CN113920857A - 显示装置 - Google Patents

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CN113920857A CN202110750569.XA CN202110750569A CN113920857A CN 113920857 A CN113920857 A CN 113920857A CN 202110750569 A CN202110750569 A CN 202110750569A CN 113920857 A CN113920857 A CN 113920857A
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朱惠珍
辛在敏
元秉喜
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Abstract

一种显示装置，包括：显示面板，包括前部、从所述前部的第一侧延伸的第一侧部、从所述前部的第二侧延伸的第二侧部、以及在所述第一侧部和所述第二侧部之间的角部。所述显示面板包括：第一显示区域，在所述前部处并且包括多个第一像素；和第二显示区域，在所述角部处并且包括多个第二像素。所述第二显示区域包括在所述多个第二像素中的相邻第二像素之间的第一封装分隔件。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息导向社会的发展，对显示装置的各种需求不断增加。例如，显示装置正被诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视机的各种电子装置所采用。
显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置包括：包括有机发光元件的有机发光显示装置；包括诸如无机半导体的无机发光元件的无机发光显示装置；以及包括超小型发光元件的微发光显示装置。
由于显示装置被各种合适的电子装置采用，因此要求显示装置具有各种合适的设计。例如，当显示装置是发光显示装置时，图像不仅可以显示在前部上，而且可以分别显示于在前部的四个边缘处弯折的侧部上。这样的显示装置可以包括角部，角部设置于在前部的第一侧边缘处弯折的第一侧部和在前部的第二侧边缘处弯折的第二侧部之间。
发明内容
本公开的一些示例实施例的各方面针对一种显示装置，所述显示装置能够防止或减少设置在显示装置的角部处的像素由于由颗粒导致湿气渗透而被视为暗点的发生。
然而，本公开的示例实施例的各方面不限于本文中所阐述的方面。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的示例实施例的上面和其它方面对于本公开所属领域中的普通技术人员而言将变得更加显而易见。
根据本公开的一些示例实施例，提供了一种显示装置，包括：显示面板，包括前部、从所述前部的第一侧延伸的第一侧部、从所述前部的第二侧延伸的第二侧部、以及在所述第一侧部和所述第二侧部之间的角部。所述显示面板包括：第一显示区域，在所述前部处并且包括多个第一像素；和第二显示区域，在所述角部处并且包括多个第二像素。所述第二显示区域包括在所述多个第二像素中的相邻第二像素之间的第一封装分隔件。
根据本公开的一些示例实施例，提供了一种显示装置，包括：显示面板，包括前部、从所述前部的第一侧延伸的第一侧部、从所述前部的第二侧延伸的第二侧部、以及在所述第一侧部和所述第二侧部之间的角部。所述角部包括由切割槽分离开的多个切口图案。所述多个切口图案中的每一个包括具有多个像素的显示区域以显示图像。所述多个像素中的每一个包括多个发射区域以发射不同的光。所述多个发射区域中的每一个包括多个子发射区域以发射相同颜色的光。
根据本公开的前述和其它示例实施例，因为切口图案中的像素中的每一个被封装分隔件和坝围绕，所以它们能够被单独地封装。因此，即使切口图案的像素中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，也可以防止或减少切口图案的其它像素被损坏并相应地显示为暗点的发生。
根据本公开的前述和其它示例实施例，因为切口图案中的像素的发射区域中的每一个被封装分隔件和坝围绕，所以它们能够被单独地封装。因此，即使切口图案的像素的发射区域中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，也可以防止或减少切口图案的像素的其它发射区域被损坏并相应地显示为暗点的发生。
根据本公开的前述和其它示例实施例，切口图案中的像素的发射区域中的每一个包括用于发射相同颜色的光的子发射区域，并且子发射区域中的每一个被围绕并且能够单独地封装。因此，即使切口图案的子发射区域中的一些由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，也可以防止或减少切口图案的其它子发射区域被损坏并相应地显示为暗点的发生。因此，即使像素的子发射区域中的一些由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，也可以通过像素的其它子发射区域正常地显示图像。
附图说明
通过参照附图描述本公开的示例实施例，本公开的上面和其它示例实施例以及特征将变得更加显而易见，其中：
图1是根据本公开的示例实施例的显示装置的透视图；
图2是示出根据本公开的示例实施例的显示装置的平面图；
图3是示出根据本公开的示例实施例的显示装置的展开图；
图4是示出根据本公开的示例实施例的显示装置的截面图；
图5是示出根据本公开的示例实施例的显示面板的第一显示区域至第三显示区域以及非显示区域的布局图；
图6是示出根据本公开的另一示例实施例的显示面板的第一显示区域至第三显示区域以及非显示区域的布局图；
图7是示出图5的第一显示区域的示例的布局图；
图8是示出沿着图7的线II-II'截取的显示面板的示例的截面图；
图9是示出图5的第三显示区域的示例的布局图；
图10是示出沿着图9的线III-III'截取的显示面板的示例的截面图；
图11是示出图5的第二显示区域的示例的布局图；
图12是示出沿着图11的线IV-IV'截取的显示面板的示例的截面图；
图13是示出沿着图11的线V-V'截取的显示面板的示例的截面图；
图14是示出图5的第二显示区域的另一示例的布局图；
图15是示出沿着图14的线VI-VI'截取的显示面板的示例的截面图；
图16是示出图5的第二显示区域的又一示例的布局图；
图17是示出沿着图16的线VII-VII'截取的显示面板的示例的截面图；
图18是示出图5的第二显示区域的又一示例的布局图；
图19是示出沿着图18的线VIII-VIII'截取的显示面板的示例的截面图；
图20是示出图5的第二显示区域的又一示例的布局图；
图21是示出沿着图20的线X-X'截取的显示面板的示例的截面图；
图22是示出图5的第二显示区域的又一示例的布局图；
图23是示出沿着图22的线B-B'截取的显示面板的示例的截面图；
图24是示出图5的第二显示区域的又一示例的布局图；以及
图25是示出图5的第二显示区域的又一示例的布局图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的一些实施例。然而，本公开可以以不同的合适的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分地传达本公开的范围。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了层和区的厚度。
在本文中，当描述本公开的实施例时，术语“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施例”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。如本文中所使用的，当在元件列表之后时，诸如“……中的至少一个”、“……中的一个”和“从……中选择”的表述修饰整个元件列表，并且不修饰列表的单独元件。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“耦接到”或“相邻于”另一元件或层时，所述元件或层能够直接在所述另一元件或层上、直接连接到、直接耦接到或直接相邻于所述另一元件或层，或者可以存在一个或多个居间元件或居间层。相反，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接耦接到”或“紧邻于”另一元件或层时，不存在居间元件或居间层。如本文中所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似术语而非程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。
如本文中所使用的，诸如“平面图”的短语可以指从顶部或从与显示装置的显示区域正交的方向的视图。
为了易于描述，本文中可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”、“底部”和“顶部”等的空间相对术语以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件或特征随后将定向“在”其它元件或特征“上方”或“上”。因此，术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两种方位。所述装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且，应当相应地解释本文中使用的空间相对术语。
本文中列举的任何数值范围旨在包括包含在列举范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，范围“1.0至10.0”旨在包括在所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0之间(并且包括所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0)的所有子范围，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，诸如以2.4至7.6为例。本文中列举的任何最大数值限制旨在包括其中所包含的所有较低数值限制，并且本说明书中列举的任何最小数值限制旨在包括其中所包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改包括权利要求书的本说明书的权利，以明确地列举包含在本文中明确地列举的范围内的任何子范围。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此限定，否则诸如在通用词典中限定的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文和/或本公开中的含义相一致的含义，并且不应当以理想化的或过于形式化的含义来解释。
在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的示例实施例。
图1是根据本公开的示例实施例的显示装置的透视图。图2是示出根据本公开的示例实施例的显示装置的平面图。
参照图1和图2，根据本公开的示例实施例的显示装置10可以被诸如以移动电话、智能电话、平板PC、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC)为例的便携式电子装置所采用。在一些实施例中，显示装置10可以被利用(例如，使用)为例如电视机、膝上型计算机、监视器、电子广告牌或物联网(IOT)装置的显示单元。在一些实施例中，显示装置10可以应用于诸如以智能手表、手表电话、眼镜型显示器(例如，集成到眼镜中或与眼镜集成在一起的显示器)以及头戴式显示器(HMD)装置为例的可穿戴装置。在一些实施例中，显示装置10可以被利用(例如，使用)为例如设置在例如车辆的仪表盘、中央仪表板或仪表板处的中央信息显示器(CID)、作为代表车辆的后视镜的车内镜面显示器、作为放置在前排座椅中的每一个的背部上的作为用于在车辆的后排座椅处的乘客的娱乐系统的显示器。
如本文中所使用的，第一方向(X轴方向)可以平行于(例如，基本上平行于)显示装置10的较短边，例如，当从顶部观察时(例如，在平面图中)显示装置10的水平方向。第二方向(Y轴方向)可以平行于(例如，基本上平行于)显示装置10的较长边，例如，当从顶部观察时显示装置10的垂直方向。第三方向(Z轴方向)可以指显示装置10的厚度方向。
根据示例实施例的显示装置10可以包括显示面板300。如图1和图2中所示，显示面板300可以包括前部FS、第一侧部SS1、第二侧部SS2、第三侧部SS3、第四侧部SS4、第一角部CS1、第二角部CS2、第三角部CS3和第四角部CS4。
