CN111934167A - 准分子激光退火系统 - Google Patents

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CN111934167A CN202010838749.9A CN202010838749A CN111934167A CN 111934167 A CN111934167 A CN 111934167A CN 202010838749 A CN202010838749 A CN 202010838749A CN 111934167 A CN111934167 A CN 111934167A
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Abstract

本申请提供一种准分子激光退火系统。所述准分子激光退火系统包括激光器,所述激光器用于产生初始激光束。所述激光器包括激光管,所述激光管的相对两个端口分别设有透明镜片。所述透明镜片设有至少两个目标区域,所述至少两个目标区域并列排布。所述目标区域与所述端口形状匹配,所述目标区域可与所述端口配合将所述端口封堵。所述准分子激光系统还包括固定结构,所述固定结构包括滑动部及滑轨,所述滑动部用于固定透明镜片,所述滑动部可在所述滑轨上移动,以切换与所述端口配合的所述目标区域。

Description

准分子激光退火系统
技术领域
本申请涉及激光退火领域,特别涉及一种准分子激光退火系统。
背景技术
准分子激光退火系统可用于制备显示面板中的薄膜晶体管的半导体层,制备过程中,准分子激光退火系统可对非晶氧化物半导体薄膜进行准分子激光退火处理,使非晶氧化物半导体薄膜进行激光退火的位置结晶,形成结晶氧化物半导体材料。
准分子激光退火系统包括激光器,激光器的相对两个开口分别设有镜片。准分子激光退火系统在工作过程中,镜片的表面容易出现污渍,使得镜片的透过率降低,导致显示面板显示过程中出现mura现象。为了解决该问题,需要经常更换激光器的镜片或者更换激光器内的激光物质,增加设备运行的成本。
发明内容
本申请实施例提供了一种准分子激光退火系统。所述准分子激光退火系统包括激光器,所述激光器用于产生初始激光束;所述激光器包括激光管,所述激光管的相对两个端口分别设有透明镜片;
所述透明镜片设有至少两个目标区域,所述至少两个目标区域并列排布;所述目标区域与所述端口形状匹配,所述目标区域可与所述端口配合将所述端口封堵;
所述准分子激光系统还包括固定结构,所述固定结构包括滑动部及滑轨,所述滑动部用于固定透明镜片,所述滑动部可在所述滑轨上移动,以切换与所述端口配合的所述目标区域。
在一个实施例中,所述准分子激光退火系统还包括所述透明镜片上设有与所述目标区域一一对应的密封件,所述密封件设置在对应的所述目标区域的边缘处。
在一个实施例中,所述透明镜片还包括未设置所述目标区域的空白区域,若要在所述空白区域增加另一个目标区域,则增加的目标区域与所述至少两个目标区域至少部分区域重叠,或者增加的目标区域超出所述透明镜片的边缘。
在一个实施例中,所述透明镜片设置的所述目标区域的数量为两个。
在一个实施例中,且各个所述目标区域与所述滑动部之间的距离相同。
在一个实施例中,所述目标区域的面积大于所述初始激光束的光斑的面积,且所述目标区域的形状与所述初始激光束的光斑的形状匹配。
在一个实施例中,所述准分子激光退火系统还包括:
第一除杂装置及第二除杂装置,所述第一除杂装置与所述激光管连通,所述第二除杂装置的一端与所述第一除杂装置连通,另一端与所述激光管连通;所述第一除杂装置及所述第二除杂装置用于除去所述激光管内的工作气体中的杂质;
辅助装置;
所述第一除杂装置与所述第二除杂装置之间的距离小于所述辅助装置与所述第二除杂装置之间的距离。
在一个实施例中,所述辅助装置包括供电装置与冷却装置,所述供电装置用于给所述激光器供电,所述冷却装置用于吸收所述准分子激光退火系统的其他部件产生的热量。
在一个实施例中,所述准分子激光退火系统还包括第三除杂装置,所述第三除杂装置一端与所述激光器连通,另一端与大气连通,所述第三除杂装置用于除去所述激光管的工作气体中的酸性气体。
在一个实施例中,所述准分子激光退火系统还包括光学组件,所述光学组件用于将所述初始激光束转换为线光源。
本申请实施例所达到的主要技术效果是:
本申请实施例提供的准分子激光退火系统,激光管的透明镜片上设有至少两个并列排布的目标区域,当其中一个目标区域与激光管的端口配合使用一段时间后表面污渍变多,可控制滑动部在滑轨上移动,以切换透明镜片的其他目标区域与激光管的端口配合,因而一个透明镜片可使用至少两次,可降低更换透明镜片的频率;透明镜片上设有至少两个并列排布的目标区域,相对于透明镜片上仅设置一个目标区域的方案,本申请实施例提供的方案可合理规划目标区域的位置,提升透明镜片的利用率,透明镜片的有效利用面积提高有助于降低设备运行的成本;通过设置固定结构包括滑动部及滑轨,便于透明镜片的移动,便于切换与激光管的端口配合的目标区域,操作简单。
附图说明
图1是本申请一示例性实施例提供的准分子激光退火系统的结构示意图;
图2是本申请一示例性实施例提供的准分子激光退火系统的透明镜片的结构示意图;
图3是本申请一示例性实施例提供的透明镜片固定在固定结构上的结构示意图;
图4是本申请再一示例性实施例提供的准分子激光退火系统的激光管的剖视图;
图5是本申请一示例性实施例提供的准分子激光退火系统的部分结构通过管路连接的结构示意图;
图6是本申请一示例性实施例提供的准分子激光退火系统的部分工作气体及杂质的蒸气压与温度的关系曲线图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解,本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解,尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息,但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如,在不脱离本申请范围的情况下,第一信息也可以被称为第二信息,类似地,第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境,如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。
本申请实施例提供了一种准分子激光退火系统。下面结合附图,对本申请实施例中的准分子激光退火系统进行详细说明。在不冲突的情况下,下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。
本申请实施例提供了一种准分子激光退火系统。参见图1,所述准分子激光退火系统100包括激光器10,所述激光器10用于产生初始激光束。所述激光器10包括激光管11,所述激光管11的相对两个端口分别设有透明镜片12。
参见图2,所述透明镜片12设有至少两个目标区域121,所述至少两个目标区域121并列排布。所述目标区域121与所述激光管11的端口形状匹配,所述目标区域121可与所述激光管11的端口配合将所述端口封堵。
参见图3,所述准分子激光系统还包括固定结构20,固定结构20包括滑动部21及滑轨22,滑动部21用于固定透明镜片12,滑动部21可在所述滑轨22上移动,以切换与所述激光管11的端口配合的目标区域121。固定结构20的数量与透明镜片12的数量可相同,每一透明镜片12固定在对应的固定结构20上且可由固定结构20带动其移动。
本申请实施例提供的准分子激光退火系统,激光管11的透明镜片12上设有至少两个并列排布的目标区域121,当其中一个目标区域121与激光管11的端口配合使用一段时间后表面污渍变多,可控制滑动部21在滑轨22上移动,以切换透明镜片12的其他目标区域与激光管11的端口配合,因而一个透明镜片12可使用至少两次,可降低更换透明镜片12的频率;透明镜片12上设有至少两个并列排布的目标区域121,相对于透明镜片12上仅设置一个目标区域的方案,本申请实施例提供的方案可合理规划目标区域121的位置,提升透明镜片的利用率,透明镜片12的有效利用面积提高有助于降低设备运行的成本;通过设置固定结构包括滑动部及滑轨,便于透明镜片的移动,便于切换与激光管的端口配合的目标区域,操作简单。
在一个实施例中,滑动部21在滑轨22上的移动可由人工操作,或者滑动部21也可设置有马达,马达可带动滑动部21在滑轨22上的移动。
本申请实施例中,滑动部21在滑轨22上的移动方向、与至少两个目标区域121的排布方向相同,如此滑动部21的滑动可使得不同的目标区域121与激光管11的端口的位置在横向上相对,操作比较简单。其中,相邻的两个目标区域121中,其中一个目标区域121指向另一个目标区域121的方向也即是至少两个目标区域121的排布方向。
在一个实施例中,向激光管11内充入的工作气体可包括He、Ne、Xe、HCl等。通过设置透明镜片12,透明镜片12将激光管11的端口封堵,可防止工作气体从激光管11流出而污染环境;并且初始激光束可穿过透明镜片12的目标区域121,透明镜片12不会影响初始激光束的传播。
在一个实施例中,各个目标区域121与滑动部21之间的距离相同。如此设置,通过控制滑动部21的移动即可使得各个目标区域121与激光管11的端口相对,无需再调整透明镜片12的位置,更便于操作。
图2中所示的实施例中,透明镜片12设有两个目标区域121,目标区域121的形状大致呈矩形,矩形的四个角为圆角,透明镜片12的形状大致呈圆形。在其他实施例中,透明镜片12可设有两个以上的目标区域121,目标区域121的形状也可为圆形、菱形等,透明镜片12也可为矩形、椭圆形等。
在一个实施例中,所述透明镜片12还包括未设置所述目标区域121的空白区域122,若要在所述空白区域122增加另一个目标区域,则增加的目标区域与所述至少两个目标区域121至少部分区域重叠,或者增加的目标区域121超出所述透明镜片12的边缘。如此设置,透明镜片12的空白区域122不能容纳另一个目标区域,也即是透明镜片12上设置的目标区域121的数量已达到最多,透明镜片12的有效利用率较高。
在一个实施例中,所述透明镜片12设置的所述目标区域121的数量为两个。如此设置,可使得在透明镜片12的利用率较高的前提下,透明镜片12的面积不太大,重量较小,便于透明镜片12在滑动部21上的固定。若准分子激光退火系统包括四个激光器10,激光器10的透明镜片12包括两个目标区域121,激光管11的每个端口一年需要使用228个目标区域121,与激光器的透明镜片上仅设置一个目标区域的方案相比,准分子激光退火系统100每年使用的透明镜片的数量可节省2052个,若透明镜片12的单价为2400美元,则每年可节省492万美元。当然,在其他实施例中,透明镜片12上设置的目标区域121的数量可大于两个。
在一个实施例中,所述透明镜片12上设有与所述目标区域121一一对应的密封件123,所述密封件123为环形,所述密封件123设置在对应的所述目标区域121的边缘处。当目标区域121与激光管11的端口配合时,密封件123可使得透明镜片12与激光管11之间的密封性良好,避免激光管11内的工作气体泄漏。
在一个实施例中,所述目标区域121的面积大于所述初始激光束的光斑的面积,且所述目标区域121的形状与所述初始激光束的光斑的形状匹配。初始激光束的光斑的形状指的是初始激光束通过透明镜片时经过的区域的形状,目标区域121的形状与初始激光束的光斑的形状匹配,指的是目标区域121的形状与初始激光束的光斑的形状大致相同。通过设置目标区域121的面积大于初始激光束的光斑的面积,初始激光束可全部通过目标区域121出射,目标区域121不会影响初始激光束的传播;通过设置目标区域121的形状与初始激光束的光斑的形状匹配,则可设置目标区域121的面积略大于初始激光束的光斑的面积,目标区域121的大部分区域用于初始激光束通过,则目标区域121的有效利用面积较大,可进一步提升透明镜片12的有效利用面积的占比。
参见图4,激光管11内设有预电离针111、陶瓷板112、电极113、气体存储器114、气体循环风机115及热交换器116。预电离针111固定在陶瓷板112上,预电离针111用于电离激光管11内的部分工作气体,提高激光管11内的离子浓度。电极113包括阳极和阴极,用于加电压来对工作气体进行电离。气体存储器114用于存储工作气体。气体循环风机115使激光管11中的气体混合均匀。热交换器116可带走高压放电、气体循环风机115运转及激光传播等过程中产生的热量。激光管11在工作时,通过在两个电极之间加压产生无火花放电使泵浦功率大于阈值,进而使工作气体受激并产生粒子数反转的工作物质,也即是受激辐射光。
再次参见图1,激光器10还包括全反射镜片13与半反射镜片14,所述全反射镜片13与所述半反射镜片14分别设置在所述激光管11的相对两侧。全反射镜片13与半反射镜片14之间形成光学共振腔,光学共振腔可实现受激辐射光的共振放大,产生初始激光束。准分子激光退火系统100还包括光学组件,所述光学组件用于将所述初始激光束转换为线光源,进而线光源可对半导体层进行退火处理。在一些实施例中,准分子激光退火系统100可包括多个激光器10,光学组件可将各激光器10产生的初始激光束转换为一个线光源,从而使线光源的能量较大。
由于激光管11内部的很多部件为金属材料,例如金属钨、金属铜、金属铁、金属铝、金属钛等,在放电过程中金属材料会与激光管11内的气体发生反应,同时工作气体受激过程中也会产生一些气体杂质,这将导致激光器工作过程中激光管11内部会存在一些杂质,例如CH2Cl2、CCl4、AlCl3、SnCl4、TiCl4、FeCl4、WClx等。
初始激光束在传播过程中会带动一些固体杂质移动至透明镜片12的目标区域121的表面,导致目标区域121表面的污渍增加。随时激光器激发次数增多,目标区域121表面的污渍越来越多,导致目标区域121的透过率降低,且目标区域121的不同区域污渍分布不均匀,目标区域121的不同区域的透过率不同,导致通过透明镜片12的目标区域121出射的初始激光束的能量分布不均匀,进而导致最后产生的线光源的能量分布不均匀。
目标区域121表面的污渍较多时,采用准分子激光退火系统对显示面板的薄膜晶体管的半导体层进行退火处理,会导致显示面板在显示时出现明暗交替的条纹(又称为Mura ETC-2,简称M2现象),例如显示面板在127灰阶模式下,显示面板在列方向上呈间隔排布的明暗细条纹,相邻条纹之间的间距为1mm至2mm,这将影响用户的使用体验。
发明人研究发现,准分子激光退火系统产生的线光源的长轴方向与显示面板上的明暗条纹的方向一致,M2现象出现的概率随着激光管11内的工作气体的工作时长及显示色彩不均匀(又称shot mura)现象的程度有关。
随着工作气体的工作时长增加,工作气体中的杂质含量越来越大,工作气体的分压降低,激光器10产生的初始激光束的质量下降。初始激光束的质量可通过近场图像的几何中心与能量中心是否重合及不对称数值来表征。通过试验发现,准分子激光退火系统包括四个激光器10、产生的线光源为1000mm时,在工作气体的工作前期,四个激光器10产生的初始激光束的近场图像的不对称数值分别为3.62、3.53、3.83、2.99,四个激光器10产生的初始激光束的远场图像的不对称数值分别为4.61、3.83、8.53、5.55,近场图像与远场图像的几何中心与能量中心的重合性较好;在工作气体的工作后期,四个激光器10产生的初始激光束的近场图像的不对称数值分别为4.69、7.51、9.18、11.15,四个激光器10产生的初始激光束的远场图像的不对称数值分别为7.11、8.20、8.64、9.83,近场图像与远场图像的几何中心与能量中心的重合性较差。可知,随着工作气体的工作时间增大,初始激光束的近场图像的不对称数值及远场图像的不对称数值均增大,说明随着工作气体的工作时间增大,初始激光束的质量变差。
初始激光束的近场图像的不对称数值及远场图像的不对称数值增大,会导致产生的线光源的能量的均匀性和稳定性较低,线光源能量的均一性和稳定性对shot mura的产生有直接的影响。线光源能量的均一性是保证薄膜晶体管的电学性能的重要条件,在准分子激光退火工艺过程中,需保证线光源的长轴的能量的非均匀性≤1.8%,线光源的短轴的能量的非均匀性≤3%。随着工作气体的工作时长增加,工作气体的杂质含量增大,线光源的长轴的能量的均匀性和稳定性下降,会增大shot mura的程度,进而导致显示面板出现M2现象。
由上可知,为了避免显示面板出现M2现象,需要保证激光管11内的工作气体的质量及保证透明镜片12的洁净度。
本申请实施例中,透明镜片12的当前与激光管11的端口配合的目标区域121表面的污渍增多时,移动透明镜片12,使透明镜片12未使用的目标区域121与激光管11的端口配合,有助于提升目标区域121的洁净度,避免目标区域121的污渍增多导致初始激光束的能量分布不均匀。
在一个实施例中,再次参见图1以及图5,所述准分子激光退火系统100还包括第一除杂装置30、第二除杂装置40及辅助装置。其中,第一除杂装置30与所述激光管11连通,第二除杂装置40的一端与所述第一除杂装置30连通,另一端与所述激光管11连通。具体的,第一除杂装置30及第二除杂装置40可通过管道与激光管11连通,第一除杂装置30与第二除杂装置40可通过管道连通。第一除杂装置30及第二除杂装置40用于除去所述激光管11内的工作气体中的杂质。其中,第一除杂装置30中可设有隔膜分子泵,以使气体在按照图4的箭头的方向所示在激光管11、第一除杂装置30及第二除杂装置40之间循环流动。如此设置,工作气体在激光管11、第一除杂装置30及第二除杂装置40之间循环流动的过程中,工作气体中的一些气体杂质和固体杂质被除去,提升工作气体的分压,有助于降低透明镜片12表面的污渍的量,避免目标区域121的污渍增多导致初始激光束的能量分布不均匀;并且可减小透明镜片12的使用量,有助于降低准分子激光退火系统的运行成本。
在一个实施例中,所述第一除杂装置30与所述第二除杂装置40之间的距离小于所述辅助装置与所述第二除杂装置40之间的距离。如此设置,第一除杂装置30的位置设置比较合理,用于连通第一除杂装置30与第二除杂装置40的管道的长度可设置得较小,工作气体从激光管11流经第一除杂装置30及第二除杂装置40再回到激光管11的路径的长度较小,工作气体从激光管11流经第一除杂装置30及第二除杂装置40再回到激光管11所需的时间降低,则工作气体的净化频率提升,有助于降低工作气体中的杂质含量,降低透明镜片12表面的污渍含量,可进一步提升激光器产生的初始激光束能量的均匀性和稳定性。通过试验证明,本申请实施例提供的准分子激光退火处理系统可使得在工作气体的工作前期及工作后期,初始激光源的近场图像和远场图像的不对称数值均小于10,使线光源的能量稳定且能量分布均匀,线光源的长轴的能量的非均匀性及短轴的能量的非均匀性稳定,线光源的质量较高。
在一个实施例中,所述辅助装置包括供电装置70与冷却装置80,所述供电装置70用于给所述激光器10供电,所述冷却装置80用于吸收所述准分子激光退火系统100的其他部件产生的热量,例如激光器10产生的热量。热交换装置80中可存储有冷却水,冷却水可吸收其他部件产生的热量。图1所示的实施例中,冷却装置80位于供电装置70与第一除杂装置30之间,在其他实施例中,供电装置70也可位于冷却装置80与第一除杂装置30之间。
如图1中所示,管道91的长度d1约为65mm,管道92的长度约为70mm,若将第一除杂装置30设置在供电装置70的位置处,管道91的长度约为255mm,管道92的长度约为255mm。可知,通过设置第一除杂装置30与第二除杂装置40之间的距离小于辅助装置与第二除杂装置40之间的距离,可有效减小第一除杂装置30与第二除杂装置40之间的管道的长度。
在一些实施例中,第一除杂装置30为低温冷凝气体净化装置。激光管的工作温度主要在135K至140K的温度范围内。参见图6,曲线a1为Xe的蒸气压与温度的关系曲线,曲线a2为HCl的蒸气压与温度的关系曲线,曲线a3为CH2Cl2的蒸气压与温度的关系曲线,曲线a4为CCl4的蒸气压与温度的关系曲线,曲线a5为AlCl3、SnCl4、TiCl4、FeCl4、WClx等金属氯化物的蒸气压与温度的关系曲线。由图4可知,在135K至140K的温度范围时,经过低温冷凝气体净化装置时杂质CH2Cl2、CCl4、AlCl3、SnCl4、TiCl4、FeCl4及WClx均呈固态,会留在第一除杂装置30中,从而进入到第二除杂装置40中的工作气体中的杂质减小。
在一些实施例中,第二除杂装置40为微孔过滤器,微孔过滤器可过滤掉粒径大于0.25μm的固体杂质,以进一步提升工作气体的纯度。
在一些实施例中,准分子激光退火系统100还可包括静电吸附除杂装置(未图示),静电吸附除杂装置可与激光管11一体成型,通过静电吸附的作用除去工作气体中粒径小于0.25μm的固体杂质。
在一个实施例中,所述准分子激光退火系统还包括第三除杂装置50,所述第三除杂装置50的一端与所述激光管11连通,另一端与大气连通,所述第三除杂装置50用于除去工作气体中的酸性气体。如此设置,当激光管11中的工作气体需要更换时,工作气体通过第三除杂装置50时,第三除杂装置50将其中的酸性气体除去,其他气体排到大气中,可降低工作气体对大气的污染。第三除杂装置50中可存储有碱性溶液,碱性溶液与酸性气体发生反应,将酸性气体除去。
在一些实施例中,所述准分子激光退火系统还包括抽气泵60,开启抽气泵60,抽气泵60将激光管11中的工作气体抽出并排入大气。
需要指出的是,在附图中,为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”时,它可以直接在其他元件上,或者可以存在中间的层。另外,可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“下”时,它可以直接在其他元件下,或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外,还可以理解,当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时,它可以为两层或两个元件之间唯一的层,或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后,将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是,本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种准分子激光退火系统,其特征在于,所述准分子激光退火系统包括激光器,所述激光器用于产生初始激光束;所述激光器包括激光管,所述激光管的相对两个端口分别设有透明镜片;
