CN111566717B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题为以高生产率且以高成品率形成具有树脂基板的柔性显示装置。本发明的概要如下。显示装置在树脂基板100上形成有像素,其特征在于,在所述树脂基板100的与所述像素呈相反侧的面上形成有由金属氧化物形成的第1层12,在所述第1层之上形成有由透明导电膜形成的第2层11。通过该层的存在,从而高效地进行用于聚酰亚胺基板形成的加热。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置,特别是涉及能够使基板弯曲的柔性显示装置及其制造方法。
背景技术
有机EL显示装置、液晶显示装置通过使显示装置变薄而能够弯曲使用。另外,通过由聚酰亚胺等树脂形成基板,从而能够形成柔性的显示装置。
在由树脂形成的基板上层叠导电层、绝缘层、保护层、电极层等许多膜。在像这样形成大量的膜的情况下,光的透射率成为问题。专利文献1中记载了由将金属层和电介质层交替重叠而成的层叠体形成的NDF(Neutral Density Filter:中性密度滤光片)。
ITO(Indium Tin Oxide:铟锡氧化物)等金属氧化物导电膜在可见光下是透明的,但对于红外线等则能够成为反射膜。专利文献2中记载了ITO的透射率或反射率的波长依存性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-54543号公报
专利文献2:日本特开平11-160652号公报
发明内容
发明要解决的课题
柔性显示装置使用的树脂基板为10μm至20μm。这样的薄的基板例如在玻璃基板上涂布液体状的树脂并烧结以形成为树脂基板。然后,树脂基板在与玻璃基板一起从制造工序通过并制成为显示面板后,将玻璃基板从树脂基板剥离,制成柔性显示装置。
在这样的工艺中存在下述问题。即,对于树脂基板而言,将液体状的前体涂布在玻璃基板上并使其热固化而形成。该热固化需要非常长的时间。另外,若母基板很大,则容易发生不同部位的热固化不均。特别是,若使树脂基板变厚,则容易发生该问题。
此外,在进行热固化时,根据热固化时的基板的温度分布,由于玻璃基板与树脂基板的热膨胀之差,即使在玻璃基板与树脂基板已组合的状态下,基板也会变形。若基板变形,则很难从制造工艺通过。
本发明的课题为克服上述问题,能够以高生产率形成品质稳定的显示装置。
用于解决课题的手段
本发明能够克服上述课题,代表性方案如下。
(1)显示装置,其为在树脂基板上形成有像素的显示装置,其特征在于,在所述树脂基板的与所述像素呈相反侧的面上形成有由金属氧化物形成的第1层,在所述第1层之上形成有由透明导电膜形成的第2层。
(2)显示装置,其具有在由树脂形成的第1基板之上层叠有由树脂形成的第2基板的构成,在所述第2基板上形成有像素,该显示装置的特征在于,在所述第1基板的与所述第2基板呈相反侧的面上形成有由金属氧化物形成的第1层,在所述第1层之上形成有由透明导电膜形成的第2层,在所述第2基板的所述第1基板侧的面上形成有由金属氧化物形成的第3层,在所述第3层之上形成有由透明导电膜形成的第4层。
(3)显示装置,其具有在由树脂形成的第1基板之上层叠有由树脂形成的第2基板的构成,在所述第2基板上形成有像素,该显示装置的特征在于,在所述第1基板的与所述第2基板呈相反侧的面上形成有由金属氧化物形成的第1层,在所述第1层之上形成有由透明导电膜形成的第2层,或者,在所述第2基板的所述第1基板侧的面上形成有由金属氧化物形成的第1层,在所述第1层之上形成有由透明导电膜形成的第2层。
附图说明
图1是有机EL显示装置的俯视图。
图2是本发明的图1的A-A剖视图。
图3是示出本发明中将玻璃基板从TFT基板分离的状态的剖视图。
图4是示出在玻璃基板之上形成有红外线反射层的状态的剖视图。
