CN102709157B - 一种二极管清洗工艺及其清洗设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种二极管清洗工艺，超声波清洗、超声波精洗、超声波漂洗、超声波一次脱水及超声波二次脱水，本发明还公开了这种二极管清洗工艺所需的工艺设备，括操作台，所述的操作台上依次设置有，超声波清洗槽、超声波精洗槽、超声波漂洗槽、IPA超声波一次脱洗槽和IPA超声波二次脱洗槽，所述的超声波清洗槽、超声波精洗槽、超声波漂洗槽、IPA超声波一次脱洗槽和IPA超声波二次脱洗槽顺序连接；所述的设备还包括用于启动操作台平移的平移气缸以及用于启动操作台升降的升降气缸。
Description
技术领域
本发明涉及二极管领域，特别的是涉及一种二极管清洗工艺及其清洗设备。
背景技术
清洗是二极管酸洗工序比较重要的部分之一，其中清洗有三道，第一道为水超声振荡、第二、三道为IPA超声振荡，在现有技术的基础上，将三道清洗改成HF-5100A五槽超声波清洗机，它是针对二极管行业设计、制作的专用清洗设备，是以纯水和溶剂（如异丙醇）作为清洗脱水介质，其工作原理是：工件进入清洗槽内，待清洗液浸没工件后，超声波和清洗介质共同作用：清洗剂溶解或浸润附在工件表面的脏物，超声波轰击附在工件表面、缝隙、沟槽的脏物，加速脏物的溶解或浸润，使脏物剥离粘附在工件表面，达到既洁净和脱水之目的。本机特点：采用当今国际清洗行业内最先进的超声清洗技术—超声功率、频率连续可调，频率自动跟踪及扫频技术，使超声波均匀并强劲有力。使用此设备更好的对材料进行清洗，达到清洗彻底的效果，从而提高质量及减少劳动力。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的之一是提供一种二极管清洗工艺，本发明的目的之二是提供与该工艺相配合的清洗设备。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案实现：
一种二极管清洗工艺，包括如下步骤：
a、超声波清洗：
将待清洗的二极管放入到超声波清洗槽中，功率控制在1500~2500W范围内，频率控制在28~40KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m，且温度在20~45℃范围内的纯水进行超声波清洗60~180s；
b、超声波精洗：
将经上述超声波清洗的二极管放入到超声波精洗槽中，功率控制在1500~2500W范围内，频率控制在28~40KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m，且温度在20~45℃范围内的纯水进行超声波精洗60~180s；
c、超声波漂洗：
将经上述超声波精洗的二极管放入到超声波漂洗槽中，功率控制在1500~2500W范围内，频率控制在28~40KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m，且温度在20~45℃范围内的纯水进行超声波漂洗60~180s；
d、超声波一次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波一次脱洗槽中，功率控制在1500~2500W范围内，频率控制在28~40KHZ范围内，采用电阻率大于20Ω·m的异丙醇进行超声波一次脱水60~180s；
e、超声波二次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波二次脱洗槽中，功率控制在1500~2500W范围内，频率控制在28~40KHZ范围内，采用电阻率大于20Ω·m的异丙醇进行超声波二次脱水60~180s。
所述的清洗工艺优选如下步骤：
a、超声波清洗：
将待清洗的二极管放入到超声波清洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m且小于16Ω·m的范围内，且温度在20~30℃范围内的纯水进行超声波清洗120s；
b、超声波精洗：
将经上述超声波清洗的二极管放入到超声波精洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m且小于16Ω·m的范围内，且温度在20~30℃范围内的纯水进行超声波精洗120s；
c、超声波漂洗：
将经上述超声波精洗的二极管放入到超声波漂洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m且小于16Ω·m的范围内，且温度在20~30℃范围内的纯水进行超声波漂洗120s；
