CN111716832B - 抗静电有机硅离型膜 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了抗静电有机硅离型膜,其中当该膜从粘合剂上被除去时提供了优异的抗静电特性而不产生静电副作用,获得了固化层与基底之间的优异粘附,并且固化层具有高的交联度,从而实现了稳定的离型特性。本发明的抗静电有机硅离型膜包括:基底膜;和至少设置在基底膜的一个表面上的抗静电有机硅离型组合物的固化层,其中固化层包括抗静电区域和有机硅离型区域,在抗静电区域中表现出有机硅离型特性的硅离子与表现出抗静电特性的硫化物离子之间的强度比(Si‑/S‑)小于1,在有机硅离型区域中所述强度比大于10。
Description
技术领域
以下描述一般地涉及抗静电有机硅离型膜,并且更特别地涉及这样的抗静电有机硅离型膜,其中当该膜从粘合剂上被除去时提供了优异的抗静电特性而不产生静电副作用,获得了固化层与基底之间的优异粘附,并且固化层具有高的交联度,从而实现了稳定的离型特性。
背景技术
近来,随着半导体、电气和电子技术以及显示器的快速工业发展,在这些领域中越来越多地使用合成树脂或合成纤维,但是在加工期间出现静电的问题。
通常,在用于保护粘合剂层的离型膜的领域中,一直需要抗静电特性。常规地,已经为粘合剂层提供了抗静电特性以解决诸如当离型膜与粘合剂层分离时由静电引起的污染、剥离失败等的问题。然而,由于抗静电剂与粘合剂之间的不相容性,可能无法实现足够的抗静电效果。因此,在近来的制造过程中,除粘合剂层之外为离型层提供抗静电特性变得越来越普遍。
作为用于精密材料的离型膜所需的离型特性,需要以下特性:根据粘合剂的类型和使用目的在适当范围内的剥离力;高的粘合剂粘附率,用于确保粘附性不会因离型层转移至粘合剂层而降低;耐溶剂性,用于确保离型层不被粘合剂中使用的有机溶剂破坏;离型层与基底之间高的粘附性,用于防止离型层在加工期间通过摩擦而被擦掉,等等。此外,由于将粘合剂层制造为薄膜,并且使用离型膜作为粘合剂载体膜,因此还需要几乎不随温度和时间变化的稳定的离型特性。
现有的抗静电技术包括内部添加阴离子化合物、沉积金属化合物、涂覆导电无机颗粒、涂覆低分子离子化合物、涂覆导电聚合物等。基于这样的抗静电技术,通过在有机硅组合物中使用金属来生产抗静电离型膜。
然而,这样的常规技术的缺点在于,该技术在经济可行性方面不利,可能无法实现足够的抗静电性能,并且可能无法形成均匀的涂覆层。此外,当在抗静电组合物中使用离子化合物时,硅离型组合物的固化被抑制,使得可能无法获得稳定的离型特性,并且抗静电离型层与基底之间的粘附性低,使得离型层分离或者粘合性能降低。
此外,通常使用离线涂覆方法,其中抗静电层与离型层分开涂覆,以为这样的离型层提供抗静电特性。因此,在各自的涂覆过程期间,由于异物、划痕等而经常出现品质问题,从而导致高的生产成本。
因此,本发明的发明人发现,使用具有相容性优异的导电聚合物树脂和反应性优异的粘结剂化合物的混合物的用于生产离型膜的有机硅离型涂覆组合物通过一次涂覆过程可以生产抗静电有机硅离型膜,并且基于该发现完成了本发明。
[现有技术文献]
[专利文献]
(专利文献1)韩国特许专利公开第10-2015-0104477号
发明内容
技术问题
为了解决上述问题并为了满足上述要求而做出本发明,并且本发明的一个目的是提供通过在线制造方法而具有优异的抗静电特性的抗静电有机硅离型膜,使得当用作半导体、电气和电子设备以及显示器用的离型膜时,抗静电有机硅离型膜可以减少诸如当离型膜与粘合剂分离时由静电引起的污染、剥离失败等副作用。
本发明的另一个目的是提供具有优异的剥离力和高的残留粘附率的抗静电有机硅离型膜,使得离型膜可以根据使用目的适当地使用而不会降低粘合剂层的性能,并且具有耐久性和耐溶剂性优异的致密固化层。此外,本发明的抗静电有机硅离型膜提供了固化层与基底之间高的粘附性,并且表现出几乎不随温度和时间变化的物理特性,从而确保稳定的离型特性。
本发明的上述和其他的目的和优点将根据以下对优选实施方案的详细描述而变得明显。
技术方案
根据本发明的一个方面,上述目的通过提供这样的抗静电有机硅离型膜来实现,所述抗静电有机硅离型膜包括:基底膜;和至少设置在基底膜的一个表面上的抗静电有机硅离型组合物的固化层,其中固化层包括抗静电区域和有机硅离型区域,在抗静电区域中表现出有机硅离型特性的硅离子与表现出抗静电特性的硫化物离子(sulfide ion)之间的强度比(Si-/S-)小于1,在有机硅离型区域中该强度比大于10。
在此,固化层的强度比(Si-/S-)在距与基底膜的边界最远的最上部处可以为10至10000,并且在为基底膜的边界的最下部处可以为0.001至1。
抗静电区域与有机硅离型区域之间的厚度比可以优选满足下式1,
(式1)
1/10<AV/RV<1/3,
其中AV可以表示抗静电区域的厚度,以及RV可以表示有机硅离型区域的厚度。
抗静电有机硅离型组合物可以优选包含烯基聚硅氧烷、氢聚硅氧烷、导电聚合物树脂、粘结剂化合物和螯合的铂催化剂。
基于100重量份的烯基聚硅氧烷,抗静电有机硅离型组合物可以优选包含2.5重量份至7.5重量份的氢聚硅氧烷、1重量份至10重量份的导电聚合物树脂、5重量份至20重量份的粘结剂化合物、和10ppm至1000ppm的螯合的铂催化剂。
抗静电有机硅离型组合物还可以优选地包含具有阳离子和阴离子二者的离子型表面活性剂,其中离子型表面活性剂可以具有选自磺基、磷基或羧基的阴离子基团。
基于100重量份的烯基聚硅氧烷,离子型表面活性剂可以优选以0.01重量份至5重量份的量存在。
粘结剂化合物可以优选包含硅烷类化合物和非硅烷类多官能化合物。
硅烷类化合物可以优选为环氧-硅烷化合物、氨基-硅烷化合物、乙烯基-硅烷化合物、甲基丙烯酰氧基-硅烷化合物和异氰酸酯-硅烷化合物中的至少一者或更多者;以及非硅烷类多官能化合物可以优选为具有环氧官能团的基于环氧的多官能化合物。
基于环氧的多官能化合物可以优选具有选自氨基、羟基、醛基、酯基、乙烯基、丙烯酰基、酰亚胺基、氰基和异氰酸酯基的一种或更多种官能团,并且在一个分子中具有三个或更多个的官能团。
非硅烷类多官能化合物与硅烷类化合物的重量比可以优选为2至20。
导电聚合物树脂可以优选为平均粒径为10nm至90nm的水性分散体,并且可以为聚阴离子和聚噻吩的水性分散体、或者聚阴离子和聚噻吩衍生物的水性分散体。
抗静电有机硅离型组合物的固含量可以优选为0.5重量%至15重量%。
基底膜的表面张力可以优选地是固化层的1.0倍至1.5倍。
基底膜的厚度可以优选地为15μm至300μm,以及固化层的厚度可以优选地为0.01μm至10μm。
固化层可以优选同时满足以下条件1至3,
(1)5≤RF≤30
(2)80≤SA≤100
(3)10^4≤SR≤10^10,
其中RF可以表示固化层的剥离力(g/英寸),SA可以表示固化层的残留粘附率(%),以及SR可以表示固化层的表面电阻(Ω/sq)。
根据本发明的另一个方面,上述目的通过提供这样的抗静电有机硅离型膜来实现,所述抗静电有机硅离型膜包括:基底膜;至少设置在基底膜的一个表面上的抗静电有机硅离型组合物的固化层;和设置在基底膜的另一个表面上的有机硅离型层,其中固化层包括抗静电区域和有机硅离型区域,在抗静电区域中表现出有机硅离型特性的硅离子与表现出抗静电特性的硫化物离子之间的强度比(Si-/S-)小于1,在有机硅离型区域中该强度比大于10。
有益效果
根据本发明,抗静电有机硅离型膜具有抗静电特性,使得可以解决诸如当将离型膜与粘合剂层分离时由静电引起的污染、剥离失败等的问题。
此外,抗静电有机硅离型膜具有优异的剥离力和高的残留粘附率,使得离型膜可以根据使用目的适当地使用而不会降低粘合剂层的性能,并且固化层具有优异的耐久性和对有机溶剂的耐溶剂性和与基底高的粘附性,使得固化层几乎不会通过摩擦而被擦掉。
此外,本发明的抗静电有机硅离型膜具有致密的固化层,表现出几乎不随温度和时间变化的稳定的离型特性。
本发明的效果不限于前述,并且本领域技术人员根据以下描述将清楚地理解本文中未描述的其他效果。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施方案的抗静电有机硅离型膜的截面图。
图2是根据本发明的另一个实施方案的抗静电有机硅离型膜的截面图。
图3是根据本发明的又一个实施方案的抗静电有机硅离型膜的截面图。
具体实施方式
在下文中,将参照实施例和附图详细地描述本发明。然而,本领域技术人员应当理解的是,这些实施例是为了更具体地说明本发明而提供,并且不应解释为限制本发明的范围。
除非另有定义,否则本文中使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。在冲突的情况下,以本说明书(包括本文中的任何定义)为准。虽然与本文中描述的那些类似或等同的任何方法和材料可以用于本发明的实施方案的实践或测试中,但是在本文中描述了优选的方法和材料。
如本文所用,术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包含(include)”、“包含(including)”、“含有”、“特征在于”、“具有”、“拥有”或其任何其他变体旨在涵盖非排他性内含物。例如,包括一系列要素的过程、方法、制品或设备不一定仅限于那些要素,而是可以包含未明确列出的其他要素或者这样的过程、方法、制品或设备所固有的其他要素。另外,除非明确相反地说明,否则术语“或”是指包含性的“或”,并不是指排他性的“或”。
在描述和/或要求保护本发明时,术语“共聚物”用于是指通过两种或更多种单体共聚所形成的聚合物。这样的共聚物包括二元共聚物、三元共聚物或更高级的共聚物。
在下文中,将参照为根据本发明的优选实施方案的抗静电有机硅离型膜的截面图的图1详细地描述根据本发明的一个方面的抗静电有机硅离型膜。
参照图1,根据本发明的一个实施方案的抗静电有机硅离型膜100包括基底膜110和至少设置在基底膜110的一个表面上的抗静电有机硅离型组合物的固化层120。
固化层120具有抗静电特性和有机硅离型特性二者。这样的抗静电特性和有机硅离型特性可以通过在生产离型膜时在线用抗静电有机硅离型组合物一次涂覆基底膜110来同时获得。
用于形成根据本发明的一个实施方案的抗静电有机硅离型膜的固化层120的抗静电有机硅离型组合物可以包含烯基聚硅氧烷、氢聚硅氧烷、导电聚合物树脂、粘结剂化合物和螯合的铂催化剂。此外,在一个实施方案中,抗静电有机硅离型组合物还可以包含具有阳离子和阴离子二者的离子型表面活性剂。
在一个实施方案中,烯基聚硅氧烷可以具有由以下化学式1表示的结构。
[化学式1]
在此,m和n独立地为10至500的整数。在这种情况下,m和n不表示嵌段结合,而仅表示单元之和为m和n。
因此,在上述化学式1中,每个单元通过无规结合或嵌段结合而形成。因此,R1、R2和R3各自表示选自-CH3、-CH=CH2、-CH2CH=CH2和-CH2CH2CH2CH2CH=CH2的烷基或烯基,并且烯基在分子上可以位于任何位置,但是优选存在至少两个或更多个烯基。
在一个实施方案中,氢聚硅氧烷可以具有由以下化学式2表示的结构。
[化学式2]
在此,a为1至200的整数,以及b为1至400的整数。在这种情况下,a和b不表示嵌段结合,而仅表示单元之和为a和b。因此,在上述化学式2中,每个单元通过无规结合或嵌段结合而形成。
由化学式1表示的烯基聚硅氧烷和由化学式2表示的氢聚硅氧烷可以具有直链、支化、辐射状或环状的分子结构中的任一种或其组合。此外,关于烯基聚硅氧烷和氢聚硅氧烷的混合比,基于100重量份的烯基聚硅氧烷,优选存在2.5重量份至7.5重量份的氢聚硅氧烷。如果混合的氢聚硅氧烷的量小于2.5重量份,则未反应的烯基聚硅氧烷增加,使得可能无法获得足够的可固化性,并且可能无法实现稳定的离型特性。如果混合的氢聚硅氧烷的量大于7.5重量份,则未反应的氢聚硅氧烷增加,使得剥离特性可能劣化。
在一个实施方案中,抗静电有机硅离型组合物包含导电聚合物树脂以赋予抗静电特性。导电聚合物树脂可以优选为聚阴离子和聚噻吩的水性分散体、或者聚阴离子和聚噻吩衍生物的水性分散体。
聚阴离子为酸性聚合物,并且为聚羧酸、聚磺酸或聚乙烯基磺酸等。聚羧酸的实例包括聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚马来酸等;以及聚磺酸的一个实例包括聚苯乙烯磺酸等,但不限于此。
聚阴离子优选相对于聚噻吩或聚噻吩衍生物以过量的固体重量比存在,以确保导电性。在本发明的实施方案中,使用0.5重量%的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)和0.8重量%的聚苯乙烯磺酸的水性分散体,但不限于此。聚阴离子与聚噻吩或聚噻吩衍生物的重量比优选在大于1且小于5的范围内,并且更优选在大于1且小于3的范围内。
此外,优选使用平均粒径为10nm至90nm的水性分散体作为导电聚合物树脂,以获得稳定的抗静电特性。如果导电聚合物树脂的平均粒径大于90nm,则导电聚合物树脂不能均匀地分布在固化层中,从而显著地增加表面电阻的偏差,并且不能获得足够的抗静电特性。此外,如果导电聚合物树脂的平均粒径小于10nm,则分子量降低,使得分子之间的距离变得大于预定距离,从而使得不能实现抗静电特性;并且如果对膜进行在线拉伸,则抗静电特性随着平均粒径减小而降低。
基于100重量份的烯基聚硅氧烷,导电聚合物树脂优选以1重量份至10重量份的量存在。如果基于100重量份的烯基聚硅氧烷,导电聚合物树脂的量小于1重量份,则抗静电效果不足,从而使表面电阻特性劣化;而如果基于100重量份的烯基聚硅氧烷,导电聚合物树脂的量大于10重量份,则导电聚合物树脂抑制有机硅的固化,从而降低了离型特性。
在一个实施方案中,抗静电有机硅离型组合物可以包含粘结剂化合物,以通过调节交联密度来获得稳定的离型特性和抗静电特性,以通过增加与导电聚合物树脂的相容性来实现均匀的抗静电特性,并且以改善固化层的耐溶剂性和耐久性以及固化层与基底之间的粘附性。
粘结剂化合物可以包含硅烷类化合物和非硅烷类多官能化合物。更具体地,在粘结剂化合物中,非硅烷类多官能化合物与硅烷类化合物的重量比优选为2至20。硅烷类化合物可以为环氧-硅烷化合物、氨基-硅烷化合物、乙烯基-硅烷化合物、甲基丙烯酰氧基-硅烷化合物和异氰酸酯-硅烷化合物中的至少一者或更多者;以及非硅烷类多官能化合物可以为具有环氧官能团的基于环氧的多官能化合物。
基于环氧的多官能化合物是优选的,原因是基于环氧的化合物具有优异的与导电聚合物树脂的相容性和拉伸性。即,相容性根据N、C和O的量而变化,并且由于烯基附接至导电聚合物的官能团,因此产生膨胀效果,从而提高了拉伸性。基于环氧的多官能化合物具有选自氨基、羟基、醛基、酯基、乙烯基、丙烯酰基、酰亚胺基、氰基和异氰酸酯基的一种或更多种官能团,并且优选在一个分子中具有三个或更多个官能团。
基于100重量份的烯基聚硅氧烷,粘结剂化合物优选以5重量份至20重量份的量存在。如果粘结剂化合物的量小于5重量份,则存在以下缺点:固化层由于固化层与基底之间的低粘附性而被除去,或者由于与导电聚合物树脂的相容性降低而表现出不均匀的抗静电特性。如果粘结剂化合物的量大于20重量份,则剥离特性、残留粘附率等受到影响,从而使离型特性劣化。
在一个实施方案中,抗静电有机硅离型组合物包含螯合的铂催化剂,所述螯合的铂催化剂促进化学式1的化合物与化学式2的化合物的加成反应,并且抗静电有机硅离型组合物中包含的螯合的铂催化剂的量优选为1ppm至1000ppm。
在一个实施方案中,抗静电有机硅离型组合物还可以包含具有阳离子(阳离子基团)和阴离子(阴离子基团)二者的离子型表面活性剂作为表面活性剂。这样的离子型表面活性剂可以为例如包含具有可离解的阳离子和阴离子基团的酯化合物的离子型表面活性剂。
当施加不具有阴离子基团的非离子型表面活性剂时,存在以下问题:可能无法适当地调节抗静电有机硅离型组合物的表面张力,使得当涂覆基底膜时可能无法提供足够的润湿特性,并且在抗静电有机硅离型膜的外观上观察到缺陷。特别地,当施加包含硅氧烷的基于有机硅的非离子型表面活性剂时,存在以下问题:不仅可能无法适当地调节抗静电有机硅离型组合物的表面张力,而且与导电聚合物树脂的相容性不足,使得形成聚集体,从而导致膜的外观上的缺陷。为了解决这些问题,在本发明中优选使用具有阳离子和阴离子二者的离子型表面活性剂。
此外,对于本发明中使用的表面活性剂,在具有阴离子基团的离子型表面活性剂中,抗静电离型组合物包含具有选自磺基、磷基或羧基的阴离子基团(即,衍生自磺酸、亚磷酸或羧酸的阴离子基团)的离子表面活性剂。通过施加包含这样的具有阴离子基团的离子型表面活性剂的抗静电离型组合物,可以确保最适合于基底膜的润湿特性,同时保持与烯基聚硅氧烷、氢聚硅氧烷和导电聚合物树脂的相容性。在本发明的实施方案中,通过使用二辛基磺基琥珀酸钠盐(dioctyl sulfosuccinate sodium salt)和二辛基磷基琥珀酸钠盐(dioctyl phosphor succinate sodium salt)作为离子型表面活性剂给出了描述,但是离子型表面活性剂不限于此。
基于100重量份的烯基聚硅氧烷,离子型表面活性剂可以以0.01重量份至5重量份的量,并且优选地以0.05重量份至1重量份的量存在。如果离子型表面活性剂的量小于0.01重量份,则其不足以充当表面活性剂,使得可能无法实现改善抗静电有机硅离型膜的外观的效果。此外,如果离子型表面活性剂的量大于5重量份,则与粘合剂的相容性增加,这增加了剥离力等,从而导致不稳定的离型特性。
在一个实施方案中,优选在将抗静电有机硅离型组合物稀释以具有0.5重量%至15重量%的固含量之后,将抗静电有机硅离型组合物涂覆在聚酯基底膜上。如果抗静电有机硅离型组合物的固含量小于0.5重量%,则可能无法获得均匀的固化层,使得可能无法实现稳定的离型特性和抗静电特性。如果抗静电有机硅离型组合物的固含量大于15重量%,则在膜之间发生粘连,并且涂覆组合物与基底之间的粘附性劣化,从而导致有机硅的转移和经涂覆的外观上的缺陷。
抗静电有机硅离型组合物的溶剂可以是任何类型,只要可以将本发明的抗静电有机硅离型组合物的固体内容物分散并涂覆在聚酯基底膜上即可,但是可以优选为使用水作为主要介质的基于水的涂覆溶液。
根据本公开内容的一个实施方案的抗静电有机硅离型膜的固化层120可以通过使用诸如棒涂法、反向辊涂法、凹版辊涂法等的已知方法涂覆前述抗静电有机硅离型膜组合物一次或更多次来形成。
在根据本公开内容的一个实施方案的抗静电有机硅离型膜中,基底膜的表面张力优选为固化层的1.0倍至1.5倍。在这种情况下,如果基底膜的表面张力小于固化层的表面张力的1.0倍,则涂覆溶液的润湿特性劣化,而如果基底膜的表面张力大于固化层的表面张力的1.5倍,则涂覆溶液凝结,使得在膜的外观上观察到缺陷。
另外,为了改善本发明中使用的抗静电有机硅离型组合物的涂覆特性、透明度等,可以以不妨碍本发明的效果的适当量进一步包含有机溶剂。作为合适的有机溶剂,可以使用异丙醇、丁基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲醇、乙醇等。然而,如果在涂覆组合物中包含大量有机溶剂,则当以在线涂覆方法使用涂覆组合物时,在干燥、拉伸和热处理期间存在爆炸的风险。因此,在涂覆组合物中,有机溶剂的量优选为10重量%或更小,并且更优选为5重量%或更小。
此外,根据本发明的一个实施方案的基底膜110优选为聚酯基底膜,并且具有优选为15μm至300μm的厚度。如果基底膜110的厚度小于15μm,则由外力引起的变形增加,使得该膜不适合用作载体膜,而如果基底膜110的厚度大于300μm,则经济可行性低。
此外,根据本发明的一个实施方案的固化层120的厚度优选为0.01μm至10μm。如果固化层120的厚度小于0.01μm,则可能无法形成均匀的固化层,而如果固化层120的厚度大于10μm,则可能在聚酯基底膜110的一个表面和背面之间发生粘连。
另外,为了将与通过使用离线法涂覆两次而获得的抗静电离型膜相似的抗静电区域与剥离区域区分开,本发明施加离子型表面活性剂以确保导电聚合物树脂与有机硅之间的相容性,并且以获得优异的润湿特性。此外,通过将抗静电区域与有机硅离型区域(剥离区域)区分开,可以实现本发明的技术目的。
根据本发明的一个实施方案的固化层可以包括抗静电区域和有机硅离型区域二者,在所述抗静电区域中表现出有机硅离型特性的硅离子(Si-)与表现出抗静电特性的硫化物离子(S-)之间的强度(或计数)比(Si-/S-)小于1;在所述有机硅离型区域中所述强度比大于10。这样的强度比可以通过TOF-SIMS来测量,并且可以表示单个固化层中的硅离子与硫化物离子之间的相对比。
固化层的强度比(Si-/S-)在距与基底膜的边界最远的最上部处优选为10至10000,并且在为基底膜的边界的最下部处优选为0.001至1。通过具有这样的强度比,可以在单个固化层中同时获得优异的抗静电特性和硅离型特性。在最上部处的强度比可以优选为100至5000。如在相分离结构中,使表现出硅离型特性的硅离子和表现出抗静电特性的硫化物离子分层使得可以获得两种特性。
此外,固化层的抗静电区域与硅离型区域之间的厚度比满足下式1,其中AV表示抗静电区域的厚度,以及RV表示有机硅离型区域的厚度。
(式1)
1/10<AV/RV<1/3
如果式1的值小于或等于1/10,则表面电阻特性劣化,而如果该值大于或等于1/3,则离型特性劣化。
此外,根据本发明的一个实施方案的固化层同时满足以下条件,其中RF表示固化层的剥离力(g/英寸),SA表示固化层的残留粘附率(%),以及SR表示固化层的表面电阻(Ω/sq)。
(1)5≤RF≤30
(2)80≤SA≤100
(3)10^4≤SR≤10^10
参照为根据本发明的另一个实施方案的抗静电有机硅离型膜的截面图的图2,根据本发明的另一个实施方案的抗静电有机硅离型膜200包括:基底膜210、设置在基底膜210的一个表面上的前述抗静电有机硅离型组合物的固化层220、和设置在基底膜210的另一个表面上的前述抗静电有机硅离型组合物的固化层230。在这种情况下,用于形成固化层230的涂覆组合物可以不包含剥离力调节剂。
另外,参照为根据本发明的又一个实施方案的抗静电有机硅离型膜的截面图的图3,根据本发明的又一个实施方案的抗静电有机硅离型膜300包括:基底膜310、设置在基底膜310的一个表面上的前述抗静电有机硅离型组合物的固化层320、和设置在基底膜310的另一个表面上的有机硅离型层330。在这种情况下,用于形成有机硅离型层330的涂覆组合物可以不包含导电聚合物树脂。
在下文中,将参照实施例和比较例进一步详细地描述本发明的配置和效果。然而,应当理解,这些实施例是为了更具体地说明本发明而提供,但是不应解释为限制本发明的范围。
[实施例]
[实施例1]
为了在经电晕处理的聚酯基底膜(Excell-50μm,由Toray Advanced MaterialsKorea Inc.制造)的一个表面上形成抗静电有机硅离型层,基于100重量份的为固体内容物的烯基聚硅氧烷(由Dow Corning制造),将3重量份的氢聚硅氧烷(由Dow Corning制造)、2.5重量份的导电聚合物树脂(包含0.5重量%的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)和0.8重量%的聚苯乙烯磺酸(分子量Mn=150000),并且平均粒径为50nm的水性分散体)、10重量份的基于环氧的粘结剂化合物(由Esprix Technologies制造)、50ppm的螯合的铂催化剂(由DowCorning制造)、和0.2重量份的离子型表面活性剂(二辛基磺基琥珀酸钠盐)在水中混合,以生产抗静电有机硅离型组合物。
将所生产的抗静电有机硅离型组合物在水中稀释以具有5重量%的固含量,并且将其涂覆在聚酯基底膜的一个表面上。在涂覆之后,将聚酯基底膜在180℃下干燥50秒,以生产抗静电有机硅离型膜。
[实施例2]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于基于100重量份的烯基聚硅氧烷,添加10重量份的导电聚合物树脂。
[实施例3]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于基于100重量份的烯基聚硅氧烷,添加2重量份的导电聚合物树脂。
[实施例4]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于基于100重量份的烯基聚硅氧烷,添加7重量份的导电聚合物树脂。
[实施例5]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于基于100重量份的烯基聚硅氧烷,添加5重量份的导电聚合物树脂。
[实施例6]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于基于100重量份的烯基聚硅氧烷,添加1重量份的导电聚合物树脂。
[实施例7]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于使用二辛基磷基琥珀酸钠盐作为离子型表面活性剂。
[实施例8]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在使用0.2重量份的二辛基磺基琥珀酸钠盐和0.2重量份的二辛基磷基琥珀酸钠盐的混合物作为离子型表面活性剂。
[实施例9]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于添加15重量份的基于环氧的粘结剂化合物。
[实施例10]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于添加20重量份的基于环氧的粘结剂化合物。
[实施例11]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于将所生产的抗静电有机硅离型组合物在水中稀释以具有2.5重量%的固含量。
[比较例]
[比较例1]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于基于100重量份的烯基聚硅氧烷,添加0.5重量份的导电聚合物树脂。
[比较例2]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于基于100重量份的烯基聚硅氧烷,添加15重量份的导电聚合物树脂。
[比较例3]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于使用0.2重量份的基于有机硅的表面活性剂(由Dow Corning制造)作为表面活性剂。
[比较例4]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于未添加粘结剂化合物。
[比较例5]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于未添加导电聚合物树脂。
[比较例6]
以与实施例1中相同的方式生产抗静电有机硅离型膜,不同之处在于添加25重量份的基于环氧的粘结剂化合物。
在以下实验例中使用实施例1至11和比较例1至6中生产的离型膜来测量物理特性。并且结果示于下表1中。
[实验例]
1.测量抗静电区域和剥离区域(有机硅离型区域)的厚度
通过使用椭圆偏振计(Elli-SE,由Ellipso Technology Co.,Ltd.制造)测量固化层的总厚度。
通过使用XRF(Minipal 4,由Panalytical Inc.制造)测量有机硅涂覆层的厚度值,以用作剥离区域值。
通过下式2计算抗静电区域的厚度。
[式2]
抗静电区域=固化层的总厚度(通过椭圆偏振计测量)–有机硅涂覆层的厚度(通过XRF测量)
2.测量Si-离子与S-离子之间的强度(计数)比(Si-/S-)
强度比通过飞行时间二次离子质谱法(TOF-SIMS;ION-TOF,德国)来测量。
以带负电模式在Ar-团簇5 KeV的能量下进行测量。
3.测量抗静电特性
通过将样品放置在23℃且50%RH的环境中,根据JIS K7194通过使用表面电阻计(MCP-T600,由Mitsubishi Chemical Corp.制造)来测量固化层的表面电阻。
4.测量剥离力
在通过使用双面粘合带将离型膜以固化层面朝上附接至冷轧不锈钢板上之后,将粘合带(TESA 7475)层合在离型层上,并通过使用2kg压力辊进行按压。然后,将离型膜在室温下静置1天至7天,并测量剥离力。
通过使用AR-1000(Chem-Instrument)以180°的剥离角和0.3mpm的剥离速度测量剥离力。测量剥离力五次以计算平均值(g/英寸),将其四舍五入至小数点后一位。
5.测量残留粘附率
将粘合带(Nitto 31B)层合在固化层上,通过使用2kg压力辊进行按压,并在室温下静置30分钟。然后,将粘合带从固化层上剥离,并附接至冷轧不锈钢板以测量剥离力。
此外,为了比较,将未使用的粘合带(Nitto 31B)附接至冷轧不锈钢板以测量剥离力。
通过使用AR-1000(Chem-Instrument)以180°的剥离角和0.3mpm的剥离速度测量剥离力。测量剥离力五次以计算平均值。
通过下式3计算残留粘附率。
[式3]
残留粘附率=从固化层上剥离的粘合带的剥离力/未使用的粘合带的剥离力×100(%)
6.测量缺陷的面积
相对于尺寸为5cm×5cm的离型膜样品的面积,测量起泡缺陷的面积。通过测量尺寸为5cm×5cm的离型膜样品中的起泡缺陷的最长长度,通过画圆来计算面积,然后通过对全部的面积求和,获得起泡缺陷的面积(cm2)。
经由通过下式4计算起泡缺陷面积比,根据以下标准评估起泡缺陷的水平(经涂覆的外观)。
[式4]
起泡缺陷面积比(%)=起泡缺陷面积/25cm2×100(%)
◎:大于或等于0%且小于1%
○:大于或等于1%且小于2%
△:大于或等于2%且小于5%
X:大于或等于5%
7.测量耐溶剂性
测量膜表面的耐溶剂性。
通过将棉拭子浸入异丙醇中,并且在将棉拭子的角度保持在45度的同时以100g的负荷在固化层上来回地摩擦棉拭子10次,基于以下标准对涂覆表面的耐溶剂状态进行评估。
◎:优异
○:良好
△:正常
X:差
8.测量擦掉特性
通过用拇指来回地摩擦固化层五次并用肉眼检查该层,基于以下标准对擦掉特性进行评估。
◎:测量之后无变化(没有抹掉)
○:被轻微地擦掉,但在实际使用中没有问题(轻微的抹掉)
△:固化层被抹掉像油一样并且变得模糊(抹掉)
X:固化层凝结并被擦掉(擦掉)
[表1]
如上述表1中所示,可以看出,根据实施例1至11的抗静电有机硅离型膜几乎没有缺陷,并且具有固化层的优异的经涂覆的外观和优异的擦掉特性。此外,抗静电有机硅离型膜具有在适当范围内的表面电阻值和剥离力值,以及优异的残留粘附率。此外,还可以看出,根据本发明的实施例8的抗静电有机硅离型膜表现出优异的外观和物理特性。
此外,在根据实施例1至11和比较例1至6的离型膜中,基于离型膜的固化层中的抗静电区域与有机硅离型区域之间的厚度比,以及固化层中的最上部和最下部处的硅离子与硫化物离子之间的比,可以看出为抗静电特性的表面电阻值与为离型特性的剥离力、残留粘附率和外观彼此相关,并且基于相关性而变化。
此外,在根据本发明的实施例9的有机硅离型膜中,可以看出,当使用增加量的粘结剂和等量的导电聚合物时,有机硅离型膜具有优异的表面电阻特性。
此外,在实施例10和11中,即使当导电聚合物和烯基聚硅氧烷的绝对量改变时,如果抗静电区域与剥离区域之间的比没有显著地改变,则也可以获得优异的离型特性。
相比之下,在根据比较例1和2的离型膜中,可以看出,导电聚合物的量太小或太大,以至于为抗静电特性的表面电阻过度地增加,或者为离型特性的残留粘附率过度地减小。
此外,在根据比较例3的离型膜中,如果在其中不包含离子型表面活性剂,则经涂覆的外观差,并且剥离特性劣化。
此外,在根据比较例4和5的离型膜中,如果不包含基于环氧的粘结剂化合物或导电聚合物树脂,则可能无法获得表面电阻特性。
此外,在根据比较例6的离型膜中,如果粘结剂化合物的量太大,则虽然表面电阻特性可以改善,但是离型特性严重劣化。
如上所述,可以根据期望的使用目的来施加抗静电有机硅离型膜,但不限于此。此外,本发明可以提供用于精密材料领域的具有优异品质的抗静电有机硅离型膜。此外,通过具有在适当范围内的剥离力和高的残留粘附率,可以根据使用目的适当地使用抗静电有机硅离型膜,而不会使粘合剂层的功能劣化。
此外,在根据本发明的抗静电有机硅离型膜中,固化层具有优异的耐久性、对有机溶剂优异的耐溶剂性和与基底高的粘附性,使得固化层几乎不被摩擦而擦掉。此外,通过具有优异的抗静电特性,抗静电有机硅离型膜的效果可以解决诸如由静电引起的污染、剥离失败等的问题。
在本说明书中,仅示出了由发明人进行的多个实施方案的一些实例,但是应注意,本发明的技术范围不限于此,并且可以由本领域技术人员以各种方式进行修改。
附图标记说明
100、200、300:抗静电有机硅离型膜
110、210、310:基底膜
120、220、230、320:固化层
330:有机硅离型层
Claims (15)
1.一种抗静电有机硅离型膜,包括:
基底膜;和
至少设置在所述基底膜的一个表面上的抗静电有机硅离型组合物的固化层,
其中所述固化层包括抗静电区域和有机硅离型区域,在所述抗静电区域中表现出有机硅离型特性的硅离子与表现出抗静电特性的硫化物离子之间的强度比(Si-/S-)小于1,在所述有机硅离型区域中所述强度比大于10,
其中所述固化层的所述强度比(Si-/S-)在距与所述基底膜的边界最远的最上部处为10至10000,并且在为所述基底膜的所述边界的最下部处为0.001至1,以及
其中所述抗静电区域与所述有机硅离型区域之间的厚度比满足下式1,
(式1)
1/10<AV/RV<1/3,
其中,AV表示所述抗静电区域的厚度,以及RV表示所述有机硅离型区域的厚度。
2.根据权利要求1所述的抗静电有机硅离型膜,其中所述抗静电有机硅离型组合物包含烯基聚硅氧烷、氢聚硅氧烷、导电聚合物树脂、粘结剂化合物和螯合的铂催化剂。
3.根据权利要求2所述的抗静电有机硅离型膜,其中基于100重量份的所述烯基聚硅氧烷,所述抗静电有机硅离型组合物包含2.5重量份至7.5重量份的所述氢聚硅氧烷、1重量份至10重量份的所述导电聚合物树脂、5重量份至20重量份的所述粘结剂化合物、和10ppm至1000ppm的所述螯合的铂催化剂。
4.根据权利要求2所述的抗静电有机硅离型膜,其中所述抗静电有机硅离型组合物还包含具有阳离子和阴离子二者的离子型表面活性剂,
其中所述离子型表面活性剂具有选自磺基、磷基或羧基的阴离子基团。
5.根据权利要求4所述的抗静电有机硅离型膜,其中基于100重量份的所述烯基聚硅氧烷,所述离子型表面活性剂以0.01重量份至5重量份的量存在。
6.根据权利要求2所述的抗静电有机硅离型膜,其中所述粘结剂化合物包含硅烷类化合物和非硅烷类多官能化合物。
7.根据权利要求6所述的抗静电有机硅离型膜,其中:
所述硅烷类化合物为环氧-硅烷化合物、氨基-硅烷化合物、乙烯基-硅烷化合物、甲基丙烯酰氧基-硅烷化合物和异氰酸酯-硅烷化合物中的至少一者或更多者;以及
所述非硅烷类多官能化合物为具有环氧官能团的基于环氧的多官能化合物。
8.根据权利要求7所述的抗静电有机硅离型膜,其中所述基于环氧的多官能化合物具有选自氨基、羟基、醛基、酯基、乙烯基、丙烯酰基、酰亚胺基、氰基和异氰酸酯基的一种或更多种官能团,并且在一个分子中具有三个或更多个官能团。
9.根据权利要求6所述的抗静电有机硅离型膜,其中所述非硅烷类多官能化合物与所述硅烷类化合物的重量比为2至20。
10.根据权利要求2所述的抗静电有机硅离型膜,其中所述导电聚合物树脂为平均粒径为10nm至90nm的水性分散体,并且为聚阴离子和聚噻吩的水性分散体、或者聚阴离子和聚噻吩衍生物的水性分散体。
11.根据权利要求1所述的抗静电有机硅离型膜,其中所述抗静电有机硅离型组合物的固含量为0.5重量%至15重量%。
12.根据权利要求1所述的抗静电有机硅离型膜,其中所述基底膜的表面张力是所述固化层的1.0倍至1.5倍。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的抗静电有机硅离型膜,其中所述基底膜的厚度为15μm至300μm,以及所述固化层的厚度为0.01μm至10μm。
14.根据权利要求1至12中任一项所述的抗静电有机硅离型膜,其中所述固化层同时满足以下条件1至3,
(1)5≤RF≤30
(2)80≤SA≤100
(3)104≤SR≤1010,
其中RF表示所述固化层的剥离力,所述剥离力的单位为g/英寸,SA表示所述固化层的残留粘附率,所述残留粘附率的单位为%,以及SR表示所述固化层的表面电阻,所述表面电阻的单位为Ω/sq。
15.一种抗静电有机硅离型膜,包括:
基底膜;
至少设置在所述基底膜的一个表面上的抗静电有机硅离型组合物的固化层;和
设置在所述基底膜的另一个表面上的有机硅离型层,
其中所述固化层包括抗静电区域和有机硅离型区域,在所述抗静电区域中表现出有机硅离型特性的硅离子与表现出抗静电特性的硫化物离子之间的强度比(Si-/S-)小于1,在所述有机硅离型区域中所述强度比大于10,
其中所述固化层的所述强度比(Si-/S-)在距与所述基底膜的边界最远的最上部处为10至10000,并且在为所述基底膜的所述边界的最下部处为0.001至1,以及
其中所述抗静电区域与所述有机硅离型区域之间的厚度比满足下式1,
(式1)
1/10<AV/RV<1/3,
其中,AV表示所述抗静电区域的厚度,以及RV表示所述有机硅离型区域的厚度。
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