CN111771258A - 杂质扩散组合物、使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的制造方法及太阳能电池的制造方法 - Google Patents

杂质扩散组合物、使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的制造方法及太阳能电池的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111771258A
CN111771258A CN201980015220.2A CN201980015220A CN111771258A CN 111771258 A CN111771258 A CN 111771258A CN 201980015220 A CN201980015220 A CN 201980015220A CN 111771258 A CN111771258 A CN 111771258A
Authority
CN
China
Prior art keywords
impurity diffusion
type impurity
group
diffusion composition
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201980015220.2A
Other languages
English (en)
Inventor
北田刚
弓场智之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Publication of CN111771258A publication Critical patent/CN111771258A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明的目的是提供涂布液的保存稳定性优异，能够提高丝网印刷时的连续印刷性、和向半导体基板均匀扩散的杂质扩散组合物。为了达到上述目的，本发明的杂质扩散组合物含有：(A)侧链包含选自下述通式(1)和通式(2)中的至少1个结构的聚合物(以下，称为(A)聚合物)；以及(B)杂质扩散成分。(在通式(1)和通式(2)中，R1～R14各自独立地表示氢原子、或碳原子数1～8的有机基。a1表示整数1～4，a2和a3各自独立地表示整数0～2。a2+a3表示整数0～3。*表示与聚合物的结合部分。)
Figure DDA0002648380310000011

Description

杂质扩散组合物、使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的 制造方法及太阳能电池的制造方法
技术领域
本发明涉及在半导体基板中用于使杂质扩散的杂质扩散组合物、使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的制造方法以及太阳能电池的制造方法。
背景技术
现在，在太阳能电池的制造中，在半导体基板中形成p型或n型的杂质扩散层的情况下，采用在基板上形成扩散源通过热扩散而在半导体基板中使杂质扩散的方法。在扩散源形成中，研究了CVD法、液状的杂质扩散组合物的溶液涂布法，但其中溶液涂布法不需要昂贵的设备，量产性也优异，因此适合使用。在通过溶液涂布法形成p型杂质扩散层的情况下，通常，将含有硼化合物、和聚乙烯醇等含有羟基的高分子化合物的涂布液，使用旋转涂布法、丝网印刷法而涂布于半导体基板表面，进行热扩散(例如，参照专利文献1)。
然而，专利文献1所记载的含有硼的扩散组合物由于用含有羟基的高分子化合物的羟基使硼化合物稳定化，因此为了以高浓度含有硼化合物，需要使用包含大量羟基的粘合剂树脂。那样的含有羟基的高分子化合物由于在有机溶剂中的溶解性差，因此需要使组合物中含有大量水，但水易于含有金属杂质，使太阳能电池的性能降低。此外由于包含大量水，因而具有组成中的其它有机化合物的溶解性降低而溶液的保存稳定性降低，或难以进行丝网印刷时的连续印刷这样的课题。因此，提出了作为聚乙烯醇等含有羟基的高分子化合物的替代而添加了多元醇的涂布液(例如，参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-181010号公报
专利文献2：日本特开2013-77804号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，专利文献2所记载那样的添加了多元醇的涂布液具有杂质的扩散均匀性差这样的课题。
本发明是鉴于上述那样的情况而提出的，其目的是提供涂布液的保存稳定性优异，能够提高丝网印刷时的连续印刷性、和向半导体基板均匀扩散的杂质扩散组合物。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明的杂质扩散组合物具有以下构成。即，本发明的杂质扩散组合物含有：(A)侧链包含选自下述通式(1)和通式(2)中的至少1个结构的聚合物(以下，称为(A)聚合物)；以及(B)杂质扩散成分。
Figure BDA0002648380290000021
在通式(1)和通式(2)中，R1～R14各自独立地表示氢原子、或碳原子数1～8的有机基。a1表示整数1～4，a2和a3各自独立地表示整数0～2。a2+a3表示整数0～3。*表示与聚合物的结合部分。
发明的效果
根据本发明，可以提供保存稳定性优异，能够提高丝网印刷时的连续印刷性、和向半导体基板均匀扩散的杂质扩散组合物。
附图说明
图1为显示本发明的第1实施方式涉及的半导体元件的制造方法的工序截面图。
图2A为显示本发明的第2实施方式涉及的半导体元件的制造方法的工序截面图。
图2B为显示使用了本发明的第2实施方式涉及的半导体元件的制造方法的背面接合型太阳能电池的制作方法的工序截面图。
图3A为显示本发明的第3实施方式涉及的半导体元件的制造方法的工序截面图。
图3B为显示使用了本发明的第3实施方式涉及的半导体元件的制造方法的双面发电型太阳能电池的制作方法的工序截面图。
图4为显示本发明的第4实施方式涉及的半导体元件的制造方法的工序截面图。
图5为显示使用了本发明的杂质扩散组合物的阻挡性评价的一例的工序截面图。
具体实施方式
以下，根据需要参照附图详细说明本发明涉及的杂质扩散组合物和使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的制造方法的优选实施方式。需要说明的是，本发明不受这些实施方式限定。
本发明的杂质扩散组合物含有：(A)侧链包含选自通式(1)和通式(2)中的至少1个结构的聚合物(以下，有时简称为“(A)聚合物”)；以及(B)杂质扩散成分。
Figure BDA0002648380290000031
在通式(1)和通式(2)中，R1～R14各自独立地表示氢原子、或碳原子数1～8的有机基。a1表示整数1～4，a2和a3各自独立地表示整数0～2。a2+a3表示整数0～3。*表示与聚合物的结合部分。
(A)聚合物
在本发明的杂质扩散组合物中，(A)聚合物为通过与(B)杂质扩散成分反应，形成例如配位化合物，从而在涂布组合物时能够形成均匀的涂膜的成分。由此，能够进行杂质向半导体基板的均匀扩散。
此外，由于(A)聚合物与(B)杂质扩散成分的反应物可溶于有机溶剂，因此本发明的杂质扩散剂组合物可以不包含大量水。因此，抑制太阳能电池的性能降低，并且涂布液的保存稳定性优异，能够提高丝网印刷时的连续印刷性、和向半导体基板的均匀扩散。
需要说明的是，本发明中的所谓聚合物，是可包括低聚物的物质，具体而言，是指聚合度为2以上的物质。作为聚合度，优选为2～100，更优选为5～50。
本发明的杂质扩散组合物中的(A)聚合物的含量根据涂布方法、所要求的电阻值来确定，但相对于杂质扩散组合物的总量优选为0.01～50质量％，更优选为0.1～20质量％。
作为R1～R14中的碳原子数1～8的有机基，可举出例如碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基。碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基可以为未取代体、取代体中的任一者，可以根据组合物的特性来选择。
作为碳原子数1～6的烷基的具体例，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、正己基、三氟甲基、3,3,3-三氟丙基、3-甲氧基-正丙基、缩水甘油基、3-环氧丙氧基丙基、3-氨基丙基、3-巯基丙基、3-异氰酸酯基丙基等，从抑制杂质扩散后的扩散组合物的剥离残渣的观点考虑，优选为碳原子数4以下的甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基。
作为碳原子数1～6的烷氧基的具体例，可举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基等。