d、超声波一次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波一次脱洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，采用电阻率大于20Ω·m且小于30Ω·m的范围内的异丙醇进行超声波一次脱水120s；
e、超声波二次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波二次脱洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，采用电阻率大于20Ω·m且小于30Ω·m的范围内的异丙醇进行超声波二次脱水120s。
一种二极管清洗工艺所需的工艺设备，包括操作台，所述的操作台上依次设置有，超声波清洗槽、超声波精洗槽、超声波漂洗槽、IPA超声波一次脱洗槽和IPA超声波二次脱洗槽，所述的超声波清洗槽、超声波精洗槽、超声波漂洗槽、IPA超声波一次脱洗槽和IPA超声波二次脱洗槽顺序连接；所述的设备还包括用于启动操作台平移的平移气缸以及用于启动操作台升降的升降气缸。
所述的超声波清洗槽、超声波精洗槽、超声波漂洗槽、IPA超声波一次脱洗槽和IPA超声波二次脱洗槽，其清洗槽内尺寸为L×W×H=600mm×330mm×250mm，其外形尺寸为：L×W×H=720mm×430mm×900mm。
所述的超声波清洗槽、超声波精洗槽、超声波漂洗槽、IPA超声波一次脱洗槽和IPA超声波二次脱洗槽均采用不锈钢材质。
所述的平移气缸，其直径选用
的平移气缸。
所述的升降气缸，其直径选用
的升降气缸。
所述的设备通过PLC控制。
本发明的工艺技术方案中，提供了超声波清洗技术手段，同时提供了超声波清洗时采用的功率及频率，利用本发明提供的超音频电能参数，通过换能器转成高频机械振荡而传入到清洗液中。超声波在清洗液中疏密相间地向前辐射，使液体流动，并产生数以万计的微小气泡，这些气泡是在超声波纵向传播的负压区形成及生长，而在正压区迅速闭合（熄灭）。这种微小气泡的形成、生长、迅速闭合称为空化现象。在空化现象中气泡闭合时形成超过1000个大气压的瞬时高压，连续不断产生的瞬时高压就象一连串小爆炸不断地轰击物体表面，使物体表面及缝隙中的污垢迅速剥落，以达到清洗的目的。同时，本发明还提供了与上述工艺相配合的专用清洗设备，该设备是以纯水和异丙醇作为清洗脱水介质，当待清洗的二极管工件进入清洗槽内，待清洗液浸没工件后，超声波和清洗介质共同作用，清洗剂溶解或浸润附在工件表面的脏物，超声波轰击附在工件表面、缝隙、沟槽的脏物，加速脏物的溶解或浸润，使脏物剥离粘附在工件表面，达到既洁净和脱水之目的。
本发明的有益效果在于：
1、原有设备人工操劳度强，需用4人操作，使用现在设备后，只需2人操作。
2、原有设备对产品品质上得不到保障，在二极管深度清洗过程，与异丙醇清洗脱水超声效果无法控制，在二极管特性、IR漏电、VR电压击穿得不到有效控制。
3、由于原有设备完全是人工单独更换操作，随机性非常大，无法做到一致性，流水作业，在使用现在设备后，在清洗超声脱水时间是由PLC程序控制。
4、对纯水加温、对附属在芯片表面的污染物，易于溶解，加温控制采用多点感温，晶体管模块触发控制。
5、在产品工艺一致性得到可靠保障，在超声频率，二极管在超声槽内液面深度和液体温度都做到数字化一致性控制。
6、很大程度减少了二极管PN结暴露在空气环境中的污染，现实证明明显提升了产品品质。
7、在生产过程中，异丙醇使用比以前节省20%，人工节省50%，产品的生产成本明显低于同行业，在节能减耗上公司生产成本明显降低，使用该项设备后所生产的二极管在市场上品质与价格均优于同行业产品。
附图说明
图1为本发明清洗设备的结构示意图
具体实施方式
下面通过具体实施例，对本发明做详细的描述：
实施例1
参考图1，二极管清洗工艺包括如下步骤：
a、超声波清洗：
将待清洗的二极管放入到超声波清洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率在14Ω·m范围内，且温度在30℃范围内的纯水进行超声波清洗120s；
b、超声波精洗：
将经上述超声波清洗的二极管放入到超声波精洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率在14Ω·m范围内，且温度在30℃范围内的纯水进行超声波精洗120s；
c、超声波漂洗：
将经上述超声波精洗的二极管放入到超声波漂洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率在14Ω·m范围内，且温度在30℃范围内的纯水进行超声波漂洗120s；
