CN111712763A - 抗蚀剂图案的制造方法、电路基板的制造方法及触摸面板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种抗蚀剂图案的制造方法以及包括上述抗蚀剂图案的制造方法的电路基板的制造方法及触摸面板的制造方法，所述抗蚀剂图案的制造方法包括：使具有临时支承体和包含聚合物及光产酸剂的正型感光性树脂层的转印材料的、以上述临时支承体为基准而言的上述正型感光性树脂层侧的最外层与基板接触而贴合至上述基板上的工序；对上述贴合工序后的上述正型感光性树脂层进行加热的工序；对上述加热工序后的上述正型感光性树脂层进行图案曝光的工序；及对经上述图案曝光的上述正型感光性树脂层进行显影的工序。
Description
技术领域
本发明涉及一种抗蚀剂图案的制造方法、电路基板的制造方法及触摸面板的制造方法。
背景技术
例如，在静电电容型输入装置等具备触摸面板的显示装置等(例如，有机电致发光(EL)显示装置、液晶显示装置等)中，在触摸面板内部设置有相当于视觉辨认部的传感器的电极图案、边缘布线部分及引出布线部分的布线等电路布线。
在形成这种图案化的电路布线时，从用于获得所需的图案形状的工序数少的理由而言，研究将干膜抗蚀剂用作感光性转印材料来制造抗蚀剂图案。
具体而言，广泛使用如下方法：使用干膜抗蚀剂，在基板上形成感光性树脂层(感光性树脂组合物的层)，通过经由具有图案的掩模对上述感光性树脂层进行图案曝光，并对曝光后的感光性树脂层进行显影而获得抗蚀剂图案，然后，对基板进行蚀刻处理，由此形成电路布线。
在日本特开平11-327164号公报中，记载有图像形成方法，其特征在于，将由感光性树脂组合物层和支承体薄膜构成的光致抗蚀剂薄膜以使感光性树脂组合物层侧与基板接触的方式进行层合之后，在温度20～100℃且压力1kg/cm2以上的条件下进行1～60分钟的高压灭菌处理之后进行曝光及显影。
在日本特开平10-020113号公报中，记载有滤色器的制造法，其特征在于，在透明基板上对具有基底膜和经着色的感光性树脂层的感光性薄膜反复进行包括(1)以使经着色的感光性树脂层与上述基板面对的方式贴合的工序、(2)曝光成图案状的工序及(3)显影工序的工序来形成多色图案的滤色器的制造法中，在第二种颜色以后的工序中，包括在(1)的工序后对贴合有上述感光性薄膜的上述基板进行急冷，然后在上述(2)的工序前将上述基板放置于高压下的工序。
发明内容
发明要解决的技术课题
本发明人等发现了，在使用具有正型感光性树脂层的感光性转印材料来进行抗蚀剂图案的制造的情况下，在曝光及显影后产生在正型感光性树脂层中的基板侧的表面附近显影不够充分而导致无法完全显影的残膜残留在基板的表面上等问题，从而有时难以形成分辨率高的抗蚀剂图案。
本发明的一实施方式要解决的课题在于提供一种可以获得分辨率优异的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案的制造方法及使用了上述抗蚀剂图案的制造方法的电路基板的制造方法及触摸面板的制造方法。
用于解决技术课题的手段
在用于解决上述课题的方法中包含以下方式。
＜1＞一种抗蚀剂图案的制造方法，其包括：使具有临时支承体和包含聚合物及光产酸剂的正型感光性树脂层的转印材料的、以上述临时支承体为基准而言的上述正型感光性树脂层侧的最外层与基板接触而贴合至上述基板上的工序；对上述贴合工序后的上述正型感光性树脂层进行加热的工序；对上述加热工序后的上述正型感光性树脂层进行图案曝光的工序；及对经上述图案曝光的上述正型感光性树脂层进行显影的工序。
＜2＞根据上述＜1＞所述的抗蚀剂图案的制造方法，其在上述贴合工序后且上述加热工序前，包括将包括上述正型感光性树脂层及上述基板的结构体卷绕成卷的工序，上述加热工序为对上述卷进行加热的工序，并在上述加热工序后且上述图案曝光工序前，包括将上述卷开卷的工序。
＜3＞根据上述＜1＞或＜2＞所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，上述加热工序中的加热温度为上述聚合物在1个气压下的玻璃化转变温度以上的温度。
＜4＞根据上述＜1＞～＜3＞中任一项所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，上述聚合物具有被酸分解性基团保护的酸基。
＜5＞根据上述＜4＞所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，上述加热工序中的加热温度为上述聚合物中的被上述酸分解性基团保护的酸基在1个气压下的分解温度以下。
＜6＞根据上述＜4＞或＜5＞所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，上述聚合物中的具有被上述酸分解性基团保护的酸基的结构单元为由下述式A3表示的结构单元。
[化学式1]
式A3中，R31及R32分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R31及R32中的任一个为烷基或芳基，R33表示烷基或芳基，R31或R32可以与R33连接而形成环状醚，R34表示氢原子或甲基，X0表示单键或亚芳基，Y表示-S-或-O-。
＜7＞根据上述＜1＞～＜6＞中任一项所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，上述加热工序中的上述加热在0.15MPa以上的气氛下进行。
＜8＞一种电路基板的制造方法，其包括：使用具有导电层及基材的基板作为上述基板，并通过上述＜1＞～＜7＞中任一项所述的抗蚀剂图案的制造方法在上述导电层上制造抗蚀剂图案的工序；及将通过制造上述抗蚀剂图案的工序而获得的上述抗蚀剂图案用作掩模，并对上述导电层进行蚀刻的工序。
＜9＞根据上述＜8＞所述的电路基板的制造方法，其中，上述导电层包括包含铜的层。
＜10＞根据上述＜8＞或＜9＞所述的电路基板的制造方法，其中，上述基材包含环烯烃聚合物。
＜11＞一种触摸面板的制造方法，其包括上述＜8＞～＜10＞中任一项所述的电路基板的制造方法。
发明效果
根据本发明的一实施方式，能够提供一种可以获得分辨率优异的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案的制造方法及使用了上述抗蚀剂图案的制造方法的电路基板的制造方法及触摸面板的制造方法。
附图说明
图1是表示本发明所涉及的正型感光性转印材料的层结构的一例的示意图。
图2是表示使用了本发明所涉及的正型感光性转印材料的触摸面板用电路基板的制造方法的一例的示意图。
图3是表示图案A的示意图。
图4是表示图案B的示意图。
具体实施方式
以下，对本发明的内容进行说明。另外，参考附图进行说明，但是有时省略符号。
并且，在本说明书中所使用“～”表示的数值范围表示将记载于“～”的前后的数值作为下限值以及上限值而包含在内的范围。
在本说明书中阶段性地记载的数值范围中，在一个数值范围内记载的上限值或下限值可以替换为其他阶段性地记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本说明书中所记载的数值范围内，其数值范围的上限值或下限值可以替换为实施例所示的值。
并且，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”表示丙烯酸以及甲基丙烯酸这两个或任一个，“(甲基)丙烯酸酯”表示丙烯酸酯以及甲基丙烯酸酯这两个或任一个。
进而，在本说明书中，组合物中存在多个符合各成分的物质的情况下，只要无特别指明，组合物中的各成分的量是指存在于组合物中的该多个物质的总计量。
在本说明书中“工序”一词不仅表示独立的工序，即使在无法与其他工序明确区分的情况下，只要能够达成工序的预期目的，则也包含于本用语中。
在本说明书中，“总固体成分”是指，从组合物的所有组成中去除溶剂而获得的成分的总质量。并且，“固体成分”是指，如上所述去除溶剂而获得的成分，例如在25℃下可以为固态，也可以为液态。
在本说明书中的基团(原子团)的表述中，未标有经取代及未经取代的表述包含不具有取代基的基团，并且还包含具有取代基的基团。例如，“烷基”不仅包含不具有取代基的烷基(未经取代的烷基)，还包含具有取代基的烷基(经取代的烷基)。
并且，本说明书中的化学结构式有时还会以省略了氢原子的简略结构式记载。
在本发明中，“质量％”与“重量％”的含义相同，“质量份”与“重量份”的含义相同。
并且，在本发明中，2个以上的优选方式的组合是更优选方式。
并且，本发明中的重均分子量(Mw)及数均分子量(Mn)，除非另有说明，则为以如下方式获得的分子量，即通过使用了TSKgel GMHxL、TSKgel G4000Hx L、TSKgel G2000HxL(均为TOSOH CORPORATION制造的产品名称)的管柱的凝胶渗透色谱(GPC)分析装置，利用溶剂THF(四氢呋喃)、差示折射计进行检测，并使用聚苯乙烯作为标准物质进行换算而获得的分子量。
(抗蚀剂图案的制造方法)
本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法包括：使具有临时支承体和包含聚合物及光产酸剂的正型感光性树脂层(以下，简称为“正型感光性树脂层”。)的转印材料的、以上述临时支承体为基准而言的上述正型感光性树脂层侧的最外层与基板接触而贴合至上述基板上的工序；对上述贴合工序后的上述正型感光性树脂层进行加热的工序；对上述加热工序后的上述正型感光性树脂层进行图案曝光的工序；及对经上述图案曝光的上述正型感光性树脂层进行显影的工序。
本发明人等进行了深入研究，其结果，发现了根据本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法，可以获得分辨率优异的抗蚀剂图案。
虽然可以获得上述效果的机制的详细内容尚不明确，但是推测为如下。
本发明人等发现了，在使用了具有正型感光性树脂层的转印材料的抗蚀剂图案的制造中，在曝光及显影后产生在正型感光性树脂层中的基板侧的表面附近显影不够充分而导致无法完全显影的残膜残留在基板的表面上等问题，从而有时难以形成分辨率高的抗蚀剂图案。
上述问题的原因尚不明确，但是推测这是因为，空气中的少量的胺成分进入到正型感光性树脂层的与临时支承体相反的一侧的表面附近，从而导致显影性降低。
其中，例如在基板上涂布感光性组合物而形成正型感光性树脂层并形成抗蚀剂图案的情况下，认为胺成分进入到与空气接触的一侧即正型感光性树脂层的上部(正型感光性树脂层的与基板相反的一侧)。因此，在使用了基于涂布而形成的正型感光性树脂层的情况下，认为有时图案的上部的显影性等降低，但是图案的下部(基板侧)的显影性良好。因此，在通过涂布于基板上而形成的正型感光性树脂层的情况下，认为难以产生残膜等问题。
其中，在使用了在临时支承体上涂布感光性组合物而形成正型感光性树脂层的感光性转印材料的情况下，认为与空气接触而有胺成分进入的一侧为正型感光性树脂层的与临时支承体相反的一侧。在将这种在正型感光性树脂层的与临时支承体相反的一侧有胺成分进入的正型感光性树脂层转印至基材上的情况下，胺成分所进入的区域成为正型感光性树脂层的基材侧。
并且，认为在正型感光性树脂层中胺成分所进入的区域中的显影性的降低是由于在使用通过光产酸剂产生的酸被胺成分捕获的被酸分解性基团保护的酸基的情况下，酸分解性基团的脱保护被上述胺成分阻碍等现象引起的。
如此，认为基于空气中的胺成分等的显影性的降低是在使用了正型感光性树脂层的情况下特有的问题，在负型感光性树脂层中不会发生。
因此，本发明人等进行了深入研究，其结果，发现了根据本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法，可以获得分辨率优异的抗蚀剂图案的制造方法。
可以获得上述效果的机理尚不明确，但是推测这是因为，通过加热使胺成分在正型感光性树脂层中扩散，从而消除胺成分在正型感光性树脂层的基材侧的表面附近的分布不均匀。
尤其，认为在正型感光性树脂层包含具有被酸分解性基团保护的酸基的聚合物的情况下，通过加热使胺成分扩散，从而相较于胺成分分布不均匀的情况，在正型感光性树脂层的曝光部分中被上述酸分解性基团保护的酸基的脱保护容易以几乎均匀的状态进行，因此图案形状好转，容易获得分辨率优异的抗蚀剂图案。
以下，对本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法进行详细地说明。
＜贴合工序＞
本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法包括使具有临时支承体和包含聚合物及光产酸剂的正型感光性树脂层的转印材料的、以上述临时支承体为基准而言的上述正型感光性树脂层侧的最外层与基板接触而贴合至上述基板的工序(贴合工序)。
上述最外层可以为正型感光性树脂层，也可以为在正型感光性转印材料中形成于正型感光性树脂层上的紫外线吸收层及密合层等其他层。
对在本发明中所使用的正型感光性转印材料的详细内容将在后面进行叙述。
〔基板〕
作为基板，并无特别限定，但是优选使用在基材的表面上具有导电层的基板(也称为“电路布线形成用基板”。)。
并且，基板可以具有多个材质不同的导电层，在此情况下，优选在基材上层叠有多个材质不同的导电层。
在使用电路布线形成用基板作为基板的情况下，在贴合工序中，优选使上述正型感光性转印材料的上述最外层与上述基板的上述导电层接触而贴合。
使用通过本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法而获得的抗蚀剂图案，并通过蚀刻等对电路布线形成用基板中的导电层进行图案化，从而能够制造具有电路布线的基板。
在本发明中，将形成有电路布线的基板也称为“电路基板”。
在本发明中，作为电路布线形成用基板，也优选使用在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)及环烯烃聚合物等膜基材上设置有金属氧化物及金属等多个导电层的基板。