作为(A)聚合物，从与(B)杂质扩散成分的配位化合物的形成性和所形成的配位化合物的稳定性方面考虑，优选为由硅氧烷或丙烯酸系化合物(アクリル)形成的聚合物。
(由硅氧烷形成的聚合物)
从对不同种类杂质的掩模性和抑制杂质的外扩散的观点考虑，作为(A)聚合物，优选为由硅氧烷形成的聚合物，更优选为由包含至少1种通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构、和至少1种通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构的硅氧烷形成的聚合物。
Figure BDA0002648380290000051
R15表示碳原子数1～8的亚烷基。R16表示羟基、碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～6的酰基中的任一者。R17和R18表示羟基、碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～6的酰基、碳原子数6～15的芳基中的任一者。X表示选自通式(1)和通式(2)中的至少1个结构。此外，上述硅氧烷结构中的通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构所占的比例为5摩尔％以上且小于100摩尔％。
通过使硅氧烷结构中的通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构所占的比例为5％以上，从而选自通式(1)和通式(2)中的至少1个结构与(B)杂质扩散成分充分形成配位化合物，杂质的扩散性更加提高。
进一步，从对不同种类杂质的掩模性和抑制杂质的外扩散的观点考虑，更优选R17为碳原子数6～15的芳基，上述硅氧烷结构中的通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构所占的比例为5～95摩尔％，从热扩散后的扩散剂和掩模的剥离性的观点考虑进一步优选为10～90摩尔％。
通过使硅氧烷结构中的通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构所占的比例为5摩尔％以上，从而硅氧烷骨架彼此的交联密度不会过高，即使为厚膜也更加抑制裂缝。由此，在烧成、热扩散工序中不易引入裂缝，因此可以提高杂质扩散的稳定性。此外，可以在杂质的热扩散后将该杂质扩散层作为对其它杂质扩散剂的掩模而有效地利用。为了具有掩模性，扩散后的膜厚大为好，可以适合利用即使为厚膜也不易引入裂缝的本发明的杂质扩散组合物。此外在添加了增稠剂等热分解成分的组合物中，也能够通过硅氧烷的回流效果，而填埋由热分解而生成的孔隙，可以形成孔隙少的致密的膜。因此，不易受扩散时的气氛影响，此外可获得对其它杂质的高掩模性。
另一方面，通过使硅氧烷结构中的通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构所占的比例为95摩尔％以下，从而能够消除杂质扩散后的扩散组合物的剥离残渣。残渣可以认为是有机物不完全分解/挥发而残留的碳化物，不仅损害掺杂性，而且成为使与之后形成的电极的接触电阻上升，使太阳能电池的效率降低的原因。
硅氧烷结构中的通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构所占的比例例如可以测定聚硅氧烷的29Si-NMR光谱，由结合有X的Si的峰面积与未结合X的Si的峰面积之比求出。
硅氧烷结构中的通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构所占的比例例如可以测定聚硅氧烷的29Si-NMR光谱，由结合有芳基的Si的峰面积与未结合芳基的Si的峰面积之比求出。
作为R15中的碳原子数1～8的亚烷基，可举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚己基、亚庚基、亚辛基等。
R17、R18中的碳原子数6～15的芳基可以为未取代体、取代体中的任一者，可以根据组合物的特性来选择。作为碳原子数6～15的芳基的具体例，可举出苯基、对甲苯基、间甲苯基、邻甲苯基、对羟基苯基、对苯乙烯基、对甲氧基苯基、萘基，特别优选为苯基、对甲苯基、间甲苯基。
R16、R17、R18中的碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～6的酰氧基都可以为未取代体、取代体中的任一者，可以根据组合物的特性来选择。
作为碳原子数1～6的烷基和碳原子数1～6的烷氧基的具体例，可举出与R1～R14中的例子相同的例子。
作为碳原子数2～10的烯基的具体例，可举出乙烯基、1-丙烯基、1-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、1,3-丁烷二烯基、3-甲氧基-1-丙烯基、3-丙烯酰氧基丙基、3-甲基丙烯酰氧基丙基等，但从抑制杂质扩散后的扩散组合物的剥离残渣的观点考虑，特别优选为碳原子数4以下的乙烯基、1-丙烯基、1-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、1,3-丁烷二烯基、3-甲氧基-1-丙烯基。
作为碳原子数2～6的酰氧基的具体例，可举出乙酰氧基、丙酰氧基、丙烯酰氧基等。
作为成为通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构的具有R15、R16和X的单元的原料的有机硅烷的具体例，优选为TMSOX(三甲氧基甲硅烷基氧杂环丁烷，东亚合成(株))、TESOX(三乙氧基甲硅烷基氧杂环丁烷，东亚合成(株))。
作为成为通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构的具有R17、R18的单元的原料的有机硅烷的具体例，优选为苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、对羟基苯基三甲氧基硅烷、对甲苯基三甲氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、对甲氧基苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、1-萘基三甲氧基硅烷、2-萘基三甲氧基硅烷、1-萘基三乙氧基硅烷、2-萘基三乙氧基硅烷，其中特别优选为苯基三甲氧基硅烷、对甲苯基三甲氧基硅烷、对甲氧基苯基三甲氧基硅烷。
由包含至少1种通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构、和至少1种通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构的硅氧烷形成的聚合物可以通过在将有机硅烷化合物水解后，使该水解物在存在溶剂、或不存在溶剂的条件下进行缩合反应而获得。
此外在上述反应中，成为原料的有机硅烷中的氧杂环丁烷结构可以通过开环而产生通式(1)或通式(2)的结构。由此，通式(1)或通式(2)的结构与(B)杂质扩散成分充分形成配位化合物，可以获得良好的扩散性。作为氧杂环丁烷的开环率，优选为5％以上。
水解反应的各种条件例如酸催化剂的含量、反应温度、反应时间等可以考虑反应规模、反应容器的大小、形状等来适当设定，优选为例如，在溶剂中，在有机硅烷化合物中经1～180分钟添加了酸催化剂和水后，在20℃～110℃下反应1～180分钟。通过在这样的条件下进行水解反应，可以抑制急剧的反应。反应温度更优选为30～130℃。
水解反应优选在酸催化剂的存在下进行。作为酸催化剂，可以例示盐酸、氢溴酸、氢碘酸等卤化氢系无机酸、硫酸、硝酸、磷酸、六氟磷酸、六氟锑酸、硼酸、四氟硼酸、铬酸等其它无机酸、甲磺酸、乙磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、三氟甲磺酸等磺酸、乙酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乳酸、草酸、酒石酸、丙酮酸、柠檬酸、琥珀酸、富马酸、苹果酸等羧酸。在本发明中，从掺杂性的观点考虑，酸催化剂优选尽可能不包含除硅、氢、碳、氧、氮、磷以外的原子，优选使用磷酸、甲酸、乙酸、各种羧酸的酸催化剂。其中优选为磷酸。
酸催化剂的优选的含量相对于水解反应时使用的全部有机硅烷化合物100重量份，优选为0.1重量份～5重量份。通过使酸催化剂的量为上述范围，可以容易地控制使得水解反应必要并且充分地进行。
有机硅烷化合物的水解反应和该水解物的缩合反应所使用的溶剂没有特别限定，可以考虑树脂组合物的稳定性、涂覆性、挥发性等来适当选择。此外，可以组合2种以上溶剂，也可以在不存在溶剂的条件下进行反应。
