对量子点发光器件进行保护。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
本申请实施例提供的量子点发光器件、其制作方法及量子点显示装置，引入的配体能够形成自组装网络，该自组装网络能够包裹发光层中的钙钛矿量子点，有利于使发光层保持较好的形貌，并降低功能层的溶剂对量子点结构的破坏，以提高发光层稳定性和器件寿命；量子点分别在配体形成的自组装网络内，能够避免量子点发生聚集、变大，也有利于隔离氧气分子进入发光层，以防止钙钛矿量子点中的金属离子发生氧化，以便发光层中的金属离子最大程度的保持原始状态，从而提升QLED器件的性能；降低倒置QLED器件结构中氧化锌层对量子点层的淬灭作用。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (12)
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：
第一电极层；
第一功能层，位于所述第一电极层的一侧，所述第一功能层包括第一传输材料；
发光层位于第一功能层远离所述第一电极的一侧，所述发光层包括钙钛矿量子点和与所述量子点键合的配体，所述配体自组装为网络结构；
第二功能层，位于所述发光层远离所述第一功能层的一侧，所述第二功能包括第二传输材料；
第二电极层，位于所述第二功能层远离所述发光层的一侧。
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点包括金属离子Me，所述配体包括羟基OH，所述量子点与所述配体通过形成Me-OH化学键来实现键合。
3.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述金属离子包括铅离子、锡离子、锑离子、铋离子和银离子中的一种或组合。
4.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述配体的材料包括膦酸类化合物。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，每个所述量子点与多个配体键合，与同一所述量子点键合的所述配体之间形成量子点内氢键，与不同所述量子点键合的所述配体之间形成量子点间氢键，以使所述配体自组装为网络结构，所述配体自组装形成的网络结构包裹所述量子点。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括：
衬底基板，位于所述第一电极远离所述第一功能层的一侧；
所述第一功能层为电子传输层，所述第二功能层为空穴传输层，或者
所述第一功能层为空穴传输层，所述第二功能层为电子传输层。
7.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括：
空穴注入层，所述空穴注入层位于所述空穴传输层远离所述发光层的一侧。
8.一种量子点显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7中任一项所述的量子点发光器件。
9.一种量子点发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成第一电极层；
将第一传输材料溶于第一溶剂以形成第一溶液，将所述第一溶液涂覆在所述第一电极层上以形成第一功能层；
将与配体键合的钙钛矿量子点溶解于溶剂以形成量子点溶液；
将所述量子点溶液涂覆在所述第一功能层上，所述配体自组装为网络结构以形成发光层；
将第二传输材料溶于第二溶剂以形成第二溶液，将所述第二溶液涂覆在所述发光层上以形成第二功能层；
在所述第二功能层上形成第二电极层。
10.根据权利要求9所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，将与配体键合的量子点溶解于溶剂以形成量子点溶液，包括：
利用配体对所述量子点进行修饰以获得与配体键合量子点；
对所述与配体键合的量子点进行提纯和清洗；
将提纯和清洗后的所述与配体键合的量子点溶解于溶剂以形成量子点溶液。
11.根据权利要求9所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，将所述量子点溶液涂覆在所述第一功能层上以形成发光层，包括：
将所述量子点溶液滴加到所述第一功能层上，并利用匀胶机旋涂，再在25℃～120℃条件下固化成膜。
12.根据权利要求9-11中任一项所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，所述第一功能层为电子传输层，所述第二功能层为空穴传输层，或者所述第一功能层为空穴传输层，所述第二功能层为电子传输层；
所述量子点发光器件的制作方法还包括：形成空穴注入层，所述空穴注入层位于所述空穴传输层远离所述发光层的一侧。
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