CN111968928A - 电镀密封件检查系统及侦测材料电镀的方法 - Google Patents

电镀密封件检查系统及侦测材料电镀的方法 Download PDF

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Abstract

用于电镀密封件检查的多个系统可包括一模块，经构造以支撑用于检查的一密封件。此模块可包括一组支撑件，经定位以接触密封件的一内边。此模块可经构造以绕着一中心轴旋转密封件。此系统也可包括位于此模块上的一检测器，检测器可经定位以扫描密封件的一外表面。

Description

电镀密封件检查系统及侦测材料电镀的方法
技术领域
本技术有关于在半导体处理中的多个电镀系统。更特别是，本技术有关于多个系统和多个方法，用以检查多个元件并辨识来自多个电镀系统操作的多个残留物。
背景技术
集成电路可通过多个工艺制造，这些工艺用于在基板表面上制造复杂精细的图案化材料层。在形成、蚀刻、和基板上的其他处理之后，金属或其他导电材料时常沉积或形成，以提供多个元件之间的电连接。因为此金属化可能在许多制造操作之后执行，在金属化期间所导致的问题可能产生昂贵的废弃基板或晶片的问题。在电镀期间的一个问题是在接触密封件上积聚的残留物，其中基板可位于接触密封件上。
密封件清洁操作可包括冲洗，以及化学和机械清洁。清洁操作可时常在处理系统中的多个晶片周期后自动地执行。通过自动化工艺可能难以确保清洁的均匀性，并且机械清洁元件的磨损可能增加操作成本。此外，确定清洁的完整性可能也是具有挑战性的。当在密封件上的金属的电镀开始发生时，自动化工艺可能无法确定成效，并且在没有额外的目视检查的情况下，电镀可能会增加，而从基板获取沉积材料，这可能导致基板损坏或损失。
因此，对于改善的系统和方法是有需求的。可使用改善的系统和方法以产生高品质的装置和结构。这些和其他需求通过本技术得以解决。
发明内容
用于电镀密封件检查的多个系统可包括一模块，经构造以支撑用于检查的一密封件。此模块可包括一组支撑件，经定位以接触密封件的一内边。此模块可经构造以绕着一中心轴旋转密封件。此系统页可包括位于此模块上的一检测器，。检测器可定位以扫描密封件的一外表面。
于一些实施例中，密封件可以以一外表面轮廓作为特征，此外表面轮廓包括一斜面，此斜面从斜面的一第一边缘延伸至斜面的一第二边缘，此斜面的第一边缘接触密封件的一径向内部表面，此斜面的第二边缘接触密封件的一径向外部表面。检测器可为或包括固定于一柱上的一激光和一接收器，此柱从模块的一甲板板材延伸。激光可为或包括以一光束宽度作为特征的一光束。此光束宽度可实质上等同于一距离，此距离沿着斜面的第一边缘和斜面的第二边缘之间的斜面。接收器可经构造以接收来自密封件的激光的反射光。
系统可更包括一处理器，通信耦接于检测器，并经构造以在一主扫描操作中于一预定间隔接收来自检测器的一反射信号的一取样。处理器可经构造以产生反射信号的取样的一平滑化信号。处理器可更经构造以辨识高于表示沉积于密封件上的残留材料的一阈值的多个反射信号。处理器可更经构造以基于辨识出高于表示残留材料的阈值的此些反射信号来执行一次扫描操作，以验证一离群读数。基于验证，处理器可经构造以开始密封件的一清洁操作，或使密封件避免被再次定位于一电镀腔室中。辨识出高于表示残留材料的阈值的此些反射信号可更包括辨识出高于表示残留材料并表示平滑化信号的一第一斜率改变的阈值的一第一反射信号。辨识出高于表示残留材料的阈值的此些反射信号可更包括辨识出高于表示残留材料并表示平滑化信号中的一第二斜率改变的阈值的一第二反射信号。第二斜率改变可以相反于第一斜率改变的一斜率方向作为特征。此系统也可包括一密封件清洁组件，密封件清洁组件包括一臂，该臂可枢转于一第一位置和一第二位置之间，其中臂绕着臂的一中心轴为可旋转的，并且其中密封件清洁组件包括耦接于臂的一远端部的一清洁头。
本技术也可包含多种侦测材料电镀的方法。此些方法可包括在位于一模块上的一密封件的一外表面反射一激光。此些方法可包括在持续反射激光时旋转密封件。此些方法可包括取样一反射信号，以产生一原始数据组。此些方法可包括通过减少来自原始数据组的噪声来产生一平滑化信号。此些方法可包括确定平滑化信号上的任何位置斜率是否超过表示沉积于密封件上的残留材料的一阈值。
于一些实施例中，表示残留材料的阈值可包括此些位置斜率的一中值的一倍数。表示残留材料的阈值包括一误差分析，用于辨识来自一滚动阈值的多个离群值。此些方法也可包括辨识超过表示沉积于密封件上的残留材料的阈值的一第一斜率。此些方法也可包括确定平滑化信号上的一第二斜率是否超过表示沉积于密封件上的残留材料的阈值。此些方法也亦包括辨识超过表示沉积于密封件上的残留材料的阈值的一第二斜率。此些方法也可包括确定是否有电镀材料存在于密封件上。此些方法也可包括重复此方法，以验证电镀存在于密封件上。此些方法可包括执行一密封件清洁操作或避免密封件被再次定位于一电镀系统中。
此技术可提供优于传统技术的许多优点。举例来说，相较于目视检查，本技术可改善在一系统密封件上的材料电镀的辨识。此外，检查可自动地并快速地执行，而可提供一致的辨识和对处理停机时间最小的影响。此些和其他实施例，以及它们的许多优点和特征结合下文的描述和所附的附图来更详细地说明。为了对本发明的上述内容和其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：
附图说明
所公开的实施例的性质和优点的进一步理解可通过参照说明及附图的剩余部份来实现。
图1绘示根据本技术一些实施例的可与检查技术合并的维护模块的透视图。
图2绘示根据本技术一些实施例的密封件检查系统的局部剖面图。
