CN110684522A - 改性钙钛矿量子点材料及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了改性钙钛矿量子点材料及其制备方法、显示装置。通过向合成好的钙钛矿量子点的溶液中加入过量的带有羟基表面配体，得到含有羟基修饰的钙钛矿量子点，高速离心后将得到的钙钛矿量子点重新分散到非极性烷基溶剂中行成溶液。再向此溶液中加入过量的正硅酸乙酯，将该溶液敞口放置较长时间后，正硅酸乙酯水解形成三乙氧基硅烷基团，离心后得到被三乙氧基硅烷基团包裹的改性钙钛矿量子点，这有效改善钙钛矿量子点的稳定性。

Description

改性钙钛矿量子点材料及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明设计量子点发光材料领域，具体为一种改性钙钛矿量子点制备方法及其制备方法、显示装置。
背景技术
量子点由于其优秀的热稳定性，较高的量子效率，半峰宽窄以及高色域特性，被人们认为是继LCD，OLED之后的又一大显示技术材料。量子点材料具备量子尺寸效应，随着粒子尺寸的变化，体系的光谱可以实现移动，最终可以实现可见光范围的全部可调，甚至紫外和近红外均可实现且效率高，目前各大公司均有量子点产品亮相市场。
钙钛矿量子点是近几年的热点材料，它的电子迁移速率快，激子结合能大扩散距离长等优异的电学性能以及非常高的荧光量子效率等光学性质，近年来被广泛应用于太阳能电池，激光器，LED，平板显示等方面的研究，并且取得了非常大的科学技术突破。钙钛矿量子点虽然有非常好的光电性质，但是它的稳定性较差，遇到极性溶剂易发生分解，很大程度上限制了它的应用效果。
因此，急需提出一种新的钙钛矿量子点材料，用以提高钙钛矿量子点的稳定性。
发明内容
本发明提改性钙钛矿量子点材料。用以解决钙钛矿量子点稳定性差、容易分解在极性溶剂中等问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种改性钙钛矿量子点材料，具有如下的分子结构式：
Figure BDA0002200995550000011
其中，所述分子结构式中的R为钙钛矿量子点。
进一步地，所述钙钛矿量子点为卤化铅铯，其分子式包括：CsPbX3、CsPb2Y5或CS4PbZ6；其中，X、Y、Z分别为Cl，Br，I中的任意一种。
本发明还提供一种制备方法，用以制备所述的改性钙钛矿量子点材料，其特征在于，包括如下步骤提供一钙钛矿量子点溶液以及含有羟基的表面配体；将过量的所述表面配体加入至所述钙钛矿量子点溶液中，加热并搅拌，得到第一混合溶液；对所述第一混合溶液离心处理，得到表面具有羟基的量子点，并将表面具有羟基的量子点重新分散到非极性烷基溶剂中，得到第二混合溶液；向所述第二混合溶液中加入过量的硅酸酯溶液，静置预设时间，得到第三混合溶液；离心处理所述第三混合溶液，得到所述的改性钙钛矿量子点材料。
进一步地，所述硅酸酯溶液为正硅酸乙酯溶液；所述非极性溶剂包括正己烷、十二烷、十八烷或角鲨烷。
进一步地，在向所述第二混合溶液中加入过量的硅酸酯溶液步骤中，包括：硅酸酯溶液发生水解反应得到三乙氧基硅烷，用以在所述改性钙钛矿量子点表面形成三乙氧基硅烷基团。
进一步地，在将过量的所述表面配体加入至所述钙钛矿量子点溶液步骤中，所述加热温度为45℃～55℃，所述搅拌时长为30min～60min。
进一步地，在提供钙钛矿量子点溶液步骤中，包括:提供油酸铯溶液、卤化铅固体以及配位溶剂；将所述卤化铅固体溶于配位溶剂中形成配位溶液；将所述配位溶液加入至所述油酸铯溶液中反应形成所述钙钛矿量子点溶液；所述配位溶剂包含但不限于油胺以及油酸溶液；所述卤化铅固体包括PbCl2，PbBr2，PbI2任意一种或多种组合。
本发明提供一种显示装置，包括所述的改性钙钛矿量子点材料。
进一步地，所述显示装置包括第一电极；空穴注入层，设于所述第一电极上；空穴传输层，设于所述电子注入层上；量子点发光层，设于所述空穴传输层上，所述量子点发光层所用材料包括所述改性钙钛矿量子点材料；电子传输层，设于发光层上；电子注入层，设于所述电子传输层上；第二电极，设于所述电子注入层上。
进一步地，所述第一电极为阳极，其所用材料为氧化铟锡；所述第二电极为阴极，其所用材料为氟化锂或铝中的一种。
