CN112014677B - 显示面板及其静电测试方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种显示面板及其静电测试方法、显示装置，涉及显示技术领域，用以减小静电测试过程中垫层金属被静电击伤的风险，提高显示面板的抗静电性能。上述显示面板，其特征在于，包括：显示区和围绕显示区的非显示区；封装胶，封装胶位于非显示区；垫层金属，垫层金属位于非显示区，在垂直于显示面板所在平面的方向上，垫层金属与封装胶交叠；静电耦合环，静电耦合环位于非显示区，静电耦合环和垫层金属异层设置，静电耦合环包括多个朝向垫层金属突伸的凸起，在垂直于显示面板所在平面的方向上，凸起与垫层金属交叠。

Description

显示面板及其静电测试方法、显示装置

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其静电测试方法、显示装置。

【背景技术】

在显示面板投入使用前，需要对显示面板进行静电测试，以检测显示面板是否具有足够的静电防护性，在进行静电测试时，静电枪会在显示屏的玻璃缝隙处进行多点位的击打放电，并且，每个点位都会进行多次放电测试。在静电测试过程中，如果静电枪释放的静电荷无法快速消散，静电荷就积聚在垫层金属上，对垫层金属造成静电击伤，使其出现裂纹，严重时还会导致垫层金属脱落，若垫层金属脱落，静电荷就会通过垫层金属脱落后产生的缝隙流入面板内部，对显示面板的正常显示造成影响。

为解决上述问题，在现有技术中，通常会将垫层金属与低电位端电连接，令流入垫层金属的静电荷进一步经由低电位端流出，但是该种方式只是通过加快金属传导的方式消散静电，对于击打点位静电荷的瞬间击伤改善效果并不明显。

【发明内容】

有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板及其静电测试方法、显示装置，用以减小静电测试过程中垫层金属被静电击伤的风险，提高显示面板的抗静电性能。

一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

显示区和围绕所述显示区的非显示区；

封装胶，所述封装胶位于所述非显示区；

垫层金属，所述垫层金属位于所述非显示区，在垂直于所述显示面板所在平面的方向上，所述垫层金属与所述封装胶交叠；

静电耦合环，所述静电耦合环位于所述非显示区，所述静电耦合环和所述垫层金属异层设置，所述静电耦合环包括多个朝向所述垫层金属突伸的凸起，在垂直于所述显示面板所在平面的方向上，所述凸起与所述垫层金属交叠。

另一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的静电测试方法，用于对上述显示面板进行静电测试，包括：

利用静电枪对非显示区进行多点位击打放电，所述静电枪释放的静电荷存储在静电耦合环的凸起与垫层金属所形成的耦合电容中，或，所述静电枪释放的静电荷对所述耦合电容进行击穿，所述静电荷流入所述静电耦合环

再一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，其特征在于，包括上述显示面板。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：

在本发明实施例中，在利用静电枪对显示面板进行多点位的击打放电，以对显示面板进行静电测试时，静电枪释放的静电荷会通过玻璃缝隙流入静电耦合环的凸起和垫层金属中，从而使得凸起与垫层金属交叠的部分形成耦合电容。当静电枪在各击打点位处释放的静电荷较少时，静电荷会存储在凸起与垫层金属形成的耦合电容中，而当静电枪在各击打点位处释放的静电荷较多时，相应的，垫层金属上也会积聚有更多的静电荷，此时就会超出耦合电容对电荷的容纳能力，对耦合电容造成耦合击穿，耦合电容被击穿后，垫层金属与凸起之间会形成电荷传输通路，使得垫层金属上的静电荷进一步流入凸起，进而存储在静电耦合环内或者经由静电耦合环导出，从而避免了静电荷对垫层金属造成击伤。

可见，采用本发明实施例所提供的技术方案，当静电枪对击打点位进行击打放电时，可以利用凸起与垫层金属形成的耦合电容对静电荷进行存储，或者利用耦合电容的耦合击穿及时将垫层金属上的静电荷流至静电耦合环，实现垫层金属上静电荷的瞬时消散，在静电枪对击打点位进行多次击打后，减小了静电荷对垫层金属的累计损伤程度，从而减小了由静电击伤导致的垫层金属脱落的风险，既提高了显示面板的抗静电能力，还提高了显示面板的封装性能。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明实施例所提供的显示面板的结构示意图；

