CN111957665A - 轴向二极管的超声波清洗工艺 - Google Patents
轴向二极管的超声波清洗工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111957665A CN111957665A CN202010795296.6A CN202010795296A CN111957665A CN 111957665 A CN111957665 A CN 111957665A CN 202010795296 A CN202010795296 A CN 202010795296A CN 111957665 A CN111957665 A CN 111957665A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ultrasonic cleaning
- axial diode
- diode
- ultrasonic
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B2203/007—Heating the liquid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
本发明公开了轴向二极管的超声波清洗工艺,该轴向二极管的超声波清洗工艺包括以下步骤:首先浸泡,首先将需要清洗的轴向二极管放入去离子水中,温度加温升至泡入40‑50℃,时长为10‑20min,得到初步溶解助焊剂成份的轴向二极管;本发明所述的轴向二极管的超声波清洗工艺,通过浸泡、一次超声清洗,二次超声漂洗、三次超声精洗以及脱水,使得轴向二极管在逐渐的清洗干净,同时通过不同超声的不同清洗方式,使得通过多次清洗有效的去除二极管的表面杂质,使二极管表面更加洁净,而且采用超声波清洗有效的减轻了工作人员的工作强度,清洗效率更快,操作简单,使用方便,具有良好的使用前景。
Description
技术领域
本发明属于胶带制备技术领域,特别涉及轴向二极管的超声波清洗工艺。
背景技术
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件,它具有单向导电性能,即给二极管阳极和阴极加上正向电压时,二极管导通;
而传统的轴向二极管在使用时会存在不足,轴向二极管在加工过程中需要进行清洗,传统的二极管在加工时由于清洗次数不足,使得二极管表面杂质无法全部清除干净,导致二极管电性能不稳定,给使用带来不便,为此,我们提出轴向二极管的超声波清洗工艺。
发明内容
本发明的主要目的在于提供轴向二极管的超声波清洗工艺,可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
轴向二极管的超声波清洗工艺,该轴向二极管的超声波清洗工艺包括以下步骤:
步骤一、浸泡,首先将需要清洗的轴向二极管放入去离子水中,温度加温升至泡入40-50℃,时长为10-20min,得到初步溶解助焊剂成份的轴向二极管;
步骤二、一次超声波清洗,将得到的初步溶解助焊剂成份的轴向二极管放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为去离子水,水温升至45-50℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-30KHZ范围内,水流速度控制在15-17L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为80-100s,而后进行高压冲洗,得到去除顽固助焊剂的轴向二极管;
步骤三、二次超声波漂洗,将得到去除顽固助焊剂的轴向二极管再次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体A,水温升至60-65℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-25KHZ范围内,水流速度控制在15-18L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为3-5min,得到二次超声清洗后的轴向二极管;
步骤四、三次超声波精洗,将得到二次超声清洗后的轴向二极管三次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体B,水温升至20-35℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-25KHZ范围内,水流速度控制在15-18L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为1-2min,得到三次超声清洗后的轴向二极管;
步骤五、脱水,将得到三次超声清洗后的轴向二极管进行脱水处理,超声波功率为1kw,而后进行干燥脱水,进行脱水的时候,在离心机当中充入氮气,在氮气通入到离心机中之前需要对氮气进行加热,即可完成轴向二极管的超声清洗工艺,最终得到干净的轴向二极管。
优选的,步骤二中超声波进行清洗时清洗机水槽中去离子水的体积为3-5L,而后采用高压冲洗是采用型号为GTSONIC的高压冲洗枪,时长为1-2min。
优选的,步骤二中所述高压冲洗过程中采用将水流喷射成扇形面对二极管进行冲洗。
优选的,步骤三中的混合液体A为氢氧化钠、磷酸、硅酸、碳酸以及水,其中氢氧化钠的质量体积浓度为20-45g/L、磷酸三钠质量体积浓度为40-45g/L、硅酸钠质量体积浓度为2-4g/L、碳酸钠质量体积浓度为25-45g/L、余量为水。
优选的,步骤四中混合液体B为酒精与水,其中酒精与水的体积比为1.2:3.5。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:该轴向二极管的超声波清洗工艺,通过浸泡、一次超声清洗,二次超声漂洗、三次超声精洗以及脱水,使得轴向二极管在逐渐的清洗干净,同时通过不同超声的不同清洗方式,使得通过多次清洗有效的去除二极管的表面杂质,使二极管表面更加洁净,而且采用超声波清洗有效的减轻了工作人员的工作强度,清洗效率更快,而且生产的电性能更加稳定,操作简单,便于使用。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
实施例
清洗时,首先浸泡,首先将需要清洗的轴向二极管放入去离子水中,温度加温升至泡入45℃,时长为15min,得到初步溶解助焊剂成份的轴向二极管;其次一次超声波清洗,将得到的初步溶解助焊剂成份的轴向二极管放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为去离子水,水温升至45℃,功率控制在1600w范围内,频率控制在20-30KHZ范围内,水流速度控制在15L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为80s,而后进行高压冲洗,超声波进行清洗时清洗机水槽中去离子水的体积为4L,而后采用高压冲洗是采用型号为GTSONIC的高压冲洗枪,时长为1min,高压冲洗过程中采用将水流喷射成扇形面对二极管进行冲洗,得到去除顽固助焊剂的轴向二极管;而后二次超声波漂洗,将得到去除顽固助焊剂的轴向二极管再次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体A,混合液体A为氢氧化钠、磷酸、硅酸、碳酸以及水,其中氢氧化钠的质量体积浓度为25g/L、磷酸三钠质量体积浓度为45g/L、硅酸钠质量体积浓度为2.5g/L、碳酸钠质量体积浓度为25g/L、余量为水,水温升至60℃,功率控制在1700w范围内,频率控制在25KHZ范围内,水流速度控制在15L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为3min,得到二次超声清洗后的轴向二极管;其次三次超声波精洗,将得到二次超声清洗后的轴向二极管三次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体B,混合液体B为酒精与水,其中酒精与水的体积比为1.2:3.5,水温升至25℃,功率控制在1700w范围内,频率控制在20KHZ范围内,水流速度控制在15L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为2min,得到三次超声清洗后的轴向二极管;最后脱水,将得到三次超声清洗后的轴向二极管进行脱水处理,超声波功率为1kw,而后进行干燥脱水,进行脱水的时候,在离心机当中充入氮气,在氮气通入到离心机中之前需要对氮气进行加热,即可完成轴向二极管的超声清洗工艺。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.轴向二极管的超声波清洗工艺,其特征在于,该轴向二极管的超声波清洗工艺包括以下步骤:
步骤一、浸泡,首先将需要清洗的轴向二极管放入去离子水中,温度加温升至泡入40-50℃,时长为10-20min,得到初步溶解助焊剂成份的轴向二极管;
步骤二、一次超声波清洗,将得到的初步溶解助焊剂成份的轴向二极管放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为去离子水,水温升至45-50℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-30KHZ范围内,水流速度控制在15-17L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为80-100s,而后进行高压冲洗,得到去除顽固助焊剂的轴向二极管;
步骤三、二次超声波漂洗,将得到去除顽固助焊剂的轴向二极管再次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体A,水温升至60-65℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-25KHZ范围内,水流速度控制在15-18L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为3-5min,得到二次超声清洗后的轴向二极管;
步骤四、三次超声波精洗,将得到二次超声清洗后的轴向二极管三次放入超声波清洗槽内,超声波清洗池当中的盛满一次清洗液为混合液体B,水温升至20-35℃,功率控制在1500-1800w范围内,频率控制在20-25KHZ范围内,水流速度控制在15-18L/min范围内,采用电阻大于12Ωm,进行超声波清洗时长为1-2min,得到三次超声清洗后的轴向二极管;
步骤五、脱水,将得到三次超声清洗后的轴向二极管进行脱水处理,超声波功率为1kw,而后进行干燥脱水,进行脱水的时候,在离心机当中充入氮气,在氮气通入到离心机中之前需要对氮气进行加热,即可完成轴向二极管的超声清洗工艺,最终得到干净的轴向二极管。
2.根据权利要求2所述的轴向二极管的超声波清洗工艺,其特征在于:步骤二中超声波进行清洗时清洗机水槽中去离子水的体积为3-5L,而后采用高压冲洗是采用型号为GTSONIC的高压冲洗枪,时长为1-2min。
3.根据权利要求2所述的轴向二极管的超声波清洗工艺,其特征在于:步骤二中所述高压冲洗过程中采用将水流喷射成扇形面对二极管进行冲洗。
