CN110007537B - 一种显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示装置，包括：显示区和包围显示区的第一非显示区；还包括显示面板，显示面板包括阵列基板和对向基板；背光模组，设置在阵列基板背离对向基板的一侧；第一导电结构，设置在阵列基板靠近背光模组的一侧，第一导电结构和所述背光模组电连接。通过在阵列基板靠近背光模组的一侧设置第一导电结构，由于第一导电结构能够将显示装置周边的静电荷导入至背光模组，通过背光模组进行静电消散，有效避免显示装置周边的静电荷进入显示面板内部，导致静电残留于液晶层内的问题，确保了显示装置的正常显示。

Description

一种显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置。

背景技术

目前，液晶显示装置和有机发光显示装置等显示装置，由于具有体积小、重量轻、厚度薄、功耗低、无辐射等特点，在当前的显示装置市场中占据了主导地位。

但是，在实际使用中，显示装置(尤其是液晶显示装置)存在静电累积的问题，从而导致显示画面的质量下降，影响显示效果。

发明内容

本发明提供一种显示装置，能够减少显示装置周围的静电荷积累，提高显示装置的显示效果。

本发明实施例提供了一种显示装置，包括：显示区和包围所述显示区的第一非显示区；

还包括显示面板，所述显示面板包括阵列基板和对向基板；

背光模组，设置在所述阵列基板背离所述对向基板的一侧；

第一导电结构，设置在所述阵列基板靠近所述背光模组的一侧，所述第一导电结构和所述背光模组电连接。

与现有技术相比，本发明的显示装置，至少实现了如下的有益效果：

本发明提供的显示装置通过在阵列基板靠近背光模组的一侧设置第一导电结构，由于第一导电结构能够将显示装置周边的静电荷引入至背光模组，在背光模组中释放，使得静电荷不会在显示装置的周围积累，有效提高显示装置的静电防护能力，解决现有技术中外部静电荷容易进入显示面板内部，导致显示装置的显示区出现显示模糊或者颜色失真的问题。且相比于现有技术中在显示装置的侧面设置静电导出结构的方式，本发明实施例提供的显示装置的第一导电结构不会增加第一非显示区的面积，减小显示装置的屏占比，有利于全面屏设计。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种显示装置的俯视结构示意图；

图2是图1中沿Q-Q’方向的剖面结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图；

图4是本发明实施例提供的黑矩阵的平面结构示意图；

图5是本发明实施例提供的第一导电结构的平面结构示意图；

图6是本发明实施例提供的又一种显示装置的剖面结构示意图；

图7是本发明实施例提供的又一种显示装置的俯视结构示意图；

图8是图7中沿W-W’方向的剖面结构示意图；

图9是本发明实施例提供的又一种显示装置的剖面结构示意图；

图10是本发明实施例提供的又一种显示装置的剖面结构示意图；

图11是本发明实施例提供的又一种显示装置的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1是本发明实施例提供的一种显示装置的俯视结构示意图，图2是图1中沿Q-Q’方向的剖面结构示意图。请参考图1和图2所示，本发明实施例提供的显示装置包括：显示区AA和包围显示区AA的第一非显示区A1。显示装置还包括显示面板10、背光模组20和第一导电结构30。其中，显示面板10包括阵列基板11和对向基板12；背光模组20设置在阵列基板11背离对向基板12的一侧；第一导电结构30设置在阵列基板11靠近背光模组20的一侧，第一导电结构30和背光模组20电连接。

具体的，如图1和图2所示，显示面板10包括阵列基板11和对向基板12，相对设置的阵列基板11和对向基板12通过框胶13贴合，从而阵列基板11和对向基板12之间可以形成盒状空间，盒状空间内可以设置液晶层14，液晶层14内的液晶分子可通过框胶13框限在盒状空间内，防止溢出。显示装置周围的部分静电荷容易从框胶13中进入显示面板10中的液晶层14内部，导致静电荷残留于液晶层14内，影响显示装置的正常显示。另外，因为第一非显示区A1会设置电路走线，当静电荷进入显示面板10时，会击伤第一非显示区A1内的电路走线；甚至当显示装置周围的电压过高时，例如显示装置周围的电压大于12KV时，进入显示面板10内的静电荷会击穿框胶13，进而导致液晶分子流出，进而影响显示装置的正常显示。本实施例中，在阵列基板11靠近背光模组20的一侧设置第一导电结构30，第一导电结构30与背光模组20电连接。通过第一导电结构30将显示装置周围的静电荷导走，由于第一导电结构30和背光模组20电连接，因此第一导电结构30可以将静电荷导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散，避免静电荷在显示装置的周围积累。

