CN111051874A - 激光解吸电离法、质量分析方法、试样支撑体及试样支撑体的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种激光解吸电离法，其具备下述工序：第一工序，准备试样支撑体(1)，该试样支撑体(1)具备形成有在彼此相对的第一表面(2a)和第二表面(2b)开口的多个贯通孔的基板(2)、至少设置于第一表面的导电层、和设置于多个贯通孔的基质；第二工序，将试样(S)载置在载置部(6)的载置面(6a)，且以试样与第二表面接触的方式在试样上配置试样支撑体；以及第三工序，在载置部与试样支撑体之间配置有试样的状态下，一边对导电层施加电压一边对第一表面照射激光(L)，由此使与基质混合并且从第二表面侧经由贯通孔移动到第一表面侧的试样的成分(S1)电离。

Description

激光解吸电离法、质量分析方法、试样支撑体及试样支撑体的 制造方法

技术领域

本发明涉及激光解吸电离法、质量分析方法、试样支撑体及试样支撑体的制造方法。

背景技术

一直以来，作为将生物体试样等试样电离以进行质量分析等的方法，已知有基质辅助激光解吸电离法(MALDI：Matrix-Assisted Laser Desorption/Ionization)。MALDI是将吸收激光的被称为基质的低分子量的有机化合物添加到试样中，通过对其照射激光，来将试样电离的方法。根据这样的方法，能够将对热不稳定的物质或高分子量物质以非破坏的方式进行电离(所谓的软电离)。

[现有技术文献]

专利文献

专利文献1：美国专利第7695978号说明书

发明内容

[发明要解决的技术问题]

然而，在对构成试样的分子的二维分布进行图像化的成像质量分析中使用上述的MALDI的情况下，提高图像的分辨率时存在极限。

因此，本发明的目的在于，提供一种能够将高分子量的试样电离并且提高成像质量分析中的图像的分辨率的激光解吸电离法、质量分析方法、试样支撑体和试样支撑体的制造方法。

[用于解决技术问题的技术手段]

本发明的一方面的激光解吸电离法具备如下工序：第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备：形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔的基板；至少设置于第一表面的导电层；和设置于多个贯通孔的基质；第二工序，将试样载置在载置部的载置面，以试样与第二表面接触的方式在试样上配置试样支撑体；以及第三工序，在载置部与试样支撑体之间配置有试样的状态下，一边对导电层施加电压一边对第一表面照射激光，由此使与基质混合并且从第二表面侧经由贯通孔移动到第一表面侧的试样的成分电离。

在该激光解吸电离法中，当试样支撑体被配置在试样上时，试样的成分利用毛细管现象从第二表面侧经由各贯通孔移动到第一表面侧并且与基质混合。然后，当一边对导电层施加电压一边对第一表面照射激光时，能量被传递到移动到第一表面侧的试样的成分。由此，试样的成分被电离。在该激光解吸电离法中，试样的成分与基质混合而被电离，因此，能够可靠地使高分子量的试样的成分电离。另外，试样的成分经由多个贯通孔移动到第一表面侧。因此，在移动到基板的第一表面侧的成分中，能够维持试样的位置信息(构成试样的分子的二维分布信息)。在该状态下，一边对导电层施加电压一边对基板的第一表面照射激光，因此，能够一边维持试样的位置信息一边将试样的成分电离。由此，能够提高成像质量分析中的图像的分辨率。如以上所述，根据这样的激光解吸电离法，能够将高分子量的试样电离并且提高成像质量分析中的图像的分辨率。

本发明的一方面的激光解吸电离法具备如下工序：第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备：基板，其具有导电性，且形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔；和设置于多个贯通孔的基质；第二工序，将试样载置在载置部的载置面，以试样与第二表面接触的方式在试样上配置试样支撑体；以及第三工序，在载置部与试样支撑体之间配置有试样的状态下，一边对基板施加电压一边对第一表面照射激光，由此使与基质混合并且从第二表面侧经由贯通孔移动到第一表面侧的试样的成分电离。

根据该激光解吸电离法，能够在试样支撑体中省略导电层，并且能够得到与如上所述使用具有导电层的试样支撑体时同样的效果。

本发明的一方面的质量分析法具备如下工序：上述激光解吸电离法的各工序；和第四工序，检测在第三工序中已电离的成分。

根据该质量分析方法，能够进行能够将高分子量的试样电离并且能够提高图像的分辨率的成像质量分析。

本发明的一方面的试样支撑体是在激光解吸电离法中支撑试样的试样支撑体，其具备：基板，其形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔；至少设置于第一表面的导电层；以及设置于多个贯通孔的基质。

