CN111848618A - 一类有机半导体分子及其化合物、制备方法和在有机光电器件中的应用 - Google Patents

一类有机半导体分子及其化合物、制备方法和在有机光电器件中的应用 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一类有机半导体分子及其化合物、制备方法和在有机光电器件中的应用。由该化合物制备的材料能与阴极形成界面偶极，降低阴极功函，具有较低的LUMO能级、提高电子迁移率，有利于电子的注入与传输，同时可以阻挡空穴传输；侧链上的强极性基团使得这类化合物可以用水、醇等强极性溶剂溶解并通过溶液加工方式制备均匀薄膜，可以实现溶剂正交加工。将这类含氮有机半导体材料可用于有机光电器件的阴极界面修饰层，可以提高器件效率。

Description

一类有机半导体分子及其化合物、制备方法和在有机光电器 件中的应用
技术领域
本发明属于有机光电材料领域，具体涉及到一类基于喹啉并三唑单元的水/醇溶性机半导体分子及其化合物、制备方法和在有机光电器件中的应用。
背景技术
Al、Ag等高功函金属是目前最常用的有机光电器件的阴极材料，这类金属具有较好的环境稳定性及水氧阻隔性，有利于器件稳定。但是，Al、Ag等高功函金属作为阴极也面临着电子注入较困难的问题，影响器件性能。通常的改善方法是采用无机的低功函金属如Ba、Ca等或者碱金属盐如CsF、Cs2CO3等进行修饰，降低阴极功函，这类金属和金属盐需要在高真空中通过蒸镀的方式制备薄膜，能耗较高。另外一种改善高功函金属阴极的电子注入能力的方法是引入有机的阴极界面修饰层。Cao等报道了一系列侧链含氨基等强极性基团的芴类聚合物，这类聚合物可以溶解在醇和水等强极性溶剂中，作者通过旋涂的方式以这些含氨基等强极性基团的芴类聚合物为电子传输层制备了高效率的有机发光二极管[Chem.Mater.2004,16,708-716；Chem.Sci.,2013,4,1298–1307.]。然而已经报道的这类聚合物主链大多以p型的单元为核心，导致电子迁移率不够高；此外这类聚合物的HOMO能级普遍在-5.5～-5.7eV之间，具有一定的空穴传输特性，会导致空穴穿过活性层往阴极传输，降低载流子复合/提取几率。
喹啉并三唑单元具有很好的电子传输特性，包括较深的LUMO能级和较高的电子迁移率，可作为电子传输材料，有利于电子的注入与传输。通过关环反应延展喹啉单元的共轭长度可以进一步提高其电子传输特性，引入水醇溶性侧链之后可作为高效阴极界面修饰材料。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一类基于喹啉并三唑单元的水/醇溶性化合物，这类化合物具有良好的电子传输和空穴阻挡特性，并且可以通过水/醇等强极性溶剂溶解，通过旋涂、喷墨打印、印刷等溶液加工方法制备大面积薄膜；本发明的另外一个目的是将基于喹啉并三唑单元的水/醇溶性化合物用做阴极界面层，用于制备有机光电器件。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一类基于喹啉并三唑单元的水/醇溶性化合物，其特征在于，化学结构式满足以下通式：
Figure BDA0002521313040000021
其中，R为含极性基团的水/醇溶解特性侧链；
Ar1和Ar2为H、F、Cl、Br、碳原子数6～30的芳香族烃基或碳原子数3～30的芳香族杂环基。
进一步地，基于喹啉并三唑单元的水/醇溶性化合物中的含极性基团的水/醇溶性侧链R均选自如下化学结构式或如下化学结构式的衍生物中的一种及以上：
Figure BDA0002521313040000022
式中，m为1～10的整数。
基于喹啉并三唑单元的水/醇溶性化合物中的Ar1和Ar2除了可为H、F、Cl、Br之外，还可以是碳原子数6～30的芳香族烃基或碳原子数3～30的芳香族杂环基，分别优选为如下化学结构式或如下化学结构式的衍生物中的一种及以上：
Figure BDA0002521313040000031
图中，R1为碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数为6～30芳香族烃基或碳原子数为3～30的芳香族杂环基。
基于喹啉并三唑单元的水/醇溶性化合物的合成，包括以下步骤：
由喹啉为原料，通过关环反应得到喹啉并噻二唑单元，之后溴化得到溴代喹啉并噻二唑单元，然后经过开环和重新关环反应得到溴代的喹啉并三唑单元，与Ar1/Ar2单元通过Suzuki或者Stille偶联反应后，得到偶联芳香基团的基于喹啉并三唑单元的共轭中间体，然后在烷基侧链的末端连接强极性基团，得到喹啉并三唑单元的水/醇溶性化合物。
其中，Suzuki偶联反应溶剂包括甲苯、四氢呋喃、甲醇、乙醇、水、N,N-二甲基甲酰胺，1,4-二氧六环中的至少一种；其中，Stille偶联反应的反应溶剂包括甲苯、氯苯、四氢呋喃、N,N-二甲基甲酰胺，1,4-二氧六环中的至少一种；Suzuki/Stille偶联反应的温度为60～120℃，反应时间为2～48小时。
