CN111952338A - 显示装置和电子装置 - Google Patents

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金玲官
李普爀
金振亨
吴荣珍
姜球贤
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Abstract

提供了一种显示装置和一种电子装置，所述显示装置包括：基体基底，包括显示区域和定位在显示区域的侧面处的非显示区域；至少一个晶体管和导线，至少一个晶体管位于基体基底的显示区域中，导线位于基体基底的非显示区域中；至少一个发光元件，位于显示区域中并结合到至少一个晶体管；封装层，覆盖发光元件；感测电极和感测线，感测电极位于封装层上，感测线位于封装层上并结合到感测电极；以及对准标记，位于封装层上，并且在平面图中在非显示区域中与导线中的一些导线至少部分地叠置。

Description

显示装置和电子装置
本申请要求于2019年5月14日提交的第10-2019-0056485号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用而被包含于此，如同在这里所充分阐述的一样。
技术领域
发明总体上涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种具有对准标记以在制造期间促进装置的层的组装的显示装置。
背景技术
显示装置可以包括其上显示图像的显示面板和设置在显示面板上以保护显示面板的窗。
为了在将窗结合到显示面板的过程中识别显示面板的位置，显示面板包括用于位置识别的对准标记。
这种对准标记设置在显示面板的非显示区域(即，其中不显示图像的区域)中，并且在非显示区域中可能由于对准标记的设计限制而出现无效区。
近来，对于减小与非显示区域对应的边框的尺寸并使对于显示面板的显示区域的可用空间最大化的需求已经增加。因此，已经对用于使由于对准标记引起的无效区最小化的各种方案进行了大量研究。
本背景技术部分中公开的上面的信息仅用于理解发明构思的背景技术，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人意识到，通过调整信号线相对于对准标记的间距，可以使显示装置的非显示区域中的无效区的量最小化。
根据发明的原理和示例性实施例构造的电子装置和显示装置在围绕显示区域的边框区域中具有减小的无效区。可以通过将对准标记定位为与最外面的线中的至少一些线叠置或被设置为与最外面的线相邻来实现减小的无效区。最外面的线可以具有减小的密度(间距)从而允许更大的透光率。
将在下面的描述中阐述发明构思的附加特征，所述附加特征将通过描述部分地变得清楚，或者可以通过发明构思的实践而被了解。
根据发明的一个方面，显示装置包括：基体基底，包括显示区域和定位在显示区域的侧面处的非显示区域；至少一个晶体管和导线，至少一个晶体管位于基体基底的显示区域中，导线位于基体基底的非显示区域中；至少一个发光元件，位于显示区域中并结合到至少一个晶体管；封装层，覆盖发光元件；感测电极和感测线，感测电极位于封装层上，感测线位于封装层上并结合到感测电极；以及对准标记，位于封装层上，并且在平面图中在非显示区域中与导线中的一些导线至少部分地叠置。
导线中的一些导线可以设置在基体基底的第一区域中，导线中的剩余导线可以设置在基体基底的第二区域中，并且第一区域处透射率可以比第二区域处的透射率高。
导线中的一些导线之间的间距可以比剩余导线之间的间距大。
在平面图中，从导线中的一条导线到基体基底的边缘的最短距离可以小于从对准标记到基体基底的边缘的最短距离。
对准标记可以包括对准图案，对准图案可以彼此间隔开，相邻的对准图案可以具有不同的平面形状。
对准图案可以沿着第一方向顺序地布置，对准图案中的每个在第一方向上的长度可以大于对准图案中的所述每个在第二方向上的宽度，第二方向可以大致垂直于第一方向，并且在第一方向上对准图案之间的间距可以小于长度。
在第一方向上的长度可以在约100μm至约500μm的范围内，在第二方向上的宽度可以在约30μm至约150μm的范围内。
第一方向上的长度可以是在第二方向上的宽度的约3倍至6倍。
对准图案中的一个可以具有大致矩形的平面形状，对准图案中的另一个可以具有大致三角形的平面形状。
对准标记可以包括顺序地布置的第一对准图案、第二对准图案和第三对准图案，并且第一对准图案和第三对准图案可以具有基本上相同的平面形状。
导线中的一些导线可以包括沿着显示区域的边缘延伸的裂纹检测线，裂纹检测线可以与至少一个晶体管电隔离。
显示装置的侧表面可以与大致平行于基体基底的厚度方向的线形成锐角。
至少一个晶体管可以包括：半导体图案，设置在基体基底上；栅电极，位于半导体图案上并且与半导体图案叠置；第一绝缘层，位于栅电极上；源电极和漏电极，位于第一绝缘层上。
导线中的一些导线可以与栅电极设置在同一层上。
导线中的一些导线可以与源电极和漏电极设置在同一层上。
对准标记可以包括子对准标记，子对准标记可以彼此分开并且设置在不同的层中。
对准标记可以比导线靠近基体基底的边缘。
根据发明的另一方面，显示装置包括：基体基底，包括显示区域和定位在显示区域的侧面处的非显示区域；至少一个晶体管和导线，至少一个晶体管位于基体基底的显示区域中，导线设置在基体基底的非显示区域中；至少一个发光元件，位于显示区域中并且结合到至少一个晶体管；封装层，覆盖发光元件；感测电极和感测线，感测电极位于封装层上，感测线位于封装层上并且结合到感测电极；以及对准标记，位于封装层上，并且被设置为以比导线彼此间隔开的间距小的距离与导线相邻。
根据发明的其他方面，电子装置包括：基体基底；半导体图案，设置在基体基底上；第一导电图案，设置在半导体图案上；第一绝缘层，设置在第一导电图案上；以及第二导电图案，设置在第一绝缘层上，其中，第一导电图案和第二导电图案中的一种导电图案包括对准标记，其中，对准标记与第一导电图案和第二导电图案之中的另一种导电图案的至少一个导电图案至少部分地叠置。
对准标记可以包括在第一导电图案中，对准标记可以与第二导电图案中的至少一个叠置。
将理解的是，前面的总体描述和后面的详细描述都是示例性的和说明性的，并意在提供对要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思，包括附图以提供对发明的进一步理解，并且附图被包含在本说明书中且构成本说明书的一部分。
图1是示出根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的透视图。
图2是示出图1的显示装置的示例性实施例的分解透视图。
图3是示出包括在图2的显示装置中的显示模块的示例性实施例的平面图。
图4A和图4B是示出图3的显示模块的示例性实施例的剖视图。
图5是示出包括在图4A的显示模块中的显示单元的示例性实施例的平面图。
图6是示出图5的显示模块中的感测单元的示例性实施例且包括放大部分的平面图。
图7是示出显示模块的其中图6的第一检测区域被放大的示例性实施例的平面图。
图8是用于解释其中包括在图2的显示装置中的显示模块和窗彼此对准的示例性过程的分解透视图。
图9是示出通过拍摄图7的第一检测区域获得的图像的示例性实施例的平面图。
图10是示出显示模块的其中图6的第一检测区域被放大的示例性实施例的平面图。
图11是示出沿着图2的线A-A'截取的显示模块的示例性实施例的剖视图。
图12至图15是示出沿着图2的线A-A'截取的显示模块的各种示例性实施例的剖视图。
图16是示出沿着图2的线A-A'截取的显示模块的另一示例性实施例的剖视图。
图17是示出图16的显示模块的示例性实施例的平面图。
图18是示出沿着图2的线A-A'截取的显示模块的另一示例性实施例的剖视图。
图19是示出图18的显示模块的示例性实施例的平面图。
图20是示出包括在图2的显示装置中的显示模块的另一示例性实施例的平面图。
图21是示出图20的显示模块的示例性实施例的剖视图。
图22是示出图20的显示模块的示例性实施例的剖视图。
具体实施方式
在以下的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的透彻理解。如在这里使用的“实施例”和“实施方式”是作为采用一个或更多个在这里公开的发明构思的装置或方法的非限制性示例的可互换的词语。然而，明显的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节的情况下或者在具有一个或更多个等同布置的情况下实施。在其他情况下，公知的结构和装置以框图形式示出以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外，各种示例性实施例可以是不同的，但不必是排他性的。例如，在不脱离发明构思的情况下，示例性实施例的具体形状、构造和特性可以在另一示例性实施例中使用或实施。