d、超声波一次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波一次脱洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，采用电阻率在30Ω·m范围内的异丙醇进行超声波一次脱水120s；
e、超声波二次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波二次脱洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，采用电阻率在30Ω·m范围内的异丙醇进行超声波二次脱水120s。
一种二极管清洗工艺所需的工艺设备，包括操作台1，所述的操作台1上依次设置有，超声波清洗槽21、超声波精洗槽22、超声波漂洗槽23、IPA超声波一次脱洗槽24和IPA超声波二次脱洗槽25，所述的超声波清洗槽21、超声波精洗槽22、超声波漂洗槽23、IPA超声波一次脱洗槽24和IPA超声波二次脱洗槽25顺序连接；所述的设备还包括用于启动操作台1平移的平移气缸31以及用于启动操作台升降的升降气缸32，所述的超声波清洗槽21、超声波精洗槽22超声波漂洗槽23、IPA超声波一次脱洗槽24和IPA超声波二次脱洗槽25，其槽内尺寸为L×W×H=600mm×330mm×250mm，其外形尺寸为：L×W×H=720mm×430mm×900mm，所述的超声波清洗槽21、超声波精洗槽22超声波漂洗槽23、IPA超声波一次脱洗槽24和IPA超声波二次脱洗槽25均采用不锈钢材质，所述的平移气缸31，其直径选用
的平移气缸，所述的升降气缸32，其直径选用
的升降气缸，二极管清洗工艺所需的工艺设备通过PLC控制。
实施例2
参考图1，二极管清洗工艺包括如下步骤：
a、超声波清洗：
将待清洗的二极管放入到超声波清洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率在13Ω·m范围内，且温度在20℃范围内的纯水进行超声波清洗120s；
b、超声波精洗：
将经上述超声波清洗的二极管放入到超声波精洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率在13Ω·m范围内，且温度在20℃范围内的纯水进行超声波精洗120s；
c、超声波漂洗：
将经上述超声波精洗的二极管放入到超声波漂洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率在13Ω·m范围内，且温度在20℃范围内的纯水进行超声波漂洗120s；
d、超声波一次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波一次脱洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，采用电阻率在25Ω·m范围内的异丙醇进行超声波一次脱水120s；
e、超声波二次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波二次脱洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，采用电阻率在25Ω·m范围内的异丙醇进行超声波二次脱水120s。
一种二极管清洗工艺所需的工艺设备，包括操作台1，所述的操作台1上依次设置有，超声波清洗槽21、超声波精洗槽22、超声波漂洗槽23、IPA超声波一次脱洗槽24和IPA超声波二次脱洗槽25，所述的超声波清洗槽21、超声波精洗槽22、超声波漂洗槽23、IPA超声波一次脱洗槽24和IPA超声波二次脱洗槽25顺序连接；所述的设备还包括用于启动操作台1平移的平移气缸31以及用于启动操作台升降的升降气缸32，所述的超声波清洗槽21、超声波精洗槽22超声波漂洗槽23、IPA超声波一次脱洗槽24和IPA超声波二次脱洗槽25，其槽内尺寸为L×W×H=600mm×330mm×250mm，其外形尺寸为：L×W×H=720mm×430mm×900mm，所述的超声波清洗槽21、超声波精洗槽22超声波漂洗槽23、IPA超声波一次脱洗槽24和IPA超声波二次脱洗槽25均采用不锈钢材质，所述的平移气缸31，其直径选用
的平移气缸，所述的升降气缸32，其直径选用
的升降气缸，二极管清洗工艺所需的工艺设备通过PLC控制。
Claims (8)
1.一种二极管清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：
a、超声波清洗：
将待清洗的二极管放入到超声波清洗槽中，功率控制在1500～2500W范围内，频率控制在28～40KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m，且温度在20～45℃范围内的纯水进行超声波清洗60～180s；
