CN108296216A - 一种硅片清洗方法 - Google Patents

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CN108296216A CN201810288202.9A CN201810288202A CN108296216A CN 108296216 A CN108296216 A CN 108296216A CN 201810288202 A CN201810288202 A CN 201810288202A CN 108296216 A CN108296216 A CN 108296216A
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    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
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    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing

Abstract

本发明公开了一种硅片清洗方法,包括以下步骤:(1)、预清洗;(2)、药液清洗、纯水漂洗、化学液清洗、纯水漂洗;(3)、将硅片放入装有浓度为1‑5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗;(4)、放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗;(5)、放入烘箱进行干燥。本发明提供一种硅片清洗方法,以解决现有硅片采用浸泡、喷淋的清洗方式,清洗效果差、清洗不够彻底,影响成品率及产品质量的问题。

Description

一种硅片清洗方法
技术领域
[0001] 本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种硅片清洗方法。
背景技术
[0002]超声波清洗由于其清洗效率高、能够节约药液等特点在在湿法工艺中得到了广泛 的应用。超声波在湿法清洗工艺中的原理,主要是尚频振荡信号通过换能器转换成高频机 械振荡而传播到清洗药液中,声波在液体中是以正弦曲线纵向传播,强弱相间,弱的声波会 对液体产生一定的负压,使得液体体积增加,液体中的分子空隙增大,形成许多微小的气 泡,而当强的声波信号作用于液体时,则会对液体产生一定的正压,即液体体积被压缩减 小,当液体中气泡的破裂会产生能量极大的冲击波,从而起到清洗的作用。
发明内容
[0003] 本发明的目的在于,提供一种硅片清洗方法,以解决现有硅片采用浸泡、喷淋的清 洗方式,清洗效果差、清洗不够彻底,影响成品率及产品质量的问题。
[0004] 本发明的技术方案:一种硅片清洗方法,其特征在于,包括以下步骤: (1) 、预清洗,将硅片上的污染物软化、分离、溶解; (2) 、药液清洗一次,将硅片表面的油污清洗干净;之后进行第一次纯水漂洗四次,清洗 温度为30-40°C,清除硅片上的药液;随后化学液清洗两次,将有机物分解去除;之后再进行 第二次纯水漂洗四次,清洗温度为25-35°C,去除硅片表面的化学液和泡沫; (3) 、将硅片放入装有浓度为1-5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗; > (4)、将上述清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗,所述超声波清洗 机采用多重频率,该多重频率超声波选自低频20KHz-lMHz、中频lMHz-2MHz和高频2MHz-3MHz中的至少两种频率,超声清洗共分三段,第一时间段为〇-30秒,第二时间段为31-50秒, 第三时间段为51_6〇秒,每个清洗时间段均同时以两种频率的超声波进行清洗; (5)、将上述清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。
[0005] 前述的一种硅片清洗方法,其特征在于,所述化学液包括浓度为10%-20%氢氧化 钾溶液和15 % -16 %过氧化氢溶液的混合液。
[0006]前述的一种硅片清洗方法,其特征在于,所述步骤⑵中,第一次纯水漂洗四次,清 洗温度为40°C,第二次纯水漂洗四次,清洗温度为3〇°C。
[0007]本发明的有益效果:能够有效的去除附着在硅片表面的杂质,确保硅片表面的清 洁度,从而大大提筒了成品率,有效保证了广品的质量。
具体实施方式
[000S]下面实施例对本发明作进一步的说明,但并不作为对本发明限制的依据。
[0009]实施例:一种硅片清洗方法,包括以下步骤: (1)、预清洗,将硅片上的污染物软化、分离、溶解; (2) 、药液清洗一次,将硅片表面的油污清洗千净;乙后进仃弟一认现小标伉四认,俏= 温度为30-40。(:,清除硅片上的药液;随后化学液清洗两次,将有机物分解去除;之后再进行 第二次纯水漂洗四次,清洗温度为25-35。(:,去除硅片表面的化学液和泡沫; (3) 、将硅片放入装有浓度为1 -5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗; (4) 、将上述清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗,所述超声波清洗 机采用多重频率,该多重频率超声波选自低频20KHz-lMHz、中频lMHz-2MHz和高频2MHz-3MHz中的至少两种频率,超声清洗共分三段,第一时间段为〇-3〇秒,第二时间段为31—50秒, 第三时间段为51 _6〇秒,每个清洗时间段均同时以两种频率的超声波进行清洗; (5) 、将上述清洗后的娃片放入烘箱进行干燥。
[0010]所述化学液包括浓度为10 % -2〇 %氢氧化钾溶液和15 % -16 %过氧化氢溶液的混 合液。
[00”]所述步骤⑵中,第-次纯水漂洗四次,清洗温度为批,第二次纯水漂洗四次 洗温度为3〇°C。

