CN111684273A - 试样支撑体、电离法以及质量分析方法 - Google Patents
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Abstract
试样支撑体(1)是用于电离试样的试样支撑体。试样支撑体具备:具有彼此相对的第一表面(2a)和第二表面(2b)的基板(2)、和至少设置于第一表面的导电层(4)。在基板中的用于使试样的成分电离的实效区域(R),形成有在第一表面和第二表面开口的多个贯通孔(20),在多个贯通孔的各个中,第一表面侧的第一开口部的宽度比第二表面侧的第二开口部的宽度大。
Description
技术领域
本发明涉及试样支撑体、电离法以及质量分析方法。
背景技术
一直以来,作为为了进行质量分析等而将生物体试样等的试样电离的方法,已知有激光解吸电离法。作为用于激光解吸电离法的试样支撑体,专利文献1公开了一种试样支撑体,其具备:形成有多个贯通孔的基板、和设置于基板的至少一个表面的导电层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第6093492号公报
发明内容
[发明想要解决的技术问题]
在质量分析中,检测已电离的试样的成分,并基于该检测结果实施试样的质量分析。因此,在质量分析中,期望提高已电离的试样的成分的信号强度(灵敏度)。
本发明的目的在于,提供能够在质量分析中使已电离的试样的成分的信号强度提高的试样支撑体、电离法以及质量分析方法。
[用于解决技术问题的技术手段]
本发明的一个方面的试样支撑体是用于电离试样的试样支撑体,其具备:具有彼此相对的第一表面和第二表面的基板;以及至少设置于第一表面的导电层,并且,在基板中的用于使试样的成分电离的实效区域,形成有在第一表面和第二表面开口的多个贯通孔,在多个贯通孔的各个中,第一表面侧的第一开口部的宽度比第二表面侧的第二开口部的宽度大。
在该试样支撑体中,在多个贯通孔的各个中,第一表面侧的第一开口部的宽度比第二表面侧的第二开口部的宽度大。因此,例如,当从第一表面侧对多个贯通孔滴加包含试样的溶液时,溶液经由多个贯通孔移动至第二表面侧,溶液中的试样的成分以适当的状态留在第一表面侧。因此,当一边对导电层施加电压一边对第一表面照射能量射线时,能够使试样的成分可靠地电离。因此,根据该试样支撑体,能够在质量分析中使已电离的试样的成分的信号强度提高。
在本发明的一个方面的试样支撑体中,可以为:从第一表面和第二表面彼此相对的方向观察时,在多个贯通孔的各个中,第一开口部的外缘位于第二开口部的外缘的外侧。由此,例如,当从第一表面侧对多个贯通孔滴加包含试样的溶液时,能够使溶液中的试样的成分以适当的状态留在第一表面侧。
在本发明的一个方面的试样支撑体中,可以为:多个贯通孔分别具有第一开口部侧的第一部分和第二开口部侧的第二部分,第一部分呈朝向第一开口部侧变宽的漏斗状的形状。或者,在本发明的一个方面的试样支撑体中,可以为:多个贯通孔分别呈朝向第一开口部侧变宽的圆锥台状的形状。在任一情况下,例如,当从第一表面侧对多个贯通孔滴加包含试样的溶液时,能够使溶液中的试样的成分以适当的状态留在第一表面侧。
在本发明的一个方面的试样支撑体中,可以为:在多个贯通孔的各个中,宽度的最小值为1nm,宽度的最大值为700nm。由此,例如,当从第一表面侧对多个贯通孔滴加包含试样的溶液时,能够使溶液中的试样的成分以适当的状态留在第一表面侧。
在本发明的一个方面的试样支撑体中,可以为:基板是通过对阀金属或者硅进行阳极氧化而形成的。由此,能够容易且可靠地获得形成有多个贯通孔的基板。
在本发明的一个方面的试样支撑体中,可以为:导电层由铂或者金形成。由此,能够容易且可靠地获得适于试样的电离的导电层。
