CN111948855B - 像素结构、显示面板以及掩膜 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种像素结构，其包括扫描线、数据线、薄膜晶体管、第一电极、第二电极与绝缘层。扫描线与数据线分别沿不同方向延伸。薄膜晶体管电性连接扫描线以及数据线。绝缘层位于第一电极与第二电极间，第一电极位于第二电极上方，且第一电极与第二电极分别为像素电极与共通电极中的一者与另一者。第一电极包括至少一个狭缝。狭缝包括主部以及至少一个端部。端部连接主部的末端。主部的延伸方向与端部的延伸方向的夹角为35度～40度。本发明通过使狭缝的主部与端部具有上述设计，以使本发明的像素结构可具有减少的暗纹区域且提高穿透率以及对比度。本发明另提供一种包括上述像素结构的显示面板以及一种掩膜。

Description

像素结构、显示面板以及掩膜

技术领域

本发明涉及一种像素结构、显示面板以及掩膜。

背景技术

请参照图1，其为一种现有技术的显示面板的像素结构的俯视示意图。像素结构10包括扫描线SL、数据线DL、薄膜晶体管T、共通电极110以及像素电极120。薄膜晶体管T包含栅极G、半导体层SE、源极S与漏极D。扫描线SL实质上沿第一方向E1延伸，数据线DL实质上沿第二方向E2延伸，且第一方向E1不平行于第二方向E2。栅极G与源极S可分别电性连接扫描线SL与数据线DL，且漏极D可电性连接像素电极120。半导体层SE可例如与栅极G对应地设置，且被源极S以及漏极D部分地覆盖。

共通电极110设置于像素电极120上方，至少一绝缘层设置于共通电极110与像素电极120间，且共通电极110具有狭缝112与条状电极114。像素结构10在第一方向E1的长度L1小于像素结构10在第二方向E2的长度L2，且狭缝112与条状电极114实质上沿第二方向E2延伸，因此像素结构10的条状电极114亦可称为直立式电极。

然而，在一些显示面板的特殊应用中，例如车用显示面板，上述具有直立式电极114的像素结构10无法满足视角需求。

发明内容

本发明是针对一种像素结构、一种显示面板以及一种掩膜，通过所述掩膜形成的所述像素结构具有高的穿透率以及对比度。

本发明的像素结构包括扫描线、数据线、薄膜晶体管、第一电极、第二电极与绝缘层。扫描线与数据线分别沿不同方向延伸。薄膜晶体管电性连接扫描线以及数据线。绝缘层位于第一电极与第二电极间，第一电极位于第二电极上方，且第一电极与第二电极分别为像素电极与共通电极中的一者与另一者。第一电极包括至少一个狭缝。狭缝包括主部以及至少一个端部。端部连接主部的末端。主部的延伸方向与端部的延伸方向的夹角为35度～40度。

在根据本发明的实施例的像素结构中，像素结构在第一方向的投影长度小于在第二方向的投影长度，第一方向垂直于第二方向，且主部的延伸方向与第一方向的夹角为5度～10度。

在根据本发明的实施例的像素结构中，扫描线的延伸方向实质上平行于第一方向。

在根据本发明的实施例的像素结构中，还包括配向层，配向层设置于第一电极与第二电极上，且配向层的配向方向平行于第一方向。

本发明的显示面板包括显示单元、上偏光片与下偏光片。显示单元包括薄膜晶体管阵列基板与液晶层。薄膜晶体管阵列基板包括基板与上述的像素结构，且上述的像素结构设置于基板上。上偏光片与下偏光片分别设置于显示单元的相对两侧。上偏光片的吸收轴方向垂直于下偏光片的吸收轴方向，且下偏光片的吸收轴方向垂直于液晶层的液晶配向方向。

在根据本发明的实施例的显示面板中，像素结构在第一方向的投影长度小于在第二方向的投影长度，第一方向垂直于第二方向，且主部的延伸方向与第一方向的夹角为5度～10度。

在根据本发明的实施例的显示面板中，液晶层的液晶配向方向与主部的延伸方向间的夹角为0度～15度。

在根据本发明的实施例的显示面板中，扫描线的延伸方向实质上平行于第一方向，且液晶层的液晶配向方向平行于第一方向。

本发明的制作像素结构的电极的掩膜包括狭缝曝光开口。狭缝曝光开口包括第一曝光开口、至少一个第二曝光开口以及至少一个补偿曝光开口。第二曝光开口连接第一曝光开口的末端，补偿曝光开口连接第二曝光开口，且第一曝光开口的延伸方向不同于第二曝光开口的延伸方向。