在本发明中，从溶解性、印刷性方面考虑，可以优选例示二甘醇甲基乙基醚、乙二醇单乙基醚乙酸酯、乙二醇单甲基醚乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、双丙酮醇、丙二醇单甲基醚乙酸酯、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇、双丙甘醇单甲基醚、双丙甘醇-正丁基醚、γ-丁内酯、二甘醇单乙基醚乙酸酯、丁基二甘醇乙酸酯、乙酰乙酸乙酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基咪唑烷酮、双丙甘醇甲基醚乙酸酯、1,3-丁二醇二乙酸酯、二异丁基酮、丙二醇叔丁基醚、丙二醇正丁基醚。
在通过水解反应而生成溶剂的情况下，也能够在不存在溶剂的条件下水解。也优选在反应结束后，通过进一步添加溶剂，来调整为作为树脂组合物适当的浓度。此外，也可以在根据目的进行水解后，将生成醇等在加热和/或减压下适量馏出、除去，然后添加适合的溶剂。
水解反应时使用的溶剂的量相对于全部有机硅烷化合物100重量份优选为80重量份以上且500重量份以下。通过使溶剂的量为上述范围，可以容易地控制使得水解反应必要且充分地进行。此外，水解反应所使用的水优选为离子交换水。水的量能够任意选择，但优选相对于Si原子1摩尔，以1.0～4.0摩尔的范围使用。
(由丙烯酸系化合物形成的聚合物)
作为(A)聚合物，由包含通式(7)所示的部分结构、和通式(8)所示的部分结构的丙烯酸系化合物形成的聚合物也是优选的。
Figure BDA0002648380290000091
R19和R21各自独立地表示氢原子、卤素、碳原子数1～4的烷基或碳原子数1～4的氟烷基中的任一者。R20表示碳原子数1～8的亚烷基。R22表示碳原子数1～4的烷基。X表示选自通式(1)和通式(2)中的至少1个结构。a4和a5表示整数0或1，a4和a5中的至少一者为1。此外，上述丙烯酸系化合物结构中的通式(7)所示的部分结构所占的比例为5摩尔％以上且小于100摩尔％。
通过使丙烯酸系化合物结构中的通式(7)所示的部分结构所占的比例为5摩尔％以上，从而选自通式(1)和通式(2)中的至少1个结构与(B)杂质扩散成分充分地形成配位化合物，(B)杂质扩散成分的扩散性更加提高。
作为R19和R21中的碳原子数1～4的烷基，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基等。作为碳原子数1～4的氟烷基，可举出三氟甲基、3,3,3-三氟丙基等。作为R20中的碳原子数1～8的亚烷基，可举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚己基、亚庚基、亚辛基等。作为R22中的碳原子数1～4的烷基，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基等。
作为成为通式(7)所示的部分结构的具有R19、R20和X的单元的原料的丙烯酸系化合物单体的具体例，可举出(3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲基丙烯酸酯(大阪有机化学工业(株))。作为成为通式(8)所示的部分结构的具有R21和R22的单元的原料的丙烯酸系化合物单体的具体例，可举出丙烯酸。作为自由基聚合引发剂，可举出偶氮二异丁腈。溶剂没有特别限定，可以考虑树脂组合物的稳定性、涂覆性、挥发性等来适当选择。此外，可以组合2种以上溶剂，也可以在不存在溶剂的条件下进行反应。作为溶剂的具体例，可以举出与上述硅氧烷聚合同样的物质。
(B)杂质扩散成分
在本发明的杂质扩散组合物中，(B)杂质扩散成分为在半导体基板中用于形成杂质扩散层的成分。
作为p型的杂质扩散成分，优选为包含13族的元素的化合物，其中优选为硼化合物。
作为硼化合物，可以举出硼酸、三氧化二硼、甲基硼酸、苯基硼酸、硼酸三甲酯、硼酸三乙酯、硼酸三丙酯、硼酸三丁酯、硼酸三辛酯、硼酸三苯酯等。
作为n型的杂质扩散成分，优选为包含15族的元素的化合物，其中优选为磷化合物。
作为磷化合物，可例示五氧化二磷、磷酸、多磷酸、磷酸甲酯、磷酸二甲酯、磷酸三甲酯、磷酸乙酯、磷酸二乙酯、磷酸三乙酯、磷酸丙酯、磷酸二丙酯、磷酸三丙酯、磷酸丁酯、磷酸二丁酯、磷酸三丁酯、磷酸苯酯、磷酸二苯酯、磷酸三苯酯等磷酸酯、亚磷酸甲酯、亚磷酸二甲酯、亚磷酸三甲酯、亚磷酸乙酯、亚磷酸二乙酯、亚磷酸三乙酯、亚磷酸丙酯、亚磷酸二丙酯、亚磷酸三丙酯、亚磷酸丁酯、亚磷酸二丁酯、亚磷酸三丁酯、亚磷酸苯酯、亚磷酸二苯酯、亚磷酸三苯酯等亚磷酸酯等。其中从掺杂性方面考虑，优选为磷酸、五氧化二磷或多磷酸。
杂质扩散组合物中包含的(B)杂质扩散成分的量可以根据半导体基板所要求的电阻值来任意确定，但相对于杂质扩散组合物的总量优选为0.1～10质量％。
(C)溶剂
本发明的杂质扩散组合物优选包含溶剂。溶剂可以没有特别限制地使用，但从使利用丝网印刷法、旋转涂布印刷法等的情况下的印刷性更加提高的观点考虑，优选沸点为100℃以上的溶剂。如果沸点为100℃以上，则例如，在对在丝网印刷法中使用的印刷版印刷杂质扩散组合物时，可以抑制杂质扩散组合物在印刷版上干燥而粘着。沸点为100℃以上的溶剂的含量相对于溶剂的总量优选为20重量％以上。
(D)表面活性剂
本发明的杂质扩散组合物可以含有表面活性剂。通过含有表面活性剂，从而改善涂布不均，可获得更均匀的涂布膜。作为表面活性剂，优选使用氟系表面活性剂、有机硅系表面活性剂。表面活性剂的含量在添加的情况下，优选在杂质扩散组合物中为0.0001～1重量％。
(E)增稠剂
本发明的杂质扩散组合物为了调整粘度而优选含有增稠剂。由此，可以利用丝网印刷等印刷法以更精密的图案进行涂布。
从形成致密膜、降低残渣方面考虑，增稠剂优选为90％热分解温度为400℃以下的物质。具体而言，优选为聚乙二醇、聚氧化乙烯、聚丙二醇、聚氧化丙烯、丙烯酸酯系树脂，其中，优选为聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、丙烯酸酯系树脂。从保存稳定性方面考虑，特别优选为丙烯酸酯系树脂。这里，所谓90％热分解温度，是增稠剂的重量由于热分解而减少90％时的温度。热分解温度可以使用热重测定装置(TGA)等测定。
这些增稠剂的含量在杂质扩散组合物中优选为3重量％以上且20重量％以下。通过为该范围，从而易于获得充分的粘度调整效果，同时，能够形成更致密的膜。
(F)触变剂
从丝网印刷性方面考虑，本发明的杂质扩散组合物优选含有赋予触变性的触变剂。这里，所谓赋予触变性，是使低剪切应力时的粘度(η1)与高剪切应力时的粘度(η2)之比(η1/η2)大。通过含有触变剂从而可以更加提高丝网印刷的图案精度。这是因为以下那样的理由。含有触变剂的杂质扩散组合物由于在高剪切应力时粘度低，因此在丝网印刷时丝网的堵塞不易发生，由于在低剪切应力时粘度高，因此不易发生刚印刷后的洇渗、图案线宽的增加。
此外，更优选与上述增稠剂组合使用，可以获得更高的效果。
对本发明的杂质扩散组合物的粘度没有限制，可以根据印刷法、膜厚来适当变更。这里，例如在作为优选的印刷形态之一的丝网印刷方式的情况下，扩散组合物的粘度优选为5,000mPa·s以上。原因是可以抑制印刷图案的洇渗而获得良好的图案。进一步优选的粘度为10,000mPa·s以上。上限没有特别限制，但从保存稳定性、操作性的观点考虑，优选为100,000mPa·s以下。
这里，在粘度小于1,000mPa·s的情况下，为基于JIS Z 8803(1991)“溶液粘度－測定方法(溶液粘度-测定方法)”而使用E型数字粘度计以转速20rpm测定而得的值，在1,000mPa·s以上的情况下，为基于JIS Z8803(1991)“溶液粘度－測定方法(溶液粘度-测定方法)”而使用B型数字粘度计以转速20rpm测定而得的值。
触变性可以由通过上述粘度测定方法获得的不同转速下的粘度之比求出。在本发明中，将转速20rpm下的粘度(η20)与转速2rpm下的粘度(η2)之比(η2/η20)定义为触变性。为了通过丝网印刷形成精度好的图案，触变性优选为2以上，进一步优选为3以上。
本发明的杂质扩散组合物，作为固体成分浓度，没有特别限制，1重量％以上～90重量％以下为优选的范围。如果低于本浓度范围则涂布膜厚过薄而不易获得所希望的掺杂性、掩模性，如果高于本浓度范围则有时保存稳定性降低。
＜半导体元件的制造方法＞
本发明的半导体元件的制造方法的第1实施方式包含下述工序：在半导体基板上涂布本发明的杂质扩散组合物而形成杂质扩散组合物膜的工序；以及使杂质从上述杂质扩散组合物膜扩散而在半导体基板上形成杂质扩散层的工序。
此外，本发明的半导体元件的制造方法的第2实施方式包含下述工序：在半导体基板上涂布n型杂质扩散组合物而形成n型杂质扩散组合物膜的工序；在上述工序后，将作为p型杂质扩散组合物的、(B)杂质扩散成分为硼化合物的本发明的杂质扩散组合物涂布于上述半导体基板而形成p型杂质扩散组合物膜的工序；通过将该半导体基板进行加热，从而在该半导体基板上同时形成n型杂质扩散层和p型杂质扩散层的工序。
