CN111586221A - 壳体组件及其制备方法和电子设备 - Google Patents

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CN111586221A CN202010450589.0A CN202010450589A CN111586221A CN 111586221 A CN111586221 A CN 111586221A CN 202010450589 A CN202010450589 A CN 202010450589A CN 111586221 A CN111586221 A CN 111586221A
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Abstract

本申请提供了壳体组件及其制备方法和电子设备，该壳体组件包括：壳体本体，所述壳体本体具有第一表面和第二表面，至少部分所述第一表面上具有多个彼此相接的纹理区域，每个所述纹理区域包括第一子纹理区和第二子纹理区，所述第一子纹理区具有多个微米级第一凹坑，所述第二子纹理区具有多个微米级第二凹坑，所述第一凹坑的平均最大径向尺寸大于所述第二凹坑的平均最大径向尺寸。该壳体组件表面能够形成均匀的雪花外观效果，外观美观好看，能够给用户提供更好的使用体验。

Description

壳体组件及其制备方法和电子设备
技术领域
本申请涉及电子设备技术领域，具体涉及壳体组件及其制备方法和电子设备。
背景技术
现有的电子设备(比如智能手机)越来越多的使用透明壳体贴膜作为和用户交互的界面(外壳)。随着技术发展和用户审美提高，越来越多的消费者想要在壳体上显示出相应的外观设计以及不同手感的触感设计，目前外壳外观改进主要集中在膜片上，而开发更美观、用户体验更好的外观效果是电子设备外壳领域的研究热点之一。
因此，目前的电子设备外壳的相关技术仍有待深入研究。
申请内容
本申请旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本申请的一个目的在于提出一种具有美观的雪花外观效果、制备过程简单或制备工序耗时短的壳体组件。
在本申请的一个方面，本申请提供了一种壳体组件。根据本申请的实施例，该壳体组件包括：壳体本体，所述壳体本体具有第一表面和第二表面，至少部分所述第一表面上具有多个彼此相接的纹理区域，每个所述纹理区域包括第一子纹理区和第二子纹理区，所述第一子纹理区具有多个微米级第一凹坑，所述第二子纹理区具有多个微米级第二凹坑，所述第一凹坑的平均最大径向尺寸大于所述第二凹坑的平均最大径向尺寸。该壳体组件表面能够形成美观的雪花外观效果，能够给用户提供更好的使用体验。
在本申请的另一方面，本申请提供了一种制备前面所述的壳体组件的方法。根据本申请的实施例，该方法包括：在壳体本体的第一表面上形成多个相接的纹理区域，其中，每个所述纹理区域包括第一子纹理区和第二子纹理区，所述第一子纹理区具有多个微米级第一凹坑，所述第二子纹理区具有多个微米级第二凹坑，所述第一凹坑的平均最大径向尺寸大于所述第二凹坑的平均最大径向尺寸。该方法中，步骤简单，方便，操作容易，且得到的壳体组件具有均匀、全面和美观的雪花外观效果。
在本申请的再一方面，本申请提供了一种电子设备。根据本申请的实施例，该电子设备包括：前面所述的壳体组件，所述壳体组件限定出容纳空间；显示屏，所述显示屏设置在所述容纳空间中。该电子设备具有前面所述的壳体组件的所有特征和优点，在此不再一一赘述。
附图说明
图1是本申请一个实施例的壳体本体第一表面的结构示意图。
图2是本申请一个实施例的制备壳体组件的方法的流程示意图。
图3是本申请实施例1的壳体组件的照片。
图4是图3中圆圈所示位置的放大照片。
图5是图4中圆圈所示位置的放大照片。
图6是图5中圆圈所示位置的放大照片。
图7是本申请实施例3的壳体组件的照片。
图8是图7中圆圈所示位置的放大照片。
图9是图8中圆圈所示位置的放大照片。
图10是图9中圆圈所示位置的放大照片。
图11是本申请实施例4的壳体组件的照片。
图12是图11中圆圈所示位置的放大100倍的照片。
图13是图11中圆圈所示位置的放大1000倍的照片。
图14是本申请一个实施例的壳体组件的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
在本申请的一个方面，本申请提供了一种壳体组件。根据本申请的实施例，参照图1，该壳体组件包括：壳体本体10，所述壳体本体10具有第一表面11和第二表面12，至少部分第一表面上具有多个彼此相接的纹理区域20，每个所述纹理区域20包括第一子纹理区21和第二子纹理区22，所述第一子纹理区21具有多个微米级第一凹坑211，所述第二子纹理区22具有多个微米级第二凹坑221，所述第一凹坑211的平均最大径向尺寸大于所述第二凹坑221的平均最大径向尺寸。该壳体组件表面能够形成良好的雪花外观，美观好看，能够给用户提供更好的使用体验。
