CN110600367A - 激光退火装置和激光退火设备 - Google Patents
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- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 72
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 16
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 13
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 8
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
本发明实施例提供一种激光退火装置和激光退火设备。激光退火装置包括输出激光的激光装置以及将所述激光引导至退火室的光学装置,所述光学装置包括在激光传输光路上依次设置的准直机构、补偿机构和聚焦结构,所述补偿机构用于对激光的初始光斑剖面进行补偿,使初始光斑剖面形成标准对称形态。本发明通过在准直机构与聚焦结构之间设置补偿机构,补偿机构对激光的初始光斑剖面进行优化,使初始光斑剖面形成标准对称形态,消除了初始光斑剖面的变形和偏移,保证了激光光束能量分布的均匀性,而且可以延长激光窗的使用时间。
Description
技术领域
本发明涉及显示器制备技术领域,具体涉及一种激光退火装置和激光退火设备。
背景技术
近年来,显示技术得到快速发展,薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)技术由原来的非晶硅(a-Si)薄膜晶体管发展到低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)薄膜晶体管。目前,在LTPS实际生产中,通常采用准分子激光退火(Excimer LaserAnnealing,ELA)工艺将非晶硅熔融转变为多晶硅。
准分子激光退火过程中,对激光光束的初始光斑剖面(Raw Beam Profile)有严格要求,以保证线光斑(Line Beam)的稳定性和能量分布均匀性。由于多晶硅的结晶效果很大程度上依赖激光的品质,当激光的线光斑的稳定性和能量分布不均匀时,会导致激光退火后基板出现不同程度的水印(Mura)问题,因此一旦初始光斑剖面不满足规格要求,则需要更换激光窗(Tube Window),甚至更换激光管(Tube)。由此可见,准分子激光退火工艺是一种工艺要求高、消耗性备件使用量大、生产成本高的工艺。
因此,如何保证初始光斑剖面的品质,并减小消耗性备件使用量,是本领域丞待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种激光退火装置和激光退火设备,以保证初始光斑剖面的品质,并减小消耗性备件使用量。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种激光退火装置,包括输出激光的激光装置以及将所述激光引导至退火室的光学装置,所述光学装置包括在激光传输光路上依次设置的准直机构、补偿机构和聚焦结构,所述补偿机构用于对激光的初始光斑剖面进行补偿,使初始光斑剖面形成标准对称形态。
可选地,所述补偿机构包括分束单元和翻转单元,其中,
所述分束单元,用于将来自所述准直机构的入射光束处理成第一光束和第二光束;还用于将所述第一光束和初始光斑剖面翻转后的第二光束拟合,向所述聚焦结构输出具有标准对称形态初始光斑剖面的光束;
所述翻转单元,用于将所述第二光束的初始光斑剖面翻转。
可选地,所述分束单元包括分束器,所述分束器通过反射形成第一光束,通过透射形成第二光束。
可选地,所述分束器的反射率为50%,所述分束器的透射率为50%。
可选地,所述翻转单元包括相对设置的第一反射镜和第二反射镜,所述第一反射镜和第二反射镜设置在所述分束器的透射面一侧,所述第一反射镜与所述分束器的透射面之间的夹角为67.5°,所述第二反射镜与所述分束器的透射面之间的夹角为67.5°。
可选地,所述补偿机构设置在所述准直机构的第四反射镜与所述聚焦结构的第五反射透射镜之间。
可选地,所述激光装置包括形成气体循环腔室的壳体和形成谐振腔室的激光管,所述谐振腔室内设置有放电电极和消除激光输出路径上气体杂质的气体净化装置。