图3绘示根据本技术一些实施例的检查接触密封件的示例方法的多个操作的示意图。
图4绘示根据本技术一些实施例的原始反射信号和平滑化反射信号的图示。
图5绘示根据本技术一些实施例的辨识密封件上的电镀的比较图。
多种附图作为示意图而包括于其中。将理解的是，附图用以说明的目的，并且，除非特别指出依照比例，否则附图不视为依照比例。此外，作为示意图来说，附图被提供以有助于理解，并且相较于实际表示可能不包括所有的方面或信息，并且为了说明的目的可包括夸大的材料。
在附图中，类似元件和/或特征可具有相同的附图标记。再者，借助附图标记后附的用以区分类似元件和/或特征的字母，相同形式的多种元件可有所区别。如果仅有第一数字的附图标记使用于描述时，该描述可适用于具有相同的第一数字附图标记的类似元件和/或特征的任一者，而不考虑字母后缀。
其中，附图标记
100：维护模块
110：升举件
120：碗状件
125：甲板板材
130：环销
140：基板销
150：密封件清洁组件
153：臂
155：清洁头
160：柱
165、215：检测器
170：处理装置
200：密封件检查系统
205、505：密封件
207：斜面
208：第一边缘
209：第二边缘
210：内表面
212：外表面
220：激光
225：接收器
300：方法
310-360：操作
400：附图
410、515：原始信号
420：平滑信号
500：比较图
510：电镀材料
520：平滑化信号
525a、530a：最大值
525b：上升斜率
530b：下降斜率。
具体实施方式
在半导体制造和处理中的多种操作被执行，以制造基板上的大阵列的特征。当形成半导体层时，过孔(vias)、沟槽、及其他路径被制造于结构中。此些特征可接着以导电或金属材料填充，而允许电力层至层地通过装置。当装置特征的尺寸持续缩小时，提供通过基板的导电路径的金属总量也是如此。当金属总量减少时，填充的品质及均匀性可能变得更关键，以确保通过装置的充足的导电性。因此，制造可尝试减少或移除路径中的缺陷和不连续处。
可执行电镀操作，以提供导电材料至基板上的过孔和其他特征。电镀系利用包含导电材料的离子的电解槽，以在基板上电化学沉积导电材料和在定义于基板上的特征中电化学沉积导电材料。金属电镀于其上的基板作为阴极。电接触件例如是环或销，可提供电流来流过系统。此接触件可受到密封件保护而不受到电解液的影响，此密封件可避免金属电镀于其他导电元件上。密封件时常为非导电材料，然而，经过一段时间，密封件可能变成导电的，因为在电镀操作期间形成于密封件上的残留物的缘故。在处理期间，残留物可能积聚于密封件上，残留物包括电镀材料、光阻、或使用于处理操作中的其他材料。如果持续积聚，密封件可能变成充分导电，并且电镀可能发生于密封件上。此电镀可能会减少基板上的局部电镀而导致均匀性问题，从而可能产生报废的基板或晶片。
传统技术时常在晶片之间停止操作，以从密封件清洁掉残留物。系统可部份地拆卸，并且密封件可在工具中进行替换之前人工地清洁和擦洗。此处理耗费时间，并且磨料擦洗可能进一步粗糙化密封件表面，而增加导电残留物的总量。导电残留物可能在处理期间仍旧残留在密封件上。虽然自动化处理可能引进多种变数和不确定性，包括是否使用足够的清洁剂、冲洗操作是否执行、和完整的清洁是否实际上进行，也可执行额外的自动化清洁操作。
电镀材料可能在晶片电镀期间自发地产生在密封件上，而导致如上所述的报废晶片的问题。传统的技术时常包括作业员。作业员以周期间隔执行目视检查，以限制密封件上的电镀和晶片损失的效应。然而，目视检查容易不一致，并且作业员可能无法察觉表示发生额外窃取可能性的微小的电镀，并且微小的电镀可能无法在清洁操作期间完全地移除。此外，目视检查可能在仍为不精确的情况下耗费时间。通过在处理期间以周期间隔执行自动化的密封件检查，本技术克服此些议题。自动化的密封件检查可能发现密封件中细小的缺陷和开始发生的电镀，并且可提供对清洁的完整性以和对晶片损失的安全机制的检查。通过根据本技术的多个实施例的设备，在说明示例的模块中露出和装配密封件来进行检查和清洁之后，剩余的公开内容将说明本技术的系统和工艺的多个方面。
将理解的是，本技术可不限于单独的密封件清洁组件。本技术可适用于包括执行目视检查的其他应用和技术，并且适用于本技术的元件或方法可有效用于其他应用和技术。举例来说，本技术的设备、传感工艺、和其他方面可使用于将说明的性质和特征可单独或结合本技术的其他方面为有用的众多技术中。因此，本技术不应视为受限于所述的特定实施例和组合。
图1绘示根据本技术一些实施例的可与检查技术合并的维护模块100的透视图。在电镀或其他处理操作之后，包括已经处理的基板的密封件组件可传送至维护模块100。当电镀可利用倒置的密封件组件执行时，组件可在定位于维护模块中之前旋转直立。密封件组件可经由密封件组件上的毂(hub)附接于升举件110。升举件可降低，以使密封件组件朝向甲板板材125上的碗状件120凹入，或凹入甲板板材125上的碗状件120中。
于一些实施例中，密封件组件可为或包括两个主元件或次组件。在此两个主元件或次组件之间可维持和密封基板而抵靠密封件组件的外部密封部份。此两个元件可以多种方式耦接，例如是经由机械耦接件、真空耦接、磁性耦接、或这些元件可通过其他机构来来可移除地连接。对于磁性地连接的示例的密封件组件来说，当密封件组件利用升举件110降低时，环销130或密封件支撑件可卡合于密封件组件，并且当组件进一步降低时，环销130可克服耦接力以分离密封件组件并露出将清洁的密封件。密封件组件可进一步降低，从而基板销140可从背板分离基板。机械手臂可从碗状件120移除基板，并且密封件清洁操作可利用密封件清洁组件150执行。密封件清洁组件150可于环状密封件中旋转，并且接触密封件以执行清洁操作。环销130可卡合密封件于内部表面或内边上，而可维持外部表面的完整暴露来进行清洁和检查。升举件110或系统的其他方面可绕着通过碗状件或被支撑的密封件的中心轴是可旋转的，并且可旋转密封件以进行清洁或检查。