图5是示出在红外线反射层之上形成有红外线吸收层的状态的剖视图。
图6是示出在红外线吸收层之上涂布有聚酰胺酸的状态的剖视图。
图7是用于对聚酰胺酸进行加热以形成聚酰亚胺的温度分布。
图8是示出根据本发明对聚酰胺酸进行加热的机理的剖视图。
图9是示出为了从TFT基板分离玻璃基板而照射激光的状态的剖视图。
图10是示出将玻璃基板从TFT基板去除后的状态的剖视图。
图11是示出在玻璃基板之上形成有剥离层的状态的剖视图。
图12是示出在剥离层之上形成有红外线反射层、红外线吸收层、聚酰亚胺的状态的剖视图。
图13是示出向剥离层照射激光的状态的剖视图。
图14是示出从剥离层将玻璃基板分离后的状态的剖视图。
图15是示出实施例2的构成的剖视图。
图16是示出实施例2中为了将玻璃基板从TFT基板去除而照射激光的状态的剖视图。
图17是在玻璃基板之上形成有第1TFT基板并在其上形成有氧化硅的层的状态的剖视图。
图18是氧化硅层之上形成有第2红外线反射层及第2红外线吸收层的状态的剖视图。
图19是示出在第2红外线吸收层之上涂布有用于形成第2TFT基板的聚酰胺酸的状态的剖视图。
图20是示出对聚酰胺酸进行加热以形成第2TFT基板的状态的剖视图。
图21是示出实施例2的第2例的剖视图。
图22是示出实施例2的第3例的剖视图。
图23是示出实施例2的第4例的剖视图。
图24是示出母基板的例子的俯视图。
图25是示出实施例3中的红外线吸收层的形成范围的例子的俯视图。
图26是图25的B-B剖视图的例子。
图27是图25的B-B剖视图的其他例。
图28是示出实施例3中的红外线吸收层和红外线反射层的形成范围的其他例的俯视图。
图29是图28的C-C剖视图。
图30是示出实施例3中的红外线吸收层和红外线反射层的形成范围的另一其他例的俯视图。
图31是图30的D-D剖视图。
图32是本发明的液晶显示装置的俯视图。
图33是液晶显示装置的剖视图。
图34是本发明的液晶显示面板的剖视图。
图35是示出为了分离玻璃基板而照射激光的状态的剖视图。
图36是示出ITO的透射率、反射率、吸收率的曲线图。
图37是示出各种金属氧化物的针对红外线的吸收特性的表。
图38是示出铝原子与聚酰亚胺的键的结构图。
图39是示出玻璃的透射率的分光特性的例子的曲线图。
具体实施方式
以下使用实施例详细说明本发明的内容。
实施例1
图1是应用本发明的有机EL显示装置的俯视图。本发明的有机EL显示装置为能够使之柔性地弯曲的显示装置。因此,形成有TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)、扫描线、电源线、影像信号线、像素电极、有机EL发光层等的TFT基板100由树脂形成。
在图1中,在显示区域90的两侧形成有扫描线驱动电路80。在显示区域90中,扫描线91沿横向(x方向)延伸并在纵向(y方向)上排列。影像信号线92及电源线93沿纵向延伸并在横向上排列。由扫描线91、影像信号线92及电源线93包围的区域成为像素95,在像素95内形成有由TFT形成的驱动晶体管、开关晶体管、发光的有机EL发光层等。
图2是图1的A-A剖视图。在图2中,TFT基板100由树脂形成。树脂之中,尤其是聚酰亚胺从耐热性、机械强度等角度出发,作为显示装置的基板具有优异的特性。因此,以下作为构成TFT基板100的树脂以聚酰亚胺为前提进行说明,但本发明也能够应用于由聚酰亚胺以外的树脂构成TFT基板100的情况。TFT基板100的厚度为例如10至20μm。
在TFT基板100之上形成有TFT电路层101。TFT电路层101为包含扫描线、影像信号线、电源线、发光的有机EL层、作为像素电极的阳极、作为公共电极的阴极等的层。以覆盖TFT电路层101的方式形成有保护层102。有机EL层的特性因水分等而变化,因此保护层102防止水分从外部侵入,并对有机EL层进行机械保护。
