CN111591999A - 一种锂离子电池负极用高性能硅材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种锂离子电池负极用高性能硅材料的制备方法。其包括如下步骤:1)将原料硅加热,冷却后将原料硅制备成粉末,得到原料硅粉;2)将原料硅粉与去离子水混合,加热处理后固液分离,得到第一处理原料硅粉;3)将第一处理原料硅粉与醇或醚的水溶液混合以处理第一处理原料硅粉,进行固液分离后得到第二处理原料硅粉;4)将第二处理原料硅粉与盐酸水溶液混合以处理第二处理原料硅粉,进行固液分离后得到第三处理原料硅粉;5)将第三处理原料硅粉与硫酸水溶液混合以处理第三处理原料硅粉,进行固液分离后得到第四处理原料硅粉;6)将第四处理原料硅粉进行干燥,得到所述纯化后的硅粉。

Description

一种锂离子电池负极用高性能硅材料的制备方法
技术领域
本发明提供了一种锂离子电池负极用高性能硅材料的制备方法,特别是纯化原料硅的方法。
背景技术
新能源汽车产业的高速发展以及国家2025及2030年新能源汽车产业规划的实施,对动力锂电池在成本、能量密度、循环次数、充电时间等技术性能提出了更高的要求。现石墨负极基本达到理论极限值,硅基负极材料因其理论容量高、资源丰富、环境友好等优势,已经被认定为最具潜力的锂离子电池负极材料。
然而,用于硅碳负极的高纯纳米硅料主要由硅烷法和等离子气相法生产所获得,其生产成本昂贵,危险性大,成为硅碳负极用料的瓶颈。
因此,开发一种高性能、高性价比的锂离子电池硅材料制备技术,是硅基负极大规模应用于锂离子电池的重要保证。
发明内容
本发明之一提供了一种纯化原料硅的方法,其包括如下步骤:
1)将所述原料硅加热处理,冷却后将所述原料硅制备成粉末,得到原料硅粉;
2)将所述原料硅粉与去离子水混合并在进行加热处理后固液分离,得到第一处理原料硅粉;
3)将所述第一处理原料硅粉与醇或醚的水溶液混合以处理所述第一处理原料硅粉,进行固液分离后得到第二处理原料硅粉;
4)将所述第二处理原料硅粉与盐酸水溶液混合以处理所述第二处理原料硅粉,进行固液分离后得到第三处理原料硅粉;
5)将所述第三处理原料硅粉与硫酸水溶液混合以处理所述第三处理原料硅粉,进行固液分离后得到第四处理原料硅粉;
6)将所述第四处理原料硅粉进行干燥,得到所述纯化后的硅粉。
在一个具体实施方式中,在步骤1)中,将所述原料硅加热至120至150℃。
在一个具体实施方式中,在步骤1)中,所述原料硅制备成D50为5至10μm的粉末。
在一个具体实施方式中,在步骤3)中,所述醇或醚为甲醇、乙醇和乙醚中的至少一种。
在一个具体实施方式中,在步骤2)中,所述去离子水的电阻为18至20兆欧。
在一个具体实施方式中,在步骤3)中,所述醇或醚的水溶液中的醇或醚的体积浓度为1%至10%。
在一个具体实施方式中,在步骤4)中,所述盐酸水溶液中的盐酸的体积浓度为1%至20%。
在一个具体实施方式中,在步骤5)中,所述硫酸水溶液中的硫酸的体积浓度为1%至20%。
在一个具体实施方式中,在步骤2)中,所述去离子水与所述原料硅粉的质量比为1:1至2:1。
在一个具体实施方式中,在步骤3)中,所述醇或醚的水溶液与所述第一处理原料硅粉的质量比为1:1至2:1。
在一个具体实施方式中,在步骤4)中,所述盐酸水溶液与所述第二处理原料硅粉的质量比为0.5:1至1:1。
在一个具体实施方式中,在步骤5)中,所述硫酸水溶液与所述第三处理原料硅粉的质量比为0.5:1至1:1。
在一个具体实施方式中,在步骤2)中,于60至80℃下处理所述原料硅粉。
在一个具体实施方式中,在步骤2)中,处理所述原料硅粉6至8小时。
在一个具体实施方式中,在步骤3)中,处理所述第一处理原料硅粉1至10小时。
在一个具体实施方式中,在步骤4)中,处理所述第二处理原料硅粉1至20小时。
在一个具体实施方式中,在步骤5)中,处理所述第三处理原料硅粉1至20小时。
在一个具体实施方式中,在步骤6)中,干燥所述第四处理原料硅粉的温度为100至120℃。
在一个具体实施方式中,在步骤6)中,干燥所述第四处理原料硅粉的时间为15至24小时。