密封件可在电镀操作期间提供接触环与电解质的隔离，并且提供接触环与电解质的隔离可避免电镀于接触环上。此密封件可以绝缘材料制成，并且可以经构造以限制与电解液作用的材料制成。举例来说，密封件材料可包括一些包括弹性体的聚合物，并且可包括含氟聚合物(fluoropolymers)。含氟聚合物例如是包括任何氟橡胶(FKM)材料的含氟弹性体(fluoroelastomers)，FKM材料包括1型(Type 1)、2型(Type 2)、3型(Type 3)、4型(Type4)、和5型(Type 5)的FKM材料。这些材料也可包括全氟弹性体(perfluoroelastomers)，包括任何全氟醚橡胶(FFKM)材料，和四氟乙烯(tetrafluoroethylene)/丙烯(propylene)橡胶或四丙氟橡胶(FEPM)。密封件材料也可包括有包括动态交联热塑性弹性体(thermoplastic vulcanizates)的热塑弹性体，和例如是苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯(styrene ethylene butylene styrene)的具有额外部分(moieties)的弹性体，以及从聚烯(polyolefins)或其他塑胶发展的材料。密封件也可包括可与电镀系统和电解液相容的任何其他材料。
在移除基板，并且密封件暴露于环销130上的情况下，密封件清洁组件150可定位于元件中，并被使用以清洁可具有电镀或其他残留物于表面上的密封件的内部或密封件的外部。如图所示，密封件清洁组件150可包括臂153，和清洁头155。臂153可为摆动臂或与电镀系统或用于密封件组件的维护模块相关的其他装置，并且可在多个位置之间是可枢转的。这些位置包括为收回的第一位置，和可为操作位置并可将臂153的远端部定位于可垂直对准维护模块100中所露出的密封件的内部区域或外部区域的位置的第二位置。清洁头155可耦接于臂153的远端部。臂153也可绕着臂的中心轴为可旋转的，从而可提供清洁头上升和下降到操作位置。清洁头在操作位置中可接触密封件。一旦定位在密封件上或接触密封件，升举件110可在清洁头155上旋转密封件，以执行化学、机械、或结合清洁操作。
额外附接于维护模块100可为支撑件或柱160，其从甲板板材125垂直或其他方式延伸。柱160可位于远离密封件清洁组件150的位置，以在臂153可从收缩位置至操作位置时限制任何间隙的议题。检测器165可附接于柱160。检测器165可沿着柱160定位，以有助于检测器165的元件朝向位于环销130上的密封件，而可提供检测器165扫描密封件的外表面。检测器165可包括多个不同的元件，并且于一些实施例中可包括激光和接收器以执行扫描操作。检测器165可通信耦接于处理装置170，处理装置170例如是电脑、服务器、或其他计算装置。于一些实施例中，处理装置170可为半导体处理系统服务器的一部份，和为可与系统服务器通讯的检测器的内部处理单元。此耦接在多个实施例中可为有线或无线耦接，并且可将扫描数据传输至电脑来进行如将于下方详细说明的处理和解释(interpretation)。处理装置170可具有一个或多个处理器，用以控制任何所述的元件。处理器可通信耦接于存储器和其他存储装置或网路连接特征。处理装置170的特定方面将更详细说明于下。
图2绘示根据本技术一些实施例的密封件检查系统20的局部剖面图。密封件检查系统200可为包括于上述的维护模块100中的多个元件，并且可包括先前讨论的任何材料或经构造。举例来说，密封件检查系统200可包括密封件205的剖面部和检测器215，密封件205的剖面部可在上述的模块中旋转，检测器215可使用以扫描密封件205的表面来辨识出密封件中或密封件上的任何非均匀性。
密封件205可以几乎任何几何形状的外表面轮廓作为特征，并且本技术不意欲限制于任何特定的轮廓形状。所绘示的轮廓可包含于本技术，并可有助于说明用以扫描密封件的足够区域的检测器215的座标。如图所示，密封件205可以包括斜面207的外表面轮廓作为特征，斜面207可在多个实施例中以任何角度的斜面作为特征。斜面207可从表面的第一边缘208延伸至第二边缘209。边缘可交会额外的表面，额外的表面在不同平面上延伸，或从斜面207以多个角度延伸。举例来说，内表面210可为径向内部的表面并定义密封件205的内部环状半径。内部表面210可在转变成斜面207之前延伸至第一边缘208。在第二边缘209，斜面207可转变成外表面212，外表面212可在外表面212的外边缘或沿着外表面212定义密封件205的外部环状半径。虽然绘示成边缘，第一边缘208和第二边缘209可本质上为弯曲，而可致使多个表面之间有较少定义的转变。
斜面207可延伸于内表面210和外表面212之间，并且可在电镀操作期间可为至少部份地暴露于沉积浴中的表面。如前所说明，电镀材料可形成于斜面207上。电镀可能自发地发生在密封件的区域中，并且可能从耦接于密封件205上的基板窃取沉积材料。检测器215可使用来检查斜面207，以在电镀可能发生或已经发生时辨识出来，并且检测器可使用以产生电镀的提醒，或选择地从系统移除密封件，而可在后续处理中限制于密封件上更多急剧增加的电镀。在后续处理中于密封件上更多急剧增加的电镀导致晶片损失。