本发明的有益效果是：本发明提出了改性钙钛矿量子点材料及其制备方法、显示装置。通过向合成好的钙钛矿量子点的溶液中加入过量的带有羟基表面配体，得到含有羟基修饰的钙钛矿量子点，高速离心后将得到的钙钛矿量子点重新分散到非极性烷基溶剂中行成溶液。再向此溶液中加入过量的正硅酸乙酯，将该溶液敞口放置较长时间后，正硅酸乙酯水解形成三乙氧基硅烷基团，离心后得到被三乙氧基硅烷基团包裹的改性钙钛矿量子点，这有效改善钙钛矿量子点的稳定性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为本发明显示装置的结构剖面图。
显示装置件10
第一电极11；空穴注入层12；空穴传输层13；
量子点发光层14；电子传输层15；电子注入层16；
第二电极17。
具体实施方式
以下是各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可以用实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧等，仅是参考附图式的方向。本发明提到的元件名称，例如第一、第二等，仅是区分不同的元部件，可以更好的表达。在图中，结构相似的单元以相同标号表示。
本文将参照附图来详细描述本发明的实施例。本发明可以表现为许多不同形式，本发明不应仅被解释为本文阐述的具体实施例。本发明提供这些实施例是为了解释本发明的实际应用，从而使本领域其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改方案。
本发明提供一种改性钙钛矿量子点材料，具有如下的分子结构式：
Figure BDA0002200995550000031
其中，所述分子结构式中的R为钙钛矿量子点。
所述改性钙钛矿量子点具有三乙氧基硅烷结构，这有效的增加了所述改性钙钛矿量子点的稳定性。
所述钙钛矿量子点为卤化铅铯，其分子式包括：CsPbX3、CsPb2Y5或CS4PbZ6；其中，X、Y、Z分别为Cl，Br，I中的任意一种。
为了更加清楚的解释本发明，下面结合本发明的改性钙钛矿量子点材料制备方法对所述改性钙钛矿量子点材料进行进一步解释。
本发明的制备方法，用以制备所述改性钙钛矿量子点材料，包括如下步骤S1)～S5)。
S1)提供一钙钛矿量子点溶液以及含有羟基的表面配体；
在提供钙钛矿量子点溶液步骤前，需要制备钙钛矿量子点溶液，其步骤包括:提供油酸铯溶液、卤化铅固体以及配位溶剂；将所述卤化铅固体溶于配位溶剂中形成配位溶液；将所述配位溶液加入至所述油酸铯溶液中反应形成所述钙钛矿量子点溶液。
所述配位溶剂包含但不限于油胺以及油酸溶液；所述卤化铅固体包括PbCl2，PbBr2，PbI2任意一种或多种组合。
本发明提供的钙钛矿量子点溶液中的钙钛矿量子点，其种类繁多，如所述钙钛矿量子点包含但不限于CsPbX3(X可选择Cl、Br、I中的至少一种)，CsPb2Y5(Y可选择Cl、Br、I中的至少一种)，CS4PbZ6(Z可选择Cl、Br、I中的至少一种)。其中，X，Y，Z不可以同时出现Cl卤素和I卤素。
S2)将过量的所述表面配体加入至所述钙钛矿量子点溶液中，加热并搅拌，得到第一混合溶液；所述加热温度为45℃～55℃，优选的为50℃，当然也可以为48℃或55℃。所述搅拌时长为30min～60min，优选为40min，在其他实施例中也可以为35min、45min或55min。
含有羟基的表面配体包括油溶性配体以及水溶性配体，所述水溶性配体包括巯基乙酸；所述油溶性配体包括十八酸或者磷酸十八脂。
S3)对所述第一混合溶液离心处理，得到表面具有羟基的量子点，并将表面具有羟基的量子点重新分散到非极性烷基溶剂中，得到第二混合溶液。
所述非极性溶剂包括正己烷、十二烷、十八烷或角鲨烷中的至少一种。
S4)向所述第二混合溶液中加入过量的硅酸酯溶液，静置预设时间，得到第三混合溶液；所述硅酸酯溶液包括但不限于正硅酸乙酯溶液。
所述具有羟基的量子点与所述正硅酸乙酯发生化学反应，反应方程式如下：
Figure BDA0002200995550000051
，最后得到的产物包含乙醇，易于挥发，可以得到较少的副产品；其中还包括：硅酸酯溶液发生水解反应得到三乙氧基硅烷，用以在所述改性钙钛矿量子点表面形成三乙氧基硅烷基团，具体地水解反应方程式如下：