Claims (3)

1. 一种硅片清洗方法,其特征在于,包括以下步骤: (1) 、预清洗,将硅片上的污染物软化、分离、溶解; (2) 、药液清洗一次,将硅片表面的油污清洗干净;之后进行第一次纯水漂洗四次,清洗 温度为30-40 ,清除硅片上的药液;随后化学液清洗两次,将有机物分解去除;之后再进行 第二次纯水漂洗四次,清洗温度为25-35。(:,去除硅片表面的化学液和泡沫; (3) 、将硅片放入装有浓度为1-5%的柠檬酸溶液的超声波清洗机中清洗; (4) 、将上述清洗后的硅片放入装有去离子水的超声波清洗机中清洗,所述超声波清洗 机采用多重频率,该多重频率超声波选自低频20KHz_lMHz、中频lMHz_2MHz和高频2MHz-3MHz中的至少两种频率,超声清洗共分二段,第一时间段为0_30秒,第二时间段为31-50秒, 第三时间段为f51-60秒,每个清洗时间段均同时以两种频率的超声波进行清洗; (5) 、将上述清洗后的硅片放入烘箱进行干燥。
2.根据权利要求1所述的一种硅片清洗方法,其特征在于,所述化学液包括浓度为 10%_2〇%氢氧化钾溶液和15 % -16 %过氧化氢溶液的混合液。
3.根据权利要求1所述的一种硅片清洗方法,其特征在于,所述步骤(2)中,第一次纯水 漂洗四次,清洗温度为4(TC,第二次纯水漂洗四次,清洗温度为3(rc。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109174787A (zh) * 2018-08-10 2019-01-11 东莞市品创光电科技有限公司 一种镜筒的组装前置清洗工艺
CN109860025A (zh) * 2019-02-01 2019-06-07 天津中环领先材料技术有限公司 一种研磨硅片清洗方法
CN110434112A (zh) * 2019-08-09 2019-11-12 无锡市芯飞通光电科技有限公司 一种芯片清洗工艺
CN110660646A (zh) * 2019-10-01 2020-01-07 张家港市超声电气有限公司 硅片清洗方法
CN111085497A (zh) * 2019-12-18 2020-05-01 武汉百臻半导体科技有限公司 一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009110548A1 (ja) * 2008-03-07 2009-09-11 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 電子部品の洗浄方法および洗浄システム
CN101700520A (zh) * 2009-12-03 2010-05-05 杭州海纳半导体有限公司 单晶/多晶硅片的清洗方法
CN102368468A (zh) * 2011-10-17 2012-03-07 浙江贝盛光伏股份有限公司 一种硅片预清洗工艺
CN103464415A (zh) * 2013-09-13 2013-12-25 苏州协鑫光伏科技有限公司 太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法
CN103736690A (zh) * 2013-12-31 2014-04-23 上海集成电路研发中心有限公司 硅片清洗方法
CN107552481A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 崔敏娟 一种硅片清洗工艺
CN107658246A (zh) * 2017-08-24 2018-02-02 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种太阳能硅片清洗工艺

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009110548A1 (ja) * 2008-03-07 2009-09-11 三井・デュポンフロロケミカル株式会社 電子部品の洗浄方法および洗浄システム
CN101700520A (zh) * 2009-12-03 2010-05-05 杭州海纳半导体有限公司 单晶/多晶硅片的清洗方法
CN102368468A (zh) * 2011-10-17 2012-03-07 浙江贝盛光伏股份有限公司 一种硅片预清洗工艺
CN103464415A (zh) * 2013-09-13 2013-12-25 苏州协鑫光伏科技有限公司 太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法
CN103736690A (zh) * 2013-12-31 2014-04-23 上海集成电路研发中心有限公司 硅片清洗方法
CN107552481A (zh) * 2016-06-30 2018-01-09 崔敏娟 一种硅片清洗工艺
CN107658246A (zh) * 2017-08-24 2018-02-02 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种太阳能硅片清洗工艺

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109174787A (zh) * 2018-08-10 2019-01-11 东莞市品创光电科技有限公司 一种镜筒的组装前置清洗工艺
CN109860025A (zh) * 2019-02-01 2019-06-07 天津中环领先材料技术有限公司 一种研磨硅片清洗方法
CN110434112A (zh) * 2019-08-09 2019-11-12 无锡市芯飞通光电科技有限公司 一种芯片清洗工艺
CN110660646A (zh) * 2019-10-01 2020-01-07 张家港市超声电气有限公司 硅片清洗方法
CN111085497A (zh) * 2019-12-18 2020-05-01 武汉百臻半导体科技有限公司 一种多晶硅片清洗系统及其清洗方法

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