除非另外说明，否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实施发明构思的一些方式的变化的细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中单独地或统一地被称为“元件”)可以另外组合、分离、交换和/或重新布置。
通常提供附图中的交叉影线和/或阴影的使用是为了使相邻元件之间的边界清楚。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。此外，同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一个元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一个元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一个元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一个元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一个元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外，DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三条轴，而是可以以更广泛的意义进行解释。例如，DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
出于描述的目的，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更/较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，并由此描述如附图中所示的一个元件与另外的(多个)元件的关系。空间相对术语意图包括设备在使用、操作和/或制造中除了在附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。此外，设备可以被另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，如此，相应地解释在这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图成为限制。除非上下文另外清楚地指出，否则如在这里使用的单数形式“一个(种/者)”和“所述/该”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在这里使用的，术语“基本上”、“约”和其他类似术语被用作近似术语而不用作程度术语，并且如此被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
本文参考作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意性图示的剖视图示和/或分解图示来描述各种示例性实施例。如此，将预期出现例如由制造技术和/或公差而引起的图示的形状的变化。因此，这里公开的示例性实施例不应被必须解释为对具体示出的区域的形状的限制，而是将包括例如由制造引起的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不必旨在限制。
如在这里使用的，术语“显示装置”和“电子装置”可以可互换地使用，可以表示这里公开的示例性实施例的不同版本，并且可以具有由不同序数限定的层。
除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在这里明确如此定义，否则诸如在通用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不应该以理想地或者过于形式化的意义来解释。
图1是示出根据发明的原理构造的显示装置的示例性实施例的透视图。
参照图1，显示装置1可以显示图像。显示装置1可以是便携式终端，诸如平板PC、智能电话、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、游戏机或腕表式电子装置。然而，显示装置1的类型不限于此。例如，显示装置1可以是大型电子设备(诸如电视或户外广告牌)或中小型电子设备(诸如个人计算机、笔记本计算机、车辆导航装置或相机)。
显示装置1可以具有大致平面的矩形形状。显示装置1可以包括两条长边(例如，第一长边LS1和第二长边LS2)和两条短边(例如，第一短边SS1和第二短边SS2)。如图1中所示，显示装置1的长边LS1和LS2与短边SS1和SS2交汇的角可以保持为直角，但也可以形成弯曲表面。显示装置1的大致平面的形状不限于所例示的形状，而可以是大致圆形形状或任何其他形状。
图2是示出图1的显示装置的示例性实施例的分解透视图。
参照图2，显示装置1可以包括显示模块10、功能模块20和窗(或窗模块)30。
显示模块10可以显示图像。例如，显示模块10可以是有机发光显示面板。在下文中，举例说明了其中显示模块10是有机发光显示面板的情况，但是示例性实施例的显示模块不限于此。例如，显示模块10可以是诸如液晶显示面板、电泳显示面板或等离子体显示面板的另一类型的显示面板。
此外，显示模块10可以感测触摸输入。稍后将参照图3描述显示模块10的详细构造。
显示模块10可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以被定义为其中显示图像的部分而非显示区域NDA可以被定义为其中不显示图像的部分。
显示区域DA可以设置在(或定位在)显示模块10的中心部分中(或处)，并且可以比非显示区域NDA大。在显示区域DA中，可以布置稍后将描述的多个像素PXL(见图5)。显示区域DA可以具有大致矩形形状或有圆角的矩形形状。然而，显示区域DA的形状不限于此，并且显示区域DA可以具有诸如大致正方形形状、大致多边形形状、大致圆形形状或大致椭圆形形状的各种形状。此外，显示区域DA可以包括彼此间隔开的多个子显示区域。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的至少一侧上或者设置在显示区域DA周围。非显示区域NDA可以是从显示区域DA的外边缘延伸到显示模块10的边界(或边缘)的区域。用于向显示区域DA(或布置在显示区域DA中的像素PXL)施加信号的信号线或驱动电路可以设置在非显示区域NDA中。此外，最外面黑矩阵可以设置在非显示区域NDA中。
此外，显示模块10可以包括主区域MR、弯曲区域BR和子区域SR。主区域MR可以包括显示区域DA，并且可以形成显示装置1的显示表面。弯曲区域BR可以在第一方向DR1上从主区域MR延伸并且可以是可弯曲的。子区域SR可以从弯曲区域BR延伸，并且可以根据弯曲区域BR的弯曲状态与主区域MR叠置。
稍后将参照基于沿着图2的线A-A'截取的剖视图的图11来描述显示模块10的详细构造。
除非做出特殊定义，否则这里的术语“上”、“顶”或“顶表面”指基于显示模块10在其上显示图像的显示表面，术语“下”、“底”或“底表面”可以指基于显示模块10背对显示表面的一侧。
功能模块20可以设置在显示模块10的顶部上。功能模块20可以包括至少一个功能层。功能层可以是对其执行滤色功能、颜色转换功能、偏振功能等的层。功能层可以被实现为由片形成的片层、由膜形成的膜层、薄膜层、涂覆层、面板或板。单个功能层可以使用单个层来构造，或者可以使用多个堆叠的薄膜或涂覆层来构造。例如，功能层可以是滤色器、光学膜等。可以省略功能模块20。
窗30可以设置在功能模块20(或显示模块10)的顶部上。窗30可以与显示模块10叠置并且基本上覆盖显示模块10的整个表面。窗30可以比显示模块10大。例如，在显示装置1的两条短边SS1和SS2上，窗30可以从显示模块10向外突出。即使在显示装置1的两条长边LS1和LS2上，窗30也可以从显示模块10突出。窗30可以从显示装置1的两条长边LS1和LS2突出，并且还可以从显示模块10的两条短边SS1和SS2突出。
窗30可以包括中心部分和屏蔽图案。中心部分可以与显示模块10的显示区域DA叠置，以透射从显示区域DA发射的光。屏蔽图案可以位于窗30的边界上。屏蔽图案可以与显示模块10的非显示区域NDA叠置，并且可以防止非显示区域NDA被感知。
功能模块20和窗30可以通过光学透明粘合剂(OCA)或光学透明树脂(OCR)结合到显示模块10。
图3是示出包括在图2的显示装置中的显示模块的示例性实施例的平面图。
参照图3，显示模块10可以包括一个或更多个对准标记AM(或对齐标记、对准键)。
