CN111653861B - 一种天线与通讯设备壳体的一体化结构及制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种天线与通讯设备的一体化结构，其特征在于，包括：第一壳体部、第二壳体部；第一壳体部包括天线辐射体，天线辐射体具有电子导电性，天线辐射体为第一壳体部的部分或者全部区域，其中，天线辐射体为第一壳体部的部分区域时，第一壳体部还包括绝缘壳体，绝缘壳体为第一壳体部具有电子绝缘性的区域，第二壳体部和绝缘壳体一体成型或者固定连接，以实现气密结合，天线辐射体固定于绝缘壳体；天线辐射体为第一壳体部的全部区域时，第二壳体部和第一壳体部固定连接，第二壳体部与第一壳体部的连接处设有过渡层，以实现气密结合，其中，过渡层为单层或多层结构。本发明具有设计美观灵活、一体化、轻薄的技术特点。

Description

一种天线与通讯设备壳体的一体化结构及制备方法

技术领域

本发明属于通信技术领域，尤其涉及一种天线与通讯设备的一体化结构及制备方法。

背景技术

当今，随着智能手机的快速发展，人们对手机天线和通讯设备壳体的结构设计与制造均提出了更高的要求。

例如，手机壳体的材质从以前的非导电的塑料逐渐被金属、玻璃以及陶瓷等材质取代。而当采用导电性的金属材质做手机壳时，由于金属的导电性对手机天线辐射体的屏蔽作用，手机天线的设计不得不做出必要的调整，常见的方案是对金属材质的手机壳进行开窗分割，从而留出供天线辐射的区域，但此类方案的缺点也是显而易见的，比如破坏了手机壳一体化的美观效果，增加了装配难度等等，针对这一类方案的缺点，已有大量的改进方案被提出，在此不再赘述。

再例如，随着智能手机内部所需集成的电子模块越来越多，手机内部的空间将越来越拥挤，这就对各个电子模块的合理布局提出了更高要求。目前以苹果公司为代表的厂商提出的一个方案是，以金属作为手机壳的一部分，同时将这部分金属手机壳还作为天线辐射体，以此来节约手机的内部空间。这一思路是有效的，但目前还存在一些问题待改善。具体而言，手机壳的金属部分与手机壳的其他非导电部分(目前一般大都是塑料材质，特别是连接件部分基本还是采用塑料材质)是通过分别成型之后，再装配在一起，从而组成一个完整的手机壳。这种方案的缺点是，对提高手机壳一体化设计的美观效果没有实质性帮助，人们仍然可从外观观察到大量的装配接缝，不仅如此，这些装配接缝还是手机防水、防尘的薄弱环节，极大的损害了手机防水、防尘的水平。当前手机防尘防水的最高等级为IP68，该防护等级规定手机沉没水时的浸入，具体而言，是指手机距离水面1.5米以下连续30分钟，需保证性能不受影响，不漏水。但在当前用户的实际使用中，人们发现手机在很多应用场景下，并没有起到有效防尘防水的效果，如果能在手机防尘防水的基础上增加防气漏，将极大的提升手机的防护等级。

另外，无法被彻底取代的塑料件也与当今手机壳材质选择的趋势有悖，还限制了手机壳的设计与制造的灵活性。

发明内容

本发明的技术目的是提供一种天线与通讯设备的一体化结构及制备方法，具有设计美观灵活、一体化、轻薄的技术特点。

为解决上述问题，本发明的技术方案为：

一种天线与通讯设备的一体化结构，包括：第一壳体部、第二壳体部；

所述第一壳体部包括天线辐射体，所述天线辐射体具有电子导电性，所述天线辐射体为所述第一壳体部的部分或者全部区域，其中，

所述天线辐射体为所述第一壳体部的部分区域时，所述第一壳体部还包括绝缘壳体，所述绝缘壳体为所述第一壳体部具有电子绝缘性的区域，所述第二壳体部和所述绝缘壳体一体成型或者固定连接，以实现气密结合，所述天线辐射体固定于所述绝缘壳体；

所述天线辐射体为所述第一壳体部的全部区域时，所述第二壳体部和所述第一壳体部固定连接，所述第二壳体部与所述第一壳体部的连接处设有过渡层，以实现气密结合，其中，所述过渡层为单层或多层结构。