在一个具体实施方式中,所述方法还包括在步骤6)之后的步骤7),将所述纯化后的硅粉破碎至D50为1至2μm。
本发明的有益效果:
通过本发明的硅料纯化工艺,使硅料的来源更为广泛,例如可以为太阳能或半导体的硅废料,因而更为经济便捷,能够有效获得高效负极用硅,其成本低于硅烷法和等离子气相法的十分之一,而且由于合理的杂质、粒径和氧含量控制使硅料的循环效率和充电容量更为匹配理想。为锂电硅碳高效负极规模化运用起重大助推作用。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明,但本发明实施例仅为示例性的说明,该实施方式无论在任何情况下均不构成对本发明的限定。
实施例1
硅料为太阳能和半导体硅废料。
1)将硅料加热至120℃处理。
2)将步骤1)硅料冷却后用粉碎机制成粒径D50为5μm粉末。
3)将步骤2)硅粉与电阻为18.5兆欧的去离子水按质量比1:1混合,加热至60℃,处理8小时,通过压滤进行固液分离。
4)将体积浓度为1%乙醇(用去离子水配制)与步骤3)的硅料按质量比1:1加入到步骤3)的硅料中,搅拌处理10小时,通过压滤进行固液分离。
5)将体积浓度为1%盐酸溶液(用去离子水配制)与步骤4)的硅料按质量比0.5:1加入到步骤4)的硅料中,搅拌处理20小时,通过压滤进行固液分离。
6)将体积浓度为1%硫酸溶液(用去离子水配制)与步骤5)的硅料按质量比0.5:1加入到步骤5)的硅料中,搅拌处理20小时,通过压滤进行固液分离。
7)将步骤6)硅料在110℃干燥20小时烘干,硅料水份含量为0.5wt%。
8)将步骤7)硅料破碎制粉。
实施例2
硅料为太阳能和半导体硅废料。
1)将硅料加热至150℃处理。
2)将步骤1)硅料冷却后用粉碎机制成粒径D50为10μm粉末。
3)将步骤2)硅粉与电阻为18.5兆欧的去离子水按质量比1:2混合加热至80℃,处理6小时,通过压滤进行固液分离。
4)将体积浓度为10%乙醇(用去离子水配制)与步骤3)的硅料按质量比2:1加入到步骤3)的硅料中,搅拌处理1小时,通过压滤进行固液分离。
5)将体积浓度为20%盐酸溶液(用去离子水配制)与步骤4)的硅料按质量比1:1加入到步骤4)的硅料中,搅拌处理1小时,通过压滤进行固液分离。
6)将体积浓度为20%硫酸溶液(用去离子水配制)与步骤5)的硅料按质量比1:1加入到步骤5)的硅料中,搅拌处理1小时,通过压滤进行固液分离。
7)将步骤6)硅料在120℃干燥15小时烘干,硅料水份含量为0.5wt%。
8)将步骤7)硅料破碎制粉。
实施例3
硅料为太阳能和半导体硅废料。
1)将硅料加热至130℃处理。
2)将步骤1)硅料冷却后用粉碎机制成粒径D50为7μm粉末。
3)将步骤2)硅粉与电阻为18.5兆欧的去离子水按质量比1:1.5混合,加热至70℃,处理7小时,通过压滤进行固液分离。
4)将体积浓度为5%乙醇(用去离子水配制)与步骤3)的硅料按质量比1.5:1加入到步骤3)的硅料中,搅拌处理5小时,通过压滤进行固液分离。
5)将体积浓度为10%盐酸溶液(用去离子水配制)与步骤4)的硅料按质量比0.75:1加入到步骤4)的硅料中,搅拌处理10小时,通过压滤进行固液分离。
6)将体积浓度为10%硫酸溶液(用去离子水配制)与步骤5)的硅料按质量比0.75:1加入到步骤5)的硅料中,搅拌处理10小时.通过压滤进行固液分离。
7)将步骤6)硅料在100℃干燥24小时烘干,硅料水份含量为0.5wt%。
8)将步骤7)硅料破碎制粉。
实施例4
将乙醇替换为乙醚,其他同实施例3。
实施例5
将乙醚替换为甲醇,其他同实施例3。
对比例1
省去步骤3),其他同实施例3。
对比例2
省去步骤4),其他同实施例3。
对比例3
省去步骤5),其他同实施例3。
对比例4
省去步骤6),其他同实施例3。
以上各实施例和对比例最终制备的硅料粉末的粒径通过激光粒度仪完成测定;含氧量通过氧氮分析仪完成测定;金属杂质含量通过辉光放电仪完成测定;充电容量通过电化学测试仪测定。结果见表1。
表1
实施例 粒径D<sub>50</sub>/μm 含氧量% 金属杂质/ppm 充电容量/mh/g
实施例1 1 4.4 55 3246
实施例2 2 3.8 42 3640