可选地,所述气体净化装置包括至少二个静电吸附管,所述至少二个静电吸附管固定在所述谐振腔室的侧壁上。
可选地,所述至少二个静电吸附管分别设置在气体进出所述放电电极的通道上。
本发明实施例还提供了一种激光退火设备,包括前述的激光退火装置。
本发明实施例所提供的激光退火装置和激光退火设备,通过在准直机构与聚焦结构之间设置补偿机构,补偿机构对激光的初始光斑剖面进行优化,使初始光斑剖面形成标准对称形态,消除了初始光斑剖面的变形和偏移,保证了激光光束能量分布的均匀性,而且可以延长激光窗的使用时间。
当然,实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述,并且,部分地从说明书实施例中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案,并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例,目的只是示意说明本发明内容。
图1为正常情况下初始光斑形状的示意图;
图2为变形后初始光斑形状的示意图;
图3为本发明实施例激光退火装置的结构示意图;
图4为本发明实施例光学装置的结构示意图;
图5为本发明实施例补偿机构一种实施结构的示意图;
图6、图7和图8为本发明实施例补偿机构的工作原理图;
图9为本发明实施例光学装置一种实施结构的示意图;
图10为本发明实施例激光装置的结构示意图。
附图标记说明:
10—激光装置; 11—壳体; 12—激光管;
13—恒流风扇; 14—冷却棒; 15—气体净化装置;
16—低温气体净化器; 17—静电过滤器; 110—气体循环腔室;
120—谐振腔室; 121—放电电极; 20—光学装置;
21—衰减机构; 22—准直机构; 23—补偿机构;
24—聚焦结构; 25-光斑监控装置; 231—分束器;
232—第一反射镜; 233—第二反射镜; 300—退火室;
400—基板。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在采用准分子激光退火设备将非晶硅(a-Si)熔融转变为多晶硅(p-Si)过程中,对激光初始光斑的尺寸和形状有严格要求。例如,现有5代线对308nm紫外光初始光斑尺寸和形状要求为:初始光斑尺寸(半峰全宽FWHM):35±4mm(垂直vertical)×14.5±3mm(水平horizontal),初始光斑指向稳定性(Raw beam pointing stability)(2σ):长轴LA≤0.45毫弧度(mrad),短轴SA≤0.15毫弧度(mrad)。经本申请发明人研究发现,准分子激光退火设备使用一定时间后,初始光斑的尺寸和形状不满足规格要求的主要原因是由于激光窗污染造成的。具体地说,在每个气体(Gas)使用周期内,激光管的持续加高压放电(500Hz、约33.6Kv),使得激光管内部气体分压加大,杂质含量增多,最终在密封气体的激光窗上产生烧痕(burn mark)污渍和印迹等污染。激光窗被污染,使得透过激光窗的初始光斑剖面(RawBeam Profile)产生一定的变形。图1为正常情况下初始光斑形状的示意图,图2为变形后初始光斑形状的示意图。根据图1和图2的比较可以看出,由于激光窗的污染,不仅初始光斑剖面在短轴(Short Axis,SA)方向上位置漂移严重,而且初始光斑剖面在短轴方向上有较大变形,导致能量分布很不均匀。
为了消除激光退火装置初始光斑剖面的变形,提高初始光斑剖面的能量分布均匀性,本发明实施例提供了一种激光退火装置。图3为本发明实施例激光退火装置的结构示意图,如图3所示,激光退火装置的主体结构包括激光装置10和光学装置20,其中,激光装置10用于生成并输出激光L,光学装置20用于对激光装置10输出的激光L进行处理和传输,并将激光L引导至退火室300,使激光L对退火室300中放置的基板400进行激光退火处理。本发明实施例中,激光装置10可以理解为用于产生、控制和输出激光,包括一个或多个激光器,各个激光器能够根据控制装置提供的控制信号实现对所输出激光的功率/能量、波长进行调控,输出所需的激光束。
图4为本发明实施例光学装置的结构示意图,如图4所示,本发明实施例光学装置包括在激光传输光路上沿激光传播方向依次设置的衰减机构21、准直机构22、补偿机构23和聚焦结构24。其中,衰减机构21用于对激光装置10输出的激光L进行能量控制,准直机构22用于对衰减机构21控制后的激光转换为平行光,补偿机构23用于对准直机构22处理后的平行光进行光斑剖面进行补偿,使光斑剖面形成标准对称形态,聚焦结构24用于对补偿机构23处理后的光斑进行聚焦处理以形成设定尺寸的光斑。