图2为图1沿A1-A2方向的剖视图；

图3为本发明实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图；

图4为图1沿B1-B2方向的剖视图；

图5为图1沿B1-B2方向的另一种剖视图；

图6为本发明实施例所提供的静电耦合环的另一种设置位置示意图；

图7为本发明实施例所提供的垫层金属的另一种结构示意图；

图8为本发明实施例所提供的静电耦合环的另一种结构示意图；

图9为本发明实施例所提供的静电耦合环的另一种结构示意图；

图10为本发明实施例所提供的静电耦合环的再一种结构示意图；

图11为图10的局部放大示意图；

图12为本发明实施例所提供的静电耦合环的另一种结构示意图；

图13为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图。

【具体实施方式】

为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二来描述方向，但这些方向不应限于这些术语，这些术语仅用来将方向彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一方向也可以被称为第二方向，类似地，第二方向也可以被称为第一方向。

本发明实施例提供了一种显示面板，如图1和图2所示，图1为本发明实施例所提供的显示面板的结构示意图，图2为图1沿A1-A2方向的剖视图，该显示面板包括：显示区1和围绕显示区1的非显示区2，非显示区2内设有封装胶3、垫层金属4和静电耦合环5。

其中，封装胶3可以由玻璃料材料形成，在采用熔接封装工艺对显示面板进行封装时，利用激光对封装胶3进行加热，由于玻璃料材料中含有激光吸收性颜料，其吸收激光后变为熔融状态，可达到很好的粘合作用，从而将显示面板相对设置的第一基板6和第二基板7粘合在一起，实现对显示面板的封装，避免外界的水汽和氧气侵入。

在垂直于显示面板所在平面的方向上，垫层金属4与封装胶3交叠，垫层金属4用于对照射封装胶3的激光进行反射，使反射后的激光再次照射封装胶3上，提高激光利用率，促进封装胶3对激光的吸收能力，进而达到更加理想的熔化效果，提高封装效果。

静电耦合环5和垫层金属4异层设置，静电耦合环5包括多个朝向垫层金属4突伸的凸起8，在垂直于显示面板所在平面的方向上，凸起8与垫层金属4交叠。

在本发明实施例中，在利用静电枪对显示面板进行多点位的击打放电，以对显示面板进行静电测试时，静电枪释放的静电荷会通过玻璃缝隙流入静电耦合环5的凸起8和垫层金属4中，从而使凸起8与垫层金属4交叠的部分形成耦合电容C。当静电枪在击打点位处释放的静电荷较少时，静电荷会存储在凸起8与垫层金属4形成的耦合电容C中，避免在垫层金属4内积聚，而当静电枪释放的静电荷较多时，相应的，垫层金属4上也会流入更多的静电荷，此时就会超出耦合电容C对电荷的容纳能力，导致对耦合电容C造成耦合击穿，耦合电容C被击穿后，垫层金属4与凸起8之间导通，形成电荷传输通路，使得垫层金属4上的静电荷进一步流入凸起8，进而存储在静电耦合环5内或者经由静电耦合环5导出。

可见，采用本发明实施例所提供的显示面板，当静电枪对击打点位进行击打放电时，可以利用凸起8与垫层金属4形成的耦合电容C对静电荷进行存储，或者利用耦合电容C的耦合击穿及时将垫层金属4上的静电荷流至静电耦合环5，实现垫层金属4上静电荷的瞬时消散，在静电枪对击打点位进行多次击打后，减小了静电荷对垫层金属4的累计损伤程度，从而减小了由静电击伤导致的垫层金属4脱落的风险，既提高了显示面板的抗静电能力，还提高了显示面板的封装性能。

可选地，如图3所示，图3为本发明实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图，静电耦合环5与第一低电位端9电连接，第一低电位端9可以为显示面板中现有的GND端，或是用于向负性电源信号总线提供负性电源信号的PVEE端等。当静电耦合环5与第一低电位端9电连接时，耦合电容C被耦合击穿，使静电荷流入静电耦合环5时，静电荷还可进一步通过第一低电位端9导出，从而避免了静电荷在显示面板内积聚，进一步避免了静电荷对显示面板内的金属走线造成击伤。

可选地，如图4所示，图4为图1沿B1-B2方向的剖视图，显示面板还包括阵列层10，阵列层10包括沿显示面板的出光方向依次设置的有源层11、栅极层12和源漏极层13，有源层11、栅极层12和源漏极层13用于构成薄膜晶体管14。此外，在源漏极层13朝向显示面板出光方向的一侧，阵列层10还包括依次设置的阳极层15、发光层16和阴极层17，阳极层15、发光层16和阴极层17用于构成发光元件18。