显示面板300可以包括能弯折、折叠和/或卷曲的适当地柔性的基底。例如，基底SUB可以包括(例如，由下述材料制成)聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物或聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)或它们的组合。在一些实施例中，基底SUB可以包括金属材料(例如，可以是金属材料)。另外，基底SUB的仅一部分可以是柔性的，或者基底SUB的整个区域可以是柔性的。
当从顶部观察时，前部FS可以具有但不限于具有在第一方向(X轴方向)上的较短边和在第二方向(Y轴方向)上的较长边的矩形形状。当从顶部观察时，前部FS可以具有诸如多边形形状、圆形形状或椭圆形形状的其它合适的形状。尽管在图1和图2中示出的示例中前部FS是平坦的，但是本公开不限于此。例如，在一些实施例中，前部FS可以包括弯曲表面。
第一侧部SS1可以被从前部FS的第一侧延伸(例如，可以从前部FS的第一侧延伸)。在前部FS的第一侧处(例如，在前部FS的第一侧上)，第一侧部SS1可以沿着第一弯折线BL1(见图3)弯折(例如，可以沿着沿第一弯折线BL1(见图3)延伸的轴弯折或弯曲)，并且因此，可以具有第一曲率。如图1和图2中所示，前部FS的第一侧可以是前部FS的左侧。
第二侧部SS2可以被从前部FS的第二侧延伸(例如，可以从前部FS的第二侧延伸)。在前部FS的第二侧处(例如，在前部FS的第二侧上)，第二侧部SS2可以沿着第二弯折线BL2(见图3)弯折，并且因此，可以具有第二曲率。第二曲率可以与第一曲率不同，但是本公开不限于此。在一些实施例中，第二曲率可以与第一曲率相同。如图1和图2中所示，前部FS的第二侧可以是前部FS的下侧。
第三侧部SS3可以被从前部FS的第三侧延伸(例如，可以从前部FS的第三侧延伸)。在前部FS的第三侧处(例如，在前部FS的第三侧上)，第三侧部SS3可以沿着第三弯折线BL3(见图3)弯折，并且因此，可以具有第三曲率。第三曲率可以等于第二曲率，但是本公开不限于此。在一些实施例中，第三曲率可以与第二曲率不同。如图1和图2中所示，前部FS的第三侧可以是前部FS的右侧。
第四侧部SS4可以被从前部FS的第四侧延伸(例如，可以从前部FS的第四侧延伸)。在前部FS的第四侧处(例如，在前部FS的第四侧上)，第四侧部SS4可以沿着第四弯折线BL4(见图3)弯折，并且因此，可以具有第四曲率。第四曲率可以等于第一曲率，但是本公开不限于此。在一些实施例中，第四曲率可以与第一曲率不同。如图1和图2中所示，前部FS的第四侧可以是前部FS的上侧。
第一角部CS1可以定位在第一侧部SS1和第二侧部SS2之间。例如，第一角部CS1可以与第一侧部SS1的下侧和第二侧部SS2的左侧接触(例如，直接接触或物理接触)。由于第一侧部SS1的第一曲率和第二侧部SS2的第二曲率，第一角部CS1可以具有双曲率。因此，可以通过由第一侧部SS1的第一曲率所致的弯折力并且通过由第二侧部SS2的第二曲率所致的弯折力对第一角部CS1施加应变。
第二角部CS2可以定位在第二侧部SS2和第三侧部SS3之间。例如，第二角部CS2可以与第二侧部SS2的右侧和第三侧部SS3的下侧接触(例如，直接接触或物理接触)。由于第二侧部SS2的第二曲率和第三侧部SS3的第三曲率，第二角部CS2可以具有双曲率。因此，可以通过由第二侧部SS2的第二曲率所致的弯折力并且通过由第三侧部SS3的第三曲率所致的弯折力对第二角部CS2施加应变。
第三角部CS3可以定位在第三侧部SS3和第四侧部SS4之间。例如，第三角部CS3可以与第三侧部SS3的上侧和第四侧部SS4的右侧接触(例如，直接接触或物理接触)。由于第三侧部SS3的第三曲率和第四侧部SS4的第四曲率，第三角部CS3可以具有双曲率。因此，可以通过由第三侧部SS3的第三曲率所致的弯折力并且通过由第四侧部SS4的第四曲率所致的弯折力对第三角部CS3施加应变。
第四角部CS4可以定位在第一侧部SS1和第四侧部SS4之间。例如，第四角部CS4可以与第一侧部SS1的上侧和第四侧部SS4的左侧接触(例如，直接直接或物理接触)。由于第一侧部SS1的第一曲率和第四侧部SS4的第四曲率，第四角部CS4可以具有双曲率。因此，可以通过由第一侧部SS1的第一曲率所致的弯折力并且通过由第四侧部SS4的第四曲率所致的弯折力对第四角部CS4施加应变。
如图5中所示，第一角部CS1、第二角部CS2、第三角部CS3和第四角部CS4中的每一个可以包括由切割槽分离开的切口图案，以便减小由于双曲率的应变。稍后将参照图5对切口图案进行描述。
图3是示出根据本公开的示例实施例的显示装置的展开图。
参照图3，显示面板300还可以包括弯折区域BA和焊盘区域PA。显示面板300可以包括第一显示区域DA1至第三显示区域DA3、非显示区域NDA、弯折区域BA和焊盘区域PA。
第一显示区域DA1至第三显示区域DA3包括像素或发射区域以显示图像。非显示区域NDA不包括像素或发射区域并且不显示图像。在非显示区域NDA中，可以设置嵌入在面板中的用于驱动像素或发射区域的信号线或驱动器电路。
第一显示区域DA1可以是显示面板300的主显示区域，并且可以包括前部FS、第一侧部SS1的一部分、第二侧部SS2的一部分、第三侧部SS3的一部分以及第四侧部SS4的一部分。第一侧部SS1的一部分被从前部FS的第一侧延伸，并且第二侧部SS2的一部分被从前部FS的第二侧延伸。第三侧部SS3的一部分被从前部FS的第三侧延伸，并且第四侧部SS4的一部分被从前部FS的第四侧延伸。第一显示区域DA1的角部中的每一个可以以预定或设定的曲率被倒圆。
第二显示区域DA2中的每一个可以是辅助第一显示区域DA1例如主显示区域的第二辅助显示区域。第二显示区域DA2中的每一个的分辨率可以与第一显示区域DA1的分辨率不同。例如，因为第二显示区域DA2中的每一个用于辅助第一显示区域DA1，所以第二显示区域DA2中的每一个的分辨率可以低于第一显示区域DA1的分辨率。例如，第二显示区域DA2中的每一个中的每单位面积的发射区域的数量可以小于第一显示区域DA1中的每单位面积的发射区域的数量。然而，应当理解的是，本公开不限于此。第二显示区域DA2中的每一个的分辨率可以基本上等于第一显示区域DA1的分辨率。
第二显示区域DA2可以分别设置在第三显示区域DA3的外侧上。因此，第三显示区域DA3可以分别设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间。第二显示区域DA2中的每一个的至少一部分可以设置在角部CS1至CS4中的相应一个处。另外，第二显示区域DA2中的每一个的至少一部分可以设置在第一侧部SS1至第四侧部SS4中的两者处。
例如，第二显示区域DA2的设置在第一显示区域DA1的下侧和左侧相交所在的角部的外侧上的至少一部分可以设置在第一角部CS1、第一侧部SS1和第二侧部SS2处。第二显示区域DA2的设置在第一显示区域DA1的下侧和右侧相交所在的角部的外侧上的至少一部分可以设置在第二角部CS2、第二侧部SS2和第三侧部SS3处。第二显示区域DA2的设置在第一显示区域DA1的上侧和右侧相交所在的角部的外侧上的至少一部分可以设置在第三角部CS3、第三侧部SS3和第四侧部SS4处。第二显示区域DA2的设置在第一显示区域DA1的上侧和左侧相交所在的角部的外侧上的至少一部分可以设置在第四角部CS4、第一侧部SS1和第四侧部SS4处。
第三显示区域DA3中的每一个可以是辅助第一显示区域DA1例如主显示区域的第二辅助显示区域。第三显示区域DA3中的每一个的分辨率可以与第一显示区域DA1的分辨率不同。例如，因为第三显示区域DA3中的每一个用于辅助第一显示区域DA1，所以第三显示区域DA3中的每一个的分辨率可以低于第一显示区域DA1的分辨率。例如，第三显示区域DA3中的每一个中的每单位面积的发射区域的数量可以小于第一显示区域DA1中的每单位面积的发射区域的数量。然而，应当理解的是，本公开不限于此。第三显示区域DA3中的每一个的分辨率可以基本上等于第一显示区域DA1的分辨率。
第三显示区域DA3中的每一个可以设置在第一显示区域DA1的角部中的相应一个的外侧上。第三显示区域DA3中的每一个的至少一部分可以设置在角部CS1至CS4中的相应一个处。另外，第三显示区域DA3中的每一个的至少一部分可以设置在前部FS上。另外，第三显示区域DA3中的每一个的至少一部分可以设置在第一侧部SS1至第四侧部SS4中的两者处。
例如，第三显示区域DA3的设置在第一显示区域DA1的下侧和左侧相交所在的角部的外侧上的至少一部分可以设置在前部FS、第一角部CS1、第一侧部SS1和第二侧部SS2处。第三显示区域DA3的设置在第一显示区域DA1的下侧和右侧相交所在的角部的外侧上的至少一部分可以设置在前部FS、第二角部CS2、第二侧部SS2和第三侧部SS3处。第三显示区域DA3的设置在第一显示区域DA1的上侧和右侧相交所在的角部的外侧上的至少一部分可以设置在前部FS、第三角部CS3、第三侧部SS3和第四侧部SS4处。第三显示区域DA3的设置在第一显示区域DA1的上侧和左侧相交所在的角部的外侧上的至少一部分可以设置在前部FS、第四角部CS4、第一侧部SS1和第四侧部SS4处。
非显示区域NDA可以包括第一侧部SS1的一部分、第二侧部SS2的一部分、第三侧部SS3的一部分、第四侧部SS4的一部分、第一角部CS1的一部分、第二角部CS2的一部分、第三角部CS3的一部分和第四角部CS4的一部分。非显示区域NDA可以在侧部SS1、SS2、SS3和SS4处设置在第一显示区域DA1的外侧上。例如，非显示区域NDA可以设置在第一侧部SS1的左边缘、第二侧部SS2的下边缘、第三侧部SS3的右边缘和第四侧部SS4的上边缘处。
非显示区域NDA可以在角部CS1、CS2、CS3和CS4处设置在第二显示区域DA2的外侧上。例如，非显示区域NDA可以设置在第一角部CS1的下侧和左侧相交所在的角部的边缘处，可以设置在第二角部CS2的下侧和右侧相交所在的角部的边缘处，可以设置在第三角部CS3的上侧和右侧相交所在的角部的边缘处，并且可以设置在第四角部CS4的上侧和左侧相交所在的角部的边缘处。
弯折区域BA可以被从第二侧部SS2的下侧延伸(例如，可以从第二侧部SS2的下侧延伸)。弯折区域BA可以设置在第二侧部SS2和焊盘区域PA之间。弯折区域BA的在第一方向(X轴方向)上的长度可以小于第二侧部SS2的在第一方向(X轴方向)上的长度。弯折区域BA可以在第二侧部SS2的下侧上沿着第五弯折线BL5弯折。
焊盘区域PA可以被从弯折区域BA的下侧延伸(例如，可以从弯折区域BA的下侧延伸)。焊盘区域PA的在第一方向(X轴方向)上的长度可以大于弯折区域BA的在第一方向(X轴方向)上的长度。然而，应当理解的是，本公开不限于此。焊盘区域PA的在第一方向(X轴方向)上的长度可以基本上等于弯折区域BA的在第一方向(X轴方向)上的长度。焊盘区域PA可以在弯折区域BA的下侧上沿着第六弯折线BL6弯折。焊盘区域PA可以设置在前部FS的下侧上。
集成驱动器电路IDC和焊盘PAD可以设置在焊盘区域PA中。集成驱动器电路IDC可以被实现为集成电路(IC)。集成驱动器电路IDC可以通过玻璃覆晶(COG)技术、塑料覆晶(COP)技术或超声接合耦接(例如，附接)在焊盘区域PA中。在一些实施例中，集成驱动器电路IDC可以设置在电路板上，电路板设置在焊盘区域PA的焊盘PAD上。
集成驱动器电路IDC可以电耦接(例如，电连接)到焊盘区域PA的焊盘PAD。集成驱动器电路IDC可以通过焊盘区域PA的焊盘PAD接收数字视频数据和时序信号。集成驱动器电路IDC可以将数字视频数据转换成模拟数据电压并且将模拟数据电压输出到显示区域DA1、DA2和DA3的数据线。
电路板可以利用(例如，使用)各向异性导电膜耦接(例如，附接)在焊盘区域PA的焊盘PAD上。出于这个原因，焊盘区域PA的焊盘PAD可以电耦接(例如，电连接)到电路板。
如图3中所示，显示区域DA1、DA2和DA3可以设置在前部FS、第一侧部SS1、第二侧部SS2、第三侧部SS3、第四侧部SS4、第一角部CS1、第二角部CS2、第三角部CS3和第四角部CS4处。因此，图像不仅能显示在前部(例如，前侧)FS、第一侧部SS1、第二侧部SS2、第三侧部SS3和第四侧部SS4上，而且能显示在第一角部CS1、第二角部CS2、第三角部CS3和第四角部CS4上。
图4是示出根据本公开的示例实施例的显示装置的截面图。图4示出了沿着图2的线I-I'截取的显示装置10的示例。
参照图4，显示面板300可以包括基底SUB、显示层DISL、传感器电极层SENL、偏振膜PF和/或覆盖窗CW。
显示层DISL可以设置在基底SUB上。显示层DISL可以包括显示区域DA1、DA2和DA3(见图3)以及非显示区域NDA(见图3)。除了发射区域之外，用于驱动发光元件的扫描线、数据线、电源线等也可以设置在显示层DISL的显示区域DA1、DA2和DA3(见图3)中。在显示层DISL的非显示区域NDA中，可以设置用于将扫描信号输出到扫描线的扫描驱动器电路、将数据线与集成驱动器电路IDC耦接(例如，连接)的扇出线等。
如图8中所示，显示层DISL可以包括其中形成有薄膜晶体管的薄膜晶体管层TFTL、其中用于发射光的发光元件设置在发射区域中的发射材料层EML以及用于封装发射材料层EML的封装层TFEL。在一些实施例中，封装层TFEL可以是薄膜封装层。