本发明实施例中,衰减机构21、准直机构22和聚焦结构24可以采用相关技术中成熟的光学器件。例如,衰减机构21可以采用衰减片或者波片加偏振分束棱镜的方式构成,通过改变镜片透过率或者偏振方向的方式,实现对激光装置10输出的激光L的能量进行实时控制。准直机构22可以采用单透镜或望远镜组件,通过单透镜或望远镜组件将激光转换为平行光。聚焦结构24可以采用透镜阵列,通过透镜阵列对光斑进行聚焦处理,通过聚焦成像形成设定尺寸的光斑向退火室输出。本发明实施例中,通过在准直机构22与聚焦结构24之间设置补偿机构23,通过对激光的初始光斑剖面进行补偿,消除初始光斑剖面的变形和偏移,使初始光斑剖面在短轴方向或长轴方向上回归标准对称形态。
本发明实施例补偿机构包括分束单元和翻转单元,分束单元用于将来自准直机构22的入射光束处理成第一光束和第二光束,翻转单元用于将第二光束的光斑剖面翻转,分束单元还用于将第一光束和翻转后的第二光束拟合,向聚焦结构24输出具有标准对称形态光斑剖面的光束。
图5为本发明实施例补偿机构一种实施结构的示意图,如图5所示,本实施结构的分束单元包括分束器231,分束器231通过反射形成第一光束,通过透射形成第二光束。具体地,分束器231的反射率为50%,透射率为50%,即分束器231的反射率和透射率各50%。分束器231用于将入射光束分成占入射光50%的反射光束和占入射光50%的透射光束。本实施结构的翻转单元222包括第一反射镜232和第二反射镜233,第一反射镜232和第二反射镜233设置在分束器231的透射面(背离入射光束一侧的表面)一侧,且相对设置,用于对透射光束的光斑剖面进行翻转处理。如图5所示,假设入射到补偿机构的激光光束为水平方向传输,分束器231的反射面和透射面设置成与水平方向呈45°,第一反射镜232的反射面设置成与水平方向呈112.5°,第二反射镜233的反射面设置成与水平方向呈-22.5°。也就是说,第一反射镜232的反射面与分束器231的透射面之间的夹角设置成67.5°,第二反射镜233的反射面与分束器231的透射面之间的夹角设置成67.5°,第一反射镜232的反射面与第二反射镜233的反射面之间的夹角设置成45°。
图6、图7和图8为本发明实施例补偿机构的工作原理图。下面以入射光束中的两个光线(第一光线L1和第二光线L2)为例,说明本发明实施例补偿机构的工作原理。其中,来自准直机构的激光入射光束具有变形的光斑剖面,第二光线L2的强度大于第一光线L1的强度。水平方向传输的入射光束以45°入射角入射到分束器231时,在分束器231的A位置,第一光线L1的50%被反射成与水平方向呈90°(垂直方向)的第一反射光LF1,在分束器231反射面的B位置,第二光线L2的50%被反射成与水平方向呈90°(垂直方向)的第二反射光LF2。这样,由于第二反射光LF2的强度大于第一反射光LF1的强度,因此分束器231上B位置的反射光的强度大于分束器231上A位置的反射光的强度,如图6所示。
同时,水平方向传输的入射光束以45°入射角入射到分束器231时,在分束器231的A位置,第一光线L1的50%被分束器231透射,形成水平方向传输的第一透射光LT1;在分束器231的B位置,第二光线L2的50%被分束器231透射,形成水平方向传输的第二透射光LT2。由于第一反射镜232的反射面与水平方向呈112.5°,因此第一透射光LT1以22.5°的入射角入射到第一反射镜232,被反射成与水平方向呈-45°。由于第二反射镜233的反射面与水平方向呈-22.5°,因此被第一反射镜232反射后的第一透射光LT1是以22.5°的入射角入射到第二反射镜233,被反射成与水平方向呈90°(垂直方向),经分束器231透射后,从分束器231的B位置出射。同样,第二透射光LT2先以22.5°的入射角入射到第一反射镜232,被反射成与水平方向呈-45°,随后以22.5°的入射角入射到第二反射镜233,被反射成与水平方向呈90°(垂直方向),经分束器231透射后,从分束器231的A位置出射,如图8中的长虚线所示。这样,由于第二透射光LT2的强度大于第一透射光LT1的强度,因此分束器231上B位置的透射光的强度小于分束器231上A位置的透射光的强度,如图7所示。其中,图7中的短虚线为第一透射光LT1,长虚线为第二透射光LT2。