4.根据权利要求2所述的轴向二极管的超声波清洗工艺,其特征在于:步骤三中的混合液体A为氢氧化钠、磷酸、硅酸、碳酸以及水,其中氢氧化钠的质量体积浓度为20-45g/L、磷酸三钠质量体积浓度为40-45g/L、硅酸钠质量体积浓度为2-4g/L、碳酸钠质量体积浓度为25-45g/L、余量为水。
5.根据权利要求1所述的轴向二极管的超声波清洗工艺,其特征在于:步骤四中混合液体B为酒精与水,其中酒精与水的体积比为1.2:3.5。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010795296.6A CN111957665A (zh) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | 轴向二极管的超声波清洗工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010795296.6A CN111957665A (zh) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | 轴向二极管的超声波清洗工艺 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111957665A true CN111957665A (zh) | 2020-11-20 |
Family
ID=73365315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010795296.6A Pending CN111957665A (zh) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | 轴向二极管的超声波清洗工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111957665A (zh) |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101376985A (zh) * | 2007-08-31 | 2009-03-04 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 铝材清洗工艺 |
JPWO2008149907A1 (ja) * | 2007-06-08 | 2010-08-26 | 旭硝子株式会社 | 洗浄溶剤および洗浄方法 |
CN102214570A (zh) * | 2010-04-04 | 2011-10-12 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种高稳定触发二极管的制造方法 |
CN102412146A (zh) * | 2010-09-21 | 2012-04-11 | 如皋市大昌电子有限公司 | 一种二极管的生产工艺 |
CN102709157A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-10-03 | 常州佳讯光电产业发展有限公司 | 一种二极管清洗工艺及其清洗设备 |
CN102997639A (zh) * | 2011-09-08 | 2013-03-27 | 昊诚光电(太仓)有限公司 | 太阳能电池片甩干机的热氮气循环利用结构 |
CN103721971A (zh) * | 2012-10-15 | 2014-04-16 | 江西盛泰光学有限公司 | 一种自动清洗摄像模的方法 |
CN103990612A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-20 | 贵州雅光电子科技股份有限公司 | 一种二极管零部件清洗烘干装置及其操作方法 |
CN104384142A (zh) * | 2014-11-17 | 2015-03-04 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种贴片整流桥超声清洗工艺 |
CN105251745A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-01-20 | 同济大学 | 一种光学元件精密抛光后的清洗方法 |
TW201707113A (zh) * | 2015-06-12 | 2017-02-16 | 朋程科技股份有限公司 | 功率二極體裝置之處理設備 |
CN108207087A (zh) * | 2018-01-10 | 2018-06-26 | 昆山市线路板厂 | 一种柔性印制电路板的清洗工艺方法及其清洗剂组合物 |
CN110665888A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-01-10 | 萍乡市昊磁电子有限公司 | 一种超声波清洗生产工艺 |
CN111180312A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-19 | 贵州振华风光半导体有限公司 | 一种适用于集成电路的回流焊清洗方法 |
-
2020
- 2020-08-10 CN CN202010795296.6A patent/CN111957665A/zh active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008149907A1 (ja) * | 2007-06-08 | 2010-08-26 | 旭硝子株式会社 | 洗浄溶剤および洗浄方法 |
CN101376985A (zh) * | 2007-08-31 | 2009-03-04 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 铝材清洗工艺 |
