CN111653686A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,该显示面板包括:相对布置的显示背板和封装盖板;显示背板包括显示区和周边区,周边区和显示区均包括第一栅极线和层间介质层;在周边区,封装盖板与层间介质层通过密封胶密封连接;层间介质层在靠近封装盖板的表面布置有保护层,保护层至少覆盖第一栅极线沿延伸方向的边缘区域,且至少部分位于密封胶远离显示区的一侧。通过在显示背板的周边区域布置保护层,保护层至少覆盖位于周边区的层间介质层与第一栅极线沿延伸方向的边缘区域,可有效阻止外部水汽从孔洞进入,从而改善密封胶基底金属腐蚀的现象,进而增加显示面板在高温高湿环境下的抵抗能力。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
现有OLED(Organic Light Emitting Diode,有机电致发光二极管)显示面板的封装区域结构由密封胶连接显示背板和封装盖板达到隔绝水汽的封装效果,该密封胶位于显示背板的周边区。显示背板包括Gate1(第一栅极线)金属层和ILD(层间介质层)无机层。现有的密封胶封装工艺因后续密封胶印刷工艺以及贴合工艺本身精度限制,不能完全覆盖显示背板的周边区,因此ILD与Gate1交界处通常是暴露在空气中的,而在ILD成膜工艺过程中因ILD膜层台阶覆盖性以及延展性的限制,在ILD与Gate1交界处会存在ILD孔洞风险。
由于ILD孔洞的存在,水汽更易通过ILD孔洞附着在第一栅极线表面,进而产生电化学腐蚀导致第一栅极线被腐蚀,随着腐蚀加剧密封胶封装效果变差,水汽最终进入封装区域内部甚至进入显示区而导致显示面板无法正常显示。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种显示面板及其制备方法、显示装置,以解决现有显示面板中存在ILD孔洞而导致水汽易进入封装区内部的问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种显示面板,包括:相对布置的显示背板和封装盖板;所述显示背板包括显示区和周边区,所述周边区和所述显示区均包括第一栅极线和层间介质层;
在所述周边区,所述封装盖板与所述层间介质层通过密封胶密封连接;
在所述周边区,所述层间介质层在靠近所述封装盖板的表面布置有保护层,所述保护层至少覆盖所述第一栅极线沿延伸方向的边缘区域,且至少部分位于所述密封胶远离所述显示区的一侧。
在一个可能的实现方式中,所述保护层在所述层间介质层远离所述第一栅极线的表面的投影呈环形布置。
在一个可能的实现方式中,所述层间介质层包括第一子层间介质层和第二子层间介质层,所述第一子层间介质层被所述保护层覆盖;
所述保护层的截面形状与所述第一子层间介质层的截面形状相适应。
在一个可能的实现方式中,所述保护层的材料至少包括:非晶硅或者石墨烯材料。
在一个可能的实现方式中,所述保护层沿垂直于所述显示背板方向上的厚度为0.3微米~0.6微米。
在一个可能的实现方式中,所述保护层沿所述第一栅极线延伸方向的宽度为20微米~40微米。
在一个可能的实现方式中,所述显示背板包括:基底层、在所述基底层上层叠设置的缓冲层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层和所述层间介质层;
所述第一栅极层包括平行布置的多条所述第一栅极线。
在一个可能的实现方式中,所述密封胶远离所述显示区一侧沿朝向所述显示背板边缘的方向延伸,并部分覆盖所述保护层远离所述层间介质层的表面。
第二个方面,本申请实施例提供了一种显示装置,包括第一个方面所述的显示面板。
第三个方面,本申请实施例提供了一种显示面板的制备方法,用于制备第一个方面所述的显示面板,包括:
提供一基底层,在所述基底层上制作第一栅极线和层间介质层,所述基底层包括显示区和周边区;
在所述层间介质层远离所述基底层的一侧制备保护层,所述保护层在所述基底层上的正投影区域位于所述周边区,且所述保护层至少覆盖所述第一栅极线沿延伸方向的边缘区域;
将封装盖板与制备有所述保护层的基底层通过密封胶密封连接,所述密封胶位于所述周边区,所述保护层至少部分位于所述密封胶远离所述显示区的一侧。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是:
本申请实施例提供的显示面板,在显示背板的周边区域布置保护层,保护层至少覆盖位于周边区的层间介质层与第一栅极线沿延伸方向的边缘区域,可有效阻止外部水汽从孔洞进入,从而改善密封胶基底金属腐蚀的现象,进而增加显示面板在高温高湿环境下的抵抗能力。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,这些将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的内部结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种显示面板的周边区的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种显示面板的保护层和密封胶在显示背板上的投影视图;
图4为本申请实施例提供的另一种显示面板的周边区的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图。
其中:
100-显示背板;
110-层间介质层;
120-第二绝缘层;
130-第一栅极线;
140-缓冲层;
150-基底层。
200-封装盖板;
300-密封胶;
400-保护层;
500-发光器件层;
600-封装层。
具体实施方式