b、超声波精洗：
将经上述超声波清洗的二极管放入到超声波精洗槽中，功率控制在1500～2500W范围内，频率控制在28～40KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m，且温度在20～45℃范围内的纯水进行超声波精洗60～180s；
c、超声波漂洗：
将经上述超声波精洗的二极管放入到超声波漂洗槽中，功率控制在1500～2500W范围内，频率控制在28～40KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m，且温度在20～45℃范围内的纯水进行超声波漂洗60～180s；
d、超声波一次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波一次脱洗槽中，功率控制在1500～2500W范围内，频率控制在28～40KHZ范围内，采用电阻率大于20Ω·m的异丙醇进行超声波一次脱水60～180s；
e、超声波二次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波二次脱洗槽中，功率控制在1500～2500W范围内，频率控制在28～40KHZ范围内，采用电阻率大于20Ω·m的异丙醇进行超声波二次脱水60～180s。
2.根据权利要求1所述的一种二极管清洗工艺，其特征在于：所述的清洗工艺优选如下步骤：
a、超声波清洗：
将待清洗的二极管放入到超声波清洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m，小于16Ω·m的范围内，且温度在20～30℃范围内的纯水进行超声波清洗120s；
b、超声波精洗：
将经上述超声波清洗的二极管放入到超声波精洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m，小于16Ω·m的范围内，且温度在20～30℃范围内的纯水进行超声波精洗120s；
c、超声波漂洗：
将经上述超声波精洗的二极管放入到超声波漂洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，水流速度控制在16L/min范围内，采用电阻率大于12Ω·m，小于16Ω·m的范围内，且温度在20～30℃范围内的纯水进行超声波漂洗120s；
d、超声波一次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波一次脱洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，采用电阻率大于20Ω·m，小于3020Ω·m的范围内的异丙醇进行超声波一次脱水120s；
e、超声波二次脱水：
将经上述超声波漂洗的二极管放入到IPA超声波二次脱洗槽中，功率控制在2000W范围内，频率控制在28KHZ范围内，采用电阻率大于20Ω·m，小于3020Ω·m的范围内的异丙醇进行超声波二次脱水120s。
3.根据权利要求1或2任一项所述的一种二极管清洗工艺所需的工艺设备，其特征在于：所述的设备包括操作台，所述的操作台上依次设置有，超声波清洗槽、超声波精洗槽、超声波漂洗槽、IPA超声波一次脱洗槽和IPA超声波二次脱洗槽，所述的超声波清洗槽、超声波精洗槽、超声波漂洗槽、IPA超声波一次脱洗槽和IPA超声波二次脱洗槽顺序连接；所述的设备还包括用于启动操作台平移的平移气缸以及用于启动操作台升降的升降气缸。
4.根据权利要求3所述的一种二极管清洗工艺所需的工艺设备，其特征在于：所述的超声波清洗槽、超声波精洗槽、超声波漂洗槽、IPA超声波一次脱洗槽和IPA超声波二次脱洗槽，其清洗槽内尺寸为L×W×H=600mm×330mm×250mm，其外形尺寸为：L×W×H=720mm×430mm×900mm。
5.根据权利要求3所述的一种二极管清洗工艺所需的工艺设备，其特征在于：所述的超声波清洗槽、超声波精洗槽、超声波漂洗槽、IPA超声波一次脱洗槽和IPA超声波二次脱洗槽均采用不锈钢材质。
6.根据权利要求3所述的一种二极管清洗工艺所需的工艺设备，其特征在于：所述的平移气缸，其直径选用
的平移气缸。
7.根据权利要求3所述的一种二极管清洗工艺所需的工艺设备，其特征在于：所述的升降气缸，其直径选用的升降气缸。
8.根据权利要求3所述的一种二极管清洗工艺所需的工艺设备，其特征在于：所述的设备通过PLC控制。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |