CN1117176C - 等离子体化学汽相淀积装置和制造光纤、预制棒及套管的方法以及由此制造的光纤 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种进行等离子体化学汽相淀积(PCVD)的装置，通过这种装置可以将一层或多层氧化硅淀积在一个细长的玻璃质衬底上，该装置包括一个细长的微波波导体，微波波导体延伸至一个谐振腔，谐振腔大致围绕一圆筒轴呈圆筒状对称，衬底可以沿此圆筒轴放置，在该装置中：谐振腔大体为环形，它具有内圆筒壁和外圆筒壁；内圆筒壁包括一个狭缝，狭缝在围绕圆筒轴的整个圆周中延伸；波导体具有一纵轴，纵轴大致垂直于圆筒轴并且与狭缝不相交。本发明还涉及采用所述装置制造光纤、预制棒和套管的方法以及由此得到的光纤。

Description

等离子体化学汽相淀积装置和制造光纤、预制棒 及套管的方法以及由此制造的光纤
本发明涉及一种进行等离子体化学汽相淀积(PCVD)的装置，通过这种装置可以将一层或多层氧化硅(silica)淀积在一个细长的玻璃质衬底上，该装置包括一个细长的微波波导体，微波波导体延伸至一个谐振腔，谐振腔大致围绕一圆筒轴呈圆筒状对称，衬底可以沿此圆筒轴放置。
这里的术语“氧化硅”应被理解为SiOx形式的任何物质，无论是否是化学计量的，也无论是晶态的还是非晶态的。
这种装置在例如光纤制造领域中是公知的，并且可以用于制造通常所称的预制棒，由这种预制棒可以拉制光纤。在一种公知的制造这种预制棒的方法中，一个直的(例如由石英构成的)玻璃质衬底管在其内侧的圆筒形表面上涂覆有多层掺杂的氧化硅(例如掺锗的氧化硅)。这可以通过以下方式实现：沿谐振腔的圆筒轴放置衬底管，并且在管内注入(例如)包括O2、SiCl4和GeCl2的气体混合物；在谐振腔内同时产生局部等离子体，引起Si、O和Ge的反应，从而在衬底管内侧表面上直接淀积形成掺Ge的SiOx。由于这种淀积仅产生于局部等离子体附近，谐振腔(和等离子体)必须沿衬底管的圆筒轴摆动，以均匀涂覆其整个长度。当涂覆结束时，衬底管被热缩为一根棒，棒具有掺Ge的氧化硅芯体部分和环绕的未掺杂氧化硅包层部分。通常，这种棒的尺寸在大约1m长和2cm粗的量级。如果棒的一端被加热而变得熔化，就可以从棒拉制细的玻璃纤维(通常在大约为125μm粗的量级)并且缠绕在卷轴上；玻璃纤维具有与棒对应的芯体部分和包层部分。因为掺Ge的芯体具有比未掺杂的包层高的折射率，光纤可以起到波导体的作用，例如用于传播光通信信号。应当指出的是，注入衬底管的气体混合物还可以包含其它成分；例如，添加C2F6可以使掺杂的氧化硅的折射率减小。还应当指出的是，在拉制程序之前，预制棒可以放置在通常所称的套管(由未掺杂的氧化硅构成)中，以提高在最终的光纤中未掺杂的氧化硅相对于掺杂的氧化硅的含量。
这种光纤用于电信用途时要求光纤是无缺陷(例如掺杂物浓度的不均匀、不希望的断面椭圆度等缺陷)的，因为当光纤长度大时，这些缺陷可能导致所载信号的严重衰减。因此，PCVD工艺高度均匀是重要的，因为所淀积的PCVD层的质量将最终决定光纤的质量；相应地，谐振腔中产生的等离子体(围绕谐振腔的圆筒轴)高度旋转对称是很重要的。另一方面，如果预制棒可以做得较粗，制造工艺的经济效益将大大提高，因为这样可以从单根棒得到更大长度的光纤。然而，这两个目标是难以统一的，因为为了允许使用较粗的衬底管而增大谐振腔的直径通常会导致等离子体旋转对称性变劣；另外，只有消耗高得多的微波功率才能产生这种等离子体。
本发明的目的是要缓和这种两难局面。更具体地讲，本发明的目的是要提供一种PCVD装置，采用这种装置可以产生具有改善的旋转对称性的等离子体。尤其是，本发明的目的在于：这种装置应当可以适应较粗的衬底管。另外，本发明的目的在于：这种新的装置应当具有较低的微波功率消耗。
