CN111978582A - 电子产品用抗静电膜的制备工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子产品用抗静电膜的制备工艺，包括以下步骤：将所述聚氨酯树脂100份、聚乙烯醇40‑60份、辛基硫酸钠2~4份、N‑乙基‑N‑（3‑磺丙基）‑3‑甲基苯胺钠盐1~3份、对苯二甲酸二辛酯8~12份、正丁醇40~60份、醋酸异丁酯20~30份、蓖麻油聚氧乙烯醚0.5~1份、三亚乙基四胺0.3~0.8份、硅烷类偶合剂0.5~1.5份、抗氧化剂0.6~2份、流平剂0.4~1份混合，搅拌均匀后，得到涂覆液；步骤二、将步骤一获得的涂覆液均匀涂覆于所述基材层（1）上，烘烤干燥获得所述抗静电膜。本发明既提高了抗静电性能，也使得抗静电膜在环境湿度影变化较大的情况下，表面电阻变化几乎很小，防静电性能稳定，从而适合复杂电子产品工艺流程合气候。

Description

电子产品用抗静电膜的制备工艺
技术领域
本发明属于保护膜技术领域，尤其涉及一种抗静电膜的制备工艺。
背景技术
电子装置需要更加轻薄短小的需求下，电气操作的功率密度更需要不断提高，这些电子产品的应用场合一般都有防静电的要求，因为静电的存在不仅是产品表面容易吸附灰尘，更加影响线路的精准度，或导致电子产品加工过程中线路击穿，使产品失效。因此，有必要对保护膜做静电防护处理。
现有抗静电膜受环境湿度影响较大，防静电性能不稳定，从而由于贴覆抗静电膜的电子产品在工艺流程或使用环境等，其湿度变化区间较大，给产品带来了不确定的风险。因此，如何开发一种受环境湿度影响小，防静电性能稳定的抗静电膜，成为本领域技术人员努力的方向。
发明内容
本发明目的在于提供一种电子产品用抗静电膜的制备工艺，该制备工艺获得的抗静电膜既提高了抗静电性能，也使得抗静电膜在环境湿度影变化较大的情况下，表面电阻变化几乎很小，防静电性能稳定，从而适合复杂电子产品工艺流程合气候，大大降低了电子产品损伤的几率。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种抗静电膜的制备工艺，所述抗静电膜包括基材层和位于基材层表面的抗静电涂层，所述抗静电涂层由涂覆液烘干获得，此涂覆液由以下组分组成：聚氨酯树脂、聚乙烯醇、辛基硫酸钠、N-乙基-N-（3-磺丙基）-3-甲基苯胺钠盐、对苯二甲酸二辛酯、正丁醇、醋酸异丁酯、蓖麻油聚氧乙烯醚、三亚乙基四胺、硅烷类偶合剂、抗氧化剂、流平剂；
所述制备工艺包括以下步骤：
步骤一、将所述聚氨酯树脂100份、聚乙烯醇40-60份、辛基硫酸钠2~4份、N-乙基-N-（3-磺丙基）-3-甲基苯胺钠盐1~3份、对苯二甲酸二辛酯8~12份、正丁醇40~60份、醋酸异丁酯20~30份、蓖麻油聚氧乙烯醚0.5~1份、三亚乙基四胺0.3~0.8份、硅烷类偶合剂0.5~1.5份、抗氧化剂0.6~2份、流平剂0.4~1份混合，搅拌均匀后，得到涂覆液；
步骤二、将步骤一获得的涂覆液均匀涂覆于所述基材层上，烘烤干燥获得所述抗静电膜。
上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：
1. 上述方案中，所述抗氧化剂选自抗氧剂1010、抗氧剂1024、抗氧剂2246中的一种。
2. 上述方案中，所述流平剂选自流平剂440、流平剂DC57、流平剂DC3中的一种。
3. 上述方案中，所述基材层为PET层、TPU层、PAR层、CPP层、PVC层、SEPS层和SEBS层中的一种。
4. 上述方案中，所述基材层的厚度为40~100μm。
5. 上述方案中，所述第一抗静电涂层和第二抗静电涂层厚度均为3~10μm。
由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
本发明电子产品用抗静电膜的制备工艺，其通过添加辛基硫酸钠、N-乙基-N-（3-磺丙基）-3-甲基苯胺钠盐和蓖麻油聚氧乙烯醚，既提高了抗静电性能，也使得抗静电膜在环境湿度影变化较大的情况下，表面电阻变化几乎很小，防静电性能稳定，从而适合复杂电子产品工艺流程合气候，大大降低了电子产品损伤的几率。
附图说明
附图1为本发明抗静电膜结构示意图。
以上附图中：1、基材层；2、抗静电涂层。
具体实施方式