传感器电极层SENL可以设置在显示层DISL上。传感器电极层SENL可以包括传感器电极。传感器电极层SENL能利用(例如，使用)传感器电极来感测是否存在人和/或物体的触摸。
偏振膜PF可以设置在传感器电极层SENL上。偏振膜PF可以包括第一基底构件、线性偏振器、包括λ/4(四分之一波)板和/或λ/2(半波)板的延迟膜以及第二基底构件。例如，第一基底构件、线性偏振器、λ/4板、λ/2板和第二基底构件可以顺序地堆叠在传感器电极层SENL上。
覆盖窗CW可以设置在偏振膜PF上。覆盖窗CW可以通过诸如光学透明粘合剂(OCA)膜和/或光学透明树脂(OCR)的透明粘合构件耦接(例如，附接)在偏振膜PF上。覆盖窗CW可以包括诸如玻璃的无机材料或诸如塑料和/或聚合物材料的有机材料(例如，可以是诸如玻璃的无机材料或诸如塑料和/或聚合物材料的有机材料)。
弯折区域BA可以沿着第五弯折线BL5弯折，并且可以设置在第二侧部SS2的下表面上。焊盘区域PA可以沿着第六弯折线BL6弯折，并且可以设置在前部FS的下表面上。焊盘区域PA可以通过粘合构件ADH耦接(例如，附接)到前部FS的下表面。粘合构件ADH可以是压敏粘合剂。
图5是示出根据本公开的示例实施例的显示面板的第一显示区域至第三显示区域以及非显示区域的布局图。图5是图3的区域A的放大图。图5示出了设置在图3的第一角部CS1周围的显示区域DA1、DA2和DA3以及非显示区域NDA。
参照图5，第一弯折线BL1和第二弯折线BL2的交叉点CRP可以定位在第一显示区域DA1中。在这种情况下，第一显示区域DA1可以设置在前部FS、第一侧部SS1、第二侧部SS2和第一角部CS1上。第三显示区域DA3可以设置在第一侧部SS1、第二侧部SS2和第一角部CS1上。第二显示区域DA2可以设置在第一侧部SS1、第二侧部SS2和第一角部CS1上。非显示区域NDA可以设置在第一侧部SS1、第二侧部SS2和第一角部CS1上。
第一弯折线BL1和第二弯折线BL2的交叉点CRP的位置不限于图5中示出的位置，而是可以定位在第二显示区域DA2或如图3中所示定位在第三显示区域DA3中。
第一显示区域DA1可以包括用于显示图像的第一像素PX1(见图7)。另外，第一显示区域DA1可以包括用于感测用户的触摸的传感器电极SE(见图7)。传感器电极SE可以包括驱动电极TE和感测电极RE(见图7)。将参照图7和图8更详细地描述第一显示区域DA1的第一像素PX1、驱动电极TE和感测电极RE(见图7)。
第三显示区域DA3可以设置在第一显示区域DA1的外侧上。第三显示区域DA3可以包括第三像素PX3和触摸驱动线TL(见图9)。触摸驱动线TL(见图9)可以耦接(例如，连接)到驱动电极TE(见图7)。第三显示区域DA3不仅可以包括触摸驱动线TL(见图9)，而且可以包括耦接(例如，连接)到感测电极RE(见图7)的触摸感测线。
如果不显示图像的非显示区域设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间，则用户能识别在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间的非显示区域。例如，用户可以识别由第一显示区域DA1显示的图像和由第二显示区域DA2显示的图像之间的间隙。相反，当包括第三像素PX3(见图9)的第三显示区域DA3形成在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间(例如，紧接在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间)时，可以防止或减少以下情况的发生：由第一显示区域DA1显示的图像和由第二显示区域DA2显示的图像之间的间隙被用户看到(例如，识别)。
第二显示区域DA2可以设置在第三显示区域DA3的外侧上。非显示区域NDA可以设置在第二显示区域DA2的外侧上。第二显示区域DA2可以包括通过切割槽CG彼此间隔开的切口图案CP和切口连接图案CBP。第二显示区域DA2可以包括设置在切口图案CP中的第二像素PX2(见图11)。
切口图案CP和切口连接图案CBP可以通过用激光切割显示面板300(参见图3)形成。因此，切割槽CG可以存在于彼此相邻的切口图案CP之间以及彼此相邻的切口连接图案CBP之间。
切口图案CP中的每一个的一个端部可以耦接(例如，连接)到第三显示区域DA3，并且切口图案CP中的每一个的另一端部(例如，与所述一个端部相对的端部)可以耦接(例如，连接)到切口连接图案CBP。当从顶部观察时，切口图案CP中的每一个可以形成为类似于梯形形状的形状。在这种情况下，切口图案CP的宽度可以从第三显示区域DA3朝向切口连接图案CBP变得更窄。然而，本公开不限于此。在一些实施例中，切口图案CP可以形成为矩形形状。在这种情况下，耦接(例如，连接)到第三显示区域DA3的切口图案CP的宽度可以基本上等于耦接(例如，连接)到切口连接图案CBP的切口图案CP的宽度。
另外，切口图案CP的在第二显示区域DA2的中心处的长度可以大于切口图案CP的在边缘处的长度。因此，在第二显示区域DA2中，彼此相邻的切口图案CP可以具有不同的尺寸。例如，在一些实施例中，切口图案CP的在第二显示区域DA2的中心处的尺寸(例如，平面图中的平面面积)可以大于切口图案CP的在第二显示区域DA2的边缘处的尺寸(例如，平面图中的平面面积)。然而，本公开不限于此。例如，在一些实施例中，切口图案CP的在第二显示区域DA2的中心处的尺寸可以小于切口图案CP的在边缘处的尺寸。
切口连接图案CBP可以设置在各个切口图案CP和非显示区域NDA之间。切口连接图案CBP中的每一个的一个端部可以耦接(例如，连接)到各个切口图案CP，并且切口连接图案CBP中的每一个的另一端部可以耦接(例如，连接)到非显示区域NDA。
切口连接图案CBP可以形成为包括多个弯折部分的蛇形形状。例如，切口连接图案CBP可以设计为允许第二显示区域DA2的切口图案CP容易地膨胀和/或收缩。因此，可以减小由于双曲率而施加到第二显示区域DA2的应变和应力。
设置在图3中示出的第二角部CS2、第三角部CS3和第四角部CS4处的显示区域DA1、DA2和DA3以及非显示区域NDA可以类似于上面参照图5描述的设置在第一角部CS1处的显示区域DA1、DA2和DA3以及非显示区域NDA(例如，可以具有类似于设置在第一角部CS1处的显示区域DA1、DA2和DA3以及非显示区域NDA的结构和/或配置)。因此，可以不对第二角部CS2、第三角部CS3和第四角部CS4进行描述。
图6是示出根据本公开的另一示例实施例的显示面板的第一显示区域至第三显示区域以及非显示区域的布局图。
除了切口连接图案CBP被消除以及切口图案CP耦接(例如，连接)到非显示区域NDA之外，图6中示出的示例实施例与图5的示例实施例基本上相同。因此，可以不提供其的冗余的描述。
图7是示出图5的第一显示区域的示例的布局图。
图7示出了第一显示区域DA1的第一像素PX1以及传感器电极层SENL(见图4)的驱动电极TE和感测电极RE。在图7中示出的示例中，通过利用(例如，使用)两种传感器电极，例如驱动电极TE和感测电极RE，通过互电容感测来感测用户的触摸。为了便于说明，图7仅示出了在第一方向(X轴方向)上彼此相邻的两个感测电极RE和在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的两个驱动电极TE。
参照图7，驱动电极TE可以与感测电极RE电分离。驱动电极TE和感测电极RE形成在相同的层上，并且因此驱动电极TE和感测电极RE可以彼此间隔开。在驱动电极TE和感测电极RE之间可以存在间隙。
感测电极RE可以在第一方向(X轴方向)上彼此电耦接(例如，电连接)。驱动电极TE可以在第二方向(Y轴方向)上彼此电耦接(例如，电连接)。为了使感测电极RE与驱动电极TE在它们的交叉或相交处电分离，在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE可以通过连接电极BE1(例如，多个连接电极BE1)耦接(例如，连接)。
连接电极BE1可以形成在与驱动电极TE和感测电极RE不同的层上，并且连接电极BE1可以通过第一触摸接触孔TCNT1耦接(例如，连接)到驱动电极TE。连接电极BE1中的每一个的一个端部可以通过第一触摸接触孔TCNT1耦接(例如，连接)到在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE中的一个。连接电极BE1中的每一个的另一端部可以通过第一触摸接触孔TCNT1耦接(例如，连接)到在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE中的另一个。连接电极BE1可以在第三方向(Z轴方向)上(例如，在平面图中)与感测电极RE重叠。因为连接电极BE1形成在与驱动电极TE和感测电极RE不同的层上，所以即使连接电极BE1在第三方向(Z轴方向)上与感测电极RE重叠，连接电极BE1也能与感测电极RE电分离。
连接电极BE1中的每一个可以至少弯折一次。尽管在图7中示出的示例中，连接电极BE1弯折成尖括号“<”或“>”的形状，但是连接电极BE1的形状不限于此。在一些实施例中，因为在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE通过多个连接电极BE1耦接(例如，连接)，所以即使连接电极BE1中的任意一个分开(uncoupled)(例如，断开)，在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE也仍然能彼此电耦接(例如，电连接)。
当从顶部观察时(例如，在平面图中)，驱动电极TE和感测电极RE中的每一个可以具有网格结构。因为驱动电极TE和感测电极RE形成在封装层TFEL(见图8)上，所以从公共电极173(见图8)到驱动电极TE和/或感测电极RE的距离小。因此，在公共电极173(见图8)与驱动电极TE和/或感测电极RE之间可以形成寄生电容。公共电极173和驱动电极TE或感测电极RE之间的寄生电容分别与公共电极173(见图8)和驱动电极TE或感测电极RE彼此重叠的面积成比例。为了减小这种寄生电容，当从顶部观察时(例如，在平面图中)，驱动电极TE和感测电极RE可以具有网格结构。
第一显示区域DA1可以包括用于显示图像的第一像素PX1。第一像素PX1中的每一个可以包括多个发射区域EA1、EA2、EA3和EA4。例如，第一像素PX1中的每一个可以包括第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4。第一发射区域EA1是指用于发射第一光的第一子像素的发射区域，并且第二发射区域EA2是指用于发射第二光的第二子像素的发射区域。第三发射区域EA3是指用于发射第三光的第三子像素的发射区域，并且第四发射区域EA4是指用于发射第四光的第四子像素的发射区域。
第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4可以发射不同颜色的光。在一些实施例中，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4中的两者可以发射相同颜色的光。例如，第一发射区域EA1可以发射红色的光，第二发射区域EA2和第四发射区域EA4可以发射绿色的光，并且第三发射区域EA3可以发射蓝色的光。
当从顶部观察时(例如，在平面图中)，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4中的每一个可以具有但不限于诸如菱形的四边形形状。例如，当从顶部观察时(例如，在平面图中)，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4可以具有除了四边形形状之外的其它合适的多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。在图7中示出的示例中，第三发射区域EA3具有最大的面积，第一发射区域EA1具有第二大的面积，并且第二发射区域EA2和第四发射区域EA4具有最小的面积。然而，应当理解的是，本公开不限于此。
因为当从顶部观察时(例如，在平面图中)，驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1形成为网格结构，所以发射区域EA1、EA2、EA3和EA4在第三方向(Z轴方向)上(例如，在平面图中)可以不与驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1重叠。因此，从发射区域EA1、EA2、EA3和EA4发射的光不被驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1阻挡，或者被驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1较少地阻挡，并且因此，可以避免或减少光的照度由于电极而降低。
