CN111968993A - 主动元件基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种主动元件基板，包括基板、多条第一金属栅线、第一透明导电层、栅绝缘层、半导体层、源极以及漏极。第一金属栅线位于基板上。第一透明导电层包括扫描线以及连接扫描线的栅极。扫描线及/或栅极直接连接至少部分第一金属栅线。栅绝缘层位于第一透明导电层上。半导体层位于栅绝缘层上，且重叠于栅极。源极以及漏极电性连接半导体层。

Description

主动元件基板及其制造方法
技术领域
本发明是有关于一种主动元件基板，且特别是有关于一种包括多条金属栅线的主动元件基板及其制造方法。
背景技术
近年来，随着显示技术的不断进步，消费者对于显示器的显示质量的要求也越来越高。为了制造高效能的显示器，显示装置需要具备足够高的影像分辨率。一般而言，为了要增加液晶显示面板的分辨率，必须增加每单位面积中的像素的数量，同时，为了提供信号给这些像素，液晶显示面板中导线的密度也势必需要随之增加。然而，液晶显示面板的显示区中的导线会遮蔽光线，使像素的开口率因为导线密度增加而减小。
发明内容
本发明提供一种主动元件基板，可以减少扫描线对开口率的影响。
本发明提供一种主动元件基板的制造方法，可以减少扫描线对开口率的影响。
本发明的至少一实施例提供一种主动元件基板。主动元件基板包括基板、多条第一金属栅线、第一透明导电层、栅绝缘层、半导体层、源极以及漏极。第一金属栅线位于基板上。第一透明导电层包括扫描线以及连接扫描线的栅极。扫描线及/或栅极直接连接至少部分第一金属栅线。栅绝缘层位于第一透明导电层上。半导体层位于栅绝缘层上，且重叠于栅极。源极以及漏极电性连接半导体层。
本发明的至少一实施例提供一种主动元件基板的制造方法，包括：形成多条第一金属栅线于基板上；形成绝缘图案层于第一金属栅在线；形成第一透明材料层于绝缘图案层上；图案化第一透明材料层以形成第一透明导电层，其中第一透明导电层包括扫描线以及连接扫描线的栅极；形成栅绝缘层于第一透明导电层上；形成半导体层于栅绝缘层上，且半导体层重叠于栅极；以及形成源极以及漏极于半导体层上。
本发明的至少其中一目的为增加像素的开口率。
本发明的至少其中一目的为降低导线阻抗。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A至图1J是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的制造方法的剖面示意图。
图2A至图2C是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的制造方法的俯视示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的俯视示意图。
图4是图3线XX’的剖面示意图。
图5是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。
图6是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。
图7是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。
图8是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。
图9是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。
图10是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。
图11是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。
图12是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。
图13是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。
图14是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。
图15A至图15D是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的制造方法的剖面示意图。
图16是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。
附图标记
1：显示面板
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I、10J、10K、10L：主动元件基板