在本专利的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利的具体含义。
下面结合实施例对本发明作进一步描述：
实施例1~4：一种电子产品用抗静电膜的制备工艺，所述抗静电膜包括基材层1和位于基材层1表面的抗静电涂层2；
所述抗静电涂层2由涂覆液烘干获得，此涂覆液由以下组分组成，如表1所示：
表1
Figure DEST_PATH_IMAGE002AA
；
实施例1中抗氧化剂选自抗氧剂1010，上述流平剂选自流平剂440，上述基材层1为PET层，上述基材层1的厚度为50μm，上述第一抗静电涂层2和第二抗静电涂层3厚度均为6μm。
实施例2中抗氧化剂选自抗氧剂1024，上述流平剂选自流平剂DC57，上述基材层1为TPU层，上述基材层1的厚度为50μm，上述第一抗静电涂层2和第二抗静电涂层3厚度均为6μm。
实施例3中抗氧化剂选自抗氧剂2246，上述流平剂选自流平剂DC3，上述基材层1为CPP层，上述基材层1的厚度为50μm，上述第一抗静电涂层2和第二抗静电涂层3厚度均为6μm。
实施例4中抗氧化剂选自抗氧剂2246，上述流平剂选自流平剂440，上述基材层1为PVC层，上述基材层1的厚度为50μm，上述第一抗静电涂层2和第二抗静电涂层3厚度均为6μm。
对比例1~2：一种抗静电膜，包括基材层和位于基材层表面的抗静电涂层；所述抗静电涂层由涂覆液烘干获得，此涂覆液由以下重量份组分组成，如表2所示：
表2
Figure DEST_PATH_IMAGE004AA
对比例制备方法同实施例。
上述实施例1~4和对比例1~2制得的抗静电膜的性能如表3所示：
表3
Figure DEST_PATH_IMAGE006AA
表面阻抗采用表面阻抗测试仪器SRM-110，对各实施例和对比例的抗静电膜的抗静电层进行测试。
如表3的评价结果所示，实施例制备工艺获得的抗静电膜抗静电性能优良，在环境湿度影变化较大的情况下，表面电阻变化几乎不变化，而对比例1抗静电效果相对差，对比例2表面电阻随着湿度变化，波动大；可知，本发明既提高了抗静电性能，也使得抗静电膜在环境湿度影变化较大的情况下，表面电阻变化几乎很小，防静电性能稳定，从而适合复杂电子产品工艺流程合气候，大大降低了电子产品损伤的几率。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1. 一种电子产品用抗静电膜的制备工艺，其特征在于： 所述抗静电膜包括基材层（1）和位于基材层（1）表面的抗静电涂层（2），所述抗静电涂层（2）由涂覆液烘干获得，此涂覆液由以下组分组成：聚氨酯树脂、聚乙烯醇、辛基硫酸钠、N-乙基-N-（3-磺丙基）-3-甲基苯胺钠盐、对苯二甲酸二辛酯、正丁醇、醋酸异丁酯、蓖麻油聚氧乙烯醚、三亚乙基四胺、硅烷类偶合剂、抗氧化剂、流平剂；
所述制备工艺包括以下步骤：
步骤一、将所述聚氨酯树脂100份、聚乙烯醇40-60份、辛基硫酸钠2~4份、N-乙基-N-（3-磺丙基）-3-甲基苯胺钠盐1~3份、对苯二甲酸二辛酯8~12份、正丁醇40~60份、醋酸异丁酯20~30份、蓖麻油聚氧乙烯醚0.5~1份、三亚乙基四胺0.3~0.8份、硅烷类偶合剂0.5~1.5份、抗氧化剂0.6~2份、流平剂0.4~1份混合，搅拌均匀后，得到涂覆液；
步骤二、将步骤一获得的涂覆液均匀涂覆于所述基材层（1）上，烘烤干燥获得所述抗静电膜。
2.根据权利要求1中所述的抗静电膜的制备工艺，其特征在于：所述基材层（1）的厚度为40~100μm。
3.根据权利要求1中所述的抗静电膜的制备工艺，其特征在于：所述第一抗静电涂层（2）和第二抗静电涂层（3）厚度均为3~10μm。
4.根据权利要求1中所述的抗静电膜的制备工艺，其特征在于：所述流平剂选自流平剂440、流平剂DC57、流平剂DC3中的一种。
5.根据权利要求1中所述的抗静电膜的制备工艺，其特征在于：所述基材层（1）为PET层、TPU层、PAR层、CPP层、PVC层、SEPS层和SEBS层中的一种。
6.根据权利要求1中所述的抗静电膜的制备工艺，其特征在于：所述抗氧化剂选自抗氧剂1010、抗氧剂1024、抗氧剂2246中的一种。
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