进一步地，上述的基于喹啉并三唑单元的水/醇溶性化合物可应用于制备有机光电器件界面层。通过将含极性侧链的基于喹啉的稠环化合物用甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、水、N,N-二甲基甲酰胺、1,4-二氧六环等至少一种不含苯结构的强极性溶剂溶解，通过旋涂、喷墨打印或印刷成膜，制备有机光电器件的阴极界面修饰层。
有机光电器件包括有机发光二极管、有机光电探测器、有机太阳电池、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机光电晶体管、有机发光电化学电池。
有益效果
本发明的显著优点：
(1)本发明的一类基于喹啉的水/醇溶性稠环化合物具有较深的LUMO能级和较高的电子迁移率，用于有机光电器件中的阴极界面层可以有效提高器件的电子注入、取出和传输能力，进而提高器件效率。
(2)本发明的一类基于喹啉的水/醇溶性稠环化合物可以用水、醇等强极性溶剂溶解，可以实现器件多功能层的正交溶剂加工，加工工艺简单。此外，这类溶剂为非苯类溶剂，毒性较小，降低加工过程中危害物排放。
附图说明
图1为合成化合物1～5的化学反应方程式；
图2为合成化合物6～8的化学反应方程式；
图3为合成化合物9～11的化学反应方程式；
图4为合成化合物12的化学反应方程式；
图5为合成化合物13的化学反应方程式；
图6为合成化合物14～15的化学反应方程式；
图7为合成化合物16～18的化学反应方程式；
图8为合成化合物19～21的化学反应方程式；
图9为合成化合物22～24的化学反应方程式；
附图10为基于化合物18为阴极界面修饰材料的聚合物光电探测器器件的电流密度-电压曲线。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
化合物5的合成
(1)化合物1的制备
氮气气氛下，将液溴(22mmol)滴加至0℃且溶有4,7-二羟基喹啉(10mmol)的50mL乙酸中，滴加完毕后自然升至室温反应12小时。反应完毕冷却至室温后，用过量亚硫酸氢钠水溶液淬灭未反应的液溴，用二氯甲烷萃取产物，饱和氯化钠水溶液洗3遍后，旋干二氯甲烷。粗产物用乙酸乙酯/乙醇的混合溶剂重结晶，得到白色固体产物，产率62％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(2)化合物2的制备
氮气保护下，将化合物1(10mmol)、N4S4(50mmol)溶于100mL甲苯中，将反应液加热至100℃反应48小时。冷却至室温后，抽滤，固体先后用乙醇和甲苯冲洗；将固体再加入100mL甲苯中，加热搅拌2小时，冷却后抽滤得到固体产物，产率42％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(3)化合物3的制备
氮气保护下，将化合物2(10mmol)溶于60mL浓硫酸中，常温下将N-溴代丁二酰亚胺(22mol)分三批加入反应液，搅拌12小时。将反应液缓慢倒入500mL冰水中，抽滤，滤渣先后用去离子水、乙醇、正己烷各洗涤三遍。然后将滤渣加入100mL甲苯中，加热搅拌2小时，冷却至室温后抽滤得到固体产物，重复此操作5次，得到固体产物，产率70％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(4)化合物4的制备
氮气气氛中，将化合物3(10mmol)加入200mL无水甲苯中，降温至0℃后，将硼氢化钠(50mmol)加入反应液，加入完毕后继续在0℃搅拌1小时，然后升至室温继续反应12小时。反应完毕，用二氯甲烷萃取产物，过滤，粗产物用四氢呋喃重结晶得到固体产物，产率75％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(5)化合物5的制备
将化合物4(26mmol)、3.5ml的醋酸和130ml的去离子水加入至250ml的圆底烧瓶中，将反应温度控制在0℃，将亚硝酸钠(28.8mmol)溶于50ml的去离子水中并逐滴加入反应液；滴加完成后在常温下搅拌3个小时。反应完毕后，用乙酸乙酯萃取产物，随后用无水硫酸镁干燥产物，减压抽滤，粗产物用甲醇重结晶得到固体产物，产率38％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。合成化合物1～5的化学反应方程式如图1所示。
实施例2
化合物8的合成
(1)化合物6的制备
在氩气气氛下，将化合物5(11mmol)、叔丁醇钠(27.1mmol)和60ml的乙醇加入到150ml的两口烧瓶中，在80℃下搅拌40分钟，随后往反应液中加入1，4-二溴丙烷(34mmol)。待反应中的化合物5完全反应后，将反应液倒入去离子水中洗涤三次，并且用二氯甲烷萃取。往有机相中加入无水硫酸镁干燥产物后，蒸发浓缩，随后进行硅胶层析提纯得到产物，产率42％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(2)化合物7的制备
氮气保护下，将10ml2M的碳酸钾溶液，化合物6(2.1mmol)，2-硼酸萘(4.5mmol)和100ml的甲苯加入250ml的两口烧瓶中加热搅拌，待温度稳定在90℃时加入四(三苯基膦)钯(0.1mmol)和四丁基溴化铵(0.2mmol)，反应加热回流24h。停止反应，将反应液冷却到室温并浓缩，用二氯甲烷萃取。将有机相浓缩后用主层析法纯化，过完柱后得到产物，产率57％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(3)化合物8的制备
氮气保护下，往300ml的两口瓶中加入化合物7(10mmol)、二乙胺(50mmol)和100ml四氢呋喃，搅拌加热至70℃反应8小时；冷却反应液，用二氯甲烷萃取产物，水洗三遍，旋蒸除去有机相中的溶剂得粗产物，再用乙醇/正己烷混合溶剂重结晶3遍，得到白色晶体状产物，产率75％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。合成化合物6～8的化学反应方程式如图2所示。
实施例3
(1)化合物9的制备
在氩气气氛下，将化合物5(10mmol)、叔丁醇钠(22mmol)和60ml的乙醇加入到150ml的两口烧瓶中，在80℃下搅拌40分钟，随后往反应液中加入1，4-二溴丁烷(30mmol)。待反应中的化合物5完全反应后，将反应液倒入去离子水中洗涤三次，并且用二氯甲烷萃取。往有机相中加入无水硫酸镁干燥产物后，蒸发浓缩，随后进行硅胶层析提纯得到产物，产率42％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(2)化合物10的制备
氮气保护下，将化合物9(2mmol)，2-三丁基锡噻吩(4.5mmol)和80ml的四氢呋喃加入250ml的两口烧瓶中加热搅拌，待温度稳定在90℃时加入四(三苯基膦)钯(0.1mmol)，反应加热回流24h。停止反应，将反应液冷却到室温并浓缩，用二氯甲烷萃取。将有机相浓缩后用主层析法纯化，过完柱后得到产物，产率78％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(3)化合物11的制备
氮气保护下，往150ml的两口瓶中加入化合物10(10mmol)、二乙醇胺(50mmol)和70mlN,N-二甲基甲酰胺，加热至65℃反应8小时；用二氯甲烷萃取产物，水洗三遍，旋蒸除去有机相中的溶剂得到粗产物，用乙醇/正己烷混合溶剂重结晶3遍，得到产物，产率76％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。合成化合物9-11的化学反应方程式如图3所示。
实施例4
化合物12的制备
氮气保护下，往300ml的两口瓶中加入化合物7(10mmol)、亚磷酸三乙酯(100mmol)和100mlN,N-二甲基甲酰胺，加热至100℃反应12小时；反应完毕通过减压蒸馏除去过量的亚磷酸三乙酯和N,N-二甲基甲酰胺，粗产物用乙醇/正己烷混合溶剂重结晶3遍，得到产物，产率46％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物化合物12。合成化合物12的化学反应方程式如图4所示。
实施例5
氮气保护下，往100ml的两口瓶中加入化合物12(10mmol)、碳酸钠(100mmol)，N,N-二甲基甲酰胺(20ml)和水(20ml)，加热至120℃反应12小时；反应完毕将反应液滴入500ml正己烷中，过滤，用100ml正己烷洗涤滤渣3次，干燥，得到产物，产率47％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物化合物13。合成化合物13的化学反应方程式如图5所示。
实施例6
化合物15的制备
(1)化合物14的合成
氮气保护下，往300ml的两口瓶中加入化合物10(10mmol)、二乙胺(50mmol)和100ml四氢呋喃，搅拌加热至70℃反应8小时；冷却反应液，用二氯甲烷萃取产物，水洗三遍，旋蒸除去有机相中的溶剂得粗产物，再用乙醇/正己烷混合溶剂重结晶3遍，得到产物，产率75％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(2)化合物15的合成