CN102214570A (zh) * | 2010-04-04 | 2011-10-12 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种高稳定触发二极管的制造方法 |
CN102412146A (zh) * | 2010-09-21 | 2012-04-11 | 如皋市大昌电子有限公司 | 一种二极管的生产工艺 |
CN102997639A (zh) * | 2011-09-08 | 2013-03-27 | 昊诚光电(太仓)有限公司 | 太阳能电池片甩干机的热氮气循环利用结构 |
CN102709157A (zh) * | 2012-05-30 | 2012-10-03 | 常州佳讯光电产业发展有限公司 | 一种二极管清洗工艺及其清洗设备 |
CN103721971A (zh) * | 2012-10-15 | 2014-04-16 | 江西盛泰光学有限公司 | 一种自动清洗摄像模的方法 |
CN103990612A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-20 | 贵州雅光电子科技股份有限公司 | 一种二极管零部件清洗烘干装置及其操作方法 |
CN104384142A (zh) * | 2014-11-17 | 2015-03-04 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种贴片整流桥超声清洗工艺 |
TW201707113A (zh) * | 2015-06-12 | 2017-02-16 | 朋程科技股份有限公司 | 功率二極體裝置之處理設備 |
CN105251745A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-01-20 | 同济大学 | 一种光学元件精密抛光后的清洗方法 |
CN108207087A (zh) * | 2018-01-10 | 2018-06-26 | 昆山市线路板厂 | 一种柔性印制电路板的清洗工艺方法及其清洗剂组合物 |
CN110665888A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-01-10 | 萍乡市昊磁电子有限公司 | 一种超声波清洗生产工艺 |
CN111180312A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-19 | 贵州振华风光半导体有限公司 | 一种适用于集成电路的回流焊清洗方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
沈金宝等: "《淘汰氟氯烃清洗技术》", 31 October 1999, 中国标准出版社 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102412172B (zh) | 切割、研磨硅片表面清洗方法 | |
CN102412173B (zh) | 切割、研磨硅片表面清洗设备 | |
CN102154711A (zh) | 一种单晶硅清洗液及预清洗工艺 | |
WO2020006795A1 (zh) | 利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备 | |
CN102709157B (zh) | 一种二极管清洗工艺及其清洗设备 | |
CN107706087A (zh) | 硅片的清洗方法 | |
CN108166050B (zh) | 一种多针玻璃封接光电子管壳表面处理方法 | |
CN103774239B (zh) | 一种单晶硅硅片清洗制绒工艺 | |
CN104562211B (zh) | 一种可提升单晶电池转换效率的制绒方法 | |
CN211914785U (zh) | 一种含有臭氧的喷淋式清洗硅片的装置 | |
CN102294332A (zh) | 金刚石线切割硅晶片的清洗方法 | |
CN106816497A (zh) | 一种硅片脱胶清洗方法及装置 | |
CN102005504A (zh) | 可提高太阳电池转化效率的硅片制绒方法 | |
CN103981575B (zh) | 一种单晶硅片的退火制绒方法 | |
CN111804674A (zh) | 一种etch设备中阳极氧化部件面污染物的洗净方法 | |
CN102931282A (zh) | 一种背面抛光硅片的制备方法 | |
CN108296216A (zh) | 一种硅片清洗方法 | |
WO2023202192A1 (zh) | 一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法 | |
CN106601862A (zh) | 一种降低单晶硅异质结太阳能电池片反射率的制绒方法 | |
CN202585356U (zh) | 切割、研磨硅片表面清洗设备 | |
CN102157602A (zh) | 对基片进行湿法磷扩散和制绒的方法及制绒用的酸溶液 | |
CN106833954B (zh) | 单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用 | |
CN111957665A (zh) | 轴向二极管的超声波清洗工艺 | |
CN109174779B (zh) | 一种perc工艺ald铝材花篮的清洗方法 | |
CN104393094B (zh) | 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20201120 |