检测器215可包括任何数量的元件或系统，使用以扫描密封件的表面，并且可使用任何数量的扫描技术。在一个示例实施例中，检测器215可包括激光220和接收器225。激光220和接收器225位于检测器215中，并可被使用以扫描斜面207，或扫描根据密封件和/或检测器的定位或设置的其他表面。将理解的是，检测器或包括处理系统的相关元件可包括任何数量的额外元件，以如本公开内容通篇说明的执行扫描或解释。举例来说，期望欲调整和调节分布或接收信号的放大器或其他电子元件可类似地包含于根据本技术的检测器或系统。
激光220可射出沿着斜面207的光或其他束源可沿着斜面207照射在密封件205上。举例来说，在未限定的实施例中，激光220可射出红光，红光可从密封件205的斜面207反射。例如是举例为相对于点束而言，激光220可经构造以产生延伸于整个斜面207的束。因为密封件所在的位置可延伸至电镀浴中而可能变化，并且因为表面上的电镀的位置而可能变化，通过射出延伸于整个斜面207上的束，本技术可提供更确定的指数。检测器215可在耦接时影响冲击位置(impact position)和遍布斜面的束的分布量的情况下也定位于沿着甲板板材和柱的一距离处。于一些实施例中，光束宽度可实质上相似或等同于、或大于沿着在第一边缘208和第二边缘209之间的斜面207的距离。
接收器225可接收来自所示的斜面207的反射信号，反射信号可为来自密封件的反射光。由于斜面207和密封件205一般可为实质上均匀的材料的缘故，反射信号可反应出表面上的任何不规则者。表面上的任何不规则者可包括密封件上的粗糙度、密封件表面上的破口(cuts)或刮痕(scars)、水滴、或金属。金属例如是使用于电镀中的任何数量的金属，包括锡或铜和许多金属或材料。通过使用根据本技术多个实施例的光和接收器系统，可优于上述传统的目视检查来实现增强的观察。
前述的系统和元件可使用于用以执行密封件扫描和用以解释扫描结果的许多方法中。图3绘示根据本技术一些实施例的检查接触密封件的示例方法300的多个操作的示意图，并且可使用前述的任何元件，例如是检测器215。于一些实施例中，方法300可在实际密封件检查之前包括多个操作。举例来说，在检查之前，系统密封件可经定位以露出接触密封件或将检查的其他元件，如有关于上述维护模块100之前述说明。如上所述的清洁操作可在方法300的多个操作之前或之后执行，并且方法300可监控清洁或确定充分清洁的程度，和使用于电镀操作中的密封件的所有状态。
方法300可包括可在系统中自动地执行的多个操作以限制人为影响，并提供增加的效率和准确性而优于包括目视检查的人为操作。如上所述，激光或光束可在操作310在定位于模块上的密封件的外表面反射，此外表面例如是如前所述的维护模块100上的密封件205的斜面207。在操作320，密封件可在扫描期间以特定速度旋转。激光可在密封件旋转期间持续从密封件表面反射，密封件旋转可为任何速度。反射信号可由例如是如上所提及的接收器的检测器接收，并由处理器或处理系统送出或采集。处理器或处理系统系如上所述通信耦接于检测器。在操作330，处理器可以预定间隔从检测器接收或采集反射信号的取样信号原始数据组。预定间隔例如是取样间隔。
此取样和采集可在主扫描操作期间执行，而可以任何频率执行。密封件旋转、取样频率、和扫描频率可基于系统或制造需求调整。举例来说，密封件可以相对于或有关于系统的特定取样速度的一速度旋转。虽然较快的旋转和取样可根据系统的能力执行，密封件可以相对较低的速度旋转，而可有助于取样和限制所需的处理电力。于一非限定例子中，密封件可在取样期间于约1和约10rpm之间旋转。虽然较快的取样频率可根据取样系统执行，取样可在约1微秒和约100毫秒之间的频率执行。此外，取样可在约1和约20毫秒之间的频率执行、约1和约10毫秒之间的频率执行、或任何这些所述的范围中的任何其他范围或特定频率中执行。
在原始形式中的接收的信号数据可能包括大量的噪声，大量的噪声可能减少辨识出电镀事件的效率。因此，在一些实施例中，在操作340，处理器或相关的系统可产生取样的反射信号的平滑化信号。一旦平滑化信号可产生而表示如下将说明的斜率范围时，阈值比较可在操作350执行，而可使用来在选择的操作360辨识出表示沉积于密封件上的电镀或残留材料的离群信号。这些操作将更详细说明如下。
图4绘示根据本技术一些实施例的原始反射信号和平滑化反射信号的附图400。此附图绘示出反射信号的强度和扫描时间的关系，或沿着密封件的周围的可能位置距离的关系。原始信号410包括所有来自密封件的辨识假影(identified artifacts)和反射，而可包括如图所示的噪声量。此外，在密封件的表面中的缺陷和所产生的光的多个方面可能全部产生出接收器所采集的噪声，并且噪声可能混淆电镀的侦测。密封件的表面例如是弹性表面。因此，平滑信号420可由任何数量的平滑化操作产生，平滑化操作可提供进一步的解释来相对于其他辨识的物体或事件发现沿着密封件的电镀事件。任何数量的平滑化或平均操作可在多个实施例中执行，包括离散和相邻强度记录的滚动平均(rolling average)。举例来说，虽然总平均(general averaging)可能过度清除(sanitize)所记录的数据，并限制可能发生在沿着密封件的表面的几毫米或更短的位置中的电镀的辨识，取样平均可取四个相邻取样的滚动数据组(rolling data set)和等加权这些强度，以产生较平滑的信号。额外的平滑化可能不相等加权数据点或限制被平均的数据点的数目，而可改善一些辨识，但也可能增加仍旧在平滑化信号中的噪声。因此，于一些实施例中，平滑化可通过卷积(convolution)操作执行。