本发明的一个方面的电离法具备:第一工序,准备上述的试样支撑体;第二工序,以使第二表面面对载置部的载置面的方式,将试样支撑体载置于载置面,并且从第一表面侧对多个贯通孔滴加包含试样的溶液;以及第三工序,通过一边对导电层施加电压一边对第一表面照射能量射线,从而将留在第一表面侧的试样的成分电离。
根据该电离法,由于使用了上述的试样支撑体,因此,能够在质量分析中提高已电离的试样的成分的信号强度。
本发明的一个方面的质量分析方法具备:上述的电离法的第一工序、第二工序及第三工序;以及第四工序,检测在第三工序中已电离的成分。
根据该质量分析方法,由于使用了上述的试样支撑体,因此,能够在质量分析中提高已电离的试样的成分的信号强度。
[发明效果]
根据本发明,能够提供一种能够在质量分析中使已电离的试样的成分的信号强度提高的试样支撑体、电离法以及质量分析方法。
附图说明
图1是一个实施方式的试样支撑体的俯视图。
图2是沿图1所示的II-II线的试样支撑体的截面图。
图3是表示图1所示的试样支撑体的基板的放大图像的图。
图4是表示图1所示的试样支撑体的基板的制造工序的图。
图5是表示一个实施方式的质量分析方法的工序的图。
图6是表示一个实施方式的质量分析方法的工序的图。
图7是表示一个实施方式的质量分析方法的工序的图。
图8是变形例的试样支撑体的截面图。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的实施方式进行详细说明。此外,在各图中,对相同或者相当的部分标注相同的附图标记,省略重复的说明。
如图1和图2所示,试样支撑体1是用于电离试样的支撑体,其具备基板2、框架3和导电层4。基板2具有彼此相对的第一表面2a和第二表面2b。在基板2上,以同样的方式(以均匀地分布的方式)形成有多个贯通孔20。各贯通孔20沿基板2的厚度方向(第一表面2a和第二表面2b彼此相对的方向)延伸,在第一表面2a和第二表面2b开口。
基板2例如由绝缘性材料而形成为长方形板状。从基板2的厚度方向观察时,基板2的一边的长度为例如几厘米程度。基板2的厚度为例如1μm~50μm程度。在各贯通孔20中,第一表面2a侧的第一开口部20a的宽度比第二表面2b侧的第二开口部20b的宽度大。从基板2的厚度方向观察时,在各贯通孔20中,第一开口部20a的外缘位于第二开口部20b的外缘的外侧。即,从基板2的厚度方向观察时,在各贯通孔20中,第一开口部20a的外缘包含第二开口部20b的外缘。
此外,“第一开口部20a的宽度”的含义如下:当从基板2的厚度方向观察时的第一开口部20a的形状为大致圆形的情况下,是指第一开口部20a的直径;当该形状是大致圆形之外的形状的情况下,是指容纳于该形状的假想的最大圆的直径(有效直径)。同样地,“第二开口部20b的宽度”的含义如下:当从基板2的厚度方向观察时的第二开口部20b的形状为大致圆形的情况下,是指第二开口部20b的直径;当该形状是大致圆形之外的形状的情况下,是指容纳于该形状的假想的最大圆的直径(有效直径)。在本实施方式中,第一开口部20a的宽度是第二开口部20b的宽度的两倍程度。
各贯通孔20具有第一开口部20a侧的第一部分21、和第二开口部20b侧的第二部分22。第一部分21呈朝向第一开口部20a侧变宽的漏斗状的形状。第二部分22呈圆柱状的形状。第一部分21的中心线与第二部分22的中心线互相一致。在各贯通孔20中,宽度的最小值为1nm,宽度的最大值为700nm。在此,“宽度”的含义如下:当垂直于基板2的厚度方向的贯通孔20的截面形状为大致圆形的情况下,是指贯通孔20的直径;当该截面形状为大致圆形之外的形状的情况下,是指容纳于该截面形状的假想的最大圆的直径(有效直径)。在本实施方式中,宽度的最小值是第二部分22的直径,宽度的最大值是第一开口部20a的直径。