在保护层102之上贴附有圆偏振片103。由于在TFT电路层101上形成有反射电极,因此其反射外部光。圆偏振片103防止外部光的反射,提高视觉辨认性。
在图2中,在TFT基板100之下形成有由金属氧化物形成的红外线吸收层12,在该红外线吸收层12之下形成有由透明导电膜形成的红外线反射层11。需要说明的是,虽说是透明导电膜,但如图36所示,例如ITO(Indium Tin Oxide)等针对波长1.5μm以上的红外线成为良好的反射体。另外,如图37所示,金属氧化物针对红外线成为良好的吸收体。红外线吸收层12和红外线反射层11的存在成为本发明的特征。聚酰亚胺基板通过对涂布在玻璃基板上的作为聚酰亚胺的材料的含有聚酰胺酸的液体(以下简称为聚酰胺酸)进行加热、烧结而形成。聚酰亚胺的烧结需要时间,若在通常的烤箱中烧结则需要4至8小时。本发明为了缩短加热时间和确保加热均匀性而使用红外线加热。在本发明中,红外线吸收层12和红外线反射层11具有重要的作用。
这里,由聚酰亚胺形成的基板为10至20μm且为柔性,因此无法单独从制造工序通过。因而,使在玻璃基板500之上形成的聚酰亚胺基板100与玻璃基板500一起通过制造工序。然后,如图3所示,在显示装置完成后,向TFT基板100与玻璃基板500的边界照射激光(LB)以进行分离。在本发明中,如图3所示,向玻璃基板500与红外线反射层11的边界照射激光(LB),以将红外线反射层11从玻璃基板500剥离,从而将TFT基板100与玻璃基板500分离。
图3是示出形成图2的构成的工艺的剖视图。在图3中,使用聚酰亚胺在玻璃基板500之上形成TFT基板100,本发明在形成TFT基板100之前,在玻璃基板500上形成作为红外线反射层11的透明导电膜,在其上形成作为红外线吸收层12的金属氧化物。
在图3中,在红外线吸收层12之上形成有聚酰亚胺基板100。聚酰亚胺基板100为通过狭缝涂布机等涂布作为前体的聚酰胺酸并烧结而成。在聚酰亚胺基板100之上形成有构成有机EL显示装置的主体部分的TFT电路层101。TFT电路层101的构成如使用图2所说明的那样。然后,形成保护层102并贴附圆偏振片103。
如图3所示,在柔性显示装置的制造工序中,在玻璃基板500之上形成有多种要素。玻璃基板500使用能够在市场上容易购买的0.5mm或0.7mm厚度的制品。但是,在柔性显示装置形成后,需要将玻璃基板500去除。在图3中,向由透明导电膜形成的红外线吸收层11与玻璃基板500的边界照射激光(LB),通过所谓的激光烧蚀将玻璃基板500和红外线反射层11剥离,使TFT基板100与玻璃基板500分离。
图4至图10是示出从由聚酰亚胺形成的TFT基板100的形成到将玻璃基板500分离为止的工序的剖视图。需要说明的是,对于有机EL显示装置或液晶显示装置而言,若单独形成各显示装置则效率低,因此在母基板上形成许多显示面板,然后进行分离。以下的说明针对单个显示区域的情况进行,但母基板的情况也相同。
图4是示出在玻璃基板500之上形成有作为红外线反射层的透明导电膜11的状态的剖视图。在本发明中,为了对作为聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸进行烧结,从加热效率及控制容易性的角度出发进行红外线加热。聚酰胺酸的红外线的吸收率很低。另一方面,玻璃的红外线吸收率虽然高于针对可见光的吸收率,但依然很低。图39是厚度为1/8英寸(3.17mm)的钠玻璃的透射率。针对波长2.0μm的红外线、透射率约为90%,但若超过2.7μm,则透射率急剧降低而变为30%左右。将其换算为在显示装置形成的工艺中使用的厚度为0.5mm的玻璃,则透射率为85%,即使使用波长2.7μm以上的红外线也基本都会透射。也就是说,加热效果低。
因而,在本发明中,在玻璃基板500之上形成红外线反射层11。红外线反射层11的厚度为50nm至100nm,典型来说为75μm。红外线反射层11使用作为透明导电膜的ITO、IZO(Indium Zink Oxide:氧化铟锌)、AZO(Anitimony Zinc Oxide:氧化锑锌)等,但通常使用ITO。以下作为红外线反射层,以ITO为例进行说明。
ITO针对可见光透明,但针对波长1.5μm以上的红外线具有高反射率。图36是示出ITO的针对红外线的反射率的曲线图。如图36所示,ITO针对1.5μm波长的红外线具有75%以上的反射率,另外,针对2.0μm波长的红外线具有85%以上的反射率。ITO通过溅射法形成为50nm至150nm的厚度。典型的厚度为75nm。
在图5中,在红外线反射层之上形成有作为红外线吸收层的金属氧化物12。在使用金属氧化物时,针对红外线成为良好的吸收体。需要说明的是,通过将金属的表面设为氧化物,同样会成为针对红外线的良好的吸收体。图37是示出在显示装置所使用的多种金属中使表面氧化了的情况下的吸收率的表。均表现高红外线吸收率。
在本发明中,作为红外线吸收层12,既可以将金属通过溅射法形成、然后在氧化气氛中使之氧化,也可以将金属氧化物自身通过溅射法或反应性溅射法形成。在任一情况下,红外线吸收层的厚度均为10nm至100nm,典型来说为50nm。
由于在红外线吸收层12之上形成聚酰亚胺,因此,红外线吸收层12的另一重要特性为与聚酰亚胺的粘接性高。从这一点出发,如后说明,氧化铝膜优异。作为聚酰亚胺与具有Al原子的膜间的强粘接力的原因,提出图38所示的反应。即,形成下述结构:在从聚酰胺酸向聚酰亚胺形成酰亚胺键的过程中,原本应因分子内反应而高分子化的酰胺基和羧基分别通过脱水反应而与AlOOH的OH基键合。机理虽有些许不同,但将Cr、Ti等用作红外线吸收层12也能够提高与聚酰亚胺的粘接力。
在此,在使用波长2μm的红外线的情况下,在作为红外线吸收层12使用氧化铝膜的情况下吸收率为0.4,与此相对,将ITO用作红外线反射层11的情况下的吸收率为0.15。即,若将ITO配置在下层并将氧化铝膜配置在上层,则相对于聚酰亚胺而言,ITO作为红外线反射层11发挥作用,氧化铝膜(以下也存在将氧化铝膜记为AlO的情况)作为红外线吸收层12起作用。如图37所示,关于作为红外线吸收层12的特性,Cr或Ti更为优异。
图6是示出在红外线吸收层12之上通过狭缝涂布机等涂布有作为聚酰亚胺的前体的聚酰胺酸13的状态的剖视图。通过将该聚酰胺酸13以300℃至500℃进行烧结而形成聚酰亚胺基板100。聚酰胺酸13按照在烧结后的聚酰亚胺基板100的状态下为10μm至20μm左右的厚度的方式涂布。在本发明中,为了精确地控制聚酰胺酸13的加热以及高效地进行加热而使用红外线加热。
图7是烧结时的基板的温度分布。温度为基板的温度。该温度分布大致分为4个阶段。区域A为常温,在该期间内以氮气置换炉内的气氛以使得氧气变为10ppm以下。在区域B中,以4℃/分钟的温度梯度对基板进行加热。在区域B中,进行使聚酰胺酸酰亚胺化的反应。然后,在区域C中,在高温下保持30分钟左右而使聚酰亚胺分子取向。然后,在区域D中,在氮气气氛中自然冷却。
然而,由于红外线从聚酰胺酸中透过,因此加热效率成为问题。在玻璃基板500上涂布有聚酰胺酸13的情况下,从聚酰胺酸中透过的红外线也从玻璃中透过。如前面使用图39说明的那样,即使在使用玻璃容易吸收的波长2.5μm以上的红外线的情况下,若玻璃的厚度为0.5mm左右,则透射率约为85%,加热效率也很低。即,通过对玻璃进行加热来加热聚酰胺酸的方法并不高效。
图8是示出本发明的聚酰胺酸13的加热原理的剖视图。在图8中,在玻璃基板500之上以例如75nm的厚度形成有作为红外线反射层11的ITO,在其上以例如50nm的厚度形成有作为红外线吸收层12的金属氧化物。在本实施例中,作为红外线吸收层12使用AlO。然后,在AlO之上以聚酰亚胺基板的厚度为10μm至20μm左右的方式涂布聚酰胺酸13。
在图8中,当向聚酰胺酸13照射红外线IR时,一部分红外线IR被聚酰胺酸吸收,但许多发生透射而到达下层的AlO层12。AlO的吸收率为30%左右,因此70%被反射而再次射入聚酰胺酸13并对聚酰胺酸13进行加热。另一方面,入射至AlO的红外线对AlO层12进行加热。但是,AlO层12很薄为50nm左右,因此大量红外线发生透射。
在本发明中,在AlO层12之下形成有ITO层11。若使用波长为1.5μm以上的红外线IR,则如图36所示,由ITO引起的反射率成为75%以上,若使用2μm以上的波长,则成为85%以上的反射率。该被反射的红外线再次对AlO层12进行加热,另外,从AlO层中通过的光再次对聚酰胺酸13进行加热。
在此,AlO作为红外线吸收层12作为发挥作用,温度上升。AlO层12的热量如图8的粗箭头所示,通过传导而对聚酰胺酸13进行加热。像这样,在本发明中,能够将若不使用本发明则将透过而无法被用于加热的红外线中的大部分用于聚酰胺酸13的加热,因此能够极大地提高热效率,能够大幅度减少聚酰胺酸13的烧结时间。
像这样,在使用聚酰亚胺形成TFT基板100后,在TFT基板100上形成TFT电路层、保护层等,并如图9所示,向作为红外线反射层11的ITO层与玻璃基板500的界面照射激光,通过烧蚀使ITO层11与玻璃基板500分离。图10是示出玻璃基板500被去除的状态的剖视图。如图10所示,红外线反射层11和红外线吸收层12为附着在TFT基板100侧的状态。
图11至图15是表示本实施例的变形的例子。如图9所示,在仅是向玻璃基板500与ITO层11的界面照射激光的情况下,根据条件存在玻璃基板500无法剥离的情况。在这样的情况下,为了可靠地去除玻璃基板500而在ITO层11与玻璃基板500之间形成剥离层14。图11至图15是说明该工艺的剖视图。
图11是示出在玻璃基板500上形成有剥离层14的状态的剖视图。剥离层14既可以是金属层,也可以是绝缘层与金属层的多层膜。然后,如图12所示,依次形成红外线反射层11、红外线吸收层12、聚酰亚胺基板100。然后,在进一步形成TFT电路层、保护层等之后,如图13所示,向剥离层14或剥离层14与玻璃基板500的界面照射激光,如图14所示,将玻璃基板500从TFT基板100分离。在图14中,剥离层14附着在TFT基板100侧,但也存在附着在玻璃基板500侧的情况。
如以上说明的那样,若使用本发明,则能够使用红外线加热而高效且短时间地形成聚酰亚胺基板。
实施例2
在柔性显示装置中,基板也需要有一定程度的机械强度。聚酰亚胺在树脂中的机械强度优异,但固化需要长时间。为了应对这一点,能够将聚酰亚胺基板设为双层构成。即,存在相比于形成一层厚的层,将薄的层1层1层地形成会更有利的情况。将这样的构成称为串联型构造。本发明在串联型构造的情况下也具有显著的效果。
图15是本发明的串联型构造的剖视图。在图15中,将由聚酰亚胺形成的第1TFT基板100与第2TFT基板400层叠而形成。第1TFT基板100为下侧而第2TFT基板400为上侧,在第1TFT基板100和第2TFT基板400各自的下表面形成有由AlO等金属氧化物形成的红外线吸收层12、17、由ITO等透明导电膜形成的红外线反射层11、16。红外线吸收层12、17、红外线反射层11、16的构成及作用如实施例1中所说明。
在图15中,在第1TFT基板100与构成在第2TFT基板400上形成的红外线反射层16的ITO层之间形成有氧化硅(以下,称为SiO)的层15。这是为了提高ITO层16与TFT基板100的粘接力。若下侧的聚酰亚胺基板100与上侧的红外线反射层16的粘接良好,则能够省略SiO层15。在第2TFT基板400之上形成有TFT电路层101、保护层102、圆偏振片103。对于各要素如实施例1中所说明。