基于该种膜层结构，垫层金属4和栅极层12同层设置，且静电耦合环5和源漏极层13同层设置，如此一来，垫层金属4可以和栅极层12采用同一构图工艺形成，静电耦合环5可以和源漏极层13采用同一构图工艺形成，垫层金属4和静电耦合环5不仅无需采用额外的构图工艺，而且还无需占用额外的膜层空间，既简化了工艺流程，还减小了显示面板的厚度，更有利于显示面板的轻薄化设计。

或者，如图5所示，图5为图1沿B1-B2方向的另一种剖视图，垫层金属4与栅极层12同层设置，静电耦合环5位于源漏极层13背向栅极层12的一侧，此时，垫层金属4和栅极层12采用同一构图工艺形成，垫层金属4无需采用额外的构图工艺，也无需占用额外的膜层空间。而通过将静电耦合环5设置在源漏极层13背向栅极层12的一侧，可以增大静电耦合环5的凸起8和垫层金属4在垂直于显示面板所在方向上的间距d，也就相当于增大了凸起8和垫层金属4所形成的耦合电容C的两个极板之间的间距，根据电容公式

ε为电容两个极板之间介质的介电常数，S为电容两个极板之间的正对面积，可知，通过增大凸起8和垫层金属4在垂直于显示面板所在方向上的间距d，可以减小耦合电容C的电容值。这样一来，耦合电容C所能容纳的电荷量就会降低，耦合电容C更容易被耦合击穿，从而更大程度地避免了静电测试时静电枪释放的静电荷对垫层金属4造成静电击伤的风险。

此外，需要说明的是，请再次参见图5，源漏极层13背向栅极层12的一侧通常设置有用于实现平坦化的平坦化层19，由于平坦化层19的膜层厚度较大，因而，可以将静电耦合环5设置在平坦化层19背向源漏极层13的一侧，以进一步增大凸起8与垫层金属4在垂直于显示面板所在方向上的间距。当静电耦合环5设置在平坦化层19背向源漏极层13的一侧时，静电耦合环5可以为图5所示意的和阳极层15同层设置，也可以为额外增设的一层。

可选地，请再次参见图1，静电耦合环5可位于垫层金属4背向显示区1的一侧，即，静电耦合环5在垫层金属4靠近显示区1的一侧环绕设置，此时，静电耦合环5无需在垫层金属4外侧占用边框宽度，更有利于实现显示面板的窄边框设计。

或者，如图6所示，图6为本发明实施例所提供的静电耦合环的另一种设置位置示意图，静电耦合环5也可位于垫层金属4背向显示区1的一侧，即，静电耦合环5在垫层金属4靠近面板边缘的一侧环绕设置，此时，静电耦合环5更靠近显示面板的边缘，与显示区1相距较远，因此，当静电荷存储在静电耦合环5或是经由静电耦合环5导出时，能够降低静电荷渗入显示区1内部的风险，从而进一步避免显示区1内部的器件受到静电荷的影响。

可选的，请再次参见图2，静电耦合环5与垫层金属4位于封装胶3的同一侧。

若将静电耦合环5与垫层金属4设置在封装胶3的相对侧，耦合电容C被击穿后，静电荷从垫层金属4朝向静电耦合环5传输时就需要穿透较厚的封装胶3，由于封装胶3厚度较大，因而导致静电荷的导走速率以及电荷导走的可靠性均较低。因此，通过将静电耦合环5和垫层金属4设置在封装胶3的同一侧，能够使静电荷更容易地从垫层金属4流入静电耦合环5中，提高了静电荷的导走速率，进而提高了显示面板的抗静电性能。

可选地，请再次参见图1，垫层金属4可以处于浮接状态，由于静电枪释放的静电荷流入垫层金属4后，会使垫层金属4具有一定的电位，因而垫层金属4即使不与其他信号端电连接，也仍能与凸起8形成耦合电容C，进而利用耦合电容C对静电荷进行存储，或利用耦合电容C的击穿将静电导出。

或者，如图7所示，图7为本发明实施例所提供的垫层金属的另一种结构示意图，垫层金属4与第二低电位端20电连接，第二低电位端20可以为显示面板中现有的GND端，或是用于向负性电源信号总线提供负性电源信号的PVEE端等。需要说明的是，第二低电位端20可以和图3所示意的与静电耦合环5电连接的第一低电位端9提供相同的低电位信号，也可以提供不同的低电位信号。