100：基板
110：第一金属栅线
120：绝缘材料层
120’：绝缘图案层
130：第一透明材料层
130’：第一透明导电层
132：扫描线
134：栅极
136：覆盖层
140：栅绝缘层
150：半导体层
162：源极
162r、164r：欧姆接触层
164：漏极
166：像素电极
170：数据线
180：第二透明导电层
190：绝缘层
200：对向基板
210：偏光片
220：黑矩阵
230：色彩转换元件
240：保护层
300：遮光材料层
300’：遮蔽电极
D1：方向
H1：高度
O：通孔
P1：节距
PR1、PR2：光阻图案
t1、t2：厚度
W1：线宽
W2、W3：宽度
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
图1A至图1J是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板10的制造方法的剖面示意图。
请参考图1A，形成多条第一金属栅线110于基板100上。在本实施例中，形成第一金属栅线110的方法利用包括于基板100上形成金属材料层，接着再以纳米压印技术(Nano-imprint Lithography；NIL)于金属材料层上形成图案化的光阻，最后以图案化的光阻为罩幕蚀刻前述金属材料层以形成多条第一金属栅线110，但本发明不以此为限。第一金属栅线110也可以利用其他合适的方法形成。在本实施例中，第一金属栅线110的材料包括金、银、铜、铝、钼、钛、钽、其他金属或前述金属的合金。在一些实施例中，第一金属栅线110为单层金属、多层金属或金属与其他材料的堆栈层。
在本实施例中，各第一金属栅线110的线宽W1为25纳米至150纳米，各第一金属栅线110的高度H1为50纳米至500纳米，第一金属栅线110的节距P1为50纳米至300纳米。在本实施例中，第一金属栅线110例如可做为金属线栅偏极片(Wire grid polarizer；WGP)。
请参考图1B，形成绝缘材料层120于第一金属栅线110上。绝缘材料层120为无机材料或有机材料。在一些实施例中，绝缘材料层120例如包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他合适的材料。在本实施例中，绝缘材料层120不填入第一金属栅线110之间的间隙，但本发明不以此为限。在其他实施例中，部分绝缘材料层120填入第一金属栅线110之间的间隙。
请参考图1C，于绝缘材料层120上形成光阻图案PR1。光阻图案PR1暴露出部分绝缘材料层120。
图1D是图2A线XX’的剖面示意图，请参考图1D与图2A，以光阻图案PR1为罩幕，图案化绝缘材料层120，以形成露出至少部分第一金属栅线110的绝缘图案层120’。形成绝缘图案层120’之后，移除光阻图案PR1。
在本实施例中，绝缘图案层120’包括通孔O，且至少部分第一金属栅线110位于通孔O底下。
请参考图1E，形成第一透明材料层130于绝缘图案层120’上。第一透明材料层130为金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物或其他合适的材料。
在本实施例中，第一透明材料层130形成于绝缘图案层120’的顶面以及绝缘图案层120’的通孔O中。
请参考图1F，形成光阻图案PR2于第一透明材料层130上。光阻图案PR2例如位于第一透明材料层130对应于栅极(绘于图1G)的位置。
图1G是图2B线XX’的剖面示意图，请参考图1G与图2B，图案化第一透明材料层130以形成第一透明导电层130’。在本实施例中，以光阻图案PR2为罩幕蚀刻第一透明材料层130。于垂直基板100的方向D1上重叠于绝缘图案层120’的部分第一透明材料层130在蚀刻后被移除，并暴露出绝缘图案层120’的顶面。换句话说，接触绝缘图案层120’的顶面的部分第一透明材料层130在蚀刻后被移除。
第一透明导电层130’包括扫描线132以及连接扫描线132的栅极134。在本实施例中，栅极134的其中一侧直接连接扫描线132。在本实施例中，由于栅极134的位置对应于光阻图案PR2，因此，栅极134的厚度t1大于扫描线132的厚度t2。栅极134的厚度t1大于扫描线132的厚度t2可降低光线对主动元件的半导体层(绘于图1I)所造成的影响，藉此改善光漏电的问题。
在本实施例中，扫描线132的厚度t2大于或等于50纳米，举例来说，厚度t2为100纳米。栅极134的厚度t1大于或等于50纳米。在本实施例中，栅极134的宽度W3为大于或等于1微米，举例来说，宽度W3为1微米至100微米。扫描线132的宽度W2为大于或等于1微米，举例来说，宽度W2为1微米至100微米。