此外，本发明的半导体元件的制造方法的第3实施方式包含下述工序：在半导体基板的一面涂布作为p型杂质扩散组合物的、(B)杂质扩散成分为硼化合物的本发明的杂质扩散组合物而形成p型杂质扩散组合物膜的工序；在上述半导体基板的另一面涂布n型杂质扩散组合物而形成n型杂质扩散组合物膜的工序；以及通过将该半导体基板进行加热，从而在该半导体基板上同时形成p型杂质扩散层和n型杂质扩散层的工序。
此外，本发明的半导体元件的制造方法的第4实施方式是使用了多个半导体基板的半导体元件的制造方法，其包含下述工序(a)～(c)，且在工序(b)和(c)中，将二片一组的半导体基板以各自的形成了第一导电型的杂质扩散组合物膜的面成为彼此相对的方式配置。
工序(a)：在各半导体基板的一面涂布本发明的杂质扩散组合物而形成第一导电型的杂质扩散组合物膜的工序。
工序(b)：将形成了上述第一导电型的杂质扩散组合物膜的半导体基板进行加热，而使上述第一导电型的杂质向上述半导体基板扩散，从而形成第一导电型的杂质扩散层的工序。
工序(c)：在具有包含第二导电型的杂质的气体的气氛下将上述半导体基板进行加热，而使第二导电型的杂质扩散到上述半导体基板的另一面，从而形成第二导电型的杂质扩散层的工序。
以下，使用附图说明可以应用于这些半导体元件的制造方法的杂质扩散层的形成方法。需要说明的是，都是一例，可以应用于本发明的半导体元件的制造方法的方法不限定于此。
(第1实施方式)
图1显示本发明的半导体元件的制造方法的第1实施方式的一例。首先，如图1的(a)所示，在半导体基板11上形成p型杂质扩散组合物膜12。
作为半导体基板，可举出例如杂质浓度为1015～1016atoms/cm3的n型单晶硅、多晶硅、和混合了锗、碳等那样的其它元素的结晶硅基板。也能够使用p型结晶硅、硅以外的半导体。半导体基板优选为厚度为50～300μm，外形为边长100～250mm的大略四边形。此外，为了将切面损伤、自然氧化膜除去，优选预先用氢氟酸溶液、碱溶液等对表面进行蚀刻。
可以在半导体基板的受光面形成保护膜。作为该保护膜，可以应用通过CVD(化学气相沉积)法、旋涂玻璃(SOG)法等方法而制膜的氧化硅、氮化硅等公知的保护膜。
作为杂质扩散组合物的涂布方法，可举出例如旋转涂布法、丝网印刷法、喷墨印刷法、狭缝涂布法、喷涂法、凸版印刷法、凹版印刷法等。
优选在通过这些方法形成涂布膜后，将杂质扩散组合物膜用电热板、烘箱等，在50～200℃的范围干燥30秒～30分钟。从杂质的扩散性的观点考虑，干燥后的杂质扩散组合物膜的膜厚优选为100nm以上，从蚀刻后的残渣的观点考虑，优选为3μm以下。
接下来，如图1的(b)所示，使杂质扩散到半导体基板11，而形成p型杂质扩散层13。
杂质的扩散方法可以使用公知的热扩散方法，可以使用例如，电加热、红外加热、激光加热、微波加热等方法。
热扩散的时间和温度可以以可获得杂质扩散浓度、扩散深度等所希望的扩散特性的方式适当设定。例如，通过在800℃以上且1200℃以下加热扩散1～120分钟，可以形成表面杂质浓度为1019～1021的扩散层。
扩散气氛没有特别限定，可以在大气中进行，也可以使用氮气、氩气等非活性气体来适当控制气氛中的氧量等。从缩短扩散时间的观点考虑，优选使气氛中的氧浓度为3％以下。此外，根据需要可以在扩散前在200℃～850℃的范围进行烧成。
接下来，如图1的(c)所示，通过公知的蚀刻法，将形成在半导体基板11的表面的p型杂质扩散组合物膜12除去。
作为蚀刻所使用的材料，没有特别限定，优选例如作为蚀刻成分，包含氢氟酸、铵、磷酸、硫酸、硝酸之中的至少1种，作为其以外的成分，包含水、有机溶剂等的材料。通过以上工序，可以在半导体基板上形成p型杂质扩散层。
需要说明的是，在上例中对利用p型杂质扩散组合物膜而形成p型杂质扩散层的情况进行了说明，但本实施方式不限于此，当然也可以应用于利用n型杂质扩散组合物膜而形成n型杂质扩散层的情况。
接着，使用图1的(d)说明利用了本发明的第1实施方式的一例涉及的半导体元件的制造方法的太阳能电池的制造方法。通过该实施方式的一例而获得的太阳能电池为单面发电型太阳能电池。
首先如图1的(d)所示，在表面形成钝化层16，在背面形成钝化层17。
作为钝化层，可以分别使用公知的材料。这些层可以为单层也可以为多层。有例如，将热氧化层、氧化铝层、SiNx层、无定形硅层进行了叠层的物质。
作为钝化层17侧的钝化层，特别优选为氧化铝层。由此也发挥作为电极的作用。
这些钝化层可以通过等离子体CVD法、ALD(原子层沉积)法等蒸镀法、或涂布法而形成。
在该实施方式的一例中，钝化层16在受光面的一部分区域形成，钝化层17在背面的整面形成。
然后，如图1的(e)所示，在受光面的不存在钝化层16的部分形成接触电极18。
电极可以在施与了电极形成用糊料后进行加热处理而形成。
由此，可获得单面发电型太阳能电池10。
(第2实施方式)
图2A显示本发明的半导体元件的制造方法的第2实施方式的一例。首先如图2A的(a)所示，在半导体基板21上图案形成n型杂质扩散组合物膜24。
作为n型杂质扩散组合物膜的形成方法，可举出例如丝网印刷法、喷墨印刷法、狭缝涂布法、喷涂法、凸版印刷法、凹版印刷法等。
优选在通过这些方法形成涂布膜后，将n型杂质扩散组合物膜用电热板、烘箱等，在50～200℃的范围干燥30秒～30分钟。
关于干燥后的n型杂质扩散组合物膜的膜厚，如果考虑对p型杂质的掩模性，则优选为200nm以上，从耐裂性的观点考虑，优选为5μm以下。
接下来如图2A的(b)所示，以n型杂质扩散组合物膜24作为掩模而形成p型杂质扩散组合物膜22。
在该情况下，如图2A的(b)所示，可以将p型杂质扩散组合物膜形成于整面，也可以仅在没有n型杂质扩散组合物膜的部分形成。此外，可以以p型杂质扩散组合物的一部分与n型杂质扩散组合物膜重叠的方式涂布。
作为p型杂质扩散组合物的涂布方法，可举出例如旋转涂布法、丝网印刷法、喷墨印刷法、狭缝涂布法、喷涂法、凸版印刷法、凹版印刷法等。
优选在通过这些方法形成涂布膜后，将p型杂质扩散组合物膜用电热板、烘箱等，在50～200℃的范围干燥30秒～30分钟。从p型杂质的扩散性的观点考虑，干燥后的p型杂质扩散组合物膜的膜厚优选为100nm以上，从蚀刻后的残渣的观点考虑优选为3μm以下。
接着，如图2A的(c)所示，使n型杂质扩散组合物膜24中的n型的杂质扩散成分与p型杂质扩散组合物膜22中的p型的杂质扩散成分同时扩散到半导体基板21中，形成n型杂质扩散层25和p型杂质扩散层23。
作为杂质扩散组合物的涂布方法、烧成方法和扩散方法，可举出与上述同样的方法。
接下来，如图2A的(d)所示，通过公知的蚀刻法，将形成在半导体基板21的表面的n型杂质扩散组合物膜24和p型杂质扩散组合物膜22除去。
通过以上工序，可以在半导体基板上形成n型和p型的杂质扩散层。通过为这样的工序，从而与现有方法相比，可以进一步简化工序。
这里示出了在n型杂质扩散组合物的涂布后，进行p型杂质扩散组合物的涂布的例子，但也能够在p型杂质扩散组合物的涂布后，进行n型杂质扩散组合物的涂布。即，也能够在图2A的(a)中代替n型杂质扩散组合物的涂布而进行p型杂质扩散组合物的涂布，在图2A的(b)中代替p型杂质扩散组合物的涂布/扩散而进行n型杂质扩散组合物的涂布。
接着，使用图2B说明利用了本发明的第2实施方式的一例涉及的半导体元件的制造方法的太阳能电池的制造方法。通过该实施方式的一例而获得的太阳能电池为背面接合型太阳能电池。
首先如图2B的(e)所示，在背面形成了n型杂质扩散层25和p型杂质扩散层23的半导体基板21的、该背面上的整面形成保护膜26。接下来如图3(f)所示，将保护膜26通过蚀刻法等进行图案加工，形成保护膜开口26a。
进一步，如图2B的(g)所示，通过条纹涂布法、丝网印刷法等，在包含开口26a的区域将电极糊料进行图案涂布并进行烧成，从而形成n型接触电极29和p型接触电极28。由此，可获得背面接合型太阳能电池20。
(第3实施方式)
图3A显示本发明的半导体元件的制造方法的第3实施方式的一例。
首先，如图3A的(a)所示，在半导体基板31上使用p型的本发明的杂质扩散组合物而形成p型杂质扩散组合物膜32。接下来，如图3A的(b)所示，在半导体基板31的与形成了p型杂质扩散组合物膜32的面为相反侧的面形成n型杂质扩散组合物膜34。
接下来，如图3A的(c)所示，使p型杂质扩散组合物膜32和n型杂质扩散组合物膜34在半导体基板31中同时扩散，而形成p型杂质扩散层33和n型杂质扩散层35。
作为杂质扩散组合物的涂布方法、烧成方法和扩散方法，可举出与上述同样的方法。
接下来，如图3A的(d)所示，通过公知的蚀刻法，将形成在半导体基板31的表面的p型杂质扩散组合物膜32和n型杂质扩散组合物膜34除去。
通过以上工序，可以在半导体基板上形成n型和p型的杂质扩散层。通过为这样的工序，从而与现有方法相比，可以简化工序。