可以理解的是，阵列基板11和对向基板12分别包括多个膜层，为了便于描述，本发明实施例附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部的膜层。

现有的显示装置中，显示装置周围的部分静电荷容易从框胶等结构中进入显示面板内部，导致静电残留于液晶盒内，影响显示装置的正常显示。如果在显示装置的侧面设置静电导出结构，则会增加第一非显示区的面积，减小显示装置的屏占比。本实施例提供的显示装置，在阵列基板11靠近背光模组20的一侧设置第一导电结构30，通过第一导电结构30将显示装置周围的静电荷导走，由于第一导电结构30和背光模组20电连接，因此第一导电结构30可以将静电荷导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散，避免静电荷在显示装置的周围积累，能够有效提高显示装置的静电防护能力；由于第一导电结构位于显示面板的下方，使得静电荷被第一导电结构导走，有效防止静电荷直接进入显示面板内部影响显示装置的显示效果；同时第一导电结构30将静电荷导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散，无需额外增加走线，简化显示装置的走线设计，提高显示装置的空间利用率。此外，将第一导电结构设置于显示面板的下方，不会增加第一非显示区的面积，减小显示装置的屏占比，有利于实现全面屏设计。

可选的，可以先在阵列基板11靠近背光模组20的一侧制备第一导电结构30，然后再在远离背光模组20的一侧制备其他的膜层及电路结构。先在阵列基板11上制备第一导电结构30，然后再制备其他的膜层及电路结构可以避免第一导电结构30的制备工艺对阵列基板上的其他膜层及电路结构的影响。

可选的，图3是本发明实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图，如图3所示，显示装置还包括盖板40，盖板40需要确保具有较高的光线透过率。

在上述方案的基础上，可选的，请继续参见图2，第一导电结构30采用透明材料制作。

其中，第一导电结构30例如可以包括氧化铟锡、铟锌氧化物或铟镓锌氧化物等一种或多种的组合。

具体的，当第一导电结构30采用透明材料制作时，第一导电结构30可以平铺整个阵列基板11，此技术方案，不用对第一导电结构30进行图案化处理，简化了工艺步骤。可以理解的是，当第一导电结构30采用透明材料制作时，也可以对第一导电结构30进行图案化处理，本实施例不对第一导电结构30的图案进行具体限定。

在上述方案的基础上，可选的，图4是本发明实施例提供的黑矩阵的平面结构示意图，图5是本发明实施例提供的第一导电结构的平面结构示意图，图6是本发明实施例提供的又一种显示装置的剖面结构示意图，如图4、图5和图6所示，对向基板12包括黑矩阵121；第一导电结构30在对向基板12的垂直投影位于黑矩阵121内。

其中，第一导电结构30例如可以包括金属或金属氧化物中的一种或多种组合。对向基板12还包括衬底122，例如可以通过在衬底122上制备黑矩阵121。需要说明的是，对向基板12还包括其它膜层，例如：色阻层、平坦层等，图6仅为了清晰的展示黑矩阵121和第一导电结构30的相对位置关系，所以并未对对向基板12的其它膜层进行展示。

具体的，当第一导电结构30不是采用透明材料时，为了防止第一导电结构30对显示造成影响，影响显示面板的开口率，需要对第一导电结构30进行图案化处理，使第一导电结构30在对向基板12的垂直投影位于黑矩阵121内(参见图6)。

第一导电结构30和黑矩阵121可以采用同种材料制作而成，同时第一导电结构30和黑矩阵121的形状也可以完全相同，当第一导电结构30和黑矩阵121采用同种材料制作，且形状完全相同时，可以使用相同的设备和工艺。

可选的，第一导电结构30和黑矩阵121也可以采用不同种材料制作而成。当黑矩阵121采用正常工艺和材料制作时，不需要改变工艺参数及制程条件，另外还可以避免对具有触控作用的显示面板的显示及触控的影响。第一导电结构30采用低阻导电材料，即采用与黑矩阵121不同的材料，可以既避免对具有触控作用的显示面板的显示及触控的影响，又能起到导静电的作用。可选的，第一导电结构30的方块电阻为Z1，Z1＜10⁸Ω/□。

需要说明的是，本实施例不对第一导电结构30的材料进行具体限定，只要满足第一导电结构30的方块电阻小于10⁸Ω/□即可。

当第一导电结构30的方块电阻小于10⁸Ω/□时，可以快速地将显示装置周围的静电荷导走，避免静电荷在显示装置的周围积累，进而防止静电荷进入显示面板10中的液晶层14内部。