图8是示出沿着图7的线II-II'截取的显示面板的示例的截面图。
参照图8，包括薄膜晶体管层TFTL、发射材料层EML和封装层TFEL的显示层DISL可以设置在基底SUB上，并且包括驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1的传感器电极层SENL可以设置在显示层DISL上。
基底SUB可以由诸如聚合物树脂和/或玻璃的绝缘材料制成。例如，基底SUB可以包括聚酰亚胺(例如，可以是聚酰亚胺)。在这种情况下，基底SUB可以是能弯折、折叠和/或卷曲的适当地柔性的基底。
包括第一薄膜晶体管ST1的薄膜晶体管层TFTL可以设置在基底SUB上。薄膜晶体管层TFTL可以包括第一薄膜晶体管ST1、第一连接电极ANDE1、第一缓冲层BF1、栅极绝缘层130、第一层间介电层141、第二层间介电层142、第一平坦化层150以及第二平坦化层160和第一无机层161。
第一缓冲层BF1可以设置在基底SUB上。第一缓冲层BF1可以由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层形成。
第一薄膜晶体管ST1可以设置在第一缓冲层BF1上。第一薄膜晶体管ST1可以包括第一有源层ACT1、第一栅极电极G1、第一源极电极S1和第一漏极电极D1。
第一薄膜晶体管ST1的第一有源层ACT1可以设置在第一缓冲层BF1上。第一有源层ACT1可以包括诸如多晶硅、单晶硅、低温多晶硅和/或非晶硅的硅半导体(例如，可以是诸如多晶硅、单晶硅、低温多晶硅和/或非晶硅的硅半导体)。第一有源层ACT1的在第三方向(Z轴方向)上(例如，在平面图中)与第一栅极电极G1重叠的部分可以限定为沟道区。第一有源层ACT1的在第三方向(Z轴方向)上不与第一栅极电极G1重叠的其它部分可以限定为导电区。第一有源层ACT1的导电区可以通过用离子和/或杂质掺杂硅半导体而具有导电性。
栅极绝缘层130可以形成在第一薄膜晶体管ST1的第一有源层ACT1上。栅极绝缘层130可以由无机层例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层形成。
第一薄膜晶体管ST1的第一栅极电极G1和第一电容器电极CAE1可以设置在栅极绝缘层130上。第一薄膜晶体管ST1的第一栅极电极G1可以在第三方向(Z轴方向)上(例如，在平面图中)与第一有源层ACT1重叠。第一电容器电极CAE1可以在第三方向(Z轴方向)上(例如，在平面图中)与第二电容器电极CAE2重叠。第一栅极电极G1和第一电容器电极CAE1可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或它们的合金的单层或多层组成。
第一层间介电层141可以设置在第一栅极电极G1和第一电容器电极CAE1上。第一层间介电层141可以由无机层例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层形成。第一层间介电层141可以包括多个无机层。
第二电容器电极CAE2可以设置在第一层间介电层141上。第二电容器电极CAE2可以在第三方向(Z轴方向)上(例如，在平面图中)与第一电容器电极CAE1重叠。因为第一层间介电层141具有预定或设定的介电常数，所以电容器能由第一电容器电极CAE1、第二电容器电极CAE2和第一层间介电层141形成。第二电容器电极CAE2可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或它们的合金的单层或多层组成。
第二层间介电层142可以设置在第二电容器电极CAE2上方。第二层间介电层142可以由无机层例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层形成。
第一薄膜晶体管ST1的第一源极电极S1和第一漏极电极D1可以设置在第二层间介电层142上。第一源极电极S1和第一漏极电极D1可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或它们的合金的单层、或钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或它们的合金的多层组成。
第一薄膜晶体管ST1的第一源极电极S1可以通过穿透栅极绝缘层130、第一层间介电层141和第二层间介电层142的接触孔耦接(例如，连接)到定位在第一有源层ACT1的沟道区的第一侧上的导电区。第一薄膜晶体管ST1的第一漏极电极D1可以通过穿透栅极绝缘层130、第一层间介电层141和第二层间介电层142的接触孔耦接(例如，连接)到定位在第一有源层ACT1的与沟道区的第一侧相对的沟道区的相对侧上的导电区。
第一平坦化层150可以设置在第一源极电极S1和第一漏极电极D1上，以在具有不同层级(level)的薄膜晶体管上方提供平坦的表面。第一平坦化层150可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机层形成。
第一连接电极ANDE1可以设置在第一平坦化层150上。第一连接电极ANDE1可以通过贯穿第一平坦化层150的接触孔耦接(例如，连接)到第一薄膜晶体管ST1的第一源极电极S1或第一漏极电极D1。第一连接电极ANDE1可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或它们的合金的单层或多层组成。
第二平坦化层160可以设置在第一连接电极ANDE1上。第二平坦化层160可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机层形成。
第一无机层161可以设置在第二平坦化层160上。第一无机层161可以由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层组成。
发射材料层EML设置在薄膜晶体管层TFTL上。发射材料层EML可以包括发光元件和堤180。
发光元件中的每一个可以包括像素电极171、发射层172和公共电极173。在发射区域EA1、EA2、EA3和EA4中的每一个中，像素电极171、发射层172和公共电极173顺序地彼此堆叠，使得来自像素电极171的空穴和来自公共电极173的电子在发射层172中彼此结合以发射光。在这种情况下，像素电极171可以是阳极电极，而公共电极173可以是阴极电极。尽管在图8中示出了第三发射区域EA3，但是第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第四发射区域EA4可以与图8中示出的第三发射区域EA3基本上相同(例如，可以具有与图8中示出的第三发射区域EA3基本上相同的结构和/或配置)。
像素电极171可以形成在第一无机层161上。像素电极171可以通过贯穿第一无机层161和第二平坦化层160的接触孔耦接(例如，连接)到第一连接电极ANDE1。
在其中光从发射层172朝向公共电极173出射的顶部发射结构中，像素电极171可以由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)和/或铝(Al)的单层组成或者可以由铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、和/或APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)组成，以提高反射率。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
堤180用于限定显示像素的发射区域EA1、EA2、EA3和EA4中的每一个。为此，堤180可以形成在第一无机层161上以暴露像素电极171的一部分。堤180可以覆盖像素电极171的边缘。像素电极171可以设置在穿透第一无机层161和第二平坦化层160的接触孔中。因此，贯穿第一无机层161和第二平坦化层160的接触孔可以被像素电极171填充。堤180可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂的有机层形成。
发射层172形成在像素电极171上。发射层172可以包括有机材料(例如，可以是有机材料)，并且可以发射某种颜色的光。例如，发射层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。有机材料层可以包括主体和掺杂剂(例如，可以是主体和掺杂剂)。有机材料层可以包括(例如，可以是)用于发射预定或设定的光(例如，具有预定或设定的颜色或波长的光)的材料，并且可以利用(例如，使用)磷光体和/或荧光材料形成。
公共电极173形成在发射层172上。公共电极173可以形成为覆盖发射层172。公共电极173可以是跨显示像素形成的公共层。覆盖层可以形成在公共电极173上。
在顶部发射结构中，公共电极173可以由能透射光的诸如ITO和/或IZO的透明导电材料(TCP)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)和/或镁(Mg)和银(Ag)的合金的半透射导电材料形成。当公共电极173由半透射金属材料形成时，能通过利用(例如，使用)微腔来提高光提取效率。
封装层TFEL可以形成在发射材料层EML上。封装层TFEL可以包括至少一个无机层，以防止或阻止氧和/或湿气渗透到发射材料层EML中。另外，封装层TFEL可以包括至少一个有机层以保护发射材料层EML免受颗粒的影响。
例如，封装层TFEL可以包括设置在公共电极173上的第一无机封装层191、设置在第一无机封装层191上的有机封装层192以及设置在有机封装层192上的第二无机封装层193。第一无机封装层191和第二无机封装层193可以各自由其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层的一个或多个无机层彼此交替地堆叠的多层组成。有机封装层可以是丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂。
传感器电极层SENL设置在封装层TFEL上。传感器电极层SENL可以包括驱动电极TE、感测电极RE和连接电极BE1。
第二缓冲层BF2可以设置在封装层TFEL上。第二缓冲层BF2可以包括至少一个无机层。例如，第二缓冲层BF2可以由其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或多个无机层彼此交替地堆叠的多层组成。
连接电极BE1可以设置在第二缓冲层BF2上。连接电极BE1可以由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)和/或铝(Al)的单层组成，或者可以由铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、和/或APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)组成。
第一传感器绝缘层TINS1可以设置在连接电极BE1上。第一传感器绝缘层TINS1可以由无机层例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层形成。
驱动电极TE和感测电极RE可以设置在第一传感器绝缘层TINS1上。为了防止或减少从发射区域EA1、EA2、EA3和EA4发射的光被驱动电极TE和/或感测电极RE阻挡从而降低光的照度的发生，驱动电极TE和感测电极RE不与发射区域EA1、EA2、EA3和EA4重叠。驱动电极TE和感测电极RE可以由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层组成，或者可以由铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)组成。
第二传感器绝缘层TINS2可以设置在驱动电极TE和感测电极RE上。第二传感器绝缘层TINS2可以包括无机层和/或有机层。无机层可以是氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层可以是丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂。
图9是示出图5的第三显示区域的示例的布局图。图9是图5的区域B的放大图。
参照图9，触摸驱动线TL可以在A方向DRA上被延伸(例如，可以在A方向DRA上延伸)。A方向DRA可以相对于第一方向(X轴方向)倾斜135度并且可以相对于第二方向(Y轴方向)倾斜45度。触摸驱动线TL可以布置在与A方向DRA交叉的B方向DRB上。B方向DRB可以相对于第一方向(X轴方向)倾斜45度并且可以相对于第二方向(Y轴方向)倾斜45度。