扫描线132及/或栅极134直接连接至少部分第一金属栅线110，因此，即使扫描线132及/或栅极134的材料是阻抗较金属高的金属氧化物，也可以藉由第一金属栅线110减少阻抗。在一些实施例中，可以藉由增加第一金属栅线110的高度来减少导线的阻抗。
扫描线132与栅极134重叠于第一金属栅线110中的大于或等于10条，举例来说，扫描线132与栅极134重叠于第一金属栅线110中的10条至1000条。
请参考图1H，形成栅绝缘层140于第一透明导电层130’上。在本实施例中，栅绝缘层140覆盖绝缘图案层120’、扫描线132与栅极134。栅绝缘层140为无机材料或有机材料。在一些实施例中，栅绝缘层140例如包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他合适的材料。在一些实施例中，栅绝缘层140与绝缘图案层120’包括相同的材料。
请参考图1I，形成半导体层150于栅绝缘层140上，且半导体层150于垂直基板100的方向D1上重叠于栅极134。在本实施例中，半导体层150例如包括非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物或其它合适的材料或上述的组合)、其它合适的材料或上述的组合。在一些实施例中，半导体层150中含有掺杂物(dopant)。
形成源极162以及漏极164于半导体层150上。形成像素电极166于栅绝缘层140上。在本实施例中，源极162、漏极164以及像素电极166为透明导电材料，例如铟锡氧化物或者是铟锌氧化物。在本实施例中，源极162、漏极164以及像素电极166属于相同透明导电层。形成源极162、漏极164以及像素电极166的方法例如包括先于半导体层150上形成透明导电材料，接着再图案化前述透明导电材料以形成源极162、漏极164以及像素电极166，其中源极162与漏极164互相分离，像素电极166连接漏极164。在一些实施例中，图案化前述透明导电材料时，源极162与漏极164之间的部分半导体层150也会被蚀刻，使源极162与漏极164之间的部分半导体层150产生凹槽，但本发明不以此为限。在一些实施例中，源极162与半导体层150之间以及漏极164与半导体层150之间还可以选择性地包括欧姆接触层162r、164r，但本发明不以此为限。
在本实施例中，第一金属栅线110重叠于源极162、漏极164、像素电极166、扫描线132以及栅极134。在本实施例中，像素电极166重叠于扫描线132。
图1J是图2C线XX’的剖面示意图，为了方便说明，图2C省略绘出了第一金属栅线110。请参考图1J与图2C，形成数据线170于源极162以及栅绝缘层140上。数据线170分离于漏极164以及像素电极166。数据线170的延伸方向不同于扫描线132的延伸方向。在本实施例中，数据线170直接形成于源极162上，但本发明不以此为限。
数据线170为透明或不透明的导电材料。在本实施例中，数据线170包括金属。
基于上述，第一透明导电层130’直接连接至少部分第一金属栅线110，因此，可以藉由第一金属栅线110来降低第一透明导电层130’的阻抗。此外，由于扫描线132包括透明导电材料，因此，可以降低扫描线132对开口率造成的影响。
图3是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的俯视示意图。图4是图3线XX’的剖面示意图，为了方便说明，图3省略绘出了第一金属栅线110。
在此必须说明的是，图3和图4的实施例沿用图1A至图1J的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图3的主动元件基板10A与图1J的主动元件基板10的主要差异在于：主动元件基板10A的扫描线132宽度较小。
请参考图3与图4，第一透明导电层130’包括扫描线132以及连接扫描线132的栅极134。在本实施例中，栅极134的两侧直接连接扫描线132。
在本实施例中，栅极134的宽度W3大于或等于1微米，举例来说，宽度W3为1微米至100微米。扫描线132的宽度W2为大于或等于1微米，举例来说，宽度W2为1微米至100微米。扫描线132与栅极134重叠于第一金属栅线110中的大于或等于10条，举例来说，扫描线132与栅极134重叠于第一金属栅线110中的10条至1000条。
基于上述，第一透明导电层130’直接连接至少部分第一金属栅线110，因此，可以藉由第一金属栅线110来降低第一透明导电层130’的阻抗。此外，由于扫描线132包括透明导电材料，因此，可以降低扫描线132对开口率造成的影响。