这里示出了在p型杂质扩散组合物的涂布后，进行n型杂质扩散组合物的涂布的例子，但也能够在n型杂质扩散组合物的涂布后，进行p型杂质扩散组合物的涂布。
接着，使用图3B说明利用了本发明的第3实施方式的一例涉及的半导体元件的制造方法的太阳能电池的制造方法。通过该实施方式的一例而获得的太阳能电池为双面发电型太阳能电池。
首先如图3B的(e)所示，在受光面和背面分别形成钝化层36。
作为钝化层所使用的材料、层的构成、形成方法，适用与在第1实施方式中同样的材料、层的构成、形成方法。
在该实施方式的一例中，钝化层36在受光面和背面的一部分区域形成。
然后，如图3B的(f)所示，在受光面和背面各自中，在不存在钝化层36的部分形成p型接触电极38和n型接触电极39。
电极可以在施与电极形成用糊料后进行加热处理而形成。
由此，可获得双面发电型太阳能电池30。
(第4实施方式)
图4显示本发明的半导体元件的制造方法的第4实施方式的一例。
((a)工序)
如图4的(a)所示，在半导体基板41的一面涂布第一导电型的杂质扩散组合物而形成第一导电型的杂质扩散组合物膜42。
在以下说明中，将第一导电型设为p型，将第二导电型设为n型进行说明。即，所谓第一导电型的杂质扩散组合物膜，是p型杂质扩散组合物膜。第一导电型和第二导电型当然可以相反。
在图4的(a)中说明了在半导体基板的一面的整面涂布p型的杂质扩散组合物的方案，但也可以部分涂布p型的杂质扩散组合物。作为杂质扩散组合物的涂布方法、烧成方法，可举出与上述同样的方法。
((b)工序)
如图4的(b)-1所示，将在一面形成了p型杂质扩散组合物膜42的半导体基板41二片一组，使各自的形成了p型杂质扩散组合物膜42的面彼此相对地配置于扩散板110。
扩散板具有用于配置半导体基板的槽。关于扩散板的槽的尺寸、间距等，没有特别限制。扩散板可以相对于水平方向倾斜。扩散板的材质只要是可耐受扩散温度的材质，就没有特别限制，优选为石英。
接下来如图4的(b)-2所示，将配置了半导体基板41的扩散板110利用扩散炉100进行加热，向半导体基板41扩散p型的杂质，形成p型杂质扩散层43。
此时，由于二片一组的半导体基板为上述配置，因此即使p型杂质从p型杂质扩散组合物膜扩散到空气中，其也不易到达半导体基板的与形成了p型杂质扩散组合物膜的面为相反侧的面。因此，可以抑制在半导体基板中杂质也扩散到与作为目标的位置不同位置的、所谓外扩散。作为杂质扩散组合物的扩散方法，可举出与上述同样的方法。
此外，优选通过在(b)工序前，例如，将在一面形成了p型的杂质扩散组合物膜的半导体基板在扩散时的加热处理温度以下的温度并且包含氧的气氛下进行加热处理，从而预先将p型杂质扩散组合物膜中的粘合剂树脂等有机成分的至少一部分除去。通过预先将p型杂质扩散组合物膜中的粘合剂树脂等有机成分的至少一部分除去，可以提升半导体基板上的p型杂质扩散组合物膜中的杂质成分的浓度，p型的杂质的扩散性易于提高。
((c)工序)
在(c)工序中一边流通包含n型的杂质的气体，一边将半导体基板进行加热，从而形成n型杂质扩散层45。
作为包含n型的杂质的气体，可举出POCl3气体等。例如POCl3气体可以通过在POCl3溶液中鼓泡N2气体、氮气/氧气混合气体、将POCl3溶液进行加热来获得。需要说明的是，在第二导电型为p型的情况下，可举出BBr3、BCl3等气体。
加热温度优选为750℃～1050℃，更优选为800℃～1000℃。
作为气体气氛，没有特别限制，但优选为氮气、氧气、氩气、氦气、氙气、氖气、氪气等混合气体气氛，更优选为氮气与氧气的混合气体，特别优选为氧气的含有率为5体积％以下的氮气与氧气的混合气体。
此外，由于可以缩短气体气氛的变更的工序时间，因此优选在与(b)工序相同的气体气氛下直接进行(c)工序。特别是，优选(b)工序中的气体气氛中的氮气与氧气的比率、与(c)工序中的气体气氛中的氮气与氧气的比率相同。该情况下的优选的比率以体积比计为氧气：氮气＝1：99～5：95。
在(b)工序后，在p型杂质扩散层的上部残留p型杂质扩散组合物膜的热处理物层。优选将其作为对包含n型的杂质的气体的掩模，进行(c)工序。通过这样，可以抑制n型的杂质向p型杂质扩散层的混入。
(b)工序与(c)工序哪个先进行都可以，此外，(c)工序也可以与(b)工序同时进行。在使用p型杂质扩散组合物膜的热处理物层作为掩模的情况下，优选比(b)工序靠后地进行(c)工序。
进一步，更优选在(b)工序后连续进行(c)工序。例如，优选在(b)工序后，将扩散板不从烧成炉取出而直接移到(c)工序。所谓在(b)工序后连续进行(c)工序，是指在(b)工序后接着进行(c)工序。
上述(c)工序中的形成n型的杂质扩散层时的加热温度优选为比上述(b)工序中的形成p型的杂质扩散层时的加热温度低50～200℃的温度。通过使(c)工序中的形成n型的杂质扩散层时的加热温度为比(b)工序中的形成p型的杂质扩散层时的加热温度低50～200℃的温度，从而在(b)工序后连续进行(c)工序的情况下，可以使加热对通过(b)工序而形成的p型的杂质扩散层的影响为最小限度，因此易于控制p型的杂质扩散。
在(c)工序中，与用包含p型杂质的气体进行扩散时相比，用包含n型杂质的气体进行扩散时加热温度可以为低温，因此优选第一导电型为p型，第二导电型为n型。
＜太阳能电池元件的制造方法＞
本发明的太阳能电池的制造方法包含本发明的半导体元件的制造方法，具体而言，具有在通过上述工序而获得的、形成了第一导电型的杂质扩散层和第二导电型的杂质扩散层的半导体基板的各杂质扩散层上形成电极的工序。关于详细内容，在图1中举出单面发电型太阳能电池，在图2中举出背面接合型太阳能电池，在图3中举出双面发电型太阳能电池作为例子而进行了说明。
本发明的半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法不限定于上述实施方式，也能够基于本领域技术人员的知识而加入各种设计变更等变形，加入了那样的变形的实施方式也包含于本发明的范围。
本发明的杂质扩散组合物也可以在太阳能电池等的光伏元件、在半导体表面图案形成杂质扩散区域的半导体器件例如晶体管阵列、二极管阵列、光电二极管阵列、传感器等中展开。
实施例
以下，举出实施例进一步具体地说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。需要说明的是，所使用的化合物之中，关于使用简写的物质，示于以下。
GBL：γ-丁内酯
PGMEA：丙二醇单甲基醚乙酸酯
PVA：聚乙烯醇
TMSOX：三甲氧基甲硅烷基氧杂环丁烷(东亚合成株式会社制)
PhTMS：苯基三甲氧基硅烷
OXE-10：(3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲基丙烯酸酯。
(1)溶液粘度、TI值、保存稳定性
粘度小于1,000mPa·s的杂质扩散组合物使用东机产业(株)制旋转粘度计TVE-25L(E型数字粘度计)，测定了液体温度25℃、转速20rpm下的粘度。此外，粘度1,000mPa·s以上的杂质扩散组合物使用布鲁克菲尔德制RVDV-11+P(B型数字粘度计)，测定了液体温度25℃、转速20rpm下的粘度。这里，测定转速2rpm和20rpm下的粘度，将转速2rpm时的粘度相对于转速20rpm时的粘度之比设为TI值。此外测定杂质扩散组合物刚制作后的粘度和制作后在25℃下保存7天后的粘度，设为保存稳定性的指标。将粘度的上升率为5％以内的情况判定为优异(A)，将超过5％且为10％以内的情况判定为良好(B)，将超过10％的情况判定为差(C)。
(2)剥离性评价
将切割为3cm×3cm的n型硅晶片((株)フェローテックシリコン制，表面电阻率410Ω/□)在1％氢氟酸水溶液中浸渍1分钟后水洗，鼓风后用电热板在140℃下处理5分钟。
将测定对象的杂质扩散组合物通过公知的涂布法以预烘烤膜厚成为500nm左右的方式涂布于该硅晶片。在涂布后，将硅晶片在140℃下预烘烤5分钟。
接着将各硅晶片配置在电炉内，在氮气：氧气＝99：1(体积比)的气氛下，在900℃下维持30分钟而使杂质热扩散。
使热扩散后的各硅晶片在5重量％的氢氟酸水溶液中在23℃下浸渍1分钟，剥离了扩散剂和掩模。在剥离后，使硅晶片浸渍于纯水进行清洗，通过目视表面观察了残渣的有无。将在浸渍1分钟后通过目视可以确认到表面附着物但可以通过用碎纱进行擦蹭而除去的情况设为差(C)，将在超过30秒且1分钟以内未能目视确认到表面附着物的情况设为良好(B)，将在30秒以内未能目视确认到表面附着物的情况设为优异(A)。从生产周期的观点考虑，即使为良好(B)也能够使用，但优选为优异(A)。
(3)薄层电阻值测定
对于剥离性评价所使用的杂质扩散后的硅晶片，使用p/n判定机进行p/n判定，使用四探针式表面电阻测定装置RT-70V(ナプソン(株)制)测定表面电阻，设为薄层电阻值。薄层电阻值成为杂质扩散性的指标，电阻值小意味着杂质扩散量大。
(4)扩散均匀性