对准标记AM可以在用于将窗30(或功能模块20、OCA或OCR)附着到显示模块10的工艺期间用作用于对准的识别标记。此外，可以在已经用激光束切割结合到窗30的显示模块10之后在用于检查激光切割的结果(或检查由对大致平面形状的显示模块10进行处理的激光切割产生的显示模块10的切割部分)的工艺中使用对准标记AM。此外，对准标记AM可以用来限定显示模块10(或显示装置1)的边框。
对准标记AM可以设置在显示模块10的非显示区域NDA中。
在实施例中，非显示区域NDA可以包括分别与基于显示区域DA的四个角的第一检测区域AMA1至第四检测区域AMA4，并且对准标记AM可以包括分别设置在第一检测区域AMA1至第四检测区域AMA4中的第一对准标记AM1至第四对准标记AM4。例如，第一检测区域AMA1可以被设置为与第一长边LS1的上部分相邻，并且第一对准标记AM1可以设置在第一检测区域AMA1中。第二检测区域AMA2可以被设置为与第一长边LS1的下部分相邻，并且第二对准标记AM2可以设置在第二检测区域AMA2中。第三检测区域AMA3和第四检测区域AMA4可以设置在第二长边LS2上以关于显示区域DA与第一检测区域AMA1和第二检测区域AMA2对称，并且第三对准标记AM3和第四对准标记AM4可以分别设置在第三检测区域AMA3和第四检测区域AMA4中。
在实施例中，非显示区域NDA还可以包括第五检测区域AMA5至第十检测区域AMA10，并且对准标记AM可以包括分别设置在第五检测区域AMA5至第十检测区域AMA10中的第五对准标记AM5至第十对准标记AM10。例如，第五检测区域AMA5和第六检测区域AMA6可以被设置为与第一短边SS1相邻，第七检测区域AMA7和第八检测区域AMA8可以设置在其中布置有驱动电路(例如，驱动集成电路D_IC)的子区域SR的左边缘/右边缘处，第九检测区域AMA9和第十检测区域AMA10可以设置在主区域MR的部分之中的与弯曲区域BR相邻的部分中。第五对准标记AM5至第十对准标记AM10可以分别设置在第五检测区域AMA5至第十检测区域AMA10中。第五对准标记AM5至第十对准标记AM10可以用来在已经执行用于显示模块10的激光切割的工艺之后检查无效区的宽度(例如，从第五对准标记AM5至第十对准标记AM10到显示模块10的边缘的距离)。
由于第一对准标记AM1至第十对准标记AM10基本上彼此相同或相似，所以将描述第一对准标记AM1作为第一对准标记AM1至第十对准标记AM10中的代表性对准标记。
在实施例中，第一对准标记AM1可以包括对准图案AMP1、AMP2和AMP3。例如，第一对准标记AM1可以沿着第一方向DR1顺序地布置，并且可以包括彼此间隔开或彼此分开的第一对准图案AMP1至第三对准图案AMP3。
如稍后将描述的，第一对准图案AMP1至第三对准图案AMP3之中的两个相邻的图案可以用作用于对准的识别标记。例如，当第一对准图案AMP1和第二对准图案AMP2用作识别标记却不能正常起作用时，第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3(或第一对准图案AMP1和第三对准图案AMP3)可以用作识别标记。
在实施例中，在第一对准图案AMP1至第三对准图案AMP3之中，相邻的对准图案可以具有不同的平面形状。稍后将参照图7详细地描述第一对准图案AMP1至第三对准图案AMP3的平面形状。
第五对准标记AM5和第六对准标记AM6中的每个可以包括顺序布置在第二方向DR2上的三个对准图案，第七对准标记AM7和第八对准标记AM8中的每个可以包括两个对准图案，第九对准标记AM9和第十对准标记AM10中的每个可以包括单个对准标记。也就是说，考虑到对准标记AM的功能(例如，用于对准的识别标记、用于限定边框的识别标记等)，第一对准标记AM1至第十对准标记AM10中的每个可以包括各种数量的对准图案。
在实施例中，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3可以由不透明材料(例如，金属)制成。例如，当沿从显示模块10的底部向显示模块10的顶部的方向向第一检测区域AMA1照射光时，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3阻挡光，使得产生第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3的阴影(或阴影图像)，因此第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3可以基于阴影图像而被识别。稍后将参照图8详细地描述用于识别第一对准图案AMP1至第三对准图案AMP3的构造。
图4A和图4B是示出图3的显示模块的示例性实施例的剖视图。
参照图4A，显示模块10可以包括基体基底SUB(或基底)、显示单元DISP和感测单元TSP。
基体基底SUB可以由诸如玻璃或树脂的绝缘材料制成。基体基底SUB可以由具有柔性的材料制成以是可弯曲的或可折叠的，并且可以具有单层结构或多层结构。
显示单元DISP可以形成在基体基底SUB上。显示单元DISP可以包括设置在基体基底SUB的显示区域DA中的像素PXL(见图5)和设置在基体基底SUB的非显示区域NDA中的线DLS(或信号线)。像素PXL可以包括发光元件和结合到发光元件以向发光元件提供驱动电流的至少一个晶体管，线DLS中的至少一些线可以直接/间接结合到像素PXL且可以传输所需的驱动信号以驱动像素PXL(或晶体管)。
感测单元TSP可以设置在显示单元DISP上，并且可以包括设置在显示区域DA(或感测区域)中的感测电极、设置在非显示区域NDA(或非感测区域)中并结合到感测电极的感测线以及对准标记AM。例如，感测单元TSP可以通过利用感测电极的电容感测技术来感测外部触摸输入等，在这种情况下，感测单元TSP可以被特指为触摸感测单元。
感测单元TSP可以与显示单元DISP集成。也就是说，感测单元TSP可以直接形成在显示单元DISP上，并且单独的粘合层(例如，OCR、OCA等)可以不置于显示单元DISP与感测单元TSP之间。
如上面参照图3描述的，对准标记AM可以设置在非显示区域NDA中，并且可以与显示单元DISP中的线DLS中的一些线叠置。
虽然在图4A中，感测单元TSP已经被描述为与显示单元DISP集成，但是示例性实施例不限于此。
参照图4B，显示模块10_0的另一示例性实施例还可以包括粘合层ADH，并且感测单元TSP可以通过粘合层ADH结合到显示单元DISP。例如，显示单元DISP和感测单元TSP均可以作为面板实现且可以彼此独立地制造，并且感测单元TSP可以通过粘合层ADH(例如，OCA)附着到显示单元DISP。除了粘合层ADH的存在之外，显示模块10_0可以与图4A的显示模块10基本上相同或相似。因此，将省略其重复的描述以避免冗余。
图5是示出包括在图4A的显示模块中的显示单元的示例性实施例的平面图。在图5中，基于上面参照图4A描述的线DLS简要示出了显示单元DISP。
参照图3至图5，线DLS可以被布置为沿着显示区域DA的边缘(或显示模块的边缘)在非显示区域NDA内以恒定或可变间距(间隔)彼此间隔开。线DLS中的至少一些线可以电结合到驱动集成电路(“IC”)D_IC，但是示例性实施例不限于此。
在实施例中，线DLS可以包括信号线DL以及检测线(或称为裂纹检测线)MCD1和MCD2。
在实施例中，线DLS可以包括第一检测线MCD1和第二检测线MCD2。在平面图中，第一检测线MCD1可以沿着显示装置1的边缘延伸，并且可以被设置为在线DLS之中最靠近显示装置1的一个侧边缘。类似地，在平面图中，第二检测线MCD2可以沿着显示装置1的边缘延伸，并且可以被设置为在线DLS之中最靠近显示装置1的另一侧边缘。第一检测线MCD1和第二检测线MCD2可以与像素PXL电隔离，并且可以电结合到驱动IC D_IC，但是示例性实施例不限于此。
第一检测线MCD1和第二检测线MCD2可以是用于检测显示装置1中的故障(例如，线裂纹)的故障检测线(即，模块裂纹检测线)，可以在平面图中设置在显示装置1的最外部分中，并且可以具有比其他线(例如，信号线DL)的线宽窄的线宽。
虽然显示单元DISP在图5中被示出为包括两条检测线MCD1和MCD2，但是显示单元DISP的示例性实施例不限于此。例如，显示单元DISP可以在显示单元DISP的一侧上具有五条或更多条检测线，其中，可以减轻检测的信号的衰减，并且可以检测在显示单元DISP中的故障区域的位置。
信号线DL可以沿着显示区域DA的边缘的至少一部分从驱动IC D_IC延伸，可以结合到像素PXL，并且可以传输像素PXL的驱动所需的驱动信号。
虽然信号线DL在图5中被示出为直接结合到对应的像素PXL，但是该结构仅是示例性的，并且示例性实施例不限于此。例如，显示单元DISP可以包括设置在显示单元DISP的左侧和右侧上且被构造为顺序地产生扫描信号的扫描驱动器(或包括移位寄存器的扫描驱动电路)，其中，信号线DL结合到扫描驱动器并且能够传输时钟信号。
图6是示出包括在图5的显示模块中的感测单元的示例性实施例的平面图。为了便于描述，图6中的对准标记AM被示出为包括在上面参照图3描述的第一对准标记AM1至第十对准标记AM10之中的代表性的第一对准标记AM1至第四对准标记AM4。