实施例3 1.5 4.1 45 3448
实施例4 1.5 4.05 48 3480
实施例5 1.5 4.3 58 3362
对比例1 1.5 4.9 103 3150
对比例2 1.5 5.35 105 3110
对比例3 1.5 5.8 235 2865
对比例4 1.5 5.86 268 2833
虽然本发明已经参照具体实施方式进行了描述,但是本领域的技术人员应该理解在没有脱离本发明的真正的精神和范围的情况下,可以进行的各种改变。此外,可以对本发明的主体、精神和范围进行多种改变以适应特定的情形、材料、材料组合物和方法。所有的这些改变均包括在本发明的权利要求的范围内。

Claims (10)

1.一种纯化原料硅的方法,其包括如下步骤:
1)将所述原料硅加热处理,冷却后将所述原料硅制备成粉末,得到原料硅粉;
2)将所述原料硅粉与去离子水混合并在进行加热处理后固液分离,得到第一处理原料硅粉;
3)将所述第一处理原料硅粉与醇或醚的水溶液混合以处理所述第一处理原料硅粉,进行固液分离后得到第二处理原料硅粉;
4)将所述第二处理原料硅粉与盐酸水溶液混合以处理所述第二处理原料硅粉,进行固液分离后得到第三处理原料硅粉;
5)将所述第三处理原料硅粉与硫酸水溶液混合以处理所述第三处理原料硅粉,进行固液分离后得到第四处理原料硅粉;
6)将所述第四处理原料硅粉进行干燥,得到所述纯化后的硅粉。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤1)中,将所述原料硅加热至120至150℃,所述原料硅制备成D50为5至10μm的粉末。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在步骤3)中,所述醇或醚为甲醇、乙醇和乙醚中的至少一种。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法,其特征在于,在步骤2)中,所述去离子水的电阻为18.5兆欧;和/或
在步骤3)中,所述醇或醚的水溶液中的醇或醚的体积浓度为1%至10%;和/或
在步骤4)中,所述盐酸水溶液中的盐酸的体积浓度为1%至20%;和/或
在步骤5)中,所述硫酸水溶液中的硫酸的体积浓度为1%至20%。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的方法,其特征在于,在步骤2)中,所述去离子水与所述原料硅粉的质量比为1:1至2:1;和/或
在步骤3)中,所述醇或醚的水溶液与所述第一处理原料硅粉的质量比为1:1至2:1;和/或
在步骤4)中,所述盐酸水溶液与所述第二处理原料硅粉的质量比为0.5:1至1:1;和/或
在步骤5)中,所述硫酸水溶液与所述第三处理原料硅粉的质量比为0.5:1至1:1。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的方法,其特征在于,在步骤2)中,于60至80℃下处理所述原料硅粉。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的方法,其特征在于,在步骤2)中,处理所述原料硅粉6至8小时;和/或
在步骤3)中,处理所述第一处理原料硅粉1至10小时;和/或
在步骤4)中,处理所述第二处理原料硅粉1至20小时;和/或
在步骤5)中,处理所述第三处理原料硅粉1至20小时。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的方法,其特征在于,在步骤6)中,干燥所述第四处理原料硅粉的温度为100至120℃。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的方法,其特征在于,在步骤6)中,干燥所述第四处理原料硅粉的时间为15至24小时。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括在步骤6)之后的步骤7),将所述纯化后的硅粉破碎至D50为1至2μm。
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