图5是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图5的实施例沿用图1A至图1J的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图5的主动元件基板10B与图1J的主动元件基板10的主要差异在于：主动元件基板10B更包括第二透明导电层180。
第二透明导电层180与第一透明导电层130’具有相同图案。第一金属栅线110位于第一透明导电层130’与第二透明导电层180之间。
在本实施例中，主动元件基板10B更包括绝缘层190。绝缘层190位于基板100上，且第二透明导电层180位于绝缘层190的通孔中。
基于上述，藉由第二透明导电层180的设置，可以进一步降低扫描线的阻抗。
图6是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图6的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图6的主动元件基板10C与图4的主动元件基板10A的主要差异在于：主动元件基板10C更包括第二透明导电层180。
第二透明导电层180与第一透明导电层130’具有相同图案。第一金属栅线110位于第一透明导电层130’与第二透明导电层180之间。
在本实施例中，主动元件基板10C更包括绝缘层190。绝缘层190位于基板100上，且第二透明导电层180位于绝缘层190的通孔中。
基于上述，藉由第二透明导电层180的设置，可以进一步降低扫描线的阻抗。
图7是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图7的实施例沿用图1A至图1J的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图7的主动元件基板10D与图1J的主动元件基板10的主要差异在于：主动元件基板10D的第一金属栅线110仅设置于驱动线路(包括扫描线132与栅极134)的位置。
在本实施例中，第一金属栅线110于基板100上的垂直投影的面积小于第一透明导电层130’于基板100上的垂直投影的面积。第一金属栅线110仅设置于与扫描线132以及栅极134相对应的位置。虽然在图7中，绝缘图案层120’绘示为单层结构，但本发明不以此为限。在一些实施例中，绝缘图案层120’可以为多层结构。
基于上述，第一透明导电层130’直接连接至少部分第一金属栅线110，因此，可以藉由第一金属栅线110来降低第一透明导电层130’的阻抗。此外，由于扫描线132包括透明导电材料，因此，可以降低扫描线132对开口率造成的影响。
图8是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图8的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图8的主动元件基板10E与图4的主动元件基板10A的主要差异在于：主动元件基板10E的第一金属栅线110仅设置于驱动线路(包括扫描线132与栅极134)的位置。
在本实施例中，第一金属栅线110于基板100上的垂直投影的面积小于第一透明导电层130’于基板100上的垂直投影的面积。虽然在图8中，绝缘图案层120’绘示为单层结构，但本发明不以此为限。在一些实施例中，绝缘图案层120’可以为多层结构。
基于上述，第一透明导电层130’直接连接至少部分第一金属栅线110，因此，可以藉由第一金属栅线110来降低第一透明导电层130’的阻抗。此外，由于扫描线132包括透明导电材料，因此，可以降低扫描线132对开口率造成的影响。
图9是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图9的实施例沿用图7的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图9的主动元件基板10F与图7的主动元件基板10D的主要差异在于：主动元件基板10F更包括第二透明导电层180。
第二透明导电层180与第一透明导电层130’具有相同图案。第一金属栅线110位于第一透明导电层130’与第二透明导电层180之间。
在本实施例中，主动元件基板10F更包括绝缘层190。绝缘层190位于基板100上，且第二透明导电层180位于绝缘层190的通孔中。
基于上述，藉由第二透明导电层180的设置，可以进一步降低扫描线的阻抗。
图10是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图10的实施例沿用图8的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图10的主动元件基板10G与图8的主动元件基板10E的主要差异在于：主动元件基板10G更包括第二透明导电层180。
第二透明导电层180与第一透明导电层130’具有相同图案。第一金属栅线110位于第一透明导电层130’与第二透明导电层180之间。
在本实施例中，主动元件基板10G更包括绝缘层190。绝缘层190位于基板100上，且第二透明导电层180位于绝缘层190的通孔中。
基于上述，藉由第二透明导电层180的设置，可以进一步降低扫描线的阻抗。
图11是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图11的实施例沿用图9的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图11的主动元件基板10H与图9的主动元件基板10F的主要差异在于：主动元件基板10H更包括多条第二金属栅线110a。
请参考图11，第二金属栅线110a位于基板100上。第二透明导电层180位于第二金属栅线110a与第一金属栅线110之间。
在本实施例中，第一金属栅线110仅设置于驱动线路(包括扫描线132与栅极134)的位置，而第二金属栅线110a除了设置于驱动线路的位置之外，还设置于像素的开口区。
在一些实施例中，各第一金属栅线110的线宽与各第二金属栅线110a的线宽相等或不相等。在一些实施例中，各第一金属栅线110的高度与各第二金属栅线110a的高度相等或不相等。在一些实施例中，第一金属栅线110的节距与第二金属栅线110a的节距相等或不相等。在本实施例中，第一金属栅线110与第二金属栅线110a在垂直基板100的方向D1上重叠。
在本实施例中，第二金属栅线110a例如可做为金属线栅偏极片(Wire GridPolarizer；WGP)。
基于上述，第一透明导电层130’直接连接至少部分第一金属栅线110，因此，可以藉由第一金属栅线110来降低第一透明导电层130’的阻抗。此外，由于扫描线132包括透明导电材料，因此，可以降低扫描线132对开口率造成的影响。
图12是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图12的实施例沿用图10的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图12的主动元件基板10I与图10的主动元件基板10G的主要差异在于：主动元件基板10I更包括多条第二金属栅线110a。
在一些实施例中，各第一金属栅线110的线宽与各第二金属栅线110a的线宽相等或不相等。在一些实施例中，各第一金属栅线110的高度与各第二金属栅线110a的高度相等或不相等。在一些实施例中，第一金属栅线110的节距与第二金属栅线110a的节距相等或不相等。在本实施例中，第一金属栅线110与第二金属栅线110a在垂直基板100的方向D1上重叠。
在本实施例中，第二金属栅线110a例如可做为金属线栅偏极片(Wire gridpolarizer；WGP)。
基于上述，第一透明导电层130’直接连接至少部分第一金属栅线110，因此，可以藉由第一金属栅线110来降低第一透明导电层130’的阻抗。此外，由于扫描线132包括透明导电材料，因此，可以降低扫描线132对开口率造成的影响。
图13是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图13的实施例沿用图1J的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图13的主动元件基板10J与图1J的主动元件基板10的主要差异在于：主动元件基板10J的第一透明导电层130’更包括多个覆盖层136。
覆盖层136自扫描线132及/或栅极134向下延伸，并覆盖部分第一金属栅线110的侧壁。在本实施例中，覆盖层136共形于部分第一金属栅线110的侧壁。在本实施例中，重叠于绝缘图案层120’的第一金属栅线110的侧壁不会被覆盖层136所覆盖。
在一些实施例中，第一金属栅线110之间的间隙不会完全被第一透明导电层130’填满。换句话说，相邻的第一金属栅线110所对应的覆盖层136之间具有间隙。
基于上述，第一透明导电层130’的覆盖层136覆盖部分第一金属栅线110的侧壁，能增加第一透明导电层130’与第一金属栅线110的接触面积，因此，能降低第一透明导电层130’与第一金属栅线110之间的阻抗。
图14是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。在此必须说明的是，图14的实施例沿用图4的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
图14的主动元件基板10K与图4的主动元件基板10A的主要差异在于：主动元件基板10K的第一透明导电层130’更包括多个覆盖层136。
覆盖层136自扫描线132或栅极134向下延伸，并覆盖部分第一金属栅线110的侧壁。在本实施例中，覆盖层136共形于部分第一金属栅线110的侧壁。在本实施例中，重叠于绝缘图案层120’的第一金属栅线110的侧壁不会被覆盖层136所覆盖。
基于上述，第一透明导电层130’的覆盖层136覆盖部分第一金属栅线110的侧壁，能增加第一透明导电层130’与第一金属栅线110的接触面积，因此，能降低第一透明导电层130’与第一金属栅线110之间的阻抗。
图15A至图15D是依照本发明的一实施例的一种主动元件基板10L的制造方法的剖面示意图，其中图15A接续图1E的步骤。
请参考图15A，在形成第一透明材料层130于绝缘图案层120’上之后，形成遮光材料层300于第一透明材料层130上。遮光材料层300为穿透率低的材料，例如金属材料(例如金、银、铜、铝、钼、钛、钽或其合金)，遮光材料层300亦可为金属材料叠层或金属与其他材料的堆栈层(例如钛铝钛、钼铝钼等金属叠层)。
请参考图15B，形成光阻图案PR2于遮光材料层300上。光阻图案PR2例如位于第一透明材料层130对应于栅极(绘于图15C)的位置。
请参考图15C，以光阻图案PR2为罩幕蚀刻遮光材料层300以形成遮蔽电极300’，并以光阻图案PR2为罩幕蚀刻第一透明材料层130以形成第一透明导电层130’。在本实施例中，于垂直基板100的方向D1上重叠于绝缘图案层120’的部分第一透明材料层130以及部分遮光材料层300在蚀刻后被移除。
第一透明导电层130’包括扫描线132以及连接扫描线132的栅极134(扫描线132以及栅极134的连接方式类似图2B)。遮蔽电极300’重叠于栅极134，并与栅极134直接连接。遮蔽电极300’可降低光线对主动元件的半导体层(绘于图15D)所造成的影响，藉此改善光漏电的问题。
请参考图15D，形成栅绝缘层140于第一透明导电层130’上。遮蔽电极300’位于栅极134与栅绝缘层140之间。
形成半导体层150于栅绝缘层140上，且半导体层150于垂直基板100的方向D1上重叠于栅极134。
形成源极162以及漏极164于半导体层150上。形成像素电极166于栅绝缘层140上。在本实施例中，源极162、漏极164以及像素电极166为透明导电材料。
基于上述，第一透明导电层130’直接连接至少部分第一金属栅线110，因此，可以藉由第一金属栅线110来降低第一透明导电层130’的阻抗。此外，由于扫描线132包括透明导电材料，因此，可以降低扫描线132对开口率造成的影响。
图16是依照本发明的一实施例的一种显示面板的剖面示意图。在此必须说明的是，图16的实施例沿用图1J的实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，在此不赘述。
请参考图16，显示面板1包括主动元件基板10、对向基板200以及位于主动元件基板10与对向基板200之间的显示介质30。
主动元件基板10包括基板100、多条第一金属栅线110、第一透明导电层130’、栅绝缘层140、半导体层150、源极162、漏极164以及像素电极166。第一金属栅线110位于基板100上。第一透明导电层130’包括扫描线132以及连接扫描线132的栅极134。扫描线132及/或栅极134直接连接至少部分第一金属栅线110。栅绝缘层140位于第一透明导电层130’上。半导体层150位于栅绝缘层140上，且重叠于栅极134。源极162以及漏极164电性连接半导体层150。像素电极166电性连接漏极164。
在本实施例中，显示面板1还包括偏光片210、黑矩阵220、色彩转换元件230以及保护层240。
偏光片210、黑矩阵220、色彩转换元件230以及保护层240位于对向基板200上。在一些实施例中，偏光片210的材料包括聚乙烯醇膜(Polyvinyl Alcohol，PVA)或三醋酸纤维素膜(Triacetate Cellulose film，TAC)，但本发明不以此为限。在其他实施例中，偏光片210包括金属线栅偏极片(Wire grid polarizer；WGP)。
黑矩阵220定义出显示面板1的开口区。黑矩阵220重叠于显示面板1的非开口区，且黑矩阵220暴露出显示面板1的开口区。在本实施例中，部分扫描线132不重叠于黑矩阵220，换句话说，部分扫描线132设置于开口区中。
色彩转换元件230例如包括不同颜色的滤光元件，黑矩阵220设置于不同颜色的滤光元件之间。
