CN111957665A - 轴向二极管的超声波清洗工艺 - Google Patents

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张英宏
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Abstract

本发明公开了轴向二极管的超声波清洗工艺,该轴向二极管的超声波清洗工艺包括以下步骤:首先浸泡,首先将需要清洗的轴向二极管放入去离子水中,温度加温升至泡入40‑50℃,时长为10‑20min,得到初步溶解助焊剂成份的轴向二极管;本发明所述的轴向二极管的超声波清洗工艺,通过浸泡、一次超声清洗,二次超声漂洗、三次超声精洗以及脱水,使得轴向二极管在逐渐的清洗干净,同时通过不同超声的不同清洗方式,使得通过多次清洗有效的去除二极管的表面杂质,使二极管表面更加洁净,而且采用超声波清洗有效的减轻了工作人员的工作强度,清洗效率更快,操作简单,使用方便,具有良好的使用前景。

Description

轴向二极管的超声波清洗工艺
技术领域
本发明属于胶带制备技术领域,特别涉及轴向二极管的超声波清洗工艺。
背景技术
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件,它具有单向导电性能,即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通;
而传统的轴向二极管在使用时会存在不足,轴向二极管在加工过程中需要进行清洗,传统的二极管在加工时由于清洗次数不足,使得二极管表面杂质无法全部清除干净,导致二极管电性能不稳定,给使用带来不便,为此,我们提出轴向二极管的超声波清洗工艺。
发明内容
本发明的主要目的在于提供轴向二极管的超声波清洗工艺,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
轴向二极管的超声波清洗工艺,该轴向二极管的超声波清洗工艺包括以下步骤:
步骤一、浸泡,首先将需要清洗的轴向二极管放入去离子水中,温度加温升至泡入40-50℃,时长为10-20min,得到初步溶解助焊剂成份的轴向二极管;
步骤二、一次超声波清洗,将得到的初步溶解助焊剂成份的轴向二极管放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为去离子水,水温升至45-50℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-30KHZ范围内,水流速度控制在15-17L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为80-100s,而后进行高压冲洗,得到去除顽固助焊剂的轴向二极管;
步骤三、二次超声波漂洗,将得到去除顽固助焊剂的轴向二极管再次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体A,水温升至60-65℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-25KHZ范围内,水流速度控制在15-18L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为3-5min,得到二次超声清洗后的轴向二极管;
步骤四、三次超声波精洗,将得到二次超声清洗后的轴向二极管三次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体B,水温升至20-35℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-25KHZ范围内,水流速度控制在15-18L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为1-2min,得到三次超声清洗后的轴向二极管;
步骤五、脱水,将得到三次超声清洗后的轴向二极管进行脱水处理,超声波功率为1kw,而后进行干燥脱水,进行脱水的时候,在离心机当中充入氮气,在氮气通入到离心机中之前需要对氮气进行加热,即可完成轴向二极管的超声清洗工艺,最终得到干净的轴向二极管。
优选的,步骤二中超声波进行清洗时清洗机水槽中去离子水的体积为3-5L,而后采用高压冲洗是采用型号为GTSONIC的高压冲洗枪,时长为1-2min。
优选的,步骤二中所述高压冲洗过程中采用将水流喷射成扇形面对二极管进行冲洗。
优选的,步骤三中的混合液体A为氢氧化钠、磷酸、硅酸、碳酸以及水,其中氢氧化钠的质量体积浓度为20-45g/L、磷酸三钠质量体积浓度为40-45g/L、硅酸钠质量体积浓度为2-4g/L、碳酸钠质量体积浓度为25-45g/L、余量为水。
优选的,步骤四中混合液体B为酒精与水,其中酒精与水的体积比为1.2:3.5。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:该轴向二极管的超声波清洗工艺,通过浸泡、一次超声清洗,二次超声漂洗、三次超声精洗以及脱水,使得轴向二极管在逐渐的清洗干净,同时通过不同超声的不同清洗方式,使得通过多次清洗有效的去除二极管的表面杂质,使二极管表面更加洁净,而且采用超声波清洗有效的减轻了工作人员的工作强度,清洗效率更快,而且生产的电性能更加稳定,操作简单,便于使用。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
实施例
清洗时,首先浸泡,首先将需要清洗的轴向二极管放入去离子水中,温度加温升至泡入45℃,时长为15min,得到初步溶解助焊剂成份的轴向二极管;其次一次超声波清洗,将得到的初步溶解助焊剂成份的轴向二极管放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为去离子水,水温升至45℃,功率控制在1600w范围内,频率控制在20-30KHZ范围内,水流速度控制在15L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为80s,而后进行高压冲洗,超声波进行清洗时清洗机水槽中去离子水的体积为4L,而后采用高压冲洗是采用型号为GTSONIC的高压冲洗枪,时长为1min,高压冲洗过程中采用将水流喷射成扇形面对二极管进行冲洗,得到去除顽固助焊剂的轴向二极管;而后二次超声波漂洗,将得到去除顽固助焊剂的轴向二极管再次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体A,混合液体A为氢氧化钠、磷酸、硅酸、碳酸以及水,其中氢氧化钠的质量体积浓度为25g/L、磷酸三钠质量体积浓度为45g/L、硅酸钠质量体积浓度为2.5g/L、碳酸钠质量体积浓度为25g/L、余量为水,水温升至60℃,功率控制在1700w范围内,频率控制在25KHZ范围内,水流速度控制在15L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为3min,得到二次超声清洗后的轴向二极管;其次三次超声波精洗,将得到二次超声清洗后的轴向二极管三次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体B,混合液体B为酒精与水,其中酒精与水的体积比为1.2:3.5,水温升至25℃,功率控制在1700w范围内,频率控制在20KHZ范围内,水流速度控制在15L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为2min,得到三次超声清洗后的轴向二极管;最后脱水,将得到三次超声清洗后的轴向二极管进行脱水处理,超声波功率为1kw,而后进行干燥脱水,进行脱水的时候,在离心机当中充入氮气,在氮气通入到离心机中之前需要对氮气进行加热,即可完成轴向二极管的超声清洗工艺。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (5)