通过令垫层金属4和第二低电位端20电连接，垫层金属4中积聚的静电荷除了通过静电耦合环5导出以外，还可以进一步经由第二低电位端20导出，从而增加了静电荷的导走路径，提高了静电荷的导走速率。

可选地，如图8所示，图8为本发明实施例所提供的静电耦合环的另一种结构示意图，静电耦合环5中的凸起8为尖端结构。采用该种结构，凸起8与垫层金属4交叠形成的正对面积更小，凸起8与垫层金属4形成的耦合电容C的电容值也就更小，耦合电容C所能容纳的电荷也就更小，这样一来，耦合电容C就更易被耦合击穿，从而更容易实现静电荷在垫层金属4和静电耦合环5之间的电荷传输通路的导通，更大程度地避免了垫层金属4被静电击伤的风险。

进一步地，请再次参见图8，凸起8在第一方向上的宽度为L1，垫层金属4在垂直其延伸方向上的宽度为L2，第一方向为凸起8朝向垫层金属4突伸的方向，为进一步减小凸起8与垫层金属4形成的正对面积，减小耦合电容C所能容纳的电荷量，使耦合电容C更易被击穿，可以令L1满足：

或者，凸起8在第一方向上的宽度为L1，5μm≤L1≤10μm，第一方向为凸起8朝向垫层金属4突伸的方向。若凸起8在第一方向上的宽度L1过小的话，当由对位偏差导致静电耦合环5或者垫层金属4的设置位置出现偏差时，可能会出现凸起8与垫层金属4之间无交叠的情况，从而导致无法形成耦合电容C，若凸起8在第一方向上的宽度L1过大的话，凸起8与垫层金属4之间又会存在较大的正对面积，使得耦合电容C不易被击穿。因此，通过将L1设置在5μm～10μm之间，可以保证凸起8与垫层金属4之间交叠，且交叠面积较小。

可选地，如图9所示，图9为本发明实施例所提供的静电耦合环的另一种结构示意图，非显示区2具有多个静电枪击打区域21，至少部分凸起8位于静电枪击打区域21，其中，静电枪击打区域21可以理解为上述静电枪的击打点位。以图9示意的具有圆角的异形显示面板为例，在对其进行静电测试时，静电枪击打区域21可以设置在显示面板的顶角位置和显示面板边缘的中心位置处，以实现对显示面板进行全方位的静电测试，从而更准确评估显示面板的抗静电性能。

在静电测试时，静电枪在静电枪击打区域21瞬间释放静电荷，静电枪击打区域21处的垫层金属4更易被静电击伤，因而，通过在静电枪击打区域21均对应设置凸起8，可以使静电枪击打区域21处均形成耦合电容C，进而能够利用耦合电容C的击穿对静电枪击打区域21释放的静电荷进行瞬时消散。

可选地，如图10和图11所示，图10为本发明实施例所提供的静电耦合环的再一种结构示意图，图11为图10的局部放大示意图，各静电枪击打区域21设有至少两个凸起8；凸起8包括第一端部22和第二端部23，其中，第二端部23为凸起8中与垫层金属4交叠的端部。

当静电枪在静电枪击打区域21内释放静电荷时，静电荷更多地在静电枪击打区域21的中心点O处释放，使得静电枪击打区域21的中心点O处的静电荷数量更多，对于位于同一个静电枪击打区域21的凸起8，通过令至少部分凸起8的第二端部23相对于第一端部22朝向静电枪击打区域21的中心点O倾斜设置，也就是使凸起8与垫层金属4所形成的耦合电容C更靠近静电枪击打区域21的中心点O，这样一来，中心点O处释放的大量静电荷就能更容易地击穿耦合电容C，从而对静电荷进行更快速的消散。

可选地，请再次参见图8，为提高垫层金属4不同位置抗静电性能的均一性，静电耦合环5的多个凸起8还可等间距排布。

可选地，如图12所示，图12为本发明实施例所提供的静电耦合环的另一种结构示意图，显示面板还包括用于提供负性电源信号的负性电源信号总线PVEE，负性电源信号总线PVEE在非显示区2内环绕显示区1设置，静电耦合环5与负性电源信号总线PVEE复用，此时，负性电源信号总线PVEE包括凸起8，负性电源信号总线PVEE兼具静电防护和提供负性电源信号的功能。如此设置，无需再在显示面板内设置单独的走线用来形成静电耦合环5，进而节省了静电耦合环5在非显示区2内占用的空间，更有利于实现显示面板的窄边框设计。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的静电测试方法，该静电测试方法用于上述显示面板进行静电测试，该静电测试方法包括：利用静电枪对非显示区2进行多点位击打放电，静电枪释放的静电荷存储在静电耦合环5的凸起8与垫层金属4所形成的耦合电容C中，或，静电枪释放的静电荷对耦合电容C进行击穿，静电荷流入静电耦合环5。