保护层240位于色彩转换元件230上。在一些实施例中，显示面板1还包括共享电极(未绘出)。共享电极设置于主动元件基板10或对向基板200上。在一些实施例中，显示介质30包括液晶分子，且液晶分子可以被共享电极与像素电极166之间的电场转动。
基于上述，第一透明导电层130’直接连接至少部分第一金属栅线110，因此，可以藉由第一金属栅线110来降低第一透明导电层130’的阻抗。此外，由于扫描线132包括透明导电材料，因此，可以降低扫描线132对开口率造成的影响。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (15)

1.一种主动元件基板，其特征在于，包括：
一基板；
多条第一金属栅线，位于该基板上；
一第一透明导电层，包括一扫描线以及连接该扫描线的一栅极，其中该扫描线及/或该栅极直接连接至少部分该些第一金属栅线；
一栅绝缘层，位于该第一透明导电层上；
一半导体层，位于该栅绝缘层上，且重叠于该栅极；以及
一源极以及一漏极，电性连接该半导体层。
2.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，其中该栅极的厚度大于该扫描线的厚度。
3.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，其中更包括：
一像素电极，电性连接该漏极，其中该些第一金属栅线重叠于该像素电极、该扫描线以及该栅极。
4.如权利要求3所述的主动元件基板，其特征在于，其中该漏极、该源极以及该像素电极属于相同透明导电层。
5.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，其中该些第一金属栅线于该基板上的垂直投影的面积小于该第一透明导电层于该基板上的垂直投影的面积。
6.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，更包括：
一第二透明导电层，与该第一透明导电层具有相同图案，其中该些第一金属栅线位于该第一透明导电层与该第二透明导电层之间。
7.如权利要求6所述的主动元件基板，其特征在于，更包括：
多条第二金属栅线，位于该基板上，其中该第二透明导电层位于该些第二金属栅线与该些第一金属栅线之间。
8.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，其中该第一透明导电层更包括：多个覆盖层，覆盖部分该些第一金属栅线的侧壁。
9.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，更包括：
一绝缘图案层，具有至少一通孔，其中至少部分该些第一金属栅线位于该通孔底下，且该第一透明导电层位于该通孔中。
10.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，其中各该第一金属栅线的线宽为25纳米至150纳米，且该扫描线与该栅极重叠于该些第一金属栅线的数量大于或等于10条。
11.如权利要求1所述的主动元件基板，其特征在于，更包括：
一遮蔽电极，位于该栅极与该栅绝缘层之间。
12.一种主动元件基板的制造方法，其特征在于，包括：
形成多条第一金属栅线于一基板上；
形成一绝缘图案层于该些第一金属栅线；
形成一第一透明材料层于该绝缘图案层上；
图案化该第一透明材料层以形成一第一透明导电层，其中该第一透明导电层包括一扫描线以及连接该扫描线的一栅极；
形成一栅绝缘层于该第一透明导电层上；
形成一半导体层于该栅绝缘层上，且该半导体层重叠于该栅极；以及
形成一源极以及一漏极于该半导体层上。
13.如权利要求12所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，其中图案化该第一透明材料层的方法包括：
形成一光阻图案于该第一透明材料层上；
以该光阻图案为罩幕蚀刻该第一透明材料层，其中于垂直该基板的方向上重叠于该绝缘图案层的部分该第一透明材料层在蚀刻后被移除。
14.如权利要求12所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，其中形成该绝缘图案层的方法包括：
形成一绝缘材料层于该些第一金属栅线；以及
图案化该绝缘材料层，以形成露出至少部分该些第一金属栅线的该绝缘图案层。
15.如权利要求12所述的主动元件基板的制造方法，其特征在于，更包括：
形成一遮光材料层于该第一透明材料层上；
形成一光阻图案于该遮光材料层上；以及
以该光阻图案为罩幕蚀刻该遮光材料层以形成一遮蔽电极，并以该光阻图案为罩幕蚀刻该第一透明材料层以形成该第一透明导电层，其中该遮蔽电极重叠于该栅极。
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