1.轴向二极管的超声波清洗工艺,其特征在于,该轴向二极管的超声波清洗工艺包括以下步骤:
步骤一、浸泡,首先将需要清洗的轴向二极管放入去离子水中,温度加温升至泡入40-50℃,时长为10-20min,得到初步溶解助焊剂成份的轴向二极管;
步骤二、一次超声波清洗,将得到的初步溶解助焊剂成份的轴向二极管放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为去离子水,水温升至45-50℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-30KHZ范围内,水流速度控制在15-17L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为80-100s,而后进行高压冲洗,得到去除顽固助焊剂的轴向二极管;
步骤三、二次超声波漂洗,将得到去除顽固助焊剂的轴向二极管再次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体A,水温升至60-65℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-25KHZ范围内,水流速度控制在15-18L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为3-5min,得到二次超声清洗后的轴向二极管;
步骤四、三次超声波精洗,将得到二次超声清洗后的轴向二极管三次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体B,水温升至20-35℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-25KHZ范围内,水流速度控制在15-18L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为1-2min,得到三次超声清洗后的轴向二极管;
步骤五、脱水,将得到三次超声清洗后的轴向二极管进行脱水处理,超声波功率为1kw,而后进行干燥脱水,进行脱水的时候,在离心机当中充入氮气,在氮气通入到离心机中之前需要对氮气进行加热,即可完成轴向二极管的超声清洗工艺,最终得到干净的轴向二极管。
2.根据权利要求2所述的轴向二极管的超声波清洗工艺,其特征在于:步骤二中超声波进行清洗时清洗机水槽中去离子水的体积为3-5L,而后采用高压冲洗是采用型号为GTSONIC的高压冲洗枪,时长为1-2min。
3.根据权利要求2所述的轴向二极管的超声波清洗工艺,其特征在于:步骤二中所述高压冲洗过程中采用将水流喷射成扇形面对二极管进行冲洗。
4.根据权利要求2所述的轴向二极管的超声波清洗工艺,其特征在于:步骤三中的混合液体A为氢氧化钠、磷酸、硅酸、碳酸以及水,其中氢氧化钠的质量体积浓度为20-45g/L、磷酸三钠质量体积浓度为40-45g/L、硅酸钠质量体积浓度为2-4g/L、碳酸钠质量体积浓度为25-45g/L、余量为水。
5.根据权利要求1所述的轴向二极管的超声波清洗工艺,其特征在于:步骤四中混合液体B为酒精与水,其中酒精与水的体积比为1.2:3.5。
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