CN111733443B - 铝电解电容器用电极箔制造方法及电极箔 - Google Patents

铝电解电容器用电极箔制造方法及电极箔 Download PDF

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Abstract

本发明属于铝电解电容器技术领域,具体公开了一种铝电解电容器用电极箔制造方法及制得的电极箔。本发明提供的铝电解电容器用电极箔制造方法,在发孔腐蚀处理步骤采用的加电电流曲线为衰减突变电流曲线,加电电流曲线前半部分为衰减电流,起始电流密度大,用于发孔和孔洞的生长;一定时间后施加电流密度从较大值突变降为较小的恒定电流,用于衰减电流引发的所有孔洞长度的生长。本发明提供的铝电解电容器用电极箔的制造方法,减少了电极箔小孔和短孔的产生,制备得到的腐蚀箔表面孔洞分布均匀,腐蚀隧道孔长度均匀,且截面方向孔长度均匀;同时减轻了铝箔的表面剥蚀,减少铝箔的无效溶解,铝箔的厚度减薄少,提升了电极箔的机械强度。

Description

铝电解电容器用电极箔制造方法及电极箔
技术领域
本发明涉及铝电解电容器技术领域,特别是涉及一种铝电解电容器用电极箔制造方法,并且还涉及制得的电极箔。
背景技术
铝电解电容器凭借其静电容量大、具有自愈特性、价格低廉、突出的耐纹波电流能力以及持久的可靠性等显著优点被广泛应用于电子设备中。近年来,电子设备的小型化要求铝电解电容器的尺寸也越来越小,相应地要求所使用的电极箔具备更高的静电容量,铝箔的表面积扩大更为高效。
目前国内腐蚀箔厂家普遍采用的中高压腐蚀工艺包括前处理、一级或多级发孔腐蚀、一级或多级扩孔腐蚀、后处理等步骤。国内专利公开的腐蚀箔性能提升方法主要侧重于生产设备的优化、在槽液中加入添加剂、发孔腐蚀前电子光箔的表面处理条件改进、增加中处理或热处理后处理步骤等,较少有对发孔腐蚀采用的发孔电流进行研究改进的。但是,发孔腐蚀步骤采用的发孔电流对腐蚀隧道孔的密度、孔洞分布的均匀性、孔长度和孔长均匀性都有着决定性的作用。
国内目前采用恒定电流腐蚀发孔最为常见,如图1所示的腐蚀工艺采用的恒流加电曲线,在发孔腐蚀过程中,由于施加的电流值较大,在加电的整个期间,铝箔一直处于孔洞引发和孔洞生长的过程,得到的腐蚀箔隧道孔长度均匀性差。并且,由于采用恒定电流发孔腐蚀时铝箔一直处于发孔状态,后续萌生的无效短孔增多,铝箔表面形成大量并孔,导致铝箔减薄,使得电极箔的机械强度下降。
公告号为JP5170163B2的日本专利文件中公开了一种衰减电流曲线,衰减电流波形图见图2所示,可以制备孔径合适、用于500V以上化成电压的具有高比容和高机械强度的腐蚀箔。采用这种衰减电流曲线在加电后期能够一定程度地减少新的孔洞产生,但电流衰减后期到末端恒定电流过程中仍然存在一定程度的新孔洞引发。这部分在加电后期引发的隧道孔最后会形成孔径小、孔长度短的隧道孔,经过化成步骤,存在被堵塞的可能性,对腐蚀箔的比容没有贡献。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种铝电解电容器用电极箔的制造方法。
本发明提供了一种铝电解电容器用电极箔制造方法,该制造方法包括对铝箔进行发孔腐蚀处理步骤,所述发孔腐蚀处理步骤采用电流衰减突变的加电方式,对铝箔进行一次、两次或多次发孔腐蚀处理;发孔腐蚀时加电先从起始的大电流密度I0开始,之后加电电流密度先衰减至I1,然后突变至小电流密度I2,保持所述小电流密度I2至加电结束,其中I0>I1>I2
优选地,采用的加电电流曲线为衰减突变电流曲线,波形图见图3所示。
作为一种优选的实施方案,所述发孔腐蚀时电流衰减突变的加电方式具体为:起始加电的电流密度值为1.5~2A/cm2,以加电的总时间为100%计,在前40~70%的加电时间内电流密度衰减至起始电流密度值的55~75%,衰减结束时突降至所述起始电流密度值的1~10%,然后保持恒定至加电结束;优选地,所述加电的总时间为10~50秒。
作为一种进一步优选的实施方案,所述发孔腐蚀时电流衰减突变的加电方式具体为:起始加电的电流密度值为1.5~2A/cm2,在8~15秒内衰减至电流密度为1~1.5A/cm2,衰减结束时电流密度突降至0.06~0.15A/cm2,保持恒定电流密度加电10~20秒,加电结束。
作为一种优选的实施方案,所述发孔腐蚀处理是将铝箔置于含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行,优选地,所述含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中盐酸、硫酸和铝离子的质量百分比含量分别为2~5%、20~60%、0.5~2%;更优选地,所述含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液的温度为60~80℃。
作为一种优选的实施方案,所述铝箔在发孔腐蚀处理前经过碱性溶液前处理,优选地,所述前处理包括:将铝箔置于30~60℃、碱性溶液中浸泡30~120秒,之后用纯水水洗;更优选地,所述碱性溶液为氢氧化钠水溶液,更优选为质量百分比浓度为0.1~5%的氢氧化钠水溶液。
作为一种优选的实施方案,所述制造方法还包括在所述发孔腐蚀处理步骤之后进行的扩孔腐蚀处理步骤,优选地,所述扩孔腐蚀处理步骤在硝酸水溶液中、采用恒定电流密度加电进行;更优选地,所述硝酸水溶液的质量百分比浓度为3~9%,温度为60~80℃;和/或,加电采用的恒定电流密度为0.08~0.24A/cm2,加电时间为360~720秒。
作为一种优选的实施方案,所述扩孔腐蚀处理步骤之后还包括对铝箔进行后处理;优选地,所述后处理包括:在硝酸水溶液中浸泡,之后水洗;更优选地,所述硝酸水溶液的温度为40~80℃,质量百分比浓度为3~9%,浸泡时间为30~240秒;
和/或,后处理得到的铝箔再经干燥处理,得到电极箔;优选地,所述干燥处理在60~200℃的烘箱中进行。
作为一种优选的实施方案,所述铝箔为电子铝光箔,优选为软态高压用电子光箔;优选地,所述铝箔的厚度为120~130μm。
本发明还提供了一种由所述的铝电解电容器用电极箔制造方法制得的电极箔。
本发明进一步提供了一种含有所述电极箔的铝电解电容器。
本发明提供的铝电解电容器用电极箔的制造方法,发孔腐蚀处理时采用图3所示的衰减突变电流曲线,加电电流曲线前半部分为衰减电流,例如加电电流的起始电流密度I0为1.5~2A/cm2,之后衰减至1~1.5A/cm2,在该衰减电流作用下,能够引发足够数量的蚀孔,使得蚀孔分布均匀,同时提供孔洞生长的能量;一定时间后施加电流密度从较大值突变降为较小的恒定电流I2,较小的恒定电流密度I2值小于0.15A/cm2,优选突变后电流密度I2恒定为0.06~0.15A/cm2,并保持该值一段时间,用于衰减电流引发的所有孔洞的生长,包括横向孔径和纵向孔长度的生长,由于此阶段电流密度低,不会引发新的孔洞,只对前期引发的隧道孔进行深度和横向孔径生长,这样可以有效解决后期无效隧道孔引发的问题,减少小孔和短孔的产生,改善了孔长均匀性,有效增加了制得的腐蚀箔的比容。
本发明提供的铝电解电容器用电极箔的制造方法,减少了电极箔小孔和短孔的产生,制备得到的腐蚀箔表面孔洞分布均匀,且截面方向孔长度均匀;同时减轻了铝箔的表面剥蚀,减少铝箔的无效溶解,铝箔的厚度减薄少,提升了电极箔的机械强度。采用本发明提供的铝电解电容器用电极箔的制造方法,可以有效提高电流的发孔效率,制备的腐蚀箔比容高,机械强度好,静电容量高。
附图说明
图1是国内目前采用的恒定电流腐蚀发孔常见的恒流加电曲线;
图2是日本专利公开的一种衰减电流曲线波形图;
图3是本发明提供的一种衰减突变加电电流曲线;
图4是本发明实施例1制备的腐蚀箔的截面SEM图;
图5是对比例1制备的腐蚀箔的截面SEM图;
图6是对比例2制备的腐蚀箔的截面SEM图。
具体实施方式
下面对本发明的技术方案进行详细说明。
本发明提供了一种优选的铝电解电容器用电极箔的制造方法,包括以下步骤:
(1)前处理步骤:将电子铝光箔置于30~60℃、质量百分比浓度为0.1~5%的氢氧化钠水溶液中浸泡30~120秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到发孔腐蚀处理用铝箔;
(2)发孔腐蚀处理步骤:发孔腐蚀处理步骤采用的加电电流曲线为衰减突变电流曲线,波形图见图3所示,发孔腐蚀处理为:将铝箔置于温度为60~80℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,采用的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中盐酸、硫酸和铝离子的质量百分比含量分别为2~5%、20~60%、0.5~2%,发孔腐蚀处理时加电电流的起始电流密度为1.5~2A/cm2,衰减结束时电流密度为1~1.5A/cm2,突变后电流密度恒定为0.06~0.15A/cm2,加电处理总时间为10~50秒,其中衰减时间为8~15秒,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;在发孔腐蚀处理步骤可以重复进行多次发孔腐蚀处理,优选重复进行3次发孔腐蚀处理;
(3)扩孔腐蚀处理步骤:发孔腐蚀处理步骤之后进行扩孔腐蚀处理步骤,扩孔腐蚀处理步骤包括:将经过发孔腐蚀处理步骤处理后的铝箔置于60~80℃、质量百分比浓度为3~9%的硝酸水溶液中进行恒电流扩孔腐蚀,采用的电流密度恒定为0.08~0.24A/cm2,加电时间为360~720秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
(4)后处理步骤:将扩孔腐蚀处理步骤处理得到的铝箔置于40~80℃、质量百分比浓度为3~9%的硝酸水溶液中浸泡30~240秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
(5)干燥处理步骤:将后处理后的铝箔放在60~200℃的烘箱中干燥处理1~15分钟,得到电极箔。
下面通过具体实施例对本发明的技术方案进行说明。
以下制备例均采用东阳光生产的125μm厚度的软态高压用电子铝光箔为实验用铝箔。
实施例1
本实施例提供的铝电解电容器用电极箔的制造方法,包括以下步骤:
(1)前处理步骤:将电子铝光箔置于40℃、质量百分比浓度为2%的氢氧化钠水溶液中浸泡80秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到发孔腐蚀处理用铝箔;
(2)发孔腐蚀处理步骤:将前处理之后的铝箔置于温度为75℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,采用的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中盐酸、硫酸和铝离子的质量百分比含量分别为3.5%、28%、1%,发孔腐蚀处理采用的加电电流曲线为衰减突变电流曲线,波形图见图3所示,发孔腐蚀处理时加电电流的起始电流密度I0为1.9A/cm2,衰减结束时电流密度I1为1.2A/cm2,突变后电流密度I2恒定为0.11A/cm2,加电处理总时间t1为25秒,其中衰减时间t2为10秒,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
重复上述步骤2次,即将上述得到的经第一次发孔腐蚀处理后的铝箔再置于温度为75℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到第二次发孔腐蚀处理的铝箔;然后再将第二次发孔腐蚀处理后的铝箔再置于温度为75℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到第三次发孔腐蚀处理的铝箔;
(3)扩孔腐蚀处理步骤:发孔腐蚀处理步骤之后进行扩孔腐蚀处理步骤,扩孔腐蚀处理步骤包括:将经过发孔腐蚀处理步骤处理后的铝箔置于70℃、质量百分比浓度为8%的硝酸水溶液中进行恒电流扩孔腐蚀,采用的电流密度恒定为0.15A/cm2,加电时间为500秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
(4)后处理步骤:将扩孔腐蚀处理步骤处理得到的铝箔置于70℃、质量百分比浓度为5%的硝酸水溶液中浸泡120秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
(5)干燥处理步骤:将后处理后的铝箔放在100℃的烘箱中干燥处理5分钟,得到电极箔。
实施例2
本实施例提供的铝电解电容器用电极箔的制造方法,包括以下步骤:
(1)前处理步骤:将电子铝光箔置于50℃、质量百分比浓度为1%的氢氧化钠水溶液中浸泡70秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到发孔腐蚀处理用铝箔;
(2)发孔腐蚀处理步骤:将前处理之后的铝箔置于温度为70℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,采用的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中盐酸、硫酸和铝离子的质量百分比含量分别为4%、35%、0.8%,发孔腐蚀处理采用的加电电流曲线为衰减突变电流曲线,波形图见图3所示,发孔腐蚀处理时加电电流的起始电流密度I0为2A/cm2,衰减结束时电流密度I1为1.4A/cm2,突变后电流密度I2恒定为0.1A/cm2,加电处理总时间t1为25秒,其中衰减时间t2为10秒,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
重复上述步骤2次,即将上述得到的经第一次发孔腐蚀处理后的铝箔再置于温度为70℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到第二次发孔腐蚀处理的铝箔;然后再将第二次发孔腐蚀处理后的铝箔再置于温度为70℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到第三次发孔腐蚀处理的铝箔;
(3)扩孔腐蚀处理步骤:发孔腐蚀处理步骤之后进行扩孔腐蚀处理步骤,扩孔腐蚀处理步骤包括:将经过发孔腐蚀处理步骤处理后的铝箔置于72℃、质量百分比浓度为7%的硝酸水溶液中进行恒电流扩孔腐蚀,采用的电流密度恒定为0.14A/cm2,加电时间为540秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
(4)后处理步骤:将扩孔腐蚀处理步骤处理得到的铝箔置于65℃、质量百分比浓度为6%的硝酸水溶液中浸泡180秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
(5)干燥处理步骤:将后处理后的铝箔放在150℃的烘箱中干燥处理2分钟,得到电极箔。
实施例3
本实施例提供的铝电解电容器用电极箔的制造方法,包括以下步骤:
(1)前处理步骤:将电子铝光箔置于60℃、质量百分比浓度为0.6%的氢氧化钠水溶液中浸泡90秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到发孔腐蚀处理用铝箔;
(2)发孔腐蚀处理步骤:将前处理之后的铝箔置于温度为68℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,采用的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中盐酸、硫酸和铝离子的质量百分比含量分别为5%、40%、1%,发孔腐蚀处理采用的加电电流曲线为衰减突变电流曲线,波形图见图3所示,发孔腐蚀处理时加电电流的起始电流密度I0为1.7A/cm2,衰减结束时电流密度I1为1.2A/cm2,突变后电流密度I2恒定为0.08A/cm2,加电处理总时间t1为30秒,其中衰减时间t2为14秒,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
重复上述步骤2次,即将上述得到的经第一次发孔腐蚀处理后的铝箔再置于温度为68℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到第二次发孔腐蚀处理的铝箔;然后再将第二次发孔腐蚀处理后的铝箔再置于温度为68℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到第三次发孔腐蚀处理的铝箔;
(3)扩孔腐蚀处理步骤:发孔腐蚀处理步骤之后进行扩孔腐蚀处理步骤,扩孔腐蚀处理步骤包括:将经过发孔腐蚀处理步骤处理后的铝箔置于75℃、质量百分比浓度为5%的硝酸水溶液中进行恒电流扩孔腐蚀,采用的电流密度恒定为0.15A/cm2,加电时间为500秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
(4)后处理步骤:将扩孔腐蚀处理步骤处理得到的铝箔置于60℃、质量百分比浓度为8%的硝酸水溶液中浸泡120秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
(5)干燥处理步骤:将后处理后的铝箔放在80℃的烘箱中干燥处理10分钟,得到电极箔。
实施例4
本实施例提供的铝电解电容器用电极箔的制造方法,包括以下步骤:
(1)前处理步骤:将电子铝光箔置于50℃、质量百分比浓度为1%的氢氧化钠水溶液中浸泡60秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到发孔腐蚀处理用铝箔;
(2)发孔腐蚀处理步骤:将前处理之后的铝箔置于温度为78℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,采用的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中盐酸、硫酸和铝离子的质量百分比含量分别为5%、25%、1.2%,发孔腐蚀处理采用的加电电流曲线为衰减突变电流曲线,波形图见图3所示,发孔腐蚀处理时加电电流的起始电流密度I0为1.8A/cm2,衰减结束时电流密度I1为1.1A/cm2,突变后电流密度I2恒定为0.08A/cm2,加电处理总时间t1为30秒,其中衰减时间t2为14秒,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