卷积可使用于任何数量的方式中，以产生原始信号的滚动平均。在一非限定例子中，五点机率分布或其他取样数量可在沿着信号读数的各位置产生。其他取样数量例如是约3个和约100个之间的数据点。于一些实施例中，分布可基于约10个和约90个之间的数据点，约20个和约80个之间的数据点，或在由这些所陈述的范围所包含的任何较小的范围中。可应用任何数量的分布曲线，包括正态分布(normal distribution)。中央数据点可加权大于两倍的任何其他数据点或在两个标准差中的任何数据点，并可加权大于或约为三倍的任何其他数据点或在两个标准差中的任何数据点的权重，大于或约为五倍的任何其他数据点或在两个标准差中的任何数据点的权重，大于或约为七倍的任何其他数据点或在两个标准差中的任何数据点的权重，大于或约为十倍的任何其他数据点或在两个标准差中的任何数据点的权重，或更多。
通过维持中央数据点的权重大于或约为任何其他数据点或在两个标准差中的任何数据点的权重，在密封件的整个表面的偏差可比执行较低的平均时较佳地辨认出来。执行较低的平均可能过度平滑化数据和模糊电镀事件。于一些实施例中，中央数据点权重可能低于或约为一百倍的任何其他数据点或在两个标准差中的任何数据点的权重，而可有助于减少来自原始信号的噪声。这些其他数据点可根据分布加权。也可使用任何数量的分布、数据点分组、和其他调整并由本技术类似地含括，以产生平滑化信号，例如是所示的平滑信号420。
平滑化信号可包括离散数量的位置，这些离散数量的位置产生类似于所示的平滑信号420的线。通过辨识阈值外的沿着平滑化信号的差异，可确定出沿着密封件的电镀。利用平滑化或减少的数据组来举例而言，阵列可基于每两个相邻的取样的差异来产生，而可为信号的位置斜率的阵列。第二个阵列可由为正定的第一个阵列中的数值产生。通过利用正定阵列，吸收或散射光所接收到的事件可仍旧与辨识出电镀事件的其他反射信号一起辨识出来。吸收或散射光的事件可能发生于某些金属的电镀上。
阈值比较可接着执行，以利用阵列数据辨识出可能的电镀事件。阈值可选择或确定来避免可在信号中辨识出来的固有的边缘，但固有的边缘可能并非辨识成沉积于密封件上的电镀材料的边缘。虽然可执行任何数量的阈值技术，于一些实施例中，单峰分布(unimodal distribution)可使用于双峰辨识(bimodal recognition)。双峰技术根据边缘的假设，并接着比较相对于假设的特征的剩余尺度。因为本技术可搜寻以确定密封件上的边缘是否存在，双峰分布可使用来作为信号阈值。密封件上的边缘例如是电镀材料的边缘。
所以，于一些实施例中，中值滤波器可应用于正定阵列，以辨识出离群事件(outlying events)。阈值可为阵列的位置斜率的中值的倍数。因此，于一些实施例中，阈值可不为应用于各密封件的预定值，并反而可为个别化的阈值。确定此个别化的阈值而用于各密封件接续的扫描和产生阵列。中值可自此阵列计算得出。由于本技术可基于反射光的缘故，不同的密封件材料可能会影响读数。举例来说，颜色变化可能发生在新的或旧的密封件上，并且颜色变化可能基于形成技术发生。密封件颜色可能影响相对于沉积在密封件上的金属的反射。因此，如果阈值基于举例为完美的白色密封件来进行预设时，较低的阈值可能基于更表示出对电镀材料的反射来确定。然而，如果此阈值应用于经过一段时间而可能为黄色或棕色的密封件时，或应用于可能已经差异地制造的密封件时，此阈值可能漏报或过度呈报出可能的电镀。
应用于中值的倍数可为任何数目或小数，可产生低于特定数量的误判辨识率(false-positive identification rate)。举例来说，于一些实施例中，阈值可为约2和约20倍之间的阵列的中值，并可为此范围所包含的任何特定数目或范围，例如是约2和约10倍的中间值、约三倍的中间值、约四倍的中间值、约五倍的中间值、约六倍的中间值、约七倍的中间值、约八倍的中间值、约九倍的中间值、或任何其他较小的范围或任何所述数值的小数。于一些实施例中，在一千个误判辨识中，这些倍数可产生少于或约为一的比率。
于一些实施例中，可执行不同阈值技术。不同阈值技术可包括误差分析，辨识来自滚动阈值的离群值。举例来说，额外的单峰阈值技术可包括应用于数据点的滚动直方图的误差计算。举例来说，可应用T点演算法，其中可应用直方图的斜率的多段的线性回归，和从线至直方图的各分箱数(bin)的距离可使用以计算误差，并辨识出对噪声的离群值，其中离群值可为电镀的位置。
无论阈值技术为何，阈值可应用于数据阵列，或应用于阵列接续抑制(arraysubsequent suppression)的子组合。举例来说，可消除全部的非峰值斜率，以避免基于斜率比较而在稍后的步骤中触发通知。全部的非峰值例如是所绘示的原始信号410上的各区域的最大值以外的数据。在非峰值抑制之后，可执行阈值比较，以确定仍旧在平滑化信号上的任何位置斜率是否超过可表示沉积于密封件上的残留物或电镀材料的阈值。
比较分析可辨识出沿着密封件的高于阈值的反射信号峰值。分析可辨识出高于可表示密封件上的残留材料和表示平滑化信号的第一斜率改变的阈值的第一反射信号。然而，非电镀材料也可能提供超过阈值的斜率改变。举例来说，残留的水可能产生信号。如前所述，于一些实施例中，密封件可以弹性材料制成，水在此弹性材料上可能形成珠状。当所述的扫描操作提供在水滴的上方时，激光可绕射至可产生反射光的特定角度，接着有光束的其他绕射。此可产生超过阈值的单一斜率。然而，电镀可在电镀材料的前和后缘两者形成或反射两个相伴的斜率。此外，这些斜率易为相反正负号而提供进一步的差异。
图5绘示根据本技术一些实施例的辨识密封件上的电镀的比较图500。如图所示，密封件505可包括电镀材料510的一总量，例如是沉积于表面上的金属。根据如前所述的本技术的多个实施例的操作可产生原始信号515、和平滑化信号520。局部最大值525a和530a可表示出边缘特征，边缘特征可为反射信号中的最大对比处。此也可表示平滑化信号520的上升斜率525b和下降斜率530b。可在辨识出一些特征时为相反的这些上升和下降斜率可表示出相对于其他不规则的电镀，而可以通过单一峰值作为特征。其他不规则例如是水滴。