根据该试样支撑体，能够将如上所述的高分子量的试样电离并且提高成像质量分析中的图像的分辨率。

在本发明的一方面的试样支撑体中，基板也可以是通过对阀金属或者硅进行阳极氧化来形成的。由此，能够适当地实现上述的通过毛细管现象而进行的试样的成分的移动。

在本发明的一方面的试样支撑体中，贯通孔的宽度也可以为1～700nm。该情况下，能够顺畅地进行上述的通过毛细管现象而进行的试样的成分的移动。另外，在使用了上述激光解吸电离法的质量分析中能够得到足够的信号强度。

本发明的一方面的试样支撑体是在激光解吸电离法中支撑试样的试样支撑体，其具备：基板，其具有导电性且形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔；以及设置于多个贯通孔的基质。

根据该试样支撑体，能够省略导电层，并且能够得到与如上所述具有导电层的试样支撑体同样的效果。

本发明的一方面的试样支撑体的制造方法是制造在激光解吸电离法中支撑试样的试样支撑体的制造方法，其具备如下工序：第一工序，准备基板，该基板上形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔，且至少在第一表面设置有导电层；第二工序，对多个贯通孔导入基质溶液；以及第三工序，使基质溶液干燥。

根据该试样支撑体的制造方法，能够制造能够将如上所述的高分子量的试样电离并且提高成像质量分析中所得图像的分辨率的试样支撑体。

在本发明的一方面的试样支撑体的制造方法中，也可以是：在第二工序中，将基质溶液从第一表面侧或者第二表面侧滴落到多个贯通孔。该情况下，能够将基质溶液容易地导入到各贯通孔。

在本发明的一方面的试样支撑体的制造方法中，也可以是：在第二工序中，将基板浸渍于基质溶液中。该情况下，能够将基质溶液容易地导入各贯通孔。

本发明的一方面的试样支撑体的制造方法是在激光解吸电离法中支撑试样的试样支撑体的制造方法，其具备如下工序：第一工序，准备基板，该基板具有导电性且形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔；第二工序，对多个贯通孔导入基质溶液；以及第三工序，使基质溶液干燥。

根据该试样支撑体的制造方法，能够制造可省略导电层并且可得到与如上所述具有导电层的试样支撑体同样的效果的试样支撑体。

[发明效果]

根据本发明，能够提供一种能够将高分子量的试样电离并且提高成像质量分析中的图像的分辨率的激光解吸电离法、质量分析方法、试样支撑体和试样支撑体的制造方法。

附图说明

图1是一实施方式的试样支撑体的俯视图。

图2是沿图1所示的II－II线的试样支撑体的截面图。

图3是表示图1所示的试样支撑体的基板的放大图像的图。

图4是表示一实施方式的试样支撑体的制造方法的工序的图。

图5是表示一实施方式的质量分析方法的工序的图。

图6是表示一实施方式的质量分析方法的工序的图。

图7是表示一实施方式的质量分析方法的工序的图。

图8的(a)是基于比较例的质量分析方法的二维图像。图8的(b)是基于比较例的质量分析方法的质谱。

图9的(a)是基于实施例的质量分析方法的二维图像。图9的(b)是基于实施例的质量分析方法的质谱。

图10的(a)是基于另一实施例的质量分析方法的二维图像。图10的(b)是基于另一实施例的质量分析方法的质谱。

图11是表示试样支撑体的变形例的制造方法的工序的图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行详细说明。此外，在各图中，对相同或者相当的部分标注相同的附图标记，省略重复的说明。

(第一实施方式)

首先，对一实施方式的试样支撑体进行说明。如图1和图2所示，试样支撑体1具备基板2、框架3、导电层4和基质82。基板2具有彼此相对的第一表面2a和第二表面2b。在基板2上，以同样的方式(以均匀地分布的方式)形成有多个贯通孔2c。各贯通孔2c沿基板2的厚度方向(与第一表面2a和第二表面2b垂直的方向)延伸，在第一表面2a和第二表面2b开口。

基板2例如由绝缘性材料而形成为长方形板状。从基板2的厚度方向观察时基板2的一边的长度为例如几cm程度，基板2的厚度为例如1μm～50μm程度。从基板2的厚度方向观察时贯通孔2c的形状为例如大致圆形。贯通孔2c的宽度为1nm～700nm。关于贯通孔2c的宽度，在从基板2的厚度方向观察时贯通孔2c的形状为大致圆形的情况下，意味着贯通孔2c的直径；在从基板2的厚度方向观察时贯通孔2c的形状为大致圆形以外的情况下，意味着容纳于贯通孔2c的假想的最大圆柱的直径(有效直径)。各贯通孔2c间的间距为1～1000nm。关于各贯通孔2c间的间距，在从基板2的厚度方向观察时贯通孔2c的形状为大致圆形的情况下，意味着该各圆的中心间距离；在该形状为大致圆形以外的情况下，意味着容纳于贯通孔2c的假想的最大圆柱的中心轴间距离。

框架3设置于基板2的第一表面2a。具体而言，框架3通过粘接层5而被固定于基板2的第一表面2a。作为粘接层5的材料，优选使用释放气体少的粘接材料(例如，低融点玻璃、真空用粘接剂等)。从基板2的厚度方向观察时，框架3具有与基板2大致相同的外形。在框架3上形成有开口3a。基板2中的与开口3a对应的部分作为用于使后述的试样的成分移动到第一表面2a侧的实效区域R而发挥其作用。

框架3例如由绝缘性材料形成为长方形板状。从基板2的厚度方向观察时框架3的一边的长度为例如几cm程度，框架3的厚度为例如1mm以下。从基板2的厚度方向观察时开口3a的形状为例如圆形，该情况下的开口3a的直径为例如几mm～几十mm程度。通过采用这样的框架3，试样支撑体1的操作变得容易，并且能够抑制因温度变化等导致的基板2的变形。

导电层4设置于基板2的第一表面2a。具体而言，导电层4连续地(一体地)形成于基板2的第一表面2a中的与框架3的开口3a对应的区域(即，与实效区域R对应的区域)、开口3a的内表面、以及框架3的位于与基板2相反侧的表面3b。导电层4在实效区域R覆盖基板2的第一表面2a中的没有形成有贯通孔2c的部分。即，在实效区域R，各贯通孔2c露出于开口3a。

导电层4由导电性材料形成。其中，作为导电层4的材料，根据以下所述的理由，优选使用与试样S的亲和性(反应性)低且导电性高的金属。

例如，当由与蛋白质等的试样亲和性高的Cu(铜)等金属形成了导电层4时，在后述的试样的电离的过程中，在试样分子上附着有Cu原子的状态下试样被电离。于是，在后述的质量分析法中，存在检测结果发生偏差的可能性，该偏差的量与所附着的Cu原子的量相对应。因此，作为导电层4的材料，优选使用与试样的亲和性低的金属。

另一方面，导电性越高的金属越易于容易且稳定地施加一定的电压。因此，当用导电性高的金属形成了导电层4时，能够在实效区域R对基板2的第一表面2a均匀地施加电压。另外，导电性越高的金属其热传导性也倾向于越高。因此，当由导电性高的金属形成导电层4时，能够将照射到基板2的激光的能量经由导电层4有效地传递给试样。因此，作为导电层4的材料，优选使用导电性高的金属。

根据以上的观点，作为导电层4的材料，优选使用例如Au(金)、Pt(铂)等。导电层4通过例如镀敷法、原子层沉积法(ALD：Atomic Layer Deposition)、蒸镀法、溅射法等而形成为厚度1nm～350nm程度。此外，作为导电层4的材料，也可以使用例如Cr(铬)、Ni(镍)、Ti(钛)等。

基质82设置于多个贯通孔2c。基质82设置于至少在实效区域R的各贯通孔2c内。基质82设置于各贯通孔2c的内壁面。基质82是吸收激光的有机化合物。基质82是例如含有2,5-二羟基苯甲酸(DHB)的结晶。此外，基质82也可以不是设置于各贯通孔2c内。基质82设置在实效区域R的各贯通孔2c内、基板2的第一表面2a侧和基板2的第二表面2b侧中的至少任一处即可。基质82设置在实效区域R的各贯通孔2c内、导电层4的表面和基板2的第二表面2b中的至少任一处即可。即，基质82设置于多个贯通孔2c，意味着基质82设置于各贯通孔2c的周边。

图3是表示从基板2的厚度方向观察时的基板2的放大图像的图。在图3中，黑色的部分是贯通孔2c，白色的部分是贯通孔2c间的隔壁部。如图3所示，基板2中，以同样的方式形成有具有大致一定的宽度的多个贯通孔2c。实效区域R的贯通孔2c的开口率(从基板2的厚度方向观察时所有贯通孔2c相对于实效区域R所占的比例)从实用角度考虑优选为10～80％，尤其优选60～80％。多个贯通孔2c的大小也可以是彼此不一致，也可以是局部部分的多个贯通孔2c彼此相互连接的形态。

图3所示的基板2是通过对Al(铝)进行阳极氧化而形成的氧化铝多孔质膜。具体而言，对Al基板实施阳极氧化处理，将已氧化的表面部分从Al基板剥离，以得到基板2。此外，基板2也可以通过对Ta(钽)、Nb(铌)、Ti(钛)、Hf(铪)、Zr(锆)、Zn(锌)、W(钨)、Bi(铋)、Sb(锑)等的Al以外的阀金属进行阳极氧化来形成，也可以通过对Si(硅)进行阳极氧化来形成。

下面，对试样支撑体1的制造方法进行说明。在图4中，省略了试样支撑体1的导电层4和粘接层5的图示。另外，为了方便图示，图1和图2所示的试样支撑体1和图4所示的试样支撑体1中，尺寸的比例等有所不同。

首先，如图4的(a)所示，在第一表面2a设置有导电层4的基板2被固定于框架3的状态下进行准备(第一工序)。该基板2可以通过由实施激光解吸电离法和质量分析方法的人员进行制造来准备，也可以通过从基板2的制造者或者销售者等获得来准备。

接着，如图4的(b)所示，对基板2的多个贯通孔2c导入基质溶液81(第二工序)。具体而言，基质溶液81例如由吸液管8从基板2的第一表面2a侧滴落到多个贯通孔2c。基质溶液81被滴落到实效区域R的几乎全部区域。基质溶液81从基板2的第一表面2a侧经由各贯通孔2c向第二表面2b侧移动。各贯通孔2c被基质溶液81填充。基质溶液81可以通过由实施激光解吸电离法和质量分析方法的人员进行制造来准备，也可以通过从基质溶液81的制造者或者销售者等获得来准备。

基质溶液81是包含基质82的溶液。基质溶液81例如是通过将10mg的DHB溶解于1ml的乙腈而调制出的溶液等。

接着，如图4的(c)所示，导入到各贯通孔2c的基质溶液81被干燥(第三工序)。具体而言，导入了基质溶液81的基板2暴露于大气，基质溶液81被自然干燥。当基质溶液81被干燥时，如图4的(d)所示，成为基质82的结晶。即，在基板2的贯通孔2c的内壁面，设置有结晶化的基质82。如以上所述的那样，试样支撑体1被制造出来。

下面，对使用了试样支撑体1的激光解吸电离法和质量分析方法进行说明。在图5～图7中，省略了试样支撑体1的导电层4和粘接层5的图示。另外，为方便图示，图1和图2所示的试样支撑体1和图5～图7所示的试样支撑体1中，尺寸的比例等不同。

首先，如图5的(a)所示，准备上述的试样支撑体1(第一工序)。试样支撑体1可以通过由实施激光解吸电离法和质量分析方法的人员进行制造来准备，也可以通过从试样支撑体1的制造者或者销售者等获取来准备。

接着，如图5的(b)所示，将作为质量分析对象的试样S载置到载玻片(载置部)6的载置面6a(第二工序)。载玻片6是形成有ITO(氧化铟锡(Indium Tin Oxide))膜等的透明导电膜的玻璃基板，透明导电膜的表面形成载置面6a。此外，不限于载玻片6，能够将可确保导电性的部材(例如，由不锈钢等金属材料等形成的基板等)作为载置部使用。接着，如图6的(a)所示，以试样S与第二表面2b接触的方式在试样S上配置试样支撑体1(第二工序)。此时，从基板2的厚度方向观察时试样S配置在实效区域R内。在此，试样S是例如组织切片等薄膜状的生物体试样。试样S是含水试样。另外，为了使试样S的成分S1(参照图7)顺畅地移动，也可以将用于降低成分S1的粘性的溶液(例如乙腈混合液等)混入试样S中。接着，如图6的(b)所示，在试样S与基板2的第二表面2b接触的状态下，将试样支撑体1固定到载玻片6上。此时，试样支撑体1由具有导电性的胶带7(例如，碳胶带等)固定到载玻片6上。此外，在图6的(b)和图7中，省略了试样支撑体1的贯通孔2c和基质82的图示。