本技术方案通过方块电阻较小的第一导电结构30将显示装置周围的静电荷快速地导走至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散，避免静电荷在显示装置的周围积累，能够有效提高显示装置的静电防护能力；且由于第一导电结构位于显示面板的下方，使得静电荷快速地被第一导电结构导走，进一步防止静电荷直接进入显示面板内部影响显示装置的显示效果；同时第一导电结构30将静电荷导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散，无需额外增加走线，简化显示装置的走线设计，提高显示装置的空间利用率。此外，将第一导电结构设置于显示面板的下方，不会增加第一非显示区的面积，减小显示装置的屏占比，有利于实现全面屏设计。

在上述方案的基础上，可选的，请继续参见图3，显示装置还包括第一偏光片70，第一偏光片70位于第一导电结构30靠近背光模组20的一侧；第一导电结构30通过第一偏光片70与背光模组20电连接。其中，第一偏光片70为低阻偏光片，第一偏光片70的方块电阻为Z2，Z2＜10⁸Ω/□。

具体的，第一偏光片70位于第一导电结构30和背光模组20之间，第一导电结构30通过第一偏光片70与背光模组20电连接。当第一偏光片70的方块电阻小于10⁸Ω/□时，第一导电结构30通过第一偏光片70将静电荷导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散。

本技术方案通过在第一导电结构30靠近背光模组20的一侧设置方块电阻小于10⁸Ω/□的第一偏光片70，当第一导电结构30将显示装置周围的静电荷导走时，通过方块电阻较小的第一偏光片70快速地将第一导电结构30导走的静电荷导走至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散，避免静电荷在显示装置的周围积累，能够有效提高显示装置的静电防护能力；且由于第一导电结构30和第一偏光片70位于显示面板的下方，使得静电荷快速地被第一导电结构导走至第一偏光片70，然后通过第一偏光片70快速地将静电荷导走至背光模组20，进一步防止静电荷直接进入显示面板内部影响显示装置的显示效果；同时第一导电结构30和第一偏光片70将静电荷导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散，无需额外增加走线，简化显示装置的走线设计，提高显示装置的空间利用率。

在上述方案的基础上，可选的，图7是本发明实施例提供的又一种显示装置的俯视结构示意图，图8是图7中沿W-W’方向的剖面结构示意图，请参考图7和图8所示，显示装置还包括第二非显示区A2和至少一个镂空部CC；第二非显示区A2包围镂空部CC，显示区AA包围第二非显示区A2。

本技术方案通过在显示区AA进行打孔设计，形成第二非显示区A2和至少一个镂空部CC，在镂空部CC处安装摄像头等光感器件可以提高全面屏的屏占比。

需要说明的是，镂空部CC在显示装置上的具体位置可以根据实际使用要求设计，该镂空部CC既可以是贯穿整个显示装置厚度方向的通孔；也可以是贯穿背光模组20，但未贯穿显示面板10的盲孔，即在不影响在其内部安装的器件功能的情况下，例如在打孔的区域安装摄像头时，为满足摄像头工作过程中对孔区域的透光率的要求，只去掉有颜色的或者对穿透率影响较大的膜层，不挖除或仅保留部分透明膜层，本发明对此并不作具体限制。

镂空部CC的形状也可以根据实际使用要求设计，比如圆形、椭圆形、方形等等，为了更加直观地使用本发明的技术方案，图7仅以镂空部CC为圆形为例进行说明，后续也不再赘述。

在上述方案的基础上，可选的，请继续参见图7和图8所示，镂空部CC沿显示装置的厚度方向贯穿显示装置；在第二非显示区A2设置封装结构15；封装结构15位于阵列基板11和对向基板12之间。其中，在第二非显示区A2设置封装结构15，液晶层14内的液晶分子可通过框胶13和封装结构15框限在盒状空间内，防止溢出。封装结构15可以与框胶13的材料相同。

具体的，当显示装置设置镂空部CC时，静电荷容易经该镂空部CC通过封装结构15进入显示面板10中的液晶层14内部，导致静电残留于液晶层14内，影响显示装置的正常显示。本实施例中，通过第一导电结构30可以将镂空部CC处的静电荷导走，避免静电荷在镂空部CC处积累，进而防止静电荷通过封装结构15进入显示面板10中的液晶层14内部。由于第一导电结构30和背光模组20电连接，因此第一导电结构30将静电荷导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散，避免了静电荷在镂空部CC的周围积累，能够有效提高显示装置的静电防护能力；且由于第一导电结构位于显示面板的下方，使镂空部CC处的静电荷被第一导电结构导走，有效防止静电荷通过镂空部直接进入显示面板内部影响显示装置的显示效果，确保了显示装置的正常显示。