对于薄层电阻值测定所使用的杂质扩散后的硅晶片，使用二次离子质谱装置IMS7f(Camera社制)测定了杂质的表面浓度分布。从所得的表面浓度分布以100μm间隔读取10点的表面浓度，计算作为其平均与标准偏差之比的“标准偏差/平均”，将“标准偏差/平均”为0.3以下的情况判定为优异(A)，将超过0.3且为0.6以下的情况判定为良好(B)，将超过0.6的情况判定为差(C)，由于杂质的表面浓度的偏差大大影响发电效率，因此最优选为优异(A)。
(5)阻挡性
将切割为3cm×3cm的n型硅晶片((株)フェローテックシリコン制，表面电阻率410Ω/□)在1％氢氟酸水溶液中浸渍1分钟后水洗，鼓风后用电热板在140℃下处理5分钟。
如图5的(a)所示，将各实施例和比较例的p型杂质扩散组合物通过公知的涂布法以预烘烤膜厚成为500nm左右的方式涂布于该硅晶片51。在涂布后，将硅晶片在140℃下预烘烤5分钟，制作出p型杂质扩散组合物膜52。
接下来，如图5的(b)所示，将n型杂质扩散性组合物(OCD T-1，东京应化工业制)通过公知的涂布法以预烘烤膜厚成为500nm左右的方式涂布于其它硅晶片61。在涂布后，将硅晶片在140℃下预烘烤5分钟，制作出n型杂质扩散组合物涂膜64。
接着，如图5的(c)所示，使形成了上述p型杂质扩散组合物膜52的硅晶片51、与形成了n型杂质扩散组合物膜64的硅晶片61空出5mm的间隔相对地配置在电炉内，在氮气：氧气＝99：1(体积比)的气氛下，在900℃下维持30分钟而使杂质热扩散。由此，如图5的(d)所示，在硅晶片51形成了p型杂质扩散层53，在硅晶片61形成了n型杂质扩散层65。
在热扩散后，使各硅晶片在5重量％的氢氟酸水溶液中在23℃下浸渍1分钟，将固化了的扩散剂剥离(图5的(e))。
然后，对于硅晶片51，使用二次离子质谱装置IMS7f(Camera社制)测定了磷元素的表面浓度分布。磷元素的表面浓度低意味着对从相对的n型杂质扩散组合物扩散的磷元素的阻挡性高。将所得的磷元素的表面浓度为1017以下的情况判定为优异(A)，将超过1017且为1018以下的情况判定为良好(B)，将超过1018且为1019以下的情况判定为不差(C)，将超过1019的情况判定为差(D)。
(6)丝网印刷性
将各实施例和比较例的杂质扩散组合物通过丝网印刷而图案形成为条纹状，确认了该条纹宽度精度。
作为基板，准备由边长156mm的n型单晶硅形成的半导体基板，为了将切面损伤、自然氧化物除去，对两表面进行了碱蚀刻。此时，在半导体基板的两面形成典型的宽度为40～100μm、深度3～4μm左右的无数凹凸，将其设为涂布基板。
使用丝网印刷机(マイクロテック(株)TM-750型)，作为丝网掩模，使用以间距600μm形成了175条宽度200μm、长度13.5cm的开口部的物质(SUS(株)制，400目，线径23μm)，形成了条纹状的图案。
将p型杂质扩散组合物进行丝网印刷后，在空气中将基板在140℃下加热5分钟，进一步在230℃下加热30分钟，从而形成了厚度约1.5μm、宽度约210μm、间距600μm、长度13.5cm的图案。
这里对任意1条线，以等间隔对10点测定线宽，将涂布宽度的标准偏差为12.5μm以内的情况判定为优异(A)，将超过12.5μm且为15μm以内的情况设为良好(B)，将超过15μm且为17.5μm以内的情况设为差(C)，将超过17.5μm且为20μm以内的情况设为更差(D)。
(7)丝网连续印刷性
对10片连续进行上述丝网印刷性评价时，将不发生洇渗、模糊等涂布不良的情况设为良好，将发生了的情况设为差。
实施例1
(1)(A)聚合物的合成
在500mL的三口烧瓶中加入TMSOX 55.64g(0.2mol)、GBL 67.75g，在40℃下一边搅拌一边经30分钟添加在水18g中溶解硫酸0.11g而得的硫酸水溶液。在滴加结束后，在40℃下搅拌1小时后，升温到70℃，搅拌30分钟。然后，将油浴升温直到115℃。在升温开始1小时后溶液的内温达到100℃，从此时起加热搅拌1小时(内温为100～110℃)。将所得的溶液利用冰浴冷却，获得了聚硅氧烷(TMSOX(100))溶液。聚硅氧烷溶液的固体成分浓度为40.0重量％。
(2)杂质扩散组合物的制作
将上述合成的聚硅氧烷12.54g、硼酸1.26g、和GBL 81.6g进行混合，将BYK-333以相对于溶液整体成为300ppm的方式添加，以变得均匀的方式充分搅拌。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例2
(1)(A)聚合物的合成
在500mL的三口烧瓶中加入TMSOX 55.64g(0.2mol)、KBM-103(苯基三甲氧基硅烷)39.658g(0.2mol)、GBL 163.2g，在40℃下一边搅拌一边经30分钟添加在水36g中溶解硫酸0.22g而得的硫酸水溶液。在滴加结束后，在40℃下搅拌1小时后，升温到70℃，搅拌30分钟。然后，将油浴升温直到115℃。在升温开始1小时后溶液的内温达到100℃，从此时起加热搅拌1小时(内温为100～110℃)。将所得的溶液利用冰浴冷却，获得了聚硅氧烷(TMSOX(50)/PhTMS(50))溶液。聚硅氧烷溶液的固体成分浓度为40.3重量％。
(2)杂质扩散组合物的制作
将上述合成的聚硅氧烷12.54g、硼酸1.26g、和GBL 81.6g进行混合，将BYK-333以相对于溶液整体成为300ppm的方式添加，以变得均匀的方式充分搅拌。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例3
使聚硅氧烷的组成为(TMSOX(5)/PhTMS(95))，除此以外，与实施例2同样地操作而获得了杂质扩散组合物。聚硅氧烷溶液的固体成分浓度为40.6重量％。使用所得的杂质扩散组合物，测定了粘度、TI值、保存稳定性、剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例4
使聚硅氧烷的组成为(TMSOX(95)/PhTMS(5))，除此以外，与实施例2同样地操作而获得了杂质扩散组合物。聚硅氧烷溶液的固体成分浓度为40.0重量％。使用所得的杂质扩散组合物，测定了粘度、TI值、保存稳定性、剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例5
(1)(A)聚合物的合成
在500mL的三口烧瓶中导入丙二醇单甲基醚乙酸酯18.2g并升温到100℃。然后，将混合OXE-10 5.1g、丙烯酸2.1g、偶氮二异丁腈0.36g、丙二醇单甲基醚乙酸酯13.60g而得的溶液从滴液漏斗经2小时滴加到烧瓶中，在100℃下进一步继续搅拌10小时。将所得的溶液冷却，获得了丙烯酸系化合物(OXE-10(50)/丙烯酸(50))溶液。
(2)杂质扩散组合物的制作
将上述合成的丙烯酸系化合物溶液12.54g、硼酸1.26g、和GBL 81.6g进行混合，将BYK-333以相对于溶液整体成为300ppm的方式添加，以变得均匀的方式充分搅拌。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例6
在实施例1中制作的杂质扩散组合物中，将表1所记载的增稠剂以相对于溶液整体成为规定的重量％浓度的方式添加，使用自转/公转混合机ARE-310((株)シンキー制)使其溶解(搅拌：15分钟，脱泡：1分钟)。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性、丝网印刷性、丝网连续印刷性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例7
在实施例2中制作的杂质扩散组合物中，将表1所记载的增稠剂以相对于溶液整体成为规定的重量％浓度的方式添加，使用自转/公转混合机ARE-310((株)シンキー制)使其溶解(搅拌：15分钟，脱泡：1分钟)。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性、丝网印刷性、丝网连续印刷性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例8
在实施例3中制作的杂质扩散组合物中，将表1所记载的增稠剂以相对于溶液整体成为规定的重量％浓度的方式添加，使用自转/公转混合机ARE-310((株)シンキー制)使其溶解(搅拌：15分钟，脱泡：1分钟)。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性、丝网印刷性、丝网连续印刷性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例9
在实施例4中制作的杂质扩散组合物中，将表1所记载的增稠剂以相对于溶液整体成为规定的重量％浓度的方式添加，使用自转/公转混合机ARE-310((株)シンキー制)使其溶解(搅拌：15分钟，脱泡：1分钟)。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性、丝网印刷性、丝网连续印刷性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例10