第三像素PX3可以设置在彼此相邻的触摸驱动线TL之间。设置在彼此相邻的触摸驱动线TL之间的第三像素PX3可以布置在A方向DRA上。至少一条触摸驱动线TL可以设置于在B方向DRB上彼此相邻的第二发射区域EA2"之间。触摸驱动线TL之间在B方向DRB上的间隔距离和第三像素PX3之间在B方向DRB上的间隔距离可以为近似几十μm。如本文中所使用的，术语μm可以表示等于10-6米的距离。
第三像素PX3中的每一个可以包括多个发射区域EA1"、EA2"和EA3"。第三像素PX3中的每一个的发射区域EA1"、EA2"和EA3"的数量可以与第一像素PX1中的每一个的发射区域EA1、EA2、EA3和EA4的数量不同。
例如，第三像素PX3中的每一个可以包括第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"。第一发射区域EA1"是指用于发射第一光的第一子像素的发射区域，第二发射区域EA2"是指用于发射第二光的第二子像素的发射区域，并且第三发射区域EA3"是指用于发射第三光的第三子像素的发射区域。
第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"可以发射不同颜色的光。例如，第一发射区域EA1"可以发射红色的光，第二发射区域EA2"可以发射绿色的光，并且第三发射区域EA3"可以发射蓝色的光。
第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"可以布置在第一方向(X轴方向)上。在一些实施例中，第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"可以布置在B方向DRB上。
当从顶部观察时(例如，在平面图中)，第三像素PX3的发射区域EA1"、EA2"和EA3"中的每一个的形状可以与第一像素PX1的发射区域EA1、EA2、EA3和EA4中的每一个的形状不同。例如，当从顶部观察时(例如，在平面图中)，第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"中的每一个可以具有矩形形状。当从顶部观察时(例如，在平面图中)，第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"中的每一个可以具有矩形形状，该矩形形状具有在第一方向(X轴方向)上的较短边和在第二方向(Y轴方向)上的较长边。
然而，应当理解的是，当从顶部观察时(例如，在平面图中)，第一发射区域EA1”、第二发射区域EA2”和第三发射区域EA3”中的每一个的形状不限于此。当从顶部观察时(例如，在平面图中)，第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"中的每一个可以具有除了四边形形状、圆形形状或椭圆形形状之外的其它合适的多边形形状。尽管在图9中示出的示例中，第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"具有基本上相同的面积(例如，平面图中的平面面积)，但是本公开不限于此。从第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"之中选择的至少一个可以具有不同于第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"之中的其它发射区域的面积。
第一坝DAM1可以设置在第三显示区域DA3的相邻于第二显示区域DA2的边缘处。第一坝DAM1可以设置在触摸驱动线TL和第二显示区域DA2的切口图案CP之间。第一坝DAM1可以是用于防止或阻挡封装层TFEL的有机封装层192(见图10)溢出的特征。第一坝DAM1可以在A方向DRA上被延伸(例如，可以在A方向DRA上延伸)。
如图9中所示，包括用于显示图像的第三像素PX3的第三显示区域DA3设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间。因此，可以防止或减少用户识别显示在第一显示区域DA1上的图像和显示在第二显示区域DA2上的图像之间的间隙的发生。
图10是示出沿着图9的线III-III'截取的显示面板的示例的截面图。
图10的薄膜晶体管层TFTL的第二薄膜晶体管ST2、第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"可以与薄膜晶体管层TFTL的第一薄膜晶体管ST1和第三发射区域EA3基本上相同；并且因此，可以不提供冗余的描述。
为了防止或减少由于从发射区域EA1"、EA2"和EA3"发射的光被驱动电极TE和感测电极RE阻挡而降低光的照度的发生，触摸驱动线TL不与第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"或第三发射区域EA3"重叠。触摸驱动线TL可以设置在第二缓冲层BF2上。触摸驱动线TL可以与图8的连接电极BE1在相同的层上由相同的材料制成。
扫描驱动器电路的扫描驱动晶体管SDT可以包括扫描有源层SACT、扫描栅极电极SG、扫描源极电极SS和扫描漏极电极SD。扫描驱动晶体管SDT的扫描有源层SACT、扫描栅极电极SG、扫描源极电极SS和扫描漏极电极SD可以分别与上面参照图8描述的第一薄膜晶体管ST1的第一有源层ACT1、第一栅极电极G1、第一源极电极S1和第一漏极电极D1基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。
扫描驱动晶体管SDT与用于驱动第三像素PX3的第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"的第二薄膜晶体管ST2一起设置在薄膜晶体管层TFTL中。因此，为了避开第二薄膜晶体管ST2，扫描驱动晶体管SDT可以设置在其中未设置有第二薄膜晶体管ST2的位置中。例如，在平面图中，扫描驱动晶体管SDT可以与第二薄膜晶体管ST2间隔开，使得扫描驱动晶体管SDT和第二薄膜晶体管ST2不彼此干扰。因为触摸驱动线TL设置为不与第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"重叠，所以扫描驱动晶体管SDT可以在第三方向(Z轴方向)上(例如，在平面图中)与触摸驱动线TL重叠。
第一电压连接线VSEL可以设置在第二层间介电层142上。第一电压连接线VSEL可以由与第一薄膜晶体管ST1的第一源极电极S1和第一漏极电极D1、第二薄膜晶体管ST2的第二源极电极S2和第二漏极电极D2以及扫描驱动晶体管SDT的扫描源极电极SS和扫描漏极电极SD相同的材料制成。
第一电压线VSL可以设置在第一平坦化层150上。在一些实施例中，第一电压线VSL可以是第一供应电压线。第一电压线VSL可以由与第一连接电极ANDE1相同的材料形成。第一电压线VSL可以通过贯穿第一平坦化层150的接触孔耦接(例如，连接)到第一电压连接线VSEL。第一供应电压可以施加到第一电压线VSL。
发光元件中的每一个可以包括像素电极171"、发射层172"和公共电极173"。公共电极173"可以通过贯穿第二平坦化层160的接触孔耦接(例如，连接)到第一电压线VSL。第一电压线VSL的第一供应电压可以施加到公共电极173"。
第一坝DAM1可以设置在第三显示区域DA3中，以防止或阻挡薄膜封装层TFEL的有机封装层192溢出。第一坝DAM1可以包括由与第一平坦化层150相同的材料制成的第一子坝SDAM1、由与第二平坦化层160相同的材料制成的第二子坝SDAM2以及由与堤180相同的材料制成的第三子坝SDAM3。由于第一坝DAM1，有机封装层192的端部可以设置在最外侧的第一发射区域EA1"和第一坝DAM1之间。第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置在第一坝DAM1上。第一无机封装层191和第二无机封装层193可以在第一坝DAM1上彼此接触。
用于限制流动越过第一坝DAM1的有机封装层192的另一坝可以设置在第一坝DAM1的外侧上。另一坝可以具有与第一坝DAM1基本上相同的结构。在一些实施例中，另一坝可以包括从第一坝DAM1的第一子坝SDAM1、第二子坝SDAM2和第三子坝SDAM3之中选择的至少一个。
如图10中所示，扫描驱动器电路的扫描驱动晶体管SDT可以设置在其中未设置有第二薄膜晶体管ST2的位置处，以便避开用于驱动第三像素PX3的第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"的第二薄膜晶体管ST2。在这种情况下，因为触摸驱动线TL设置为不与第一发射区域EA1"、第二发射区域EA2"和第三发射区域EA3"重叠，所以扫描驱动晶体管SDT可以在第三方向(Z轴方向)上(例如，在平面图中)与触摸驱动线TL重叠。
图11是示出图5的第二显示区域的示例的布局图。
参照图11，第二显示区域DA2可以包括切口图案CP和切割槽CG。切口图案CP可以通过用激光切割显示面板300(参见图3)形成。因此，切割槽CG可以形成在彼此相邻的切口图案CP之间。
切口图案CP中的每一个的一个端部可以耦接(例如，连接)到第三显示区域DA3，并且切口图案CP中的每一个的另一端部可以耦接(例如，连接)到切口连接图案CBP或非显示区域NDA。当从顶部观察时(例如，在平面图中)，切口图案CP可以形成为类似于梯形形状的形状。切口图案CP的宽度可以从第三显示区域DA3朝向切口连接图案CBP或非显示区域NDA更宽或更窄。在一些实施例中，切口图案CP的在第三显示区域DA3处的宽度可以大于切口图案CP的在切口连接图案CBP处的宽度。例如，切口图案CP的宽度可以从第三显示区域DA3朝向(例如，到)切口连接图案CBP连续地或不连续地变化。例如，切口图案CP的宽度可以从第三显示区域DA3到切口连接图案CBP沿着切口图案CP的长度变化。另外，当从顶部观察时(例如，在平面图中)，切口图案CP可以形成为矩形形状、菱形形状或除了四边形形状之外的任何合适的多边形形状。
第二像素PX2、第二坝DAM2和电源接触孔PCT可以设置在切口图案CP中的每一个中。
第二像素PX2可以布置在C方向DRC上(例如，沿着C方向DRC布置)。第二坝DAM2可以设置为在第二像素PX2周围(例如，设置为围绕第二像素PX2)。第二坝DAM2可以设置在切口图案CP中的每一个的边缘处。例如，第二坝DAM2可以沿着相应的切口图案CP的边界延伸以围绕相应的切口图案CP的第二像素PX2。
第二像素PX2中的每一个可以包括多个发射区域EA1'、EA2'和EA3'。第二像素PX2中的每一个的发射区域EA1'、EA2'和EA3'的数量可以与图7中所示的第一像素PX1中的每一个的发射区域EA1、EA2、EA3和EA4的数量不同。第二像素PX2中的每一个的发射区域EA1'、EA2'和EA3'的数量可以等于但不限于等于图9中所示的第三像素PX3中的每一个的发射区域EA1"、EA2"、EA3"的数量。第二像素PX2中的每一个的发射区域EA1'、EA2'和EA3'的数量可以与图9中所示的第三像素PX3中的每一个的发射区域EA1"、EA2"和EA3"的数量不同。
例如，第二像素PX2中的每一个可以包括第一发射区域EA1'、第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'。第一发射区域EA1'是指用于发射第一光的第一子像素的发射区域，第二发射区域EA2'是指用于发射第二光的第二子像素的发射区域，并且第三发射区域EA3'是指用于发射第三光的第三子像素的发射区域。
第一发射区域EA1'、第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'可以发射不同颜色的光。例如，第一发射区域EA1'可以发射红色的光，第二发射区域EA2'可以发射绿色的光，并且第三发射区域EA3'可以发射蓝色的光。
第一发射区域EA1'、第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'可以布置在C方向DRC上。当从顶部观察时(例如，在平面图中)，第一发射区域EA1'、第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'中的每一个可以具有矩形形状。例如，当从顶部观察时(例如，在平面图中)时，第一发射区域EA1'、第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'中的每一个可以具有矩形形状，该矩形形状具有在C方向DRC上的较短边和在D方向DRD上的较长边。然而，应当理解的是，本公开不限于此。当从顶部观察时(例如，在平面图中)，第一发射区域EA1'、第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'中的每一个可以具有除了四边形形状、圆形形状或椭圆形形状之外的其它合适的多边形形状。尽管在图11中示出的示例中，第一发射区域EA1'、第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'具有基本上相同的面积，但是本公开不限于此。从第一发射区域EA1'、第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'之中选择的至少一个可以具有不同于第一发射区域EA1'、第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'之中的其它发射区域的面积。