-基材-
基材优选为玻璃基材或膜基材，更优选为膜基材。在将本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法用于触摸面板用电路基板的制造中的情况下，基材尤其优选为片状树脂。
并且，基材优选为透明。
基材的折射率优选为1.40～1.70。
基材可以由玻璃基材等透光性基材构成，能够使用以Corning Incorporat edCo.,Ltd.的大猩猩玻璃(Gorilla Glass)为代表的强化玻璃等。并且，作为所述透明基材，能够优选地使用在日本特开2010-086684号公报、日本特开2010-152809号公报以及日本特开2010-257492号公报中所使用的材料。
在使用膜基材作为基材的情况下，更优选使用光学畸变小的基材及透明度高的基材，具体的素材能够举出聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terepht halate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、三乙酰纤维素及环烯烃聚合物。
上述中，从光学特性及加热工序中针对加热的耐热性的观点而言，作为基材，优选包含环烯烃聚合物的基材。作为环烯烃聚合物，优选雾度低的环烯烃聚合物，作为例子，可以举出ZEONOR薄膜ZF-14、ZF-16(Zeon Corporation制)等。
-导电层-
作为包括在基板中的导电层，能够无特别限制地使用通常的电路布线或触摸面板布线中所使用的导电层。
作为导电层的材料，能够举出金属及金属氧化物等。
作为金属氧化物，能够举出ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、IZO(Indium ZincOxide，氧化铟锌)及SiO2等。作为金属，能够举出Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr及Mo等。
其中，从导电性等观点而言，优选导电层包括包含铜的层。
在基板包括多个导电层的情况下，本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法中，优选多个导电层中的至少一个导电层包含金属氧化物。
作为导电层，优选为用于形成相当于静电电容型触摸面板中所使用的视觉辨认部的传感器的电路布线图案或边缘引出部的电路布线图案的导电层。
〔贴合方法〕
作为贴合工序中的贴合方法，并无特别限制，能够使用公知的方法。
例如，优选将正型感光性转印材料的正型感光性树脂层侧的最外层重叠于基板上(优选为导电层上)，并通过基于卷等进行加压及加热来贴合。在贴合中，能够使用层合机、真空层合机以及能够更加提高生产性的自动切割层合机(Auto-Cut laminator)等公知的层合机。
在基板的基材为树脂薄膜的情况下，也能够以卷对卷的方式进行贴合。
另外，有时将这种基板与感光性转印材料的贴合称为“转印”或“层合”。
＜加热工序＞
本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法包括对上述贴合工序后的上述正型感光性树脂层进行加热的工序(加热工序)。
〔加热温度〕
加热工序中的加热温度优选为上述正型感光性树脂层中所包含的聚合物在1个气压下的玻璃化转变温度以上的温度，更优选为比上述玻璃化转变温度高5℃以上的温度，进一步优选为比上述玻璃化转变温度高10℃以上的温度。
在聚合物包含具有被后述酸分解性基团保护的酸基的聚合物的情况下，上述加热工序中的上述加热温度优选为上述聚合物中的被上述酸分解性基团保护的酸基在1个气压下的分解温度以下，更优选为比上述分解温度低20℃以上的温度，进一步优选为比上述分解温度低30℃以上的温度。
并且，从抑制树脂薄膜的变形等观点而言，上述加热温度优选为100℃以下，更优选为70℃以下。
并且，关于加热温度的下限，并无特别限定，但是优选超过25℃，更优选为30℃以上，更优选为40℃以上。
例如，使用热电偶测定上述加热温度作为正型感光性树脂层的温度。
在本发明中，1个气压为101,325Pa。
-聚合物的玻璃化转变温度-
在本发明中，正型感光性树脂层中所包含的聚合物例如包含有后述正型感光性转印材料中的正型感光性树脂层中所包含的聚合物成分。
＜＜玻璃化转变温度的测定＞＞
关于本发明中的聚合物的玻璃化转变温度(Tg)，能够使用差示扫描量热法(DSC)来进行测定。玻璃化转变温度的测定在1个气压下进行。
具体的测定方法按照JIS K 7121(1987年)中所记载的方法进行。本说明书中的玻璃化转变温度能够使用外推玻璃化转变开始温度(以下，有时称为Tig)。
更具体地说明玻璃化转变温度的测定方法。
在求出玻璃化转变温度的情况下，保持比预期的聚合物的Tg低约50℃的温度直至装置稳定之后，以加热速度：20℃/分钟加热至比结束玻璃化转变的温度高约30℃的温度，并绘制示差热分析(DTA)曲线或DSC曲线。
外推玻璃化转变开始温度(Tig)即本说明书中的玻璃化转变温度Tg作为将DTA曲线或DSC曲线中的低温侧的基线延长至高温侧的直线与在玻璃化转变的阶梯状变化部分的曲线的梯度成为最大的点处的切线的交点的温度而求出。
在聚合物成分包含2种以上的聚合物的情况下，聚合物成分的Tg如下求出。
将第1个聚合物的Tg设为Tg1(K：开尔文)且将第1个聚合物相对于聚合物的合计质量的质量分数(mass fraction)设为W1，将第2个聚合物的Tg设为Tg2(K：开尔文)且将第2个聚合物相对于聚合物成分的合计质量的质量分数设为W2时，聚合物成分的Tg0(K：开尔文)能够按照下述FOX式进行推断。
FOX式：1/Tg0＝(W1/Tg1)+(W2/Tg2)
并且，在聚合物成分包含3种以上的聚合物的情况下，将第n个聚合物的Tg设为Tgn(K：开尔文)且将第n个聚合物相对于聚合物成分的合计质量的质量分数设为Wn时，与上述相同地，聚合物成分的Tg0(K：开尔文)能够按照下述式进行推断。
FOX式：1/Tg0＝(W1/Tg1)+(W2/Tg2)+(W3/Tg3)……+(Wn/Tgn)
从在低温下进行贴合工序中的层合的观点及抑制电路布线中的线宽的偏差的观点而言，上述聚合物成分的Tg优选为超过20℃且60℃以下，更优选为30℃以上且50℃以下。
-被酸分解性基团保护的酸基的分解温度-
聚合物中被酸分解性基团保护的酸基中的酸分解性基团为被酸分解的基团，但是也有许多被高温分解的基团。
本发明中，也将上述酸分解性基团在1个气压下分解的温度称为聚合物中被上述酸分解性基团保护的酸基在1个气压下的分解温度。
关于聚合物中被上述酸分解性基团保护的酸基在1个气压下的分解温度，按照JISK 7120(1987)(热重量测定)进行测定，并将试验片的质量变化开始的温度设为在1个气压下的分解温度。
在包含多个被酸分解性基团保护的酸基的情况下，例如优选在它们的多个分解温度中的最低的温度以下的温度下进行加热。并且，也可以在包含最多的酸分解性基团的分解温度以下的温度下进行加热。
〔加热时间〕
从提高抗蚀剂图案的分辨率的观点而言，加热工序中的加热时间优选为10分钟～300分钟，更优选为20分钟～180分钟。
〔加热机构〕
作为加热机构，并无特别限定，能够使用公知的机构，可以举出加热器、烤箱、热板、红外线灯及红外线激光等。并且，在一边加压一边进行加热的情况下，也能够使用后述高压灭菌等装置。
〔压力〕
上述加热优选在1个气压(约0.1MPa)以上的气氛下进行，更优选在0.15MPa以上的气氛下进行，进一步优选在0.2MPa以上的气氛下进行，尤其优选在0.3MPa以上的气氛下进行。上限并无特别限定，但是从装置的实际应用上的观点而言，优选100MPa以下，更优选10MPa以下，最优选3MPa以下。
认为通过一边加压一边进行加热而正型感光性树脂层等与基板接触的层和基板的密合性得到提高，因此可以获得分辨率更高的抗蚀剂图案。
作为施加上述压力的方法(加压方法)，可以举出使用高压灭菌等加压装置的方法。
并且，上述加热可以在空气环境下进行，也可以在氮置换环境下进行。
〔对卷进行加热的工序〕
并且，在使用后述卷对卷方式进行本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法的情况下，可以在开卷的状态下对包括上述正型感光性树脂层及上述基板的结构体进行加热，也可以在卷绕成卷状的状态下进行加热。
即，加热工序也可以为对卷进行加热的工序。
作为加热工序的一实施方式，可以优选地举出如下方式：在上述贴合工序后且后述加热工序前，包括将包括上述正型感光性树脂层及上述基板的结构体卷绕成卷的工序，上述加热工序为对上述卷进行加热的工序，并在上述加热工序后且上述图案曝光工序前，包括将上述卷开卷的工序。
上述卷绕工序及开卷工序并无特别限制，使用公知的卷对卷方式中的卷绕方法或开卷方法进行卷绕或开卷即可。
在对卷进行加热的情况下，上述加热温度优选设为卷最内部的温度。并且，作为上述加热时间，优选为卷最内部的温度到达加热温度之后维持的时间。
作为加热工序的另一实施方式，可以举出使用卷对卷方式一边以开卷状态输送包括上述正型感光性树脂层及上述基板的结构体一边对其进行加热(在线加热)的工序。
具体而言，例如能够通过在输送结构体的线上配置进行曝光工序的曝光机构且在上述线上的曝光机构的上游侧配置上述加热机构，将结构体开卷后，一边以开卷状态输送上述结构体一边进行加热之后进行曝光。
并且，作为加热工序的另一实施方式，可以举出使用片状的基板并对包括制作成片状的上述正型感光性树脂层及上述基板的结构体保持片状的状态进行加热的工序以及使用卷对卷方式，将包括上述正型感光性树脂层及上述基板的结构体的一部分切割成片状之后，对所获得的片状的结构体进行加热的工序等。
进而，在加热工序中，可以在剥离临时支承体之后进行加热。
＜曝光工序＞
本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法包括对加热工序后的上述正型感光性树脂层进行图案曝光的工序。
作为本发明中的曝光工序、显影工序及其他工序的例子，能够将日本特开2006-023696号公报的0035段～0051段中所记载的方法也优选地用于本发明中。
作为曝光方法，例如可以举出在正型感光性树脂层的与基板相反的一侧的上方配置具有规定的图案的掩模，然后经由上述掩模进行基于紫外线的曝光的方法等。
本发明中，图案的详细的配置及具体的尺寸并无特别限定。
在将通过本发明制造的抗蚀剂图案用于具备具有电路布线的输入装置的显示装置(例如触摸面板)的制造中的情况下，从提高显示品质且欲尽可能缩小引出布线所占的面积的方面而言，抗蚀剂图案的至少一部分(尤其触摸面板的电极图案及引出布线的形成中所使用的部分)优选为100μm以下的细线，进一步优选为70μm以下的细线。
其中，作为用于曝光的光源，只要能够照射正型感光性转印材料的被曝光的部位能够溶解于显影液的波长区域的光(例如，365nm、405nm等)，则能够适当地选定而使用。具体而言，可以举出超高压汞灯、高压汞灯及金属卤化物灯等。
作为曝光量，优选为5mJ/cm2～200mJ/cm2，更优选为10mJ/cm2～100mJ/cm2。
另外，图案曝光可以在从正型感光性树脂层剥离临时支承体之后进行，也可以在剥离临时支承体之前经由临时支承体进行曝光，然后从正型感光性树脂层剥离临时支承体。为了防止由正型感光性树脂层和掩模的接触引起的掩模污染及避免附着于掩模的异物对曝光产生的影响，优选不剥离临时支承体而进行曝光。另外，图案曝光可以为经由掩模的曝光，也可以为利用了激光等的数码曝光。
＜显影工序＞
显影工序为通过对经图案曝光的正型感光性树脂层进行显影来形成图案的工序。
经图案曝光的正型感光性树脂层的显影能够使用显影液来进行。
作为显影液，只要能够去除正型感光性树脂层的曝光部分，则并无特别限制，例如能够使用在日本特开平5-072724号公报中所记载的显影液等公知的显影液。另外，显影液优选使正型感光性树脂层的曝光部进行溶解型显影行为的显影液。例如，优选以0.05mol/L(升)～5mol/L的浓度含有pKa＝7～13的化合物的碱水溶液系显影液。显影液可以进一步含有与水具有混合性的有机溶剂、表面活性剂等。作为在本发明中优选地使用的显影液，例如可以举出国际公开第2015/093271号的0194段中所记载的显影液。
作为显影方式，并无特别限制，可以为旋覆浸没显影、喷淋显影、喷淋及旋转显影、浸渍显影等中的任一种。其中，若对喷淋显影进行说明，则通过喷淋将显影液喷吹到曝光后的正型感光性树脂层，能够去除曝光部分。并且，优选在显影后，将清洁剂等通过喷淋来进行喷吹，一边用刷子等进行擦拭一边去除显影残渣。显影液的液温优选20℃～40℃。
＜后烘干工序＞
进而，也可以具有对包括进行显影而获得的正型感光性树脂层的图案进行加热处理的后烘干工序。
后烘干的加热优选在8.1kPa～121.6kPa的环境下进行，更优选在506.6kP a以上的环境下进行。后烘干的加热更优选在114.6kPa以下的环境下进行，尤其优选在101.3kPa以下的环境下进行。
后烘干的温度优选为80℃～250℃，更优选为110℃～170℃，尤其优选为130℃～150℃。
后烘干的时间优选为1分钟～30分钟，更优选为2分钟～10分钟，尤其优选为2分钟～4分钟。
后烘干可以在空气环境下进行，也可以在氮置换环境下进行。
并且，后烘干工序可以具有后曝光工序等其他工序。
＜卷对卷方式＞
本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法优选通过卷对卷方式进行。
卷对卷方式是指如下方式：能够使用卷绕及开卷的基板作为基板，在抗蚀剂图案的制造方法中所包括的任一个工序之前，包括将基材或通过贴合工序形成的上述结构体开卷的开卷工序，在任一个工序之后包括将基材或上述结构体卷绕的卷绕工序，一边输送基材或上述结构体一边进行至少任一个工序(优选为所有工序或除加热工序以外的所有工序)的方式。