根据本发明，这些和其它目的是由开头段落中描述的一种装置实现的，该装置的特征在于：
谐振腔大体为环形，它具有内圆筒壁和外圆筒壁；
内圆筒壁包括一个狭缝，狭缝在围绕圆筒轴的整个圆周中延伸；
波导体具有一纵轴，纵轴大致垂直于圆筒轴并且与狭缝不相交。
根据本发明的装置利用了许多构思，这些构思组合给出了优异的结果。首先，由于谐振腔是环形而不只是开口的圆筒，它基本上是封闭的，这允许更有效地产生驻波；环形谐振腔的内壁中的狭缝则是唯一的途径，由此可以通过漏场由这种驻波产生等离子体。第二，由于微波波导体的纵轴不与狭缝相交，由波导体传输的微波能量不能直接进入等离子体，这在谐振腔中形成了更为可控的和高效的波形模式激励。尤其是，当根据本发明的这种装置用于在衬底管的内侧表面上淀积氧化硅时，这些因素的组合产生了以下的有益效果：
1)将微波能量耦合于等离子体较少地依赖于各种“负载”因素，例如注入衬底管(等离子体在此管中产生)的气体混合物的流速、成分和压强；
2)所产生的等离子体呈现为更“强”，其中Si·、O·和SiO·自由基(radical)比已有技术的装置中更多地产生；
3)对于给定的微波功率水平和“负载”(参见”)，到达衬底管的内壁的自由基数比已有技术的装置中要多。
结果，在给定的微波功率水平下可以实现大得多的氧化硅淀积速率。此外，GeO2掺杂物掺入所淀积的氧化硅中的效率可显著提高。与所产生的等离子体的旋转对称性明显好于已有技术这种因素结合，即使对于大于常规情况的衬底管直径，本发明的这些方面也能直接地显示出新装置的技术性和经济性优点。
应当指出的是，术语“微波波导体”在这里包括宽的范围，并且应当被理解为能够有效地将微波能量从产生装置(例如速调管)传输至谐振腔的任何装置。尤其是，这个术语包括诸如天线、同轴波导体、波导体管等装置。
根据本发明的装置的一个特定实施例的特征在于：波导体的纵轴不平分谐振腔，即，波导体的“口”在沿谐振腔圆筒轴的方向上相对于谐振腔的两端是不对称的(即不位于中心)。由于这种措施，将微波能量耦合于产生的等离子体更少地依赖于“负载”。
根据本发明的装置的另一实施例的特征在于：谐振腔在平行于其圆筒轴的方向上的长度小于λ/2，其中，λ是由波导体传输的微波辐射的真空波长。这种措施考虑了狭缝在谐振腔和等离子体之间产生的电容耦合，并且总体上有助于促进在要求的频率上的谐振。
根据本发明的装置的再一实施例的特征在于：均在平行于圆筒轴的方向上测量的狭缝的宽度W和谐振腔的长度L满足关系式：W≤L/10。这种相对窄的狭缝有利于在所产生的等离子体中形成高的电场强度。
根据本发明的装置的一个特定实施例的特征在于：在谐振腔的每个开口端之外并且邻近谐振腔设置有一个扼制部件(choke)。术语“扼制部件”例如由A.C.Metaxax和R.J.Meredith在《工业微波加热》(Peter Peregrinus有限公司(伦敦)，1983，ISBN：0 906048 89 3，尤其是可参见其中第336和286-7页)中作了说明。使用按这种方式设置在谐振腔的端部的扼制部件(例如λ/4波导体)具有许多优点，包括：
所产生的等离子体在平行于圆筒轴的方向中的更好约束(定域)；
减少了微波辐射向谐振腔的外部环境的泄漏，由此降低了可能对操作者健康带来的危险。
根据本发明的装置的进一步的实施例的特征在于：在波导体伸向谐振腔的区域中，波导体端接一个由波导体传输的微波可透射的材料构成的部件。这种低耗的、非离子化材料的端接部件的存在可防止在波导体和谐振腔壁之间产生电火花。这种材料的例子包括氮化硼、聚四氟乙烯(PTFE)、各种陶瓷和真空(例如维持于抽真空的玻璃容器中的真空)。
本发明还涉及一种制造光纤的方法，包括顺序进行的以下步骤：
采用PCVD，在圆筒形的玻璃质衬底管的内侧表面上淀积掺杂的氧化硅层；
使衬底管热缩形成一预制棒；
使预制棒的一端变熔并且由此拉制光纤。
根据本发明，这种方法的特征在于：PCVD是在根据本发明的装置中进行的，其中，衬底管沿圆筒轴设置在谐振腔的内壁之内，衬底管和谐振腔大致是同轴的，并且谐振腔沿衬底管的长度(的至少一部分)前后移动。如此采用根据本发明的PCVD装置允许更快和更经济地制造预制棒，并且还使预制棒的掺杂断面呈现更好的旋转对称性；由此得到的光纤降低了信号衰减。
正如前面已描述的，在拉制光纤之前，预制棒可以被安装一个氧化硅套管中，并且这个附加步骤应当被理解为落入了前段中所述的方法的范围之内。
本发明还涉及一种制造光纤预制棒的套管的方法。套管是(未掺杂)氧化硅的圆筒形管，它可以如此置于预制棒上：预制棒和套管同轴。预制棒和套管的一个公共端然后被熔合在一起，光纤从这个熔合端拉制，并且随着拉制工艺继续，预制棒和套管的剩余部分逐渐地熔合在一起。由于它位于预制棒的未掺杂的包层部分之外，套管不必具有高的光学质量；按这种方式使用套管是在预制棒外侧添加额外的氧化硅(由此使最终的预制棒加粗并且允许由其拉制出具有给定的直径的更长光纤)的一种简单、廉价的途径。通常，套管是通过以下方式制造的：采用外侧汽相淀积(OVD)方法在衬底芯杆上淀积氧化硅层；随后进行干燥、烧结和机加工处理程序，得到直径在约4-5cm量级和壁厚在约1cm量级的管。这个直径明显大于衬底管的直径(通常在约3cm量级)。
根据本发明，另一种制造光纤预制棒的套管的方法的特征在于：采用PCVD方法在圆筒形玻璃质套筒的内侧表面上淀积未掺杂的氧化硅层，PCVD是在根据本发明的装置中进行的，其中，套筒沿圆筒轴设置在谐振腔的内壁之内，套筒和谐振腔大致是同轴的，并且谐振腔沿套筒的长度(的至少一部分)前后移动。最后的产品(套筒+淀积的氧化硅)就是所要求的套管。
在按这种方式制造套管时，使用本发明显示出与常规情况的很大差异。因为套管必需较粗，所使用的玻璃质套筒(它用作衬底)也必须具有较大的直径，并且谐振腔必须相应地大到足以围绕套筒。但是，这也会导致大范围的等离子体，带来了在等离子体的外围区域中旋转对称性差的附带危险。然而，正如已经描述的那样，即使在增大的直径的情况下，根据本发明的PCVD装置也能实现所产生的等离子体中旋转对称性的改善。此外，根据本发明的装置以较低的微波功率实现了氧化硅的高效和快速淀积，使得大量的氧化硅可以很经济地淀积在套筒的内侧(以达到所需的套管厚度)。另外，与已有技术不同，根据本发明的方法是一步式工艺，它不需要干燥、烧结或机加工程序。
应当指出的是，这里描述了谐振腔沿衬底管或玻璃质套筒的长度的移动，意欲表达相对移动，即，实际上，谐振腔或衬底都可以移动，只要存在两者(沿它们共同的圆筒轴)的相对移动即可。
下面将采用示范性实施例和附图对本发明及其附带的优点进行进一步的说明，附图为根据本发明的PCVD装置的一部分的剖视图。
示范性实施例
附图为根据本发明的PCVD装置1的一部分的剖视图。该装置1包括一个细长的微波波导体3，波导体3将一个速调管(未示出)连接至一个谐振腔5，谐振腔5是围绕圆筒轴7圆筒状对称的。谐振腔5大体为环形，它具有内圆筒壁9和外圆筒壁11。内圆筒壁9包括一个狭缝13，狭缝13在围绕圆筒轴7的整个圆周中延伸(在垂直于图面的平面中)。波导体3具有(中心)纵轴15，纵轴15大致垂直于圆筒轴7。纵轴15和狭缝13以如此方式彼此相对偏置：轴15与狭缝13不相交。
谐振腔5在平行于圆筒轴7的方向上具有长度L，而(在相同方向上测量的)狭缝13的宽度为W。如图所示，波导体3的纵轴15向一侧偏置，以致于它不平分谐振腔5，即，在平行于轴7的方向上测量，纵轴15和谐振腔5的任一端面19、21之间的距离都不是L/2。
如图所示，在波导体3伸向谐振腔5的区域中，波导体3端接一个微波透射体17；例如，这个微波透射体17可以采取TEFLON(聚四氟乙烯)“插塞”的形式。在进一步优选的实施例中，L＜λ/2(其中，λ是由波导体3传输至谐振腔5的微波辐射的真空波长)，并且W≤L/10。
在装置1的一个有益实施例中，靠近谐振腔5的每个端面19、21设置有一个扼制部件(未示出)。每个这种扼制部件可以采取环形的λ/4波导体的形式，其中心位于圆筒轴7上并且设置成紧靠(例如在几毫米内)相关的端面19、21。
在谐振腔5的内壁9内存在一个直径为D的开口的圆柱形孔4，并且它沿圆筒轴7延伸。一个衬底管(未示出)可以放置在这个孔4内并沿这个孔滑动。
在使用时，一种气体混合物可以沿孔4注入，并且装置1可用于在孔4的一部分内产生等离子体(未示出)，正如前面所描述的那样。

Claims (8)

1.一种进行等离子体化学汽相淀积的装置，通过这种装置可以将一层或多层氧化硅淀积在一个细长的玻璃质衬底上，该装置包括一个细长的微波波导体，微波波导体延伸至一个谐振腔，谐振腔围绕一圆筒轴呈圆筒状对称，衬底可以沿此圆筒轴放置，其中
谐振腔为环形，它具有内圆筒壁和外圆筒壁；
内圆筒壁包括一个狭缝，狭缝在围绕圆筒轴的整个圆周中延伸；
波导体具有一纵轴，纵轴垂直于圆筒轴并且与狭缝不相交，其特征在于：均在平行于圆筒轴的方向上测量的狭缝的宽度W和谐振腔的长度L满足关系式：W≤L/10。
2.根据权利要求1的装置，其特征在于：纵轴不平分谐振腔。
3.根据权利要求1或2的装置，其特征在于：谐振腔在平行于其圆筒轴的方向上的长度小于λ/2，其中，λ是由波导体传输的微波辐射的真空波长。
4.根据权利要求1或2的装置，其特征在于：在谐振腔的每个开口端之外并且邻近谐振腔设置有一个扼制部件。
5.根据权利要求1或2的装置，其特征在于：在波导体伸向谐振腔的区域中，波导体端接一个由波导体传输的微波可透射的材料构成的部件。
6.一种制造光纤的方法，包括顺序进行的以下步骤：
采用等离子体化学汽相淀积，在圆筒形的玻璃质衬底管的内侧表面上淀积掺杂的氧化硅层；
使衬底管热缩形成一预制棒；
使预制棒的一端变熔并且由此拉制光纤，
其特征在于：等离子体化学汽相淀积是在根据权利要求1-5中任一项要求保护的装置中进行的，其中，衬底管沿圆筒轴设置在谐振腔的内壁之内，衬底管和谐振腔是同轴的，并且谐振腔沿衬底管的长度前后移动。
7.一种制造光纤预制棒的方法，包括顺序进行的以下步骤：
采用等离子体化学汽相淀积，在圆筒形的玻璃质衬底管的内侧表面上淀积掺杂的氧化硅层；
使衬底管热缩形成一预制棒，
其特征在于：等离子体化学汽相淀积是在根据权利要求1-5中任一项要求保护的装置中进行的，其中，衬底管沿圆筒轴设置在谐振腔的内壁之内，衬底管和谐振腔是同轴的，并且谐振腔沿衬底管的长度前后移动。
8.一种制造光纤预制棒的套管的方法，其特征在于：采用等离子体化学汽相淀积在圆筒形玻璃质套筒的内侧表面上淀积未掺杂的氧化硅层，等离子体化学汽相淀积是在根据权利要求1-5中任一权利要求的装置中进行的，其中，套筒沿圆筒轴设置在谐振腔的内壁之内，套筒和谐振腔是同轴的，并且谐振腔沿套筒的长度前后移动。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104276752A (zh) * 2013-07-01 2015-01-14 德拉克通信科技公司 通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6715441B2 (en) * 1997-12-31 2004-04-06 Plasma Optical Fibre B.V. PCVD apparatus and a method of manufacturing an optical fiber, a preform rod and a jacket tube as well as the optical fiber manufactured therewith
JP4610126B2 (ja) * 2001-06-14 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 プラズマｃｖｄ装置
NL1019371C2 (nl) * 2001-11-15 2003-05-16 Draka Fibre Technology Bv Werkwijze voor het bereiden van zeer zuiver siliciumchloride en/of germaniumchloride.
AU2002354375A1 (en) * 2001-12-04 2003-06-17 Draka Fibre Technology B.V. Device for applying an electromagnetic microwave to a plasma container
NL1020358C2 (nl) * 2002-04-10 2003-10-13 Draka Fibre Technology Bv Werkwijze en inrichting ter vervaardiging van optische voorvormen, alsmede de daarmee verkregen optische vezels.
NL1022140C2 (nl) * 2002-12-11 2004-06-15 Draka Fibre Technology Bv Werkwijze voor de depositie van een of meer glaslagen met laag hydroxylgehalte op het inwendige van een substraatbuis.
NL1024015C2 (nl) * 2003-07-28 2005-02-01 Draka Fibre Technology Bv Multimode optische vezel voorzien van een brekingsindexprofiel, optisch communicatiesysteem onder toepassing daarvan en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke vezel.
NL1024480C2 (nl) 2003-10-08 2005-04-11 Draka Fibre Technology Bv Werkwijze ter vervaardiging van een voorvorm voor optische vezels, alsmede werkwijze ter vervaardiging van optische vezels.
NL1025155C2 (nl) * 2003-12-30 2005-07-04 Draka Fibre Technology Bv Inrichting voor het uitvoeren van PCVD, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm.
CN1333489C (zh) * 2005-03-23 2007-08-22 长飞光纤光缆有限公司 等离子体谐振腔可调谐波导装置
NL1032015C2 (nl) * 2006-06-16 2008-01-08 Draka Comteq Bv Inrichting voor het uitvoeren van een plasma chemische dampdepositie (PCVD) en werkwijze ter vervaardiging van een optische vezel.
NL1032867C2 (nl) 2006-11-14 2008-05-15 Draka Comteq Bv Inrichting en een werkwijze voor het uitvoeren van een depositieproces van het type PCVD.
NL1033783C2 (nl) 2007-05-01 2008-11-06 Draka Comteq Bv Inrichting voor het uitvoeren van een plasma chemische dampdepositie alsmede werkwijze ter vervaardiging van een optische voorvorm.
CN101182113B (zh) * 2007-11-20 2011-02-09 长飞光纤光缆有限公司 大直径光纤芯棒的pcvd制作方法
NL2004874C2 (nl) 2010-06-11 2011-12-19 Draka Comteq Bv Werkwijze voor het vervaardigen van een primaire voorvorm.
CN102263000B (zh) * 2011-06-24 2013-05-15 长飞光纤光缆有限公司 一种等离子体微波谐振腔
JP5828232B2 (ja) * 2011-06-29 2015-12-02 住友電気工業株式会社 ガラス母材用加熱炉
NL2007809C2 (en) * 2011-11-17 2013-05-21 Draka Comteq Bv An apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process.
NL2007831C2 (en) 2011-11-21 2013-05-23 Draka Comteq Bv Apparatus and method for carrying out a pcvd deposition process.
NL2007968C2 (en) * 2011-12-14 2013-06-17 Draka Comteq Bv An apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process.
US9002162B2 (en) 2013-03-15 2015-04-07 Ofs Fitel, Llc Large core multimode optical fibers
NL2010724C2 (en) 2013-04-26 2014-10-29 Draka Comteq Bv A pcvd method for manufacturing a primary preform for optical fibers.
NL2011075C2 (en) * 2013-07-01 2015-01-05 Draka Comteq Bv Pcvd process with removal of substrate tube.
NL2012857B1 (en) 2014-05-22 2016-03-07 Draka Comteq Bv Apparatus and method for carrying out a plasma deposition process.
NL2014519B1 (en) 2015-03-25 2017-01-25 Draka Comteq Bv A rotary feed-through for mounting a rotating substrate tube in a lathe, a CVD lathe and a corresponding method using the CVD lathe.
NL2017575B1 (en) 2016-10-04 2018-04-13 Draka Comteq Bv A method and an apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process and a method
CN106094065B (zh) * 2016-06-07 2018-07-10 长飞光纤光缆股份有限公司 一种梯度折射率石英玻璃透镜的制备方法
CN111056740B (zh) * 2020-01-13 2023-09-12 成都翱翔拓创光电科技合伙企业(有限合伙) 一种pcvd法制备有源光纤预制棒的装置和方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4292063A (en) * 1980-05-05 1981-09-29 Northern Telecom Limited Manufacture of an optical fiber preform with micro-wave plasma activated deposition in a tube
DE3204846A1 (de) * 1982-02-11 1983-08-18 Schott Glaswerke, 6500 Mainz Plasmaverfahren zur innenbeschichtung von glasrohren
GB8330821D0 (en) * 1983-11-18 1983-12-29 Gen Electric Co Plc Manufacture of optical fibre preforms
DE3632684A1 (de) * 1986-09-26 1988-03-31 Philips Patentverwaltung Verfahren und vorrichtung zum innenbeschichten von rohren
DE4203369C2 (de) * 1992-02-06 1994-08-11 Ceramoptec Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Vorformen für Lichtwellenleiter
US5597624A (en) * 1995-04-24 1997-01-28 Ceram Optic Industries, Inc. Method and apparatus for coating dielectrics

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104276752A (zh) * 2013-07-01 2015-01-14 德拉克通信科技公司 通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法
CN104276752B (zh) * 2013-07-01 2018-08-03 德拉克通信科技公司 通过等离子体沉积工艺制造光纤用初级预制品前体的方法

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