框架3设置于基板2的第一表面2a。具体而言,框架3通过粘接层5而被固定于基板2的第一表面2a。作为粘接层5的材料,优选使用释放气体少的粘接材料(例如,低融点玻璃、真空用粘接剂等)。从基板2的厚度方向观察时,框架3具有与基板2大致相同的外形。在框架3上形成有开口3a。基板2中的与开口3a对应的部分作为用于使试样的成分电离的实效区域R而发挥其作用。
框架3例如由绝缘性材料形成为长方形板状。从基板2的厚度方向观察时,框架3的一边的长度为例如几厘米程度。框架3的厚度为例如1mm以下。从基板2的厚度方向观察时的开口3a的形状为例如圆形,该情况下的开口3a的直径为例如几毫米~几十毫米程度。通过采用这样的框架3,试样支撑体1的操作变得容易,并且能够抑制因温度变化等导致的基板2的变形。
导电层4设置于基板2的第一表面2a。具体而言,导电层4连续地(一体地)形成于:基板2的第一表面2a中的与框架3的开口3a对应的区域(即,与实效区域R对应的区域)、开口3a的内表面、以及框架3的位于与基板2相反侧的表面3b。导电层4在实效区域R覆盖基板2的第一表面2a中的没有形成有贯通孔20的部分。即,在实效区域R,各贯通孔20露出于开口3a。
导电层4由导电性材料形成。在本实施方式中,导电层4由Pt(铂)或Au(金)形成。如此,根据以下所述的理由,作为导电层4的材料,优选使用与试样的亲和性(反应性)低且导电性高的金属。
例如,当由与蛋白质等的试样亲和性高的Cu(铜)等金属形成了导电层4时,在后述的试样的电离的过程中,在试样分子上附着有Cu原子的状态下试样被电离,在后述的质量分析方法中,存在检测结果发生偏差的可能性,该偏差的量与所附着的Cu原子的量相对应。因此,作为导电层4的材料,优选使用与试样的亲和性低的金属。
另一方面,导电性越高的金属越易于容易且稳定地施加一定的电压。因此,当用导电性高的金属形成了导电层4时,能够在实效区域R对基板2的第一表面2a均匀地施加电压。另外,导电性越高的金属其热传导性也倾向于越高。因此,当由导电性高的金属形成导电层4时,能够将照射到基板2的激光(能量射线)的能量经由导电层4有效地传递给试样。因此,作为导电层4的材料,优选使用导电性高的金属。
根据以上的观点,作为导电层4的材料,优选使用例如Pt、Au等。通过例如镀敷法、原子层沉积法(ALD:Atomic Layer Deposition)、蒸镀法、溅射法等而将导电层4形成为厚度1nm~350nm程度。此外,作为导电层4的材料,也可以使用例如Cr(铬)、Ni(镍)、Ti(钛)等。
图3是表示从基板2的厚度方向观察时的基板2的放大图像的图。在图3中,黑色的部分是贯通孔20,白色的部分是贯通孔20之间的隔壁部。如图3所示,在基板2上,以同样的方式形成有具有大致一定的宽度的多个贯通孔20。实效区域R的贯通孔20的开口率(从基板2的厚度方向观察时,所有贯通孔20相对于实效区域R所占的比例)从实用角度考虑优选为10~80%,特别优选60~80%。多个贯通孔20的大小也可以是彼此不一致,也可以是局部部分的多个贯通孔20彼此相互连接的形态。
图3所示的基板2是通过对Al(铝)进行阳极氧化而形成的氧化铝多孔质膜。具体而言,如图4的(a)所示,通过对Al基板200实施阳极氧化处理,来氧化Al基板200的表面部分200a,并且在Al基板200的表面部分200a形成多个细孔201。接着,如图4的(b)所示,通过对Al基板200实施扩孔处理,来扩大各细孔201的直径。直径被扩大了的各细孔201相当于基板2的第一部分21。接着,如图4的(c)所示,对Al基板200实施阳极氧化处理,来进一步深入氧化Al基板200的表面部分200a,并且在直径被扩大了的各细孔201的底部形成细孔202。各细孔202相当于基板2的第二部分22。接着,通过将氧化后的表面部分200a从Al基板200剥离,从而如图4的(d)所示,获得基板2。