现有技术提供的显示装置中，镂空部主要用于放置并安装摄像头等器件，静电荷容易经该镂空部进入显示面板内部，导致静电残留于液晶盒内，影响显示装置的正常显示。如果在镂空部设置静电导走装置，则会增大镂空部的体积，从而减小显示装置的屏占比。本实施例提供的显示装置，在阵列基板远离对向基板的一侧设置第一导电结构，可以将镂空部处的静电荷导走，避免静电荷在镂空部处积累，从而避免了静电荷从封装结构中进入显示面板内部，导致静电残留于液晶盒内的问题，提高了显示装置的静电防护性能，确保了显示装置的正常显示。

在上述方案的基础上，可选的，图9是本发明实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图，请参见图9所示，显示装置还包括第一偏光片70，第一偏光片70位于第一导电结构30靠近背光模组20的一侧；第一导电结构30通过第一偏光片70与背光模组20电连接；第一偏光片70的方块电阻为Z2，Z2＜10⁸Ω/□。第一导电结构30设置有开口结构DD，开口结构DD露出第一偏光片70；封装结构15在阵列基板11的投影与第一导电结构30在阵列基板11的投影至少部分不交叠。

具体的，当显示装置周围的电压大于12KV时，第一导电结构30在将镂空部CC处的静电荷导走时，但是由于第一导电结构30靠近镂空部CC边缘距离框胶位置比较近，因此镂空部CC的静电荷会有将封装结构15击穿的风险，从而导致漏液晶等显示异常。因此本发明实施例通过在第一导电结构30设置有开口结构DD，使开口结构DD在阵列基板11的投影覆盖封装结构15在阵列基板11的投影，第一导电结构30在将镂空部处的静电荷导走时，由于第一导电结构30靠近镂空部CC边缘距离框胶位置有一定的距离，可以避免当显示装置处于雷击等超高电压下时，镂空部CC的静电荷会将封装结构15击穿，导致液晶溢出的问题，起到保护液晶层的作用。

可选的，开口结构DD内例如可以填充有支撑结构(图中未示出)，支撑结构采用绝缘材料，确保了显示装置的稳定性。

在上述方案的基础上，可选的，图10是本发明实施例提供的另一种显示装置的剖面结构示意图，请参见图10所示，封装结构15内设置第二导电结构50；第二导电结构50与第一导电结构30电连接。

其中，在对向基板12涂布框胶13时，可通过增加框胶13的涂布量，然后在对向基板12与阵列基板11贴合时，部分框胶13覆盖在显示面板10的侧面，从而使第二导电结构50与第一导电结构30电连接；还可以在制备第一导电结构30时，通过将部分第一导电结构30覆盖至框胶13使第二导电结构50与第一导电结构30电连接；还可以通过单独设置银胶的方式以实现第二导电结构50与第一导电结构30电连接；除此之外，由于第二导电结构50与第一导电结构30距离较近，当显示装置处于高压下时，第二导电结构50与第一导电结构30可形成电容，从而可以使第二导电结构50导走的静电荷通过第一导电结构30导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散。

示例性的，可以通过在封装结构15中加入导电粒子或导电金球形成第二导电结构50。还可以在封装结构15内设置柱状孔，在柱状孔内填充金属或金属氧化物，形成第二导电结构50。具体的，当静电荷进入封装结构15内，通过第二导电结构50将封装结构15内的静电荷导走，由于第二导电结构50与第一导电结构30电连接，使第二导电结构50导走的静电荷通过第一导电结构30导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散。避免了进入封装结构15内的静电荷进入液晶层内，进一步地保护液晶层14。

在上述方案的基础上，可选的，图11是本发明实施例提供的又一种显示装置的剖面结构示意图，请参见图11所示，显示装置还包括导电层80和第三导电结构60；导电层80位于对向基板12远离阵列基板11的一侧，第三导电结构60位于第一非显示区A1内，且第三导电结构60朝向背光模组20的一端与背光模组20电连接，第三导电结构60背离背光模组20的一端位于液晶层14与对向基板12的接触面背离液晶层14的一侧。