参照图3、图4A和图6，感测单元TSP可以包括感测区域SA和非感测区域NSA。感测区域SA可以与显示装置1(或显示模块10或基体基底SUB)的显示区域DA对应，非感测区域NSA可以与显示装置1的非显示区域NDA对应。
在感测区域SA中，可以布置感测电极TE，非感测区域NSA可以包括感测线SL、垫(pad，或称为焊盘)单元PD和对准标记AM。
感测电极TE可以包括第一感测电极TE1和第二感测电极TE2。第一感测电极TE1和第二感测电极TE2可以交替地(或轮流地)布置，并且可以分别沿不同的方向结合。
第一感测电极TE1可以以矩阵的形式布置，可以沿着第二方向DR2彼此电结合，并且可以构成大致彼此平行的感测电极行。在一个感测电极行中，第一感测电极TE1中的每个可以通过第一连接图案CNP1(或桥接图案)电结合到相邻的感测电极。
第二感测电极TE2可以以矩阵的形式布置，可以沿着第一方向DR1彼此电结合，并且可以构成大致彼此平行的感测电极列。在一个感测电极列中，第二感测电极TE2中的每个可以通过第二连接图案CNP2电结合到相邻的感测电极。
第一感测电极TE1(或感测电极行)和第二感测电极TE2(或感测电极列)中的每个可以通过感测线SL电结合到包括在垫单元PD中的感测垫。
在实施例中，连接图案CNP1和CNP2与感测电极TE中的每个可以包括多条精细导线。例如，如在区域EA中放大和示出的，连接图案CNP1和CNP2与感测电极TE中的每个可以包括在一个方向上延伸且大致彼此平行的多条第一精细导线和在与第一精细导线交叉的方向上延伸且大致彼此平行的多条第二精细导线。在实施例中，连接图案CNP1和CNP2与感测电极TE中的每个可以具有网状结构。
感测线SL可以使感测电极TE电结合到驱动电路。感测线SL可以将感测输入信号从驱动电路传输到感测电极TE或者将感测输出信号从感测电极TE传输到驱动电路。
如上面参照图3描述的，对准标记AM可以包括布置在相应的检测区域AMA1至AMA4中的对准标记AM1至AM4。
第一对准标记AM1(或者第一对准标记AM1至第四对准标记AM4中的每个)可以包括第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3，并且第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3可以如岛状图案一样彼此独立地定位，可以与感测线SL间隔开，可以与感测线SL电隔离，或者可以与感测线SL绝缘。
第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3可以布置在感测单元TSP的非感测区域NSA(或非显示区域NDA)的最外部分中。例如，第一对准标记AM1的第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3可以被布置为比感测线SL靠近感测单元TSP的第一侧(例如，显示模块10的第一长边LS1，见图3)的最外边缘。
图7是示出显示模块的其中图6的第一检测区域被放大的示例性实施例的平面图。在图7中，基于设置在第一检测区域AMA1中的对准标记AM和线DLS简要地示出了显示模块10。由于在第一检测区域AMA1至第四检测区域AMA4(或第一检测区域AMA1至第十检测区域AMA10，见图3)中的对准标记AM与线DLS之间的关系可以与在第一检测区域AMA1中的对准标记AM与线DLS之间的关系基本上相同或相似，所以以下基于第一检测区域AMA1进行的描述是第一检测区域AMA1至第四检测区域AMA4的代表。
参照图4A至图7，线DLS可以包括可以沿着第一方向DR1延伸且被布置为沿着第二方向DR2(或水平方向)彼此间隔开的第一线DL1至第八线DL8。
在实施例中，显示装置1可以包括其中设置有线DLS中的一些线的第一区域A1和其中设置有除了第一区域A1的线之外的剩余线的第二区域A2，其中第一区域A1的透射率(即，透光率)可以比第二区域A2的透射率高。对准标记AM可以在平面图中与第一区域A1叠置。例如，线DLS可以包括设置在第一区域A1中的第一线DLS1(例如，第一线DL1至第五线DL5)和设置在第二区域A2中的第二线DLS2(例如，第六线DL6至第八线DL8)。这里，第一线DLS1中的至少一些线可以是上面参照图5描述的第一检测线MCD1。
在实施例中，第一线DLS1(即，线DLS中的一些线和与其相邻的线)之间的第一间隔D1可以比第二线DLS2(即，线DLS中的剩余线)之间的第二间隔D2大。例如，第一线DLS1之中的第四线DL4与第五线DL5之间的第一间隔D1可以比第二线DLS2之中的第六线DL6与第七线DL7之间的第二间隔D2大。例如，第二间隔D2可以为2μm或更小，第一间隔D1可以为约20μm至约30μm。也就是说，在第一区域A1中的第一线DLS1的布线密度可以比在第二区域A2中的第二线DLS2的布线密度低。由于线DLS可以由反射光或吸收光的不透明材料(例如，金属材料)制成，所以第一区域A1的透射率可以根据线DLS的不同间隔而与第二区域A2的透射率不同。
在示例中，第一线DLS1的线宽可以比第二线DLS2的线宽小。即使在第一区域A1中的第一线DLS1的布线密度(或线的数量)等于在第二区域A2中的第二线DLS2的布线密度(或线的数量)，第一区域A1的透射率也可以根据第一线DLS1的线宽而增大。
由于第一区域A1的透射率相对较大(例如，90％或更大)，因此与第一区域A1中的第一线DLS1叠置的对准标记AM可以通过对准装置(例如，视觉相机VCM，见图8)被识别。
对准标记AM可以包括第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3，其中，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3可以被布置为沿着第一方向DR1彼此间隔开，并且可以与第一线DLS1中的至少一些线叠置。例如，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3可以与第二线DL2和第三线DL3叠置，但它们不限于此。
在实施例中，在平面图中，从线DLS中的一条到显示模块10(或基体基底SUB，见图4A)的边缘的第一最短距离(或第一最短间隔距离)WD1可以比从对准标记AM到显示模块10(或基体基底SUB，见图4A)的边缘的第二最短距离WD2小。例如，从布置在线DLS之中的最外部分中的第一线DL1到显示模块10的第一长边LS1(或显示模块10的边缘EDGE)的第一最短距离WD1可以比从对准标记AM(或第一对准图案AMP1)到显示模块10的第一长边LS1(或显示模块10的边缘EDGE)的第二最短距离WD2小。然而，示例性实施例不限于此。例如，在对准标记AM与第一线DLS1叠置的范围内，第一最短距离WD1可以等于第二最短距离WD2，或者可以比第二最短距离WD2大。
在实施例中，在第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3之中，相邻的对准图案可以具有不同的平面形状。
例如，第一对准图案AMP1可以具有大致矩形的平面形状(或大致细长条形状)，与第一对准图案AMP1相邻的第二对准图案AMP2可以具有大致三角形的平面形状。类似地，与第二对准图案AMP2相邻的第三对准图案AMP3可以具有大致矩形的平面形状。第三对准图案AMP3可以具有与第一对准图案AMP1的平面形状相同的大致平面形状。识别对准标记AM的对准系统(或视觉相机VCM)可以基于第一对准图案AMP1和第二对准图案AMP2检测显示模块10的位置，并且还可以基于第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3检测显示模块10的位置。然而，当第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3中的全部具有基本上相同的形状时，会在确定两个检测到的对准图案是第一对准图案AMP1和第二对准图案AMP2还是第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3时发生错误，因此第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3中的两个相邻的图案可以具有不同的平面形状。
然而，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3的平面形状不限于此。例如，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3可以具有各种平面形状(诸如，大致半圆形形状、大致梯形形状、大致“C”形状、大致“L”形状和大致星形形状)，并且可以具有不同的平面形状。