Figure BDA0002200995550000052
S5、离心处理所述第三混合溶液，得到所述的改性钙钛矿量子点材料。所述改性钙钛矿量子点表面具有三乙氧基硅烷基团。
经实验证明所述改性钙钛矿量子点稳定性有效的提高。为了将所述改性钙钛矿量子点运用至发光装置中，本发明还提供了一种显示装置，包括所述的改性钙钛矿量子点材料。
具体的，如图1所示，所述显示装置件10包括第一电极11、空穴注入层12、空穴传输层13、量子点发光层14、电子传输层15、电子注入层16、第二电极17。
所述空穴注入层12设于所述第一电极11上；所述空穴传输层13设于所述空穴注入层12上；所述量子点发光层14设于所述空穴传输层13上，所述量子点发光层14所用材料为改性钙钛矿量子点材料；所述电子传输层15设于所述量子点发光层14上；所述电子注入层16设于所述电子传输层15上；所述第二电极17设于所述电子注入层16上。
所述量子点发光层14中的改性钙钛矿量子点材料，具有如下的分子结构式：
Figure BDA0002200995550000061
其中，所述分子结构式中的R为钙钛矿量子点。
所述改性钙钛矿量子点具有三乙氧基硅烷结构，这有效的增加了所述改性钙钛矿量子点的稳定性。
所述钙钛矿量子点为卤化铅铯，其分子式包括：CsPbX3、CsPb2Y5或CS4PbZ6；其中，X、Y、Z分别为Cl，Br，I中的任意一种。
本实施例中，所述第一电极11为阳极，其所用材料为氧化铟锡；所述第二电极17为阴极，其所用材料为氟化锂或铝中的一种。
本发明的显示装置10，在量子点发光层14采用所述改性钙钛矿量子点材料，有效的制作出显示装置，提高了显示装置发光稳定性。
应当指出，对于经充分说明的本发明来说，还可具有多种变换及改型的实施方案，并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明，而不是对发明的限制。总之，本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。

Claims (10)

1.一种改性钙钛矿量子点材料，其特征在于，具有如下的分子结构式：
Figure FDA0002200995540000011
其中，所述分子结构式中的R为钙钛矿量子点。
2.根据权利要求1所述的改性钙钛矿量子点材料，其特征在于，所述钙钛矿量子点为卤化铅铯，其分子式包括：CsPbX3、CsPb2Y5或Cs4PbZ6；其中，X、Y、Z分别为Cl，Br，I中的任意一种。
3.一种制备方法，用以制备如权利要求1～2中任意一项所述的改性钙钛矿量子点材料，其特征在于，包括如下步骤
提供一钙钛矿量子点溶液以及含有羟基的表面配体；
将过量的所述表面配体加入至所述钙钛矿量子点溶液中，加热并搅拌，得到第一混合溶液；
对所述第一混合溶液离心处理，得到表面具有羟基的量子点，并将表面具有羟基的量子点重新分散到非极性烷基溶剂中，得到第二混合溶液；
向所述第二混合溶液中加入过量的硅酸酯溶液，静置预设时间，得到第三混合溶液；
离心处理所述第三混合溶液，得到所述的改性钙钛矿量子点材料。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
所述硅酸酯溶液为正硅酸乙酯溶液；
所述非极性溶剂包括正己烷、十二烷、十八烷或角鲨烷中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
在向所述第二混合溶液中加入过量的硅酸酯溶液步骤中，包括：硅酸酯溶液发生水解反应得到三乙氧基硅烷，用以在所述改性钙钛矿量子点表面形成三乙氧基硅烷基团。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
在将过量的所述表面配体加入至所述钙钛矿量子点溶液步骤中，所述加热温度为45℃～55℃，所述搅拌时长为30min～60min。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
在提供钙钛矿量子点溶液步骤中，包括:
提供油酸铯溶液、卤化铅固体以及配位溶剂；
将所述卤化铅固体溶于配位溶剂中形成配位溶液；
将所述配位溶液加入至所述油酸铯溶液中反应形成所述钙钛矿量子点溶液；
其中，所述配位溶剂包括油胺溶液或油酸溶液；