其中，导电层80可以是低阻上偏光片，也可以是金属氧化物导电层，例如可以是氧化锑锡。

示例性的，导电层80与位于第一非显示区A1内的导电线路电连接(图中未示出)，此导电线路接地设置，从而可以将进入显示装置内的静电荷导走，提高了显示装置的静电防护性能，确保了显示装置的正常显示。

示例性的，第三导电结构60朝向背光模组20的一端与背光模组20接触，第三导电结构60背离背光模组20的一端位于液晶层14与对向基板12的接触面背离液晶层14的一侧，即沿显示装置的厚度方向，第三导电结构60的高度要高于液晶层的高度，通过第三导电结构将显示装置周围的静电荷导入至背光模组20中，避免静电荷进入液晶层内。

示例性的，第三导电结构60朝向背光模组20的一端与第一导电结构30接触，进而通过第一导电结构30与背光模组20电连接，第三导电结构60背离背光模组20的一端位于液晶层14与对向基板12的接触面背离液晶层14的一侧，通过第三导电结构60将显示装置周围的静电荷导入至第一导电结构30，通过第一导电结构30将静电荷导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散。

示例性的，第三导电结构60朝向背光模组20的一端与第一偏光片70接触，进而通过第一偏光片70与背光模组20电连接，第三导电结构60背离背光模组20的一端位于液晶层14与对向基板12的接触面背离液晶层14的一侧，第三导电结构60通过第一偏光片70将显示装置周围的静电荷导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散。

需要说明的是，图11仅以第三导电结构60朝向背光模组20的一端与背光模组20接触，将第三导电结构60导走的静电荷导入至背光模组20进行示例性说明。此外，第三导电结构60朝向背光模组20的一端还可以不与背光模组20、第一导电结构30或第一偏光片70接触，而通过其他膜层或电路走线(图中未示出)实现第三导电结构60朝向背光模组20的一端与背光模组20电连接，进而将第三导电结构60导出的静电荷导入至背光模组20。

在上述方案的基础上，可选的，镂空部CC对应设置有光感器件，光感器件包括接近传感器、摄像头组件以及闪光灯中的至少一种。

通过在镂空部CC设置光感器件，提高显示装置的空间利用率，减小显示装置的屏占比，有利于实现全面屏设计。

在上述方案的基础上，可选的，第三导电结构60包括导电银胶。

通过导电银胶将显示装置周围的静电荷导入至背光模组20，通过背光模组20进行静电消散。

需要说明的是，本领域技术人员可以理解，第二导电结构30和第三导电结构60的材料包括但不限于上述示例，只要可以实现将静电荷导入至背光模组20中即可。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (7)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：显示区和包围所述显示区的第一非显示区；

还包括显示面板，所述显示面板包括阵列基板和对向基板；

背光模组，设置在所述阵列基板背离所述对向基板的一侧；

第一导电结构，设置在所述阵列基板靠近所述背光模组的一侧，所述第一导电结构和所述背光模组电连接；

所述对向基板包括黑矩阵；所述第一导电结构在所述对向基板的垂直投影位于所述黑矩阵内；

所述显示装置还包括第一偏光片，所述第一偏光片位于所述第一导电结构靠近所述背光模组的一侧；所述第一导电结构通过所述第一偏光片与所述背光模组电连接；

所述第一偏光片的方块电阻为Z2，Z2＜10⁸ Ω/□；

所述显示装置还包括第二非显示区和至少一个镂空部；

所述第二非显示区包围所述镂空部，所述显示区包围所述第二非显示区；

所述镂空部沿所述显示装置的厚度方向贯穿所述显示装置；

在所述第二非显示区设置封装结构；所述封装结构位于所述阵列基板和所述对向基板之间；

所述第一导电结构设置有开口结构，所述开口结构露出所述第一偏光片；

所述封装结构在所述阵列基板的投影与所述第一导电结构在所述阵列基板的投影至少部分不交叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一导电结构采用透明材料制作。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一导电结构的方块电阻为Z1，Z1＜10⁸Ω/□。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述封装结构内设置第二导电结构；所述第二导电结构与所述第一导电结构电连接。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括导电层和第三导电结构；所述显示面板还包括液晶层；

所述导电层位于所述对向基板远离所述阵列基板的一侧；

所述第三导电结构位于所述第一非显示区内，且所述第三导电结构朝向所述背光模组的一端与所述背光模组电连接，所述第三导电结构背离所述背光模组的一端位于所述液晶层与所述对向基板的接触面背离所述液晶层的一侧。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述镂空部对应设置有光感器件，所述光感器件包括接近传感器、摄像头组件以及闪光灯中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第三导电结构包括导电银胶。

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