下面详细描述本申请,本申请的实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外,如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的,则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本申请,而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解,除非另外定义,这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语),具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是,诸如通用字典中定义的那些术语,应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义,并且除非像这里一样被特定定义,否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解,除非特意声明,这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是,本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件,但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本申请的发明人发现,在OLED显示面板的封装区域外围,由于层间介质层(ILD,Inter-Layer Dielectric)成膜工艺过程中,在ILD与第一栅极线(Gate1)的交界区域呈台阶结构,ILD膜层的台阶覆盖性和延展性受限制,无法完全覆盖该台阶结构,导致该区域出现ILD孔洞。在高温高湿环境下,水汽会通过ILD孔洞附着在第一栅极线表面,进而产生电化学腐蚀导致第一栅极线被腐蚀,随着腐蚀向封装区域内部延伸,密封胶底部金属也被腐蚀,导致封装效果变差,水汽进入显示背板的内部导致面板无法正产显示。
本申请提供的显示面板及其制备方法、显示装置,旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
结合图1和图2所示,本申请实施例提供了一种显示面板,包括:相对布置的显示背板100和封装盖板200。显示背板100包括显示区和周边区,显示区和周边区均包括第一栅极线130和层间介质层110。
在周边区,封装盖板200与层间介质层110通过密封胶300密封连接。
在周边区,层间介质层110靠近封装盖板200的表面布置有保护层400,保护层400至少覆盖第一栅极线130沿延伸方向的边缘区域(即保护层400至少需要覆盖层间介质层110与第一栅极线130的交界区域),且保护层400至少部分位于密封胶300远离显示区的一侧。
本实施例提供的显示面板,在显示背板100的周边区域布置保护层400,保护层400至少覆盖位于周边区的层间介质层110与第一栅极线130沿延伸方向的边缘区域,可有效阻止外部水汽从层间介质层110的孔洞进入,从而改善密封胶300基底金属腐蚀的现象,进而增加显示面板在高温高湿环境下的抵抗能力,提高显示面板的使用寿命。
具体地,由于显示背板100的周边区域主要用于布置封装结构和覆盖边框,所以该区域没有布置相应的发光器件,使得显示背板100的周边区域的层间介质层110处于外露的状态。
密封胶300分别将封装盖板200和显示背板100周边区域外露的层间介质层110密封连接,由封装盖板200、显示背板100以及密封胶300围合而形成封装区域,以保护密封区域内部发光器件的正常工作。
保护层400布置在密封胶300靠近显示背板100边缘的一侧(即封装区域的外侧)的层间介质层110表面,保护层400至少覆盖显示背板100的第一栅极线130沿延伸方向的边缘区域,从而防止水汽从该边缘区域对应的层间介质层110的孔洞进入第一栅极线130而腐蚀金属。其中,第一栅极线130沿延伸方向的边缘区域即为第一栅极线130与层间介质层110的交界区域,由于第一栅极线130一般由湿法刻蚀工艺制备而成,第一栅极线130沿延伸方向的边缘区域为坡面结构,即第一栅极线130宽度方向的截面为梯形。
在一些实施例中,继续参阅图1,显示背板100至少包括:基底层150、以及层叠在基底层150上的缓冲层140、第一栅极层、第二绝缘层120和层间介质层110。其中,第一栅极层包括平行布置的多条第一栅极线130。需要说明的是,图1中所示的第一栅极线130的截面为垂直于第一栅极线130长度方向的截面。
此外,在第二绝缘层120与层间介质层110之间还可以布置有第二栅极层(图中未示出),第二栅极层也同样包括多条第二栅极线,第二栅极线的长度方向与第一栅极线130的长度方向一致。
在一些实施例中,继续参阅图1,显示背板100还包括发光器件层500和封装层600,发光器件层500和封装层600层叠在层间介质层110远离第一栅极层的表面,在显示背板100和发光器件层500之间可布置平坦化层和像素定义层等膜层结构。发光器件层500和封装层600位于封装区域内,一方面可防止外界水汽进入密封胶300所围成的封装区域内部,另一方面可防止发光器件层500的光线外露。
可选地,封装盖板200可采用玻璃盖板。
可选地,显示背板100和封装盖板200之间实现封装的密封胶300可采用玻璃胶(Frit)。
在一些实施例中,如图3所示,考虑到密封区域外围的层间介质层110与第一栅极线130的交汇处均可能出现ILD孔洞,因此,可以将保护层400沿着密封胶300的外围布置,即保护层400在层间介质层110表面的投影呈环形。
本实施例提供的显示面板,保护层400在层间介质层110上的投影呈环形布置,可提高保护层400对层间介质层110与第一栅极线130沿延伸方向边缘区域交汇处的覆盖范围,可全面防止水汽从层间介质层110的孔洞中进入第一栅极层,进一步提高显示面板在高温高湿环境下的抵抗能力。
在一些实施例中,继续参阅图2,在显示背板的周边区,层间介质层110包括第一子层间介质层和第二子层间介质层,第一子层间介质层被保护层400覆盖,第二子层间介质层未被保护层400覆盖;保护层400的截面形状与第一子层间介质层111的截面形状相适应。