根据本发明一实施例，所述绝缘壳体为多孔骨架，所述多孔骨架和所述第二壳体部一体成型，所述天线辐射体填充于所述多孔骨架。

根据本发明一实施例，所述天线辐射体焊接或者封接或者镶嵌于所述绝缘壳体，以形成所述第一壳体部。

根据本发明一实施例，所述天线辐射体为金属，其中所述金属的材质为铜、镍、银、金、钼、锰、钛、铝、钨、铬、铁、钴、锌、可伐合金、蒙乃尔合金、钨铼合金、不锈钢中的一种或几种的组合。

根据本发明一实施例，所述绝缘壳体和所述第二壳体部的材质为氧化铝、氧化锆、氧化锰、氧化硅、氧化钙、氧化硼、氧化镁、氧化锶、氧化钡、氧化铋、氧化钴、氧化铜、氧化镍、氧化钇、氧化铪、碳化硅、氮化铝中的一种或几种的组合。

根据本发明一实施例，所述过渡层的材质为钛、钼、镍、铜、银、锆、钒、铪、氧化锰、氧化硅、氧化铝、氧化硼、硅酸钠、硅酸钾、硅酸镁中的一种或几种的组合。

根据本发明一实施例，所述第二壳体部与所述第一壳体部之间的连接处、所述绝缘壳体和所述第二壳体部之间的连接处以及所述绝缘壳体和所述天线辐射体之间的连接处均具有气密结合，其中，连接处的氦气漏率Q值均≤10^-6 Pa·m³/s。

本发明的另一实施例提供一种天线与通讯设备的一体化结构的制备方法，所述一体化结构包括第一壳体部和第二壳体部，所述第一壳体部包括天线辐射体，所述天线辐射体为所述第一壳体的全部区域，所述第二壳体部与所述第一壳体部的连接处设有过渡层，所述制备方法包括以下步骤：

A1：利用冲压、金属注射成型、模切、车削、铣削、刨削、磨削、辊轧成型中的一种或几种组合,根据所述天线辐射体的材质优选和尺寸要求，制备所述天线辐射体；

A2：利用粉末干压成型和高温烧结，根据第二壳体部的材质优选和尺寸要求，制备所述第二壳体部；

A3：利用浆料印刷、干燥、烧结、电镀、化镀工艺中的一种或几种的组合，根据所述过渡层的材质优选及厚度要求，在所述第二壳体部与所述第一壳体部的连接处制备所述过渡层；

A4：利用焊接工艺将所述第二壳体部和所述第一壳体部连接在一起，得到完整的通讯设备壳体。

本发明的另一实施例提供另一种天线与通讯设备的一体化结构的制备方法，其特征在于，所述一体化结构包括第一壳体部和第二壳体部，所述第一壳体部包括天线辐射体和绝缘壳体，所述天线辐射体为所述第一壳体的部分区域，包括以下步骤：

B1：利用粉末干压成型和、等静压成型和嵌件成型中的一种或几种的组合，根据所述绝缘壳体和所述第二壳体部的材质和尺寸要求，一体化成型制备所述绝缘壳体和所述第二壳体部的素坯，其中，所述素坯中所述绝缘壳体的部分加入造孔剂粉体；

B2：高温烧结所述素坯，得到一体化的具有多孔骨架结构的所述绝缘壳体和所述第二壳体部；

B3：将所述天线辐射体的原料升温使其熔融，并利用真空浸渍工艺将熔融原料填充入所述绝缘壳体的多孔骨架中，待降至室温后得到所述天线辐射体，同时得到完整的通讯设备壳体。

本发明的另一实施例提供另一种天线与通讯设备的一体化结构的制备方法，其特征在于，所述一体化结构包括第一壳体部和第二壳体部，所述第一壳体部包括天线辐射体和绝缘壳体，所述天线辐射体为所述第一壳体的部分区域，所述制备方法包括以下步骤：

C1：利用粉末干压成型和、等静压成型和嵌件成型中的一种或几种的组合，根据所述绝缘壳体和所述第二壳体部的材质优选和尺寸要求，制备所述绝缘壳体的素坯和所述第二壳体部的素坯；

C2：利用嵌件成型、焊接工艺、封接工艺中的一种或几种的组合，将所述天线辐射体固定于所述绝缘壳体，以形成所述第一壳体部；

C3：高温烧结所述绝缘壳体的素坯和所述第二壳体部的素坯，得到完整的通讯设备壳体。

本发明由于采用以上技术方案，使其与现有技术相比具有以下的优点和积极效果：

(1)本发明设置天线和通信设备壳体的一体化结构，将天线辐射体成为通信设备壳体的一部分，而且省去了装配所需的塑料件且不涉及任何装配缝隙，一体化形成具有天线的通信设备壳体，若第一壳体部包括天线辐射体和绝缘壳体时，第二壳体部和绝缘壳体可为一体成型或者固定连接，以实现气密结合，若第一壳体部全部区域为天线辐射体时，第二壳体部和天线辐射体固定连接，且连接处设有过渡层，以实现气密结合，从而实现天线和通信设备壳体一体化结构，这种设计大大提高了通讯设备壳体防水、防尘的能力，达到了设计美观灵活、一体化、轻薄的技术效果；

(2)本发明的绝缘壳体为多孔骨架，多孔骨架和第二壳体部一体成型，天线辐射体填充于多孔骨架，从而实现天线和通信设备壳体一体化结构，达到了气密性高、结构稳定牢固、设计美观灵活、一体化、轻薄的技术效果；

(3)本发明将天线辐射体焊接或者封接或者镶嵌于绝缘壳体，以形成第一壳体部，达到了结构简单、结构牢固、设计美观灵活、一体化、轻薄的技术效果；

(4)本发明通过三种不同的制备方法，实现天线和通信设备壳体的一体化结构的制备，达到了一体化结构制备方法多样化的技术效果；

(5)本发明提供的天线和通讯设备壳体的一体化结构，能够实现防气漏的效果，远远超过当前手机防尘防水最高等级IP68的要求，大大提升了手机的防护等级。

附图说明

图1为本发明一实施例的一种天线与通讯设备的一体化结构示意图；

图2为本发明另一实施例的一种天线与通讯设备的一体化结构截面示意图；

图3为本发明一实施例的一种天线与通讯设备的一体化结构制备方法流程图；

图4为本发明另一实施例的一种天线与通讯设备的一体化结构制备方法流程图；

图5为本发明另一实施例的一种天线与通讯设备的一体化结构制备方法流程图。

附图标记：

1：第一壳体部；2：第二壳体部；3：天线辐射体；4：多孔骨架。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种天线与通讯设备的一体化结构及制备方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。

实施例1

参看图1，本实施例提供一种天线与通讯设备的一体化结构，包括：第一壳体部1、第二壳体部2；

第一壳体部1包括天线辐射体，天线辐射体具有电子导电性，天线辐射体为第一壳体部1的部分或者全部区域，其中，

天线辐射体为第一壳体部1的部分区域时，第一壳体部1还包括绝缘壳体，绝缘壳体为第一壳体部1具有电子绝缘性的区域，第二壳体部2和绝缘壳体一体成型或者固定连接，以实现气密结合，天线辐射体固定于绝缘壳体；

天线辐射体为第一壳体部1的全部区域时，第二壳体部2和第一壳体部 1固定连接，第二壳体部2与第一壳体部1的连接处设有过渡层，以实现气密结合，其中，过渡层为单层或多层结构。

现对本实施例的结构进行消息说明：

参看图1，本实施例的通讯设备壳体正面为(a)，通讯设备壳体背面为 (b)，第一壳体部1正面为(c)，第一壳体部1背面为(d)，第二壳体部2 正面为(e)，第二壳体部2背面为(f)。

较优地，本实施例应用于移动手机、平板电脑的通信设备壳体上。

具体地，第一壳体部1的部分或全部区域具有电子导电性，第一壳体部 1中具有电子导电性的区域作为天线辐射体，第一壳体部1的剩余区域作为绝缘壳体，绝缘壳体部具有电子绝缘性，当第一壳体部1的全部区域均具有电子导电性时，绝缘壳体部可以省略。

较优地，本实施例的第一壳体部1和第二壳体部2连接包括两种结构：

当天线辐射体为第一壳体部1的部分区域时，天线辐射体焊接或者封接或者镶嵌于绝缘壳体，以形成第一壳体部1，第二壳体部2和绝缘壳体一体成型或者固定连接在一起；

本实施例将天线辐射体焊接或者封接或者镶嵌于绝缘壳体，以形成第一壳体部1，达到了结构简单、结构牢固、设计美观灵活、一体化、轻薄的技术效果。

当天线辐射体为第一壳体部1的全部区域时，即省略掉绝缘壳体，第二壳体部2和第一壳体部1固定连接，第二壳体部2与第一壳体部1的连接处设有过渡层，以实现气密结合，其中，过渡层为单层或多层结构，过渡层的厚度为5um至50um。

本实施例设置天线和通信设备壳体的一体化结构，将天线辐射体成为通信设备壳体的一部分，而且省去了装配所需的塑料件且不涉及任何装配缝隙，一体化形成具有天线的通信设备壳体，若第一壳体部1包括天线辐射体和绝缘壳体时，第二壳体部2和绝缘壳体可为一体成型或者固定连接，以实现气密结合，若第一壳体部1全部区域为天线辐射体时，第二壳体部2和天线辐射体固定连接，且连接处设有过渡层，以实现气密结合，从而实现天线和通信设备壳体一体化结构，这种设计大大提高了通讯设备壳体防水、防尘的能力，达到了设计美观灵活、一体化、轻薄的技术效果。

具体地，本实施例的一体化结构当中，每一个部件之间的连接处均为气密结合，具体包括：第一壳体部1和第二壳体部2的连接处、绝缘壳体和天线辐射体的连接处、绝缘壳体和第二壳体部2、天线辐射体和第二壳体部2。

较优地，本实施例的气密结合要求可达到氦气漏率Q值≤10^-6Pa·m³/s。

具体地，天线辐射体为金属，其中金属的材质为铜、镍、银、金、钼、锰、钛、铝、钨、铬、铁、钴、锌、可伐合金、蒙乃尔合金、钨铼合金、不锈钢中的一种或几种的组合。

具体地，绝缘壳体和第二壳体部2的材质为氧化铝、氧化锆、氧化锰、氧化硅、氧化钙、氧化硼、氧化镁、氧化锶、氧化钡、氧化铋、氧化钴、氧化铜、氧化镍、氧化钇、氧化铪、碳化硅、氮化铝中的一种或几种的组合。

具体地，过渡层的材质为钛、钼、镍、铜、银、锆、钒、铪、氧化锰、氧化硅、氧化铝、氧化硼、硅酸钠、硅酸钾、硅酸镁中的一种或几种的组合。

实施例2

参看图1和图2，基于实施例1，本实施提供另一种天线与通讯设备的一体化结构，本实施例和实施例1的区别在于，本实施例的绝缘壳体为多孔骨架4，多孔骨架4和第二壳体部2一体成型，天线辐射体3填充于多孔骨架4。

现对本实施进行详细介绍：

参看图2，图2为图1中沿A-A’的截面图，其中，通讯设备壳体沿A-A’截面为(a)，第二壳体部2沿A-A’截面为(b)，第一壳体部1沿A-A’截面为(c)，多孔骨架4为图2第一壳体部1的白色部分，填充与多孔骨架4间隙中的天线辐射体3为图2第一壳体部1的黑色部分。

具体地，多孔骨架4和第二壳体一体成型，两者之间没有任何连接处。

较优地，天线辐射体3填充与多孔骨架4的间隙中，并覆盖第一壳体的一侧表面或整个表面，以形成更大的天线辐射面。

本实施例的绝缘壳体为多孔骨架4，多孔骨架4和第二壳体部2一体成型，天线辐射体3填充于多孔骨架4，从而实现天线和通信设备壳体一体化结构，达到了气密性高、结构稳定牢固、设计美观灵活、一体化、轻薄的技术效果。

实施例3

参看图3，基于实施例1和实施例2，本实施例提供一种天线与通讯设备的一体化结构的制备方法，一体化结构包括第一壳体部和第二壳体部，第一壳体部包括天线辐射体，天线辐射体为第一壳体的全部区域，第二壳体部与第一壳体部的连接处设有过渡层，制备方法包括以下步骤：

A1：利用冲压、金属注射成型、模切、车削、铣削、刨削、磨削、辊轧成型中的一种或几种组合,根据天线辐射体的材质优选和尺寸要求，制备天线辐射体；

具体地，本实施例利用冲压、模切、车削、铣削工艺，选取不锈钢作为天线辐射体的材质，根据尺寸要求制备天线辐射体；

A2：利用粉末干压成型和高温烧结，根据第二壳体部的材质优选和尺寸要求，制备第二壳体部；

具体地，本实施例利用粉末干压成型和高温烧结，选取氧化锆作为第二壳体部的材质，根据尺寸要求制备第二壳体部的主体，烧结条件为1450℃下保持4h；

A3：利用浆料印刷、干燥、烧结、电镀、化镀工艺中的一种或几种的组合，根据过渡层的材质优选及厚度要求，在第二壳体部与第一壳体部的连接处制备过渡层；

具体地，本实施例将Mo-Mn合金粉和相应的添加剂混合配制成浆料，并在第二壳体部与第一壳体部的接头处的位置印刷一层厚度为20-30um的过渡层，对过渡层烘干，并在900℃下烧结20min，然后对过渡层进行电镀镍处理，镍层厚度为3-6um；

A4：利用焊接工艺将第二壳体部和第一壳体部连接在一起，得到完整的通讯设备壳体。

具体地，各工艺的工艺条件由选取的材料和工艺设备等因素决定，故上述本实施例的具体执行过程仅为所选材料下的工艺条件。

较优地，天线辐射体为金属，其中金属的材质为铜、镍、银、金、钼、锰、钛、铝、钨、铬、铁、钴、锌、可伐合金、蒙乃尔合金、钨铼合金、不锈钢中的一种或几种的组合。

较优地，，绝缘壳体和第二壳体部的材质为氧化铝、氧化锆、氧化锰、氧化硅、氧化钙、氧化硼、氧化镁、氧化锶、氧化钡、氧化铋、氧化钴、氧化铜、氧化镍、氧化钇、氧化铪、碳化硅、氮化铝中的一种或几种的组合。

较优地，过渡层的材质为钛、钼、镍、铜、银、锆、钒、铪、氧化锰、氧化硅、氧化铝、氧化硼、硅酸钠、硅酸钾、硅酸镁中的一种或几种的组合。

实施例4

参看图4，基于实施例1和实施例2，本实施例提供另一种天线与通讯设备的一体化结构的制备方法，一体化结构包括第一壳体部和第二壳体部，第一壳体部包括天线辐射体和绝缘壳体，天线辐射体为第一壳体的部分区域，制备方法包括以下步骤：

B1：利用粉末干压成型、等静压成型和嵌件成型中的一种或几种的组合，根据绝缘壳体和第二壳体部的材质和尺寸要求，一体化成型制备绝缘壳体和第二壳体部的素坯，其中，素坯中绝缘壳体的部分加入造孔剂粉体；

具体地，优选氧化铝作为绝缘壳体和第二壳体部的材质，以及优选淀粉作为造孔剂粉体，利用粉末等静压成型，并根据尺寸要求，制备绝缘壳体和第二壳体部素坯；

B2：高温烧结素坯，得到一体化的具有多孔骨架结构的绝缘壳体和第二壳体部；

具体地，高温烧结素坯，得到由氧化铝绝缘壳体构成的多孔骨架和氧化铝第二壳体部，烧结条件为1630℃下保持2h；

B3：将天线辐射体的原料升温使其熔融，并利用真空浸渍工艺将熔融原料填充入绝缘壳体的多孔骨架中，待降至室温后得到天线辐射体，同时得到完整的通讯设备壳体；

具体地，优选铜作为天线辐射体的材质，并将铜在真空环境中升温使其熔融，利用真空浸渍工艺，将铜填充入氧化铝绝缘壳体构成的多孔骨架间隙中，待降至室温后得到天线辐射体，同时得到完整的通讯设备壳体。