在实施例5中制作的杂质扩散组合物中，将表1所记载的增稠剂以相对于溶液整体成为规定的重量％浓度的方式添加，使用自转/公转混合机ARE-310((株)シンキー制)使其溶解(搅拌：15分钟，脱泡：1分钟)。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性、丝网印刷性、丝网连续印刷性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例11
使聚硅氧烷的组成为(TMSOX(10)/PhTMS(90))，除此以外，与实施例2同样地操作而获得了杂质扩散组合物。聚硅氧烷溶液的固体成分浓度为40.0重量％。使用所得的杂质扩散组合物，测定了粘度、TI值、保存稳定性、剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例12
使聚硅氧烷的组成为(TMSOX(90)/PhTMS(10))，除此以外，与实施例2同样地操作而获得了杂质扩散组合物。聚硅氧烷溶液的固体成分浓度为40.2重量％。使用所得的杂质扩散组合物，测定了粘度、TI值、保存稳定性、剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例13
在实施例11中制作的杂质扩散组合物中，将表1所记载的增稠剂以相对于溶液整体成为规定的重量％浓度的添加，使用自转/公转混合机ARE-310((株)シンキー制)使其溶解(搅拌：15分钟，脱泡：1分钟)。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性、丝网印刷性、丝网连续印刷性，结果如表2所示那样，都是良好的。
实施例14
在实施例12中制作的杂质扩散组合物中，将表1所记载的增稠剂以相对于溶液整体成为规定的重量％浓度的方式添加，使用自转/公转混合机ARE-310((株)シンキー制)使其溶解(搅拌：15分钟，脱泡：1分钟)。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性、丝网印刷性、丝网连续印刷性，结果如表2所示那样，都是良好的。
比较例1
在500mL的三口烧瓶中加入PVA(和光纯药制，聚合度500)20.8g、水144g，一边搅拌一边升温到80℃，搅拌1小时。然后，加入GBL 231.6g和硼酸3.6g，在80℃下搅拌1小时。在冷却到40℃后，将BYK-333以相对于溶液整体成为300ppm的方式添加，以变得均匀的方式充分搅拌而获得了杂质扩散组合物。然后，将表1所记载的增稠剂以相对于溶液整体成为规定的重量％浓度的方式添加，使用自转/公转混合机ARE-310((株)シンキー制)使其溶解(搅拌：15分钟，脱泡：1分钟)。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性、丝网印刷性、丝网连续印刷性，结果如表2所示那样，成为保存稳定性、阻挡性、丝网连续印刷性差的结果。
比较例2
在500mL的三口烧瓶中加入三羟甲基丙烷20.8g、GBL 231.6g、硼酸3.6g，在80℃下搅拌1小时。在冷却到40℃后，将BYK-333以相对于溶液整体成为300ppm的方式添加，以变得均匀的方式充分搅拌而获得了杂质扩散组合物。然后，将表1所记载的增稠剂以相对于溶液整体成为规定的重量％浓度的方式添加，使用自转/公转混合机ARE-310((株)シンキー制)使其溶解(搅拌：15分钟，脱泡：1分钟)。所得的溶液的粘度、TI值、保存稳定性为表2所示的结果。此外使用所得的溶液，测定了剥离性、薄层电阻值、扩散均匀性、阻挡性、丝网印刷性、丝网连续印刷性，结果如表2所示那样，成为扩散均匀性和阻挡性差的结果。
[表1]
Figure BDA0002648380290000301
[表2]
Figure BDA0002648380290000311
符号的说明
10、20、30、40 太阳能电池
11、21、31、41 半导体基板
12、22、32、42、52 p型杂质扩散组合物膜
13、23、33、43、53 p型杂质扩散层
14、24、34、64 n型杂质扩散组合物膜
15、25、35、45、65 n型杂质扩散层
16、17、36 钝化层
18、28、29、38、39 接触电极
26 保护膜
26a 开口
51、61 硅晶片
100 扩散炉
110 扩散板。

Claims (11)

1.一种杂质扩散组合物，其含有：
(A)聚合物，所述聚合物在侧链包含选自下述通式(1)和通式(2)中的至少1个结构；以及
(B)杂质扩散成分，
Figure FDA0002648380280000011
在通式(1)和通式(2)中，R1～R14各自独立地表示氢原子、或碳原子数1～8的有机基；a1表示整数1～4，a2和a3各自独立地表示整数0～2；a2+a3表示整数0～3；*表示与聚合物结合的部分。
2.根据权利要求1所述的杂质扩散组合物，所述(A)聚合物为由硅氧烷或丙烯酸系化合物形成的聚合物。
3.根据权利要求1所述的杂质扩散组合物，所述(A)聚合物为由硅氧烷形成的聚合物，所述硅氧烷包含至少1种下述通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构、和至少1种下述通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构，
Figure FDA0002648380280000012
R15表示碳原子数1～8的亚烷基；R16表示羟基、碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～6的酰氧基中的任一者；R17和R18表示羟基、碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数2～6的酰基、碳原子数6～15的芳基中的任一者；X表示选自通式(1)和通式(2)中的至少1个结构；此外，所述硅氧烷结构中的通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构所占的比例为5摩尔％以上且小于100摩尔％。
4.根据权利要求3所述的杂质扩散组合物，所述(A)聚合物由下述通式(3)、通式(4)中任意者所示的部分结构、和下述通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构形成，R17为碳原子数6～15的芳基，通式(5)、通式(6)中任意者所示的部分结构所占的比例为5～95摩尔％。
5.根据权利要求1所述的杂质扩散组合物，所述(A)聚合物为由丙烯酸系化合物形成的聚合物，所述丙烯酸系化合物包含下述通式(7)所示的部分结构、和下述通式(8)所示的部分结构，
Figure FDA0002648380280000021
R19和R21各自独立地表示氢原子、卤素、碳原子数1～4的烷基或碳原子数1～4的氟烷基中的任一者；R20表示碳原子数1～8的亚烷基；R22表示碳原子数1～4的烷基；X表示选自通式(1)和通式(2)中的至少1个结构；a4和a5表示整数0或1，a4和a5中的至少一者为1；此外，由所述丙烯酸系化合物形成的聚合物中的通式(7)所示的部分结构所占的比例为5摩尔％以上且小于100摩尔％。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的杂质扩散组合物，(B)杂质扩散成分为硼化合物。
7.一种半导体元件的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上涂布权利要求1～6中任一项所述的杂质扩散组合物而形成杂质扩散组合物膜的工序；以及使杂质从所述杂质扩散组合物膜扩散而在半导体基板上形成杂质扩散层的工序。
8.一种半导体元件的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上涂布n型杂质扩散组合物而形成n型杂质扩散组合物膜的工序；在所述工序后，将作为p型杂质扩散组合物的权利要求6所述的杂质扩散组合物涂布于所述半导体基板而形成p型杂质扩散组合物膜的工序；以及通过将该半导体基板进行加热，从而在该半导体基板上同时形成n型杂质扩散层和p型杂质扩散层的工序。
9.一种半导体元件的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板的一面涂布作为p型杂质扩散组合物的权利要求6所述的杂质扩散组合物而形成p型杂质扩散组合物膜的工序；在所述半导体基板的另一面涂布n型杂质扩散组合物而形成n型杂质扩散组合物膜的工序；以及通过将该半导体基板进行加热，从而在该半导体基板上同时形成p型杂质扩散层和n型杂质扩散层的工序。