氮气保护下，将化合物14(1mmol)溶解在10ml四氢呋喃/甲醇(v：v＝1：1)的混合溶剂中，搅拌加热至70℃，再加入5ml溴乙烷继续反应12小时。冷却后，将聚合物溶液沉析在300ml正己烷中，过滤之后烘干，得到白色固体，产率90％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。合成化合物15的化学反应方程式如图6所示。
实施例7
化合物18的合成
(1)化合物16的制备
氮气保护下，将化合物2(10mmol)溶于60mL浓硫酸中，常温下将N-溴代丁二酰亚胺(40mol)分三批加入反应液，然后加热至80℃搅拌反应6小时。冷却至室温后，将反应液缓慢倒入500mL冰水中，抽滤，滤渣先后用去离子水、乙醇、正己烷各洗涤三遍。然后将滤渣加入100mL甲苯中，加热搅拌2小时，冷却至室温后抽滤得到固体产物，重复此操作5次，得到固体产物，产率63％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(2)化合物17的制备
氮气气氛中，将化合物16(10mmol)加入200mL无水甲苯中，降温至0℃后，将硼氢化钠(50mmol)加入反应液，加入完毕后继续在0℃搅拌1小时，然后升至室温继续反应12小时。反应完毕，用二氯甲烷萃取产物，过滤，粗产物用四氢呋喃重结晶得到固体产物，产率80％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(3)化合物18的制备
将化合物17(26mmol)、3.5ml的醋酸和130ml的去离子水加入至250ml的圆底烧瓶中，将反应温度控制在0℃，将亚硝酸钠(28.8mmol)溶于50ml的去离子水中并逐滴加入反应液；滴加完成后在常温下搅拌3个小时。反应完毕后，用乙酸乙烯酯萃取产物，随后用无水硫酸镁干燥产物，减压抽滤，粗产物用甲醇重结晶得到固体产物，产率51％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。合成化合物16～18的化学反应方程式如图7所示。
实施例8
化合物21的合成
(1)化合物19的合成
在氩气氛围下，将化合物18(22.6mmol)、三丁基钠(27.1mmol)和60ml的乙醇加入到150ml的两口烧瓶中，在80℃下搅拌40分钟，随后往反应液中加入1，4-二溴丁烷(34mmol)。待反应中的化合物15完全反应后，将反应液倒入去离子水中水洗三次，并且用二氯甲烷萃取。往有机相中加入无水硫酸镁干燥产物后，蒸发浓缩，随后进行硅胶层析提纯得到产物，产率53％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(2)化合物20的合成
氮气保护下，将10ml2M的碳酸钾溶液，化合物19(2mmol)，2-硼酸-9，9二甲基芴(8mmol)和100ml的甲苯加入250ml的两口烧瓶中加热搅拌，待温度稳定在90℃时加入四(三苯基膦)钯(0.1mmol)和四丁基溴化铵(0.2mmol)，反应加热回流24h。停止反应，将反应液冷却到室温并浓缩，用二氯甲烷萃取。将有迹象浓缩后用主层析法纯化，过完柱后得到产物，产率57％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(3)化合物21的合成
氮气保护下，往150ml的两口瓶中加入化合物20(10mmol)、二乙基胺(50mmol)和70ml四氢呋喃，加热至65℃反应8小时；用二氯甲烷萃取产物，水洗三遍，旋蒸除去有机相中的溶剂得到粗产物，用乙醇/正己烷混合溶剂重结晶3遍，得到产物，产率70％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。图8为合成化合物19～21的化学反应方程式如图8所示。
实施例9
化合物24的合成
(1)化合物22的合成
氮气保护下，将10ml2M的碳酸钾溶液，化合物19(2mmol)，2-硼酸-苯并噻二唑(12mmol)和100ml的甲苯加入250ml的两口烧瓶中加热搅拌，待温度稳定在100℃时加入四(三苯基膦)钯(0.1mmol)和四丁基溴化铵(0.2mmol)，反应加热回流24h。停止反应，将反应液冷却到室温并浓缩，用二氯甲烷萃取。将有迹象浓缩后用主层析法纯化，过完柱后得到产物，产率43％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(2)化合物23的合成
氮气保护下，往150ml的两口瓶中加入化合物22(10mmol)、二乙基胺(60mmol)和80ml四氢呋喃，加热至65℃反应24小时；用二氯甲烷萃取产物，水洗三遍，旋蒸除去有机相中的溶剂得到粗产物，用乙醇/正己烷混合溶剂重结晶3遍，得到产物，产率80％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。
(3)化合物24的合成
氮气保护下，将化合物23(10mmol)将入到装有50ml乙醇的150ml的两口瓶中，加入过氧化氢水溶液(30mmol)，加热至50℃反应48小时；反应完毕，将反应液沉析到300ml正己烷中，得到产物，产率90％。1HNMR、13CNMR、MS和元素分析结果表明所得到的化合物为目标产物。合成化合物22～24的化学反应方程式如图9所示。
实施例10
聚合物光电探测器的制备
取预先做好的方块电阻为15Ω的氧化铟锡(ITO)玻璃，依次用丙酮，洗涤剂，去离子水和异丙醇超声清洗，等离子处理10分钟。在ITO上旋涂参杂有聚苯乙烯磺酸的聚乙氧基噻吩(PEDOT:PSS)膜，厚度为40nm。PEDOT:PSS膜在真空烘箱里80℃下干燥8小时。随后将质量比为1:1的P3HT和PC71BM的氯苯溶液(1wt.％)旋涂在PEDOT:PSS膜的表面，厚度为100nm。然后在活性层上旋涂一层约5nm厚的化合物8、11、12、13、15、21、23、24之中的一种材料的薄膜作为阴极界面层(溶于甲醇中，浓度为1mg/mL)。最后蒸镀100nm厚的金属Al层，器件结构为ITO/PEDOT:PSS/P5:PC71BM/阴极界面层/Al。
附图10为基于化合物18为阴极界面修饰材料的聚合物光电探测器器件的电流密度-电压曲线，可以发现器件在光照条件下的具有较高的电流密度，同时具有很低的暗电流密度，器件性能优异。
以上所述仅为本发明的较佳实施方式，本发明并不局限于上述实施方式，在实施过程中可能存在局部微小的结构改动，如果对本发明的各种改动或变型不脱离本发明的精神和范围，且属于本发明的权利要求和等同技术范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型。

Claims (7)

1.一类含氮有机半导体材料分子，其特征在于，该分子以喹啉并三唑单元为核心，化学结构式满足以下通式：
Figure FDA0002521313030000011
其中，R为含极性基团的水/醇溶解特性侧链；
Ar1和Ar2为H、F、Cl、Br、碳原子数6～30的芳香族烃基或碳原子数3～30的芳香族杂环基。
2.一种含有根据权利要求1所述的含氮有机半导体材料分子的化合物，其特征在于，所述含极性基团的水/醇溶性侧链R均选自如下化学结构式或如下化学结构式的衍生物中的一种及以上：
Figure FDA0002521313030000012
式中，m为1～10的整数。
3.根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，所述Ar1/Ar2除了可为H、F、Cl、Br之外，还可以是碳原子数6～30的芳香族烃基或碳原子数3～30的芳香族杂环基，分别优选为如下化学结构式或如下化学结构式的衍生物中的一种及以上：
Figure FDA0002521313030000021
R1为碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数为6～30芳香族烃基或碳原子数为3～30的芳香族杂环基。
4.一种根据权利要求2-3中任一项所述的化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
由喹啉为原料，通过关环反应得到喹啉并噻二唑单元；溴化后得到溴代喹啉并噻二唑单元；经过开环和重新关环反应得到溴代的喹啉并三唑单元；与Ar1/Ar2单元通过Suzuki或者Stille偶联反应后，得到偶联芳香基团的基于喹啉并三唑单元的共轭中间体；然后在烷基侧链的末端连接强极性基团，得到所述喹啉并三唑单元的水/醇溶性化合物。
5.根据权利要求4所述的化合物的制备方法，其特征在于，所述Suzuki偶联反应溶剂包括甲苯、四氢呋喃、甲醇、乙醇、水、N,N-二甲基甲酰胺，1,4-二氧六环中的至少一种；所述Stille偶联反应的反应溶剂包括甲苯、氯苯、四氢呋喃、N,N-二甲基甲酰胺，1,4-二氧六环中的至少一种；所述Suzuki/Stille偶联反应的温度为60～120℃，反应时间为2～48小时。
6.根据权利要求2-3中任一项所述的化合物在有机光电器件界面层的应用，其特征在于：所述含极性侧链的基于喹啉的稠环化合物可用甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、水、N,N-二甲基甲酰胺、1,4-二氧六环等至少一种不含苯结构的强极性溶剂溶解，通过旋涂、喷墨打印或印刷成膜，制备有机光电器件的阴极界面修饰层。
7.根据权利要求6所述的化合物在有机光电器件界面层的应用，其特征在于：所述的有机光电器件包括机发光二极管、有机光电探测器、有机太阳电池、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机光电晶体管、有机发光电化学电池。
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