所述卤化铅固体包括PbCl2，PbBr2，PbI2任意一种或多种组合。
8.一种显示装置，其特征在于，包括为权利要求1-2任一项所述的改性钙钛矿量子点材料。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，包括
第一电极；
空穴注入层，设于所述第一电极上；
空穴传输层，设于所述电子注入层上；
量子点发光层，设于所述空穴传输层上，所述量子点发光层所用材料包括所述改性钙钛矿量子点材料；
电子传输层，设于发光层上；
电子注入层，设于所述电子传输层上；
第二电极，设于所述电子注入层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电极为阳极，其所用材料为氧化铟锡；所述第二电极为阴极，其所用材料为氟化锂或铝中的一种。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112038497A (zh) * 2020-09-15 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件、其制作方法及量子点显示装置
CN112251221A (zh) * 2020-11-10 2021-01-22 上海比英半导体科技有限公司 基于原位巯基硅烷钝化制备铯铅卤钙钛矿量子点的方法
WO2021215634A1 (ko) * 2020-04-24 2021-10-28 한국기계연구원 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 나노 입자의 제조 방법 및 나노 입자를 포함하는 수지 조성물

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116001378A (zh) * 2023-02-21 2023-04-25 中国乐凯集团有限公司 钙钛矿量子点复合膜及其制备方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106634961A (zh) * 2016-12-19 2017-05-10 中央民族大学 一种有机无机杂化钙钛矿量子点及其制备方法
CN106830060A (zh) * 2016-12-07 2017-06-13 青岛海信电器股份有限公司 一种CsPbX3量子点、CsPbX3/SiO2复合量子点及制备方法和背光模组
CN107219574A (zh) * 2017-05-25 2017-09-29 深圳市华星光电技术有限公司 量子点结构、导光溶液及制备方法、导光结构及背光模组
CN108219771A (zh) * 2017-12-28 2018-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 量子点复合物及其制备方法和包括其的显示装置
CN108441211A (zh) * 2018-05-03 2018-08-24 中央民族大学 一种基于有机无机杂化钙钛矿量子点的荧光材料及其制备方法
CN108728077A (zh) * 2018-05-08 2018-11-02 天津理工大学 合成二氧化硅包覆无机钙钛矿量子点的制备方法
CN109266343A (zh) * 2018-10-18 2019-01-25 南昌大学 卤化铅铯钙钛矿量子点胶体及量子点荧光粉制备方法
US20190148602A1 (en) * 2017-11-10 2019-05-16 Cree, Inc. Stabilized luminescent nanoparticles comprising a perovskite semiconductor and method of fabrication
CN110028950A (zh) * 2019-04-02 2019-07-19 济南大学 一种高稳定性、水溶性的球形CsPbX3@SiO2量子点的制备方法
CN110079313A (zh) * 2019-04-10 2019-08-02 济南大学 一种大尺寸、球形CsPbBr3/SiO2发光体的制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102592690B1 (ko) * 2016-03-10 2023-10-23 삼성전자주식회사 나노결정 및 그 제조방법