因此，于本技术的一些实施例中，一旦超过阈值的第一反射信号已经辨识出来，方法也可包括确定是否存在高于可表示平滑化信号中的第二斜率改变，和也可以相反于第一斜率的斜率来做为特征的阈值的第二反射信号。为了确定出斜率是否为相反的正负号，在正定阵列上的超过阈值的值可与主阵列中的真值比较，以确认在斜率中一个为正和一个为负。一旦第二斜率辨识出来，并且如果它是在第一斜率的特定距离中，处理器可确定出电镀已经产生在沿着密封件的位置。此距离可基于导致基板上的电镀问题的电镀，并且距离可因而为少于或约为1厘米、少于或约为9毫米、少于或约为8毫米、少于或约为7毫米、少于或约为6毫米、少于或约为5毫米、少于或约为4毫米、少于或约为3毫米、少于或约为2毫米、少于或约为1毫米、或更少。
当系统辨识出电镀时，此方法可执行第二次来扫描密封件和确保或验证电镀已经发生。因为整个工艺可在数分钟或更少的时间中执行，重复工艺可不大大地影响产量，并可确保密封件应不再包括于电镀系统中。接续第二次扫描操作，并且第一次或主扫描操作或第一次或主扫描操作之后，可提供密封件应不再使用，或应进行目视检查的警示或提醒。处理器也可停止操作，例如是替换工具上的密封件来进行接续的操作。于一些实施例中，接续的清洁操作可利用前述的清洁系统执行。此外，在可包括密封件的一些工具装备中，具有已验证电镀的密封件可自动地替换成新的密封件，或在接收到系统所提供的替换密封件的通知之后替换成新的密封件。本技术可提供有效率的密封件的扫描，例如是在少于或约一分钟的时间内，并可正确地和准确地辨识出密封件上的电镀。此外，分析的速度和晶片损失的减少可通过本技术提供。
如前所述，通过使用以电脑可读取形式呈现的软件指令，一个或多个计算装置或元件可适用于提供一些此处所述的所需功能。计算或处理装置可处理或解释来自本技术的一ge或多个元件的信号，例如是举例为来自检测器的信号。当使用软件时，可使用任何适合的程序化、脚本(scripting)、或其他形式的语言或语言的组合，以执行所述的处理。然而，无须专门使用软件，或根本无须使用软件。举例来说，上述本技术的一些实施例也可通过硬线逻辑或其他电路应用，包括特殊应用电路(application-specific circuits)，但不以此为限。也可适用电脑执行软件和硬线逻辑或其他电路的组合。
本技术的一些实施例可通过适用于执行前述的一个或多个操作的一个或多个适当计算装置来执行。如上所述，这些装置可使用实现电脑可读取指令的一个或多个电脑可读取媒体。当电脑可读取指令由可合并于装置中的至少一处理器执行时致使此至少一处理器应用本技术的一个或多个方面。计算装置可额外或替代包括让装置可操作以执行一个或多个所述的方法或操作的电路。
可使用任何合适的电脑可读取介质或媒体，以应用或实现本技术的一个或多个方面，包括软磁盘(diskettes)、驱动器、和其他磁性储存媒体、光学储存媒体、闪存、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、和其他存储装置、和类似者，但未以这些为限。光学储存媒体例如是包括只读记忆光盘(CD-ROMS)、只读数字多功能影音光盘(DVD-ROMS)、或其变型的盘片。
于上述的说明中，针对说明的目的，许多细节已经提出，以了解本技术的多种实施例。然而，将理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，特定实施例可在无需部份的细节或额外的细节的情况下实施。举例来说，可受益于所述的浸湿技术的其他基板可与本技术一起使用。
在具有公开的多种实施例的情况下，本领域普通技术人员将了解多种调整、替代构造、和等效物可在不脱离实施例的精神下使用。此外，一些已知的处理和元件未进行说明，以避免不必要地模糊本技术。因此，上述说明应不作为本技术的范围的限制。
将理解的是，除非上下文另有明确规定，在数值范围提供的处，在该范围的上限和下限之间的为下限单位的最小部份的各中间值也明确地公开。在陈述的范围中的任何陈述值或未陈述的中间值之间的任何较窄的范围，和在此陈述的范围中的任何其他陈述或中间值系包含在内。该些较小范围的上和下限可在范围中独立地包括或排除，和在陈述的范围中面临任何特别排除的限制，于较小的范围中包含任一个限制、两个限制皆没有、或两个限制的各范围也包含于此技术中。在陈述的范围包括一或两个限制的情况下，也包括排除任一或两个所包括的该些限制的范围。在列表中提供多个值的情况下，包含或基于该些数值的任何范围系类似地具体公开。
如此处和随附的权利要求书中所使用的，除非内容明确地指出其他方式，单数形式“一(a、an)”、和“此(the)”包括复数参照。因此，举例来说，属于“一材料(a material)”包括多个此种材料，属于“此斜率(the slope)”包括有关于一个或多个斜率和对本领域普通技术人员而言的其的等效物等。
再者，在使用于此说明书中和随附的权利要求书中的属于“包括(comprise(s)、comprising)、包含(contain(s)、containing、include(s)、和including)”意欲意指所述的特征、整数、元件、或操作的存在，但它们不排除一个或多个的其他特征、整数、元件、操作、动作、或群组的存在或额外的一个或多个的其他特征、整数、元件、操作、动作、或群组。综上所述，虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明。本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视随附的权利要求书所界定为准。

