CN111941213A - 磨削装置 - Google Patents

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Abstract

提供磨削装置，其适当地搬送包含改质层的弯曲的晶片。在通过搬入机构(31)将暂放台(61)上的晶片(W)搬送至卡盘工作台时，通过吸引垫(81)对晶片W的中央进行保持，并且通过多个外周吸引保持部(89)对晶片W的外周部分进行保持。由此，能够抑制晶片(W)的外周部分的下垂而牢固地保持晶片(W)。因此，即使晶片(W)弯曲，也能够良好地保持暂放台(61)上的晶片(W)而适当地搬送至卡盘工作台的保持面。因此，无需为了适当地搬送晶片(W)而对晶片(W)实施用于抑制弯曲的加工。其结果是，能够缩短晶片(W)的加工时间。

Description

磨削装置
技术领域
本发明涉及磨削装置。
背景技术
已有如下的加工方法(SDBG)：沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层，对该晶片的背面进行磨削而薄化，并且按照每个器件进行分割(参照专利文献1)。
在这样的加工方法中，在晶片的正面侧形成改质层。因此，由于改质层的形成，晶片的内部发生膨胀，有时晶片以背面侧凹陷的方式弯曲。在该情况下，难以将晶片搬送至磨削装置的卡盘工作台。
因此，已有通过在晶片的背面侧形成改质层而抑制弯曲(翘曲)的加工方法(参照专利文献2)。另外，还有对晶片实施用于抑制弯曲的加工的技术(参照专利文献3)。
专利文献1：日本特开2006-012902号公报
专利文献2：日本特开2013-214601号公报
专利文献3：日本特开2016-025188号公报
但是，仅为了抑制晶片的弯曲而变更改质层的形成部位或对晶片实施加工会导致生产效率的劣化。
发明内容
本发明的目的在于提供磨削装置，其适当地搬送包含改质层的弯曲的晶片。
本发明的磨削装置(本磨削装置)通过卡盘工作台的保持面隔着带而对晶片进行保持，通过磨削磨具对晶片的背面进行磨削，该晶片在正面上的由分割预定线划分的区域内形成有器件，在该正面上粘贴有所述带，该晶片沿着该分割预定线在内部形成有改质层，该晶片按照背面侧凹陷的方式翘曲，其中，该磨削装置至少具有：暂放台，其用于暂放晶片；所述卡盘工作台，其具有隔着该带而对晶片进行保持的所述保持面；以及搬送单元，其将晶片从该暂放台搬送至该卡盘工作台，该搬送单元具有：中央吸引保持部，其对晶片的背面的中央部分进行吸引保持；外周吸引保持部，其对该中央吸引保持部所吸引保持的晶片的外周部分进行吸引保持；以及环状的按压部，其将中央部分已与该保持面接触的晶片的外周部分按压至该保持面，当该搬送单元从该暂放台吸引保持晶片时，该中央吸引保持部和该外周吸引保持部与吸引源连通，当该搬送单元已将晶片搬送至该卡盘工作台的该保持面上时，该中央吸引保持部和该外周吸引保持部与空气提供源连通而消除吸引保持力，该按压部将晶片的外周部分按压至该保持面，该保持面与吸引源连通，该磨削装置利用所述磨削磨具对该保持面所吸引保持的晶片进行磨削。
在本磨削装置中，在通过搬送单元将暂放台上的晶片搬送至卡盘工作台时，通过中央吸引保持部对晶片的中央进行保持，并且通过外周吸引保持部对晶片的外周部分进行保持。由此，能够抑制晶片的外周部分的下垂而牢固地保持晶片。
因此，即使晶片弯曲，也能够良好地保持暂放台上的晶片而适当地搬送至卡盘工作台的保持面。因此，在本磨削装置中，无需为了适当地搬送晶片而对晶片实施用于抑制弯曲的加工。其结果是，能够缩短晶片的加工时间。
附图说明
图1是示出磨削装置的结构的立体图。
图2是示出晶片的结构的立体图。
图3是示出暂放台的结构的说明图。
图4是示出搬入机构的结构的说明图。
图5是示出通过吸引垫和外周吸引保持部对晶片进行保持的状态的说明图。
图6是示出晶片从暂放台离开的状态的说明图。
图7是示出在卡盘工作台的保持面上载置有晶片的状态的说明图。
图8是示出晶片被保持面吸附保持的状态的说明图。
图9是示出在晶片被保持面吸附保持之后使臂上升而使板从卡盘工作台离开的状态的说明图。