如图7的(a)所示，试样S的成分S1在各贯通孔2c中与设置于各贯通孔2c的基质82混合并且从试样支撑体1的第二表面2b侧经由各贯通孔2c向第一表面2a侧移动。然后，成分S1与基质82的混合物S2因表面张力而在各贯通孔2c中滞留在试样支撑体1的第一表面2a侧。

接着，如图7的(b)所示，在载玻片6与试样支撑体1之间配置有试样S的状态下，载玻片6、试样支撑体1和试样S被载置到质量分析装置10的支撑部12(例如，载物台)上。即，试样S被试样支撑体1支撑着。接着，由质量分析装置10的电压施加部14经由载玻片6的载置面6a和胶带7对试样支撑体1的导电层4(参照图2)施加电压(第三工序)。接着，由质量分析装置10的激光照射部13经由框架3的开口3a对基板2的第一表面2a照射激光L(第三工序)。即，将激光L照射到基板2的第一表面2a中的与框架3的开口3a对应的区域(即，与实效区域R对应的区域)。此处，激光照射部13对与实效区域R对应的区域扫描激光L。此外，对与实效区域R对应的区域扫描激光L，能够通过支撑部12和激光照射部13中的至少一者的动作来实施。

如上所述，一边对导电层4施加电压，一边对基板2的第一表面2a照射激光L。由此，移动到基板2的第一表面2a侧的成分S1被电离，试样离子S3(已电离的成分S1)被释放(第三工序)。具体而言，导电层4(参照图2)以及与成分S1一起移动到基板2的第一表面2a侧的基质82吸收激光L的能量。利用该能量，基质82与成分S1一起发生气化。然后，已气化的成分S1通过在其分子上附加质子或者正离子而形成试样离子S3。以上的第一工序～第三工序相当于使用了试样支撑体1的激光解吸电离法。

释放出的试样离子S3向设置于试样支撑体1与离子检测部15之间的接地电极(省略图示)一边加速一边移动。即，试样离子S3因在被施加了电压的导电层4与接地电极之间产生的电位差，而向接地电极一边加速一边移动。然后，由质量分析装置10的离子检测部15检测试样离子S3(第四工序)。此处，离子检测部15以与激光L的扫描位置相对应的方式检测试样离子S3。由此，能够将构成试样S的分子的二维分布图像化。此外，此处的质量分析装置10为利用飞行时间型质量分析法(TOF-MS：Time-of-Flight Mass Spectrometry)的扫描型质量分析装置。以上的第一工序～第四工序相当于使用了试样支撑体1的质量分析方法。

如上所述，在该激光解吸电离法中，当试样支撑体1被配置在试样S上时，试样S的成分S1因毛细管现象从第二表面2b侧经由各贯通孔2c移动到第一表面2a侧并且与基质82混合。然后，当一边对导电层4施加电压一边对第一表面2a照射激光L时，能量被传递到移动到第一表面2a侧的试样S的成分S1。由此，成分S1被电离。在该激光解吸电离法中，成分S1与基质82混合而被电离，因此能够可靠地将高分子量的试样的成分电离。另外，成分S1经由多个贯通孔2c移动到第一表面2a侧。因此，在移动到基板2的第一表面2a侧的成分S1中，能够维持试样S的位置信息(构成试样S的分子的二维分布信息)。在该状态下，一边对导电层4施加电压一边对基板2的第一表面2a照射激光L，因此，能够一边维持试样S的位置信息一边将试样S的成分S1电离。由此，能够提高成像质量分析中的图像的分辨率。如以上所述，按照这样的激光解吸电离法，能够将高分子量的试样S电离并且提高成像质量分析中的图像的分辨率。