Claims (20)

1.一种电镀密封件检查系统，包括：
一模块，经构造以支撑用于检查的一密封件，该模块包括一组支撑件，经定位以接触该密封件的一内边，其中该模块经构造以绕着一中心轴旋转该密封件；以及
一检测器，位于该模块上，其中该检测器经定位以扫描该密封件的一外表面。
2.如权利要求1所述的电镀密封件检查系统，其中该密封件以一外表面轮廓作为特征，该外表面轮廓包括一斜面，该斜面从该斜面的一第一边缘延伸至该斜面的一第二边缘，该斜面的该第一边缘接触该密封件的一径向内部表面，该斜面的该第二边缘接触该密封件的一径向外部表面。
3.如权利要求2所述的电镀密封件检查系统，其中该检测器包括固定于一柱上的一激光和一接收器，该柱从该模块的一甲板板材延伸。
4.如权利要求3所述的电镀密封件检查系统，其中该激光包括以一光束宽度作为特征的一光束，其中该光束宽度实质上等同于一距离，该距离沿着该斜面的该第一边缘和该斜面的该第二边缘之间的该斜面。
5.如权利要求3所述的电镀密封件检查系统，其中该接收器经构造以接收来自该密封件的该激光的反射光。
6.如权利要求3所述的电镀密封件检查系统，更包括一处理器，通信耦接于该检测器，和经构造以在一主扫描操作中于一预定间隔接收来自该检测器的一反射信号的一取样。
7.如权利要求6所述的电镀密封件检查系统，其中该处理器经构造以产生该反射信号的该取样的一平滑化信号。
8.如权利要求7所述的电镀密封件检查系统，其中该处理器进一步经构造以辨识出高于表示沉积于该密封件上的残留材料的一阈值的多个反射信号。
9.如权利要求8所述的电镀密封件检查系统，其中该处理器进一步经构造以基于辨识出高于表示该残留材料的该阈值的该些反射信号来执行一次扫描操作，以验证一离群读数。
10.如权利要求9所述的电镀密封件检查系统，其中，基于验证，该处理器经构造以开始该密封件的一清洁操作，或使该密封件避免被再次定位于一电镀腔室中。
11.如权利要求8所述的电镀密封件检查系统，其中辨识出高于表示该残留材料的该阈值的该些反射信号更包括辨识出高于表示该残留材料并表示该平滑化信号的一第一斜率改变的该阈值的一第一反射信号。
12.如权利要求12所述的电镀密封件检查系统，其中辨识出高于表示该残留材料的该阈值的该些反射信号更包括辨识出高于表示该残留材料并表示该平滑化信号中的一第二斜率改变的该阈值的一第二反射信号，其中该第二斜率改变以相反于该第一斜率改变的一斜率方向作为特征。
13.如权利要求1所述的电镀密封件检查系统，更包括一密封件清洁组件，该密封件清洁组件包括一臂，该臂在一第一位置和一第二位置之间是可枢转的，其中该臂绕着该臂的一中心轴为可旋转，并且其中该密封件清洁组件包括耦接于该臂的一远端部的一清洁头，。
14.一种侦测材料电镀的方法，该方法包括：
在位于一模块上的一密封件的一外表面反射一激光；
在持续反射该激光时旋转该密封件；
取样一反射信号，以产生一原始数据组；
通过减少来自该原始数据组的噪声来产生一平滑化信号；以及
确定该平滑化信号上的任何位置的斜率是否超过表示沉积于该密封件上的残留材料的一阈值。
15.如权利要求14所述的侦测材料电镀的方法，其中表示该残留材料的该阈值包括该些位置斜率的一中值的一倍数。
16.如权利要求14所述的侦测材料电镀的方法，其中表示该残留材料的该阈值包括一误差分析，用于辨识来自一滚动阈值的多个离群值。
17.如权利要求14所述的侦测材料电镀的方法，更包括：
辨识出超过表示沉积于该密封件上的该残留材料的该阈值的一第一斜率；以及
确定该平滑化信号上的一第二斜率是否超过表示沉积于该密封件上的该残留材料的该阈值。
18.如权利要求17所述的侦测材料电镀的方法，更包括：
辨识出超过表示沉积于该密封件上的该残留材料的该阈值的该第二斜率；以及
确定电镀材料是否存在于该密封件上。
19.如权利要求18所述的侦测材料电镀的方法，更包括重复该方法，以验证电镀存在于该密封件上。
20.如权利要求18所述的侦测材料电镀的方法，更包括执行一密封件清洁操作或避免该密封件被再次定位于一电镀系统中。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113155848A (zh) * 2021-04-27 2021-07-23 广州机械科学研究院有限公司 一种密封件内表面质量检查辅助装置及检查方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI763388B (zh) * 2021-03-22 2022-05-01 南亞塑膠工業股份有限公司 自動生產分類系統
KR102616330B1 (ko) * 2021-05-17 2023-12-21 주식회사 진성티이씨 실 검사장치
KR102616329B1 (ko) * 2021-05-17 2023-12-21 주식회사 진성티이씨 실 검사방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100777570B1 (ko) * 2006-11-21 2007-11-16 동부일렉트로닉스 주식회사 급속열처리공정챔버의 오염측정장치
JP2010127663A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Hitachi High-Technologies Corp 光学式検査装置および光学式検査方法
US20140230855A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Novellus Systems, Inc. Detection of plating on wafer holding apparatus