本实施例提供的显示面板,保护层400可以通过化学气相沉积等工艺全面成膜制备,使得保护层400在层间介质层110的台阶区域处(第一子层间介质层)的厚度与非台阶区域处的厚度保持一致,在保证覆盖效果的前提下,可以减少保护层400制备材料的用量。
在一些实施例中,保护层400的制备材料主要采用耐热性和延展性好的无机材料,该无机材料至少可以包括非晶硅或者石墨烯材料,并且这两种材料均可采用化学气相沉积工艺制备得到,制备工艺成熟。
在一些实施例中,层间介质层110一般采用氧化硅或者氮化硅材料制备的绝缘层。
在一些实施例中,考虑到保护层400对水汽的保护效果以及制作成本,可以将保护层400沿垂直于显示背板100方向上的厚度进行合理设置。本实施例中,保护层400沿垂直于显示背板方向上的厚度控制0.3微米~0.6微米之间,包括端点值0.3微米和0.6微米。
本实施例提供的显示面板,通过将保护层400的厚度控制在一定范围内,使得保护层400能够起到防止水汽进入层间介质层孔洞的前提下,尽可能地减少工艺成本。
在一些实施例中,考虑到显示面板对窄边框的需求,保护层400的沿第一栅极线130延伸方向的宽度以能够覆盖层间介质层110与第一栅极线130交汇处的台阶区域为宜,可以将保护层400沿第一栅极线130延伸方向的宽度控制在20微米~40微米,包括端点值20微米和40微米。
本实施例提供的显示面板,通过将保护层400的宽度控制在一定的范围内,可尽量减少显示背板100周边区域的预留封装区域,有利于满足显示面板的窄边框需求。
在一些实施例中,如图4所示,密封胶300远离显示区一侧沿朝向显示背板100边缘的方向延伸,并部分覆盖保护层400远离层间介质层110的表面。
具体地,可以看作是密封胶300靠近显示背板100边缘的一侧外扩,从而将部分保护层400层压在该密封胶300下方,实现保护层400与密封胶300的部分重叠,同时也可以进一步提高保护层400的密封效果。
本实施例提供的显示面板,通过密封胶300将封装盖板200与显示背板100周边区域的层间介质层110进行密封时,由于密封胶300与保护层400部分重叠,可提高保护层400对水汽的密封效果。
基于同一发明构思,本申请实施例还提供了一种显示装置,包括本申请实施例提供的上述显示面板。
本实施例提供的显示装置,包括了具有保护层400的显示面板,保护层400至少覆盖在位于显示背板100周边区域层间介质层110与第一栅极线130沿延伸方向的边缘区域,可有效阻止外部水汽从孔洞进入,从而改善密封胶300基底金属腐蚀的现象,进而增加显示面板在高温高湿环境下的抵抗能力。
基于同一发明构思,如图5所示,本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法,用于制备前述各实施例中的显示面板,包括以下步骤S101~S103:
S101,提供一基底层,在基底层上制作第一栅极线和层间介质层,基底层包括显示区和周边区。
具体地,在制备保护层之前,需要在基底层115上制作第一栅极线130和层间介质层110,显示区对应显示面板的发光区域,周边区用于封装和布置边框。本申请实施例中具体采用构图工艺制作第一栅极线130和层间介质层110,第一栅极线130和层间介质层110的具体制作方法与现有技术类似,这里不再赘述。
S102,在层间介质层远离基底层的一侧制备保护层,保护层在基底层上的正投影区域位于周边区,且保护层至少覆盖第一栅极线沿延伸方向的边缘区域。
可选地,保护层400可采用全面成膜工艺制备,如:化学气相沉积(CVD)。在保护层400全面成膜工艺制备完成之后,可通过图形化工艺(曝光、显影以及刻蚀)将保护层400至少覆盖显示背板100的第一栅极线130沿延伸方向的边缘区域,从而能够对层间介质层孔洞区域进行保护。
可选地,在完成保护层400的制备之后,可以继续在层间介质层110上制备显示背板100的发光器件层500和封装层600等膜层,从而完成整个显示背板100的制备工艺,由于这些膜层的制作方法不涉及本申请的改进点,这里不再赘述。
S103,将封装盖板与制备有保护层的基底层通过密封胶密封连接,密封胶位于周边区,保护层至少部分位于密封胶远离显示区的一侧。
可选地,在制备有保护层的基底层制备完成之后,可利用密封胶300将封装盖板200与显示背板100进行密封连接,密封胶300具体位于保护层400靠近显示区的一侧,即保护层400位于密封胶300与封装盖板200和显示背板100所密封形成的封装区域的外侧。
综上所述,本申请各实施例至少具有以下技术效果:
1、在显示背板100的周边区域布置保护层400,保护层400至少覆盖在位于显示背板100周边区的层间介质层110与第一栅极线130沿延伸方向的边缘区域,可有效阻止外部水汽从孔洞进入,从而改善密封胶300基底金属腐蚀的现象,进而增加显示面板在高温高湿环境下的抵抗能力。
2、保护层400在层间介质层110上的投影呈环形布置,可提高保护层400对层间介质层110与第一栅极线130沿延伸方向边缘区域交汇处的覆盖范围,可全面防止水汽从层间介质层110的孔洞中进入第一栅极层,进一步提高显示面板在高温高湿环境下的抵抗能力。
3、保护层400可以通过化学气相沉积等工艺全面成膜制备,使得保护层400在层间介质层110的台阶区域处的厚度与非台阶区域处的厚度保持一致,在保证覆盖效果的前提下,可以减少保护层400制备材料的用量。
4、保护层400采用耐热性和延展性好的无机材料制备,且均可采用化学气相沉积工艺制备得到,制备工艺成熟。
5、通过将保护层400的厚度控制在一定范围内,使得保护层400能够起到防止水汽进入层间介质层孔洞的前提下,尽可能地减少工艺成本。
6、通过将保护层400的宽度控制在一定的范围内,可尽量减少显示背板100周边区域的预留封装区域,有利于满足显示面板的窄边框需求。
7、通过密封胶300将封装盖板200与显示背板100周边区域的层间介质层110进行密封时,密封胶300可以部分覆盖保护层400,可提高保护层400对水汽的密封效果。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅是本申请的部分实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:相对布置的显示背板和封装盖板;