图10是将开闭阀的附近放大而示出的说明图。
图11是示出用于通过开闭阀对板连通路进行开闭的其他结构的说明图。
图12是示出用于通过开闭阀对板连通路进行开闭的其他结构的说明图。
图13是将开闭阀的附近放大而示出的说明图。
标号说明
1：磨削装置；7：磨削单元；61：暂放台；62：暂放保持面；31：搬入机构；3：控制单元；80：轴；80a：贯通路；81：吸引垫；89：外周吸引保持部；83：板；87：第1环状密封件；88：第2环状密封件；84：支承部；85：臂；86：升降单元；96：连通路；96a：下表面开口部；96c：空间；97：开闭阀；97a：板连接路；97b：阀连接路；30：卡盘工作台；300：保持面；S：环状空间；W：晶片。
具体实施方式
图1所示的磨削装置1构成为对晶片W全自动地实施包含搬入处理、磨削加工、清洗处理以及搬出处理的一系列的作业。
图1所示的晶片W例如是圆形的半导体晶片。如图2所示，在晶片W的正面Wa上，在由格子状的分割预定线L划分的部分分别形成有器件D。另外，沿着分割预定线L在晶片W的内部形成有未图示的改质层。
在图1中，晶片W的正面Wa朝向下方，粘贴有保护带T而被保护。晶片W的背面Wb作为实施磨削加工的被加工面。
磨削装置1具有：大致矩形的第1装置基座11；与第1装置基座11的后方(+Y方向侧)连结的第2装置基座12；向上方延伸的柱13；以及覆盖第1装置基座11和第2装置基座12的壳体14。
在第1装置基座11的正面侧(-Y方向侧)设置有第1盒载台151和第2盒载台152。在第1盒载台151上载置有对加工前的晶片W进行收纳的第1盒151a。在第2盒载台152上载置有对加工后的晶片W进行收纳的第2盒152a。
第1盒151a和第2盒152a在内部具有多个隔板，在各隔板上各收纳一张晶片W。
第1盒151a的开口(未图示)朝向+Y方向侧。在该开口的+Y方向侧配设有机器人155。机器人155具有吸引垫，该吸引垫具有对晶片W的整个背面Wb进行吸引保持的吸引面。机器人155将加工后的晶片W搬入至第2盒152a中。另外，机器人155将加工前的晶片W从第1盒151a中搬出并载置于暂放台61。
暂放台61用于暂放晶片W，其设置于与机器人155相邻的位置。如图1和图3所示，在暂放台61上配设有多个对位单元63。对位单元63是缩径的对位销，通过沿着暂放台61的径向移动，将使背面Wb朝上而载置于暂放台61的晶片W对位(定心)于规定的位置。
另外，在本实施方式中，如图3所示，晶片W按照背面Wb侧凹陷的方式弯曲，外周部分翘曲。
另外，如图3所示，暂放台61具有能够对晶片W的保护带T侧进行吸附保持的暂放保持面62。暂放保持面62能够经由第1空气阀64和第1吸引阀65中的任意阀而与第1空气源66和第1吸引源67中的任意一者连通。
在进行对位单元63的对位时，如图3所示，将第1空气阀64和第1吸引阀65这双方都关闭。
如图1所示，在与暂放台61相邻的位置设置有搬入机构31。搬入机构31相当于搬送单元的一例。搬入机构31对暂放于暂放台61的晶片W进行吸引保持而搬送至卡盘工作台30并载置于其保持面300上。
卡盘工作台30具有对晶片W进行吸附的保持面300。保持面300与吸引源连通，隔着保护带T而对晶片W进行吸引保持。卡盘工作台30能够在将晶片W保持于保持面300的状态下以通过保持面300的中心的沿Z轴方向延伸的中心轴进行旋转。
卡盘工作台30的周围被罩39围绕。在该罩39上连结有在Y轴方向上伸缩的波纹罩39a。并且，在罩39和波纹罩39a的下方配设有未图示的Y轴方向移动单元。卡盘工作台30能够通过该Y轴方向移动单元而在Y轴方向上往复移动。
在第2装置基座12上的后方(+Y方向侧)竖立设置有柱13。在柱13的前表面上设置有对晶片W进行磨削的磨削单元7以及使磨削单元7在作为磨削进给方向的Z轴方向上移动的磨削进给单元2。
磨削进给单元2具有：与Z轴方向平行的一对Z轴导轨21；在该Z轴导轨21上滑动的Z轴移动工作台23；与Z轴导轨21平行的Z轴滚珠丝杠20；Z轴伺服电动机22；以及安装于Z轴移动工作台23的前表面(正面)的支托24。支托24对磨削单元7进行保持。
Z轴移动工作台23以能够滑动的方式设置于Z轴导轨21。未图示的螺母部固定于Z轴移动工作台23的后表面侧(背面侧)。在该螺母部上螺合有Z轴滚珠丝杠20。Z轴伺服电动机22与Z轴滚珠丝杠20的一个端部连结。
在磨削进给单元2中，Z轴伺服电动机22使Z轴滚珠丝杠20旋转，从而Z轴移动工作台23沿着Z轴导轨21在Z轴方向上移动。由此，安装于Z轴移动工作台23的支托24和保持于支托24的磨削单元7也与Z轴移动工作台23一起在Z轴方向上移动。
磨削单元7具有：固定于支托24的主轴壳体71；以能够旋转的方式保持于主轴壳体71的主轴70；使主轴70旋转驱动的电动机72；安装于主轴70的下端的磨轮安装座73；以及支承于磨轮安装座73的磨削磨轮74。
主轴壳体71按照沿Z轴方向延伸的方式保持于支托24。主轴70按照与卡盘工作台30的保持面300垂直的方式沿Z轴方向延伸，以能够旋转的方式支承于主轴壳体71。
电动机72与主轴70的上端侧连结。通过该电动机72，主轴70以沿Z轴方向延伸的旋转轴为中心而进行旋转。
磨轮安装座73形成为圆板状，固定于主轴70的下端(前端)。磨轮安装座73对磨削磨轮74进行支承。
磨削磨轮74形成为具有与磨轮安装座73大致相同的直径。磨削磨轮74包含由不锈钢等金属材料形成的圆环状的磨轮基台(环状基台)740。在磨轮基台740的下表面上沿着整个圆周固定有呈环状配置的多个磨削磨具741。磨削磨具741对卡盘工作台30所保持的晶片W的背面Wb进行磨削。
在与卡盘工作台30相邻的位置配设有厚度测量器38。厚度测量器38能够在磨削中例如以接触式的方式测量晶片W的厚度。
磨削后的晶片W通过搬出机构36搬出。作为第1搬出单元的搬出机构36具有吸引垫，该吸引垫具有对晶片W的整个背面Wb进行吸引保持的吸引面。搬出机构36通过吸引垫对载置于卡盘工作台30的磨削加工后的晶片W的背面Wb进行吸引保持并从卡盘工作台30搬出，搬送至单片式的旋转清洗单元26的旋转工作台27。
旋转清洗单元26具有对晶片W进行保持的旋转工作台27以及朝向旋转工作台27喷射清洗水和干燥空气的各种喷嘴(未图示)。
在旋转清洗单元26中，使保持着晶片W的旋转工作台27下降至第1装置基座11内。并且，在第1装置基座11内，朝向晶片W的背面Wb喷射清洗水，对背面Wb进行旋转清洗。然后，对晶片W吹送干燥空气而使晶片W干燥。
通过旋转清洗单元26进行了清洗的晶片W通过作为第2搬出单元的机器人155搬入至第2盒152a中。
另外，在壳体14中的-Y侧的侧面上设置有触摸面板40。在触摸面板40上显示出磨削装置1的加工状况和与磨削装置1对晶片W的加工相关的加工条件等各种信息。另外，触摸面板40也用于输入加工条件等各种信息。这样，触摸面板40作为用于输入信息的输入单元发挥功能，并且也作为显示所输入的信息的显示单元发挥功能。
另外，磨削装置1在壳体14的内部具有对磨削装置1的各构成要素进行控制的控制单元3。控制单元3对上述磨削装置1的各构成要素进行控制而对晶片W实施作业者期望的加工。
另外，控制单元3对基于搬入机构31的晶片W相对于卡盘工作台30的保持面300的搬送处理进行控制。
以下，对作为磨削装置1的特征结构的搬入机构31进行说明。
如图4所示，搬入机构31具有：吸引垫81其具有吸引面82；多个外周吸引保持部89；对吸引垫81和外周吸引保持部89进行支承的板83；对板83进行支承的支承部84；臂85，其具有支承部84；以及使臂85升降的升降单元86。
另外，搬入机构31在板83的下表面83a上具有以下表面83a的中心为中心而配设的圆环状的第1环状密封件87，并且在板83的下表面83a上的第1环状密封件87的外侧具有与第1环状密封件87呈同心圆状配设的圆环状的第2环状密封件88。第1环状密封件87相当于环状的按压部的一例，其将中央部分与保持面300接触的晶片W的外周部分按压至保持面300。
吸引垫81的吸引面82用于对晶片W的背面Wb的中央部分进行吸引保持。吸引垫81设置于轴80的下端。吸引垫81相当于中央吸引保持部的一例。
轴80在与吸引垫81的吸引面82垂直的方向上升降自如地贯通于板83的中央。因此，板83借助轴80而将吸引垫81支承为在与吸引垫81的吸引面82垂直的方向上升降自如。
另外，轴80在板83的上方还在与吸引面82垂直的方向上升降自如地贯通于臂85。
在轴80的穿过了臂85的上端设置有具有比轴80粗的外径的上端板93。通过该上端板93，抑制轴80从臂85向下方脱落。
另外，在轴80的大致中央部设置有具有比轴80粗的外径的固定板94。固定板94在臂85的下表面85a与板83的上表面83b之间被轴80贯通。
另外，在固定板94的上表面与臂85的下表面85a之间配设有螺旋弹簧95。螺旋弹簧95能够在轴80延伸的方向、即与吸引垫81的吸引面82垂直的方向上伸缩。
在轴80的中央设置有将轴80的上端与吸引垫81连结的贯通路80a。贯通路80a能够经由上端板93的开口93a和第2空气阀191及第2吸引阀192中的任意阀而与第2空气源(空气提供源)91及第2吸引源92中的任意一者连通。
在对轴80进行支承的板83的下表面83a上具有多个外周吸引保持部89、圆环状的第1环状密封件87以及与第1环状密封件87呈同心圆状配设的圆环状的第2环状密封件88。
外周吸引保持部89按照能够与吸引垫81所保持的晶片W的外周部分接触的方式设置于板83的下表面83a的多个位置。在本实施方式中，如图4所示，外周吸引保持部89配置于第1环状密封件87与第2环状密封件88之间。
各外周吸引保持部89在前端具有外周吸引垫89a，能够经由第3空气阀111和第3吸引阀112中的任意阀而与第3空气源(空气提供源)101和第3吸引源102中的任意一者连通。各外周吸引保持部89通过与第3吸引源102连通，能够利用外周吸引垫89a对吸引垫81的吸引面82所吸引保持的晶片W的背面Wb的外周部分进行吸引保持。
另外，外周吸引保持部89构成为在从下方受到力的情况下能够改变从板83的下表面83a突出的部分的长度。即，能够使外周吸引垫89a与板83的下表面83a接近。另外，外周吸引保持部89可以按照上部能够进入至板83的内部的方式设置于板83。
另外，在板83的内部设置有板连通路96。板连通路96将板83的下表面83a上的第1环状密封件87与第2环状密封件88之间连通至板83的上表面83b。
在板83的下表面83a上的第1环状密封件87与第2环状密封件88之间设置有作为板连通路96中的下表面83a侧的开口部的下表面开口部96a。
另外，在板83的上表面83b上设置有作为板连通路96中的上表面83b侧的开口部的上表面开口部96b。
在臂85的下表面85a上具有对板83进行支承的支承部84。在支承部84的下端具有开闭阀97，该开闭阀97具有比支承部84粗的直径。该开闭阀97以能够沿上下方向移动的方式收纳于空间96c内，该空间96c是对板83的板连通路96进行扩展而成的。
开闭阀97按照能够在规定的范围内沿上下方向移动而不从板连通路96脱出的方式进行安装。通过该开闭阀97，支承部84能够对板83进行支承。
另外，开闭阀97在相对于板83向下方向移动的情况下，与空间96c的底部抵接而将板连通路96封闭(封住)。另一方面，开闭阀97在相对于板83向上方向移动的情况下，与空间96c的上部抵接而使板连通路96开放。
臂85具有支承部84，支承部84具有这样的开闭阀97，臂85能够使板83在水平方向(与吸引垫81的吸引面82平行的方向)上移动。另外，臂85能够通过升降单元86与板83一起在上下方向上移动。即，升降单元86能够使臂85与板83一起在与吸引垫81的吸引面82垂直的方向上移动。
如上所述，具有这样的结构的搬入机构31对暂放于暂放台61上的晶片W进行吸引保持并载置于卡盘工作台30的保持面300上。这样的搬入机构31的动作通过图1所示的控制单元3进行控制。
以下，对控制单元3的控制下的搬入机构31的动作进行说明。
如图4所示，控制单元3对臂85和升降单元86进行控制而将板83配置于暂放台61的上方。并且，控制单元3使对位单元63向径向外侧退避。另外，控制单元3对升降单元86进行控制而使板83下降，从而使支承于板83的轴80的下端的吸引垫81的吸引面82与晶片W的中央抵接。
另外，控制单元3将第2空气阀191关闭，另一方面将第2吸引阀192打开，使吸引垫81的吸引面82与第2吸引源92连通。由此，如图4所示，晶片W被搬入机构31的吸引垫81吸引保持。
并且，如图5所示，控制单元3对升降单元86进行控制而使板83与臂85一起朝向暂放台61的暂放保持面62下降而进行按压。另外，控制单元3将第3空气阀111关闭，另一方面将第3吸引阀112打开，使外周吸引保持部89与第3吸引源102连通。由此，外周吸引保持部89对晶片W的背面Wb的外周部分进行吸引保持。
这样，控制单元3使吸引垫81和外周吸引保持部89分别与第2吸引源92和第3吸引源102连通，从而通过吸引垫81和外周吸引保持部89对暂放台61上的晶片W的中央部分和外周部分进行吸引保持。
然后，控制单元3对升降单元86进行控制而使板83与臂85一起上升。由此，如图6所示，晶片W从暂放台61离开。
在该状态下，控制单元3对臂85和升降单元86进行控制而将板83配置于卡盘工作台30的保持面300的上方。并且，如图7所示，控制单元3对升降单元86进行控制而使板83与臂85一起从保持面300的上方下降。由此，控制单元3使晶片W的中央部分与保持面300接触。
另外，如图8所示，控制单元3将第2吸引阀192关闭，并且将第2空气阀191打开。另外，控制单元3将第3吸引阀112关闭，并且将第3空气阀111打开。由此，将吸引垫81与第2空气源91连通，并且将外周吸引保持部89与第3空气源101连通。其结果是，吸引垫81和外周吸引保持部89消除吸引保持力。
并且，控制单元3对升降单元86进行控制而使板83与臂85一起朝向保持面300下降而进行按压。
由此，如图8所示，配设于固定板94的上表面与臂85的下表面85a之间的螺旋弹簧95收缩。
并且，设置于板83的下表面83a的外周吸引保持部89和第1环状密封件87与晶片W的背面Wb的翘曲的外周部分接触，并且第2环状密封件88与保持面300中的比晶片W靠外侧的位置接触。
这样，如图8所示，控制单元3通过保持面300中的比晶片W靠外侧的部分300a、第1环状密封件87的外壁、板83的下表面83a以及第2环状密封件88的内壁而形成环状空间S。
另外，此时设置于臂85的支承部84的前端的开闭阀97与板83的板连通路96中的空间96c的底部抵接而将板连通路96封闭(封住)。由此，上述环状空间S成为密室。
另外，如图8所示，保持面300经由吸引路303和第4吸引阀302而与第4吸引源301连接。
并且，控制单元3在环状空间S成为密室的状态下将第4吸引阀302打开，从而使保持面300与第4吸引源301连通。如上所述，保持面300的一部分(比晶片W靠外侧的部分300a)形成环状空间S的一部分。因此，通过使保持面300与第4吸引源301连通，保持面300的吸引力作用于环状空间S，从而作为密室的环状空间S内成为负压。
其结果是，通过大气压将板83朝向保持面300按压。因此，通过板83的第1环状密封件87将晶片W的翘曲的外周部分按压至保持面300。由此，晶片W吸附保持于保持面300。
另外，此时外周吸引保持部89从下方被晶片W推动，外周吸引垫89a与板83的下表面83a接近。
在将晶片W吸引保持于保持面300之后，控制单元3将第2空气阀191和第3空气阀111关闭。另外，控制单元3对升降单元86进行控制，使臂85上升。由此，设置于臂85的支承部84的前端的开闭阀97与板83的板连通路96中的空间96c的上部抵接而使板连通路96开放。由此，环状空间S的密室被破坏，环状空间S向大气开放。
另外，如图8、图9以及将开闭阀97的附近放大而示出的图10所示，作为通过开闭阀97在空间96c内向上方向移动而将板连通路96开放的结构，具有板连接路97a，在开闭阀97从空间96c的底部离开时，该板连接路97a将空间96c与板83的上表面83b连接。或者，如图11、图12以及将开闭阀97的附近放大而示出的图13所示，具有阀连接路97b，该阀连接路97b配设于开闭阀97的内部并连接开闭阀97的上下表面，在开闭阀97从空间96c的底部离开而使开闭阀97与空间96c的上部接触时，使板连通路96开放。
然后，控制单元3对升降单元86进行控制而使臂85进一步上升。由此，如图9所示，配设于固定板94的上表面与臂85的下表面85a之间的螺旋弹簧95伸长。
并且，吸引垫81的吸引面82以及设置于板83的下表面83a的外周吸引保持部89和第1环状密封件87从晶片W的背面Wb离开。另外，第2环状密封件88从保持面300离开。
然后，通过磨削单元7的磨削磨具741对卡盘工作台30的保持面300所吸附保持的晶片W进行磨削。
如上所述，在磨削装置1中，在通过搬入机构31将暂放台61上的晶片W搬送至卡盘工作台30时，通过吸引垫81对晶片W的中央进行保持，并且通过多个外周吸引保持部89对晶片W的外周部分进行保持。由此，能够抑制晶片W的外周部分的下垂而牢固地保持晶片W。
因此，即使晶片W弯曲，也能够良好地保持暂放台61上的晶片W而适当地搬送至卡盘工作台30的保持面300。因此，在磨削装置1中，无需为了适当地搬送晶片W而对晶片W实施用于抑制弯曲的加工。其结果是，能够缩短晶片W的加工时间。
另外，在磨削装置1中，控制单元3通过保持面300中的比晶片W靠外侧的部分300a、第1环状密封件87的外壁、板83的下表面83a以及第2环状密封件88的内壁而形成作为密室的环状空间S。另外，控制单元3使用保持面300的吸引力而使环状空间S成为负压，从而通过大气压将板83朝向保持面300按压，通过第1环状密封件87将晶片W的外周部分按压至保持面300。
这样，在磨削装置1中，利用保持面300的吸引力和大气压将晶片W的外周部分按压至保持面300。由此，能够抑制装置的大型化和重量化，并且能够以低成本容易地提高将晶片W按压至保持面300的按压力。
另外，在磨削装置1中，利用了保持面300的吸引力和大气压，因此在根据磨削单元7而改变保持面300的倾斜的情况下，也能够遵循保持面300而按压晶片W。因此，能够通过保持面300容易地吸引保持晶片W。
另外，在本实施方式中，机器人155将通过旋转清洗单元26进行了清洗的晶片W搬入至第2盒152a中。也可以取代该方式，机器人155按照将通过旋转清洗单元26进行了清洗的晶片W搬送至配设于磨削装置1的旁边的贴带机(未图示)的方式构成。
另外，在本实施方式中，在板83的下表面83a上与第1环状密封件87呈同心圆状而具有第2环状密封件88。也可以取代该方式，板83不具有第2环状密封件88。在该情况下，第1环状密封件87不利用大气压而是通过从臂85和升降单元86传递的力将晶片W的外周部分按压至保持面300。因此，优选高刚性地形成传递升降单元86的力的臂85。

Claims (1)

1.一种磨削装置，其通过卡盘工作台的保持面隔着带而对晶片进行保持，通过磨削磨具对晶片的背面进行磨削，该晶片在正面上的由分割预定线划分的区域内形成有器件，在该正面上粘贴有所述带，该晶片沿着该分割预定线在内部形成有改质层，该晶片按照背面侧凹陷的方式翘曲，其中，
该磨削装置至少具有：
暂放台，其用于暂放晶片；
所述卡盘工作台，其具有隔着该带而对晶片进行保持的所述保持面；以及
搬送单元，其将晶片从该暂放台搬送至该卡盘工作台，
该搬送单元具有：
中央吸引保持部，其对晶片的背面的中央部分进行吸引保持；
外周吸引保持部，其对该中央吸引保持部所吸引保持的晶片的外周部分进行吸引保持；以及
环状的按压部，其将中央部分已与该保持面接触的晶片的外周部分按压至该保持面，
当该搬送单元从该暂放台吸引保持晶片时，该中央吸引保持部和该外周吸引保持部与吸引源连通，
当该搬送单元已将晶片搬送至该卡盘工作台的该保持面上时，该中央吸引保持部和该外周吸引保持部与空气提供源连通而消除吸引保持力，该按压部将晶片的外周部分按压至该保持面，该保持面与吸引源连通，
该磨削装置利用所述磨削磨具对该保持面所吸引保持的晶片进行磨削。
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