采用本发明实施例所提供的静电测试方法，当静电枪对击打点位进行击打放电时，可以利用凸起8与垫层金属4形成的耦合电容C对静电荷进行存储，或者利用耦合电容C的耦合击穿及时将垫层金属4上的静电荷流至静电耦合环5，实现垫层金属4上静电荷的瞬时消散，在静电枪对击打点位进行多次击打后，减小了静电荷对垫层金属4的累计损伤程度，从而减小了由静电击伤导致的垫层金属4脱落的风险，既提高了显示面板的抗静电能力，还提高了显示面板的封装性能。

进一步地，请再次参见图3，静电耦合环5与第一低电位端9电连接；静电荷对耦合电容C进行击穿，流入静电耦合环5后，静电荷经由第一低电位端9导出，从而避免静电荷在显示面板内积聚，进一步避免了静电荷对显示面板内的金属走线造成击伤。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，如图13所示，图13为本发明实施例所提供的显示装置的结构示意图，该显示装置包括上述显示面板100。其中，显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图13所示的显示装置仅仅为示意说明，该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (17)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

显示区和围绕所述显示区的非显示区；

封装胶，所述封装胶位于所述非显示区；

垫层金属，所述垫层金属位于所述非显示区，在垂直于所述显示面板所在平面的方向上，所述垫层金属与所述封装胶交叠；

静电耦合环，所述静电耦合环位于所述非显示区，所述静电耦合环和所述垫层金属异层设置，所述静电耦合环包括多个朝向所述垫层金属突伸的凸起，在垂直于所述显示面板所在平面的方向上，所述凸起与所述垫层金属交叠；

所述凸起在第一方向上的宽度为L1，所述垫层金属在垂直其延伸方向上的宽度为L2，

所述第一方向为所述凸起朝向所述垫层金属突伸的方向。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述静电耦合环与第一低电位端电连接。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括阵列层，所述阵列层包括沿所述显示面板的出光方向依次设置的有源层、栅极层和源漏极层；

其中，所述垫层金属与所述栅极层同层设置，所述静电耦合环与所述源漏极层同层设置。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括阵列层，所述阵列层包括沿所述显示面板的出光方向依次设置的有源层、栅极层和源漏极层；

其中，所述垫层金属与所述栅极层同层设置，所述静电耦合环位于所述源漏极层背向所述栅极层的一侧。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述静电耦合环位于所述垫层金属朝向所述显示区的一侧。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述静电耦合环与所述垫层金属位于所述封装胶的同一侧。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述垫层金属浮接。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述垫层金属与第二低电位端电连接。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凸起为尖端结构。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凸起在第一方向上的宽度为L1，5μm≤L1≤10μm，所述第一方向为所述凸起朝向所述垫层金属突伸的方向。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述非显示区具有多个静电枪击打区域，至少部分所述凸起位于所述静电枪击打区域。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，各所述静电枪击打区域设有至少两个所述凸起；

所述凸起包括第一端部和第二端部，其中，所述第二端部为所述凸起中与所述垫层金属交叠的端部；

对于位于同一个所述静电枪击打区域的所述凸起，至少部分所述凸起的所述第二端部相对于所述第一端部朝向所述静电枪击打区域的中心点倾斜设置。

13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述静电耦合环的多个所述凸起等间距排布。

14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

用于提供负性电源信号的负性电源信号总线，所述负性电源信号总线在所述非显示区内环绕所述显示区设置；

所述静电耦合环与所述负性电源信号总线复用。

15.一种显示面板的静电测试方法，其特征在于，用于对如权利要求1所述的显示面板进行静电测试，包括：

利用静电枪对非显示区进行多点位击打放电，所述静电枪释放的静电荷存储在静电耦合环的凸起与垫层金属所形成的耦合电容中，或，所述静电枪释放的静电荷对所述耦合电容进行击穿，所述静电荷流入所述静电耦合环。

16.根据权利要求15所述的静电测试方法，其特征在于，所述静电耦合环与第一低电位端电连接；

所述静电荷对所述耦合电容进行击穿，流入所述静电耦合环后，所述静电荷经由所述第一低电位端导出。

17.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～14任一项所述的显示面板。

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