根据如上所述的质量分析方法，能够进行能够将高分子量的试样S电离并且提高图像的分辨率的成像质量分析。

利用如上所述的试样支撑体1，能够将如上所述的高分子量的试样S电离并且提高成像质量分析中的图像的分辨率。

另外，在试样支撑体1中，基板2是通过对阀金属或者硅进行阳极氧化而形成的。由此，能够适当地实现上述的利用毛细管现象的试样S的成分S1的移动。

另外，在试样支撑体1中，贯通孔2c的宽度为1～700nm。该情况下，能够更顺畅地进行上述的利用毛细管现象的试样S的成分S1的移动。另外，能够在使用了上述激光解吸电离法的质量分析中得到足够的信号强度。

根据如上所述的试样支撑体1的制造方法，能够制造能够将如上所述的高分子量的试样S电离并且提高成像质量分析中的图像的分辨率的试样支撑体1。

另外，在试样支撑体1的制造方法中，在第二工序中，基质溶液81从第一表面2a侧滴落到多个贯通孔2c。该情况下，能够容易地将基质溶液81导入到各贯通孔2c。

图8是表示基于比较例的质量分析方法的结果。在比较例中，使用没有设置基质82的试样支撑体，将小鼠的脑切片(试样S)的分子量的二维分布图像化。如图8的(a)所示，在比较例的质量分析方法中，不能够得到磷脂的离子像。此外，在图8的(a)中，用假想线示出了试样S的轮廓L1。另外，如图8的(b)所示，在比较例的质量分析方法中，不能够得到磷脂的信号。

图9是表示基于实施例的质量分析方法的结果的图。在实施例中，使用设置有基质82的试样支撑体1，按照与比较例同样的方式，将小鼠的脑切片(试样S)的分子量的二维分布图像化。如图9的(a)所示，在实施例的质量分析方法中，能够得到磷脂的离子像。此外，在图9的(a)中，用假想线示出了试样S的轮廓L2。另外，如图9的(b)所示，在实施例的质量分析方法，能够得到磷脂的信号。

图10是表示基于另一实施例的质量分析方法的结果的图。在另一实施例中，使用设置有基质82的试样支撑体1，将小鼠的肝脏切片(试样S)的分子量的二维分布图像化。如图10的(a)所示，在另一实施例的质量分析方法中，能够得到磷脂的离子像。此外，在图10的(a)中，用假想线示出了试样S的轮廓L3。另外，如图10的(b)所示，在实施例的质量分析方法中，能够得到磷脂的信号。

另外，在实施例和另一实施例的质量分析方法中，各贯通孔2c的宽度为1～700nm，因此，能够对高分子量的试样得到足够强的信号强度。

本发明不限于上述的实施方式。例如，如果导电层4设置于至少基板2的第一表面2a，那么也可以不设置在基板2的第二表面2b和贯通孔2c的内表面。另外，导电层4也可以设置于基板2的第二表面2b和贯通孔2c的内表面。另外，试样支撑体1也可以用胶带7以外的手段(例如，使用粘接剂、固定器具等的手段)来固定于载玻片6上。

另外，在试样支撑体1中，基板2可以具有导电性，也可以在上述的激光解吸电离法和质量分析方法的第三工序中对基板2施加电压。在该情况下，能够在试样支撑体1中省略导电层4，并且能够得到与如上所述使用具有导电层4的试样支撑体1的情况同样的效果。

另外，在上述的试样支撑体1的制造方法的第二工序中，给出了将基质溶液81从第一表面2a侧滴落到多个贯通孔2c的例子，然而，也可以将基质溶液81从第二表面2b侧滴落到多个贯通孔2c。另外，基质溶液81也可以用例如空气刷等从试样支撑体1的第一表面2a侧或者第二表面2b侧以大致均匀的量被涂敷到多个贯通孔2c。另外，如图11所示，也可以是：在试样支撑体1的制造方法的第二工序中，设置有导电层4的基板2在被固定于框架3的状态下，浸渍于例如收纳于容器16的基质溶液81中。在任意的情况下，都能够将基质溶液81容易地导入到各贯通孔2c。

另外，在试样支撑体1的制造方法的第三工序中，给出了基质溶液81被自然干燥的例子，然而，也可以对基质溶液81实施强制干燥。

另外，也可以是：在上述的激光解吸电离法和质量分析方法的第三工序中，不经由载玻片6的载置面6a和胶带7而对导电层4施加电压。在该情况下，载玻片6和胶带7也可以不具有导电性。

另外，在质量分析装置10中，也可以是：激光照射部13对与实效区域R对应的区域一并照射激光L，离子检测部15一边维持该区域的二维信息一边检测试样离子S3。即，质量分析装置10也可以是投影型质量分析装置。

另外，上述的激光解吸电离法不仅能够用于对构成试样S的分子的二维分布进行图像化的成像质量分析，也能够用于离子淌度测定等其他测量及实验中。

另外，虽然给出的是从基板2的厚度方向观察时框架3的开口3a的形状为圆形的例子，然而，开口3a也可以呈各种各样的形状。框架3的开口3a的形状例如也可以是矩形。

另外，虽然给出的是试样S载置于载玻片6的例子，然而，试样S也可以直接载置于质量分析装置10的支撑部12。此时，质量分析装置10的支撑部12相当于载玻片6。

[符号说明]

1…试样支撑体，2…基板，2a…第一表面，2b…第二表面，2c…贯通孔，4…导电层，6…载玻片(载置部)，6a…载置面，81…基质溶液，82…基质，L…激光，S…试样，S1…成分。

Claims (11)

1.一种激光解吸电离法，其特征在于，

具备下述工序：

第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备：形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔的基板；至少设置于所述第一表面的导电层；和设置于所述多个贯通孔的基质；

第二工序，将试样载置在载置部的载置面，以所述试样与所述第二表面接触的方式在所述试样上配置所述试样支撑体；以及

第三工序，在所述载置部与所述试样支撑体之间配置有所述试样的状态下，一边对所述导电层施加电压一边对所述第一表面照射激光，由此使与所述基质混合并且从所述第二表面侧经由所述贯通孔移动到所述第一表面侧的所述试样的成分电离。

2.一种激光解吸电离法，其特征在于，

具备下述工序：

第一工序，准备试样支撑体，该试样支撑体具备：基板，其具有导电性且形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔；和设置于所述多个贯通孔的基质；

第二工序，将试样载置在载置部的载置面，以所述试样与所述第二表面接触的方式在所述试样上配置所述试样支撑体；以及

第三工序，在所述载置部与所述试样支撑体之间配置有所述试样的状态下，一边对所述基板施加电压一边对所述第一表面照射激光，由此使与所述基质混合并且从所述第二表面侧经由所述贯通孔移动到所述第一表面侧的所述试样的成分电离。

3.一种质量分析方法，其特征在于，

具备下述工序：

权利要求1或2所述的激光解吸电离法的各工序；和

第四工序，检测在所述第三工序中已电离的所述成分。

4.一种试样支撑体，其在激光解吸电离法中支撑试样，所述试样支撑体的特征在于，

具备：

基板，其形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔；

至少设置于所述第一表面的导电层；以及

设置于所述多个贯通孔的基质。

5.如权利要求4所述的试样支撑体，其特征在于，

所述基板是通过对阀金属或者硅进行阳极氧化而形成的。

6.如权利要求4或5所述的试样支撑体，其特征在于，

所述贯通孔的宽度为1～700nm。

7.一种试样支撑体，其在激光解吸电离法中支撑试样，所述试样支撑体的特征在于，

具备：

基板，其具有导电性且形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔；以及

设置于所述多个贯通孔的基质。

8.一种试样支撑体的制造方法，所述试样支撑体在激光解吸电离法中支撑试样，所述试样支撑体的制造方法的特征在于，

具备如下工序：

第一工序，准备基板，该基板形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔，且至少在所述第一表面设置有导电层；

第二工序，对所述多个贯通孔导入基质溶液；以及

第三工序，使所述基质溶液干燥。

9.如权利要求8所述的试样支撑体的制造方法，其特征在于，

在所述第二工序中，将所述基质溶液从所述第一表面侧或者所述第二表面侧滴落到所述多个贯通孔。

10.如权利要求8所述的试样支撑体的制造方法，其特征在于，

在所述第二工序中，将所述基板浸渍于所述基质溶液中。

11.一种试样支撑体的制造方法，所述试样支撑体在激光解吸电离法中支撑试样，所述试样支撑体的制造方法的特征在于，

具备如下工序：

第一工序，准备基板，该基板具有导电性且形成有在彼此相对的第一表面和第二表面开口的多个贯通孔；

第二工序，对所述多个贯通孔导入基质溶液；以及

第三工序，使所述基质溶液干燥。

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