第一封装分隔件ED1可以设置在彼此相邻的第二像素PX2之间。当第一封装分隔件ED1设置于在C方向DRC上相邻的第二像素PX2之间时，第一封装分隔件ED1可以在D方向DRD上被延伸(例如，可以在D方向DRD上延伸)。第一封装分隔件ED1可以耦接(例如，连接)到第二坝DAM2。例如，第一封装分隔件ED1可以在两个相邻的第二像素PX2之间从第二坝DAM2的一部分延伸到第二坝DAM2的另一部分。例如，第一封装分隔件ED1可以划分切口图案CP的第二坝DAM2围绕的区域。
如图12中所示，在第一封装分隔件ED1中，第一无机层161可以与公共电极173'接触，第一无机封装层191可以与公共电极173'接触，并且第二无机封装层193可以与第一无机封装层191接触。在第二坝DAM2中，第一无机封装层191可以与第一无机层161接触，并且第二无机封装层193可以与第一无机封装层191接触。多个无机层可以堆叠在第一封装分隔件ED1和第二坝DAM2中。因此，由第一封装分隔件ED1和第二坝DAM2限定的区域能够被单独地封装。例如，单独的封装区域IEA可以由第一封装分隔件ED1和第二坝DAM2限定。例如，单独的封装区域IEA中的每一个可以被第一封装分隔件ED1和第二坝DAM2围绕。
第二像素PX2可以设置在单独的封装区域IEA中的每一个中。例如，因为第二像素PX2中的每一个被第一封装分隔件ED1和第二坝DAM2围绕，所以它们能够被单独地封装。因此，即使切口图案CP的第二像素PX2中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，也可以防止或减少对切口图案CP的其它第二像素PX2的损坏。例如，即使当切口图案CP的第二像素PX2中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点时，也可以防止或减少切口图案CP的所有第二像素PX2被视为暗点的发生。
电源接触孔PCT可以设置在由第二坝DAM2围绕的区域中。电源接触孔PCT可以设置在单独的封装区域IEA中的一个中。例如，电源接触孔PCT可以设置在第二坝DAM2和设置在切口图案CP的一个边缘处的第二像素PX2之间。切口图案CP的边缘可以是切口图案CP的相邻于非显示区域NDA或切口连接图案CBP的边缘。电源接触孔PCT可以是第一电压线VSL(见图13)和公共电极173'(见图13)耦接(例如，连接)于此处(例如，至此处)的电源连接孔。因此，第一电压线VSL(见图13)的第一供应电压可以施加到公共电极173'(见图13)。
图12是示出沿着图11的线IV-IV'截取的显示面板的示例的截面图。图13是示出沿着图11的线V-V'截取的显示面板的示例的截面图。
薄膜晶体管层TFTL的第三薄膜晶体管ST3、第一发射区域EA1'和第三发射区域EA3'可以分别与上面参照图8描述的薄膜晶体管层TFTL的第一薄膜晶体管ST1、第一发射区域EA1和第三发射区域EA3基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。尽管在图12中示出了第一发射区域EA1'和第三发射区域EA3'，但是第二发射区域EA2'可以与图12中示出的第一发射区域EA1'和第三发射区域EA3'基本上相同。
第二显示区域DA2包括通过用激光切割显示面板300(参见图3)形成的切口图案CP和切割槽CG。封装层TFEL的有机封装层192(参见图8和图10)可以经由喷墨工艺形成。如果切口图案CP的在D方向DRD上的长度或宽度在几十μm的范围内，则难以在切口图案CP的第二坝DAM2以内形成有机封装层192。如果有机封装层192形成在切割槽CG中，则切口图案CP通过有机封装层192耦接(例如，连接)。因此，由于双曲率而施加到第二显示区域DA2的应变和应力可能未充分地减小。因此，第一显示区域DA1和第三显示区域DA3中的封装层TFEL包括第一无机封装层191、有机封装层192和第二无机封装层193，而第二显示区域DA2中的封装层TFEL包括第一无机封装层191和第二无机封装层193，但是不包括有机封装层192。
因为封装层TFEL的有机封装层192高于第一无机封装层191和第二无机封装层193，所以封装层TFEL的有机封装层192起到颗粒覆盖层的作用以覆盖颗粒。当封装层TFEL在第二显示区域DA2中不包括有机封装层192时，第一无机封装层191和第二无机封装层193的一部分可能被颗粒破坏。因此，可能引入湿气和/或氧，并且因此可能损坏发射层172'。当这种情况发生时，设置在切口图案CP上的所有第二像素PX2可能显示为暗点。
第一封装分隔件ED1可以包括第一孔DH1。第一孔DH1可以是贯穿第二平坦化层160和堤180的孔。第一孔DH1可以包括穿透第二平坦化层160的第一子孔SDH1以及贯穿堤180的第二子孔SDH2。第一子孔SDH1的尺寸(例如，平面图中的平面面积)可以小于第二子孔SDH2的尺寸(例如，平面图中的平面面积)。例如，第一子孔SDH1的在C方向DRC上的长度可以小于第二子孔SDH2的在C方向DRC上的长度。
因为第一子孔SDH1的尺寸可以小于第二子孔SDH2的尺寸，所以第一无机层161的上表面的一部分可以不被堤180覆盖。第一无机层161的上表面的一部分可以与公共电极173'接触。
第二坝DAM2可以包括由与第二平坦化层160相同的材料制成的第一子坝SDAM1'、由与第一无机层161相同的材料制成的第二子坝SDAM2'以及由与堤180相同的材料制成的第三子坝SDAM3'。第二坝DAM2还可以包括设置在第三子坝SDAM3'上的第四子坝。
第二坝DAM2可以在截面图中形成为底切形状。例如，第二子坝SDAM2'的在一个方向上的最大长度可以大于第一子坝SDAM1'的在该方向上的最大长度。例如，在平面图中第二子坝SDAM2'的一部分可以延伸超过第一子坝SDAM1'的边缘，使得在截面图中第二子坝SDAM2'悬于第一子坝SDAM1'之上。因此，即使发射层172'或公共电极173'形成至第二坝DAM2，发射层172'或公共电极173'也可以由于第二坝DAM2的在截面图中的底切形状而分开(例如，断开)。
第一无机层161、公共电极173'、第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置在第一孔DH1中。贯穿第二平坦化层160的坝孔DMH可以形成在第二坝DAM2的内侧上。第一无机层161、第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置在坝孔DMH中。因此，第二像素PX2中的每一个可以被第一封装分隔件ED1的第一孔DH1和第二坝DAM2的坝孔DMH围绕。因此，因为无机层在第一孔DH1和第二坝DAM2的坝孔DMH中彼此接触，所以第二像素PX2中的每一个能够被单独地封装。因此，即使切口图案CP的第二像素PX2中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，也可以防止或减少对切口图案CP的其它第二像素PX2的损坏。例如，即使当切口图案CP的第二像素PX2中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点时，也可以防止或减少切口图案CP的所有第二像素PX2被视为暗点的发生。
另外，第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置在切口图案CP的切割表面或侧部上。例如，第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置在切口图案CP的基底SUB、第一缓冲层BF1、栅极绝缘层130、第一层间介电层141、第二层间介电层142和第一平坦化层150的切割表面或侧部上。因此，可以防止或减少当通过切口图案CP的切割表面或侧部引入湿气和/或氧时可能发生的对发射层172'的损坏。
电源接触孔PCT贯穿第二平坦化层160以暴露第一电压线VSL。公共电极173'可以通过电源接触孔PCT耦接(例如，连接)到第一电压线VSL。
图14是示出图5的第二显示区域的另一示例的布局图。图15是示出沿着图14的线VI-VI'截取的显示面板的示例的截面图。
图14和图15的示例实施例与图11和图12的示例实施例的不同之处在于，第一封装分隔件ED1的第一孔DH1'具有底切形状以及电源接触孔PCT设置在单独的封装区域IEA中的每一个中。将集中于不同之处进行描述。
参照图14和图15，第一孔DH1'可以包括第一子孔SDH1'和第二子孔SDH2'。
第一子孔SDH1'可以穿透第二平坦化层160以暴露设置在第一平坦化层150上的第二无机层162。第一子孔SDH1'可以在截面图中形成为底切形状。底切形状是指其中入口小于底部的孔或其中入口小于入口与底部之间的区域的孔。在截面图中具有底切形状的孔可以类似于截面图中的罐或屋顶的屋檐。例如，第一子孔SDH1'的入口可以由第一无机层161限定。第一无机层161的下表面可以不被第二平坦化层160覆盖。出于这个原因，第一子孔SDH1'的入口的尺寸可以小于第一子孔SDH1'的入口和底部之间的区域的尺寸。在一些实施例中，在平面图中第一无机层161的一部分可以延伸超过第二平坦化层160的形成第一子孔SDH1'的侧表面，使得在截面图中第一无机层161悬于第二平坦化层160之上，并且平面图中的第一无机层161中的与第一子孔SDH1'重叠的开口的长度小于第一子孔SDH1'的在第一无机层161的下表面处的长度。
在第一子孔SDH1'中，第一浮置图案FP1、第二浮置图案FP2、第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置(例如，顺序地堆叠)在第二无机层162上。因为发射层172'和公共电极173'具有差的台阶覆盖，所以发射层172'和公共电极173'可以不设置在第一子孔SDH1'的侧壁上。因此，发射层172'和公共电极173'可以在第一封装分隔件ED1处分开(例如，断开)。台阶覆盖是指随后的层均匀地覆盖已经存在于基底上的层级(“台阶”)而没有被分开(例如，断开)的能力。
第一浮置图案FP1可以设置在第一子孔SDH1'中在第二无机层162上。第一浮置图案FP1可以是发射层172'的残留层，其未耦接(例如，未连接)到发射层172'而是与发射层172'分开(例如，断开)。第一浮置图案FP1可以由与发射层172'相同的材料制成。
另外，第二浮置图案FP2可以设置在第一子孔SDH1中在第二无机层162上(例如，第一浮置图案FP1上方)。第二浮置图案FP2可以是公共电极173'的残留层，其未耦接(例如，未连接)到公共电极173'而是与公共电极173'分开(例如，断开)。第二浮置图案FP2可以由与公共电极173'相同的材料制成。
因为公共电极173'由于第一孔DH1'的在截面图中的底切形状而在第一封装分隔件ED1处分开(例如，断开)，所以单独的封装区域IEA的公共电极173'与相邻于该单独的封装区域IEA的另一单独的封装区域IEA的公共电极173'分开(例如，断开)，第一封装分隔件ED1在单独的封装区域IEA和另一单独的封装区域IEA之间。因此，用于将第一供应电压施加到公共电极173'的电源接触孔PCT可以设置在单独的封装区域IEA中的每一个中。
第二子孔SDH2'可以贯穿堤180。第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置在第二子孔SDH2'中。
图16是示出图5的第二显示区域的又一示例的布局图。图17是示出沿着图16的线VII-VII'截取的显示面板的示例的截面图。
图16和图17的示例实施例与图11和图12的示例实施例的不同之处在于，第二封装分隔件ED2设置在第二像素PX2中的每一个的第一发射区域EA1'和第二发射区域EA2'之间以及第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'之间。将集中于不同之处进行描述。
第二封装分隔件ED2可以设置在第二像素PX2中的每一个的第一发射区域EA1'和第二发射区域EA2'之间以及第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'之间。当第二封装分隔件ED2设置于在C方向DRC上相邻的发射区域EA1'、EA2'和EA3'之间时，第二封装分隔件ED2可以在D方向DRD上被延伸(例如，可以在D方向DRD上延伸)。第二封装分隔件ED2可以耦接(例如，连接)到第二坝DAM2。例如，第二封装分隔件ED2可以从第二坝DAM2的一部分延伸到第二坝DAM2的另一部分，以划分切口图案CP的由第二坝DAM2围绕的区域。