US20170299524A1 (en) * 2013-02-15 2017-10-19 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
JP2018003102A (ja) * 2016-07-04 2018-01-11 株式会社荏原製作所 基板ホルダの検査装置、これを備えためっき装置、及び外観検査装置
TW201837470A (zh) * 2017-02-23 2018-10-16 漢民微測科技股份有限公司 用於帶電粒子束成像的負載鎖系統

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002310929A (ja) * 2001-04-13 2002-10-23 Mitsubishi Electric Corp 欠陥検査装置
KR100516405B1 (ko) * 2003-02-28 2005-09-22 삼성전자주식회사 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치
WO2009059614A1 (en) * 2007-11-06 2009-05-14 Carl Zeiss Smt Ag Method for removing a contamination layer from an optical surface, method for generating a cleaning gas, and corresponding cleaning and cleaning...
TWI654418B (zh) * 2007-11-15 2019-03-21 巴哈馬商愛克斯崔里斯科技有限公司 粒子檢測器
US8325334B2 (en) * 2009-09-08 2012-12-04 Kla-Tencor Corporation Substrate edge inspection
WO2011080897A1 (ja) 2009-12-28 2011-07-07 株式会社アルバック 駆動装置及び搬送装置
JP5769572B2 (ja) * 2011-03-30 2015-08-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板検査装置および基板検査方法
TWI481855B (zh) * 2012-07-20 2015-04-21 Univ Chang Gung Surface plasmon resonance detection system with multilayer film structure
US9991153B2 (en) 2013-03-14 2018-06-05 Applied Materials, Inc. Substrate support bushing
US9330951B2 (en) 2013-06-05 2016-05-03 Persimmon Technologies, Corp. Robot and adaptive placement system and method
US10053793B2 (en) 2015-07-09 2018-08-21 Lam Research Corporation Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100777570B1 (ko) * 2006-11-21 2007-11-16 동부일렉트로닉스 주식회사 급속열처리공정챔버의 오염측정장치
JP2010127663A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Hitachi High-Technologies Corp 光学式検査装置および光学式検査方法
US20140230855A1 (en) * 2013-02-15 2014-08-21 Novellus Systems, Inc. Detection of plating on wafer holding apparatus
US20170299524A1 (en) * 2013-02-15 2017-10-19 Lam Research Corporation Remote detection of plating on wafer holding apparatus
JP2018003102A (ja) * 2016-07-04 2018-01-11 株式会社荏原製作所 基板ホルダの検査装置、これを備えためっき装置、及び外観検査装置
TW201837470A (zh) * 2017-02-23 2018-10-16 漢民微測科技股份有限公司 用於帶電粒子束成像的負載鎖系統

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113155848A (zh) * 2021-04-27 2021-07-23 广州机械科学研究院有限公司 一种密封件内表面质量检查辅助装置及检查方法

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Publication number Publication date
KR20200133673A (ko) 2020-11-30
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