所述透明镜片设有至少两个目标区域,所述至少两个目标区域并列排布;所述目标区域与所述端口形状匹配,所述目标区域可与所述端口配合将所述端口封堵;
所述准分子激光系统还包括固定结构,所述固定结构包括滑动部及滑轨,所述滑动部用于固定透明镜片,所述滑动部可在所述滑轨上移动,以切换与所述端口配合的所述目标区域。
2.根据权利要求1所述的准分子激光退火系统,其特征在于,所述准分子激光退火系统还包括所述透明镜片上设有与所述目标区域一一对应的密封件,所述密封件设置在对应的所述目标区域的边缘处。
3.根据权利要求1所述的准分子激光退火系统,其特征在于,所述透明镜片还包括未设置所述目标区域的空白区域,若要在所述空白区域增加另一个目标区域,则增加的目标区域与所述至少两个目标区域至少部分区域重叠,或者增加的目标区域超出所述透明镜片的边缘。
4.根据权利要求1所述的准分子激光退火系统,其特征在于,所述透明镜片设置的所述目标区域的数量为两个。
5.根据权利要求1所述的准分子激光退火系统,其特征在于,且各个所述目标区域与所述滑动部之间的距离相同。
6.根据权利要求1所述的准分子激光退火系统,其特征在于,所述目标区域的面积大于所述初始激光束的光斑的面积,且所述目标区域的形状与所述初始激光束的光斑的形状匹配。
7.根据权利要求1所述的准分子激光退火系统,其特征在于,所述准分子激光退火系统还包括:
第一除杂装置及第二除杂装置,所述第一除杂装置与所述激光管连通,所述第二除杂装置的一端与所述第一除杂装置连通,另一端与所述激光管连通;所述第一除杂装置及所述第二除杂装置用于除去所述激光管内的工作气体中的杂质;
辅助装置;
所述第一除杂装置与所述第二除杂装置之间的距离小于所述辅助装置与所述第二除杂装置之间的距离。
8.根据权利要求7所述的准分子激光退火系统,其特征在于,所述辅助装置包括供电装置与冷却装置,所述供电装置用于给所述激光器供电,所述冷却装置用于吸收所述准分子激光退火系统的其他部件产生的热量。
9.根据权利要求1所述的准分子激光退火系统,其特征在于,所述准分子激光退火系统还包括第三除杂装置,所述第三除杂装置一端与所述激光器连通,另一端与大气连通,所述第三除杂装置用于除去所述激光管的工作气体中的酸性气体。
10.根据权利要求1所述的准分子激光退火系统,其特征在于,所述准分子激光退火系统还包括光学组件,所述光学组件用于将所述初始激光束转换为线光源。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113054516A (zh) * 2021-03-11 2021-06-29 京东方科技集团股份有限公司 密封装置、激光器和激光退火设备

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4229709A (en) * 1978-06-12 1980-10-21 Mcmahan William H Laser device
JPS6185883A (ja) * 1984-10-04 1986-05-01 Mitsubishi Electric Corp ガス循環型レ−ザ発振装置
JPS63209187A (ja) * 1987-02-26 1988-08-30 Nikon Corp エキシマレ−ザ装置
EP0314810A1 (en) * 1987-05-18 1989-05-10 Fanuc Ltd. Laser oscillator and method of providing laser gas to said laser oscillator
CN101431208A (zh) * 2008-12-08 2009-05-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于两种以上波长激光交替输出的输出窗口切换装置
CN102244339A (zh) * 2011-06-13 2011-11-16 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 圆周分布多个激光窗口的安装装置
CN104953444A (zh) * 2015-07-03 2015-09-30 中国科学院光电研究院 一种用于准分子激光器的气体循环系统
CN104966981A (zh) * 2015-07-14 2015-10-07 京东方科技集团股份有限公司 激光器
CN204992232U (zh) * 2015-08-04 2016-01-20 上海和辉光电有限公司 气体激光器