第二封装分隔件ED2可以包括第二孔DH2。第二孔DH2可以贯穿第二平坦化层160和堤180。第二孔DH2可以与图12中示出的第一封装分隔件ED1的第一孔DH1基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。
在第一封装分隔件ED1和第二封装分隔件ED2中，第一无机层161可以与公共电极173'接触，第一无机封装层191可以与公共电极173'接触，并且第二无机封装层193可以与第一无机封装层191接触。在第二坝DAM2中，第一无机封装层191可以与第一无机层161接触，并且第二无机封装层193可以与第一无机封装层191接触。在一些实施例中，在坝孔DMH中，第一无机封装层191可以与第一无机层161接触，并且第二无机封装层193可以与第一无机封装层191接触。多个无机层可以堆叠在第一封装分隔件ED1、第二封装分隔件ED2和第二坝DAM2中。在一些实施例中，多个无机层可以堆叠在坝孔DMH中。因此，由第一封装分隔件ED1、第二封装分隔件ED2和第二坝DAM2限定的区域能够被单独地封装。例如，单独的封装区域IEA中的每一个可以由第一封装分隔件ED1、第二封装分隔件ED2和第二坝DAM2限定。
第二像素PX2的发射区域EA1'、EA2'和EA3'可以分别设置在单独的封装区域IEA中。例如，第二像素PX2的发射区域EA1'、EA2'和EA3'中的每一个被第一封装分隔件ED1、第二封装分隔件ED2和/或第二坝DAM2围绕，并且因此它们能够被单独地封装。在一些实施例中，第二像素PX2的发射区域EA1'、EA2'和EA3'中的每一个可以被第一封装分隔件ED1和第二封装分隔件ED2中的一个或两个以及第二坝DAM2围绕。因此，即使切口图案CP的第二像素PX2的发射区域EA1'、EA2'和EA3'中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，也可以防止或减少对切口图案CP的第二像素PX2的发射区域EA1'、EA2'和EA3'中的其它发射区域的损坏。因此，即使切口图案CP的第二像素PX2的发射区域EA1'、EA2'和EA3'中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，也可以防止或减少切口图案CP的第二像素PX2的所有发射区域EA1'、EA2'和EA3'显示为暗点的发生。
图18是示出图5的第二显示区域的又一示例的布局图。图19是示出沿着图18的线VIII-VIII'截取的显示面板的示例的截面图。
图18和图19的示例实施例与图16和图17的示例实施例的不同之处在于，第一封装分隔件ED1的第一孔DH1'具有底切形状以及电源接触孔PCT设置在单独的封装区域IEA中的每一个中。
根据图18和图19的示例性实施例的第一孔DH1'的在截面图中的底切形状和单独的封装区域IEA中的每一个中的电源接触孔PCT与上面参照图14和图15描述的第一孔DH1'的在截面图中的底切形状和单独的封装区域IEA中的每一个中的电源接触孔PCT基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。
图20是示出图5的第二显示区域的又一示例的布局图。图21是示出沿着图20的线X-X'截取的显示面板的示例的截面图。
图20和图21的示例实施例与图11和图12的示例实施例的不同之处在于，第一发射区域EA1'包括第一子发射区域EA11和第二子发射区域EA12，第二发射区域EA2'包括第三子发射区域EA21和第四子发射区域EA22，第三发射区域EA3'包括第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32，以及进一步设置第三封装分隔件ED3。将集中于不同之处进行描述。图20的沿着线IX-IX'截取的显示面板的截面图与图12的截面图基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。图21可以适用于第一发射区域EA1'的第一子发射区域EA11和第二子发射区域EA12、第二发射区域EA2'的第三子发射区域EA21和第四子发射区域EA22、以及第三发射区域EA3'的第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32。
参照图20和图21，第一子发射区域EA11的像素电极171'和第二子发射区域EA12的像素电极171'可以耦接(例如，连接)到相同的第一连接电极ANDE1。因此，第一子发射区域EA11的像素电极171'和第二子发射区域EA12的像素电极171'可以电耦接(例如，电连接)到相同的第三薄膜晶体管ST3的第三源极电极S3或第三漏极电极D3。因此，相同的电压可以施加到第一子发射区域EA11的像素电极171'和第二子发射区域EA12的像素电极171'。因此，第一发射区域EA1'的第一子发射区域EA11和第二子发射区域EA12可以发射具有相同亮度的相同的光。例如，第一子发射区域EA11和第二子发射区域EA12可以发射具有相同亮度的红光。
第三子发射区域EA21的像素电极171'和第四子发射区域EA22的像素电极171'可以耦接(例如，连接)到相同的第一连接电极ANDE1。因此，第三子发射区域EA21的像素电极171'和第四子发射区域EA22的像素电极171'可以电耦接(例如，电连接)到相同的第三薄膜晶体管ST3的第三源极电极S3或第三漏极电极D3。因此，相同的电压可以施加到第三子发射区域EA21的像素电极171'和第四子发射区域EA22的像素电极171'。因此，第二发射区域EA2'的第三子发射区域EA21和第四子发射区域EA22可以发射具有相同亮度的相同的光。例如，第三子发射区域EA21和第四子发射区域EA22可以发射具有相同亮度的绿光。
第五子发射区域EA31的像素电极171'和第六子发射区域EA32的像素电极171'可以耦接(例如，连接)到相同的第一连接电极ANDE1。因此，第五子发射区域EA31的像素电极171'和第六子发射区域EA32的像素电极171'可以电耦接(例如，电连接)到相同的第三薄膜晶体管ST3的第三源极电极S3或第三漏极电极D3。因此，相同的电压可以施加到第五子发射区域EA31的像素电极171'和第六子发射区域EA32的像素电极171'。因此，第三发射区域EA3'的第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32可以发射具有相同亮度的相同的光。例如，第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32可以发射具有相同亮度的蓝光。
尽管在图20中示出的示例中，当从顶部观察时(例如，在平面图中)，第一子发射区域EA11、第二子发射区域EA12、第三子发射区域EA21、第四子发射区域EA22、第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32中的每一个具有矩形形状，该矩形形状具有在C方向DRC上的较短边和在D方向DRD上的较长边，但是本公开不限于此。当从顶部观察时(例如，在平面图中)，第一子发射区域EA11、第二子发射区域EA12、第三子发射区域EA21、第四子发射区域EA22、第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32中的每一个可以具有除了四边形形状、圆形形状或椭圆形形状之外的合适的多边形形状。另外，尽管在图20中示出的示例中，第一子发射区域EA11、第二子发射区域EA12、第三子发射区域EA21、第四子发射区域EA22、第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32具有基本上相同的面积(例如，平面图中的平面面积)，但是本公开不限于此。从第一子发射区域EA11、第二子发射区域EA12、第三子发射区域EA21、第四子发射区域EA22、第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32之中选择的至少一个可以具有不同于第一子发射区域EA11、第二子发射区域EA12、第三子发射区域EA21、第四子发射区域EA22、第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32之中的其它发射区域的面积。
第一子发射区域EA11和第二子发射区域EA12可以在D方向DRD上彼此间隔开。第三子发射区域EA21和第四子发射区域EA22可以在D方向DRD上彼此间隔开。第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32可以在D方向DRD上彼此间隔开。
第三封装分隔件ED3可以设置在第一子发射区域EA11和第二子发射区域EA12之间、第三子发射区域EA21和第四子发射区域EA22之间以及第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32之间。第三封装分隔件ED3可以在C方向DRC上被延伸(例如，可以在C方向DRC上延伸)。第三封装分隔件ED3可以耦接(例如，连接)到第二坝DAM2。例如，第三封装分隔件ED3的一个端部可以耦接(例如，连接)到第二坝DAM2的一部分，并且第三封装分隔件ED3的另一端部可以耦接到第二坝DAM2的另一部分，以划分切口图案CP的由第二坝DAM2围绕的区域。
第三封装分隔件ED3可以包括第三孔DH3。第三孔DH3可以贯穿堤180以暴露第一无机层161。第三孔DH3可以定位在第一子发射区域EA11的像素电极171'和第二子发射区域EA12的像素电极171'之间。第三孔DH3可以定位在第三子发射区域EA21的像素电极171'和第四子发射区域EA22的像素电极171'之间。第三孔DH3可以定位在第五子发射区域EA31的像素电极171'和第六子发射区域EA32的像素电极171'之间。
公共电极173'、第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置在第三孔DH3中。因此，在第三封装分隔件ED3中，第一无机层161可以与公共电极173'接触，第一无机封装层191可以与公共电极173'接触，并且第二无机封装层193可以与第一无机封装层191接触。因此，湿气和/或氧的移动能够被第三封装分隔件ED3阻挡。因此，由第一封装分隔件ED1、第三封装分隔件ED3和第二坝DAM2限定的区域能够被单独地封装。例如，第一子发射区域EA11、第三子发射区域EA21和第五子发射区域EA31能够被单独地封装，并且第二子发射区域EA12、第四子发射区域EA22和第六子发射区域EA32能够被单独地封装。例如，第一子发射区域EA11、第三子发射区域EA21和第五子发射区域EA31可以被第一封装分隔件ED1、第三封装分隔件ED3和第二坝DAM2围绕。
因此，即使第一子发射区域EA11、第三子发射区域EA21和第五子发射区域EA31中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，也可以防止或减少第二子发射区域EA12、第四子发射区域EA22和第六子发射区域EA32被损坏并相应地显示为暗点的发生。另外，即使第二子发射区域EA12、第四子发射区域EA22和第六子发射区域EA32中的一个由于湿气由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，也可以防止或减少第一子发射区域EA11、第三子发射区域EA21和第五子发射区域EA31被损坏并相应地显示为暗点的发生。
例如，即使用于发射具有相同亮度的相同的光的第一发射区域EA1'的第一子发射区域EA11和第二子发射区域EA12中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，第一子发射区域EA11和第二子发射区域EA12中的另一个也可能不会显示为暗点。另外，即使用于发射具有相同亮度的相同的光的第二发射区域EA2'的第三子发射区域EA21和第四子发射区域EA22中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，第三子发射区域EA21和第四子发射区域EA22中的另一个也可能不会显示为暗点。此外，即使用于发射具有相同亮度的相同的光的第三发射区域EA3'的第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32中的一个由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32中的另一个也可能不会显示为暗点。因此，即使第二像素PX2的子发射区域EA11、EA12、EA21、EA22、EA31和EA32中的一些(例如第一子发射区域EA11、第三子发射区域EA21和第五子发射区域EA31)由于由颗粒导致湿气渗透而显示为暗点，也可以通过利用(例如，使用)其它子发射区域(例如第二子发射区域EA12、第四子发射区域EA22和第六子发射区域EA32)正常地显示图像。