在实施例中，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3在第一方向DR1上的长度L1、L2和L3可以比每个对准图案在第二方向DR2上的宽度W1大。此外，在第一方向DR1上，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3之间的间隔GAP1和GAP2可以比对准图案的长度L1、L2和L3小。
在实施例中，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3的各自的长度L1、L2和L3可以在约100μm至约500μm的范围内，并且第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3中的每个的宽度W1可以在约30μm至约150μm的范围内。在这种情况下，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3的各自的长度L1、L2和L3可以是宽度W1的大约三倍至六倍。
在实施例中，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3的长度L1、L2和L3可以是约200μm，并且第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3中的每个的宽度W1可以是约40μm或约50μm。
由于显示模块10的无效区与第一最短距离WD1或第二最短距离WD2对应或者与第一最短距离WD1或第二最短距离WD2成比例，所以第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3中的每个的宽度W1可以比长度L1、L2和L3更具限制性。
由于第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3中的每个的宽度W1减小，所以可以减小其中布置有与对准标记AM叠置的第一线DLS1的第一区域A1的宽度，因此可以进一步减小无效区。此外，随着第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3的各自的长度L1、L2和L3增大(即，随着第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3的各自的面积增大)，可以防止对准标记AM的识别率由于宽度W1的减小而降低。
随着识别对准标记AM的对准系统的性能(例如，视觉相机VCM的分辨率)的改善，即使第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3中的每个的宽度W1减小，对准标记AM也可以被识别。然而，当与对准标记AM叠置的第一线DLS1被识别时，对准标记AM可能由于第一线DLS1而无法期望地被识别。因此，考虑到对准标记AM的可见性和第一线DLS1的不可见性，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3中的每个的宽度W1可以被设定为约40μm或50μm。
虽然在图7中，第一对准图案AMP1的第一长度L1、第二对准图案AMP2的第二长度L2和第三对准图案AMP3的第三长度L3被示出为基本上彼此相等，但是对准图案的长度不限于此，第一长度L1、第二长度L2和第三长度L3可以彼此不同。类似地，第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3的宽度可以彼此相等或不同。
图8是用于解释其中包括在图2的显示装置中的显示模块和窗彼此对准的示例性过程的分解透视图。
参照图8，视觉相机VCM可以布置在显示模块10的一个表面(例如，显示图像的表面)上。此外，视觉相机VCM可以布置在窗30的顶部上。视觉相机VCM可以被布置为与显示模块10的非显示区域NDA对应。
视觉相机VCM可以通过从光源发射的光来获取显示模块10的对准标记AM(或检测区域AMA)的图像(或对准标记图像)。对准装置可以基于由视觉相机VCM获取的图像来检测对准标记AM，可以基于检测到的对准标记AM来确定显示模块10与窗30之间的对准是否已经被执行，并且可以在确定已经执行了显示模块10与窗30之间的对准时将窗30结合到显示模块10。
光源可以设置在显示模块10的底部上(例如，在显示模块10的后表面上)，并且每个视觉相机VCM可以获取包括对准标记AM的阴影的对准标记图像，即，与对准标记AM匹配的对准标记图像。然而，示例性实施例不限于此，光源可以设置在显示模块10的一个表面(例如，显示表面)上，并且每个视觉相机VCM还可以因已经被对准标记AM反射的反射光来获取对准标记图像。
对准装置可以提取每个对准标记图像的特征点(例如，拐点或拐点的形状)，并将提取的特征点与预设的特征点进行匹配，或者可以将对准标记图像与预设的参考对准标记图像进行匹配，计算匹配分数，然后基于匹配分数识别对准标记AM。
图9是示出通过捕捉图7的第一检测区域获得的图像的示例性实施例的平面图。
在图9中，描绘了由图8的视觉相机VCM获取的第一检测区域AMA1的图像IMAGE1。
参照图7和图9，对准标记AM(或第一对准图案AMP1、第二对准图案AMP2和第三对准图案AMP3)可以由不透明材料制成，并且可以在图像IMAGE1中以黑色指示。
类似地，由于显示装置1的第二区域A2的透射率相对低，即，由于布置在第二区域A2中的第二线DLS2(见图7)的布线密度高，所以照射到第二区域A2的大部分光会被阻挡。此外，视觉相机VCM的分辨率(或分辨能力)可能比第二线DLS2之间的第二间隔D2大。也就是说，根据视觉相机VCM的视角和分辨率(或分辨能力)，在第二区域A2中的第二线DLS2可能被识别为单个表面。例如，当与显示模块10分隔开特定距离的视觉相机VCM具有最大3μm的分辨率时，第二线DLS2可能被布置为彼此间隔开比视觉相机VCM的分辨率小的间隔，例如，2μm的间隔。在这种情况下，第二线DLS2可以被视觉相机VCM识别为单个表面。在这种情况下，第二区域A2可以完全显示为黑色。
由于显示装置1的第一区域A1的透射率相对高，即，由于布置在第一区域A1中的第一线DLS1(见图7)的布线密度低，所以照射到第一区域A1的大部分光可以不被阻挡。在这种情况下，第一区域A1(即，除了对准标记AM之外的第一区域A1)可以以第一区域A1以浅灰色显示的方式显示为比第二区域A2明亮。
即使在第二区域A2中的第二线DLS2被部分地感知到，与第二线DLS2(即，具有相对大的第二间隔D2的第二线DLS2)对应的图像也可以通过对图像IMAGE1的图像处理(例如，图像平滑技术)被去除。
由于在从第一区域A1的边缘延伸到显示模块10的边缘的由第一最短距离WD1限定的区域中没有布置单独的线，所以所有的光可以穿过该区域，并且此区域可以以例如以白色显示的方式显得比第一区域A1明亮。
因此，即使对准标记AM设置在第一区域A1中同时与第一线DLS1(见图7)叠置，对准标记AM也可以被精确地检测或识别。
图10是示出显示模块的其中图6的第一检测区域被放大的示例性实施例的平面图。在图10中，示出了与图7的显示模块10对应的对准标记AM和线DSL。
参照图6、图7和图10，除了第二对准图案AMP2的形状之外，图10的显示模块10与图7的显示模块10基本上相同或相似，因此将省略其重复的描述以避免冗余。
第二对准图案AMP2可以具有大致双三角形的平面形状。如图10中所示，第二对准图案AMP2可以具有被实现为彼此相互对称布置的两个三角形的大致双三角形的平面形状。由于双三角形包括与普通三角形相比较多数量的特征点，所以与矩形或单个三角形相比可以进一步降低对第二对准图案AMP2(或对准标记AM)的错误识别率。
图11是示出沿着图2的线A-A'截取的显示模块的示例性实施例的剖视图。
参照图2至图6和图11，显示模块10可以包括基体基底SUB、至少一个晶体管TR、线DLS(或导线)、发光元件EL和封装层TFE(或显示单元DISP)、感测电极TE1与TE2和感测线SL(或感测单元TSP)以及对准标记AM。
基体基底SUB可以由诸如玻璃或树脂的绝缘材料制成。基体基底SUB可以由具有柔性的材料制成以是可弯曲的或可折叠的，并且可以具有单层结构或多层结构。
例如，具有柔性的材料可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，用于形成基体基底SUB的材料不限于此。例如，基体基底SUB也可以由玻璃纤维增强塑料(FRP)等制成。
基体基底SUB可以包括显示区域DA和设置在显示区域DA的一侧上的非显示区域NDA。
晶体管TR(或像素电路(或像素电路层)PCL)可以设置在基体基底SUB上，晶体管TR可以设置在基体基底SUB的显示区域DA中，线DLS可以设置在基体基底SUB的非显示区域NDA中。