作为开卷工序中的开卷方法及卷绕工序中的卷绕方法，并无特别限制，使用在卷对卷的制造方法中公知的方法即可。
具体而言，在上述贴合工序、加热工序、曝光工序及显影工序之间，优选包括卷绕通过贴合工序形成的贴合有上述正型感光性树脂层与上述基板的结构体的工序及将上述结构体开卷的工序。
并且，在上述贴合工序之前，包括将在树脂薄膜等的薄膜上制作金属等导电层并通过卷绕制作的卷状基板开卷的工序，在贴合工序中可以将经开卷的上述卷状基板用作基板。
在通过卷对卷方式进行本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法的情况下，可以优选地举出如下方法。
(方法A)
(A-1)将卷状基板开卷并进行贴合工序之后卷绕结构体。
(A-2)对经卷绕的结构体(卷)进行加热，从而进行加热工序。
(A-3)将经卷绕的结构体开卷并进行曝光工序之后卷绕结构体。
(A-4)将经加热的结构体开卷并进行显影工序。
(方法B)
(B-1)将卷状基板开卷并进行贴合工序之后连续进行加热。卷绕结构体。
(B-2)将经卷绕的结构体开卷并连续进行曝光工序及加热工序之后卷绕结构体。
(B-3)将结构体开卷并进行显影工序。
在上述A-2中，进行上述在线加热。
并且，在上述A-4或B-3中，在后述电路基板的制造方法中，上述显影工序之后，优选进行蚀刻工序及根据需要进行正型感光性树脂层去除工序。蚀刻工序及根据需要进行的正型感光性树脂层去除工序例如与显影工序连续进行而不在显影工序后进行卷绕工序。
本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法可以包括其他任意的工序。
(正型感光性转印材料)
以下，对本发明中所使用的正型感光性转印材料(以下，也简称为“感光性转印材料”。)进行详细地说明。
图1示意地示出本发明所涉及的感光性转印材料的层结构的一例。图1所示的感光性转印材料100依次层叠有临时支承体12、正型感光性树脂层14及覆盖膜16。
正型感光性树脂层14含有聚合物及光产酸剂。
＜临时支承体＞
临时支承体为支承正型感光性树脂层且能够从正型感光性树脂层剥离的支承体。
从在对正型感光性树脂层进行图案曝光时能够经由临时支承体对正型感光性树脂层进行曝光的观点而言，本发明中所使用的临时支承体优选具有透光性。
具有透光性是指，在图案曝光中所使用的光的主波长的透射率为50％以上，从提高曝光灵敏度的观点而言，在图案曝光中所使用的光的主波长的透射率优选60％以上，更优选70％以上。作为透射率的测定方法，可以举出利用Otsuka Electronics Co.,Ltd.制MCPD Series进行测定的方法。
作为临时支承体，可以举出玻璃基板、树脂薄膜及纸等，从强度以及挠性等观点而言，尤其优选树脂薄膜。作为树脂薄膜，可以举出聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、三醋酸纤维素薄膜、聚苯乙烯薄膜及聚碳酸酯薄膜等。其中，尤其优选双轴延伸聚对苯二甲酸乙二酯薄膜。
临时支承体的厚度并无特别限定，优选5μm～200μm的范围，就容易处理、通用性等的观点而言，更优选10μm～150μm的范围。
从作为支承体的强度、与电路布线形成用基板的贴合所要求的挠性、最初的曝光工序中所要求的透光性等观点而言，临时支承体的厚度根据材质选择即可。
关于临时支承体的优选方式，例如在日本特开2014-085643号公报的0017段～0018段中有记载，该公报的内容编入于本说明书中。
＜正型感光性树脂层＞
在本发明中所使用的正型感光性转印材料在临时支承体上具有包含聚合物及光产酸剂的正型感光性树脂层。并且，上述聚合物优选具有被酸分解性基团保护的酸基。
并且，从灵敏度的观点而言，本发明中的正型感光性树脂层优选为化学放大型正型感光性树脂层。
后述鎓盐或肟磺酸盐化合物等光产酸剂中，感应活性放射线(也称为活化光线。)而生成的酸对上述聚合物中的被保护的酸基的脱保护作为催化剂发挥作用，因此以1个光量子的作用生成的酸有助于多数的脱保护反应，量子产率超过1成为例如10的数次方那样大的值，作为所谓化学放大的结果，可以获得高灵敏度。
另一方面，作为感应活性放射线的光产酸剂而使用了醌二叠氮化合物时，通过逐次型光化学反应而生成羧基，但是其量子产率一定为1以下，不符合化学放大型。
〔具备具有被酸分解性保护的酸基的结构单元的聚合物〕
上述正型感光性树脂层优选具备包含具有被酸分解性保护的酸基的结构单元(也称为“结构单元A”。)的聚合物(也简称为“聚合物A1”。)。
并且，上述正型感光性树脂层除了具有结构单元A的聚合物A1以外也可以包含其他聚合物。本发明中，也将包含结构单元A的聚合物A1及其他聚合物统称为“聚合物成分”。
另外，将聚合物成分设为不包含后述表面活性剂。
关于上述聚合物A1，通过由曝光产生的催化剂量的酸性物质的作用，聚合物A1中的被酸分解性基团保护的酸基受到脱保护反应并成为酸基。通过该酸基，能够溶解于显影液中。
进而，聚合物A1优选还具备具有酸基的结构单元。
以下，对结构单元A的优选方式进行说明。
上述正型感光性树脂层也可以包括除了具备具有被酸分解性基团保护的酸基的结构单元的聚合物A1以外的聚合物。
并且，上述聚合物成分中所包含的所有聚合物分别优选为至少包含具有后述酸基的结构单元的聚合物。
并且，上述正型感光性树脂层还可以含有除了这些以外的聚合物。除非另有说明，则本发明中的上述聚合物成分是指含有根据需要添加的其他聚合物。另外，符合后述交联剂及分散剂的化合物即使是高分子化合物，也设为不包含于上述聚合物成分中。
聚合物A1优选为加成聚合型树脂，更优选具有来自于(甲基)丙烯酸或其酯的结构单元的聚合物。另外，也可以具有除了来自于(甲基)丙烯酸或其酯的结构单元以外的结构单元，例如来自于苯乙烯的结构单元、来自于乙烯基化合物的结构单元等。
从抑制图案形状的变形、对显影液的溶解性及转印性的观点而言，上述正型感光性树脂层优选包含具有作为上述结构单元A的选自包括由下述式A1～式A3中的任一个表示的结构单元的组中的至少1种结构单元的聚合物作为聚合物成分，更优选包含具有作为上述结构单元A的选自包括由下述式A1～式A3中的任一个表示的结构单元的组中的至少1种结构单元及酸基的聚合物作为聚合物成分。
上述正型感光性树脂层中所包括的聚合物A1可以仅为1种，也可以为2种以上。
-结构单元A-
上述聚合物成分优选包括至少包含具有被酸分解性基团保护的酸基的结构单元A的聚合物A1。通过上述聚合物成分包括具有结构单元A的聚合物，能够将正型感光性树脂层制成极其高灵敏度的化学放大型感光性树脂层。
本发明中的“被酸分解性基团保护的酸基”中，作为酸基及酸分解性基团，能够使用公知的酸基及酸分解性基团，并无特别限定。作为具体的酸基，可以优选地举出羧基及酚性羟基。并且，作为被酸分解性保护的酸基，能够使用较容易被酸分解的基团(例如，在被由式A3表示的结构单元中被-CR31R32(YR33)基保护的酯基、四氢吡喃酯基或四氢呋喃酯基等缩醛系官能团)或较不容易被酸分解的基团(例如，叔丁酯基等叔烷基酯基、叔丁基碳酸酯基等叔烷基碳酸酯基)。
这些中，作为上述酸分解性基团，优选具有以缩醛的形式被保护的结构的基团。
并且，作为酸分解性基团，从可以抑制所获得的抗蚀剂图案中的线宽的不均匀的观点而言，优选为分子量为300以下的酸分解性基团。
从灵敏度及分辨率的观点而言，具有被上述酸分解性基团保护的酸基的结构单元A优选为选自包括由下述式A1～式A3中的任一个表示的结构单元的组中的至少1种结构单元，更优选为由式A3表示的结构单元，进一步优选为由后述式A3-2表示的结构单元。
[化学式2]
式A1中，R11及R12分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R11及R12中的任一个为烷基或芳基，R13表示烷基或芳基，R11或R12可以与R13连接而形成环状醚，R14表示氢原子或甲基，X1表示单键或2价的连接基，R15表示取代基，n表示0～4的整数。
式A2中，R21及R22分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R21及R22中的任一个为烷基或芳基，R23表示烷基或芳基，R21或R22可以与R23连接而形成环状醚，R24分别独立地表示羟基、卤素原子、烷基、烷氧基、烯基、芳基、芳烷基、烷氧羰基、羟烷基、芳基羰基、芳氧基羰基或环烷基，m表示0～3的整数。
式A3中，R31及R32分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R31及R32中的任一个为烷基或芳基，R33表示烷基或芳基，R31或R32可以与R33连接而形成环状醚，R34表示氢原子或甲基，X0表示单键或亚芳基，Y表示-S-或-O-。
＜＜由式A1表示的结构单元的优选方式＞＞
式A1中，在R11或R12为烷基的情况下，优选碳原子数为1～10的烷基。在R11或R12为芳基的情况下，优选苯基。R11及R12分别优选氢原子或碳原子数1～4的烷基。
式A1中，R13表示烷基或芳基，优选碳原子数1～10的烷基，更优选碳原子数1～6的烷基。
并且，R11～R13中的烷基及芳基可以具有取代基。
式A1中，R11或R12可以与R13连接而形成环状醚，优选R11或R12与R13连接而形成环状醚。环状醚的环元数并无特别限制，但是优选为5或6，更优选为5。
式A1中，X1表示单键或2价的连接基，优选单键或亚烷基、-C(＝O)O-、-C(＝O)NRN-、-O-或这些的组合，更优选单键。亚烷基可以为直链状，也可以具有支链，还可以具有环状结构，还可以具有取代基。亚烷基的碳原子数优选1～10，更优选1～4。在X1包含-C(＝O)O-的情况下，优选-C(＝O)O-中所包含的碳原子与键合有R14的碳原子直接键合的方式。在X1包含-C(＝O)NRN-的情况下，优选-C(＝O)NRN-中所包含的碳原子与键合有R14的碳原子直接键合的方式。RN表示烷基或氢原子，优选碳原子数1～4的烷基或氢原子，更优选氢原子。
式A1中，R15表示取代基，优选烷基或卤素原子。烷基的碳原子数优选1～10，更优选1～4。
式A1中，n表示0～4的整数，优选0或1，更优选0。
式A1中，R14表示氢原子或甲基，从能够进一步降低聚合物A1的Tg的观点而言，优选为氢原子。
更具体而言，相对于聚合物A1中所包含的结构单元A的总含量，式A1中的R14为氢原子的结构单元优选为20质量％以上。
另外，关于结构单元A中的、在式A1中的R14是氢原子的结构单元的含量(含有比例：质量比)，能够通过根据13C-核磁共振光谱(NMR)测定并通过常规方法计算的峰值强度的强度比来进行确认。
由式A1表示的结构单元中，从抑制图案形状的变形的观点而言，更优选由下述式A1-2表示的结构单元。
[化学式3]
式A1-2中，RB4表示氢原子或甲基，RB5～RB11分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，RB12表示取代基，n表示0～4的整数。
式A1-2中，RB4优选氢原子。
式A1-2中，RB5～RB11优选氢原子。
式A1-2中，RB12表示取代基，优选烷基或卤素原子。烷基的碳原子数优选1～10，更优选1～4。
式A1-2中，n表示0～4的整数，优选0或1，更优选0。
作为由式A1表示的结构单元的优选的具体例，能够例示下述结构单元。另外，RB4表示氢原子或甲基。
[化学式4]
＜＜由式A2表示的结构单元的优选方式＞＞
式A2中，在R21及R22为烷基的情况下，优选碳原子数1～10的烷基。在R21及R22为芳基的情况下，优选苯基。R21及R22分别优选为氢原子或碳原子数1～4的烷基，更优选为至少一个为氢原子。
上述通式A2中，R23表示烷基或芳基，优选碳原子数1～10的烷基，更优选1～6的烷基。
R21或R22可以与R23连接而形成环状醚。
式A2中，优选R24分别独立地为碳原子数1～10的烷基或碳原子数1～10的烷氧基。R24可以进一步经与R24相同的基团取代。
式A2中，m优选为1或2，更优选为1。
作为由式A2表示的结构单元的优选的具体例，能够例示下述结构单元。
[化学式5]
＜＜由式A3表示的结构单元的优选方式＞＞
式A3中，在R31或R32为烷基的情况下，优选碳原子数为1～10的烷基。在R31或R32为芳基的情况下，优选苯基。R31及R32分别优选氢原子或碳原子数1～4的烷基。
式A3中，R33表示烷基或芳基，优选碳原子数1～10的烷基，更优选碳原子数1～6的烷基。
并且，R31～R33中的烷基及芳基可以具有取代基。
式A3中，R31或R32可以与R33连接而形成环状醚，优选R31或R32与R33连接而形成环状醚。环状醚的环元数并无特别限制，但是优选为5或6，更优选为5。
式A3中，X0表示单键或亚芳基，优选单键。亚芳基可以具有取代基。
式A3中，Y表示-S-或-O-，从曝光灵敏度的观点而言，优选-O-。
由上述式A3表示的结构单元为具有被酸分解性基团保护的羧基的结构单元。聚合物A1包含由式A3表示的结构单元，从而图案形成时的灵敏度优异，且分辨率更加优异。
式A3中，R34表示氢原子或甲基，从能够进一步降低聚合物A1的Tg的观点而言，优选为氢原子。
更具体而言，相对于聚合物A1中所包含的由式A3表示的结构单元的总量，式A3中的R34为氢原子的结构单元优选为20质量％以上。
另外，关于由式A3表示的结构单元中的、在式A1中的R34为氢原子的结构单元的含量(含有比例：质量比)，能够通过根据13C-核磁共振光谱(NMR)测定并通过常规方法计算的峰值强度的强度比来进行确认。
由式A3表示的结构单元中，从进一步提高图案形成时的曝光灵敏度的观点而言，更优选由下述式A3-2表示的结构单元。
[化学式6]
式A3-2中，R31及R32分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R31及R32中的任一个为烷基或芳基，R33表示烷基或芳基，R31或R32可以与R33连接而形成环状醚，R34表示氢原子或甲基，X0表示单键或亚芳基。
式A3-2中，R31、R32、R33、R34及X0的含义分别与式A3中的R31、R32、R33、R34及X0相同，优选方式也相同。
由式A3表示的结构单元中，从进一步提高图案形成时的灵敏度的观点而言，更优选由下述式A3-3表示的结构单元。
[化学式7]
式A3-3中，R34表示氢原子或甲基，R35～R41分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。
式A3-3中，R34优选氢原子。
式A3-3中，R35～R41优选氢原子。
作为由式A3表示的具有被酸分解性基团保护的羧基的结构单元的优选的具体例，能够例示下述结构单元。另外，R34表示氢原子或甲基。
[化学式8]
聚合物A1中所包含的结构单元A可以为1种，也可以为2种以上。
相对于聚合物A1的总质量，聚合物A1中的结构单元A的含量优选为20质量％以上，更优选为20质量％～90质量％，进一步优选为30质量％～70质量％。
关于聚合物A1中的结构单元A的含量(含有比例：质量比)，能够通过根据13C-NMR测定并通过常规方法计算的峰值强度的强度比来进行确认。
并且，将所有聚合物成分分解成结构单元(单体单元)之后，相对于聚合物成分的总质量，结构单元A的比例优选为5质量％～80质量％，更优选为10质量％～80质量％，尤其优选为30质量％～70质量％。
-结构单元B-
上述聚合物A1优选包含具有酸基的结构单元B。
结构单元B为具有未被保护基例如酸分解性基团保护的酸基即不具有保护基的酸基的结构单元。聚合物A1包含结构单元B，从而图案形成时的灵敏度良好，图案曝光后的显影工序中容易溶解于碱性显影液，并能够实现显影时间的缩短化。
本说明书中的酸基是指pKa是12以下的质子解离性基。酸基通常能够使用形成酸基的单体作为具有酸基的结构单元(结构单元B)而组入于聚合物。从提高灵敏度的观点而言，酸基的pKa优选10以下，更优选6以下。并且，酸基的pKa优选为-5以上。
作为上述酸基，可以例示羧基、磺酰胺基、膦酸基、磺酸基、酚性羟基及磺酰亚胺基等。其中，优选选自包括羧酸基及酚性羟基的组中的至少1种酸基。
向聚合物A1导入具有酸基的结构单元能够通过使具有酸基的单体共聚或使具有酸酐结构的单体共聚并对酸酐进行水解来进行。
作为结构单元B的具有酸基的结构单元更优选为对来自于苯乙烯化合物的结构单元或者来自于乙烯基化合物的结构单元进行了经酸基取代的结构单元或来自于(甲基)丙烯酸的结构单元。具体而言，作为具有羧基的单体，可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、马来酸、富马酸、4-羧基苯乙烯等，作为具有酚性羟基的单体，可以举出对羟基苯乙烯、4-羟基苯基甲基丙烯酸酯等，作为具有酸酐的单体，可以举出马来酸酐等。
作为结构单元B，从图案形成时的灵敏度变得更良好的观点而言，优选具有羧酸基的结构单元或具有酚性羟基的结构单元。
具有能够形成结构单元B的酸基的单体并不限定于已叙述的例子。
聚合物A1中所包含的结构单元B可以仅为1种，也可以为2种以上。
相对于聚合物A1的总质量，聚合物A1优选包含0.1质量％～20质量％的具有酸基的结构单元(结构单元B)，更优选包含0.5质量％～15质量％，进一步优选包含1质量％～10质量％。若在上述范围内，则图案形成性变得更加良好。
关于聚合物A1中的结构单元B的含量(含有比例：质量比)，能够通过根据13C-NMR测定并通过常规方法计算的峰值强度的强度比来进行确认。
＜＜其他结构单元＞＞
在不损害本发明所涉及的感光性转印材料的效果的范围内，聚合物A1可以包含除已述的结构单元A及结构单元B以外的其他结构单元(以下，有时称为结构单元C。)。
作为形成结构单元C的单体，并无特别限制，例如能够举出苯乙烯类、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环状烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不饱和二羧酸二酯、二环不饱和化合物、马来酰亚胺化合物、不饱和芳香族化合物、共轭二烯系化合物、不饱和单羧酸、不饱和二羧酸、不饱和二羧酸酐、具有脂肪族环式骨架的基团、其他不饱和化合物。
调节结构单元C的种类及含量中的至少任一个，从而能够调节聚合物A1的各种特性。尤其，通过适当地使用结构单元C，能够容易调节聚合物A1的T g。
将聚合物A1的玻璃化转变温度设为120℃以下，从而含有聚合物A1的正型感光性树脂层的转印性、从临时支承体的剥离性保持在良好的水平，并且图案形成时的分辨率及灵敏度变得更加良好。
聚合物A1可以仅包含1种结构单元C，也可以包含2种以上。
关于结构单元C，具体而言，能够举出使苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙酰氧基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、氯苯乙烯、乙烯苯甲酸甲酯、乙烯苯甲酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、丙烯腈或乙二醇单乙酰基乙酸酯单(甲基)丙烯酸酯等聚合而形成的结构单元。此外，能够举出日本特开2004-264623号公报的0021段～0024段中所记载的化合物。
并且，作为结构单元C，从提高所获得的转印材料的电特性的观点而言，优选具有芳香环的结构单元或具有脂肪族环式骨架的结构单元。作为形成这些结构单元的单体，具体而言，可以举出苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯及(甲基)丙烯酸苄酯等。其中，作为结构单元C，可以优选地举出来自于(甲基)丙烯酸环己酯的结构单元。
并且，作为形成结构单元C的单体，从密合性的观点而言，例如优选(甲基)丙烯酸烷基酯。其中，从密合性的观点而言，更优选具有碳原子数4～12的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。具体而言，可以举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
相对于聚合物A1的总质量，结构单元C的含量优选70质量％以下，更优选60质量％以下，进一步优选50质量％以下。作为下限值，可以为0质量％，但是优选为1质量％以上，更优选为5质量％以上。若在上述范围内，则分辨率及密合性得到进一步提高。
从将对显影液的溶解性及上述正型感光性树脂层的物理物性最佳化的观点而言，聚合物A1也优选包含具有上述结构单元B中的酸基的酯的结构单元作为结构单元C。
其中，聚合物A1优选包含具有羧酸基的结构单元作为结构单元B，还包含含有羧酸酯基的结构单元C作为共聚成分，更优选例如包含来自于(甲基)丙烯酸的结构单元B及来自于(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯或(甲基)丙烯酸正丁酯的结构单元(c)的聚合物。
以下，举出本发明中的聚合物A1的优选的例子，但是本发明并不限定于以下例示。另外，为了获得优选的物性，下述例示化合物中的结构单元的比率、重均分子量可以适当进行选择。
[化学式9]
-聚合物A1的玻璃化转变温度：Tg-
从转印性的观点及调节上述加热工序中的加热温度的观点而言，本发明中的聚合物A1的玻璃化转变温度(Tg)优选为90℃以下，更优选为20℃以上且70℃以下，进一步优选为30℃以上且60℃以下。
作为将聚合物的Tg调节成已叙述的优选的范围的方法，例如能够根据作为目标的聚合物的各结构单元的单独聚合物的Tg和各结构单元的质量比，以FOX式为指引，控制作为目标的聚合物A1的Tg。
对FOX式进行以下说明。
将聚合物中所包含的第1结构单元的单独聚合物的Tg设为Tg1且将第1结构单元的共聚物中的质量分数设为W1，将第2结构单元的单独聚合物的Tg设为Tg2且将第2结构单元的共聚物中的质量分数设为W2时，包含第1结构单元及第2结构单元的共聚物的Tg0(K：开尔文)能够按照以下的式进行推断。
FOX式：1/Tg0＝(W1/Tg1)+(W2/Tg2)
利用已叙述的FOX式，调节共聚物中所包含的各结构单元的种类和质量分数，能够获得具有所期望的Tg的共聚物。
并且，也能够通过调整聚合物的重均分子量来调整聚合物的Tg。
-聚合物A1的酸值-
从显影性及转印性的观点而言，聚合物A1的酸值优选为0mgKOH/g以上且200mgKOH/g以下，更优选为5mgKOH/g以上且100mgKOH/g以下。
本发明中的聚合物的酸值为表示中和每1g聚合物的酸性成分时所需的氢氧化钾的质量。具体而言，将测定样品溶解于四氢呋喃/水＝9/1(体积比)混合溶剂中，并使用电位差滴定装置(产品名称：AT-510，KYOTO ELECTRONICS MANUFACTURING CO.,LTD.制)，在25℃下用0.1M氢氧化钠水溶液对所获得的溶液进行中和滴定。将滴定pH曲线的拐点作为滴定终点，根据下式计算出酸值。
A＝56.11×Vs×0.1×f/w
A：酸值(mgKOH/g)
Vs：滴定时所需的0.1mol/L氢氧化钠水溶液的使用量(mL)
f：0.1mol/L氢氧化钠水溶液的滴定量
w：测定样品的质量(g)(固体成分换算)
-聚合物A1的分子量：Mw-
聚合物A1的分子量以聚苯乙烯换算重均分子量计优选为60,000以下。聚合物A1的重均分子量为60,000以下，从而将正型感光性树脂层的熔融粘度抑制为较低，在与上述基板贴合时能够实现低温(例如130℃以下)时的贴合。
并且，聚合物A1的重均分子量优选为2,000～60,000，更优选为3,000～50,000。
另外，聚合物的重均分子量能够通过GPC(凝胶渗透色谱)来进行测定，作为测定装置，能够使用各种市售的装置，装置的内容及测定技术是本领域技术人员公知的。
基于凝胶渗透色谱(GPC)的重均分子量的测定中，作为测定装置能够使用HLC(注册商标)-8220GPC(TOSOH CORPORATION制)，作为管柱能够使用将TSKgel(注册商标)SuperHZM-M(4.6mmID×15cm，TOSOH CORPORATION制)、Super HZ4000(4.6mmID×15cm，TOSOHCORPORATION制)、Super HZ3000(4.6mmID×15cm，TOSOH CORPORATION制)、Super HZ2000(4.6mmID×15cm，TOSOH CORPORATION制)的各一根串联连接而成的管柱，作为溶析液能够使用THF(四氢呋喃)。
并且，作为测定条件，能够将试样浓度设为0.2质量％，将流速设为0.35ml/min，将样品注入量设为10μL，且将测定温度设为40℃，并利用示差折射率(RI)检测器来进行。
校准曲线能够利用TOSOH CORPORATION制的“标准试样TSK standard，polystyrene”：“F-40”、“F-20”、“F-4”、“F-1”、“A-5000”、“A-2500”以及“A-1000”这7个样品中的任一个来制作。
聚合物A1的数均分子量与重均分子量之比(分散度)优选1.0～5.0，更优选1.05～3.5。
-聚合物A1的制造方法-
聚合物A1的制造方法(合成法)无特别限定，但是若举出一例，则能够在包含用于形成结构单元A的聚合性单体、用于形成具有酸基的结构单元B的聚合物单体、进而根据需要用于形成其他结构单元C的聚合性单体的有机溶剂中，使用聚合引发剂进行聚合，由此进行合成。并且，也能够以所谓高分子反应来进行合成。
关于本发明中的上述正型感光性树脂层，从相对于上述基板显现良好的密合性的观点而言，相对于正型感光性树脂层的总固体成份，优选以50质量％～99.9质量％的比例包含上述聚合物成分，更优选以70质量％～98质量％的比例包含。
并且，关于上述正型感光性树脂层，从相对于上述基板显现良好的密合性的观点而言，相对于正型感光性树脂层的总固体成份，优选以50质量％～99.9质量％的比例包含上述聚合物A1，更优选以70质量％～98质量％的比例包含。
〔其他聚合物〕
在不损害本发明所涉及的感光性转印材料的效果的范围内，上述正型感光性树脂层除包含聚合物A1以外，还可以包含不包含结构单元A的聚合物(有时称为“其他聚合物”。)来作为聚合物成分。上述正型感光性树脂层包含其他聚合物的情况下，在总聚合物成分中，其他聚合物的掺合量优选为50质量％以下，更优选为30质量％以下，进一步优选为20质量％以下。
上述正型感光性树脂层除了包含聚合物A1以外，也可以仅包含1种其他聚合物，还可以包含2种以上。
作为其他聚合物，例如能够使用聚羟基苯乙烯，也能够使用市售的SMA 10 00P、SMA 2000P、SMA 3000P、SMA 1440F、SMA 17352P、SMA 2625P及SMA 38 40F(以上，SartomerCompany,Inc制)、ARUFON UC-3000、ARUFON UC-3510、ARUFON UC-3900、ARUFON UC-3910、ARUFON UC-3920及ARUFON UC-3080(以上，TOAGOSEI CO.,LTD.制)以及Joncryl 690、Joncryl 678、Joncryl 67及Joncryl 586(以上，BASF公司制)等。
〔光产酸剂〕
上述正型感光性树脂层含有光产酸剂。
作为在本发明中所使用的光产酸剂，为能够通过照射紫外线、远紫外线、X射线及带电粒子束等放射线产生酸的化合物。
作为在本发明中所使用的光产酸剂，优选为如下化合物，即感应波长300nm以上，优选为波长300nm～450nm的活化光线而产生酸的化合物，但是其化学结构并不受限制。并且，即便是不直接感应波长300nm以上的活化光线的光产酸剂，只要是通过同时使用敏化剂来感应波长300nm以上的活化光线而产生酸的化合物，则能够与敏化剂组合而优选地使用。
作为在本发明中所使用的光产酸剂，优选产生pKa为4以下的酸的光产酸剂，更优选产生pKa为3以下的酸的光产酸剂，尤其优选产生pKa为2以下的酸的光产酸剂。pKa的下限值并无特别限制，例如优选为-10.0以上。
作为光产酸剂，能够举出离子性光产酸剂和非离子性光产酸剂。
并且，作为光产酸剂，从灵敏度以及分辨率的观点而言，优选包含选自包括后述鎓盐化合物以及后述肟磺酸盐化合物的组中的至少1种化合物，更优选包含肟磺酸盐化合物。
作为非离子性光产酸剂的例子，能够举出三氯甲基均三嗪类、重氮甲烷化合物、酰亚胺磺酸酯化合物以及肟磺酸盐化合物等。在这些中，从灵敏度、分辨率以及密合性的观点而言，优选为光产酸剂为肟磺酸盐化合物。这些光产酸剂能够单独使用1种或组合2种以上来使用。作为三氯甲基均三嗪类及重氮甲烷衍生物的具体例，能够例示在日本特开2011-221494号公报的0083段～0088段中所记载的化合物。
作为肟磺酸盐化合物即具有肟磺酸盐结构的化合物，优选具有由下述式(B1)表示的肟磺酸盐结构的化合物。
[化学式10]
在式(B1)中，R21表示烷基或芳基，*表示与其他原子或其他基团的键合部位。
具有由式(B1)表示的肟磺酸盐结构的化合物的任一基团均可以被取代，R21中的烷基可以为直链状，也可以具有支链结构，也可以具有环结构。被允许的取代基在以下进行说明。
作为R21的烷基，优选碳原子数1～10的直链状或支链状烷基。R21的烷基可以经碳原子数6～11的芳基、碳原子数1～10的烷氧基、环烷基(包含7,7-二甲基-2-氧代降冰片基等桥接式脂环基，优选为双环烷基等)或卤素原子取代。
作为R21的芳基，优选碳原子数6～18的芳基，更优选苯基或萘基。R21的芳基可以经选自包括碳原子数1～4的烷基、烷氧基及卤素原子的组中的1种以上的基团取代。
具有由式(B1)表示的肟磺酸盐结构的化合物，也优选在日本特开2014-085643号公报的0078段～0111段中所记载的肟磺酸盐化合物。
作为离子性光产酸剂的例子，能够举出二芳基錪鎓盐类及三芳基锍盐化合物类等鎓盐化合物、季铵盐类等。在这些中，优选鎓盐化合物，尤其优选三芳基锍盐类及二芳基錪鎓盐类。
作为离子性光产酸剂，也能够优选地使用日本特开2014-085643号公报的0114段～0133段中所记载的离子性光产酸剂。
并且，在使用不是化学放大型正型感光性树脂层的正型感光性树脂层的情况下，作为光产酸剂，也能够使用醌二叠氮化物。作为醌二叠氮化物，例如能够使用TS-200TF、4NT-300(均为Toyo Gosei Co.,Ltd.制)。
光产酸剂可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。
从灵敏度、分辨率的观点而言，上述正型感光性树脂层中的光产酸剂的含量相对于上述正型感光性树脂层的总质量优选为0.1质量％～10质量％，更优选为0.5质量％～5质量％。
〔溶剂〕
上述正型感光性树脂层可以包含溶剂。
并且，形成上述正型感光性树脂层的感光性树脂组合物容易形成上述正型感光性树脂层，因此暂时含有溶剂并调节感光性树脂组合物的粘度，且涂布及干燥包含溶剂的感光性树脂组合物，从而能够优选地形成上述正型感光性树脂层。
作为本发明中所使用的溶剂，能够使用公知的溶剂。作为溶剂，能够例示乙二醇单烷基醚类、乙二醇二烷基醚类、乙二醇单烷基醚乙酸酯类、丙二醇单烷基醚类、丙二醇二烷基醚类、丙二醇单烷基醚乙酸酯类、二乙二醇二烷基醚类、二乙二醇单烷基醚乙酸酯类、二丙二醇单烷基醚类、二丙二醇二烷基醚类、二丙二醇单烷基醚乙酸酯类、酯类、酮类、酰胺类及内酯类等。并且，作为溶剂的具体例，也可以举出在日本特开2011-221494号公报的0174段～0178段中所记载的溶剂，将这些内容编入于本说明书中。
并且，在上述溶剂中，也能够进一步根据需要添加苄基乙醚、二己醚、乙二醇单苯醚乙酸酯、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、异佛尔酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、苄醇、苯甲醚、乙酸苄酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、马来酸二乙酯、碳酸乙二酯或碳酸丙二酯等溶剂。
溶剂可以仅使用1种，也可以使用2种以上。
能够在本发明中使用的溶剂可以单独使用1种，更优选同时使用2种。在使用2种以上的溶剂的情况下，例如优选同时使用丙二醇单烷基醚乙酸酯类和二烷基醚类、同时使用二乙酸酯类和二乙二醇二烷基醚类或同时使用酯类和丁二醇烷基醚乙酸酯类。
并且，作为溶剂，优选为沸点130℃以上且小于160℃的溶剂、沸点160℃以上的溶剂或这些的混合物。
作为沸点130℃以上且小于160℃的溶剂，能够例示丙二醇单甲醚乙酸酯(沸点146℃)、丙二醇单乙醚乙酸酯(沸点158℃)、丙二醇甲基-正丁醚(沸点155℃)及丙二醇甲基-正丙醚(沸点131℃)。
作为沸点160℃以上的溶剂，能够例示3-乙氧基丙酸乙酯(沸点170℃)、二乙二醇甲基乙醚(沸点176℃)、丙二醇单甲醚丙酸酯(沸点160℃)、二丙二醇甲醚乙酸酯(沸点213℃)、3-甲氧基丁醚乙酸酯(沸点171℃)、二乙二醇二乙醚(沸点189℃)、二乙二醇二甲醚(沸点162℃)、丙二醇二乙酸酯(沸点190℃)、二乙二醇单乙醚乙酸酯(沸点220℃)、二丙二醇二甲醚(沸点175℃)及1,3-丁二醇二乙酸酯(沸点232℃)。
相对于感光性树脂组合物中的总固体成分每100质量份，涂布感光性树脂组合物时的溶剂的含量优选为50质量份～1,900质量份，更优选为100质量份～900质量份。
并且，上述正型感光性树脂层中的溶剂的含量相对于上述正型感光性树脂层的总质量优选为2质量％以下，更优选为1质量％以下，进一步优选为0.5质量％以下。
〔其他添加剂〕
本发明中的上述正型感光性树脂层除了聚合物及光产酸剂以外根据需要也能够包含公知的添加剂。
-增塑剂-
上述正型感光性树脂层以改良塑性为目的，也可以含有增塑剂。
优选上述增塑剂的重均分子量小于聚合物A1。
从赋予塑性的观点而言，增塑剂的重均分子量优选500以上且小于10,000，更优选700以上且小于5,000，进一步优选800以上且小于4,000。
增塑剂只要为与聚合物A1相容而显现塑性的化合物，则并无特别限制，从赋予塑性的观点而言，增塑剂优选在分子中具有亚烷氧基。在增塑剂中所包含的亚烷氧基优选具有下述结构。
[化学式11]
在上述式中，R为碳原子数2～8的亚烷基，n表示1～50的整数，*表示与其他原子的键合部位。
另外，例如，即使是具有上述结构的亚烷氧基的化合物(设为“化合物X”。)，在混合化合物X、聚合物A1及光产酸剂而获得的化学放大型正型感光性树脂组合物与不含化合物X而形成的化学放大型正型感光性树脂组合物相比塑性未得到提高的情况下，也不符合本发明中的增塑剂。例如，任意添加的表面活性剂通常不会以对感光性树脂组合物赋予塑性的量使用，因此不符合本说明书中的增塑剂。
作为上述增塑剂，例如可以举出具有下述结构的化合物，但是并不限定于这些。
[化学式12]
从密合性的观点而言，增塑剂的含量相对于上述正型感光性树脂层的总质量优选为1质量％～50质量％，更优选为2质量％～20质量％。
上述正型感光性树脂层可以仅包含1种增塑剂，也可以包含2种以上。
-敏化剂-
上述正型感光性树脂层还能够包含敏化剂。
敏化剂吸收活化光线而成为电子激发状态。成为电子激发状态的敏化剂与光产酸剂接触而产生电子转移、能量转移以及发热等作用。由此，光产酸剂产生化学变化而分解并生成酸。
通过含有敏化剂，能够提高曝光灵敏度。
作为敏化剂，优选选自包括蒽衍生物、吖啶酮衍生物、噻吨酮衍生物、香豆素衍生物、碱性苯乙烯衍生物以及二苯乙烯基苯衍生物的组中的化合物，更优选蒽衍生物。
作为蒽衍生物，优选蒽、9,10-二丁氧基蒽、9,10-二氯蒽、2-乙基-9,10-二甲氧基蒽、9-羟甲基蒽、9-溴蒽、9-氯蒽、9,10-二溴蒽、2-乙基蒽或9,10-二甲氧基蒽。
作为上述敏化剂，能够举出在国际公开第2015/093271号的0139段～0141段中所记载的化合物。
敏化剂的含量相对于上述正型感光性树脂层的总质量优选为0质量％～10质量％，更优选为0.1质量％～10质量％。
-碱性化合物-
上述正型感光性树脂层优选还包含碱性化合物。
作为碱性化合物，能够从在化学放大抗蚀剂中所使用的碱性化合物中任意地选用。例如可以举出脂肪族胺、芳香族胺、杂环式胺、氢氧化季铵及羧酸的季铵盐等。作为这些的具体例，可以举出在日本特开2011-221494号公报的0204段～0207段中所记载的化合物，这些内容编入于本说明书中。
具体而言，作为脂肪族胺，例如可以举出三甲基胺、二乙基胺、三乙基胺、二正丙基胺、三正丙基胺、二正戊基胺、三正戊基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二环己基胺及二环己基甲胺等。
作为芳香族胺，例如可以举出苯胺、苄胺、N,N-二甲基苯胺及二苯胺等。
作为杂环式胺，例如可以举出吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-乙基吡啶、4-乙基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、N-甲基-4-苯基吡啶、4-二甲胺基吡啶、咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、2-苯基苯并咪唑、2,4,5-三苯基咪唑、烟碱、烟酸、烟酰胺、喹啉、8-氧喹啉、吡嗪、吡唑、哒嗪、嘌呤、吡咯烷、哌啶、哌嗪、吗啉、4-甲基吗啉、1,5-二氮杂双环[4.3.0]-5-壬烯及1,8-二氮杂双环[5.3.0]-7-十一烯等。
作为氢氧化季铵，例如可以举出氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四正丁基铵及氢氧化四正己基铵等。
作为羧酸的季铵盐，例如可以举出四甲基乙酸铵、四甲基苯甲酸铵、四正丁基乙酸铵及四正丁基苯甲酸铵等。
上述碱性化合物可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。
碱性化合物的含量相对于上述正型感光性树脂层的总质量优选为0.001质量％～5质量％，更优选为0.005质量％～3质量％。
-杂环状化合物-
本发明中的正型感光性树脂层能够包含杂环状化合物。
本发明中的杂环状化合物并无特别限制。例如能够添加如下，即在以下所述的分子内具有环氧基或氧杂环丁基的化合物、含烷氧基甲基的杂环状化合物、其他各种环状醚、环状酯(内酯)等含氧单体、环状胺、噁唑啉基等含氮单体，还能够添加硅、硫、磷等具有d电子的杂环单体等。
在添加杂环状化合物的情况下，正型感光性树脂层中的杂环状化合物的添加量相对于上述正型感光性树脂层的总质量优选为0.01质量％～50质量％，更优选为0.1质量％～10质量％，进一步优选为1质量％～5质量％。若在上述范围，则从密合性及耐蚀刻性的观点而言较为优选。杂环状化合物可以仅使用1种，也能够同时使用2种以上。
作为在分子内具有环氧基的化合物的具体例，能够举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂肪族环氧树脂等。
在分子内具有环氧基的化合物能够作为市售品来获得。例如可以举出JER828、JER1007、JER157S70(Mitsubishi Chemical Corporation制)、JER157S65(MitsubishiChemical Holdings Co.,Ltd.制)等及在日本特开2011-221494号公报的0189段中所记载的市售品等。
作为其他市售品，可以举出ADEKA RESIN EP-4000S、ADEKA RESIN EP-4003S、ADEKA RESIN EP-4010S、ADEKA RESIN EP-4011S(以上，ADEKA Corporation制)、NC-2000、NC-3000、NC-7300、XD-1000、EPPN-501、EPPN-502(以上，ADEKA Corporation制)、DENACOLEX-611、EX-612、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-411、EX-421、EX-313、EX-314、EX-321、EX-211、EX-212、EX-810、EX-811、EX-850、EX-851、EX-821、EX-830、EX-832、EX-841、EX-911、EX-941、EX-920、EX-931、EX-212L、EX-214L、EX-216L、EX-321L、EX-850L、DLC-201、DLC-203、DLC-204、DLC-205、DLC-206、DLC-301、DLC-402、EX-111、EX-121、EX-141、EX-145、EX-146、EX-147、EX-171、EX-192(以上，Nagase ChemteX Corporation制)、YH-300、YH-301、YH-302、YH-315、YH-324、YH-325(以上，NIPPON STEEL&SUMIKIN CHEMICAL CO.,LTD.制)CELLOXIDE 2021P、2081、2000、3000、EHPE3150、Epolead GT400、CELVENUS B0134、B0177(Daicel Corporation制)等。
在分子内具有环氧基的化合物可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。
在分子内具有环氧基的化合物中，可以更优选地举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂及脂肪族环氧树脂，可以尤其优选地举出脂肪族环氧树脂。
作为在分子内具有氧杂环丁基的化合物的具体例，能够使用Aron OxetaneOXT-201、OXT-211、OXT-212、OXT-213、OXT-121、OXT-221、OX-SQ、PNOX(以上，TOAGOSEI CO.,LTD.制)。
并且，包含氧杂环丁基的化合物优选单独或与包含环氧基的化合物混合使用。
本发明中的正型感光性树脂层中，从耐蚀刻性及线宽稳定性的观点而言，杂环状化合物优选具有环氧基的化合物。
-烷氧基硅烷化合物-
上述正型感光性树脂层可以含有烷氧基硅烷化合物。作为烷氧基硅烷化合物，可以优选地举出三烷氧基硅烷化合物。
作为烷氧基硅烷化合物，例如可以举出γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三烷氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基烷基二烷氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三烷氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基烷基二烷氧基硅烷、γ-氯丙基三烷氧基硅烷、γ-巯丙基三烷氧基硅烷、β-(3,4-环氧基环己基)乙基三烷氧基硅烷及乙烯三烷氧基硅烷。在这些中，更优选γ-环氧丙氧基丙基三烷氧基硅烷及γ-甲基丙烯酰氧基丙基三烷氧基硅烷，进一步优选γ-环氧丙氧基丙基三烷氧基硅烷，尤其优选3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷。这些能够单独使用1种或组合2种以上来使用。
-表面活性剂-
从膜厚均匀性的观点而言，上述正型感光性树脂层优选含有表面活性剂。作为表面活性剂，能够使用阴离子系、阳离子系、非离子系(Nonionic)或两性中的任一种，但是优选的表面活性剂是非离子表面活性剂。
作为非离子系表面活性剂的例子，能够举出聚氧乙烯高级烷基醚类、聚氧乙烯高级烷基苯基醚类、聚氧乙二醇的高级脂肪酸二酯类、硅酮系及氟系表面活性剂。并且，能够举出以下产品名称的各系列：KP(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制)、Polyflow(KyoeishaChemical Co.,Ltd.制)、EFTOP(Japan Electronic Monetary Claim Organization制)、Megafac(DIC Corporation制)、Fluorad(Sumitomo 3M Limited制)、AsahiGuard、Surflon(Asahi Glass Co.,Ltd.制)、PolyFox(OMNOVA SOLUTIONS INC.制)及SH-8400(DowCorning Toray Co.,Ltd.制)等。
并且，作为表面活性剂，能够将包含由下述式I-1表示的结构单元A及结构单元B，且将四氢呋喃(THF)作为溶剂时利用凝胶渗透色谱测定的聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)为1,000以上且10,000以下的共聚物作为优选的例子来举出。
[化学式13]
在式(I-1)中，R401及R403分别独立地表示氢原子或甲基，R402表示碳原子数1以上且4以下的直链亚烷基，R404表示氢原子或碳原子数1以上且4以下的烷基，L表示碳原子数3以上且6以下的亚烷基，p及q是表示聚合比的质量百分比，p表示10质量％以上且80质量％以下的数值，q表示20质量％以上且90质量％以下的数值，r表示1以上且18以下的整数，s表示1以上且10以下的整数，*表示与其他结构的键合部位。
L优选为由下述式(I-2)表示的支链亚烷基。式(I-2)中的R405表示碳原子数1以上且4以下的烷基，从相容性和相对于被涂布面的润湿性的观点而言，优选碳原子数1以上且3以下的烷基，更优选碳原子数2或3的烷基。p与q之和(p+q)优选为p+q＝100即100质量％。
[化学式14]
共聚物的重均分子量(Mw)更优选1,500以上且5,000以下。
此外，还能够使用日本专利第4502784号公报的0017段、日本特开2009-237362号公报的0060段～0071段中所记载的表面活性剂。
表面活性剂可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。
表面活性剂的添加量相对于上述正型感光性树脂层的总质量优选为10质量％以下，更优选为0.001质量％～10质量％，进一步优选为0.01质量％～3质量％。
-其他成分-
本发明中的正型感光性树脂层还能够添加金属氧化物粒子、抗氧化剂、分散剂、酸增殖剂、显影促进剂、导电性纤维、着色剂、热自由基聚合引发剂、热酸产生剂、紫外线吸收剂、增粘剂、交联剂及有机或无机的沉淀防止剂等公知的添加剂。
关于其他成分的优选方式，分别记载于日本特开2014-085643号公报的0165段～0184段，该公报的内容编入于本说明书中。
〔正型感光性树脂层的形成方法〕
能够以任意的比例并且以任意的方法混合各成分及溶剂，进行搅拌溶解而制备用于形成正型感光性树脂层的感光性树脂组合物。例如，也能够将各成分分别预先溶解于溶剂中而成的溶液后，将所获得的溶液以规定的比例进行混合来制备组合物。以如上方式制备的组合物也能够使用孔径0.2μm的过滤器等进行过滤后供使用。
通过将感光性树脂组合物涂布于临时支承体上并使其干燥，能够形成正型感光性树脂层。
涂布方法并无特别限定，能够通过狭缝涂布、旋涂、帘涂及喷墨涂布等公知的方法进行涂布。
另外，还能够在临时支承体上形成后述其他层之后，涂布正型感光性树脂层。
＜其他层＞
本发明所涉及的感光性转印材料也可以具有除了上述正型感光性树脂层以外的层(以下，有时称为“其他层”)。作为其他层，能够举出中间层、覆盖膜及热塑性树脂层等。
〔中间层〕
在上述正型感光性树脂层上，以涂布多个层及防止涂布后保存时的成分的混合为目的，能够设置中间层。
作为中间层，能够使用日本特开2005-259138号公报的0084～0087段中所记载的中间层。作为中间层，优选为分散或溶解于水或碱水溶液中的中间层。
作为用于中间层的材料，例如可以举出聚乙烯醇系树脂、聚乙烯吡咯烷酮系树脂、纤维素系树脂、丙烯酰胺系树脂、聚环氧乙烷系树脂、明胶、乙烯醚系树脂、聚酰胺树脂及这些的共聚物等树脂。其中，尤其优选聚乙烯醇与聚乙烯吡咯烷酮的组合。
〔热塑性树脂层、覆盖膜等〕
从转印性的观点而言，本发明所涉及的感光性转印材料可以在上述临时支承体与上述正型感光性树脂层之间具有热塑性树脂层。
并且，以保护上述正型感光性树脂层为目的，本发明所涉及的感光性转印材料可以具有覆盖膜。
关于热塑性树脂层的优选方式，记载于日本特开2014-085643号公报的0189段～0193段，关于其他层的优选方式，记载于日本特开2014-085643号公报的0194段～0196段，该公报的内容编入本说明书中。
其中，从转印性的观点而言，热塑性树脂层优选包含选自包括丙烯酸树脂及苯乙烯/丙烯酸共聚物的组中的至少1种热塑性树脂。
在本发明所涉及的感光性转印材料具有热塑性树脂层等其他层的情况下，能够遵照在日本特开2006-259138号公报的0094段～0098段中所记载的感光性转印材料的制作方法来制作。
例如，制作具有热塑性树脂层及中间层的本发明所涉及的感光性转印材料的情况下，将溶解热塑性有机高分子及添加剂而成的溶解液(热塑性树脂层用涂布液)涂布于临时支承体上，并使其干燥而设置热塑性树脂层之后，将在不溶解热塑性树脂层的溶剂中添加树脂及添加剂而制备的制备液(中间层用涂布液)涂布于所获得的热塑性树脂层上，并使其干燥而层叠中间层。在所形成的中间层上进而涂布使用不溶解中间层的溶剂制备的感光性树脂组合物，并使其干燥而层叠正型感光性树脂层，由此能够优选地制作本发明所涉及的感光性转印材料。
(电路基板的制造方法)
本发明所涉及的电路基板的制造方法包括：使用具有导电层及基材的基板作为上述基板，并通过本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法在上述导电层上制造抗蚀剂图案的工序；及将通过制造上述抗蚀剂图案的工序而获得的上述抗蚀剂图案用作掩模，并对上述导电层进行蚀刻的工序。
作为具有导电层及基材的基板，优选地使用上述电路布线形成用基板。
根据本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法，可以获得分辨率优异的抗蚀剂图案，因此根据本发明所涉及的电路基板的制造方法，可以获得电路布线的分辨率优异的电路基板。
以往，根据感光系统的不同，感光性树脂组合物分为照射了活性光线的部分作为图像而残留的负型及未照射活性光线的部分作为图像而残留的正型。正型中，通过照射活性光线，例如使用照射活性光线而产生酸的感光剂等来提高曝光部的溶解性，因此在图案曝光时点曝光部及未曝光部均不固化，在所获得的图案形状为不良时，能够通过整面曝光等来对基板进行再利用(再次加工)。因此，从所谓再次加工性优异的观点而言，优选正型。并且，对所残留的正型感光性树脂层进行再次曝光来制作不同的图案等技术若不是正型感光性树脂层，则无法实现。在本发明所涉及的电路基板的制造方法中，也可以优选地举出进行2次以上的曝光的方式。
本发明所涉及的电路基板的制造方法的第1实施方式为仅进行1次曝光的方式，所述方式包括：使用具有导电层及基材的基板作为上述基板，并通过本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法在上述导电层上制造抗蚀剂图案的工序；及将通过制造上述抗蚀剂图案的工序而获得的上述抗蚀剂图案用作掩模，并对上述导电层进行蚀刻的工序(蚀刻工序)。
即，电路基板的制造方法的第1实施方式包括：使具有临时支承体和包含聚合物及光产酸剂的正型感光性树脂层的转印材料的、以上述临时支承体为基准而言的上述正型感光性树脂层侧的最外层与基板接触而贴合的工序(贴合工序)；对上述贴合工序后的上述正型感光性树脂层进行加热的工序(加热工序)；对上述加热工序后的上述正型感光性树脂层进行图案曝光的工序(曝光工序)；对经上述图案曝光的上述正型感光性树脂层进行显影的工序(显影工序)及对在未配置有通过上述显影工序而获得的抗蚀剂图案的区域中的上述基板进行蚀刻处理的工序(蚀刻工序)。
上述贴合工序、加热工序、曝光工序及显影工序分别符合上述本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法中的加热工序、曝光工序及显影工序。并且，在通过卷对卷方式进行抗蚀剂图案的制造方法的情况下，在各工序之间可以包括卷绕工序及开卷工序。具体而言，如在上述方法A或方法B中所记载。
并且，本发明所涉及的电路基板的制造方法的第2实施方式为进行2次曝光的方式，所述方式依次包括：使用具有基材及包括构成材料互不相同的第1导电层及第2导电层的多个导电层且在上述基材的表面上以从上述基材的表面远离的顺序层叠有作为最表面层的上述第1导电层及上述第2导电层的基板作为上述基板，并通过本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法在上述导电层上制造抗蚀剂图案的工序；将通过制造上述抗蚀剂图案的工序而获得的上述抗蚀剂图案(第1图案)用作掩模且对上述多个导电层中的至少上述第1导电层及上述第2导电层进行蚀刻处理的工序(第1蚀刻工序)；以与上述第1图案不同的图案对上述第1蚀刻工序后的上述第1图案进行图案曝光的工序(第2曝光工序)；对上述第2曝光工序后的上述第1图案进行显影而形成第2图案的工序(第2显影工序)；以及对在未配置有上述第2图案的区域中的上述多个导电层中的至少上述第1导电层进行蚀刻处理的工序(第2蚀刻工序)。
即，电路基板的制造方法的第2实施方式依次包括：使用具有基材及包括构成材料相互不同的第1导电层及第2导电层的多个导电层且在上述基材的表面上以从上述基材的表面远离的顺序层叠有作为最表面层的上述第1导电层及上述第2导电层的基板，并使具有临时支承体和包含聚合物及光产酸剂的正型感光性树脂层的转印材料的、以上述临时支承体为基准而言的上述正型感光性树脂层侧的最外层与基板接触而贴合至上述基板的工序(贴合工序)；对上述贴合工序后的上述正型感光性树脂层进行加热的工序(加热工序)；对上述加热工序后的上述正型感光性树脂层进行图案曝光的工序(第1曝光工序)；对上述经图案曝光的上述正型感光性树脂层进行显影而形成第1图案的工序(第1显影工序)；将上述第1图案用作掩模且对上述多个导电层中的至少上述第1导电层及上述第2导电层进行蚀刻处理的工序(第1蚀刻工序)；以与上述第1图案不同的图案对上述第1蚀刻工序后的上述第1图案进行图案曝光的工序(第2曝光工序)；对上述第2曝光工序后的上述第1图案进行显影而形成第2图案的工序(第2显影工序)；以及将上述第2图案用作掩模且对上述多个导电层中的至少上述第1导电层进行蚀刻处理的工序(第2蚀刻工序)。作为上述第2实施方式，除了加热工序以外的工序能够参考国际公开第2006/190405号，将该内容编入于本说明书中。
上述贴合工序、加热工序、第1曝光工序及第1显影工序分别符合上述本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法中的加热工序、曝光工序及显影工序。并且，除了曝光图案不同以外，第2曝光工序及第2显影工序分别通过相同的方法进行第1曝光工序及第1显影工序即可。
即，本发明所涉及的电路基板的制造方法可以分别包括多个进行曝光工序、显影工序及蚀刻处理的工序。
作为包括多个上述时的优选方式，例如可以举出将依次进行曝光工序、显影工序及蚀刻处理的工序作为一组而包括贴合工序、加热工序及多个上述组的电路基板的制造方法。
以下，使用图2对上述电路基板的制造方法的实施方式进行说明。
＜贴合工序＞
将贴合工序的一例示意地示于图2(a)中。
首先，贴合工序中，针对具有基材22及包含构成材料彼此不同的第1导电层24及第2导电层26的多个导电层，且在基材22的表面上以从基材22的表面由远到近的顺序层叠有最表面层即第1导电层24和第2导电层26的基板(电路布线形成用基板)20，使本发明所涉及的感光性转印材料100的正型感光性树脂层14与第1导电层24接触而贴合。
如图1所示，在感光性转印材料100的正型感光性树脂层14上具有覆盖膜16的情况下，从感光性转印材料100(正型感光性树脂层14)中去除覆盖膜16之后，使感光性转印材料100的正型感光性树脂层14与第1导电层24接触而贴合。
＜加热工序＞
在上述贴合工序之后，进行加热工序。
加热工序的详细内容如上所述。
＜曝光工序(第1曝光工序)＞
在上述第1实施方式中进行曝光工序，在上述第2实施方式中进行第1曝光工序。将曝光工序(第1曝光工序)的一例示意地示于图2(b)中。
曝光工序(第1曝光工序)中，经由贴合工序后的感光性转印材料的临时支承体12对正型感光性树脂层14进行图案曝光。
曝光方法的详细内容如上所述。
例如，可以举出在配置于第1导电层24上的感光性转印材料100的上方(与第1导电层24接触的一侧相反的一侧)配置具有规定的图案的掩模30，然后经由掩模30从掩模上方以紫外线进行曝光的方法等。
＜显影工序(第1显影工序)＞
在上述第1实施方式中进行显影工序，在上述第2实施方式中进行第1显影工序。将显影工序(第1显影工序)的一例示意地示于图2(c)中。
显影工序(第1显影工序)中，从曝光工序(第1曝光工序)后的正型感光性树脂层14剥离临时支承体12之后，对曝光工序(第1曝光工序)后的正型感光性树脂层14进行显影而形成第1图案14A。
显影方法的详细内容如上所述。
＜蚀刻工序(第1蚀刻工序)＞
在上述第1实施方式中进行蚀刻工序，在上述第2实施方式中进行第1蚀刻工序。将蚀刻工序(第1蚀刻工序)的一例示意地示于图2(d)中。
蚀刻工序(第1蚀刻工序)中，将所获得的抗蚀剂图案(第1图案)用作掩模，并对导电层(多个导电层中的至少上述第1导电层及上述第2导电层)进行蚀刻处理。
通过将抗蚀剂图案(第1图案)用作掩模，在未配置有抗蚀剂图案(第1图案)的区域中的上述基板被蚀刻处理。
蚀刻工序(第1蚀刻工序)中，在未配置有第1图案14A的区域中的多个导电层中至少对第1导电层24及第2导电层26进行蚀刻处理。通过蚀刻，形成具有相同图案的第1导电层24A及第2导电层26A。
导电层的蚀刻能够以在日本特开2010-152155号公报的0048段～0054段等中所记载的方法、基于公知的等离子体蚀刻等干式蚀刻的方法等公知的方法来应用蚀刻。
例如，作为蚀刻方法，可以举出通常进行的在蚀刻液中浸渍的湿式蚀刻法。在湿式蚀刻中所使用的蚀刻液根据蚀刻对象来适当地选择酸性类型或碱性类型的蚀刻液即可。
作为酸性类型的蚀刻液，可以例示盐酸、硫酸、氢氟酸、磷酸等单独的酸性成分的水溶液、酸性成分与氯化铁、氟化铵、高锰酸钾等盐的混合水溶液等。酸性成分可以使用组合了多种酸性成分的成分。
作为碱性类型的蚀刻液，可以例示氢氧化钠、氢氧化钾、氨、有机胺、氢氧化四甲基铵之类的有机胺的盐等单独的碱成分的水溶液、碱成分和过锰酸钾等盐的混合水溶液等。碱成分可以使用组合了多种碱成分的成分。
蚀刻液的温度并无特别限制，但是优选为45℃以下。本发明中用作蚀刻掩模(蚀刻图案)的第1图案优选对45℃以下的温度区域中的酸性以及碱性的蚀刻液发挥尤其优异的耐性。因此，可以防止蚀刻工序中正型感光性树脂层被剥离，可以选择性地蚀刻不存在正型感光性树脂层的部分。
蚀刻工序后，为了防止生产线的污染，也可以根据需要进行清洗工序及干燥工序。关于清洗工序，例如在常温下由纯水清洗10秒钟～300秒钟的基板来进行，关于干燥工序，例如使用鼓风机并适当调节鼓风机压(优选为0.1kg/cm2～5kg/cm2左右)来进行干燥即可。
＜第2曝光工序＞
在上述第2实施方式中进行第2曝光工序。将第2曝光工序的一例示意地示于图2(e)中。
在第1蚀刻工序后，将第1蚀刻工序后的第1图案14A以与第1图案不同的图案进行图案曝光。
第2曝光工序中，相对于残留于第1导电层上的第1图案，对相当于后述第2显影工序中至少第1导电层的应去除的部分的部位进行曝光。
关于第2曝光工序中的图案曝光，使用图案与在第1曝光工序中所使用的掩模30不同的掩模40，除此以外，能够适用与第1曝光工序中的图案曝光相同的方法。
＜第2显影工序＞
在上述第2实施方式中进行第2显影工序。将第2显影工序的一例示意地示于图2(f)中。
第2显影工序中，对第2曝光工序后的第1图案14A进行显影而形成第2图案14B。
通过显影，去除第1图案中的在第2曝光工序中被曝光的部分。
另外，第2显影工序中，能够适用与第1显影工序中的显影相同的方法。
＜第2蚀刻工序＞
在上述第2实施方式中进行第2曝光工序。将第2蚀刻工序的一例示意地示于图2(g)中。
第2蚀刻工序中，在未配置有第2图案14B的区域中的多个导电层中至少对第1导电层24A进行蚀刻处理。
关于第2蚀刻工序中的蚀刻，选择与通过蚀刻而应去除的导电层相对应的蚀刻液，除此以外，能够适用与第1蚀刻工序中的蚀刻相同的方法。
第2蚀刻工序中，优选根据所期望的图案，选择性地蚀刻比第1蚀刻工序少的导电层。例如，如图2(g)所示，使用在未配置有正型感光性树脂层的区域中仅选择性地蚀刻第1导电层24A的蚀刻液来进行蚀刻，从而能够将第1导电层的图案设为与第2导电层的图案不同。
在结束第2蚀刻工序之后，形成包括至少2种图案的导电层24B、26A的电路布线。
＜正型感光性树脂层去除工序＞
将正型感光性树脂层去除工序的一例示意地示于图2(h)中。
在结束第2蚀刻工序之后，在第1导电层24B上的一部分残留有第2图案14B。若不需要正型感光性树脂层，则去除所残留的所有正型感光性树脂层的第2图案14B即可。
作为去除所残留的正型感光性树脂层的方法，并无特别限制，但是能够举出通过药品处理来去除的方法。
作为正型感光性树脂层的去除方法，可以举出优选在30℃～80℃、更优选在50℃～80℃下将具有正型感光性树脂层等的基材在搅拌中的剥离液中浸渍1分钟～30分钟的方法。
作为剥离液，例如可以举出将氢氧化钠、氢氧化钾等无机碱成分或伯胺、仲胺、叔胺、季铵盐等有机碱成分溶解于水、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮或它们的混合溶液中而获得的剥离液。可以使用剥离液并通过喷涂法、喷淋法及旋覆浸没法等进行剥离。
本发明所涉及的电路基板的制造方法还可以包括其他任意工序。例如，可以举出如下工序，但是并不限定于这些工序。
＜贴付保护膜的工序＞
在上述第2实施方式中，在第1蚀刻工序之后且在第2曝光工序之前，还可以具有在第1图案上贴附具有透光性的保护膜(未图示)的工序。
此时，优选在第2曝光工序中，经由保护膜对第1图案进行图案曝光，在第2曝光工序后，从第1图案剥离保护膜之后，进行第2显影工序。
＜降低可见光线反射率的工序＞
本发明所涉及的电路基板的制造方法能够包括进行降低基材上的多个导电层的一部分或所有的可见光线反射率的处理的工序。
作为降低可见光线反射率的处理，能够举出氧化处理等。例如，通过对铜进行氧化处理而制成氧化铜来进行黑化，从而能够降低可见光线反射率。
关于降低可见光线反射率的处理的优选方式，在日本特开2014-150118号公报的0017段～0025段以及日本特开2013-206315号公报的0041段、0042段、0048段以及0058段中有记载，该公报的内容编入于本说明书中。
＜在绝缘膜上形成新的导电层的工序＞
本发明所涉及的电路基板的制造方法也优选包括：在所形成的电路基板上的电路布线(以下，也称为“第一电极图案”。)上形成绝缘膜的工序；及在绝缘膜上形成新的导电层(以下，也称为“第二电极图案”。)的工序。
通过这种结构，能够以与第一电极图案绝缘的方式形成上述第二电极图案。
形成绝缘膜的工序并无特别限制，能够举出公知的形成永久膜的方法。并且，也可以使用具有绝缘性的感光性材料，通过光刻法来形成所期望的图案的绝缘膜。
在绝缘膜上形成新的导电层的工序并无特别限制。可以使用具有导电性的感光性材料，通过光刻法来形成所期望的图案的新的导电层。
并且，参考图2的说明中，对在具备2层导电层的电路布线形成用基板形成具有2个不同的图案的电路布线的情况进行了说明，但是适用本发明所涉及的电路基板的制造方法的基板的导电层的数量并不限定于2层，也能够通过使用层叠有3层以上导电层的电路布线形成用基板，进行3次以上所述曝光工序、显影工序及蚀刻工序的组合而将3层以上的导电层形成为分别不同的电路布线图案。
并且，虽未示于图2，但是本发明所涉及的电路基板的制造方法中，也优选基材在两个表面分别具有多个导电层，对形成于基材的两个表面的导电层逐次或同时形成电路。通过这种结构，能够形成在基材的其中一个表面形成第一导电图案、在另一个表面形成第二导电图案的触摸面板用电路布线。并且，也优选以卷对卷方式从基材的两面形成这种结构的触摸面板用电路布线。
(输入装置及显示装置)
作为具备通过本发明所涉及的电路基板的制造方法制造的电路基板的装置，可以举出输入装置。
本发明中的输入装置优选为静电电容型触摸面板。
本发明中的显示装置优选具备本发明中的输入装置。
并且，本发明中的显示装置优选为有机EL显示装置及液晶显示装置等图像显示装置。
(触摸面板及触摸面板显示装置以及这些的制造方法)
本发明所涉及的触摸面板优选为至少具有通过本发明所涉及的电路基板的制造方法制造的电路基板的触摸面板。并且，本发明所涉及的触摸面板优选至少具有透明基板、电极以及绝缘层或保护层。
本发明所涉及的触摸面板显示装置为至少具有通过本发明所涉及的电路基板的制造方法制造的电路基板的触摸面板显示装置，优选具有本发明所涉及的触摸面板的触摸面板显示装置。
本发明所涉及的触摸面板或触摸面板显示装置的制造方法优选包含本发明所涉及的电路基板的制造方法。
本发明所涉及的触摸面板或触摸面板显示装置的制造方法优选包括如下工序，该工序为：使通过感光性转印材料的制造方法获得的感光性转印材料的上述正型感光性树脂层与上述基板接触而贴合的工序；对上述贴合的工序后的上述感光性转印材料的上述正型感光性树脂层进行图案曝光的工序；对上述曝光的工序后的正型感光性树脂层进行显影而形成图案的工序；及对未配置上述图案的区域中的基板进行蚀刻处理的工序。各工序的详细内容与上述电路基板的制造方法中的各工序的详细内容相同，优选方式也相同。
作为本发明所涉及的触摸面板以及本发明所涉及的触摸面板显示装置中的检测方法，可以为电阻膜方式、静电电容方式、超声波方式、电磁感应方式及光学方式等公知的方式中的任一种。其中，优选静电电容方式。
作为触摸面板型，能够举出所谓内嵌型(例如在日本特表2012-517051号公报的图5、图6、图7、图8中的记载)、所谓外嵌型(例如在日本特开2013-168125号公报的图19中的记载、在日本特开2012-089102号公报的图1及图5中的记载)、OGS(One Glass Solution，单片玻璃触摸)型、TOL(Touch-on-Lens，镜片触摸)型(例如在日本特开2013-054727号公报的图2中的记载)、其他结构(例如在日本特开2013-164871号公报的图6中的记载)、各种外挂型(所谓GG、G1·G2、GFF、GF2、GF1、G1F等)。
作为本发明所涉及的触摸面板及本发明所涉及的触摸面板显示装置，能够适用在『最新触摸面板技术』(2009年7月6日、Techno Times Co.,Ltd.发行)、三谷雄二监修、“触摸面板的技术与开发”、CMC出版(2004，12)、FPD International 2009Forum T-11演讲教科书、Cypress Semiconductor Corporation应用笔记AN2292等中公开的结构。
实施例
以下举出实施例对本发明的实施方式进行更具体的说明。以下实施例所示的材料、使用量、比例、处理内容及处理步骤等，只要不脱离本发明的实施方式的趣旨，则能够适当变更。因此，本发明的实施方式的范围并不限定于以下所示的具体例。另外，除非另有说明，则“份”、“％”为质量基准。
＜聚合物成分＞
在以下合成例中，以下缩写分别表示以下化合物。
ATHF：丙烯酸2-四氢呋喃酯(合成品)
MATHF：甲基丙烯酸2-四氢呋喃酯(合成品)
ATHP：四氢-2H-吡喃-2-基丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.制)
TBA：丙烯酸叔丁酯(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation.制)
AA：丙烯酸(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation.制)
EA：丙烯酸乙酯(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation.制)
MMA：甲基丙烯酸甲酯(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation.制)
CHA：丙烯酸环己基酯(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation.制)
BMA：甲基丙烯酸苄酯(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation.制)
PGMEA：丙二醇单甲醚乙酸酯(SHOWA DENKO K.K.制)
V-601：二甲基2,2’-偶氮双(2-甲基丙酸酯)(FUJIFILM Wako Pure ChemicalCorporation.制)
＜ATHF的合成＞
向3口烧瓶中添加丙烯酸(72.1g，1.0mol)、己烷(72.1g)并冷却至20℃。在滴加樟脑磺酸(7.0mg，0.03mmol)、2-二氢呋喃(77.9g，1.0mol)之后，在20℃±2℃下搅拌1.5小时之后，升温至35℃并进行了2小时搅拌。在Nutsche吸滤器依次铺满KYOWARD 200(过滤材料，氢氧化铝粉末，Kyowa Chemical Industry Co.,Ltd.制)、KYOWARD 1000(过滤材料，水滑石系粉末，Kyowa Chemical Industry Co.,Ltd.制)之后，过滤反应液，从而获得了过滤液。向所获得的过滤液中添加氢醌单甲醚(MEHQ，1.2mg)之后，在40℃下进行减压浓缩，从而获得了作为无色油状物的丙烯酸四氢呋喃-2-基(ATHF)140.8g(产率为99.0％)。
＜MATHF的合成＞
向3口烧瓶中添加甲基丙烯酸(86.1g，1.0mol)、己烷(86.1g)并冷却至20℃。在滴加樟脑磺酸(7.0mg，0.03mmol)、2-二氢呋喃(70.1g，1.0mol)之后，在20℃±2℃下搅拌1.5小时之后，升温至35℃并进行了2小时搅拌。在吸滤器依次铺满KYOWARD 200、KYOWARD 1000之后，过滤反应液，从而获得了过滤液。向所获得的过滤液中添加MEHQ(1.2mg)之后，在40℃下进行减压浓缩，从而获得了甲基丙烯酸四氢呋喃-2-基(MATHF)156.2g作为无色油状物(产率为98.0％)。
＜聚合物A-1的合成例＞
向3口烧瓶中放入PGMEA(75.0g)，在氮气氛下升温至90℃。经2小时将添加有ATHF(40.0g)、AA(2.0g)、丙烯酸乙酯(EA、10.0g)、甲基丙烯酸甲酯(MMA、32.0g)、丙烯酸环己酯(CHA、16.0g)、V-601(4.0g)、PGMEA(75.0g)的溶液滴加到保持为90℃±2℃的3口烧瓶溶液中。在滴加结束后，在90℃±2℃下搅拌2小时，从而获得了聚合物A-1(固体成分浓度为40.0％)。
＜聚合物A-2～A-8的合成例＞
聚合物A-2～A-8将单体的种类等变更为如下述表1所示，关于其他条件，以与A-1相同的方法进行了合成。将聚合物的固体成分浓度设为40质量％。表1中的数值表示来自于各单体的结构单元的含量(质量％)。并且，Tg一栏中的记载表示各聚合物的玻璃化转变温度，Mw一栏中的记载表示各聚合物的重均分子量，分解温度一栏表示各聚合物中被酸分解性基团保护的酸基的分解温度。分解温度一栏的＞200中的记载表示分解温度超过200℃。
[表1]
＜感光性转印材料的制作＞
在各实施例及比较例中，以成为下述表2所示的固体成分比的方式，将聚合物成分、光产酸剂、碱性化合物及表面活性剂溶解混合于PGMEA中，以使固体成分浓度成为10质量％，通过孔径为0.2μm的聚四氟乙烯制过滤器进行过滤，从而获得了感光性树脂组合物。
使用狭缝状喷嘴，将该感光性树脂组合物涂布于成为临时支承体的厚度为30μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜上，以使干燥膜厚成为3.0μm，涂布宽度成为1.0m。然后，经40秒钟使其通过80℃的干燥区，压制聚乙烯薄膜(Tredeg ar Co.,Ltd.制，OSM-N)作为覆盖膜而制作了感光性转印材料1，并将感光性转印材料卷绕成卷状。
另外，上述厚度30μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜的总光雾度为0.19％。关于薄膜雾度，使用Suga Test Instruments Co.,Ltd.制雾度试验机HZ-2，遵照JIS-K-7136测定了基础片的总光雾度值(％)。
(抗蚀剂图案的制作及评价)
＜灵敏度评价＞
在实施例1～实施例9及比较例1中，将所制作的卷状的感光性转印材料开卷之后，在层合用的加热卷温度120℃、线压0.8MPa、线速度1.0m/min的层合条件下将其层合于带铜层的环烯烃聚合物基板上，并卷绕成卷状。然后，按照表2中所记载的加热处理条件，以卷状进行了加热。
关于表2中所记载的加热处理条件，认为在加热装置中，卷的最内部的温度成为表2中所记载的加热温度，并且认为卷的最内部的温度成为上述加热温度的时间成为表2中所记载的加热时间。
作为带铜层的环烯烃聚合物基板，使用了通过真空蒸镀法在厚度100μm的环烯烃聚合物薄膜上将铜成膜成200nm厚而获得的环烯烃聚合物基板。
将卷开卷之后，不剥离临时支承体，经由线宽3μm～20μm的线宽与间距图案掩模(Duty比1:1)并使用超高压汞灯进行曝光之后，静置1小时之后剥离临时支承体来进行了显影。关于显影，使用25℃的1.0质量％碳酸钠水溶液，以喷淋显影进行了30秒钟。
在实施例10中，将感光性转印材料层合于带铜层的环烯烃聚合物基板上之后，将一部分切成片状，并按照表2中所记载的加热处理条件进行了加热及加压。然后，通过与实施例1相同的方法进行了曝光及显影。
在这些实施例中，作为用于加热及加压的装置使用了TBR-200(Chiyoda ElectricCo.Ltd制)。另外，表2中的压力(MPa)中的记载表示加压容器内的压力，0.1MPa相当于约1个气压。即，实施例5为未进行加压的例子。
通过上述方法形成了20μm的线宽与间距图案时，通过扫描型电子显微镜(SEM)观察空间部的残渣并进行了评价，求出了无法确认到残渣的曝光量。
曝光量越小表示灵敏度越优异，曝光量优选小于200mJ/cm2。按照下述评价基准进行评价且将评价结果记载于表3中。
〔评价基准〕
5：曝光量小于80mJ/cm2
4：曝光量为80mJ/cm2以上且小于150mJ/cm2
3：曝光量为150mJ/cm2以上且小于200mJ/cm2
2：曝光量为200mJ/cm2以上且小于300mJ/cm2
1：曝光量为300mJ/cm2以上
＜抗蚀剂图案的分辨率评价＞
在通过上述灵敏度评价中无法确认到残渣的曝光量而获得的线宽与间距图案中，在线宽与间距图案能够以1:1的分辨率形成时判断为能够分辨，并将作为最高分辨率的图案设为最终分辨率。并且，判断最终分辨率时，在图案的一侧壁部产生粗糙度的情况下，设为未能分辨。可以说最终分辨率越小分辨率越优异。按照下述评价基准进行评价且将评价结果记载于表3中。
〔评价基准〕
5：最终分辨率小于5μm。
4：最终分辨率小于6μm且5μm以上。
3：最终分辨率小于8μm且6μm以上。
2：最终分辨率小于10μm且8μm以上。
1：最终分辨率为10μm以上。
(电路基板的制作及评价)
＜布线的分辨率评价＞
在实施例1～实施例9及比较例1中，将所制作的卷状的感光性转印材料开卷之后，在层合用的加热卷温度120℃、线压0.8MPa、线速度1.0m/min的层合条件下将其层合于带铜层的环烯烃聚合物基板上，并卷绕成卷状。然后，在规定的条件下按照表2中所记载的加热处理条件，以卷状进行了加热。
将卷开卷之后，不剥离临时支承体，经由线宽3～20μm的线宽与间距图案掩模(Duty比1:1)并使用超高压汞灯进行曝光之后，静置1小时之后剥离临时支承体来进行了显影。将曝光量设为在上述灵敏度评价中求出且无法确认到残渣的曝光量。
关于显影，使用25℃的1.0质量％碳酸钠水溶液，以喷淋显影进行了30秒钟。接着，使用25℃的铜蚀刻液(KANTO CHEMICAL CO.,INC.制Cu-02)，并利用浸渍法对铜层进行了60秒钟的蚀刻。使用50℃的剥离液(KANTO CHEMICAL CO.,INC.制KP-301)，并通过喷淋剥离了所残留的正型感光性树脂层。
在实施例10中，将感光性转印材料层合于带铜层的环烯烃聚合物基板上之后，将一部分切成片状，并按照表2中所记载的加热处理条件进行了加热及加压。然后，通过与实施例1相同的方法进行了曝光、显影、蚀刻及剥离。
以这种方式获得的铜布线的线宽与间距图案中，将作为最高分辨率的图案设为最终分辨率。并且，判断最终分辨率时，在图案的一侧壁部产生粗糙度的情况下，设为未能分辨。按照下述评价基准进行评价且将评价结果记载于表3中。
〔评价基准〕
5：最终分辨率小于5μm。
4：最终分辨率小于6μm且5μm以上。
3：最终分辨率小于8μm且6μm以上。
2：最终分辨率小于10μm且8μm以上。
1：最终分辨率为10μm以上。
[表2]
[表3]
从表3中所记载的结果可知，根据本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法，可以获得分辨率优异的抗蚀剂图案。
并且，可知根据包括本发明所涉及的抗蚀剂图案的制造方法的电路基板的制造方法，可以获得具有分辨率优异的电路布线的电路基板。
除了上述以外的表2中的化合物的详细内容如下所述。
＜光产酸剂＞
B-1：下述所示的结构(日本特开2013-047765的0227段中所记载的化合物、按照0227段中所记载的方法进行了合成)
B-2：PAG-103(产品名称，BASF公司制)
B-3：下述所示的结构(按照日本特开2014-197155号公报的0210段中所记载的方法进行了合成。Ts表示对甲苯磺酰基。)
B-4：GSID-26-1、三芳基锍盐(BASF公司制)
[化学式15]
＜表面活性剂＞
C-1：下述所示的结构
[化学式16]
＜碱性化合物＞
D-1：下述所示的结构的化合物
D-2：2,4,5-三苯基咪唑(Tokyo Chemical Industry制)
D-3：1,5-二氮杂双环[4.3.0]-5-壬烯(Tokyo Chemical Industry制)
[化学式17]
＜萘醌二叠氮化物＞
TS-200TF(Toyo Gosei Co.,Ltd.制，下述结构)
[化学式18]
(实施例101)
在100μm厚环烯烃聚合物基材上，作为第2层导电层而将氧化铟锡(ITO)通过溅射以150nm厚度成膜，在其上作为第1层导电层而将铜通过真空蒸镀法以200nm厚度成膜，由此制成了电路形成基板。
将在实施例1中制作的感光性转印材料层合于铜层上(线压0.8MPa、线速度3.0m/min、卷温度120℃)。
将包括感光性转印材料及基板的结构体卷绕成卷，在50℃且0.4MPa的条件下加热并加压了30分钟。然后，将卷开卷之后，不剥离临时支承体并使用设置有具有沿一个方向连接有导电层焊盘的结构的图3所示的图案(以下，也称为“图案A”。)的光罩进行了接触图案曝光。
另外，在图3所示的图案A中，实线部分SL及灰色部分G为遮光部，虚线部分DL虚拟地表示对准的框。
然后，剥离临时支承体，并进行显影及水洗，从而获得了图案A。接着使用铜蚀刻液(KANTO CHEMICAL CO.,INC.制Cu-02)对铜层进行了蚀刻后，使用ITO蚀刻液(KANTOCHEMICAL CO.,INC.制ITO-02)对ITO层进行了蚀刻，从而获得了铜(实线部分SL)和ITO(灰色部分G)均以图案A描绘出的基板。
接着，使用以对准的状态设置有图4所示的图案(以下，也称为“图案B”。)的开口部的光罩进行了图案曝光、显影、水洗。
另外，在图4所示的图案B中，灰色部分G为遮光部，虚线部分DL虚拟地表示对准的框。
然后，使用Cu-02对铜层进行蚀刻，并使用剥离液(10质量％氢氧化钠水溶液)剥离所残留的感光层，从而获得了布线基板。
由此，获得了布线基板。通过显微镜进行了观察的结果，没有剥离及缺失等，为精致的图案。
关于在2018年2月16日申请的日本专利申请2018-026223号的发明，将其整体作为参考编入本说明书中。本说明书中所记载的所有文献、日本专利申请及技术标准以与具体地且单独地记载作为参考编入的每个文献、日本专利申请及技术标准的情况相同的方式作为参考编入本说明书中。
Claims (11)
1.一种抗蚀剂图案的制造方法，其包括：
使具有临时支承体和包含聚合物及光产酸剂的正型感光性树脂层的转印材料的、以所述临时支承体为基准而言的所述正型感光性树脂层侧的最外层与基板接触而贴合至所述基板的工序；
对所述贴合的工序后的所述正型感光性树脂层进行加热的工序；
对所述加热的工序后的所述正型感光性树脂层进行图案曝光的工序；及
对经所述图案曝光的所述正型感光性树脂层进行显影的工序。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂图案的制造方法，其在所述贴合的工序后且所述加热的工序前，包括将包含所述正型感光性树脂层及所述基板的结构体卷绕成卷的工序，所述加热的工序为对所述卷进行加热的工序，并在所述加热的工序后且所述图案曝光的工序前，包括将所述卷开卷的工序。
3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，
所述加热的工序中的加热温度为所述聚合物在1个气压下的玻璃化转变温度以上的温度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，
所述聚合物具有被酸分解性基团保护的酸基。
5.根据权利要求4所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，
所述加热的工序中的加热温度为所述聚合物中的被所述酸分解性基团保护的酸基在1个气压下的分解温度以下。
6.根据权利要求4或5所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，
所述聚合物中的具有被所述酸分解性基团保护的酸基的结构单元为由下述式A3表示的结构单元，
式A3中，R31及R32分别独立地表示氢原子、烷基或芳基，至少R31及R32中的任一个为烷基或芳基，R33表示烷基或芳基，R31或R32任选与R33连接而形成环状醚，R34表示氢原子或甲基，X0表示单键或亚芳基，Y表示-S-或-O-。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的抗蚀剂图案的制造方法，其中，
所述加热的工序中的所述加热在0.15MPa以上的气氛下进行。
8.一种电路基板的制造方法，其包括：
使用具有导电层及基材的基板作为所述基板，并通过权利要求1至7中任一项所述的抗蚀剂图案的制造方法在所述导电层上制造抗蚀剂图案的工序；及
将通过制造所述抗蚀剂图案的工序而获得的所述抗蚀剂图案用作掩模，并对所述导电层进行蚀刻的工序。
9.根据权利要求8所述的电路基板的制造方法，其中，
所述导电层包括包含铜的层。
10.根据权利要求8或9所述的电路基板的制造方法，其中，
所述基材包含环烯烃聚合物。
11.一种触摸面板的制造方法，其包括权利要求8至10中任一项所述的电路基板的制造方法。
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