若原始输出激光的初始光斑剖面存在短轴上的变形和位置偏移,本发明实施例的补偿机构将50%的激光按照原来的路径反射,另外50%的激光经过反射使光斑剖面翻转后,与反射的那部分光拟合,形成相互补偿,即可使变形和偏移的光斑剖面在短轴上回归标准对称形态,如图8所示。
实际实施时,也可以设置两个补偿机构,一个补偿机构消除短轴方向上光斑剖面的变形和偏移,另一个补偿机构消除长轴方向上光斑剖面的变形和偏移。
通过本发明实施例的结构和工作过程可以看出,本发明实施例通过在准直机构与聚焦结构之间设置光学的补偿机构,补偿机构对激光的初始光斑剖面进行优化,很好的解决了激光初始光斑剖面的变形和位置偏移现象。具体地,补偿机构将50%的激光按照原来的路径反射,另外50%的激光经过反射使光斑剖面翻转后,与反射的那部分光拟合,形成相互补偿,消除了光斑剖面短轴方向或长轴方向上的变形和偏移,使变形和偏移的光斑剖面在短轴或长轴上回归标准对称形态,保证了初始光斑能量分布的均匀性,不仅避免了准分子激光退火设备照射后基板出现水印缺陷,而且可以延长激光窗的使用时间,减少了激光退火装置中消耗性备件的使用量,大幅度降低了生产成本。
图9为本发明实施例光学装置一种实施结构的示意图,示意了一路激光的传输情况。本实施结构中,激光装置发出的激光,先经过衰减机构21调节能量大小,然后经准直机构22和补偿机构23处理后,小部分光传递给光斑监控装置25进行监控,其余大部分光经聚焦结构24处理后,向退火室输出。具体地,如图9所示,衰减机构21包括在激光(Laser)传输路径上沿激光传播方向依次设置的入口窗(Entrance Windows,EW)和衰减器(Attenuatos,ATT),入口窗用于密封激光尾迹(tail)及透射激光光束,衰减器为1%ATT,用于将输出的激光能量衰减至1%,形成低功率模式。准直机构22包括在激光传输路径上沿激光传播方向依次设置的第一反射镜M1、第二反射镜M2、第一望远组件TLSP1、第三反射镜M3、第二望远组件TLSP2和第四反射镜M4。其中,反射镜(Mirror)用于反射激光,望远组件(Telescope Lens,TLSP)用于光斑准直(collimation)处理,将激光转换为平行光。聚焦结构24包括在激光传输路径上沿激光传播方向依次设置的第五反射透射镜M5、第六反射镜M6、第一短轴望远镜TLSA1、第一长轴望远镜TLLA1、第二长轴望远镜TLLA2、第二短轴望远镜TLSA2和第七反射镜M7。其中,第五反射透射镜M5用于反射大部分激光,透射小部分激光;第六反射镜M6和第七反射镜M7用于反射激光;两个短轴望远镜(Short Axis Telescope Lens,TLSA)用于光斑短轴方向尺寸调节,两个长轴望远镜(Long Axis Telescope Lens,TLSA)用于光斑长轴方向尺寸调节,通过聚焦成像形成设定尺寸的光斑向退火室输出。光斑监控装置25用于对光斑进行监控,包括沿透射的小部分激光传播方向依次设置的第一初始光斑监控器光路反射镜MRBM1、第二初始光斑监控器光路反射镜MRBM2和初始光斑监控器RBM。其中,初始光斑监控器光路反射镜MRBM用于使激光进入监视器位置,初始光斑监控器(Raw Beam Monitor,RBM)用于监视初始光斑的参数规格。本发明实施例的补偿机构23设置在准直机构22与聚焦结构24之间,具体设置在准直机构22的第四反射镜M4与聚焦结构24的第五反射透射镜之间,用于对激光进行光斑剖面补偿,使光斑剖面形成标准对称形态。
需要说明的是,图5中一个分束器和两个反射镜的结构仅仅是一种结构示例。实际实施时,根据本发明实施例补偿机构的技术思路,可以根据实际需要采用其它结构形式,本发明实施例在此不做具体限定。例如,可以根据实际需要将分束器的反射率或透射率设置成大于50%。又如,反射镜可以设置3个或多个。
实际生产表明,激光窗污染严重时,不仅会使初始光斑剖面产生一定的变形,而且会使激光的透射率不满足使用规定。通常,生产过程对激光的透射率有较严格的规定,如要求前激光镜片(Front)的透射率>97%,后激光镜片(Rear)的透射率>96.5%。当激光的透射率不满足使用规定率时,则需要更换激光镜片或者激光窗。目前,现有激光窗的更换周期为44小时,约8千万个脉冲,激光管的更换周期为120天,约50亿个脉冲。显然,对于使用量大、频率高、单价超高的激光窗来说,不断更换激光窗会导致生产成本直线上升。此外,激光窗污染严重时,还会引起激光管内的能量持续偏高,甚至引起报警,导致生产中断,不仅严重影响了设备稼动率,而且增加了气体成本。
为了消除激光装置内部气体的杂质,现有技术通常是采用改善电极材料和在激光装置外部对气体进行净化的解决方案。改善电极材料方案是对激光装置内两个放电电极的材料进行设计,以避免电极材料与卤素(Halogen)气体反应生成固体复合物,但由于改善材料的难度较大,因此该方案短期内难以消除激光管内部气体的杂质。对气体进行净化方案是在激光装置外部分别设置低温气体净化器和静电过滤器,通过管道与激光装置连通,从激光装置抽取气体进行净化或过滤,然后将净化或过滤后的其它送回激光装置。经本申请发明人研究发现,随着单次气体使用时间的增加,气体老化变脏会导致杂质颗粒明显增加,且杂质颗粒主要集中在高压放电区域,而现有气体净化方案无法有效消除高压放电区域的杂质颗粒。
为此,本发明实施例提供了一种有效消除高压放电区域杂质颗粒的解决方案。图10为本发明实施例激光装置的结构示意图。如图10所示,本发明实施例激光装置的主体结构包括壳体11、激光管12、恒流风扇13、冷却棒14和气体净化装置15。其中,壳体11形成气体循环腔室110,恒流风扇13和冷却棒14设置在气体循环腔室110内,用于冷却气体循环腔室110内的气体。激光管12形成谐振腔室120,谐振腔室120内设置有一对放电电极121,谐振腔室120与气体循环腔室110连通。本发明实施例气体净化(Gas Clean)装置25设置在激光管12的谐振腔室120内,以消除激光输出路径上的气体杂质。
本发明实施例提出了一种不同于现有技术的技术思路,通过在激光管内部设置气体净化装置,不仅可以消除激光管内部的气体杂质,而且主要消除激光输出路径上的气体杂质,减少杂质含量高的气体出现在激光输出路径上,以尽量避免透过激光光束的激光窗不会被污染,直到激光管达到其使用寿命,完成激光管的更换。
本发明实施例中,气体净化装置可以采用静电吸附管,通过静电吸附激光输出路径上的杂质颗粒。具体地,1组(左右各1根)静电吸附管通过固定装置固定在谐振腔室120的侧壁上,由外部电源供电。优选地,2根静电吸附管分别设置在气体进出放电电极的通道上,即1根静电吸附管设置在气体进入放电电极的气体通道上,另1根静电吸附管设置在气体离开放电电极的气体通道上,形成对称结构,可以提高放电电极之间高压放电区域的气体纯净度,避免因单次气体使用时间增加气体老化变脏导致杂质微粒增多的情况,进而避免激光输出路径两端的激光镜片污染加重。
如图10所示,本发明实施例激光装置还包括低温气体净化器16和静电过滤器17,低温气体净化器16和静电过滤器17通过管道与激光装置连通。低温气体净化器16和静电过滤器17可以采用现有结构,这里不再赘述。
本发明实施例提供了一种激光退火装置,在激光装置中设置气体净化装置,通过消除激光输出路径上的气体杂质,有效减轻了激光窗的污染程度。激光窗污染程度的减轻,在保证激光透射率满足使用规定的前提下可以增加激光窗的使用次数,同时在激光窗的使用寿命期内可以减小初始光斑剖面的变形,保证初始光斑的能量分布均匀性。试验表明,对于激光透射率≥96.5%的使用规定,本发明实施例激光窗的使用次数可增加2次。按照每年上百次激光退火工艺次数计算,每个激光窗的使用次数增加2次即可减少几千万的购买激光窗的费用。同时,激光窗使用次数的增加,还可在一定程度上延长激光管的使用寿命。因此,本发明解决方案产生的经济效益十分明显,值得推广。
本发明实施例在不改变激光退火装置原有光路传输通道和激光装置内部结构的前提下,通过在光学装置中增加光学补偿机构、在激光装置中增加静电吸附管,不仅使输出激光的初始光斑剖面得到优化,而且提高了激光窗的使用次数。由于增加的补偿机构和静电吸附管尺寸小,因此不会影响光学装置和激光装置内部的其它结构。由于补偿机构和静电吸附管的设置位置不影响激光器的气体反应,因此增加补偿机构和静电吸附管后的激光退火装置在激光产生方面不受影响,可满足正常工艺需求。由于增加的补偿机构和静电吸附管成本低,安装简单,因此本发明实施例的解决方案既可以应用在新设计的激光退火装置中,也可以应用在正在使用的激光退火装置中,使激光的初始光斑剖面得到优化,进而提高激光退火的工艺质量,降低基板出现斑点类不良的几率,可实现性高,实用性强,效果明显,具有良好的应用前景。
基于前述的技术构思,本发明实施例还提供了一种激光退火设备,包括前述的激光退火装置。