所述显示背板包括显示区和周边区,所述周边区和所述显示区均包括第一栅极线和层间介质层;
在所述周边区,所述封装盖板与所述层间介质层通过密封胶密封连接;
在所述周边区,所述层间介质层在靠近所述封装盖板的表面布置有保护层,所述保护层至少覆盖所述第一栅极线沿延伸方向的边缘区域,且至少部分位于所述密封胶远离所述显示区的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保护层在所述层间介质层远离所述第一栅极线的表面的投影呈环形布置。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述层间介质层包括第一子层间介质层和第二子层间介质层,所述第一子层间介质层被所述保护层覆盖;
所述保护层的截面形状与所述第一子层间介质层的截面形状相适应。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保护层的材料至少包括:非晶硅或者石墨烯材料。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保护层沿垂直于所述显示背板方向上的厚度为0.3微米~0.6微米。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述保护层沿所述第一栅极线延伸方向的宽度为20微米~40微米。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示背板包括:基底层、在所述基底层上层叠设置的缓冲层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层和所述层间介质层;
所述第一栅极层包括平行布置的多条所述第一栅极线。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述密封胶远离所述显示区一侧沿朝向所述显示背板边缘的方向延伸,并部分覆盖所述保护层远离所述层间介质层的表面。
9.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的显示面板。
10.一种显示面板的制备方法,其特征在于,用于制备如权利要求1至8中任一项所述的显示面板,包括:
提供一基底层,在所述基底层上制作第一栅极线和层间介质层,所述基底层包括显示区和周边区;
在所述层间介质层远离所述基底层的一侧制备保护层,所述保护层在所述基底层上的正投影区域位于所述周边区,且所述保护层至少覆盖所述第一栅极线沿延伸方向的边缘区域;
将封装盖板与制备有所述保护层的基底层通过密封胶密封连接,所述密封胶位于所述周边区,所述保护层至少部分位于所述密封胶远离所述显示区的一侧。
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CN114822229A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 一种显示面板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05134261A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-05-28 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
US5646756A (en) * | 1994-09-16 | 1997-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device with a protecting film that partially overlaps a display pixel electrode |
US20150340648A1 (en) * | 2014-05-23 | 2015-11-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
CN209343083U (zh) * | 2018-12-05 | 2019-09-03 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
-
2020
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05134261A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-05-28 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
US5646756A (en) * | 1994-09-16 | 1997-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device with a protecting film that partially overlaps a display pixel electrode |
US20150340648A1 (en) * | 2014-05-23 | 2015-11-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
CN209343083U (zh) * | 2018-12-05 | 2019-09-03 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114822229A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 | 一种显示面板 |
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