具体地，各工艺的工艺条件由选取的材料和工艺设备等因素决定，故上述本实施例的具体执行过程仅为所选材料下的工艺条件。

较优地，天线辐射体为金属，其中金属的材质为铜、镍、银、金、钼、锰、钛、铝、钨、铬、铁、钴、锌、可伐合金、蒙乃尔合金、钨铼合金、不锈钢中的一种或几种的组合。

较优地，，绝缘壳体和第二壳体部的材质为氧化铝、氧化锆、氧化锰、氧化硅、氧化钙、氧化硼、氧化镁、氧化锶、氧化钡、氧化铋、氧化钴、氧化铜、氧化镍、氧化钇、氧化铪、碳化硅、氮化铝中的一种或几种的组合。

较优地，过渡层的材质为钛、钼、镍、铜、银、锆、钒、铪、氧化锰、氧化硅、氧化铝、氧化硼、硅酸钠、硅酸钾、硅酸镁中的一种或几种的组合。

实施例5

参看图5，基于实施例1和实施例2，本实施例提供一种天线与通讯设备的一体化结构的制备方法，一体化结构包括第一壳体部和第二壳体部，第一壳体部包括天线辐射体和绝缘壳体，天线辐射体为第一壳体的部分区域，制备方法包括以下步骤：

C1：利用粉末干压成型和、等静压成型和嵌件成型中的一种或几种的组合，根据绝缘壳体和第二壳体部的材质优选和尺寸要求，制备绝缘壳体的素坯和第二壳体部的素坯；

具体地，优选氧化铝作为绝缘壳体和第二壳体部的材质，利用粉末等静压成型，并根据尺寸要求，制备绝缘壳体的素坯和第二壳体部的素坯；

C2：利用嵌件成型、焊接工艺、封接工艺中的一种或几种的组合，将天线辐射体固定于绝缘壳体，以形成第一壳体部；

具体地，利用冲压、模切、车削、铣削工艺，选取不锈钢作为天线辐射体的材质，根据尺寸要求制备天线辐射体，并利用嵌件成型，将天线辐射体固定于绝缘壳体，以形成第一壳体部；

C3：高温烧结绝缘壳体的素坯和第二壳体部的素坯，得到完整的通讯设备壳体；

具体地，高温烧结绝缘壳体的素坯和第二壳体部的素坯，得到由氧化铝绝缘壳体和氧化铝第二壳体部，烧结条件为1630℃下保持2h，以得到完整的通讯设备壳体。

具体地，各工艺的工艺条件由选取的材料和工艺设备等因素决定，故上述本实施例的具体执行过程仅为所选材料下的工艺条件。

较优地，天线辐射体为金属，其中金属的材质为铜、镍、银、金、钼、锰、钛、铝、钨、铬、铁、钴、锌、可伐合金、蒙乃尔合金、钨铼合金、不锈钢中的一种或几种的组合。

较优地，，绝缘壳体和第二壳体部的材质为氧化铝、氧化锆、氧化锰、氧化硅、氧化钙、氧化硼、氧化镁、氧化锶、氧化钡、氧化铋、氧化钴、氧化铜、氧化镍、氧化钇、氧化铪、碳化硅、氮化铝中的一种或几种的组合。

较优地，过渡层的材质为钛、钼、镍、铜、银、锆、钒、铪、氧化锰、氧化硅、氧化铝、氧化硼、硅酸钠、硅酸钾、硅酸镁中的一种或几种的组合。

上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式。即使对本发明作出各种变化，倘若这些变化属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则仍落入在本发明的保护范围之中。

Claims (8)

1.一种天线与通讯设备壳体的一体化结构，其特征在于，包括：第一壳体部、第二壳体部；

所述第一壳体部包括天线辐射体，所述天线辐射体具有电子导电性，所述天线辐射体为所述第一壳体部的部分或者全部区域，其中，

所述天线辐射体为所述第一壳体部的部分区域时，所述第一壳体部还包括绝缘壳体，所述绝缘壳体为所述第一壳体部具有电子绝缘性的区域，所述第二壳体部和所述绝缘壳体一体成型或者固定连接，以实现气密结合，所述天线辐射体固定于所述绝缘壳体；