10.一种半导体元件的制造方法，是使用了多个半导体基板的半导体元件的制造方法，其包含下述工序(a)～(c)，且在工序(b)和(c)中，将二片一组的半导体基板以各自的形成了第一导电型的杂质扩散组合物膜的面成为彼此相对的方式配置，
工序(a)：在各半导体基板的一面涂布权利要求1～6中任一项所述的杂质扩散组合物而形成第一导电型的杂质扩散组合物膜的工序；
工序(b)：将形成了所述第一导电型的杂质扩散组合物膜的半导体基板进行加热，而使所述第一导电型的杂质向所述半导体基板扩散，从而形成第一导电型的杂质扩散层的工序；
工序(c)：在具有包含第二导电型的杂质的气体的气氛下将所述半导体基板进行加热，而使第二导电型的杂质扩散到所述半导体基板的另一面，从而形成第二导电型的杂质扩散层的工序。
11.一种太阳能电池的制造方法，其包含权利要求7～10中任一项所述的半导体元件的制造方法。
CN201980015220.2A 2018-03-16 2019-03-07 杂质扩散组合物、使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的制造方法及太阳能电池的制造方法 Pending CN111771258A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-048818 2018-03-16
JP2018048818 2018-03-16
PCT/JP2019/009064 WO2019176716A1 (ja) 2018-03-16 2019-03-07 不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111771258A true CN111771258A (zh) 2020-10-13

Family

ID=67907777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980015220.2A Pending CN111771258A (zh) 2018-03-16 2019-03-07 杂质扩散组合物、使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的制造方法及太阳能电池的制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7172994B2 (zh)
CN (1) CN111771258A (zh)
TW (1) TW201946116A (zh)
WO (1) WO2019176716A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021060182A1 (zh) * 2019-09-26 2021-04-01

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012088610A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Toray Ind Inc ネガ型感光性樹脂組成物およびそれを用いた硬化膜
WO2012090708A1 (ja) * 2010-12-28 2012-07-05 東亞合成株式会社 反応性ポリシロキサン溶液の製造方法
WO2012105163A1 (ja) * 2011-01-31 2012-08-09 東京応化工業株式会社 ケイ素含有膜形成組成物、不純物拡散層の形成方法および太陽電池
WO2015002132A1 (ja) * 2013-07-04 2015-01-08 東レ株式会社 不純物拡散組成物および半導体素子の製造方法
WO2017057238A1 (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 東レ株式会社 ｐ型不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法
JP2017103379A (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 東レ株式会社 不純物拡散組成物、およびそれを用いた半導体素子の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012088610A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Toray Ind Inc ネガ型感光性樹脂組成物およびそれを用いた硬化膜
WO2012090708A1 (ja) * 2010-12-28 2012-07-05 東亞合成株式会社 反応性ポリシロキサン溶液の製造方法
WO2012105163A1 (ja) * 2011-01-31 2012-08-09 東京応化工業株式会社 ケイ素含有膜形成組成物、不純物拡散層の形成方法および太陽電池
WO2015002132A1 (ja) * 2013-07-04 2015-01-08 東レ株式会社 不純物拡散組成物および半導体素子の製造方法
WO2017057238A1 (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 東レ株式会社 ｐ型不純物拡散組成物、それを用いた半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法
JP2017103379A (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 東レ株式会社 不純物拡散組成物、およびそれを用いた半導体素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019176716A1 (ja) 2019-09-19
JP7172994B2 (ja) 2022-11-16
JPWO2019176716A1 (ja) 2021-02-04
TW201946116A (zh) 2019-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3018699B1 (en) Impurity-diffusing composition and method for producing semiconductor element
US9346989B2 (en) Paintable diffusing agent composition
JP5681402B2 (ja) 拡散剤組成物および不純物拡散層の形成方法
CN107210201B (zh) p型杂质扩散组合物、使用其的半导体元件的制造方法以及太阳能电池及其制造方法
US9870924B2 (en) Diffusion agent composition, method of forming impurity diffusion layer, and solar cell
CN113169248A (zh) 半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法
CN114342101A (zh) 杂质扩散组合物、使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的制造方法及太阳能电池的制造方法
JP6099437B2 (ja) 拡散剤組成物、及び不純物拡散層の形成方法
JP6022243B2 (ja) 拡散剤組成物および不純物拡散層の形成方法
CN109153787B (zh) 聚硅氧烷、半导体用材料、半导体及太阳能电池制备方法
JP6310649B2 (ja) 不純物拡散成分の拡散方法、及び太陽電池の製造方法
CN111771258A (zh) 杂质扩散组合物、使用了该杂质扩散组合物的半导体元件的制造方法及太阳能电池的制造方法
CN108028188B (zh) p型杂质扩散组合物、使用其的半导体元件的制造方法及太阳能电池的制造方法
CN108391449B (zh) 半导体元件的制造方法和太阳能电池的制造方法
WO2018021117A1 (ja) 半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法
KR20160040587A (ko) 마스크 페이스트 조성물, 이것을 사용해서 얻어지는 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조 방법
JP2023061892A (ja) 太陽電池の製造方法
JP6108781B2 (ja) 不純物拡散成分の拡散方法、及び太陽電池の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination