CN111725416A - 显示设备及其制造方法 - Google Patents

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全容济
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李旺宇
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Abstract

本发明公开了一种显示设备及其制造方法。显示设备可以包括：基板；与基板重叠并且包括开口的有机发光层；以及位于基板和有机发光层之间的带孔绝缘层。带孔绝缘层可以包括第一通孔、第一凹槽和第一底切。开口的位置可以与第一凹槽的位置重叠。在显示设备的平面视图中，第一凹槽可以围绕第一通孔。在显示设备的平面视图中，第一底切可以围绕第一凹槽。

Description

显示设备及其制造方法
技术领域
技术领域涉及显示设备及用于制造该显示设备的方法。
背景技术
显示设备(诸如液晶显示设备或有机发光二极管显示设备)可以包括各种电气/电子元件和/或光学元件。电气/电子元件和/或光学元件可以控制光传输和/或光发射，以使显示设备可以显示图像。
如果污染物(例如湿气和/或氧气)被引入到显示设备中，则电气/电子元件和/或光学元件中的一些的耐久性和/或性能可能会劣化。例如，在有机发光二极管显示设备中，有机发光层的发光效率可能降低。结果，显示设备的图像显示质量可能是不期望的。
发明内容
一些示例实施例可以涉及一种能够防止诸如湿气和/或氧气的潜在污染物流入的显示设备。
一些示例实施例可以涉及制造显示设备的方法。
根据示例实施例，显示设备可以包括：包括显示区域和位于显示区域内的非显示区域的基板、设置在基板上的多个绝缘层、设置在绝缘层上的有机发光层以及设置在非显示区域中并且包括通过去除绝缘层中的至少一个而形成的凹槽和形成在凹槽的侧壁中的底切的底切凹槽。
在示例实施例中，显示设备可以进一步包括：形成在基板上的缓冲层、形成在缓冲层上的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上以覆盖形成在第一绝缘层上的栅电极的第二绝缘层、形成在第二绝缘层上以覆盖形成在第二绝缘层上的电容器电极的第三绝缘层、以及形成在第三绝缘层上以覆盖形成在第三绝缘层上的源电极和漏电极的第四绝缘层。
在示例实施例中，底切凹槽可以包括：通过去除缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层而形成的凹槽，形成在凹槽的第一侧壁中的第一底切，以及形成在凹槽的面对第一侧壁的第二侧壁中的第二底切。
在示例实施例中，第一底切可以形成在第一侧壁中第一绝缘层和第二绝缘层之间。另外，第二底切可以形成在第二侧壁中第一绝缘层和第二绝缘层之间。
在示例实施例中，第一底切可以形成在凹槽的第一侧壁中第二绝缘层和第三绝缘层之间。另外，第二底切可以形成在凹槽的第二侧壁中第二绝缘层和第三绝缘层之间。
在示例实施例中，底切凹槽可以包括：通过去除第二绝缘层和第三绝缘层形成的凹槽，形成在凹槽的底表面和第一侧壁之间的第一底切，以及形成在凹槽的底表面和面对第一侧壁的第二侧壁之间的第二底切。
在示例实施例中，第一底切可以形成在底表面上的第一绝缘层和第一侧壁上的第二绝缘层之间。另外，第二底切可以形成在底表面上的第一绝缘层和第二侧壁上的第二绝缘层之间。
在示例实施例中，底切凹槽可以进一步包括：形成在第一侧壁中第二绝缘层和第三绝缘层之间的第三底切以及形成在第二侧壁中第二绝缘层和第三绝缘层之间的第四底切。
在示例实施例中，底切凹槽可以包括：通过去除第三绝缘层形成的凹槽，形成在与凹槽的第一侧壁邻近的第二绝缘层下方的第一底切，以及形成在与凹槽的面对第一侧壁的第二侧壁邻近的第二绝缘层下方的第二底切。
在示例实施例中，底切凹槽可以包括：通过去除缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层形成的凹槽，形成在凹槽的第一侧壁中第三绝缘层和第四绝缘层之间的第一底切，以及形成在凹槽的面对第一侧壁的第二侧壁中第三绝缘层和第四绝缘层之间的第二底切。
在示例实施例中，显示设备可以进一步包括形成在第三绝缘层和第四绝缘层之间的第五绝缘层。另外，底切凹槽可以包括：通过去除缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层形成的凹槽，形成在凹槽的第一侧壁中第一绝缘层和第四绝缘层之间的第一底切，以及形成在凹槽的面对第一侧壁的第二侧壁中第一绝缘层和第四绝缘层之间的第二底切。
根据示例实施例，一种制造显示设备的方法可以包括：在包括显示区域和位于显示区域内的非显示区域的基板上形成多个绝缘层，形成包括通过去除形成在非显示区域中的绝缘层中的至少一个形成的凹槽和形成在凹槽的侧壁中的底切的底切凹槽，以及在其中形成有底切凹槽的基板上形成有机发光层。
在示例实施例中，形成绝缘层可以包括：在基板上形成缓冲层，在缓冲层上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第二绝缘层以覆盖由第一绝缘层上的第一导电层形成的栅电极，在第二绝缘层上形成第三绝缘层以覆盖由第二绝缘层上的第二导电层形成的电容器电极，以及在第三绝缘层上形成第四绝缘层以覆盖由第三绝缘层上的第三导电层形成的源电极和漏电极。
在示例实施例中，形成底切凹槽可以包括：通过使用第一导电层在非显示区域中形成第一底切电极和与第一底切电极间隔开的第二底切电极，通过去除缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层以暴露第一底切电极和第二底切电极来形成凹槽，以及去除第一底切电极和第二底切电极以在凹槽的第一侧壁中形成其中第一底切电极被去除的第一底切并且在凹槽的第二侧壁中形成其中第二底切电极被去除的第二底切。
在示例实施例中，形成底切凹槽可以包括：通过使用第二导电层在非显示区域中形成第一底切电极和与第一底切电极间隔开的第二底切电极，通过去除缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层以暴露第一底切电极和第二底切电极来形成凹槽，以及去除第一底切电极和第二底切电极以在凹槽的第一侧壁中形成其中第一底切电极被去除的第一底切并且在凹槽的第二侧壁中形成其中第二底切电极被去除的第二底切。
在示例实施例中，形成底切凹槽可以包括：通过使用第一导电层在非显示区域中形成底切电极，通过去除第二绝缘层和第三绝缘层以暴露底切电极的顶表面的一部分来形成凹槽，以及去除底切电极以在凹槽的第一侧壁中形成其中底切电极的第一端部被去除的第一底切并且在凹槽的第二侧壁中形成其中底切电极的第二端部被去除的第二底切。
在示例实施例中，该方法可以进一步包括去除被凹槽暴露的缓冲层和第一绝缘层。
在示例实施例中，形成底切凹槽可以包括：通过使用第一导电层在非显示区域中形成第一底切电极，通过使用第二导电层形成与第一底切电极的第一端部重叠的第二底切电极以及与第一底切电极的第二端部重叠的第三底切电极，通过去除第二绝缘层和第三绝缘层以暴露第一底切电极、第二底切电极和第三底切电极来形成凹槽；以及去除第一底切电极、第二底切电极和第三底切电极以在凹槽的底表面和第一侧壁之间形成其中第一底切电极的第一端部被去除的第一底切，以在凹槽的底表面和第二侧壁之间形成其中第一底切电极的第二端部被去除的第二底切，以在第一侧壁中形成其中第二底切电极被去除的第三底切，并且以在第二侧壁中形成其中第三底切电极被去除的第四底切。
在示例实施例中，形成底切凹槽可以包括：通过使用第一导电层在非显示区域中形成第一底切电极以及与第一底切电极间隔开的第二底切电极，通过使用第二导电层形成包括与第一底切电极重叠的第一端部和与第二底切电极重叠的第二端部的第三底切电极，通过去除第二绝缘层和第三绝缘层以暴露第一底切电极、第二底切电极和第三底切电极来形成凹槽，以及去除第一底切电极、第二底切电极和第三底切电极以在与凹槽的第一侧壁邻近的第二绝缘层下方形成其中第一底切电极被去除的第一底切，并且以在与凹槽的第二侧壁邻近的第二绝缘层下方形成其中第二底切电极被去除的第二底切。
在示例实施例中，形成底切凹槽可以包括：通过去除缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层在非显示区域中形成凹槽图案，通过使用第三导电层形成包括形成在凹槽图案的底表面上的底部、形成在凹槽图案的第一侧壁上的第一侧部、形成在凹槽图案的第二侧壁上的第二侧部、形成在第三绝缘层的连接至第一侧壁的顶部上的第一端部以及形成在第三绝缘层的连接至第二侧壁的顶部上的第二端部的底切电极，通过去除第四绝缘层以暴露底切电极的第一侧部、第二侧部和底部来形成凹槽，以及去除底切电极以在凹槽的第一侧壁中形成其中底切电极的第一端部被去除的第一底切并且以在凹槽的第二侧壁中形成其中底切电极的第二端部被去除的第二底切。
在示例实施例中，形成底切凹槽可以包括：通过使用第一导电层在非显示区域中形成第一底切电极和与第一底切电极间隔开的第二底切电极，通过去除缓冲层、第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层以暴露第一底切电极和第二底切电极来形成凹槽图案，通过使用第四导电层形成包括与第一底切电极接触的第一端部、与凹槽图案的第一侧壁接触的第一侧部、与基板接触的底部、与凹槽图案的第二侧壁接触的第二侧部以及与第二底切电极接触的第二端部的第三底切电极；通过去除形成在第三底切电极上的绝缘层中的至少一个而形成被配置为暴露第三底切电极的底部、第一侧部和第二侧部的凹槽；以及去除第三底切电极以及与第三底切电极接触的第一底切电极和第二底切电极，以在凹槽的第一侧壁中形成其中第一底切电极和第三底切电极的第一端部被去除的第一底切，并且以在凹槽的第二侧壁中形成其中第二底切电极和第三底切电极的第二端部被去除的第二底切。
实施例可以涉及显示设备。显示设备可以包括：基板；与基板重叠并且包括开口的有机发光层；以及位于基板和有机发光层之间的带孔绝缘层。带孔绝缘层可以包括第一通孔、第一凹槽和第一底切。在显示设备的平面视图中，第一凹槽可以围绕第一通孔。开口的位置可以与第一凹槽的位置重叠。在显示设备的平面视图中，第一底切可以围绕第一凹槽。例如，带孔绝缘层可以由图3中的层160、图8中的层180、图12中的层160、图17中的层160、图21中的层160、图25中的层210和/或图29中的层160示出。
显示设备可以包括以下元件：形成在基板上的缓冲层、位于缓冲层和带孔绝缘层之间的中间绝缘层以及位于中间绝缘层和带孔绝缘层之间的栅电极。这些特征可以在例如图3和/或图8中示出。
带孔绝缘层可以包括第二底切，其中在显示设备的平面视图中，第二底切可以围绕第一通孔，并且其中在显示设备的平面视图中，第一凹槽可以围绕第二底切。这些特征可以在例如图1、图2、图3、图8、图12、图17、图21、图25和/或图29中示出。
显示设备可以包括以下元件：包括栅电极的晶体管；位于基板和带孔绝缘层之间的中间绝缘层，其中栅电极可以位于中间绝缘层和带孔绝缘层之间，并且其中第一底切的壁与中间绝缘层直接接触。这些特征可以在例如图3中示出。
显示设备可以包括以下元件：包括源电极的晶体管；位于基板和带孔绝缘层之间的中间绝缘层，其中源电极可以位于带孔绝缘层和有机发光层之间，并且其中第一底切的壁与中间绝缘层直接接触。这些特征可以在例如图8中示出。
显示设备可以包括以下元件：与带孔绝缘层重叠、位于带孔绝缘层和有机发光层之间、并且包括第二凹槽的重叠绝缘层，其中第二凹槽可以直接连接至第一凹槽。这些特征可以在例如图12中示出。
显示设备可以包括以下元件：包括源电极的晶体管，其中源电极可以位于重叠绝缘层和有机发光层之间。这些特征可以在例如图12中示出。
显示设备可以包括以下元件：与带孔绝缘层重叠并且位于带孔绝缘层和有机发光层之间的重叠绝缘层，其中带孔绝缘层可以包括第二底切。在显示设备的平面视图中，第二底切可以围绕第一通孔。在显示设备的平面视图中，第一凹槽可以围绕第二底切。重叠绝缘层可以包括第二凹槽、第三底切和第四底切。第二凹槽的位置可以与第一凹槽的位置重叠。第四底切可以比第二凹槽更靠近第一通孔。第二凹槽可以比第三底切更靠近第一通孔。这些特征可以在例如图1、图2和图17中示出。
显示设备可以包括以下元件：包括源电极的晶体管，其中源电极可以位于重叠绝缘层和有机发光层之间。这些特征可以在例如图17中示出。
显示设备可以包括以下元件：包括源电极的晶体管；以及包括第一电容器电极的存储电容器，其中带孔绝缘层可以位于源电极和第一电容器电极中的至少一个与有机发光层之间。这些特征可以在例如图25中示出。
显示设备可以包括以下元件：位于带孔绝缘层和有机发光层之间、与带孔绝缘层重叠、部分地位于第一凹槽内部并且包括附加底切的重叠绝缘层，其中附加底切可以至少部分地位于第一凹槽内部。这些特征可以在例如图29中示出。
实施例可以涉及一种用于制造显示设备的方法。该方法可以包括以下步骤：形成带孔绝缘层，其中带孔绝缘层可以与基板重叠并且包括第一通孔、第一凹槽和第一底切，其中在显示设备的平面视图中，第一凹槽可以围绕第一通孔，并且其中在显示设备的平面视图中，第一底切可以围绕第一凹槽；并且形成包括开口的有机发光层。带孔绝缘层可以位于基板和有机发光层之间。开口的位置可以与第一凹槽的位置重叠。例如，带孔绝缘层可以由图3中的层160、图8中的层180、图12中的层160、图17中的层160、图21中的层160、图25中的层210和/或图29中的层160表示。
该方法可以包括以下步骤：形成存储电容器，其中存储电容器可以包括第一电容器电极和第二电容器电极，并且其中第一电容器电极可以位于基板和第二电容器电极之间；形成晶体管，其中晶体管可以包括栅电极；形成第一导电构件，其中第一导电构件的材料可以与第一电容器电极的材料和栅电极的材料中的至少一个相同；使用第一导电构件形成(和塑造)第一底切；以及去除第一导电构件。这些特征可以在例如图3至图7中示出。
该方法可以包括以下步骤：形成缓冲层，其中缓冲层可以位于基板和带孔绝缘层之间，并且可以包括缓冲层凹槽，其中缓冲层凹槽的位置可以与第一凹槽的位置重叠；在缓冲层凹槽内部形成有机构件，其中有机构件的材料可以与有机发光层的材料相同。这些特征可以在例如图3和/或图8中示出。
该方法可以包括以下步骤：形成存储电容器，其中存储电容器可以包括第一电容器电极和第二电容器电极，并且其中第一电容器电极可以位于基板和第二电容器电极之间；形成第一导电构件，其中第一导电构件的材料可以与第二电容器电极的材料相同；使用第一导电构件形成第一底切；以及去除第一导电构件。这些特征可以在例如图8至图11中示出。
该方法可以包括以下步骤：形成存储电容器，其中存储电容器可以包括第一电容器电极和第二电容器电极，并且其中第一电容器电极可以位于基板和第二电容器电极之间；形成晶体管，其中晶体管可以包括栅电极；形成第一导电构件，其中第一导电构件的材料可以与第一电容器电极的材料和栅电极的材料中的至少一个相同；使用第一导电构件形成第一底切和第二底切两者，其中带孔绝缘层可以包括第二底切，并且其中第一底切可以比第二底切更靠近第一电容器电极；以及去除第一导电构件。这些特征可以在例如图12至图16和/或图17至图20中示出。
该方法可以包括以下步骤：在第一凹槽内部形成有机构件，其中有机构件的材料可以与有机发光层的材料相同。这些特征可以在例如图12和/或图17中示出。
该方法可以包括以下步骤：形成重叠绝缘层，其中重叠绝缘层可以与带孔绝缘层重叠，可以位于带孔绝缘层和有机发光层之间，并且可以包括第三底切；形成第二导电构件，其中第二导电构件的材料可以与第二电容器电极的材料相同；使用第二导电构件形成第三底切；以及去除第二导电构件。这些特征可以在例如图17至图20中示出。
该方法可以包括以下步骤：在第一凹槽内部形成内含绝缘构件，其中内含绝缘构件的材料可以与带孔绝缘层的材料相同，其中内含绝缘构件可以包括内含底切，并且其中内含底切可以与第一底切相对；形成存储电容器，其中存储电容器可以包括第一电容器电极和第二电容器电极，其中第二电容器电极可以与第一电容器电极间隔开；形成晶体管，其中晶体管可以包括栅电极；形成第一导电构件，其中第一导电构件的材料可以与第一电容器电极的材料和栅电极的材料中的至少一个相同；使用第一导电构件形成第一底切和内含底切两者；去除第一导电构件；形成第二导电构件，其中第二导电构件的材料可以与第二电容器电极的材料相同，其中第二导电构件的第一部分可以位于内含绝缘构件的凹进内部，其中第二导电构件的第二部分可以位于内含绝缘构件的凹进的外部并且可以与第一导电构件重叠；以及去除第二导电构件的第一部分和第二导电构件的第二部分。这些特征可以在例如图21至图24中示出。
该方法可以包括以下步骤：形成晶体管，其中晶体管可以包括源电极；形成第一导电构件，其中第一导电构件的材料可以与源电极的材料相同；使用第一导电构件形成第一底切；以及去除第一导电构件。这些特征可以在例如图25至图28中示出。
该方法可以包括以下步骤：形成存储电容器，其中存储电容器可以包括第一电容器电极和第二电容器电极；形成晶体管，其中晶体管可以包括源电极和栅电极；形成连接电极，其中源电极可以通过连接电极与第二电容器电极电连接；形成重叠绝缘层，其中重叠绝缘层可以与带孔绝缘层重叠，可以位于带孔绝缘层和有机发光层之间，并且可以包括附加底切和附加凹槽，其中，附加凹槽的位置可以与第一凹槽的位置重叠；形成第一导电构件，其中第一导电构件的材料可以与第一电容器电极的材料和栅电极的材料中的至少一个相同；形成第二导电构件，其中第二导电构件的材料可以与连接电极的材料相同，并且其中第二导电构件可以部分地与第一导电构件重叠；使用第一导电构件形成第一底切；去除第一导电构件；使用第二导电构件形成附加底切；以及去除第二导电构件。这些特征可以在例如图29至图32中示出。
根据实施例，绝缘层的一个或多个底切可以有效地隔开有机材料部分(例如，有机发光材料层的部分)。有利地，根据示例实施例的显示设备可以防止诸如湿气的潜在污染物(例如，外部空气中)通过有机材料层传输到显示区域中。
附图说明
图1是示出根据示例实施例的显示设备的示意性平面视图。
图2是根据示例实施例的图1中所示的部分A的放大图。
图3是沿着图2中所示的线I-I'截取的截面图(或截面视图)，用于描述根据示例实施例的显示设备。
图4、图5、图6和图7是示出在制造根据示例实施例的图3的显示设备的方法中形成的结构的截面图(或截面视图)。
图8是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
图9、图10和图11是示出在制造图8的显示设备的方法中形成的结构的截面图。
图12是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
图13、图14和图15是示出在制造图12的显示设备的方法中形成的结构的截面图。
图16是示出在根据示例实施例的制造显示设备的方法中形成的结构的截面图。
图17是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
图18、图19和图20是示出在制造根据示例实施例的图17的显示设备的方法中形成的结构的截面图。
图21是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
图22、图23和图24是示出在制造根据示例实施例的图21的显示设备的方法中形成的结构的截面图。
图25是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
图26、图27和图28是示出在制造根据示例实施例的图25的显示设备的方法中形成的结构的截面图。
图29是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
图30、图31和图32是示出在制造根据示例实施例的图29的显示设备的方法中形成的结构的截面图。
具体实施方式
虽然术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语可以被用于将一个元件与另一个元件区分开来。第一元件可以被称为第二元件，而不偏离一个或多个实施例的教导。将元件描述为“第一”元件可以不要求或暗示第二元件或其他元件的存在。术语“第一”、“第二”等可以被用于区分不同的元件类别或元件组。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类型(或第一组)”、“第二类型(或第二组)”等。
根据上下文，术语“去除”可以意指“部分去除”或“完全去除”。术语“凹槽”可以意指“开口”。术语“底切”可以意指“具有壁和顶的(空)凹进”。术语“电极”可以意指“导电构件”。术语“底切电极”可以意指“用于形成底切的导电构件”。术语“去除底切电极”可以意指“使用并去除导电构件”。术语“形成底切”可以意指“形成并塑造底切”。术语“外部元件”可以意指用于执行与显示图像不同的功能的“功能元件”。术语“连接”可以意指“电连接”。术语“绝缘”可以意指“电绝缘”。术语“接触”可以意指“直接接触”。术语“与...一起定位”可以意指“被...包围”。术语“图案”可以意指“构件”。术语“凹槽的底表面”可以意指“位于凹槽下面的绝缘层的表面”。一列/多个项目可以意指项目中的至少一个。
图1是示出根据示例实施例的显示设备的示意性平面视图，并且图2是根据示例实施例的图1中所示的部分A的放大图。
参考图1和图2，显示设备1000包括第一基板100(在图3中示出)和面对第一基板100的第二基板400(在图3中示出)。
第一基板100和第二基板400可以包括绝缘基板，绝缘基板包括玻璃、石英、塑料等中的至少一种。在一个实施例中，第一基板100和第二基板400可以包括由诸如玻璃或石英的刚性材料形成的绝缘基板。
显示设备1000包括显示区域DA、挡光区域BMA以及非显示区域NDA。
显示区域DA是被配置为显示图像的区域，并且像素P可以被布置在显示区域DA中。
像素P可以连接至栅线GL、数据线DL、第一电源信号ELVDD线以及第二电源信号ELVSS线，并且可以包括存储电容器和多个晶体管。
例如，像素P包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、存储电容器CST和有机发光二极管OLED。
第一晶体管TR1包括连接至栅线GL的栅电极、连接至数据线DL的源电极以及连接至第一节点N1的漏电极。第二晶体管TR2包括连接至第一节点N1的栅电极、连接至第一电源信号ELVDD线的源电极以及连接至有机发光二极管OLED的漏电极。存储电容器CST包括连接至第一节点N1的第一电容器电极和连接至第一电源信号ELVDD线的第二电容器电极。有机发光二极管OLED包括连接至第二晶体管TR2的阳极和连接至第二电源信号ELVSS线的阴极。
当第一晶体管TR1被从栅线GL传输的栅信号导通时，第一晶体管TR1将从数据线DL传输的数据信号传输至第一节点N1。第二晶体管TR2基于存储在存储电容器CST中的、第一电源信号ELVDD和施加至第一节点N1的数据信号之间的电压差，向有机发光二极管OLED提供驱动电流。有机发光二极管OLED基于驱动电流而发光。
挡光区域BMA是被配置为围绕显示区域DA的边缘的区域，并且是其中光被遮挡的区域。用于驱动像素P的各种驱动电路可以被设置在挡光区域BMA中。
非显示区域NDA是位于显示区域DA内的区域，并且像素P未被布置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可以包括其中通过切割显示设备1000而形成孔以设置具有各种功能的外部元件(诸如摄像头和传感器)的区域。
参考图2，非显示区域NDA可以具有例如诸如圆形形状、矩形形状或多边形形状的多种形状中的至少一种。
非显示区域NDA可以包括孔区域HA、密封区域SLA、凹槽区域GA和信号线区域LA。
孔区域HA可以包括孔(在权利要求中被称为第一通孔)，并且外部元件可以被插入到该孔中。
密封区域SLA可以包括密封剂，密封剂被配置为密封显示设备1000的第一基板100和第二基板400。
凹槽区域GA被配置为阻挡空气中的诸如湿气的潜在污染物被引入到显示区域DA中。
通过部分地去除第一基板100上的多个绝缘层而形成的底切凹槽UG1(在图3中示出)可以被设置在凹槽区域GA中。
底切凹槽UG1可以包括通过去除绝缘层而形成的凹槽GR(在图3中示出)、形成在凹槽GR的第一侧壁中的至少一个第一底切UC1(在图3中示出)以及形成在凹槽GR的面对第一侧壁的第二侧壁中的至少一个第二底切UC2(在图3中示出)。
凹槽GR可以沿着非显示区域NDA的形状形成。例如，凹槽GR可以具有与如图2中所示的非显示区域NDA对应的圆形形状。在显示设备1000的平面视图中，第一底切UC1可以围绕凹槽GR，凹槽GR可以围绕密封剂300(在图3中示出)和第二底切UC2中的每一个，并且密封剂300和第二底切UC2中的每一个可以围绕孔和孔区域HA。
连接至设置在非显示区域NDA中的外部元件以传输驱动信号的多条信号线可以被布置在信号线区域LA中。信号线可以具有沿着非显示区域NDA的形状形成的区段。例如，信号线中的每一条可以包括具有与非显示区域NDA对应的圆形形状的区段。
根据实施例，形成在凹槽区域GA中的底切凹槽UG1可以防止空气中的潜在污染物通过孔区域HA的区段而被引入到显示区域DA中。
图3是沿着图2中所示的线I-I'截取的截面图，用于描述根据示例实施例的显示设备。
参考图2和图3，显示设备1000包括第一基板100和第二基板400，并且包括显示区域DA(其中布置有像素P)和非显示区域NDA(位于显示区域DA内)。非显示区域NDA包括信号线区域LA、凹槽区域GA、密封区域SLA和孔区域HA。
第一基板100包括底基板110。底基板110可以是包括玻璃、石英、塑料等的绝缘基板。在一个实施例中，底基板110可以是由玻璃或石英形成的刚性绝缘基板。
缓冲层120可以被设置在底基板110上。
缓冲层120可以阻挡诸如透过底基板110的氧气或湿气的潜在污染物。另外，缓冲层120可以在底基板110上提供平坦表面。缓冲层120可以是包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘层。在实施例中，缓冲层120可以是可选的。
半导体层AC可以被设置在缓冲层120上。半导体层AC可以由非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等形成。
半导体层AC可以包括源区、沟道区和漏区。
第一绝缘层140可以被设置在半导体层AC上。
第一绝缘层140可以被设置在缓冲层120上以覆盖半导体层AC。第一绝缘层140可以是包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘层。
第一导电图案GE、E1和L1可以被设置在第一绝缘层140上。第一导电图案GE、E1和L1可以包括设置在显示区域DA中的晶体管TR的栅电极GE和存储电容器CST的第一电容器电极E1，并且可以包括信号线区域LA中的第一信号线L1。
第二绝缘层160可以被设置在第一导电图案GE、E1和L1上。第二绝缘层160可以被设置在第一绝缘层140上以覆盖第一导电图案GE、E1和L1。第二绝缘层160可以是包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘层。
第二导电图案E2可以被设置在第二绝缘层160上。
第二导电图案E2可以包括设置在显示区域DA中的存储电容器CST的第二电容器电极E2。
第三绝缘层180可以被设置在第二导电图案E2上。第三绝缘层180可以被设置在第二绝缘层160上以覆盖第二导电图案E2。第三绝缘层180可以是包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘层，或者可以是包括丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂或聚酯类树脂等的有机绝缘层。
第三导电图案SE、DE和L2可以被设置在第三绝缘层180上。
第三导电图案SE、DE和L2可以包括设置在显示区域DA中的晶体管TR的源电极SE和漏电极DE，并且可以包括设置在信号线区域LA中的第二信号线L2。
源电极SE和漏电极DE可以通过穿过第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180形成的接触孔分别连接至半导体层AC的源区和漏区。
第四绝缘层210可以被设置在第三导电图案SE、DE和L2上。第四绝缘层210可以被设置在第三绝缘层180上以覆盖第三导电图案SE、DE和L2。第四绝缘层210可以在第三导电图案SE、DE和L2上提供平坦表面。第四绝缘层210可以是包括丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂或聚酯类树脂等的有机绝缘层，或者可以是包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘层。
像素电极220可以被设置在第四绝缘层210上。像素电极220可以针对每一个像素P形成。像素电极220可以通过形成在第四绝缘层210中的接触孔连接至晶体管TR。像素电极220可以包括金属、透明导电氧化物等。
第五绝缘层230可以被设置在像素电极220上。第五绝缘层230可以被设置在第四绝缘层210上以覆盖像素电极220的边缘。第五绝缘层230可以包括被配置为暴露像素电极220的一部分的开口。开口可以限定像素P的发光区域。第五绝缘层230可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂或聚酯类树脂的有机绝缘材料。
有机发光层240可以基本上被设置在其上设置有像素电极220的底基板110的整个区域的上方。有机发光层240可以被提供有空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)具有优异的空穴传输性并被配置为抑制未与有机发光层240中的空穴复合的电子的移动以增加空穴和电子之间复合的机会。
公共电极层250可以被设置在其上设置有有机发光层240的底基板110的整个区域的上方。公共电极层250可以与像素电极220重叠。公共电极层250可以包括金属、透明导电氧化物等。有机发光二极管OLED可以被限定在其中像素电极220、有机发光层240和公共电极层250彼此重叠的区域中。
底切凹槽UG1被设置在底基板110上的凹槽区域GA中。
在一个实施例中，底切凹槽UG1包括通过部分去除缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成的凹槽GR。底切凹槽UG1包括形成在凹槽GR的第一侧壁中第一绝缘层140和第二绝缘层160之间的第一底切UC1，以及形成在凹槽GR的第二侧壁中第一绝缘层140和第二绝缘层160之间的第二底切UC2。
用于将第二基板400联接至第一基板100的密封剂300被设置在底基板110上的密封区域SLA中。
根据实施例，即使当诸如包含在外部空气中的湿气和氧气的潜在污染物通过在孔区域HA处暴露的有机发光层240的一部分被引入时，潜在污染物也被形成在凹槽区域GA中的底切凹槽UG1物理阻挡/阻止，使得可以防止潜在污染物被引入到显示区域DA中。底切UC1和UC2可以有效地隔开有机发光层240的有机材料部分；因此，底切凹槽UG1可以有效地防止潜在污染物通过有机发光层240到达显示区域DA。
图4至图7是用于描述制造图3的显示设备的方法的截面图。
参考图4，缓冲层120可以形成在底基板110上。半导体层AC形成在缓冲层120上。
第一绝缘层140形成在其上形成有半导体层AC的底基板110上。
第一导电层形成在第一绝缘层140上，并且第一导电图案GE、E1、M11和M12通过图案化第一导电层而形成。第一导电图案GE、E1、M11和M12包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的栅电极GE和存储电容器CST的第一电容器电极E1，并且包括形成在非显示区域NDA的凹槽区域GA中的第一底切电极M11和第二底切电极M12。
第一底切电极M11和第二底切电极M12彼此间隔开，并且第一底切电极M11和第二底切电极M12之间的间隔距离可以与将在后续工艺中形成的凹槽GR的宽度对应。
第二绝缘层160形成在其上形成有第一导电图案GE、E1、M11和M12的底基板110上。
参考图5，第二导电层形成在其上形成有第二绝缘层160的底基板110上，并且第二导电图案E2通过图案化第二导电层而形成。第二导电图案E2可以包括形成在显示区域DA中的存储电容器CST的第二电容器电极E2。
在第二导电图案E2被形成之后，通过使用栅电极GE作为掩模，杂质被掺杂到半导体层AC中。因此，半导体层AC可以被划分为源区、沟道区和漏区。
第三绝缘层180形成在其上形成有第二导电图案E2的底基板110上。多个接触孔通过同时蚀刻第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成。
第三导电层形成在其上形成有接触孔的底基板110上，并且第三导电图案SE和DE通过图案化第三导电层而形成。
第三导电图案SE和DE可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的源电极SE和漏电极DE。源电极SE可以通过接触孔连接至半导体层AC的源区，并且漏电极DE可以通过接触孔连接至半导体层AC的漏区。另外，晶体管TR可以通过接触孔连接至存储电容器CST的第二电容器电极E2。
第四绝缘层210形成在其上形成有第三导电图案SE和DE的底基板110上。被配置为暴露晶体管TR的漏电极DE的接触孔通过图案化第四绝缘层210而形成。
像素电极220通过在具有接触孔的第四绝缘层210上沉积诸如金属或透明导电氧化物的导电材料并图案化所沉积的导电材料而形成。
第五绝缘层230形成在其上形成有像素电极220的底基板110上，并且被配置为暴露像素电极220的开口通过图案化第五绝缘层230而形成。开口可以限定像素P的发光区域。
参考图6，在第五绝缘层230形成在显示区域DA中之后，凹槽GR通过蚀刻工艺形成在凹槽区域GA中。
凹槽GR通过去除第一底切电极M11和第二底切电极M12之间的缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成。
凹槽GR被配置为暴露第一底切电极M11的端部和第二底切电极M12的端部。
凹槽GR可以包括关于第一底切电极M11和第二底切电极M12第二绝缘层160和第三绝缘层180被去除的上区域以及缓冲层120和第一绝缘层140被去除的下区域。凹槽GR的上区域可以具有第一宽度W1，并且凹槽GR的下区域可以具有小于第一宽度W1的第二宽度W2。
参考图7，通过干法蚀刻工艺，整个第一底切电极M11和第二底切电极M12可以通过被凹槽GR暴露的第一底切电极M11的端部和第二底切电极M12的端部而去除。
第一底切UC1(通过使用并去除第一底切电极M11而塑造和形成)可以形成在凹槽GR的第一侧壁中，并且第二底切UC2(通过使用并去除第二底切电极M12而塑造和形成)可以形成在凹槽GR的第二侧壁中。
底切凹槽UG1可以形成在凹槽区域GA中。
底切凹槽UG1可以包括具有与缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180的厚度对应的深度的凹槽GR、形成在凹槽GR的第一侧壁中第一绝缘层140和第二绝缘层160之间的第一底切UC1以及形成在凹槽GR的第二侧壁中第一绝缘层140和第二绝缘层160之间的第二底切UC2。
在底切凹槽UG1被形成之后，有机发光层240和公共电极层250可以依次形成在底基板110的整个区域的上方。
有机发光层240和公共电极层250可以沿着凹槽区域GA中凹槽GR的侧壁形成，可以被底切UC1和UC2有效地断开，并且可以形成在凹槽GR的底表面上。因此，可以防止诸如外部空气的湿气和氧气的潜在污染物沿着由有机材料形成的有机发光层240被引入到显示区域DA中。
在下文中，与上述元件相同的元件可以用相同的附图标记表示，并且可以不重复相关的描述。
图8是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
参考图8，根据一个实施例的显示设备可以包括设置在显示区域DA中的晶体管TR、存储电容器CST、像素电极220、有机发光层240和公共电极层250，并且可以包括设置在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的底切凹槽UG2。
底切凹槽UG2包括通过去除缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成的凹槽GR。底切凹槽UG2包括形成在凹槽GR的第一侧壁中第二绝缘层160和第三绝缘层180之间的第一底切UC1，以及形成在凹槽GR的第二侧壁中第二绝缘层160和第三绝缘层180之间的第二底切UC2。
图9至图11是用于描述制造图8的显示设备的方法的截面图。
参考图9，缓冲层120可以形成在底基板110上。半导体层AC形成在缓冲层120上。
第一绝缘层140形成在其上形成有半导体层AC的底基板110上。
第一导电层形成在第一绝缘层140上，并且第一导电图案GE和E1通过图案化第一导电层而形成。第一导电图案GE和E1包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的栅电极GE和存储电容器CST的第一电容器电极E1。
第二绝缘层160形成在其上形成有第一导电图案GE和E1的底基板110上。
第二导电层形成在其上形成有第二绝缘层160的底基板110上，并且第二导电图案E2、M21和M22通过图案化第二导电层而形成。
第二导电图案E2、M21和M22可以包括形成在显示区域DA中的存储电容器CST的第二电容器电极E2，并且可以包括形成在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的第一底切电极M21和第二底切电极M22。
第一底切电极M21和第二底切电极M22可以彼此间隔开。
在第二导电图案E2、M21和M22被形成之后，通过使用栅电极GE作为掩模，杂质被掺杂到半导体层AC中。因此，半导体层AC可以被划分为源区、沟道区和漏区。
参考图10，第三绝缘层180形成在其上形成有第二导电图案E2、M21和M22的底基板110上。接触孔通过同时蚀刻第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成。
第三导电层形成在其上形成有接触孔的底基板110上，并且第三导电图案SE和DE通过图案化第三导电层而形成。
第三导电图案SE和DE可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的源电极SE和漏电极DE。源电极SE可以通过接触孔连接至半导体层AC的源区，并且漏电极DE可以通过接触孔连接至半导体层AC的漏区。另外，晶体管TR可以通过接触孔连接至存储电容器CST的第二电容器电极E2。
第四绝缘层210形成在其上形成有第三导电图案SE和DE的底基板110上。被配置为暴露晶体管TR的漏电极DE的接触孔通过图案化第四绝缘层210而形成。
像素电极220通过在具有接触孔的第四绝缘层210上沉积诸如金属或透明导电氧化物的导电材料并图案化所沉积的导电材料而形成。
第五绝缘层230形成在其上形成有像素电极220的底基板110上，并且被配置为暴露像素电极220的开口通过图案化第五绝缘层230而形成。开口可以限定像素P的发光区域。
参考图11，在第五绝缘层230形成在显示区域DA中之后，凹槽GR通过蚀刻工艺形成在凹槽区域GA中。
凹槽GR通过去除第一底切电极M21和第二底切电极M22之间的缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成。
凹槽GR被配置为暴露第一底切电极M21的端部和第二底切电极M22的端部。
凹槽GR可以包括关于第一底切电极M21和第二底切电极M22第三绝缘层180被去除的上区域以及缓冲层120、第一绝缘层140和第二绝缘层160被去除的下区域。凹槽GR的上区域可以具有第一宽度W1，而凹槽GR的下区域可以具有小于第一宽度W1的第二宽度W2。
参考图8，通过干法蚀刻工艺，整个第一底切电极M21和第二底切电极M22可以通过被凹槽GR暴露的第一底切电极M21的端部和第二底切电极M22的端部被去除。
通过去除第一底切电极M21形成的第一底切UC1可以形成在凹槽GR的第一侧壁中，并且通过去除第二底切电极M22形成的第二底切UC2可以形成在凹槽GR的第二侧壁中。
底切凹槽UG2可以形成在凹槽区域GA中。
底切凹槽UG2可以包括具有与缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180的厚度相对应的深度的凹槽GR，形成在凹槽GR的第一侧壁中第二绝缘层160和第三绝缘层180之间的第一底切UC1，以及形成在凹槽GR的第二侧壁中第二绝缘层160和第三绝缘层180之间的第二底切UC2。
在底切凹槽UG2被形成之后，有机发光层240和公共电极层250可以依次形成在底基板110的整个区域的上方。
有机发光层240和公共电极层250可以沿着凹槽区域GA中凹槽GR的侧壁形成，可以被底切UC1和UC2有效地断开，并且可以形成在凹槽GR的底表面上。因此，可以防止诸如外部空气的湿气和氧气的潜在污染物沿着由有机材料形成的有机发光层240被引入到显示区域DA中。
图12是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
参考图12，根据一个实施例的显示设备可以包括设置在显示区域DA中的晶体管TR、存储电容器CST、像素电极220、有机发光层240和公共电极层250，并且可以包括设置在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的底切凹槽UG3。
底切凹槽UG3包括形成在与凹槽GR的底表面邻近的第一侧壁中的第一底切UC1以及形成在与凹槽GR的底表面邻近的第二侧壁中的第二底切UC2。
凹槽GR的底表面可以是第一绝缘层140的顶表面。第一底切UC1可以形成在与凹槽GR的底表面邻近的第一侧壁中第一绝缘层140和第二绝缘层160之间，并且第二底切UC2可以形成在与凹槽GR的底表面邻近的第二侧壁中第一绝缘层140和第二绝缘层160之间。
图13至图15是用于描述制造图12的显示设备的方法的截面图。
参考图13，缓冲层120可以形成在底基板110上。半导体层AC形成在缓冲层120上。
第一绝缘层140形成在其上形成有半导体层AC的底基板110上。
第一导电层形成在第一绝缘层140上，并且第一导电图案GE、E1和M13通过图案化第一导电层而形成。第一导电图案GE、E1和M13可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的栅电极GE和存储电容器CST的第一电容器电极E1，并且可以包括形成在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的底切电极M13。
底切电极M13可以具有与将在后续工艺中形成的凹槽GR的宽度对应的宽度MW。
第二绝缘层160形成在其上形成有第一导电图案GE、E1和M13的底基板110上。
参考图14，第二导电层形成在其上形成有第二绝缘层160的底基板110上，并且第二导电图案E2通过图案化第二导电层而形成。第二导电图案E2可以包括形成在显示区域DA中的存储电容器CST的第二电容器电极E2。
在第二导电图案E2被形成之后，通过使用栅电极GE作为掩模，杂质被掺杂到半导体层AC中。因此，半导体层AC可以被划分为源区、沟道区和漏区。
第三绝缘层180形成在其上形成有第二导电图案E2的底基板110上。接触孔通过同时蚀刻第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成。
第三导电层形成在其上形成有接触孔的底基板110上，并且第三导电图案SE和DE通过图案化第三导电层而形成。
第三导电图案SE和DE可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的源电极SE和漏电极DE。源电极SE可以通过接触孔连接至半导体层AC的源区，并且漏电极DE可以通过接触孔连接至半导体层AC的漏区。另外，晶体管TR可以通过接触孔连接至存储电容器CST的第二电容器电极E2。
第四绝缘层210形成在其上形成有第三导电图案SE和DE的底基板110上。被配置为暴露晶体管TR的漏电极DE的接触孔通过图案化第四绝缘层210而形成。
像素电极220通过在具有接触孔的第四绝缘层210上沉积诸如金属或透明导电氧化物的导电材料并图案化所沉积的导电材料而形成。
第五绝缘层230形成在其上形成有像素电极220的底基板110上，并且被配置为暴露像素电极220的开口通过图案化第五绝缘层230而形成。开口可以限定像素P的发光区域。
参考图15，在第五绝缘层230形成在显示区域DA中之后，凹槽GR通过蚀刻工艺形成在凹槽区域GA中。
凹槽GR可以通过关于底切电极M13去除位于上部分上的第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成。
凹槽GR被配置为暴露底切电极M13的顶表面，而不暴露底切电极M13的第一端部EP1和第二端部EP2。
参考图12，通过干法蚀刻工艺，整个底切电极M13可以通过被凹槽GR暴露的底切电极M13的顶表面被去除。
通过去除底切电极M13的第一端部EP1形成的第一底切UC1可以形成在凹槽GR的第一侧壁中，并且通过去除底切电极M13的第二端部EP2形成的第二底切UC2可以形成在凹槽GR的第二侧壁中。
底切凹槽UG3可以形成在凹槽区域GA中。
底切凹槽UG3可以包括具有与底切电极M13、第二绝缘层160和第三绝缘层180的厚度对应的深度的凹槽GR，形成在与凹槽GR的底表面邻近的第一侧壁中第一绝缘层140和第二绝缘层160之间的第一底切UC1，以及形成在与凹槽GR的底表面邻近的第二侧壁中第一绝缘层140和第二绝缘层160之间的第二底切UC2。凹槽GR的底表面可以是第一绝缘层140的顶表面。
在底切凹槽UG3被形成之后，有机发光层240和公共电极层250可以依次形成在底基板110的整个区域的上方。
有机发光层240和公共电极层250可以沿着凹槽区域GA中凹槽GR的侧壁而形成，可以被底切UC1和UC2有效地断开，并且可以形成在凹槽GR的底表面上。因此，可以防止诸如外部空气的湿气和氧气的潜在污染物沿着由有机材料形成的有机发光层240被引入到显示区域DA中。
图16是用于描述根据示例实施例的制造显示设备的方法的截面图。
参考图16，根据一个实施例的显示设备可以包括设置在凹槽区域GA中的底切凹槽UG4。
制造包括底切凹槽UG4的显示设备的方法可以包括根据参考图12至图15描述的先前实施例的制造显示设备的方法的步骤。
参考图12至图15，在第五绝缘层230形成在显示区域DA中之后，凹槽GR通过蚀刻工艺形成在凹槽区域GA中。
凹槽GR可以通过关于底切电极M13去除位于上部分上的第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成。
接下来，通过第一干法蚀刻工艺，整个底切电极M13可以通过被凹槽GR暴露的底切电极M13的顶表面被去除。
参考图16，通过去除底切电极M13的第一端部EP1形成的第一底切UC1可以形成在凹槽GR的第一侧壁中，并且通过去除底切电极M13的第二端部EP2形成的第二底切UC2可以形成在凹槽GR的第二侧壁中。
接下来，通过第二干法蚀刻工艺，由于去除的底切电极M13而被暴露的缓冲层120和第一绝缘层140被蚀刻。由于缓冲层120和第一绝缘层140被去除，所以凹槽GR可对应于缓冲层120的厚度和第一绝缘层140的厚度t而变得更深。
根据该实施例，凹槽GR可以包括具有与第二绝缘层160和第三绝缘层180的厚度对应的第一深度d1的上区域，以及具有与第一底切UC1和第二底切UC2下方的缓冲层120和第一绝缘层140的厚度对应的第二深度d2的下区域。
在底切凹槽UG4被形成之后，有机发光层240和公共电极层250可以依次形成在底基板110的整个区域的上方。
有机发光层240和公共电极层250可以沿着凹槽区域GA中凹槽GR的侧壁而形成，可以被底切UC1和UC2有效地断开，并且可以形成在凹槽GR的底表面上。因此，可以防止诸如外部空气的湿气和氧气的潜在污染物沿着由有机材料形成的有机发光层240被引入到显示区域DA中。
图17是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
参考图17，根据一个实施例的显示设备可以包括设置在显示区域DA中的晶体管TR、存储电容器CST、像素电极220、有机发光层240和公共电极层250，并且可以包括设置在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的底切凹槽UG5。
底切凹槽UG5包括通过去除第二绝缘层160和第三绝缘层180形成的凹槽GR。底切凹槽UG5包括形成在凹槽GR的侧壁中的第一底切UC1、第二底切UC2、第三底切UC3和第四底切UC4。
第一底切UC1形成在凹槽GR的第一侧壁中第一绝缘层140和第二绝缘层160之间，第二底切UC2形成在凹槽GR的第二侧壁中第一绝缘层140和第二绝缘层160之间，第三底切UC3形成在凹槽GR的第一侧壁中第二绝缘层160和第三绝缘层180之间，并且第四底切UC4形成在凹槽GR的第二侧壁中第二绝缘层160和第三绝缘层180之间。
底切凹槽UG5可以包括凹槽GR、形成在凹槽GR的第一侧壁中的第一底切UC1和第三底切UC3以及形成在凹槽GR的第二侧壁中的第二底切UC2和第四底切UC4。
图18至图20是用于描述制造图17的显示设备的方法的截面图。
参考图18，缓冲层120可以形成在底基板110上。半导体层AC形成在缓冲层120上。
第一绝缘层140形成在其上形成有半导体层AC的底基板110上。
第一导电层形成在第一绝缘层140上，并且第一导电图案GE、E1和M13通过图案化第一导电层而形成。第一导电图案GE、E1和M13可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的栅电极GE和存储电容器CST的第一电容器电极E1，并且可以包括形成在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的第一底切电极M13。第一底切电极M13可以具有与将在后续工艺中形成的凹槽GR的宽度对应的宽度MW。
第二绝缘层160形成在其上形成有第一导电图案GE、E1和M13的底基板110上。
第二导电层形成在第二绝缘层160上，并且第二导电图案E2、M21和M22通过图案化第二导电层而形成。第二导电图案E2、M21和M22可以包括形成在显示区域DA中的存储电容器CST的第二电容器电极E2，并且可以包括形成在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的第二底切电极M21和与第二底切电极M21间隔开的第三底切电极M22。第二底切电极M21可以与第一底切电极M13的第一端部EP1重叠，并且第三底切电极M22可以与第一底切电极M13的第二端部EP2重叠。
参考图19，在第二导电图案E2、M21和M22被形成之后，通过使用栅电极GE作为掩模，杂质被掺杂到半导体层AC中。因此，半导体层AC可以被划分为源区、沟道区和漏区。
第三绝缘层180形成在其上形成有第二导电图案E2、M21和M22的底基板110上。接触孔通过同时蚀刻第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成。
第三导电层形成在其上形成有接触孔的底基板110上，并且第三导电图案SE和DE通过图案化第三导电层而形成。
第三导电图案SE和DE可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的源电极SE和漏电极DE。源电极SE可以通过接触孔连接至半导体层AC的源区，并且漏电极DE可以通过接触孔连接至半导体层AC的漏区。另外，晶体管TR可以通过接触孔连接至存储电容器CST的第二电容器电极E2。
第四绝缘层210形成在其上形成有第三导电图案SE和DE的底基板110上。被配置为暴露晶体管TR的漏电极DE的接触孔通过图案化第四绝缘层210而形成。
像素电极220通过在具有接触孔的第四绝缘层210上沉积诸如金属或透明导电氧化物的导电材料并图案化所沉积的导电材料而形成。
第五绝缘层230形成在其上形成有像素电极220的底基板110上，并且被配置为暴露像素电极220的开口通过图案化第五绝缘层230而形成。开口可以限定像素P的发光区域。
参考图20，在第五绝缘层230形成在显示区域DA中之后，凹槽GR通过蚀刻工艺形成在凹槽区域GA中。
凹槽GR可以通过关于第二底切电极M21和第三底切电极M22去除位于下部分上的第二绝缘层160和位于上部分上的第三绝缘层180而形成。
同时，位于第一底切电极M13的第一端部EP1上的第二绝缘层160和位于第一底切电极M13的第二端部EP2上的第二绝缘层160未被蚀刻。
凹槽GR被配置为暴露第一底切电极M13的顶表面的一部分，并被配置为暴露第二底切电极M21和第三底切电极M22的端部。
参考图17和图20，通过干法蚀刻工艺，整个第一底切电极M13可以通过被凹槽GR暴露的第一底切电极M13的顶表面被去除。另外，通过干法蚀刻工艺，整个第二底切电极M21和第三底切电极M22可以通过被凹槽GR暴露的第二底切电极M21和第三底切电极M22的端部被去除。
通过去除第一底切电极M13的第一端部EP1形成的第一底切UC1以及通过去除第二底切电极M21形成的第三底切UC3可以形成在凹槽GR的第一侧壁中。另外，通过去除第一底切电极M13的第二端部EP2形成的第二底切UC2以及通过去除第三底切电极M22形成的第四底切UC4可以形成在凹槽GR的第二侧壁中。
底切凹槽UG5可以形成在凹槽区域GA中。
底切凹槽UG5可以包括具有与第一底切电极M13、第二绝缘层160和第三绝缘层180的厚度对应的深度的凹槽GR，可以包括形成在从凹槽GR的第一侧壁突出的第二绝缘层160和第一绝缘层140之间的第一底切UC1以及形成在从凹槽GR的第一侧壁突出的第二绝缘层160和第三绝缘层180之间的第三底切UC3，并且可以包括形成在从凹槽GR的第二侧壁突出的第二绝缘层160和第一绝缘层140之间的第二底切UC2以及形成在从凹槽GR的第二侧壁突出的第二绝缘层160和第三绝缘层180之间的第四底切UC4。
在底切凹槽UG5被形成之后，有机发光层240和公共电极层250可以依次形成在底基板110的整个区域的上方。
有机发光层240和公共电极层250可以沿着凹槽区域GA中凹槽GR的侧壁形成，可以被底切UC1、UC2、UC3和UC4有效地断开，并且可以形成在凹槽GR的底表面上。因此，可以防止诸如外部空气的湿气和氧气的潜在污染物沿着由有机材料形成的有机发光层240被引入到显示区域DA中。
图21是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
参考图21，根据一个实施例的显示设备可以包括设置在显示区域DA中的晶体管TR、存储电容器CST、像素电极220、有机发光层240和公共电极层250，并且可以包括设置在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的底切凹槽UG6。
底切凹槽UG6包括通过去除第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成的凹槽GR。另外，底切凹槽UG6可以包括位于与凹槽GR的第一侧壁邻近的底表面处的第一底切UC1以及位于与凹槽GR的第二侧壁邻近的底表面处的第二底切UC2。底切凹槽UG6可以包含位于底切UC1和UC2之间的内含绝缘构件。内含绝缘构件可以是第二绝缘层160的部分，即内含绝缘构件的材料可以与第二绝缘层160的材料相同。内含绝缘构件可以包括分别与底切UC1和UC2相对的两个底切。
图22至图24是用于描述制造图21的显示设备的方法的截面图。
参考图22，缓冲层120可以形成在底基板110上。半导体层AC形成在缓冲层120上。
第一绝缘层140形成在其上形成有半导体层AC的底基板110上。
第一导电层形成在第一绝缘层140上，并且第一导电图案GE、E1、M11和M12通过图案化第一导电层而形成。第一导电图案GE、E1、M11和M12可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的栅电极GE和存储电容器CST的第一电容器电极E1，并且可以包括形成在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的第一底切电极M11和与第一底切电极M11间隔开的第二底切电极M12。第一底切电极M11和第二底切电极M12可以分别与将在后续工艺中形成在与凹槽GR的侧壁邻近的底表面中的第一底切UC1和第二底切UC2相对应。
第二绝缘层160形成在其上形成有第一导电图案GE、E1、M11和M12的底基板110上。
第二导电层形成在第二绝缘层160上，并且第二导电图案E2和M23通过图案化第二导电层而形成。第二导电图案E2和M23可以包括形成在显示区域DA中的存储电容器CST的第二电容器电极E2，并且可以包括形成在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的第三底切电极M23。第三底切电极M23可以被设置在第一底切电极M11和第二底切电极M12之间的间隔区域中，第三底切电极M23的第一端部EP1可以与第一底切电极M11部分重叠，并且第三底切电极M23的第二端部EP2可以与第二底切电极M12部分重叠。
参考图23，在第二导电图案E2和M23被形成之后，通过使用栅电极GE作为掩模，杂质被掺杂到半导体层AC中。因此，半导体层AC可以被划分为源区、沟道区和漏区。
第三绝缘层180形成在其上形成有第二导电图案E2和M23的底基板110上。接触孔通过同时蚀刻第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180而形成。
第三导电层形成在其上形成有接触孔的底基板110上，并且第三导电图案SE和DE通过图案化第三导电层而形成。
第三导电图案SE和DE可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的源电极SE和漏电极DE。源电极SE可以通过接触孔连接至半导体层AC的源区，并且漏电极DE可以通过接触孔连接至半导体层AC的漏区。另外，晶体管TR可以通过接触孔连接至存储电容器CST的第二电容器电极E2。
第四绝缘层210形成在其上形成有第三导电图案SE和DE的底基板110上。被配置为暴露晶体管TR的漏电极DE的接触孔通过图案化第四绝缘层210而形成。
像素电极220通过在具有接触孔的第四绝缘层210上沉积诸如金属或透明导电氧化物的导电材料并图案化所沉积的导电材料而形成。
第五绝缘层230形成在其上形成有像素电极220的底基板110上，并且被配置为暴露像素电极220的开口通过图案化第五绝缘层230而形成。开口可以限定像素P的发光区域。
参考图24，在第五绝缘层230形成在显示区域DA中之后，凹槽GR通过蚀刻工艺形成在凹槽区域GA中。
凹槽GR可以通过去除位于第三底切电极M23的上部分上的第三绝缘层180以及位于第一底切电极M11和第二底切电极M12的上部分上并被第三底切电极M23暴露的第二绝缘层160而形成。
凹槽GR被配置为暴露第三底切电极M23的顶表面和侧表面。另外，凹槽GR被配置为暴露第一底切电极M11的不与第三底切电极M23的第一端部EP1重叠的顶表面和第二底切电极M12的不与第三底切电极M23的第二端部EP2重叠的顶表面。
参考图21和图24，通过干法蚀刻工艺，整个第三底切电极M23可以通过被凹槽GR暴露的第三底切电极M23的顶表面和侧表面被去除。另外，整个第一底切电极M11和第二底切电极M12可以通过被凹槽GR暴露的第一底切电极M11和第二底切电极M12的顶表面被去除。
凹槽GR的底表面可以被形成为第二绝缘层160的顶表面。第一底切UC1可以形成在第一绝缘层140和第二绝缘层160之间与凹槽GR的第一侧壁邻近的底表面中，并且第二底切UC2可以形成在第一绝缘层140和第二绝缘层160之间与凹槽GR的第二侧壁邻近的底表面中。
底切凹槽UG6可以形成在凹槽区域GA中。
底切凹槽UG6可以包括具有与第三绝缘层180的厚度对应的深度的凹槽GR，形成在与凹槽GR的第一侧壁邻近的底表面中的第一底切UC1，以及形成在与凹槽GR的第二侧壁邻近的底表面中的第二底切UC2。
在底切凹槽UG6形成之后，有机发光层240和公共电极层250可以依次形成在底基板110的整个区域的上方。
有机发光层240和公共电极层250可以沿着凹槽区域GA中凹槽GR的侧壁而形成，可以被底切UC1和UC2有效地断开，并且可以形成在凹槽GR的底表面上。因此，可以防止诸如外部空气的湿气和氧气的潜在污染物沿着由有机材料形成的有机发光层240被引入到显示区域DA中。
图25是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
参考图25，根据一个实施例的显示设备可以包括设置在显示区域DA中的晶体管TR、存储电容器CST、像素电极220、有机发光层240和公共电极层250，并且可以包括设置在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的底切凹槽UG7。
底切凹槽UG7包括通过去除缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160、第三绝缘层180和第四绝缘层210形成的凹槽GR。另外，底切凹槽UG7包括形成在凹槽GR的第一侧壁中第三绝缘层180和第四绝缘层210之间的第一底切UC1，以及形成在凹槽GR的第二侧壁中第三绝缘层180和第四绝缘层210之间的第二底切UC2。
图26至图28是用于描述制造图25的显示设备的方法的截面图。
参考图26，缓冲层120可以形成在底基板110上。半导体层AC形成在缓冲层120上。
第一绝缘层140形成在其上形成有半导体层AC的底基板110上。
第一导电层形成在第一绝缘层140上，并且第一导电图案GE和E1通过图案化第一导电层而形成。第一导电图案GE和E1可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的栅电极GE和存储电容器CST的第一电容器电极E1。
第二绝缘层160形成在其上形成有第一导电图案GE和E1的底基板110上。第二导电层形成在第二绝缘层160上，并且第二导电图案E2通过图案化第二导电层而形成。第二导电图案E2可以包括形成在显示区域DA中的存储电容器CST的第二电容器电极E2。
第三绝缘层180形成在其上形成有第二导电图案E2的底基板110上。多个接触孔通过同时蚀刻第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180形成在显示区域DA中，并且第一凹槽图案GP1通过同时蚀刻缓冲层120以及第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180形成在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中。显示区域DA中的接触孔可以通过去除第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180以暴露半导体层AC和第二电容器电极E2而形成。凹槽区域GA中的第一凹槽图案GP1可以通过去除缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180以暴露底基板110而形成。
第三导电层形成在其上形成有接触孔和第一凹槽图案GP1的底基板110上，并且第三导电图案SE、DE和M31通过图案化第三导电层而形成。
第三导电图案SE、DE和M31可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的源电极SE和漏电极DE，并且可以包括位于凹槽区域GA中的底切电极M31。
源电极SE可以通过接触孔连接至半导体层AC的源区，并且漏电极DE可以通过接触孔连接至半导体层AC的漏区。另外，晶体管TR可以通过接触孔连接至存储电容器CST的第二电容器电极E2。
底切电极M31可以包括形成在第一凹槽图案GP1的底表面上的底部MB、形成在第一凹槽图案GP1的第一侧壁上的第一侧部MS1、形成在第一凹槽图案GP1的第二侧壁上的第二侧部MS2、形成在第三绝缘层180的连接至第一侧壁的顶部上的第一端部ME1以及形成在第三绝缘层180的连接至第二侧壁的顶部上的第二端部ME2。
参考图27，第四绝缘层210形成在其上形成有第三导电图案SE、DE和M31的底基板110上。被配置为暴露晶体管TR的漏电极DE的接触孔通过图案化第四绝缘层210而形成。
像素电极220通过在具有接触孔的第四绝缘层210上沉积诸如金属或透明导电氧化物的导电材料并图案化所沉积的导电材料而形成。
第五绝缘层230形成在其上形成有像素电极220的底基板110上，并且被配置为暴露像素电极220的开口通过图案化第五绝缘层230而形成。开口可以限定像素P的发光区域。
参考图28，被配置为暴露底切电极M31的底部MB、第一侧部MS1和第二侧部MS2的第二凹槽图案GP2通过图案化形成在非显示区域NDA的凹槽区域GA中的第四绝缘层210而形成。
参考图25和图28，通过干法蚀刻工艺，整个底切电极M31可以通过被凹槽区域GA中的第二凹槽图案GP2暴露的底切电极M31的底部MB、第一侧部MS1和第二侧部MS2被去除。
因此，在凹槽区域GA中，与第二凹槽图案GP2对应的凹槽GR可以被形成，第一底切UC1可以通过底切电极M31的第一端部ME1形成在凹槽GR的第一侧壁中第三绝缘层180和第四绝缘层210之间，并且第二底切UC2可以通过底切电极M31的第二端部ME2形成在凹槽GR的第二侧壁中第三绝缘层180和第四绝缘层210之间。
底切凹槽UG7可以形成在凹槽区域GA中。
底切凹槽UG7可以包括具有与缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160、第三绝缘层180和第四绝缘层210的厚度对应的深度的凹槽GR，形成在凹槽GR的第一侧壁中第三绝缘层180和第四绝缘层210之间的第一底切UC1，以及形成在凹槽GR的第二侧壁中第三绝缘层180和第四绝缘层210之间的第二底切UC2。
在底切凹槽UG7被形成之后，有机发光层240和公共电极层250可以依次形成在底基板110的整个区域的上方。
有机发光层240和公共电极层250可以沿着凹槽区域GA中凹槽GR的侧壁而形成，可以被底切UC1和UC2有效地断开，并且可以形成在凹槽GR的底表面上。因此，可以防止诸如外部空气的湿气和氧气的潜在污染物沿着由有机材料形成的有机发光层240被引入到显示区域DA中。
图29是用于描述根据示例实施例的显示设备的截面图。
参考图29，根据一个实施例的显示设备可以包括设置在显示区域DA中的晶体管TR、存储电容器CST、像素电极220、有机发光层240和公共电极层250，并且可以包括设置在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的底切凹槽UG8。
底切凹槽UG8包括通过去除缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160、第三绝缘层180、第四绝缘层190和第五绝缘层210形成的凹槽GR。另外，底切凹槽UG8包括形成在凹槽GR的第一侧壁中第一绝缘层140和第四绝缘层190之间的第一底切UC1，以及形成在凹槽GR的第二侧壁中第一绝缘层140和第四绝缘层190之间的第二底切UC2。第四绝缘层190可以是包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机绝缘层，或者可以是包括丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂或聚酯类树脂等的有机绝缘层。第二绝缘层160可以包括第一下底切和第二下底切。第四绝缘层190可以包括第一上底切和第二上底切。第一底切UC1可以包括第一下底切和第一上底切。第二底切UC2可以包括第二下底切和第二上底切。
根据本实施例，底切凹槽UG8的第一底切UC1和第二底切UC2中的每一个的厚度ut可以比包括在先前实施例的底切凹槽中的底切中的每一个的厚度厚。
图30至图32是用于描述制造图29的显示设备的方法的截面图。
参考图30，缓冲层120可以形成在底基板110上。半导体层AC形成在缓冲层120上。
第一绝缘层140形成在其上形成有半导体层AC的底基板110上。
第一导电层形成在第一绝缘层140上，并且第一导电图案GE、E1、M11和M12通过图案化第一导电层而形成。第一导电图案GE、E1、M11和M12可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的栅电极GE和存储电容器CST的第一电容器电极E1，并且可以包括形成在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中的第一底切电极M11和与第一底切电极M11间隔开的第二底切电极M12。
第二绝缘层160形成在其上形成有第一导电图案GE、E1、M11和M12的底基板110上。第二导电层形成在第二绝缘层160上，并且第二导电图案E2通过图案化第二导电层而形成。第二导电图案E2可以包括形成在显示区域DA中的存储电容器CST的第二电容器电极E2。
第三绝缘层180形成在其上形成有第二导电图案E2的底基板110上。接触孔通过蚀刻第三绝缘层180形成在显示区域DA中，并且第一凹槽图案GP1通过同时蚀刻缓冲层120以及第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180形成在是非显示区域NDA的凹槽区域GA中。
显示区域DA中的接触孔可以通过去除第三绝缘层180以暴露第二电容器电极E2而形成。凹槽区域GA中的第一凹槽图案GP1可以通过关于第一底切电极M11和第二底切电极M12去除缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160和第三绝缘层180以暴露底基板110、第一底切电极M11的顶表面和截面以及第二底切电极M12的顶表面和截面而形成。
参考图31，第三导电层形成在其上形成有接触孔和第一凹槽图案GP1的底基板110上，并且第三导电图案CE和M41通过图案化第三导电层而形成。
第三导电图案CE和M41可以包括形成在显示区域DA中的连接电极CE和凹槽区域GA中的第三底切电极M41。
连接电极CE可以通过接触孔连接至第二电容器电极E2。第三底切电极M41被设置在第一底切电极M11和第二底切电极M12之间的间隔区域中。第三底切电极M41的第一端部ME1可以与第一底切电极M11重叠，同时从第一底切电极M11的顶部与第一底切电极M11直接接触，并且第三底切电极M41的第二端部ME2可以与第二底切电极M12重叠，同时从第二底切电极M12的顶部与第二底切电极M12直接接触。
第三底切电极M41可以与通过第一凹槽图案GP1暴露的第一底切电极M11的顶表面和截面、底基板110以及第二底切电极M12的顶表面和截面相接触。
第四绝缘层190形成在其上形成有第三导电图案CE和M41的底基板110上。多个接触孔通过同时蚀刻显示区域DA中的第一绝缘层140、第二绝缘层160、第三绝缘层180和第四绝缘层190而形成。显示区域DA中的接触孔可以通过去除第一绝缘层140、第二绝缘层160、第三绝缘层180和第四绝缘层190以暴露半导体层AC和连接电极CE而形成。
第四导电层形成在其上形成有接触孔的底基板110上，并且第四导电图案SE和DE通过图案化第四导电层而形成。
第四导电图案SE和DE可以包括形成在显示区域DA中的晶体管TR的源电极SE和漏电极DE。
源电极SE可以通过接触孔连接至半导体层AC的源区，并且漏电极DE可以通过接触孔连接至半导体层AC的漏区。另外，晶体管TR可以通过接触孔连接至存储电容器CST的第二电容器电极E2和连接电极CE。
第五绝缘层210形成在其上形成有第四导电图案SE和DE的底基板110上。被配置为暴露晶体管TR的漏电极DE的接触孔通过图案化第五绝缘层210而形成。
像素电极220通过在具有接触孔的第五绝缘层210上沉积诸如金属或透明导电氧化物的导电材料并图案化所沉积的导电材料而形成。
第六绝缘层230形成在其上形成有像素电极220的底基板110上，并且被配置为暴露像素电极220的开口通过图案化第六绝缘层230而形成。开口可以限定像素P的发光区域。
参考图29和图32，被配置为暴露第三底切电极M41的底部MB、第一侧部MS1和第二侧部MS2的第二凹槽图案GP2通过图案化形成在非显示区域NDA的凹槽区域GA中的第四绝缘层190和第五绝缘层210而形成。
通过干法蚀刻工艺，整个第三底切电极M41可以通过被凹槽区域GA中的第二凹槽图案GP2暴露的第三底切电极M41的底部MB、第一侧部MS1和第二侧部MS2被去除。
因此，在凹槽区域GA中，与第二凹槽图案GP2相对应的凹槽GR可以被形成，具有与第一底切电极M11和第三底切电极M41的第一端部ME1的厚度对应的厚度ut的第一底切UC1可以通过第一底切电极M11和与第一底切电极M11重叠的第三底切电极M41的第一端部ME1而形成在凹槽GR的第一侧壁中，并且具有与第二底切电极M12和第三底切电极M41的第二端部ME2的厚度对应的厚度ut的第二底切UC2可以通过第二底切电极M12和与第二底切电极M12重叠的第三底切电极M41的第二端部ME2而形成在凹槽GR的第二侧壁中。
底切凹槽UG8可以形成在凹槽区域GA中。
底切凹槽UG8可以包括具有与缓冲层120、第一绝缘层140、第二绝缘层160、第三绝缘层180、第四绝缘层190和第五绝缘层210的厚度对应的深度的凹槽GR，形成在凹槽GR的第一侧壁中第一绝缘层140和第四绝缘层190之间的第一底切UC1，以及形成在凹槽GR的第二侧壁中第一绝缘层140和第四绝缘层190之间的第二底切UC2。
在底切凹槽UG8被形成之后，有机发光层240和公共电极层250可以依次形成在底基板110的整个区域的上方。
有机发光层240和公共电极层250可以沿着凹槽区域GA中凹槽GR的侧壁形成，可以被底切UC1和UC2有效地断开，并且可以形成在凹槽GR的底表面上。因此，可以防止诸如外部空气的湿气和氧气的潜在污染物沿着由有机材料形成的有机发光层240被引入到显示区域DA中。
根据实施例，绝缘层的底切可以有效地分离有机材料部分(例如，有机发光材料层的部分)；具有底切的底切凹槽可以有效地防止诸如湿气的潜在污染物(例如，包含在外部空气中)通过有机材料层传输到显示区域中。
在底切凹槽图案中，凹槽可以通过蚀刻底切电极和与底切电极重叠的绝缘层而形成，并且底切可以通过刻蚀被凹槽暴露的底切电极而形成在凹槽的侧壁中。因此，凹槽的深度可以通过设置绝缘层的厚度来优化，并且底切的尺寸可以通过设置底切电极的厚度来优化。
一个或多个实施例可以被应用于显示设备。例如，一个或多个实施例可以被应用于包括在计算机、膝上型计算机、蜂窝电话、智能电话、智能平板、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、MP3播放器等中的显示设备。
前述内容是示例实施例的说明，而不是限制性的。虽然已经描述了一些示例实施例，但是许多修改是可能的。所有这种修改都在权利要求书所限定的范围内。

Claims (21)

1.一种显示设备，包括：
基板；
有机发光层，与所述基板重叠并包括开口；以及
位于所述基板和所述有机发光层之间的带孔绝缘层，其中所述带孔绝缘层包括第一通孔、第一凹槽和第一底切，其中所述开口的位置与所述第一凹槽的位置重叠，其中在所述显示设备的平面视图中，所述第一凹槽围绕所述第一通孔，并且其中在所述显示设备的所述平面视图中，所述第一底切围绕所述第一凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
缓冲层，形成在所述基板上；
中间绝缘层，位于所述缓冲层和所述带孔绝缘层之间；以及
栅电极，位于所述中间绝缘层和所述带孔绝缘层之间。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述带孔绝缘层进一步包括第二底切，其中在所述显示设备的所述平面视图中，所述第二底切围绕所述第一通孔，并且其中在所述显示设备的所述平面视图中，所述第一凹槽围绕所述第二底切。
4.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
晶体管，包括栅电极；以及
中间绝缘层，位于所述基板和所述带孔绝缘层之间，其中所述栅电极位于所述中间绝缘层和所述带孔绝缘层之间，并且其中所述第一底切的壁直接接触所述中间绝缘层。
5.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
晶体管，包括源电极；以及
中间绝缘层，位于所述基板和所述带孔绝缘层之间，其中所述源电极位于所述带孔绝缘层和所述有机发光层之间，并且其中所述第一底切的壁直接接触所述中间绝缘层。
6.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
重叠绝缘层，与所述带孔绝缘层重叠，位于所述带孔绝缘层和所述有机发光层之间，并且包括第二凹槽，其中所述第二凹槽直接连接至所述第一凹槽。
7.根据权利要求6所述的显示设备，进一步包括：
晶体管，包括源电极，其中所述源电极位于所述重叠绝缘层和所述有机发光层之间。
8.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：重叠绝缘层，所述重叠绝缘层与所述带孔绝缘层重叠并且位于所述带孔绝缘层与所述有机发光层之间，
其中所述带孔绝缘层进一步包括第二底切，
其中在所述显示设备的所述平面视图中，所述第二底切围绕所述第一通孔，
其中在所述显示设备的所述平面视图中，所述第一凹槽围绕所述第二底切，
其中所述重叠绝缘层包括第二凹槽、第三底切和第四底切，
其中所述第二凹槽的位置与所述第一凹槽的位置重叠，
其中所述第四底切比所述第二凹槽更靠近所述第一通孔，并且
其中所述第二凹槽比所述第三底切更靠近所述第一通孔。
9.根据权利要求8所述的显示设备，进一步包括：
晶体管，包括源电极，其中所述源电极位于所述重叠绝缘层和所述有机发光层之间。
10.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
晶体管，包括源电极；以及
存储电容器，包括第一电容器电极，
其中所述带孔绝缘层位于所述源电极和所述第一电容器电极中的至少一个与所述有机发光层之间。
11.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
重叠绝缘层，位于所述带孔绝缘层和所述有机发光层之间，与所述带孔绝缘层重叠，部分地位于所述第一凹槽内部，并且包括附加底切，其中所述附加底切至少部分地位于所述第一凹槽内部。
12.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
形成带孔绝缘层，其中所述带孔绝缘层与基板重叠并包括第一通孔、第一凹槽和第一底切，其中在所述显示设备的平面视图中，所述第一凹槽围绕所述第一通孔，并且其中在所述显示设备的所述平面视图中，所述第一底切围绕所述第一凹槽；以及
形成包括开口的有机发光层，其中所述带孔绝缘层位于所述基板和所述有机发光层之间，并且其中所述开口的位置与所述第一凹槽的位置重叠。
13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
形成存储电容器，其中，所述存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极，并且其中所述第一电容器电极位于所述基板和所述第二电容器电极之间；
形成晶体管，其中所述晶体管包括栅电极；
形成第一导电构件，其中所述第一电容器电极的材料和所述栅电极的材料中的至少一个与所述第一导电构件的材料相同；
使用所述第一导电构件形成所述第一底切；以及
去除所述第一导电构件。
14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
形成缓冲层，其中所述缓冲层位于所述基板和所述带孔绝缘层之间并包括缓冲层凹槽，其中所述缓冲层凹槽的位置与所述第一凹槽的位置重叠；
在所述缓冲层凹槽内部形成有机构件，其中所述有机构件的材料与所述有机发光层的材料相同。
15.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
形成存储电容器，其中，所述存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极，并且其中所述第一电容器电极位于所述基板和所述第二电容器电极之间；
形成第一导电构件，其中所述第一导电构件的材料与所述第二电容器电极的材料相同；
使用所述第一导电构件形成所述第一底切；以及
去除所述第一导电构件。
16.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
形成存储电容器，其中，所述存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极，并且其中所述第一电容器电极位于所述基板和所述第二电容器电极之间；
形成晶体管，其中所述晶体管包括栅电极；
形成第一导电构件，其中所述第一电容器电极的材料和所述栅电极的材料中的至少一个与所述第一导电构件的材料相同；
使用所述第一导电构件形成所述第一底切和第二底切两者，其中所述带孔绝缘层进一步包括所述第二底切，并且其中所述第一底切比所述第二底切更靠近所述第一电容器电极；以及
去除所述第一导电构件。
17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：
在所述第一凹槽内部形成有机构件，其中所述有机构件的材料与所述有机发光层的材料相同。
18.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：
形成重叠绝缘层，其中所述重叠绝缘层与所述带孔绝缘层重叠，位于所述带孔绝缘层和所述有机发光层之间，并且包括第三底切；
形成第二导电构件，其中所述第二导电构件的材料与所述第二电容器电极的材料相同；
使用所述第二导电构件形成所述第三底切；以及
去除所述第二导电构件。
19.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
在所述第一凹槽内部形成内含绝缘构件，其中所述内含绝缘构件的材料与所述带孔绝缘层的材料相同，其中所述内含绝缘构件包括内含底切，并且其中所述内含底切与所述第一底切相对；
形成存储电容器，其中所述存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极，其中所述第二电容器电极与所述第一电容器电极间隔开；
形成晶体管，其中所述晶体管包括栅电极；
形成第一导电构件，其中所述第一电容器电极的材料和所述栅电极的材料中的至少一个与所述第一导电构件的材料相同；
使用所述第一导电构件形成所述第一底切和所述内含底切两者；
去除所述第一导电构件；
形成第二导电构件，其中所述第二导电构件的材料与所述第二电容器电极的材料相同，其中所述第二导电构件的第一部分位于所述内含绝缘构件的凹进内部，其中所述第二导电构件的第二部分位于所述内含绝缘构件的所述凹进外部并与所述第一导电构件重叠；以及
去除所述第二导电构件的所述第一部分和所述第二导电构件的所述第二部分。
20.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
形成晶体管，其中所述晶体管包括源电极；
形成第一导电构件，其中所述第一导电构件的材料与所述源电极的材料相同；
使用所述第一导电构件形成所述第一底切；以及
去除所述第一导电构件。
21.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：
形成存储电容器，其中所述存储电容器包括第一电容器电极和第二电容器电极；
形成晶体管，其中所述晶体管包括源电极和栅电极；
形成连接电极，其中所述源电极通过所述连接电极电连接至所述第二电容器电极；
形成重叠绝缘层，其中所述重叠绝缘层与所述带孔绝缘层重叠，位于所述带孔绝缘层和所述有机发光层之间，并且包括附加底切和附加凹槽，其中所述附加凹槽的位置与所述第一凹槽的位置重叠；
形成第一导电构件，其中所述第一电容器电极的材料和所述栅电极的材料中的至少一个与所述第一导电构件的材料相同；
形成第二导电构件，其中所述第二导电构件的材料与所述连接电极的材料相同，并且其中所述第二导电构件与所述第一导电构件部分地重叠；
使用所述第一导电构件形成所述第一底切；
去除所述第一导电构件；
使用所述第二导电构件形成所述附加底切；以及
去除所述第二导电构件。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113658994A (zh) * 2021-09-10 2021-11-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1983622A (zh) * 2005-12-14 2007-06-20 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机电致发光显示器件及其制造方法
KR20080000405A (ko) * 2006-06-27 2008-01-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR20160072010A (ko) * 2014-12-12 2016-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106057844A (zh) * 2015-04-02 2016-10-26 乐金显示有限公司 降低有机发光显示装置的阴极中的电阻的辅助线
CN106409867A (zh) * 2015-07-29 2017-02-15 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN106887523A (zh) * 2015-11-20 2017-06-23 三星显示有限公司 有机发光显示器及其制造方法
CN109390494A (zh) * 2017-08-11 2019-02-26 三星显示有限公司 显示面板和具有其的电子装置
US20190081273A1 (en) * 2017-09-11 2019-03-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3530362B2 (ja) * 1996-12-19 2004-05-24 三洋電機株式会社 自発光型画像表示装置
KR101699911B1 (ko) * 2010-04-05 2017-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20160011633A1 (en) * 2013-03-15 2016-01-14 Sharp Kabushiki Kaisha Electronic device
KR102421577B1 (ko) * 2016-04-05 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN106449702B (zh) * 2016-09-20 2019-07-19 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板以及制作方法
JP2018060404A (ja) * 2016-10-06 2018-04-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置およびタッチ操作の補正方法
KR20180046960A (ko) 2016-10-28 2018-05-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10756156B2 (en) * 2017-10-30 2020-08-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device having enhanced UV light blocking and method for fabricating the same
EP3547019B1 (en) * 2018-03-30 2021-10-27 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. Display assembly and mobile terminal

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1983622A (zh) * 2005-12-14 2007-06-20 Lg.菲利浦Lcd株式会社 有机电致发光显示器件及其制造方法
KR20080000405A (ko) * 2006-06-27 2008-01-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR20160072010A (ko) * 2014-12-12 2016-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN106057844A (zh) * 2015-04-02 2016-10-26 乐金显示有限公司 降低有机发光显示装置的阴极中的电阻的辅助线
CN106409867A (zh) * 2015-07-29 2017-02-15 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN106887523A (zh) * 2015-11-20 2017-06-23 三星显示有限公司 有机发光显示器及其制造方法
CN109390494A (zh) * 2017-08-11 2019-02-26 三星显示有限公司 显示面板和具有其的电子装置
US20190081273A1 (en) * 2017-09-11 2019-03-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113658994A (zh) * 2021-09-10 2021-11-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

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