CN106374326A (zh) * 2015-07-24 2017-02-01 光械股份有限公司 准分子气体净化
CN106654817A (zh) * 2017-03-17 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 准分子激光发生器和准分子激光退火设备
CN108939868A (zh) * 2017-05-17 2018-12-07 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 具有气体回收功能的准分子激光振荡装置
CN110265859A (zh) * 2019-05-30 2019-09-20 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种激光输出光学谐振腔装置
CN110600367A (zh) * 2019-09-19 2019-12-20 京东方科技集团股份有限公司 激光退火装置和激光退火设备

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4229709A (en) * 1978-06-12 1980-10-21 Mcmahan William H Laser device
JPS6185883A (ja) * 1984-10-04 1986-05-01 Mitsubishi Electric Corp ガス循環型レ−ザ発振装置
JPS63209187A (ja) * 1987-02-26 1988-08-30 Nikon Corp エキシマレ−ザ装置
EP0314810A1 (en) * 1987-05-18 1989-05-10 Fanuc Ltd. Laser oscillator and method of providing laser gas to said laser oscillator
CN101431208A (zh) * 2008-12-08 2009-05-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于两种以上波长激光交替输出的输出窗口切换装置
CN102244339A (zh) * 2011-06-13 2011-11-16 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 圆周分布多个激光窗口的安装装置
CN104953444A (zh) * 2015-07-03 2015-09-30 中国科学院光电研究院 一种用于准分子激光器的气体循环系统
CN104966981A (zh) * 2015-07-14 2015-10-07 京东方科技集团股份有限公司 激光器
CN106374326A (zh) * 2015-07-24 2017-02-01 光械股份有限公司 准分子气体净化
CN204992232U (zh) * 2015-08-04 2016-01-20 上海和辉光电有限公司 气体激光器
CN106654817A (zh) * 2017-03-17 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 准分子激光发生器和准分子激光退火设备
CN108939868A (zh) * 2017-05-17 2018-12-07 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 具有气体回收功能的准分子激光振荡装置
CN110265859A (zh) * 2019-05-30 2019-09-20 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种激光输出光学谐振腔装置
CN110600367A (zh) * 2019-09-19 2019-12-20 京东方科技集团股份有限公司 激光退火装置和激光退火设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113054516A (zh) * 2021-03-11 2021-06-29 京东方科技集团股份有限公司 密封装置、激光器和激光退火设备
CN113054516B (zh) * 2021-03-11 2022-06-24 京东方科技集团股份有限公司 密封装置、激光器和激光退火设备

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