重复上述步骤2次,即将上述得到的经第一次发孔腐蚀处理后的铝箔再置于温度为78℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到第二次发孔腐蚀处理的铝箔;然后再将第二次发孔腐蚀处理后的铝箔再置于温度为78℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,得到第三次发孔腐蚀处理的铝箔;
(3)扩孔腐蚀处理步骤:发孔腐蚀处理步骤之后进行扩孔腐蚀处理步骤,扩孔腐蚀处理步骤包括:将经过发孔腐蚀处理步骤处理后的铝箔置于68℃、质量百分比浓度为9%的硝酸水溶液中进行恒电流扩孔腐蚀,采用的电流密度恒定为0.19A/cm2,加电时间为400秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
(4)后处理步骤:将扩孔腐蚀处理步骤处理得到的铝箔置于80℃、质量百分比浓度为4%的硝酸水溶液中浸泡150秒,之后用纯水对铝箔进行常温水洗处理;
(5)干燥处理步骤:将后处理后的铝箔放在80℃的烘箱中干燥处理15分钟,得到电极箔。
对比例1
本对比例与实施例1的区别仅在于步骤(2),即发孔腐蚀处理步骤,其它步骤如前处理步骤、扩孔腐蚀处理步骤、后处理步骤和干燥处理步骤与实施例1的处理完全相同。
本对比例的发孔采用传统加电方式,只进行一次加电发孔,施加的总电量等于实施例1三次加电的电量。本对比例的发孔腐蚀处理步骤为:
将前处理之后的铝箔置于温度为75℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,采用的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中盐酸、硫酸和铝离子的质量百分比含量分别为3.5%、28%、1%,发孔腐蚀处理采用的加电电流曲线为图1所示的恒流加电曲线,发孔总电量与实施例1相同,采用恒定电流加电一次,电流大小为0.6A/cm2,加电时间为70秒,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,制得腐蚀箔,即电极箔。
对比例2
本对比例与实施例1的区别仅在于步骤(2),即发孔腐蚀处理步骤,其它步骤如前处理步骤、扩孔腐蚀处理步骤、后处理步骤和干燥处理步骤与实施例1的处理完全相同。
本对比例也是采用三次加电发孔,加电发孔施加的总电量等于实施例1三次加电的电量。本对比例的发孔腐蚀处理步骤为:
将前处理之后的铝箔置于温度为75℃的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行加电发孔腐蚀,采用的含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中盐酸、硫酸和铝离子的质量百分比含量分别为3.5%、28%、1%,发孔腐蚀处理采用的加电电流曲线为图2所示的衰减电流波形,发孔电流曲线起始电流Ia值为1.5A/cm2,逐渐衰减至恒定电流Ib值0.11A/cm2,衰减时间ta为15秒,之后保持恒定电流Ib 0.11A/cm2,保持时间(tb-ta)为10秒,加电完毕后用纯水对铝箔进行常温水洗处理,第一次加电发孔完成;之后重复上述步骤两次进行第二次加电发孔处理和第三次加电发孔处理,制得腐蚀箔,即电极箔。
性能测试例
分别取实施例1-4以及对比例1-2制得的电极箔进行化成处理,化成条件均为:采用8wt%硼酸,在90℃、电流5A/dm2、Vfe=520V条件下化成;化成后的电极箔的检测结果如表1所示。
表1
Figure BDA0002504147340000111
通过上表中的性能数据对比可以看出,采用本发明提供的衰减突变电流加电波形进行发孔腐蚀,同时通过腐蚀工艺参数之间的相互匹配,腐蚀得到的铝箔厚度减薄得到明显改善,制备的电极箔520Vf静电容量得到有效提升,并且机械强度好。
图4-图6分别提供了本发明实施例1制备的腐蚀箔、对比例1制备的腐蚀箔、对比例2制备的腐蚀箔的截面SEM图。对比各截面SEM图可以看出,本发明制备的腐蚀箔的腐蚀孔长度均匀性得到较大改善,有利于腐蚀箔比容和机械强度的提升。
虽然,上文中已经用一般性说明、具体实施方式及试验,对本发明作了详尽的描述,但在本发明基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本发明要求保护的范围。

Claims (23)