晶体管TR(或像素电路层PCL)可以包括设置在缓冲层BUF与绝缘层INS1、INS2和INS3之间的半导体图案(或半导体层)、栅电极GE(或第一导电层GAT)、源电极SE和漏电极DE(或第二导电层SD)。
缓冲层BUF可以设置在基体基底SUB的整个表面上。缓冲层BUF可以防止杂质离子扩散，可以防止水或外部空气渗透到显示模块中，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层BUF可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。可以基于基体基底SUB的类型或处理条件而省略缓冲层BUF。
半导体图案可以设置在缓冲层BUF(或基体基底SUB)上。半导体图案可以是形成晶体管TR的沟道的有源层。半导体图案可以包括分别与稍后将描述的源电极SE和漏电极DE接触的源区和漏区。源区与漏区之间的区域可以是沟道区ACT。
半导体图案可以包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等。半导体图案的沟道区ACT可以是未掺杂有杂质的半导体图案，于是可以是本征半导体。源区和漏区中的每个可以是掺杂杂质的半导体图案。诸如n型杂质、p型杂质或其他金属的杂质可以用作杂质。
第一绝缘层INS1(或栅极绝缘层)可以设置在半导体图案和缓冲层BUF(或基体基底SUB)上。第一绝缘层INS1可以设置在基体基底SUB的整个表面上。第一绝缘层INS1可以是具有栅极绝缘功能的栅极绝缘层。
第一绝缘层INS1可以包括无机绝缘材料，诸如硅化合物或金属氧化物。例如，第一绝缘层INS1可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛或它们的混合物。第一绝缘层INS1可以具有单层结构，或者可以具有由多个堆叠层构成的多层结构，所述多个堆叠层由不同的材料制成。
栅电极GE(或第一导电层GAT)可以设置在第一绝缘层INS1上。栅电极GE可以被设置为与半导体层(或半导体层的沟道区ACT)叠置。
栅电极GE可以包括与选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)之中的一种或更多种对应的金属。栅电极GE可以具有单层结构或多层结构。
显示模块10还可以包括与栅电极GE形成在同一层中的栅极线。栅极线可以电结合到栅电极GE，可以在平面图中延伸至非显示区域NDA，并且可以电结合到驱动集成电路D_IC。栅极线可以将从驱动集成电路D_IC提供的栅极信号传输到晶体管TR的栅电极GE。
第二绝缘层INS2(或层间绝缘层)可以设置在栅电极GE上，并且可以设置在基体基底SUB的整个表面上。第二绝缘层INS2可以起到使栅电极GE与源电极SE和漏电极DE绝缘的作用，并且可以是层间绝缘层。
第二绝缘层INS2可以包括无机绝缘材料(诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化锌)或有机绝缘材料(诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB))。第二绝缘层INS2可以具有单层结构，或者可以具有由多个堆叠层构成的多层结构，所述多个堆叠层由不同材料制成。
源电极SE和漏电极DE(或第二导电层SD)可以设置在第二绝缘层INS2上。线DLS可以与源电极SE和漏电极DE设置在同一层中。
源电极SE和漏电极DE可以通过穿过第二绝缘层INS2和第一绝缘层INS1形成的接触孔分别与半导体图案的源区和漏区接触。
线DLS可以包括第一线DLS1和第二线DLS2。
第二线DLS2中的一些线可以电结合到源电极SE，可以在平面图中延伸到非显示区域NDA，并且可以电结合到驱动集成电路D_IC(见图3)。由于已经参照图7描述了第二线DLS2，因此将省略其重复的描述以避免冗余。
第一线DLS1可以包括上面参照图5描述的第一检测线MCD1(或第二检测线MCD2)。由于已经参照图7描述了第一最短距离WD1和第一线DLS1的第一间隔D1，因此将省略其重复的描述以避免冗余。
与栅电极GE类似，源电极SE和漏电极DE以及线DLS可以包括与选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)之中的一种或更多种对应的金属。源电极SE和漏电极DE以及线DLS可以具有单层结构或多层结构。
第三绝缘层INS3(或钝化层)可以设置在源电极SE和漏电极DE以及线DLS上。
发光元件单元LDL可以设置在像素电路PCL上。发光元件单元LDL可以包括设置在显示区域DA中并结合到至少一个晶体管TR的至少一个发光元件EL和封装层TFE。
发光元件EL(或发光元件单元LDL)可以包括第一电极LE(或下电极)、第二电极UE(或上电极)和发射层IL(或中间层)。此外，发光元件EL还可以包括像素限定层PDL。第一电极LE和第二电极UE中的任何一个可以是阳极电极，另一个可以是阴极电极。例如，第一电极LE可以是阳极电极，第二电极UE可以是阴极电极。
第一电极LE可以通过穿过第三绝缘层INS3形成的接触孔电结合到晶体管TR的漏电极DE。
像素限定层PDL可以沿着第一电极LE的边缘设置，并且可以包括有机绝缘材料。
发射层IL可以设置在由像素限定层PDL暴露的第一电极LE的顶部上。发射层IL可以包括低分子物质或高分子物质。
第二电极UE可以设置在发射层IL上。第二电极UE可以是形成在发射层IL和像素限定层PDL的整个表面上的共电极。第二电极UE可以是透明电极或半透明电极。
封装层TFE可以设置在第二电极UE上。封装层TFE可以防止可能来自外部的水和空气渗透到发光元件EL中。封装层TFE可以通过薄膜封装形成，并且可以包括一个或更多个有机层和一个或更多个无机层。例如，有机层可以形成为包括选自由环氧树脂、丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯组成的组中的任意一种，无机层可以形成为包括选自由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiONx)组成的组中的一种或更多种。
虽然在图12中发光元件单元LDL被示出为包括有机发光元件，但是发光元件单元LDL不限于此，并且可以包括无机发光元件等。
感测电极TE、感测线SL和对准标记AM可以设置在封装层TFE上。感测电极TE可以设置在显示区域DA(或感测区域SA)中，感测线SL可以设置在非显示区域NDA中并结合到感测电极TE。
感测单元TSP可以包括设置在封装层TFE与第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5之间的第一感测电极TE1以及第一连接图案CNP1和第二连接图案CNP2(或者第三导电层YTML1和第四导电层YTML2)。
第一连接图案CNP1(或第三导电层YTML1)可以设置在封装层TFE上。感测线SL和对准标记AM可以与第一连接图案CNP1设置在同一层中。对准标记AM可以直接设置在封装层TFE上。
感测线SL和对准标记AM可以布置在非显示区域NDA(或感测单元TSP的非感测区域NSA)中。
对准标记AM可以设置在第一区域A1中，并且可以与线DLS中的一些线(即，第一线DLS1)叠置。由于上面已经参照图7描述了第二最短距离WD2和对准标记AM的尺寸，因此将省略其重复的描述以避免冗余。
第四绝缘层INS4可以设置在第一连接图案CNP1、感测线SL和对准标记AM上并覆盖第一连接图案CNP1、感测线SL和对准标记AM。此外，第四绝缘层INS4可以设置在被第一连接图案CNP1、感测线SL和对准标记AM部分地暴露的封装层TFE上。
第一感测电极TE1和第二连接图案CNP2可以设置在第四绝缘层INS4上，第二感测电极TE2(见图6)也可以设置在第四绝缘层INS4上。如上面参照图6描述的，第一感测电极TE1、第二连接图案CNP2和第二感测电极TE2可以设置在显示区域DA(或感测单元TSP的感测区域SA)中。第一感测电极TE1可以通过穿过第四绝缘层INS4形成的接触孔分别电结合到第一连接图案CNP1和感测线SL。
第五绝缘层INS5可以设置在第一感测电极TE1和第二连接图案CNP2上，并且可以形成在封装层TFE的整个表面上。
如上面参照图11描述的，对准标记AM可以设置在封装层TFE上，并且可以被设置为与第一线DLS1叠置。
图12至图15是示出沿着图2的线A-A'截取的显示模块的各种示例性实施例的剖视图。在图12至图15中，显示模块10_1至10_4的剖视图可以基本上类似于与图11对应的显示模块10。因此，将省略对共同元件的重复的描述以避免冗余。
首先，参照图11和图12，显示模块10_1与图11的显示模块10的不同之处在于显示模块10_1包括倾斜的侧表面SIDE。
显示模块10_1(或显示装置1)可使用激光来处理(或切割)。