图22是示出图5的第二显示区域的又一示例的布局图。图23是示出沿着图22的线B-B'截取的显示面板的示例的截面图。
图22和图23的示例实施例与图20和图21的示例实施例的不同之处在于，第三封装分隔件ED3的第三孔DH3'具有底切形状以及电源接触孔PCT设置在单独的封装区域IEA中的每一个中。
根据图22和图23的示例实施例的单独的封装区域IEA中的每一个中的电源接触孔PCT与上面参照图14和图15描述的单独的封装区域IEA中的每一个中的电源接触孔PCT基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。图22的沿着线A-A'截取的显示面板的截面图与图12的截面图基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。图23可以适用于第一发射区域EA1'的第一子发射区域EA11和第二子发射区域EA12、第二发射区域EA2'的第三子发射区域EA21和第四子发射区域EA22、以及第三发射区域EA3'的第五子发射区域EA31和第六子发射区域EA32。
参照图22和图23，第三封装分隔件ED3可以包括第三孔DH3'。第三孔DH3'可以贯穿第二平坦化层160、第一无机层161和堤180。第三孔DH3'可以定位在第一子发射区域EA11的像素电极171'和第二子发射区域EA12的像素电极171'之间。第三孔DH3'可以定位在第三子发射区域EA21的像素电极171'和第四子发射区域EA22的像素电极171'之间。第三孔DH3'可以定位在第五子发射区域EA31的像素电极171'和第六子发射区域EA32的像素电极171'之间。
第三孔DH3'可以包括第一子孔SDH1"和第二子孔SDH2"。
第一子孔SDH1”可以穿透第二平坦化层160以暴露第一连接电极ANDE1。第一子孔SDH1”可以在截面图中形成为底切形状。底切形状是指其中入口小于底部的孔或其中入口小于入口与底部之间的区域的孔。在截面图中具有底切形状的孔可以类似于截面图中的罐或屋顶的屋檐。例如，第一子孔SDH1”的入口可以由第一无机层161限定。第一无机层161的下表面可以不被第二平坦化层160覆盖。出于这个原因，第一子孔SDH1"的入口的尺寸可以小于第一子孔SDH1"的入口和底部之间的区域的尺寸。
在第一连接电极ANDE1上，第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置在第一子孔SDH1"中。因为发射层172'和公共电极173'具有差的台阶覆盖，所以发射层172'和公共电极173'可以不设置在第一子孔SDH1"的侧壁上。因此，发射层172'和公共电极173'可以在第三封装分隔件ED3处分开(例如，断开)。台阶覆盖是指随后的层均匀地覆盖已经存在于基底上的层级(“台阶”)而没有被分开(例如，断开)的能力。
第二子孔SDH2”可以贯穿堤180。第一无机封装层191和第二无机封装层193可以设置在第二子孔SDH2”中。
尽管在图23中示出的示例中在第一子孔SDH1"中没有设置浮置图案，但是可以在第一子孔SDH1"中设置如图15中所示的第一浮置图案FP1和第二浮置图案FP2。
如图23中所示，第一连接电极ANDE1可以与第一无机封装层191接触，并且第二无机封装层193可以与第一无机封装层191接触。因此，湿气和/或氧的移动能够被第三封装分隔件ED3阻挡。因此，由第一封装分隔件ED1、第三封装分隔件ED3和第二坝DAM2限定的区域能够被单独地封装。
顺便提及，因为公共电极173'由于第三孔DH3'的在截面图中的底切形状而在第三封装分隔件ED3处分开(例如，断开)，所以单独的封装区域IEA的公共电极173'与相邻于该单独的封装区域IEA的另一单独的封装区域IEA的公共电极173'分开(例如，断开)，第三封装分隔件ED3在单独的封装区域IEA和另一单独的封装区域IEA之间。因此，用于将第一供应电压施加到公共电极173'的电源接触孔PCT可以设置在单独的封装区域IEA中的每一个中。
图24是示出图5的第二显示区域的又一示例的布局图。
图24的示例实施例与图20和图21的示例实施例的不同之处在于，第二封装分隔件ED2设置在第二像素PX2中的每一个的第一发射区域EA1'和第二发射区域EA2'之间以及第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'之间。
第二封装分隔件ED2与上面参照图16和图17描述的第二封装分隔件ED2基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。图24的沿着线C-C'截取的显示面板的截面图与图17的截面图基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。图24的沿着线D-D'截取的显示面板的截面图与图21的截面图除了第三封装分隔件ED3以外基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。
图25是示出图5的第二显示区域的另一示例的布局图。
图25的示例实施例与图22和图23的示例实施例的不同之处在于，第二封装分隔件ED2设置在第二像素PX2中的每一个的第一发射区域EA1'和第二发射区域EA2'之间以及第二发射区域EA2'和第三发射区域EA3'之间。
第二封装分隔件ED2与上面参照图16和图17描述的第二封装分隔件ED2基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。图25的沿着线E-E'截取的显示面板的截面图与图17的截面图基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。图25的沿着线F-F'截取的显示面板的截面图与图23的截面图基本上相同。因此，可以不提供冗余的描述。
尽管已经出于说明性目的公开了本公开的一些实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离如所附权利范围及其等同物所限定的本公开的范围和精神的情况下，各种合适的修改、添加和替换是可能的。

Claims (25)

1.一种显示装置，包括：
显示面板，包括前部、从所述前部的第一侧延伸的第一侧部、从所述前部的第二侧延伸的第二侧部、以及在所述第一侧部和所述第二侧部之间的角部，
其中，所述显示面板包括：
第一显示区域，在所述前部处并且包括多个第一像素；和
第二显示区域，在所述角部处并且包括多个第二像素，并且
其中，所述第二显示区域包括在所述多个第二像素中的相邻第二像素之间的第一封装分隔件。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素和所述第二像素中的每一个包括多个发射区域，并且
其中，所述多个第一像素中的每一个的所述发射区域与所述多个第二像素中的每一个的所述发射区域在数量上不同。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二显示区域包括：
坝，在所述多个第二像素周围；和
多个单独的封装区域，由所述第一封装分隔件和所述坝限定，并且
其中，所述多个单独的封装区域中的每一个包括所述多个第二像素中的至少一个。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二显示区域还包括：电源连接孔，在所述多个单独的封装区域中的一个中。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二显示区域还包括：电源连接孔，在所述多个单独的封装区域中的每一个中。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个第二像素中的每一个包括：
薄膜晶体管，包括栅极电极、源极电极和漏极电极；
像素电极，通过贯穿在所述薄膜晶体管上的平坦化层的接触孔耦接到所述薄膜晶体管的所述源极电极或所述漏极电极；
发射层，在所述像素电极上；
公共电极，在所述发射层上；以及
第一无机封装层，在所述公共电极上。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一封装分隔件包括：第一孔，贯穿所述平坦化层。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述公共电极和所述第一无机封装层在所述第一孔中。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第二显示区域还包括：第一无机层，在所述平坦化层和所述像素电极之间。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一无机层在所述第一孔中并且与所述第一孔中的所述公共电极接触。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二显示区域还包括：第二无机封装层，在所述第一孔中。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二无机封装层与所述第一孔中的所述第一无机封装层接触。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一孔为底切形状。
14.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述多个第二像素中的每一个包括多个发射区域，并且其中，所述第二显示区域包括在所述多个发射区域中的相邻发射区域之间的第二封装分隔件。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述多个单独的封装区域中的每一个由所述第一封装分隔件、所述第二封装分隔件和所述坝限定，并且
其中，所述多个单独的封装区域中的每一个包括所述多个发射区域中的一个。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二封装分隔件包括：第二孔，贯穿所述平坦化层。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述公共电极和所述第一无机封装层在所述第二孔中。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述第二显示区域还包括：第一无机层，在所述平坦化层和所述像素电极之间，并且
其中，所述第一无机层在所述第二孔中并且与所述第二孔中的所述公共电极接触。
19.一种显示装置，包括：
显示面板，包括前部、从所述前部的第一侧延伸的第一侧部、从所述前部的第二侧延伸的第二侧部、以及在所述第一侧部和所述第二侧部之间的角部，
其中，所述角部包括由切割槽分离开的多个切口图案，
其中，所述多个切口图案中的每一个包括具有多个像素的显示区域以显示图像，
其中，所述多个像素中的每一个包括多个发射区域以发射不同的光，并且
其中，所述多个发射区域中的每一个包括多个子发射区域以发射相同颜色的光。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述显示区域还包括：第一封装分隔件，在所述多个像素中的相邻像素之间。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述显示区域还包括：第二封装分隔件，在所述多个发射区域中的相邻发射区域之间。
22.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述显示区域还包括：第三封装分隔件，在所述多个子发射区域中的相邻子发射区域之间。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每一个包括：
薄膜晶体管，包括栅极电极、源极电极和漏极电极；
连接电极，通过贯穿在所述薄膜晶体管上的第一平坦化层的第一连接接触孔耦接到所述薄膜晶体管的所述源极电极或所述漏极电极；
像素电极，在第一发射区域中并且通过贯穿在所述连接电极上的第二平坦化层的第一接触孔耦接到所述连接电极；
像素电极，在第二发射区域中并且通过贯穿所述第二平坦化层的第二接触孔耦接到所述连接电极；
发射层，在所述第一发射区域的所述像素电极和所述第二发射区域的所述像素电极上；
公共电极，在所述发射层上；以及
第一无机封装层，在所述公共电极上。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述第三封装分隔件在所述子发射区域中的第一子发射区域的像素电极和所述子发射区域中的第二子发射区域的像素电极之间，并且包括贯穿所述第二平坦化层的第三孔。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，在截面图中，所述第三孔为底切形状。
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