CN107474821A (zh) * 2016-06-07 2017-12-15 上海交通大学 一种二氧化硅包裹量子点及其制备方法
CN107557004A (zh) * 2017-10-17 2018-01-09 南昌航空大学 一种制备稳定钙钛矿量子点的方法
CN109004091B (zh) * 2018-06-11 2020-06-30 南京理工大学 一种基于室温钙钛矿材料的量子点发光二极管及其制备方法
CN108587176B (zh) * 2018-06-19 2020-10-30 温州大学 一种用于稳定全无机钙钛矿量子点CsPbX3的方法
CN108929671A (zh) * 2018-08-06 2018-12-04 湖北文理学院 二氧化硅包覆钙钛矿量子点的纳米颗粒、其制备方法及光电纳米材料
CN109678728B (zh) * 2019-01-18 2021-09-10 重庆工商大学 一种核壳钙钛矿量子点及制备方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106830060A (zh) * 2016-12-07 2017-06-13 青岛海信电器股份有限公司 一种CsPbX3量子点、CsPbX3/SiO2复合量子点及制备方法和背光模组
CN106634961A (zh) * 2016-12-19 2017-05-10 中央民族大学 一种有机无机杂化钙钛矿量子点及其制备方法
CN107219574A (zh) * 2017-05-25 2017-09-29 深圳市华星光电技术有限公司 量子点结构、导光溶液及制备方法、导光结构及背光模组
US20190148602A1 (en) * 2017-11-10 2019-05-16 Cree, Inc. Stabilized luminescent nanoparticles comprising a perovskite semiconductor and method of fabrication
CN108219771A (zh) * 2017-12-28 2018-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 量子点复合物及其制备方法和包括其的显示装置
CN108441211A (zh) * 2018-05-03 2018-08-24 中央民族大学 一种基于有机无机杂化钙钛矿量子点的荧光材料及其制备方法
CN108728077A (zh) * 2018-05-08 2018-11-02 天津理工大学 合成二氧化硅包覆无机钙钛矿量子点的制备方法
CN109266343A (zh) * 2018-10-18 2019-01-25 南昌大学 卤化铅铯钙钛矿量子点胶体及量子点荧光粉制备方法
CN110028950A (zh) * 2019-04-02 2019-07-19 济南大学 一种高稳定性、水溶性的球形CsPbX3@SiO2量子点的制备方法
CN110079313A (zh) * 2019-04-10 2019-08-02 济南大学 一种大尺寸、球形CsPbBr3/SiO2发光体的制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021215634A1 (ko) * 2020-04-24 2021-10-28 한국기계연구원 페로브스카이트 결정 구조를 갖는 나노 입자의 제조 방법 및 나노 입자를 포함하는 수지 조성물
CN112038497A (zh) * 2020-09-15 2020-12-04 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光器件、其制作方法及量子点显示装置
CN112251221A (zh) * 2020-11-10 2021-01-22 上海比英半导体科技有限公司 基于原位巯基硅烷钝化制备铯铅卤钙钛矿量子点的方法

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