所述天线辐射体为所述第一壳体部的全部区域时，所述第二壳体部和所述第一壳体部固定连接，所述第二壳体部与所述第一壳体部的连接处设有过渡层，以实现气密结合，其中，所述过渡层为单层或多层结构；

所述绝缘壳体为多孔骨架，所述多孔骨架和所述第二壳体部一体成型，所述天线辐射体填充于所述多孔骨架。

2.根据权利要求1所述的天线与通讯设备壳体的一体化结构，其特征在于，所述天线辐射体焊接或者封接或者镶嵌于所述绝缘壳体，以形成所述第一壳体部。

3.根据权利要求1或2所述的天线与通讯设备壳体的一体化结构，其特征在于，所述天线辐射体为金属，其中所述金属的材质为铜、镍、银、金、钼、锰、钛、铝、钨、铬、铁、钴、锌、可伐合金、蒙乃尔合金、钨铼合金、不锈钢中的一种或几种的组合。

4.根据权利要求1或2所述的天线与通讯设备壳体的一体化结构，其特征在于，所述绝缘壳体和所述第二壳体部的材质为氧化铝、氧化锆、氧化锰、氧化硅、氧化钙、氧化硼、氧化镁、氧化锶、氧化钡、氧化铋、氧化钴、氧化铜、氧化镍、氧化钇、氧化铪、碳化硅、氮化铝中的一种或几种的组合。

5.根据权利要求1或2所述的天线与通讯设备壳体的一体化结构，其特征在于，所述过渡层的材质为钛、钼、镍、铜、银、锆、钒、铪、氧化锰、氧化硅、氧化铝、氧化硼、硅酸钠、硅酸钾、硅酸镁中的一种或几种的组合。

6.根据权利要求1或2所述的天线与通讯设备壳体的一体化结构，其特征在于，所述第二壳体部与所述第一壳体部之间的连接处、所述绝缘壳体和所述第二壳体部之间的连接处以及所述绝缘壳体和所述天线辐射体之间的连接处均具有气密结合，其中，连接处的氦气漏率Q值均≤10^-6Pa·m³/s。

7.一种如权利要求1所述的天线与通讯设备壳体的一体化结构的制备方法，其特征在于，所述一体化结构包括第一壳体部和第二壳体部，所述第一壳体部包括天线辐射体，所述天线辐射体为所述第一壳体的全部区域，所述第二壳体部与所述第一壳体部的连接处设有过渡层，所述制备方法包括以下步骤：

A1：利用冲压、金属注射成型、模切、车削、铣削、刨削、磨削、辊轧成型中的一种或几种组合,根据所述天线辐射体的材质优选和尺寸要求，制备所述天线辐射体；

A2：利用粉末干压成型和高温烧结，根据第二壳体部的材质优选和尺寸要求，制备所述第二壳体部；

A3：利用浆料印刷、干燥、烧结、电镀、化镀工艺中的一种或几种的组合，根据所述过渡层的材质优选及厚度要求，在所述第二壳体部与所述第一壳体部的连接处制备所述过渡层；

A4：利用焊接工艺将所述第二壳体部和所述第一壳体部连接在一起，得到完整的通讯设备壳体。

8.一种如权利要求1所述的天线与通讯设备壳体的一体化结构的制备方法，其特征在于，所述一体化结构包括第一壳体部和第二壳体部，所述第一壳体部包括天线辐射体和绝缘壳体，所述天线辐射体为所述第一壳体的部分区域，所述制备方法包括以下步骤：

B1：利用粉末干压成型、等静压成型和嵌件成型中的一种或几种的组合，根据所述绝缘壳体和所述第二壳体部的材质和尺寸要求，一体化成型制备所述绝缘壳体和所述第二壳体部的素坯，其中，所述素坯中所述绝缘壳体的部分加入造孔剂粉体；

B2：高温烧结所述素坯，得到一体化的具有多孔骨架结构的所述绝缘壳体和所述第二壳体部；

B3：将所述天线辐射体的原料升温使其熔融，并利用真空浸渍工艺将熔融原料填充入所述绝缘壳体的多孔骨架中，待降至室温后得到所述天线辐射体，同时得到完整的通讯设备壳体。

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