此外,基板2也可以通过对Ta(钽)、Nb(铌)、Ti(钛)、Hf(铪)、Zr(锆)、Zn(锌)、W(钨)、Bi(铋)、Sb(锑)等的Al以外的阀金属进行阳极氧化来形成。或者,基板2也可以通过对Si(硅)进行阳极氧化来形成。
下面,对使用了试样支撑体1的电离法和质量分析方法进行说明。在图5~图7中,省略了试样支撑体1中的贯通孔20、导电层4和粘接层5的图示。另外,为方便图示,图1和图2所示的试样支撑体1和图5~图7所示的试样支撑体1中,尺寸的比例等不同。
首先,如图5的(a)所示,准备上述的试样支撑体1(第一工序)。关于试样支撑体1,可以通过由实施电离法和质量分析方法的人员进行制造来准备,也可以通过从试样支撑体1的制造者或者销售者等获取来准备。
接着,如图5的(b)所示,以使基板2的第二表面2b面对载玻片(载置部)6的载置面6a的方式,将试样支撑体1载置于载置面6a(第二工序)。载玻片6是形成有ITO(氧化铟锡(Indium Tin Oxide))膜等的透明导电膜的玻璃基板,透明导电膜的表面成为载置面6a。此外,不限于载玻片6,能够将可确保导电性的构件(例如,由不锈钢等金属材料等构成的基板等)作为载置部使用。接着,如图6的(a)所示,通过具有导电性的胶带7(例如,碳胶带等)将试样支撑体1固定在载玻片6上。接着,如图6的(b)所示,通过移液管8从第一表面2a侧对多个贯通孔20(与实效区域R对应的多个贯通孔20)滴加包含试样S的溶液(第二工序)。
由此,在各贯通孔20中,包含试样S的溶液从第一部分21进入第二部分22内,并且包含试样S的溶液的一部分由于表面张力而留在各贯通孔20的第一部分21(参照图2)。因此,溶液中的试样S的成分S1可靠地留在基板2的第一表面2a侧。
接着,如图7所示,在试样S的成分S1留在第一表面2a侧的试样支撑体1固定于载玻片6的状态下,载玻片6、试样支撑体1和试样S被载置到质量分析装置10的支撑部12(例如,载物台)上。接着,由质量分析装置10的电压施加部14经由载玻片6的载置面6a和胶带7对试样支撑体1的导电层4(参照图2)施加电压(第三工序)。接着,由质量分析装置10的激光照射部13经由框架3的开口3a对基板2的第一表面2a照射激光(能量射线)L(第三工序)。即,将激光L照射到基板2的第一表面2a中的与框架3的开口3a对应的区域(即,与实效区域R对应的区域)。在本实施方式中,激光照射部13对与实效区域R对应的区域扫描激光L。此外,能够通过支撑部12和激光照射部13中的至少一者的动作来实施对与实效区域R对应的区域的激光L的扫描。
如上所述,通过一边对导电层4施加电压,一边对基板2的第一表面2a照射激光L,从而将留在基板2的第一表面2a侧的试样S的成分S1电离,释放试样离子S2(已电离的成分S1)(第三工序)。具体而言,从吸收了激光L的能量的导电层4(参照图2)将能量传递给留在基板2的第一表面2a侧的试样S的成分S1,获得能量的试样S的成分S1发生气化并且获得电子,从而成为试样离子S2。以上的第一工序~第三工序相当于使用了试样支撑体1的电离法(在本实施方式中,为激光解吸电离法)。
释放出的试样离子S2向设置于试样支撑体1与离子检测部15之间的接地电极(省略图示)一边加速一边移动。即,由于在被施加了电压的导电层4与接地电极之间产生的电位差,试样离子S2向接地电极一边加速一边移动。然后,由质量分析装置10的离子检测部15检测试样离子S2(第四工序)。在本实施方式中,质量分析装置10为利用飞行时间型质量分析方法(TOF-MS:Time-of-Flight Mass Spectrometry)的扫描型质量分析装置。以上的第一工序~第四工序相当于使用了试样支撑体1的质量分析方法。
如上所述,在试样支撑体1中,在多个贯通孔20的各个中,第一表面2a侧的第一开口部20a的宽度比第二表面2b侧上的第二开口部20b的宽度大。因此,例如,当从第一表面2a侧对多个贯通孔20滴加包含试样S的溶液时,溶液经由多个贯通孔20而移动至第二表面2b侧,并且溶液中的试样S的成分S1以适当的状态留在第一表面2a侧。因此,当一边对导电层4施加电压,一边对第一表面2a照射激光L时,试样S的成分S1被可靠地电离。因此,根据试样支撑体1,能够在质量分析中使已电离的试样S的成分S1的信号强度提高。
另外,在试样支撑体1中,从基板2的厚度方向观察时,在多个贯通孔20的各个中,第一开口部20a的外缘位于第二开口部20b的外缘的外侧。由此,例如,当从第一表面2a侧对多个贯通孔20滴加包含试样S的溶液时,能够使溶液中的试样S的成分S1以适当的状态留在第一表面2a侧。
另外,在试样支撑体1中,多个贯通孔20的每一个具有第一开口部20a侧的第一部分21和第二开口部20b侧的第二部分22,第一部分21呈朝向第一开口部20a侧变宽的漏斗状的形状。由此,例如,当从第一表面2a侧对多个贯通孔20滴加包含试样S的溶液时,能够使溶液中的试样S的成分S1以适当的状态留在第一表面2a侧。
另外,在试样支撑体1中,在多个贯通孔20的各个中,宽度的最小值为1nm,宽度的最大值为700nm。由此,例如,当从第一表面2a侧对多个贯通孔20滴加包含试样S的溶液时,能够使溶液中的试样S的成分S1以适当的状态留在第一表面2a侧。
另外,在试样支撑体1中,基板2是通过对阀金属或者硅进行阳极氧化而形成的。由此,能够容易且可靠地获得形成有多个贯通孔20的基板2。
另外,在试样支撑体1中,由Pt或者Au形成导电层4。由此,能够容易且可靠地获得适于试样S的电离的导电层4。
根据上述的电离法及质量分析方法,由于使用了上述的试样支撑体1,因此,能够在质量分析中使已电离的试样S的成分S1的信号强度提高。
本发明不限于上述的实施方式。例如,如图8所示,多个贯通孔20分别可以呈朝向第一开口部20a侧变宽的圆锥台状的形状。在该情况下,例如,当从第一表面2a侧对多个贯通孔20滴加包含试样S的溶液时,也能够使溶液中的试样S的成分S1以适当的状态留在第一表面2a侧。另外,在该情况下,可以提高基板2的强度。此外,由于激光L的照射面积增加,因此,能够在质量分析中提高被电离的试样S的成分S1的信号强度。此外,各贯通孔20的形状不限于上述的形状,只要是第一表面2a侧的第一开口部20a的宽度比第二表面2b侧的第二开口部20b的宽度大的形状(例如,贯通孔20的宽度朝向第一开口部20a侧连续地或阶段性地变大的形状等)即可。但是,优选如下:从基板2的厚度方向观察时,在多个贯通孔20的各个中,第一开口部20a的外缘位于第二开口部20b的外缘的外侧。
另外,在上述的实施方式中,基板2上设置有一个实效区域R,但是,基板2上也可以设置有多个实效区域R。另外,多个贯通孔20不必仅形成于实效区域R,而可以如上述实施方式那样,例如,形成于基板2的整体。即,多个贯通孔20只要至少形成于实效区域R即可。另外,在上述的实施方式中,以使一个试样S与一个实效区域R对应的方式配置了试样S,但是,也可以以使多个试样S与一个实效区域R对应的方式配置试样S。
另外,导电层4只要至少设置于第一表面2a即可。因此,在第一表面2a之外,导电层4还可以例如设置于各贯通孔20的第一部分21的内表面。或者,在第一表面2a之外,导电层4还可以例如设置于基板2的第二表面2b以及各贯通孔20的内表面。
另外,在第二工序中,也可以通过胶带7以外的方法(例如,使用粘接剂、固定器具等的方法)将试样支撑体1固定在载玻片6上。另外,在第三工序中,可以是不经由载玻片6的载置面6a和胶带7而对导电层4施加电压。在该情况下,载玻片6和胶带7也可以不具有导电性。另外,胶带7可以是试样支撑体1的一部分。当胶带7是试样支撑体1的一部分时(即,当试样支撑体1具备胶带7时),例如,胶带7可以预先固定于基板2的周缘部的第一表面2a侧,或者,胶带7可以预先固定于框架3的表面3b上形成的导电层4上。
另外,在质量分析装置10中,也可以是:激光照射部13对与实效区域R对应的区域一并照射激光L。即,质量分析装置10也可以是投影型质量分析装置。另外,上述的电离法能够用于离子淌度测定等其他测量及实验中。
另外,试样支撑体1的用途不限于通过激光L的照射使试样S电离的用途。试样支撑体1可以被用于通过激光、离子束、电子射线等的能量射线的照射而使试样S电离的用途。在上述电离法以及质量分析方法中,能够通过能量射线的照射而使试样S电离。
[符号说明]
1试样支撑体;2基板;2a第一表面;2b第二表面;4导电层;6载玻片(载置部);6a载置面;20贯通孔;20a第一开口部;20b第二开口部;21第一部分;22第二部分;R实效区域;L激光(能量射线);S试样;S1成分。
Claims (9)
1.一种试样支撑体,其中,
该试样支撑体是用于电离试样的试样支撑体,
其具备:
基板,其具有彼此相对的第一表面和第二表面;以及
导电层,其至少设置于所述第一表面,
在所述基板中的用于使所述试样的成分电离的实效区域,形成有在所述第一表面和所述第二表面开口的多个贯通孔,
在所述多个贯通孔的各个中,所述第一表面侧的第一开口部的宽度比所述第二表面侧的第二开口部的宽度大。
2.根据权利要求1所述的试样支撑体,其中,
从所述第一表面和所述第二表面彼此相对的方向观察时,在所述多个贯通孔的各个中,所述第一开口部的外缘位于所述第二开口部的外缘的外侧。
3.根据权利要求1或2所述的试样支撑体,其中,
所述多个贯通孔分别具有所述第一开口部侧的第一部分和所述第二开口部侧的第二部分,
所述第一部分呈朝向所述第一开口部侧变宽的漏斗状的形状。
4.根据权利要求1或2所述的试样支撑体,其中,
所述多个贯通孔分别呈朝向所述第一开口部侧变宽的圆锥台状的形状。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的试样支撑体,其中,
在所述多个贯通孔的各个中,宽度的最小值为1nm,宽度的最大值为700nm。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的试样支撑体,其中,
所述基板是通过对阀金属或者硅进行阳极氧化而形成的。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的试样支撑体,其中,
所述导电层由铂或者金形成。
8.一种电离法,其中,
具备:
第一工序,准备权利要求1~7中任一项所述的试样支撑体;
第二工序,以使所述第二表面面对载置部的载置面的方式,将所述试样支撑体载置于所述载置面,并且从所述第一表面侧对所述多个贯通孔滴加包含所述试样的溶液;以及
第三工序,通过一边对所述导电层施加电压一边对所述第一表面照射能量射线,从而将留在所述第一表面侧的所述试样的成分电离。
9.一种质量分析方法,其中,
具备:
权利要求8所述的电离法的所述第一工序、所述第二工序及所述第三工序;以及
第四工序,检测在所述第三工序中已电离的所述成分。
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