在本发明实施例的描述中,需要理解的是,术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式,并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员,在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本发明的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种激光退火装置,其特征在于,包括输出激光的激光装置以及将所述激光引导至退火室的光学装置,所述光学装置包括在激光传输光路上依次设置的准直机构、补偿机构和聚焦结构,所述补偿机构用于对激光的初始光斑剖面进行补偿,使初始光斑剖面形成标准对称形态。
2.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述补偿机构包括分束单元和翻转单元,其中,
所述分束单元,用于将来自所述准直机构的入射光束处理成第一光束和第二光束;还用于将所述第一光束和初始光斑剖面翻转后的第二光束拟合,向所述聚焦结构输出具有标准对称形态初始光斑剖面的光束;
所述翻转单元,用于将所述第二光束的初始光斑剖面翻转。
3.根据权利要求2所述的激光退火装置,其特征在于,所述分束单元包括分束器,所述分束器通过反射形成第一光束,通过透射形成第二光束。
4.根据权利要求3所述的激光退火装置,其特征在于,所述分束器的反射率为50%,所述分束器的透射率为50%。
5.根据权利要求2所述的激光退火装置,其特征在于,所述翻转单元包括相对设置的第一反射镜和第二反射镜,所述第一反射镜和第二反射镜设置在所述分束器的透射面一侧,所述第一反射镜与所述分束器的透射面之间的夹角为67.5°,所述第二反射镜与所述分束器的透射面之间的夹角为67.5°。
6.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述补偿机构设置在所述准直机构的第四反射镜与所述聚焦结构的第五反射透射镜之间。
7.根据权利要求1~6任一所述的激光退火装置,其特征在于,所述激光装置包括形成气体循环腔室的壳体和形成谐振腔室的激光管,所述谐振腔室内设置有放电电极和消除激光输出路径上气体杂质的气体净化装置。
8.根据权利要求7所述的激光退火装置,其特征在于,所述气体净化装置包括至少二个静电吸附管,所述至少二个静电吸附管固定在所述谐振腔室的侧壁上。
9.根据权利要求8所述的激光退火装置,其特征在于,所述至少二个静电吸附管分别设置在气体进出所述放电电极的通道上。
10.一种激光退火设备,其特征在于,包括如权利要求1~9中任一项所述的激光退火装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910886061.5A CN110600367A (zh) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | 激光退火装置和激光退火设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201910886061.5A CN110600367A (zh) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | 激光退火装置和激光退火设备 |
Publications (1)
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---|---|
CN110600367A true CN110600367A (zh) | 2019-12-20 |
Family
ID=68861002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910886061.5A Pending CN110600367A (zh) | 2019-09-19 | 2019-09-19 | 激光退火装置和激光退火设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN110600367A (zh) |
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