激光束可以沿第三方向DR3或第四方向DR4照射到显示模块10_1的后表面。这里，第三方向DR3可以与光从显示模块10_1发射的方向相同，第四方向DR4可以相对于第三方向DR3朝向显示模块10_1的外部形成第一特定角度θ1。例如，第一特定角度θ1可落在约0.1度至约5度的范围内、约0.3度至约3度的范围内、或约0.5度至约2度的范围内。当激光束沿第三方向DR3或第四方向DR4照射时，即使激光束被包括在显示模块10_1中的第一电极LE或第二电极UE反射，显示模块10_1的显示区域DA也可以不被损坏。
当显示模块10_1被激光束切割时，使用沿着第三方向DR3或第四方向DR4行进的激光束，并且显示模块10_1的后表面被施加有相对大量的能量，因此显示模块10_1的侧表面SIDE(或激光蚀刻表面)可以具有反向倾斜结构。显示模块10_1的侧表面SIDE可以形成相对于第三方向DR3朝向显示模块10_1的外部的第二特定角度θ2。例如，第二特定角度θ2可以落在约3度至约5度的范围内。
由于显示模块10_1的侧表面SIDE通过激光加工处理，所以显示单元DISP的侧表面和感测单元TSP的侧表面可以均与显示单元DISP的厚度方向(即，第三方向DR3)形成锐角，其中，显示单元DISP的侧表面和感测单元TSP的侧表面可以位于相同或同一平面(共面)中。
由于对准标记AM形成在封装层TFE上，所以与典型的显示模块(例如，包括与晶体管TR形成在同一层中的对准标记的显示模块)相比，显示模块10_1的侧表面SIDE可以位于从显示模块10_1更向内的位置。因此，可以进一步减小显示模块10_1的无效区。
参照图11和图13，显示模块10_2与图11的显示模块10的不同之处在于显示模块10_2包括与第一感测电极TE1(或，第四导电层YTML2)形成在同一层中的对准标记AM。
对准标记AM可以设置在第一区域A1中，并且可以与线DLS中的一些线(即，第一线DLS1)叠置。由于上面已经参照图7描述了最短距离WD2和对准标记AM的尺寸，因此将省略其重复的描述以避免冗余。
也就是说，对准标记AM可以包括在感测单元TSP中，并且可以与第一连接图案CNP1或第一感测电极TE1形成在同一层中。
参照图11和图14，显示模块10_3与图11的显示模块10的不同之处在于显示模块10_3包括第一子对准标记AM_S1和第二子对准标记AM_S2。
第一子对准标记AM_S1和第二子对准标记AM_S2可以彼此垂直地分离，并且可以设置在不同的层上。如图14中所示，第一子对准标记AM_S1可以与第一连接图案CNP1形成在同一层中，第二子对准标记AM_S2可以与第一感测电极TE1形成在同一层中。
在实施例中，第一子对准标记AM_S1和第二子对准标记AM_S2可以包括在单个对准标记AM(例如，第一对准标记AM1)中或者可以构成单个对准标记AM。
例如，第一子对准标记AM_S1可以是上面参照图6描述的第一对准图案AMP1(或第三对准图案AMP3)，第二子对准标记AM_S2可以是第二对准图案AMP2。
在示例中，第一子对准标记AM_S1和第二子对准标记AM_S2可以彼此叠置，并且可以构成单个对准图案(例如，参照图6描述的第二对准图案AMP2)。在这种情况下，可以更容易地实现对准标记AM的形状(例如，更复杂的形状)。
参照图11和图15，显示模块10_4与图11的显示模块10的不同之处在于显示模块10_4包括与晶体管TR的栅电极GE(或第一导电层GAT)形成在同一层中的线DLS。
除了其上设置有线DLS的层之外，图15的线DLS与上面参照图11描述的线DLS基本相同或相似，因此将省略其重复的描述以避免冗余。
也就是说，对准标记AM可以与线DLS中的一些线(即，在线DLS之中的在平面图中设置在最外部分中的第一线DLS1，例如，上面参照图5描述的第一检测线MCD1和第二检测线MCD2)叠置，并且线DLS中的一些线可以与晶体管TR的栅电极或源电极和漏电极设置在同一层中。此外，当显示模块10_4还包括与晶体管TR的栅电极或源电极和漏电极不同的附加导电层时，第一线DLS1可以包括在附加导电层中。
图16是示出沿着图2的线A-A'截取的显示模块的另一示例性实施例的剖视图。在图16中，示出了显示模块10_5的与图11对应的剖视图。
图17是示出图16的显示模块的示例性实施例的平面图。在图17中，示出了显示模块10_5的与图6的第一检测区域AMA1对应的部分。
参照图7、图11、图16和图17，除了对准标记AM的布置位置之外，图16的显示模块10_5可以与上面参照图7和图11描述的显示模块10基本上相同或相似。因此，将省略其重复的描述以避免冗余。
对准标记AM可以与第一连接图案CNP1(或第三导电层YTML1)设置在同一层中，并且可以与第一线DLS1(或其中设置有第一线DLS1的第一区域A1)部分地叠置。
例如，当其中布置有第一线DLS1的第一区域A1由于线DLS所需的规格等而未被充分限定时，例如，当第一区域A1在第二方向DR2上的宽度比第一对准图案AMP1的第一宽度W1小时，对准标记AM可以与线DLS部分地叠置。
在这种情况下，从线DLS中的一条到显示模块10_5的侧表面SIDE(或显示模块10_5的边缘)的第三最短距离WD3可以比从对准标记AM到显示模块10_5的侧表面SIDE(或显示模块10_5的边缘)的第二最短距离WD2大。
如图17中所示，从线DLS之中的设置在最外部分中的第一线DL1到显示模块10_5的第一长边LS1(或显示模块10_5的边缘)的第三最短距离WD3可以比从对准标记AM(或第一对准图案AMP1)到显示模块10_5的第一长边LS1(或显示模块10_5的边缘)的第二最短距离WD2大。
除了对准标记AM的布置位置或对准标记AM与第一线DLS1之间的布置的关系之外，在图16和图17中示出的对准标记AM与上面参照图7和图11描述的对准标记AM基本上相同或相似，因此将省略其重复的描述以避免冗余。
如上面参照图16和图17描述的，对准标记AM可以与线DLS(或第一线DLS1)部分地叠置。
图18是示出沿着图2的线A-A'截取的显示模块的另一示例性实施例的剖视图。在图18中，示出了显示模块10_6的与图11对应的剖视图，并且未描述图11中所描绘的所有元件以避免冗余。图19是示出图18的显示模块的示例性实施例的平面图。在图19中，示出了显示模块10_6的与图6的第一检测区域AMA1对应的部分。
参照图7、图11、图18和图19，图18的显示模块10_6与上面参照图7和图11描述的显示模块10的不同之处在于对准标记AM不与线DLS叠置。
对准标记AM可以与第一连接图案CNP1(或第三导电层YTML1)设置在同一层中，并且可以不与第一线DLS1(或其中设置有第一线DLS1的第一区域A1)叠置。
例如，当由于线DLS的所需规格而不能限定其中布置有第一线DLS1的第一区域A1时，对准标记AM可以不与线DLS叠置。
在这种情况下，从线DLS中的一条到显示模块10_6的侧表面SIDE(或显示模块10_6的边缘)的第三最短距离WD3可以比从对准标记AM到显示模块10_6的侧表面SIDE(或显示模块10_6的边缘)的第二最短距离WD2大。
在实施例中，在平面图中(或在水平方向上)，对准标记AM与线DLS之间的第三间隔D3可以比线DLS之间的第一间隔D1(或第二间隔D2)小。
例如，如图18中所示，对准标记AM与线DLS之间的在水平方向上的第三间隔D3可以比第一线DLS1之间的第一间隔D1小。此外，第三间隔D3可以比第二间隔D2大。其原因在于，如上面参照图9描述的，根据图8的视觉相机VCM的分辨率，可能不能识别第二间隔D2，并且当对准标记AM与线DLS间隔开比第二间隔D2小的间隔时，可能不能从线DLS识别出对准标记AM。因此，第三间隔D3也可以比第二间隔D2大。
在实施例中，如图19中所示，在平面图中，对准标记AM和线DLS实际上可以彼此接触，在这种情况下，如图18中所描绘的第三间隔D3可以基本上为例如0。对准标记AM与线DLS接触的部分可以被设定为特征点。可选地，第一检测区域AMA1中的线DLS和从线DLS在第二方向DR2上突出的对准图案AMP1、AMP2和AMP3的整个平面形状(或与整个平面形状对应的图像，例如，大致“╞”形状)可以被设定为对准标记AM。因此，即使对准标记AM和线DLS被识别为单个形状，而没有被单独地彼此区分，对准图案AMP1、AMP2和AMP3也可以用作对准标记AM。
如上面参照图18和图19描述的，对准标记AM可以不与线DLS叠置，而是可以被布置为在平面图中尽可能靠近线DSL或与线DLS接触。
图20是示出包括在图2的显示装置中的显示模块的另一实施例的平面图。在图20中，示出了与图5的显示单元DISP对应的显示模块10_7。
参照图2、图5和图20，图20的显示模块10_7(或显示单元)与图5的显示单元DISP的不同之处在于显示模块10_7还包括对准标记AM。
对准标记AM可以设置在非显示区域NDA中，并且可以与线DLS中的一些线叠置。由于对准标记AM(和对准图案AMP1、AMP2和AMP3)与上面参照图3、图5、图6、图7和图10描述的对准标记AM(和对准图案AMP1、AMP2和AMP3)基本相同或相似，因此将省略其重复的描述以避免冗余。
图21是示出图20的显示模块的示例性实施例的剖视图。在图21中，示出了显示模块10_7的与图11的显示模块10对应的剖面。参照图11、图20和图21，显示模块10_7与图11的显示模块10的不同之处在于显示模块10_7不包括感测单元TSP。
显示模块10_7可以包括基体基底SUB(或像素电路PCL)、线DLS、对准标记AM和发光元件EL(或发光单元LDL)。由于除了对准标记AM之外，基体基底SUB、线DLS和发光元件EL与上面参照图11(或图15)描述的基体基底SUB、线DLS和发光元件EL基本上相同或相似，因此将省略其重复的描述以避免冗余。
线DLS可以与晶体管TR的栅电极GE设置在同一层中，并且对准标记AM可以与晶体管TR的源电极SE和漏电极DE设置在同一层中。
对准标记AM可以与线DLS中的一些线(即，在线DLS之中的在平面图中设置在最外部分中的第一线DLS1，例如，上面参照图5描述的第一检测线MCD1和第二检测线MCD2)叠置。
从线DLS中的一条到显示模块10_7的侧表面SIDE的第一最短距离WD1可以小于或等于从对准标记AM到显示模块10_7的侧表面SIDE的第二最短距离WD2。在这种情况下，通过视觉相机VCM(见图8)，可以获取显示模块10_7的与上面参照图9描述的图像IMAGE1基本上相同的图像。
虽然对准标记AM和第一线DSL1被描述为彼此叠置，但是示例性实施例不限于此。例如，如上面参照图16和图18描述的，对准标记AM可以被布置为与第一线DSL1(或第一区域A1)部分叠置或者被布置为与第一线DSL1(或第一区域A1)相邻。在这种情况下，类似于第三最短距离WD3(见图16或图18)，第一最短距离WD1可以比第二最短距离WD2大。
此外，尽管在图21中将对准标记AM示出为设置在第一线DSL1的顶部上，但是对准标记AM不限于此。
图22是示出图20的显示模块的示例性实施例的剖视图。在图22中，示出了与图21的显示模块10_7对应的显示模块10_8。
参照图20至图22，除了线DLS和对准标记AM的布置位置之外，显示模块10_8可以与图21的显示模块10_7基本上相同或相似。因此，将省略其重复的描述以避免冗余。
对准标记AM可以与晶体管TR的栅电极GE设置在同一层中，并且线DLS可以与晶体管TR的源电极SE和漏电极DE设置在同一层中。也就是说，对准标记AM可以设置在线DLS下方(或第一线DSL1下方)。
如上面参照图20至图22描述的，对准标记AM可以设置在与其上设置有线DLS中的一些线(例如，第一线DSL1或最外面的线)的层不同的层上，并且对准标记AM可以与线DLS中的一些线叠置。
虽然这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是根据该描述，其他实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是限于所附权利要求的更广泛的范围以及如对于本领域普通技术人员将是明显的各种显而易见的修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，包括显示区域和定位在所述显示区域的侧面处的非显示区域；
至少一个晶体管和导线，所述至少一个晶体管位于所述基体基底的所述显示区域中，所述导线位于所述基体基底的所述非显示区域中；
至少一个发光元件，位于所述显示区域中并结合到所述至少一个晶体管；
封装层，覆盖所述发光元件；
感测电极和感测线，所述感测电极位于所述封装层上，所述感测线位于所述封装层上并结合到所述感测电极；以及
对准标记，位于所述封装层上，并且在平面图中在所述非显示区域中与所述导线中的一些导线至少部分地叠置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述导线中的所述一些导线设置在所述基体基底的第一区域中，所述导线中的剩余导线设置在所述基体基底的第二区域中，并且
所述第一区域处的透射率比所述第二区域处的透射率高。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述导线中的所述一些导线之间的间距比所述剩余导线之间的间距大。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述平面图中，从所述导线中的一条导线到所述基体基底的边缘的最短距离小于从所述对准标记到所述基体基底的所述边缘的最短距离。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述对准标记包括对准图案，并且
所述对准图案彼此间隔开，并且相邻的对准图案具有不同的平面形状。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中：
所述对准图案沿着第一方向顺序地布置，
所述对准图案中的每个在所述第一方向上的长度大于所述对准图案中的所述每个在第二方向上的宽度，
所述第二方向垂直于所述第一方向，并且
在所述第一方向上所述对准图案之间的间距小于所述长度。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中：
在所述第一方向上的所述长度在100μm至500μm的范围内，并且
在所述第二方向上的所述宽度在30μm至150μm的范围内。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，在所述第一方向上的所述长度是在所述第二方向上的所述宽度的3倍至6倍。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中：
所述对准图案中的一个具有矩形的平面形状，并且
所述对准图案中的另一个具有三角形的平面形状。
10.根据权利要求5所述的显示装置，其中：
所述对准标记包括顺序地布置的第一对准图案、第二对准图案和第三对准图案，并且
所述第一对准图案和所述第三对准图案具有相同的平面形状。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述导线中的所述一些导线包括沿着所述显示区域的边缘延伸的裂纹检测线，并且
所述裂纹检测线与所述至少一个晶体管电隔离。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述显示装置的侧表面与平行于所述基体基底的厚度方向的线形成锐角。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述至少一个晶体管包括：
半导体图案，设置在所述基体基底上；
栅电极，位于所述半导体图案上并且与所述半导体图案叠置；
第一绝缘层，设置在所述栅电极上；以及
源电极和漏电极，位于所述第一绝缘层上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述导线中的所述一些导线与所述栅电极设置在同一层上。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述导线中的所述一些导线与所述源电极和所述漏电极设置在同一层上。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述对准标记包括子对准标记，并且
所述子对准标记彼此分开并且设置在不同的层中。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述对准标记比所述导线靠近所述基体基底的边缘。
18.一种显示装置，所述显示装置包括：
基体基底，包括显示区域和定位在所述显示区域的侧面处的非显示区域；
至少一个晶体管和导线，所述至少一个晶体管位于所述基体基底的所述显示区域中，所述导线设置在所述基体基底的所述非显示区域中；
至少一个发光元件，位于所述显示区域中并且结合到所述至少一个晶体管；
封装层，覆盖所述发光元件；
感测电极和感测线，所述感测电极位于所述封装层上，所述感测线位于所述封装层上并且结合到所述感测电极；以及
对准标记，位于所述封装层上，并且被设置为以比所述导线彼此间隔开的间距小的距离与所述导线相邻。
19.一种电子装置，所述电子装置包括：
基体基底；
半导体图案，设置在所述基体基底上；
第一导电图案，设置在所述半导体图案上；
第一绝缘层，设置在所述第一导电图案上；以及
第二导电图案，设置在所述第一绝缘层上，
其中，所述第一导电图案和所述第二导电图案中的一种导电图案包括对准标记，并且
其中，所述对准标记与所述第一导电图案和所述第二导电图案之中的另一种导电图案的至少一个导电图案至少部分地叠置。
20.根据权利要求19所述的电子装置，其中：
所述对准标记包括在所述第一导电图案中，并且
所述对准标记与所述第二导电图案中的至少一个叠置。
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