具体的，在相同角度下，所述第一子纹理区和所述第二子纹理区的亮度不同。由此，人眼观看时，第一子纹理区和第二子纹理区之间产生亮暗的差异，亮度较大的子纹理区看起来类似一片一片的雪花，从而有效形成雪花外观效果。
具体的，多个纹理区域可以互相连接，即多个纹理区域之间没有间隙，而每个纹理区域中的第一子纹理区和第二子纹理区也可以相接设置，或者说每个纹理区域由一个第一子纹理区和一个第二子纹理区构成，从而形成多个纹理区域的壳体本体的第一表面完全被纹理区域覆盖，没有间隙，不同子纹理区域之间的亮暗程度的差异结合其分布方式，能够更好地形成美观的雪花外观效果。
需要说明的是，本文中描述的“微米级凹坑”是指凹坑的最大径向尺寸为微米级(例如在1-999微米范围内)，而凹坑的最大径向尺寸是指凹坑的轮廓线上任意两点之间的距离的最大值，其他类似描述含义与此相同。另外，本文中描述的“第一凹坑的平均最大径向尺寸”是指每个第一子纹理区中所有第一凹坑的最大径向尺寸的平均值，而“第二凹坑的平均最大径向尺寸”是指每个第二子纹理区中所有第二凹坑的最大径向尺寸的平均值。
此外，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。另外，需要说明的是，每个第一子纹理区中的多个第一凹坑的尺寸不一定完全一致的，可以是在一定范围内分布，每个第二子纹理区中的多个第二凹坑的尺寸不一定完全一致的，可以是在一定范围内分布的。
可以理解，上述多个纹理区域的具体形状可以为规则的几何形状，也可以为不规则形状，规则形状可以为矩形、三角形、五边形、六边形、圆形、椭圆形等等，而不规则形状的轮廓线则可以为折线、曲线和直线及其组合等等，图1中仅以六边形为例进行说明，不能理解为对本申请的限制。
具体的，本申请的壳体组件中所述第一凹坑的最大径向尺寸和所述第二凹坑的最大径向尺寸均不大于200微米，具体如10微米、20微米、30微米、40微米、50微米、60微米、70微米、80微米、90微米、100微米、110微米、120微米、130微米、140微米、150微米、160微米、170微米、180微米、190微米、200微米等。在该尺寸范围内，壳体组件可以呈现出更美观、均匀性更好的雪花外观效果。需要说明的是，雪花外观效果的均匀性包括尺寸均匀和分布均匀，具体的，尺寸均匀性是指多个第一子纹理区的最大径向尺寸之间的差异较小和多个第二子纹理区的最大径向尺寸之间的差异较小，而分布均匀是指多个第一子纹理区在壳体本体的表面上基本均匀分布，以及第二子纹理区在壳体本体的表面上基本均匀分布。
一些具体实施例中，所述第一凹坑的最大径向尺寸可以为100～120微米(具体如100微米、105微米、110微米、115微米、120微米等)；所述第二凹坑的最大径向尺寸为45～70微米(具体如45微米、50微米、55微米、60微米、65微米、70微米等)。另一些具体实施中，所述第一凹坑的最大径向尺寸可以为40～45微米(具体如40微米、41微米、42微米、43微米、44微米、45微米等)；所述第二凹坑的最大径向尺寸可以为20～30微米(具体如20微米、22微米、25微米、28微米、30微米等)。从而，第一凹坑和第二凹坑之间的尺寸更易于人眼识别，且差异范围合适，能够更好地配合形成不同尺寸的雪花外观效果。
一些实施例中，所述第一凹坑的最大径向尺寸和所述第二凹坑的最大径向尺寸的比为(1.3～2.7):1，具体如1.3:1、1.4:1、1.5:1、1.6:1、1.7:1、1.8:1、1.9:1、2.0：1、2.1:1、2.2:1、2.3:1、2.4:1、2.5:1、2.6:1、2.7:1等。一些具体实施例中，所述第一凹坑的平均最大径向尺寸和所述第二凹坑的平均最大径向尺寸的比可以为(1.4～2.7):1。另一些具体实施例中，所述第一凹坑的平均最大径向尺寸和所述第二凹坑的平均最大径向尺寸的比可以为(1.3～2.3):1。该比例范围内，人眼观看可以更好的区分第一子纹理区和第二子纹理区的差别，且不会因为差异过大而导致不美观的外观，也不会因为差异过小而无法体现雪花外观效果。
可以理解，所述第一子纹理区和所述第二子纹理区的最大径向尺寸各自独立的为0.1～2.5mm，具体如0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm、1.0mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm、2mm、2.1mm、2.2mm、2.3mm、2.4mm、2.5mm等。一些实施例中，所述第一子纹理区和所述第二子纹理区的最大径向尺寸各自独立的为0.8～1mm(具体如0.8mm、0.81mm、0.82mm、0.83mm、0.84mm、0.85mm、0.86mm、0.87mm、0.88mm、0.9mm、0.91mm、0.92mm、0.93mm、0.94mm、0.95mm、0.96mm、0.97mm、0.98mm、0.99mm、1mm等)。另一些实施例中，所述第一子纹理区和所述第二子纹理区的最大径向尺寸各自独立的为0.2～0.5mm(具体如0.2mm、0.25mm、0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm等)。一些具体实施例中，多个所述第一子纹理区的最大径向尺寸和多个第二子纹理区的最大径向尺寸可以各自独立的为0.5±0.2mm、1±0.3mm、1.5±0.4mm、2±0.5mm等。由此，壳体组件具有合适尺寸的雪花外观效果，不会因尺寸过大而在加工过程中容易导致漏蒙，也不会因尺寸过小而影响美观度。
一些具体实施例中，所述第一子纹理区和所述第二子纹理区的最大径向尺寸各自独立的为0.8～1mm(具体如0.8mm、0.81mm、0.82mm、0.83mm、0.84mm、0.85mm、0.86mm、0.87mm、0.88mm、0.9mm、0.91mm、0.92mm、0.93mm、0.94mm、0.95mm、0.96mm、0.97mm、0.98mm、0.99mm、1mm等)；所述第一凹坑的最大径向尺寸和所述第二凹坑的最大径向尺寸的比为(1.4～2.7):1(具体如1.4:1、1.5:1、1.6:1、1.7:1、1.8:1、.9:1、2.0:1、2.1:1、2.2:1、2.3:1、2.4:1、2.5:1、2.6:1、2.7:1等)；所述第一凹坑的最大径向尺寸为100～120微米(具体如100微米、101微米、102微米、103微米、104微米、105微米、106微米、107微米、108微米、109微米、110微米、111微米、112微米、113微米、114微米、115微米、116微米、117微米、118微米、119微米、20微米等)；且所述第二凹坑的最大径向尺寸为45～70微米(具体如45微米、50微米、55微米、60微米、65微米、70微米等)。在一个具体实施例中，该尺寸范围内，一个4mm×4mm的区域内，约有15个雪花(参见图4)。需要说明的是，本文中采用的描述方式“雪花”是指第一子纹理区和第二子纹理区中亮度较大的子纹理区。
另一些具体实施例中，所述第一子纹理区和所述第二子纹理区的最大径向尺寸各自独立的为0.2～0.5mm(具体如0.2mm、0.25mm、0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm等)；所述第一凹坑的最大径向尺寸和所述第二凹坑的最大径向尺寸的比为(1.3～2.3):1(具体如1.3:1、1.4:1、1.5:1、1.6:1、1.7:1、1.8:1、1.9:1、2.0:1、2.1:1、2.2:1、2.3:1等)；所述第一凹坑的最大径向尺寸为40～45微米(具体如40微米、41微米、42微米、43微米、44微米、45微米等)；且所述第二凹坑的最大径向尺寸为20～30微米(具体如20微米、21微米、22微米、23微米、24微米、25微米、26微米、27微米、28微米、29微米、30微米等)。在一个实施例中，该尺寸范围内，一个4mm×4mm区域内，约有55个雪花(参见图8)。
具体的，所述第一子纹理区的最大径向尺寸和所述第二子纹理区的最大径向尺寸之间的比例可以为1:0.6～1.4，具体如1:0.6、1:0.7、1:0.8、1:0.9、1:1、1:1.1、1:1.2、1:1.3、1:1.4等。一些实施例中，所述第一子纹理区的最大径向尺寸和所述第二子纹理区的最大径向尺寸之间的差值不大于0.5mm(具体如0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.2mm、0.1mm等)。由此，呈现出的雪花外观更加稳定、全面和均匀。
一些实施例中，在一直线方向上，所述第一子纹理区的最大径向尺寸和所述第二子纹理区的最大径向尺寸逐渐变化，所述逐渐变化包括逐渐增大和逐渐较小中的至少一种(具体如逐渐增大、逐渐减小、先逐渐增大再逐渐减小、先逐渐减小再逐渐增大等)。由此，壳体组件可以表现出渐变的雪花外观。进一步的，在所述直线方向上，所述第一凹坑的最大径向尺寸和所述第二凹坑的最大径向尺寸逐渐变化，所述逐渐变化包括逐渐增大和逐渐较小中的至少一种。具体的，第一凹坑的最大径向尺寸和第二凹坑的最大径向尺寸的变化趋势可以与第一子纹理区的最大径向尺寸和第二子纹理区的最大径向尺寸的变化趋势一致，在此不再一一赘述。
可以理解，所述壳体本体包括玻璃、蓝宝石和微晶玻璃中的至少一种，其中，玻璃可以为高铝硅玻璃。由此，具有更好的耐磨性能、更高的强度、更好的抗划伤性能和抗冲击性能，作为玻璃部件使用时很薄的厚度即可满足使用要求，质量更轻，能够更好的满足电子设备的使用需求。
具体的，上述纹理区域在壳体本体第一表面上的形成位置可以根据实际需要灵活选择。一些实施例中，可以在第一表面的部分和全部上形成纹理区；另一些实施例中，也可以在多个表面上形成纹理区域。一个具体实施例中，所述壳体本体包括第一表面和第二表面，所述第一表和所述第二表面上均具有多个彼此相接的所述纹理区域。进一步的，第一表面和第二表相对设置，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一表面上的多个纹理区域的正投影和所述第二表面上的多个纹理区域的正投影至少部分重叠。由此，可以实现双面重叠的雪花外观。
具体的，所述壳体本体形成有所述纹理区域的位置处，满足以下条件的至少之一：雾度可以为75％～85％(具体如75％、76％、77％、78％、79％、80％、81％、82％、83％、84％、85％等)；表面粗糙度可以为0.8～1微米(具体如0.8微米、0.9微米、1微米等)；透光率为50％～65％(具体如50％、51％、52％、53％、54％、55％、56％、57％、58％、59％、60％、61％、62％、63％、64％、65％等)。
具体的，参照图14，该壳体组件还可以包括：油墨层30，所述油墨层30设在所述壳体本体10的第二表面上，且所述油墨层30在所述第一表面上的正投影覆盖多个所述纹理区域20。由此，由于壳体本体具有美观的雪花外观效果，仅需要通过简单的喷涂油墨即可形成壳体组件，不需要复杂的装饰膜的制备和贴附工艺，大大简化了工艺，节省了成本。
在本申请的另一方面，本申请提供了一种制备前面所述的壳体组件的方法。根据本申请的实施例，该方法包括：在壳体本体的第一表面上形成多个相接的纹理区域，其中，每个所述纹理区域包括第一子纹理区和第二子纹理区，所述第一子纹理区具有多个微米级第一凹坑，所述第二子纹理区具有多个微米级第二凹坑，所述第一凹坑的平均最大径向尺寸大于所述第二凹坑的平均最大径向尺寸。由此，可以方便的在壳体本体上形成雪花外观效果。
具体的，根据壳体本体材质的不同，可以选择不同的方法形成纹理区域。例如，壳体本体为塑胶材质，则可以采用形成有纹理区域的模具直接进行注塑，如果为陶瓷材质，则可以采用CNC加工、激光镭雕等方法形成纹理区域，而如果为玻璃材质，则可以通过蚀刻方法形成纹理区域。
一些具体实施例中，参照图2，该方法可以包括：
S100：在壳体本体的第一表面上形成多个凹陷。
具体的，该步骤中在壳体本体的第一表面形成凹陷，可以为后续刻蚀步骤中生成的难溶性盐晶体提供成核点，进而降低长晶的能量，减少长晶的时间，增加蚀刻液的寿命周期，且更利于控制雪花外观的均匀性和全面性，不易产生漏蒙(即壳体本体表面未形成纹理)。且通过形成凹陷来增加物理的晶格缺陷，可以有效弥补单一化学蚀刻产生的晶格缺陷的不均匀状态，使得形成的雪花外观均匀性更佳。
具体的，所述多个凹陷是通过喷砂、模具压印、CNC冷雕和激光镭射中的至少一种方法形成的。具体的，上述方法在壳体本体的第一表面形成的凹陷尺寸较小，可以近似看做一个点，该凹陷点即可以在后续蚀刻过程中作为氟硅酸盐晶体的成核点。一些具体实施例中，可以选择喷砂方法形成凹陷。由此，对设备要求较低，且成本较低，经济性更好。
具体的，所述喷砂采用的砂子包括锆砂和棕刚砂中的至少一种。由此，性能适合，喷砂形成的凹陷更利于长晶，且材料来源广泛、易得。
具体的，所述砂子的粒径为40#～2000#(具体如40#、60#、80#、100#、200#、400#、500#、600#、800#、1000#、1200#、1400#、1500#、1800#、2000#等)。在该粒径范围内，形成的凹陷的尺寸和分布合适，更利于长晶，且后续形成的雪花外观美观度高，用户体验好，如果粒径过小，雪花尺寸会过小，影响美观度，而如果粒径过大，则容易导致漏蒙，影响雪花外观的全面性。
具体的，喷砂距离可以为20～60cm(具体如20cm、25cm、30cm、35cm、40cm、45cm、50cm、55cm、60cm等)。该距离范围内，能形成合适尺寸和密度的凹陷，进而形成美观度高的雪花外观，如果距离过小，形成的凹陷的尺寸较小，不利于后续步骤中长晶，得到的雪花尺寸过小，而如果距离过大，则容易导致漏蒙。
具体的，喷砂时间可以为1～30秒(具体如1秒、5秒、10秒、15秒、20秒、25秒、30秒等)。该时间范围内可以形成合适尺寸和分布的凹陷，进而得到美观度高的雪花外观，如果时间过短，则容易漏蒙，如果时间过长，则容易导致雪花尺寸过小。
一些实施例中，所述凹陷由喷砂形成，且相邻两个所述凹陷之间的间距小于5mm(具体如0.2mm、0.5mm、0.8mm、1mm、2mm、3mm、4mm、5mm等)。喷砂形成的凹陷具有不规则的形貌，利于蚀刻过程中晶体生长，因此上述间距范围内即可实现较好的雪花外观。一些具体实施例中，形成有凹陷的壳体本体的表面上在5倍光学放大镜的视野范围内，所述凹陷的数量为3～4个，其中，所述视野范围的直径为1～2mm(具体如1mm、1.1mm、1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm、1.9mm、2mm等)。由此，凹陷分布密度较适宜，人眼观看舒服，美观度高，不会过于密集而引起不适，也不会过于稀疏影响美观性。
可以理解，上述凹陷可以形成在壳体本体的整个第一表面上，也可以形成在壳体本体的部分第一表面上，当仅形成在壳体本体的部分第一表面上时，在形成凹陷之前，可以预先在不需要形成凹陷的表面形成保护膜。
一些实施例中，也可以通过模具压印的方式形成凹陷，具体可以在壳体本体成型过程中一步成型为具有凹陷的壳体本体，也可以将已经成型的壳体本体再加热，然后通过模具压印形成凹陷。另一些实施例中，可以采用CNC冷雕方式形成凹陷，此时根据形成凹陷的形状、分布等预先设定好CNC机床的走刀程序，按照预定程序进行加工即可。又一些实施例中，可以采用激光镭射的方法形成凹陷，具体根据凹陷的分布和尺寸等进行激光镭射即可。
具体的，所述凹陷由模具压印、CNC冷雕和激光镭射形成时，相邻两个所述凹陷之间的间距可以小于1mm(具体如0.9mm、0.8mm、0.7mm、0.6mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.2mm、0.1mm等)。上述几种方法形成的凹陷相对规整，相对于不规则的形貌，促进晶体生长的能力相对较弱，因此凹陷的分布密度可以相对较大，以保证形成较好的雪花外观。
S200：对形成有所述凹陷的所述壳体本体的第一表面进行蚀刻，以形成多个相接的纹理区域。
该步骤中，蚀刻采用的蚀刻液可以和玻璃中的二氧化硅反应生成难溶于酸的晶体，随反应时间的延续，反应物堆积成颗粒状晶体牢固附着于壳体本体表面，有晶体粘附的壳体本体的表面阻碍蚀刻的进一步反应，而未粘附晶体的壳体本体的表面继续被蚀刻，而在蚀刻后的清洗过程中晶体会被去除，则形成晶体的位置处即形成凹坑，进而形成纹理区。
具体的，按照质量百分比计，所述蚀刻采用的蚀刻液可以包括：1～8％(具体如1％、2％、3％、4％、5％、6％、7％、8％等)的主酸，所述主酸用于蚀刻所述壳体本体；10～50％(具体如10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％等)的副酸，所述副酸用于置换所述壳体本体中的碱金属和碱土金属，以及平衡酸碱度；10～60％(具体如10％、15％、20％、25％、30％、35％、40％、45％、50％、55％、60％等)的长晶剂，所述长晶剂用于和所述壳体本体反应生成不溶于酸的氟硅类盐晶体；及余量的溶剂。其中，主酸的作用是蚀刻玻璃中的二氧化硅网络结构，打开硅-氧共价键，以蚀刻壳体本体；副酸中的氢离子能够快速置换出玻璃中的碱金属和碱土金属元素(比如，锂、钠、钾、镁、钙等)，同时可以平衡酸碱度，控制合适的蚀刻速率；而长晶剂可以配合其他成分与玻璃发生化学反应，在生成不溶于酸的氟硅类盐晶体。上述反应过程均可以在玻璃表面生成不溶于酸的氟硅类盐晶体，从而有效形成雪花纹理。该蚀刻液，蚀刻速率适宜，便于控制，且能够有效促进晶体的生长，能够灵活调控粘附晶体区域和未粘附晶体区域的比例和分布，进而得到美观的雪花纹理。
具体的，所述主酸包括氢氟酸；所述副酸包括硫酸、盐酸和硝酸中的至少一种；所述长晶剂包括氟氢化盐、硫酸盐、氯化物、硝酸盐，优选包括氟氢化氨、氟氢化钾、氯化钠、氯化钾、氯化铵、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铵、硫酸钠、硫酸钾、硫酸铵、氟化钠、氟化钾和氟化铵等中的至少一种；所述溶剂包括水。由此，各组分可以更好的发挥相应的作用，同时可以相互匹配，得到均匀、全面、稳定、美观度高的雪花外观。且该组分的蚀刻液，非常适合用于高铝硅玻璃，能够有效在高铝硅玻璃表面形成均匀、稳定、全面的雪花外观。
具体的，蚀刻过程中，玻璃中的二氧化硅结构被氢氟酸腐蚀，打断硅氧键，产生晶格缺陷(雪花成核点)，同时生成氟硅酸和水：SiO2(s)+6HF→H2SiF6+2H2O，同时，玻璃中的碱金属离子或碱土金属离子M+被酸中的氢离子置换出来：H++M-O-Si(glass)→M++H-O-Si(glass)，由于氟硅酸和M+离子的溶解度较低，以钾离子为例，氟硅酸钾会在玻璃表面结晶：2K++H2SiF6→K2SiF6(s)+2H+。由于上述反应得到的氟硅酸钾的稳定性很高，会对玻璃和酸发生的反应起到阻碍作用，随着蚀刻进行，晶体逐渐长大，在蚀刻后的清洗步骤中晶体去掉以后，则形成凹坑，进而形成雪花外观。
进一步的，在铝含量较少的玻璃当中，碱金属和碱土金属主要的存在形式为桥氧结构(M-O-Si)，因此，上述反应式H++M-O-Si(glass)→M++H-O-Si(glass)就得以顺利进行。但是在高铝硅玻璃的基本结构中，除了硅氧结构还有铝氧结构，大部分碱金属和碱土金属M的存在形式为非桥氧结构，碱金属离子和碱土金属离子主要存在于铝氧四面体AlO4周围，由于铝氧四面体中的所有氧都是和铝或者硅形成化学键强较强的共价键，氢离子无法轻易打断，所以，氢离子无法比较容易地和铝氧四面体周围的碱金属和碱土金属置换，而本申请中，通过在蚀刻液中加入能够置换玻璃中的碱金属和碱土金属、且溶于蚀刻液中的长晶剂成分，利用氟硅酸盐中钠盐和铵盐溶解度高的特性，引入了氟氢化盐、硫酸盐、氯化物、硝酸盐来提升置换效率，比如氟氢化铵、氟氢化钠、氯化钠、氯化铵、硫酸铵、硝酸钠等，长晶剂中的阳离子可以与主酸和玻璃反应生成的H2SiF6形成溶解度高的氟硅酸盐(如钠盐和铵盐)，而溶解度高的氟硅酸盐可以直接与玻璃反应得到难溶的氟硅类盐晶体：Na+ (Acid)+SiF6 2- (Acid)+K+-AlO4- (glass)→K2SiF6+Na+-AlO4- (glass)。同时，由于高铝硅玻璃的抗腐蚀性比较强，本申请在蚀刻液中增加强酸(比如硝酸、盐酸、硫酸等)来平衡酸碱度，可以适当加快蚀刻速率，提高生产效率。
其中，需要说明的是，反应式中各组分标注的下标是指该组分的来源，如下标Acid表示该成分来自蚀刻液中的酸成分，下标glass表示该成分来自玻璃。
具体的，所述蚀刻的时间可以为2～10分钟，具体如1分钟、3分钟、4分钟、5分钟、6分钟、7分钟、8分钟、9分钟、10分钟等。该时间范围内，形成的第一凹坑和第二凹坑的尺寸适宜，得到的雪花外观的美观度高。
一些实施例中，蚀刻步骤中，可以将蚀刻液静置预定时间，使得蚀刻液从上至下形成浓度梯度，然后将所述壳体本体浸入所述蚀刻液中，所述壳体本体与所述蚀刻液的液面不平行。由此，壳体本体的不同位置浸入蚀刻液的深度不同，即深度不同的位置与浓度不同的蚀刻液反应，蚀刻速率不同，从而可以形成尺寸不同的纹理区，实现渐变的雪花外观。
另一些实施例中，蚀刻步骤中，可以在所述蚀刻液的上方或者下方对蚀刻液进行加热或者冷却处理，使得所述蚀刻液从上至下形成温度梯度，然后将所述壳体本体浸入所述蚀刻液中，所述壳体本体与所述蚀刻液的液面不平行。由此，壳体本体的不同位置浸入蚀刻液的深度不同，即深度不同的位置与温度不同的蚀刻液反应，蚀刻速率不同，从而可以形成尺寸不同的纹理区，实现渐变的雪花外观。
该方法中，预先在壳体本体的第一表面形成凹陷可以为后续蚀刻过程中生成的难溶于酸的晶体提供晶核，进而可以降低长晶的能量，减少长晶的时间，增加蚀刻液的寿命周期，且更利于控制雪花外观的均匀性和全面性。
可以理解，该壳体组件中的壳体本体可以为平板结构、2.5D结构、3D结构等，具体形状和尺寸也可根据实际电子设备的需要灵活选择，在此不再一一赘述。一些具体实施例中，该壳体组件可以仅由前面所述的壳体本体构成，也可以包括其他结构和部件，例如可以包括在塑胶件、金属件、装饰膜层等。一些具体实施例中，可以直接在壳体本体的表面喷涂油墨层，由此可以降低壳体组件的成本，另一些实施例中，也可以在壳体本体上贴附装饰膜片，具体膜片结构可以根据需要选择油墨层、纹理层、颜色层、镀膜层等等，在此不再一一赘述。
一些具体实施例中，该壳体组件可以按照以下步骤制备：白玻璃(经过开片，开孔位，精修，侧抛，3D热弯，抛光)→油墨保护不需要蚀刻效果的表面→喷砂(通过喷砂让玻璃表面形成均匀的凹陷)→清洗(用水，酸等化学试剂清洗玻璃表面)→蚀刻(用蚀刻液蚀刻玻璃表面形成所需要的雪花纹理)→去除油墨→化学抛光(通过酸或者碱溶液轻微蚀刻达到钝化缺陷提高强度的效果)→化学强化(通过离子交换在玻璃表面形成压应力层，以达到提升玻璃强度的效果)→装饰(通过贴膜、喷涂油墨等方式装饰玻璃)。
在本申请的再一方面，本申请提供了一种电子设备。根据本申请的实施例，该电子设备包括：前面所述的壳体组件，所述壳体组件限定出容纳空间；显示屏，所述显示屏设置在所述容纳空间中。该电子设备壳体具有前面所述的壳体组件的所有特征和优点，在此不再一一赘述。
具体的，该电子设备的具体种类可以为手机、平板电脑、电视机、游戏机、可穿戴设备等等，且可以理解，除了前面描述的电子设备壳体和显示屏之外，该电子设备还包括常规电子设备必备的结构和部件，以手机为例，还可以包括触控模组、指纹识别模组、主板、储存器、照相模组等等，在此不再一一详述。
下面详细描述本发明的实施例。
实施例1
经过白玻璃开片，开孔位，精修，侧抛，3D热弯和抛光步骤，得到高铝硅壳体本体，在高铝硅玻璃壳体本体不需要形成雪花外观的表面形成油墨保护膜，然后采用240#棕钢砂，以50cm的喷砂距离对高铝硅玻璃壳体本体暴露的表面喷砂3s，然后清洗经过喷砂的表面，去除残留的砂子和杂质，然后采用含有5％氢氟酸、25％盐酸、55％氟氢化氨和15％水的蚀刻液对经过喷砂的表面蚀刻4分钟，去除油墨保护层后，再经过化学抛光和化学强化得到壳体组件，照片见图3，局部放大的光学显微镜照片见图4、图5和图6。从图中可以明显看出，壳体本体表面形成了凹坑尺寸不同的子纹理区，每个子纹理区的最大径向尺寸大约在1mm左右，而凹坑尺寸较小的子纹理区中的凹坑的最大径向尺寸约为48～68微米，凹坑尺寸较大的子纹理区中的凹坑的最大径向尺寸约为100～110微米。
实施例2
同实施例1，区别在于：喷砂采用200#锆砂，喷砂距离为40cm，喷砂时间为1s，采用的蚀刻液含有3％氢氟酸、15％硫酸、25％氟氰化钾和57％水，蚀刻时间为8分钟。得到的壳体本体的表面形貌与实施例1类似，子纹理区尺寸和凹坑尺寸稍有差别。
实施例3
同实施例1，区别在于：采用的蚀刻液含有2％氢氟酸、10％盐酸、20％硝酸、50％氟氢化氨和18％水，蚀刻时间为6分钟，得到的壳体组件的照片见图7，局部放大的光学显微镜照片见图8、图9和图10。从图中可以明显看出，壳体本体表面形成了凹坑尺寸不同的子纹理区，每个子纹理区的最大径向尺寸大约在0.2～0.45mm左右，而凹坑尺寸较小的子纹理区中的凹坑的最大径向尺寸约为20～28微米，凹坑尺寸较大的子纹理区中的凹坑的最大径向尺寸约为40～45微米。
实施例4
经过白玻璃开片，开孔位，精修，侧抛，3D热弯和抛光步骤，得到高铝硅壳体本体，在高铝硅壳体本体不需要形成雪花外观的表面形成油墨保护膜，然后采用含有10％氢氟酸、25％盐酸、25％氟氢化氨和40％水的蚀刻液对玻璃的表面蚀刻4分种，去除油墨保护层后，再经过化学抛光和化学强化得到壳体组件，照片见图11，局部放大的光学显微镜照片见图12和图13。从图中可以看出，雪花外观并未均匀全面的覆盖在壳体本体的表面上，且存在漏蒙区域，从放大图中可以直观的看出壳体本体表面的漏蒙区域并未形成明显的凹坑形貌。
实施例5
利用激光雕刻在模具表面形成纹理区域，利用形成有纹理区域的模具注塑形成塑胶壳体本体，然后根据需要对壳体本体进行贴膜、丝印油墨、CNC加工等步骤，得到壳体组件，壳体组件的结构与实施例1-4类似，表现出较好的雪花外观效果。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (28)

1.一种壳体组件，其特征在于，包括：壳体本体，所述壳体本体具有第一表面和第二表面，至少部分所述第一表面上具有多个彼此相接的纹理区域，每个所述纹理区域包括第一子纹理区和第二子纹理区，所述第一子纹理区具有多个微米级第一凹坑，所述第二子纹理区具有多个微米级第二凹坑，所述第一凹坑的平均最大径向尺寸大于所述第二凹坑的平均最大径向尺寸。
2.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，在相同角度下，所述第一子纹理区和所述第二子纹理区的亮度不同。
3.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第一凹坑的最大径向尺寸和所述第二凹坑的最大径向尺寸均不大于200微米。
4.根据权利要求3所述的壳体组件，其特征在于，所述第一凹坑的最大径向尺寸为100～120微米；
所述第二凹坑的最大径向尺寸为45～70微米。
5.根据权利要求3所述的壳体组件，其特征在于，所述第一凹坑的最大径向尺寸为40～45微米；及
所述第二凹坑的最大径向尺寸为20～30微米。
6.根据权利要求3-5中任一项所述的壳体组件，其特征在于，所述第一凹坑的平均最大径向尺寸和所述第二凹坑的平均最大径向尺寸的比为(1.3～2.7):1。
7.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述壳体本体形成有所述纹理区的位置处，满足以下条件的至少之一：
雾度为75％～85％；
表面粗糙度为0.8～1微米；
透光率为50％～65％。
8.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第一子纹理区和所述第二子纹理区的最大径向尺寸各自独立的为0.1～2.5mm。
9.根据权利要求6所述的壳体组件，其特征在于，满足以下条件的任意一种：
所述第一子纹理区和所述第二子纹理区的最大径向尺寸各自独立的为0.8～1mm；
所述第一子纹理区和所述第二子纹理区的最大径向尺寸各自独立的为0.2～0.5mm。
10.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第一子纹理区的最大径向尺寸和所述第二子纹理区的最大径向尺寸之间的比例为1:0.6～1.4。
11.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第一子纹理区的最大径向尺寸和所述第二子纹理区的最大径向尺寸之间的差值不大于0.5mm。
12.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，在一直线方向上，所述第一子纹理区的最大径向尺寸和所述第二子纹理区的最大径向尺寸逐渐变化，所述逐渐变化包括逐渐增大和逐渐较小中的至少一种。
13.根据权利要求12所述的壳体组件，其特征在于，在所述直线方向上，所述第一凹坑的最大径向尺寸和所述第二凹坑的最大径向尺寸逐渐变化，所述逐渐变化包括逐渐增大和逐渐较小中的至少一种。
14.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述壳体本体包括玻璃、蓝宝石和微晶玻璃中的至少一种，所述玻璃包括高铝硅玻璃。
15.根据权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第一表面上和所述第二表面上均具有多个彼此相接的所述纹理区域。
16.根据权利要求15所述的壳体组件，其特征在于，所述第一表面和所述第二表面相对设置，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一表面上的多个纹理区域的正投影和所述第二表面上的多个纹理区域的正投影至少部分重叠。
17.根据权利要求15所述的壳体组件，其特征在于，还包括：
油墨层，所述油墨层设在所述壳体本体的第二表面，且所述油墨层在所述第一表面上的正投影覆盖多个所述纹理区域。
18.一种制备壳体组件的方法，其特征在于，包括：
在壳体本体的第一表面上形成多个相接的纹理区域，其中，每个所述纹理区域包括第一子纹理区和第二子纹理区，所述第一子纹理区具有多个微米级第一凹坑，所述第二子纹理区具有多个微米级第二凹坑，所述第一凹坑的平均最大径向尺寸大于所述第二凹坑的平均最大径向尺寸。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，包括：
在壳体本体的第一表面上形成多个凹陷；
对形成有所述凹陷的所述壳体本体的第一表面进行蚀刻，以形成多个相接的纹理区域。
20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述多个凹陷是通过喷砂、模具压印、CNC冷雕和激光镭射中的至少一种方法形成的。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述喷砂满足以下条件的至少之一：
所述喷砂采用的砂子包括锆砂和棕刚砂中的至少一种；
所述砂子的粒径为40#～2000#；
喷砂距离为20～60cm；
喷砂时间为1～30秒。
22.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述凹陷满足以下条件的至少之一：
所述凹陷由喷砂形成，且相邻两个所述凹陷之间的间距小于5mm；
所述凹陷由模具压印、CNC冷雕和激光镭射中的至少一种方法形成，且相邻两个所述凹陷之间的间距小于1mm。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于，在5倍光学放大镜的视野范围内，所述凹陷的数量为3～4个，其中，所述视野范围的直径为1～2mm。
24.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，按照质量百分比计，所述蚀刻采用的蚀刻液包括：
1～8％的主酸，所述主酸用于蚀刻所述壳体本体；
10～50％的副酸，所述副酸用于置换所述壳体本体中的碱金属和碱土金属以及平衡酸碱度；
10～60％的长晶剂，所述长晶剂用于生成不溶于酸的氟硅类盐晶体；及
余量的溶剂。
25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，所述主酸包括氢氟酸；
所述副酸包括硫酸、盐酸和硝酸中的至少一种；
所述长晶剂包括氟氢化盐、硫酸盐、氯化物、硝酸盐，优选包括氟氢化氨、氟氢化钾、氯化钠、氯化钾、氯化铵、硝酸钠、硝酸钾、硝酸铵、硫酸钠、硫酸钾、硫酸铵、氟化钠、氟化钾和氟化铵等中的至少一种；
所述溶剂包括水。
26.根据权利要求24所述的方法，其特征在于，所述蚀刻的时间为2～10分钟。
27.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，所述刻蚀包括以下至少之一：
将蚀刻液静置预定时间，使得蚀刻液从上至下形成浓度梯度，然后将所述壳体本体浸入所述蚀刻液中，所述壳体本体与所述蚀刻液的液面不平行；
在所述蚀刻液的上方或者下方对蚀刻液进行加热或者冷却处理，使得所述蚀刻液从上至下形成温度梯度，然后将所述壳体本体浸入所述蚀刻液中，所述壳体本体与所述蚀刻液的液面不平行。
28.一种电子设备，其特征在在于，包括：
权利要求1～17中任一项所述的壳体组件，所述壳体组件限定出容纳空间；
显示屏，所述显示屏设置在所述容纳空间中。
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