1.一种铝电解电容器用电极箔制造方法,其特征在于,包括对铝箔进行发孔腐蚀处理步骤,所述发孔腐蚀处理步骤采用电流衰减突变的加电方式,对铝箔进行一次、两次或多次发孔腐蚀处理;发孔腐蚀时加电先从起始的大电流密度I0开始,之后加电电流密度先衰减至I1,然后突变至小电流密度I2,保持所述小电流密度I2至加电结束,其中I0>I1>I2
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述发孔腐蚀时电流衰减突变的加电方式具体为:起始加电的电流密度值为1.5~2A/cm2,以加电的总时间为100%计,在前40~70%的加电时间内电流密度衰减至起始电流密度值的55~75%,衰减结束时突降至所述起始电流密度值的1~10%,然后保持恒定至加电结束。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述加电的总时间为10~50秒。
4.根据权利要求2或3所述的制造方法,其特征在于,所述发孔腐蚀时电流衰减突变的加电方式具体为:起始加电的电流密度值为1.5~2A/cm2,在8~15秒内衰减至电流密度为1~1.5A/cm2,衰减结束时电流密度突降至0.06~0.15A/cm2,保持恒定电流密度加电10~20秒,加电结束。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述发孔腐蚀处理是将铝箔置于含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中进行。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液中盐酸、硫酸和铝离子的质量百分比含量分别为2~5%、20~60%、0.5~2%。
7.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述含有盐酸、硫酸和铝离子的水溶液的温度为60~80℃。
8.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述铝箔在发孔腐蚀处理前经过碱性溶液前处理。
9.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述前处理包括:将铝箔置于30~60℃、碱性溶液中浸泡30~120秒,之后用纯水水洗。
10.根据权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述碱性溶液为氢氧化钠水溶液。
11.根据权利要求10所述的制造方法,其特征在于,所述碱性溶液为质量百分比浓度为0.1~5%的氢氧化钠水溶液。
12.根据权利要求5~11任一项所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括在所述发孔腐蚀处理步骤之后进行的扩孔腐蚀处理步骤。
13.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,所述扩孔腐蚀处理步骤在硝酸水溶液中、采用恒定电流密度加电进行。
14.根据权利要求13所述的制造方法,其特征在于,所述硝酸水溶液的质量百分比浓度为3~9%,温度为60~80℃;和/或,加电采用的恒定电流密度为0.08~0.24A/cm2,加电时间为360~720秒。
15.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,所述扩孔腐蚀处理步骤之后还包括对铝箔进行后处理。
16.根据权利要求15所述的制造方法,其特征在于,所述后处理包括:在硝酸水溶液中浸泡,之后水洗。
17.根据权利要求16所述的制造方法,其特征在于,所述硝酸水溶液的温度为40~80℃,质量百分比浓度为3~9%,浸泡时间为30~240秒;
和/或,后处理得到的铝箔经干燥处理,得到电极箔。
18.根据权利要求17所述的制造方法,其特征在于,所述干燥处理在60~200℃的烘箱中进行。
19.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述铝箔为电子铝光箔。
20.根据权利要求19所述的制造方法,其特征在于,所述铝箔为软态高压用电子光箔。
21.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述铝箔的厚度为120~130μm。
22.权利要求1~21任一项所述的铝电解电容器用电极箔制造方法制得的电极箔。
23.含有权利要求22所述电极箔的铝电解电容器。
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