在根据本发明的实施例的掩膜中，第一曝光开口的延伸方向与第二曝光开口的延伸方向的夹角为35度～40度。

在根据本发明的实施例的掩膜中，补偿曝光开口设置于第二曝光开口的至少一侧，且连接第二曝光开口的至少一侧边。

在根据本发明的实施例的掩膜中，狭缝曝光开口的端部具有三个直角的角落。

在根据本发明的实施例的掩膜中，狭缝曝光开口的端部的至少一侧边具有凹凸形状。

基于上述，在本发明的像素结构中的第一电极具有狭缝，且所述狭缝的主部与端部的延伸方向具有35度～40度的夹角。基于此，通过使狭缝的主部与端部具有上述设计，可改善因像素结构中的狭缝较多而提升暗纹区域以及在狭缝的末端产生的暗纹往内延伸的问题，以使本发明的像素结构可具有减少的暗纹区域且提高穿透率以及对比度。并且，本发明的像素结构中的狭缝通过具有特殊布局设计的掩膜形成，通过掩膜的补偿曝光开口与第二曝光开口的组合可形成具有小尺寸的狭缝的端部。

附图说明

包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1为一种现有技术的显示面板的像素结构的俯视示意图。

图2A为本发明的一实施例的像素结构的俯视示意图；

图2B为图2A中的区域R1的放大示意图；

图3为比较例的显示面板的透视示意图；

图4为本发明的显示面板的透视示意图；

图5A为比较例的具有多个狭缝曝光开口的掩膜的俯视示意图；

图5B为通过图5A所示的掩膜形成的具有狭缝的第一电极的像素结构于光学显微镜下所拍摄的光学仿真图；

图6A为本发明的第一实施例的掩膜的俯视示意图；

图6B为通过图6A所示的本发明的第一实施例的掩膜形成的具有狭缝的第一电极的像素结构于光学显微镜下所拍摄的光学仿真图；

图7A与图7B为本发明的第一实施例的掩膜的狭缝曝光开口的部分的俯视示意图；

图8A与图8B为本发明的第一实施例的变化实施例的的掩膜的狭缝曝光开口的部分的俯视示意图；

图9A与图9B为本发明的第二实施例的掩膜的狭缝曝光开口的部分的俯视示意图；

图10A与图10B为本发明的第三实施例的掩膜的狭缝曝光开口的部分的俯视示意图；

图11A与图11B为本发明的第四实施例的掩膜的狭缝曝光开口的部分的俯视示意图；

图12A与图12B为本发明的第五实施例的掩膜的狭缝曝光开口的部分的俯视示意图；

图13A与图13B为本发明的第五实施例的变化实施例的掩膜的狭缝曝光开口的部分的俯视示意图；

图14A与图14B为本发明的第五实施例的另一变化实施例的掩膜的狭缝曝光开口的部分的俯视示意图；

图15A与图15B为本发明的第六实施例的掩膜的狭缝曝光开口的部分的俯视示意图。

具体实施方式

现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图2A为本发明的一实施例的像素结构的俯视示意图，且图2B为图2A中的区域R1的放大示意图。

请同时参照图2A以及图2B，在本实施方式中，像素结构20包括扫描线SL、数据线DL、薄膜晶体管T、第一电极210以及第二电极220，设置于一基板上(图未示)。

扫描线SL实质上沿第一方向E1延伸，数据线DL实质上沿第二方向E2延伸，且第一方向E1不平行于第二方向E2。在本实施例中，第一方向E1实质上垂直于第二方向E2，但本发明不以此为限。虽然本实施例的扫描线SL以及数据线DL是以直线形为例，但在其他实施例中，扫描线SL以及数据线DL可以是锯齿形或其他形状。基于导电性的考虑，扫描线SL以及数据线DL一般是使用金属材料，但本发明不限于此。在其他实施方式中，扫描线SL以及数据线DL亦可以使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或是金属材料与其它导电材料的堆栈层。

薄膜晶体管T例如与对应的扫描线SL以及对应的数据线DL电性连接。详细地说，在一些实施例中，薄膜晶体管T包含栅极G、半导体层SE、源极S与漏极D。栅极G与源极S可分别电性连接至扫描线SL与数据线DL。半导体层SE可例如与栅极G对应地设置，且被源极S以及漏极D部分地覆盖。在一实施例中，栅极G以及扫描线SL可由同一层第一图案化导电层所构成，且源极S、漏极D以及数据线DL可由同一层第二图案化导电层所构成，但本发明不以此为限。薄膜晶体管T例如为本领域技术人员所周知的任一种底部栅极型薄膜晶体管。然而，本实施例虽然是以底部栅极型薄膜晶体管为例，但本发明不限于此。在另一些实施例中，薄膜晶体管T也例如为顶部栅极型薄膜晶体管或是其它合适类型的薄膜晶体管。

在本实施例中，像素结构20的第一电极210在垂直基板的方向上是设置于第二电极220上方，第一电极210具有狭缝212与条状电极214，且至少一绝缘层在垂直基板的方向上是设置于第一电极210以及第二电极220间。在本实施例中，第一电极210以及第二电极220中分别为共通电极与像素电极，且第二电极220可与薄膜晶体管T的漏极D电性连接，但本发明不限于此。在另一些实施例中，第一电极210以及第二电极220可分别为像素电极与共通电极，且第一电极210可与薄膜晶体管T的漏极D电性连接。换言之，第一电极210以及第二电极220中的一者与另一者可分别为共通电极与像素电极。以下以第一电极210以及第二电极220中分别为共通电极与像素电极为例来说明。

如图2A与图2B所示，第一电极210包括多个狭缝212与多个条状电极214，彼此交错设置。第一电极210的每一狭缝212可例如包括主部212a以及两个端部212b(即，狭缝212的折角)，且主部212a的两个末端各自与两个端部212b连接，但本发明不限于此。在另一些实施例中，第一电极210的每一狭缝212的端部212b的数量可为一个，连接主部212a的末端。在一些实施例中，主部212a以及两个端部212b为四边形，但本发明不限于此。主部212a的延伸方向例如与两个端部212b的延伸方向不同。像素结构20在第一方向E1的长度L1(亦称为像素结构20的横向长度)小于像素结构20在第二方向E2的长度L2(亦称为像素结构20的纵向长度)，也就是像素结构20在第一方向E1的投影长度小于在第二方向E2的投影长度，且狭缝212的主部212a实质上沿第一方向E1延伸，因此像素结构20的条状电极214亦可称为横向式电极。在图1与图2A中，扫描线SL与数据线DL实质上分别沿第一方向E1与第二方向E2延伸，第一方向E1为像素结构10、20的短边延伸方向，第二方向E2为像素结构10、20的长边延伸方向，在图1的具有直立式电极的像素结构10中，狭缝112的延伸方向与第二方向E2间的夹角小于与第一方向E1间的夹角，而在图2A的具有横向式电极的像素结构20中，狭缝212的主部212a的延伸方向与第一方向E1间的夹角小于与第二方向E2间的夹角。与图1中具有直立式电极的像素结构10相较，在一些显示面板的特殊应用中，例如车用显示面板，图2A中具有横向式电极的像素结构20的视角较佳。此外，因为图1与图2A中的像素结构10、20的纵向长度L2大于横向长度L1，且图1与图2A中的狭缝112、212分别为纵向延伸(实质上沿第二方向E2延伸)与横向延伸(实质上沿第一方向E1延伸)，因此当像素结构10的尺寸与像素结构20的尺寸相同时，图2A中的像素结构20的狭缝212的数量大于图1中的像素结构10的狭缝112的数量。一般来说，因为狭缝112、212的尾端的电场分布无法精确地控制液晶分子的转向，因此会在狭缝的末端产生暗纹。因为图1中具有纵向式电极114的像素结构10的狭缝112的数量较少，因此暗纹区域占像素结构10的透光区域的比例较小，影响视效也较轻微，但因为图2A中具有横向式电极214的像素结构20的狭缝212的数量较多，因此暗纹区域占像素结构20的透光区域的比例较大，影响视效也严重。因此图2A中的像素结构20的第一电极210的每一狭缝212在其末端具有折角(即，狭缝212的端部212b)，以减轻暗纹现象。在一些实施例中，主部212a的延伸方向与两个端部212b中任一个的延伸方向的夹角θ₁为35度～40度。举例来说，主部212a的延伸方向与端部212b的延伸方向的夹角θ₁例如为38度。在本实施例中，由于使狭缝212的主部212a的延伸方向与端部212b的延伸方向之间具有35度～40度的夹角θ₁，因此可避免液晶分子在进行配向时过度地于狭缝212的末端倾斜于特定方向，使得液晶分子因排列不连续而产生的缺陷面积不会随着施加电压的增大而增加，藉此可改善在狭缝212的末端产生的暗纹往内延伸的问题，以使本实施例的像素结构20可具有减少的暗纹区域且提高穿透率以及对比度。

狭缝212的主部212a的延伸方向例如与第一方向E1不平行。在一些实施例中，狭缝212的主部212a的延伸方向与第一方向E1的夹角θ₂可为5度～10度。举例来说，狭缝212的主部212a的延伸方向与第一方向E1的夹角θ₂为7度，但本发明不限于此。狭缝212的主部212a的节距P例如小于或等于7.3微米，但本发明不限于此。狭缝212的主部212a在与其的延伸方向正交的方向上的宽度W例如小于4.2微米，但本发明不限于此。举例来说，狭缝212的主部212a在与其的延伸方向正交的方向上的宽度W为3.25微米，但本发明不限于此。当狭缝212的主部212a的节距P以及宽度W在上述范围时，本实施例使狭缝212的主部212a的延伸方向与端部212b的延伸方向之间具有35度～40度的夹角θ₁可解决第一电极210的狭缝212的末端产生暗纹的问题，如前述实施例所述。

狭缝212的端部212b具有第一至第四侧边212bs1、212bs2、212bs3、212bs4，第一侧边212bs1与第二侧边212bs2彼此相对，第三侧边212bs3与第四侧边212bs4彼此相对，第三侧边212bs3完全与主部212a连接，第一侧边212bs1的相对两端分别与第三侧边212bs3与第四侧边212bs4连接，第二侧边212bs2的相对两端分别与第三侧边212bs3与第四侧边212bs4连接，且第一侧边212bs1的长度L3小于第二侧边212bs2的长度L4。第一侧边212bs1的长度L3例如大于或等于2.5微米。在本实施例中，狭缝210的端部212b的最远离主部212a的第四侧边212bs4的延伸方向与第二方向E2实质上平行，但本发明不限于此。

在本实施例中，第二电极220为像素电极，因此第二电极220可与薄膜晶体管T的漏极D电性连接。第一电极210与第二电极220的材料可为透明导电材料，例如是金属氧化物导电材料(例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物)，但本发明不限于此。在本实施例中，第二电极220为块状且不具有狭缝的结构，但本发明不限于此。在另一些实施例中，第一电极210与第二电极220皆具有狭缝与条状电极，且从俯视方向(亦即垂直基板的方向)观看，第一电极210的狭缝与第二电极220的狭缝彼此交错设置。

在本实施例中，像素结构中的第一电极具有狭缝，且所述狭缝具有延伸方向不同的主部以及端部。通过使狭缝的主部的延伸方向与端部的延伸方向之间具有35度～40度的夹角，可避免液晶分子在进行配向时过度地于狭缝的末端倾斜于特定方向，使得液晶分子因排列不连续而产生的缺陷面积不会随着施加电压的增大而增加，藉此可改善在狭缝的末端产生的暗纹往内延伸的问题，以使本实施例的像素结构可具有减少的暗纹区域且提高穿透率。

请参照图3与图4。图3为比较例的显示面板的透视示意图，图4为本发明的显示面板的透视示意图。在图3的比较例中，下偏光片的吸收轴与显示面板的液晶配向方向彼此平行，而在图4的本发明的显示面板中，下偏光片的吸收轴与显示面板的液晶配向方向彼此垂直。如图3与图4所示，在一些显示面板的特殊应用中，例如车用显示面板，使用者可能配戴太阳眼镜30来观看显示面板40，显示面板40包括显示单元41、上偏光片42与下偏光片43，显示单元41可包括下基板、液晶层与上基板，液晶层位于上基板与下基板间，且下基板与上基板分别为TFT阵列基板与彩色滤光基板，但不以此为限。举例来说，在一些实施例中，显示单元41不包括彩色滤光层，或是彩色滤光层设置于下基板中(亦即下基板为Color Filter onArray基板)。上偏光片42面对上基板，下偏光片43面对下基板。显示单元41的TFT阵列基板可包括上述具有横向式电极的像素结构20，以增加视角。背光单元(图未示)的光线可经由下偏光片43、显示单元41与上偏光片42到达使用者配戴的太阳眼镜30。在图3与图4中对应下偏光片43、显示单元41、上偏光片42与太阳眼镜30示出的箭头符号分别为下偏光片43的吸收轴方向、显示单元41的液晶配向方向、上偏光片42的吸收轴方向以及太阳眼镜30的吸收轴方向。如图3所示，下偏光片43的吸收轴方向平行于显示单元41的液晶配向方向，且上偏光片42的吸收轴方向垂直于下偏光片43的吸收轴方向，使得上偏光片42的吸收轴方向垂直于太阳眼镜30的吸收轴方向，因此光线无法穿透太阳眼镜30，使用者无法观看显示面板40的画面。如图4所示，下偏光片43的吸收轴方向垂直于显示单元41的液晶配向方向，且上偏光片42的吸收轴方向垂直于下偏光片43的吸收轴方向，使得上偏光片42的吸收轴方向平行于太阳眼镜30的吸收轴方向，因此光线可穿透太阳眼镜30，使用者可观看显示面板40的画面。从俯视方向观看，液晶配向方向与像素结构20的狭缝212的主部212a的延伸方向间的夹角可为0度～15度，但不以此为限。换句话说，像素结构20还包括配向层，设置于第一电极210与第二电极220上，配向层的配向方向与像素结构20的狭缝212的主部212a的延伸方向间的夹角可为0度～15度。举例来说，显示单元41的下基板可包括上述具有横向式电极的像素结构20，显示单元41的液晶配向方向可平行于第一方向E1，也就是配向层的配向方向可平行于第一方向E1，而狭缝212的主部212a的延伸方向与第一方向E1的夹角可为5度～10度，因此从俯视方向上观看，液晶配向方向与像素结构20的狭缝212的主部212a的延伸方向间的夹角可为5度～10度。举例来说，液晶配向方向与像素结构20的狭缝212的主部212a的延伸方向间的夹角可为7度，但本发明不限于此。太阳眼镜30的吸收轴方向为横向吸收轴，也就是当使用者配戴太阳眼镜30观看显示面板40时，太阳眼镜30的吸收轴方向实质上平行于第一方向E1。因此在一些显示面板的特殊应用中，例如车用显示面板，显示面板40包括具有横向式电极的像素结构20，且下偏光片43的吸收轴与显示面板40的液晶配向方向彼此垂直，以获得较佳的视角，并且当使用者配戴具有特定方向吸收轴的视效配件(例如具有横向吸收轴的太阳眼镜)时，使用者可清晰地观看显示面板40的画面。形成具有狭缝212的第一电极210的方法可先形成透明导电层后再于其上方形成光致抗蚀剂层，接下来依序对光致抗蚀剂层曝光显影，对透明导电层蚀刻以及将光致抗蚀剂层移除后以形成具有狭缝212的第一电极210。上述对光致抗蚀剂层曝光的工艺是通过曝光机台与掩膜进行，但在进行曝光工艺时，因为曝光机台的分辨率的限制，其主要是受到曝光镜头光学系统与曝光源波长的影响，当欲曝光的区域太小时，例如当欲曝光的区域的宽度小于2.5微米时，欲曝光的区域会无法曝开。举例来说，当像素结构20包含的狭缝212的数量增加以增加像素结构20的穿透率时，狭缝212的端部212b的宽度变小，当狭缝212的端部212b的宽度小于曝光机台的分辨率时，例如狭缝212的端部212b的预定宽度小于2.5微米时，则狭缝212的折角无法形成，也就是狭缝212的末端为类似圆角或斜角的形状而不具有折角，因此无法减少像素结构的暗纹区域。请参照图5A与图5B，图5A为掩膜500的部分示意图，掩膜500具有多个狭缝曝光开口510，狭缝曝光开口510的形状与预定形成的具有折角的狭缝212的形状相同，图5B为具有狭缝的第一电极，其通过曝光机台与图5A中的掩膜500对光致抗蚀剂层曝光显影，接下来再依序对透明导电层蚀刻以及将光致抗蚀剂层移除后以形成。如图5B所示，狭缝的末端为类似圆角或斜角的形状而不具有折角(如图5B中以虚线圈起来的区域)，也就是通过掩膜500制作出来的第一电极210的狭缝的末端不具有折角，因此与预定形成的具有折角的狭缝212的图案不同，使得上述的在狭缝的末端产生的暗纹往内延伸的问题难以解决。请参照图6A与图6B，图6A为本发明的第一实施例的掩膜300，掩膜300具有多个狭缝曝光开口310，狭缝曝光开口310的开口图案除了具有与预定形成的具有折角的狭缝212的图案相同的开口图案外，还在预定形成的狭缝212的端部212b的周围具有补偿开口图案，使得狭缝曝光开口310的图案与预定形成的狭缝212的图案不同，图6B为具有狭缝的第一电极，其通过曝光机台与图6A中的掩膜300对光致抗蚀剂层曝光显影，接下来再依序对透明导电层蚀刻以及将光致抗蚀剂层移除后以形成。如图6B所示，狭缝212的末端具有折角，也就是狭缝212具有主部212a以及端部212b，因此可减少像素结构20的暗纹区域。因此通过掩膜300的布局设计可使像素结构20的第一电极210中具有折角的狭缝212。

请参照图6A、图7A以及图7B，图7A与图7B分别为本发明的第一实施例的掩膜的狭缝曝光开口的分解图与示意图，其对应图6A中的区域R2。掩膜300包括多个狭缝曝光开口310。如图7A所示，每一狭缝曝光开口310可例如包括第一曝光开口310a、第二曝光开口310b以及补偿曝光开口310c。在一些实施例中，第一曝光开口310a的两个末端各自与两个第二曝光开口310b连接，且第一曝光开口310a以及第二曝光开口310b的形状分别实质上与预定的狭缝212的主部212a以及端部212b的形状相同。补偿曝光开口310c与对应的第二曝光开口310b连接。第一曝光开口310a的延伸方向与第二曝光开口310b的延伸方向的夹角相同于狭缝212主部212a的延伸方向与端部212b的延伸方向的夹角θ₁，且夹角θ₁例如为35度～40度。第一曝光开口310a可例如对应于形成的狭缝212的主部212a，且第二曝光开口310b可例如对应于形成的狭缝212的端部212b。补偿曝光开口310c则是作为补偿第二曝光开口310b曝光量的用途。当欲形成的狭缝212的端部212b的尺寸(例如宽度)在2.5微米以下时将难以仅通过第二曝光开口310b曝开，而使得形成的狭缝212的端部212b将会具有类似圆角或斜角的形状(请参考图5B)，其难以解决上述的在狭缝212的末端产生暗纹的问题。在此情况下，通过使掩膜300具有与第二曝光开口310b连接的补偿曝光开口310c可解决上述问题，亦即，狭缝212的端部212b可成功地通过第二曝光开口310b以及补偿曝光开口310c曝开。

为了形成尺寸较小的狭缝212的端部212b，补偿曝光开口310c可具有以下设计。如图7A与图7B所示，两个补偿曝光开口310c1、310c2分别设置在第二曝光开口310b的相对两侧且分别与第二曝光开口310b的侧边310bs1、310bs2连接，使得狭缝曝光开口310的端部具有第一至第四侧边310s1、310s2、310s3、310s4。

请参照图8A与图8B，图8A与图8B分别为本发明的第一实施例的变化实施例的掩膜的狭缝曝光开口的分解图与示意图。补偿曝光开口310c3设置在第二曝光开口310b的三侧且与第二曝光开口的侧边310bs1、310bs2、310bs3连接，使得狭缝曝光开口310的端部具有第一至第四侧边310s1、310s2、310s3、310s4。

如图7A、图7B、图8A与图8B所示，第一侧边310s1的一端连接第二侧边310s2的一端，第二侧边310s2的另一端连接第三侧边310s3的一端，第三侧边310s3的另一端连接第四侧边310s4的一端，第一侧边310s1与第二侧边310s2的夹角θ₁₂为90度，第二侧边310s2与第三侧边310s3的夹角θ₂₃为90度，且第三侧边310s3与第四侧边310s4的夹角θ₃₄为90度。换言之，曝光开口310的端部具有三个直角的角落。此外，第四侧边310s4的延伸方向与第一侧边310s1的延伸方向的夹角亦为90度。第二侧边310s2的长度L5与第三侧边310s3的长度L6均例如大于或等于2微米。

如图7A所示，第一侧边310s1的另一端连接第一曝光开口310a的侧边310as1，第四侧边310s4的另一端连接第二曝光开口310b的侧边310bs2，但本发明不限于此。在另一些实施例中，例如第二侧边310s2的长度小于图7B中的长度L5时，第一侧边310s1的另一端可连接第二曝光开口310b的侧边310bs1，且第四侧边310s4的另一端连接第二曝光开口310b的侧边310bs2，但本发明不限于此。此外，如图8A所示，第一侧边310s1的另一端连接第二曝光开口310b的侧边310bs1，第四侧边310s4的另一端连接第二曝光开口310b的侧边310bs2，但本发明不限于此。在另一些实施例中，例如第二侧边310s2的长度大于图8B中的长度L5时，第一侧边310s1的另一端可连接第一曝光开口310a的侧边310as1，且第四侧边310s4的另一端连接第二曝光开口310b的侧边310bs2，但本发明不限于此。

本发明的补偿曝光开口310c的形状以及补偿曝光开口310c与第二曝光开口310b的连接方式不以上述的实施例为限。在本发明中，至少一补偿曝光开口310c可设置于第二曝光开口310b的至少一侧，并且连接第二曝光开口310b的至少一侧边。以下将叙述补偿曝光开口310c的几个实施例，但本发明的补偿曝光开口310c的形状以及补偿曝光开口310c与第二曝光开口310b的连接方式不以此为限。

请参照图9A与图9B，图9A与图9B分别为本发明的第二实施例的掩膜的狭缝曝光开口的分解图与示意图。补偿曝光开口310c4与第二曝光开口310b的侧边310bs1连接，补偿曝光开口310c5与第二曝光开口310b的侧边310bs2、310bs3连接，使得狭缝曝光开口310的端部具有弧形的侧边310s1。

请参照图10A与图10B，图10A与图10B为本发明的第三实施例的掩膜的狭缝曝光开口的分解图与示意图。两个补偿曝光开口310c6、310c7分别设置在第二曝光开口310b的两侧且分别与第二曝光开口310b的侧边310bs1、310bs3连接，使得狭缝曝光开口310的端部具有第一至第五侧边310s1、310s2、310s3、310s4、310s5。

请参照图11A与图11B，图11A与图11B为本发明的第四实施例的掩膜的狭缝曝光开口的分解图与示意图。补偿曝光开口310c8设置在第二曝光开口310b的一侧且与第二曝光开口310b的侧边310bs1连接，使得狭缝曝光开口310的端部具有第一至第三侧边310s1、310s2、310s3。

请参照图12A与图12B，图12A与图12B为本发明的第五实施例的掩膜的狭缝曝光开口的分解图与示意图。如图12A所示，多个补偿曝光开口310c9设置在第二曝光开口310b的两侧且与第二曝光开口310b连接，补偿曝光开口310c9连接第二曝光开口310b的侧边310bs1以及侧边310bs3。补偿曝光开口310c9在垂直第二曝光开口310b的侧边310bs1或侧边310bs3的方向上的长度L7例如大于或等于1微米，且在平行第二曝光开口310b的侧边310bs1或侧边310bs3的方向上的宽度L8则例如大于或等于0.6微米。此外，如图12A与图12B所示，补偿曝光开口310c9的形状为矩形，使得狭缝曝光开口310的端部具有凹凸形状(例如具有多个插入式狭缝)的两侧边310s1、310s2，但本发明的补偿曝光开口310c9的形状不限于此。

请参照图13A与图13B，图13A与图13B为本发明的第五实施例的变化实施例的掩膜的狭缝曝光开口的分解图与示意图。多个补偿曝光开口310c10设置在第二曝光开口310b的两侧且与第二曝光开口310b连接，补偿曝光开口310c10连接第二曝光开口310b的侧边310bs1以及侧边310bs3，使得狭缝曝光开口310的端部具有凹凸形状的两侧边310s1、310s2。图13A与图12A的差异在于图13A的补偿曝光开口310c10的形状为三角形，但本发明的补偿曝光开口310c10的形状不限于此。

请参照图14A与图14B，图14A与图14B为本发明的第五实施例的另一变化实施例的掩膜的狭缝曝光开口的分解图与示意图。多个补偿曝光开口310c11设置在第二曝光开口310b的两侧且与第二曝光开口310b连接，补偿曝光开口310c11连接第二曝光开口310b的侧边310bs1以及侧边310bs3，使得狭缝曝光开口310的端部具有凹凸形状的两侧边310s1、310s2。图14A与图12A的差异在于图14A的补偿曝光开口310c11的形状为圆形或近似圆形，但本发明的补偿曝光开口310c11的形状不限于此。

请参照图15A与图15B，图15A与图15B为本发明的第六实施例的掩膜的狭缝曝光开口的分解图与示意图。多个补偿曝光开口310c12设置在第二曝光开口310b的一侧且与第二曝光曝光开口310b连接，补偿曝光开口310c12连接第二曝光开口310b的侧边310bs1。补偿曝光开口310c12在平行第一方向E1的长度L9与平行第二方向E2的长度L10则皆例如大于或等于0.6微米。此外，如图15A与图15B所示，补偿曝光开口310c12的形状为三角形，使得狭缝曝光开口310的端部具有凹凸形状(例如阶梯形状)的一侧边310s1，但本发明的补偿曝光开口310c12的形状不限于此。

通过使补偿曝光开口310c具有上述的设计，可用以与第二曝光开口310b一起通过微影制程形成狭缝212的端部212b，藉此可改善在狭缝212的末端产生暗纹的问题，以使本实施例的像素结构20可具有减少的暗纹区域且提高穿透率。

综上所述，在本发明的像素结构中的第一电极具有狭缝，且所述狭缝的主部与端部的延伸方向具有35度～40度的夹角。基于此，通过使狭缝的主部与端部具有上述设计，可改善因像素结构中的狭缝较多而提升暗纹区域的问题。此外，其亦可避免液晶分子在进行配向时过度地于狭缝的末端倾斜于特定方向，使得液晶分子因排列不连续而产生的缺陷面积不会随着施加电压的增大而增加，藉此可改善在狭缝的末端产生的暗纹往内延伸的问题，以使本发明的像素结构可具有减少的暗纹区域且提高穿透率以及对比度。并且，本发明的像素结构中的狭缝通过具有特殊布局设计的掩膜形成，通过掩膜的补偿曝光开口与第二曝光开口的组合可形成具有尺寸小于2.5微米以下的狭缝的端部。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

扫描线与数据线，分别沿不同方向延伸；

薄膜晶体管，电性连接所述扫描线以及所述数据线；以及

第一电极、第二电极与绝缘层，其中所述绝缘层位于所述第一电极与所述第二电极间，所述第一电极位于所述第二电极上方，且所述第一电极与所述第二电极分别为像素电极与共通电极中的一者与另一者；

其中所述像素结构在第一方向的投影长度小于在第二方向的投影长度，所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第一电极包括至少一个狭缝，所述狭缝包括主部以及至少一个端部，所述端部连接所述主部的末端，所述端部具有第一侧边、第二侧边、第三侧边以及第四侧边，所述第一侧边与所述第二侧边彼此相对，所述第三侧边与所述第四侧边彼此相对，所述第三侧边完全与所述主部连接，所述第一侧边的相对两端分别与所述第三侧边与所述第四侧边连接，所述第二侧边的相对两端分别与所述第三侧边与所述第四侧边连接，且所述第一侧边的长度小于所述第二侧边的长度，

其中所述主部的延伸方向与所述第一方向的夹角为5度～10度，所述主部的节距小于或等于7.3微米，所述主部在与所述主部的延伸方向正交的方向上的宽度小于4.2微米，所述第一侧边的长度大于或等于2.5微米，所述端部的宽度小于2.5微米，且所述主部的延伸方向与所述端部的延伸方向的夹角为35度～40度。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述扫描线的延伸方向实质上平行于所述第一方向。

3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括配向层，设置于所述第一电极与所述第二电极上，所述配向层的配向方向平行于所述第一方向。

4.一种显示面板，其特征在于，包括：

显示单元，包括薄膜晶体管阵列基板与液晶层，其中薄膜晶体管阵列基板包括基板与至少一个根据权利要求1所述的像素结构，且所述像素结构设置于所述基板上；以及

上偏光片与下偏光片，分别设置于所述显示单元的相对两侧，其中所述上偏光片的吸收轴方向垂直于所述下偏光片的吸收轴方向，且所述下偏光片的吸收轴方向垂直于所述液晶层的液晶配向方向。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述液晶层的液晶配向方向与所述主部的延伸方向间的夹角为0度～15度。

6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述扫描线的延伸方向平行于所述第一方向，且所述液晶层的液晶配向方向平行于所述第一方向。

7.一种制作像素结构的电极的掩膜，其特征在于，包括至少一个狭缝曝光开口，所述狭缝曝光开口包括第一曝光开口、至少一个第二曝光开口以及至少一个补偿曝光开口，其中所述第二曝光开口连接所述第一曝光开口的末端，所述补偿曝光开口连接所述第二曝光开口，且所述第一曝光开口的延伸方向不同于所述第二曝光开口的延伸方向，

其中所述像素结构在第一方向的投影长度小于在第二方向的投影长度，所述第一方向垂直于所述第二方向，所述电极包括至少一个狭缝，所述狭缝包括主部以及至少一个端部，所述端部连接所述主部的末端，所述端部具有第一侧边、第二侧边、第三侧边以及第四侧边，所述第一侧边与所述第二侧边彼此相对，所述第三侧边与所述第四侧边彼此相对，所述第三侧边完全与所述主部连接，所述第一侧边的相对两端分别与所述第三侧边与所述第四侧边连接，所述第二侧边的相对两端分别与所述第三侧边与所述第四侧边连接，且所述第一侧边的长度小于所述第二侧边的长度，

其中所述主部的延伸方向与所述第一方向的夹角为5度～10度，所述主部的节距小于或等于7.3微米，所述主部在与所述主部的延伸方向正交的方向上的宽度小于4.2微米，所述第一侧边的长度大于或等于2.5微米，所述端部的宽度小于2.5微米，且所述主部的延伸方向与所述端部的延伸方向的夹角为35度～40度。

8.根据权利要求7所述的制作像素结构的电极的掩膜，其特征在于，所述第一曝光开口的延伸方向与所述第二曝光开口的延伸方向的夹角为35度～40度。

9.根据权利要求7所述的制作像素结构的电极的掩膜，其特征在于，所述补偿曝光开口设置于所述第二曝光开口的至少一侧，且连接所述第二曝光开口的至少一侧边。

10.根据权利要求9所述的制作像素结构的电极的掩膜，其特征在于，所述狭缝曝光开口的端部具有三个直角的角落。

11.根据权利要求9所述的制作像素结构的电极的掩膜，其特征在于，所述狭缝曝光开口的端部的至少一侧边具有凹凸形状。