在图15所示的串联型构造的情况下,也在玻璃基板500之上形成有多种元件,在完成后,如图16所示,通过激光烧蚀将玻璃基板500去除,这与实施例1中说明的内容相同。在串联型构造的情况下,由于由聚酰亚胺形成的TFT基板成为两张构成,因此能够使TFT基板的厚度比实施例1的情况薄,因此能够缩短每个TFT基板的烧结时间。
在图17中,按照实施例1中说明的工艺,在玻璃基板500上形成第1红外线反射层11、第1红外线吸收层12,在其上形成由聚酰亚胺形成的第1TFT基板100,然后,在第1聚酰亚胺基板100之上形成有SiO层15。SiO层15为例如100nm至200nm。
图18是示出在SiO层15之上依次形成有第2红外线反射层16、第2红外线吸收层17的状态的剖视图。第2红外线反射层16、第2红外线吸收层17的构成及制造方法与第1红外线反射层11、第1红外线吸收层12的构成及制造方法相同。
图19是示出在为了在第2红外线吸收层17之上形成由聚酰亚胺形成的第2TFT基板而涂布有聚酰胺酸13的状态的剖视图。聚酰胺酸13按照烧结后的第2聚酰亚胺基板400的厚度成为例如10μm至20μm左右的方式涂布。
然后,如图20所示,通过红外线对聚酰胺酸13进行加热、烧结。该情况下的聚酰胺酸13的烧结条件与使用实施例1的图7说明的内容相同。另外,图20所示的聚酰胺酸13的加热机理也与使用实施例1的图8的说明相同。即,聚酰胺酸13不仅由红外线IR从上方加热,且由从第2红外线反射层16反射的红外线加热,以及由来自红外线吸收层17的热传导加热。因此,能够高效地对聚酰胺酸13进行烧结。
然后,如图16所示,形成TFT电路层、保护层、圆偏振片等。像这样,在有机EL显示面板完成后,如图16所示,若向第1红外线反射层11与玻璃基板500的界面照射激光以通过烧蚀将玻璃基板500剥离,则形成图15所示的有机EL显示面板。
图15的构成为在第1TFT基板100、第2TFT基板400双方形成有本发明的红外线吸收层12、17及红外线反射层11、16的情况。但是,在串联型构造中,也可以仅在一个聚酰亚胺基板上形成本发明的红外线吸收层及红外线反射层。
图21是示出本发明中的串联型构造的第2例的剖视图。在图21中,在第1TFT基板100与玻璃基板500之间未形成本发明的红外线吸收层及红外线反射层,而在第1TFT基板100与第2TFT基板400之间形成有本发明的红外线吸收层17及红外线反射层16。
通常,在上层形成的聚酰胺酸13较难吸收热量,因此烧结需要时间。在图21的例子中,在形成难以加热的上侧的聚酰亚胺基板400时应用本发明,从而特别是能够高效地对上侧的层进行加热。
聚酰亚胺若过度加热则会变质。在形成上侧的第2TFT基板400时,下侧的第1TFT基板100结束烧结。因此,若在形成上侧的聚酰亚胺基板400之前形成红外线反射层16及红外线吸收层17,则能够防止下侧的第1聚酰亚胺基板100被不必要地加热而变质。
像这样,图21的构成能够高效地形成上侧的第2TFT基板400,并能够防止下侧的第1TFT基板100被不必要地加热而使得下侧的聚酰亚胺基板100变质。需要说明的是,在图21的构成中,为了提高聚酰亚胺与玻璃基板的粘接力或进行使用激光烧蚀的玻璃基板的剥离,在玻璃基板与第1TFT基板之间形成由金属层或绝缘层形成的层的情况较多。
图22是示出本发明中的串联型构造的第3例的剖视图。在图22中,在第1TFT基板100与第2TFT基板400之间未形成本发明的红外线吸收层及红外线反射层,在第1TFT基板100与玻璃基板500之间形成有本发明的红外线吸收层12及红外线反射层11。
在本发明中,将透明导电膜用作红外线反射层11。在由聚酰亚胺形成的TFT基板薄的情况下,存在在透明导电膜与在TFT基板之上形成的扫描线、影像信号线等之间产生寄生电容的可能。这样的寄生电容会使得信号电压下降、使得信号的写入速度降低。
在存在这样的危险的情况下,在形成第1TFT基板100时,能够采用本发明的构成,即,构成红外线吸收层12和红外线反射层11,在形成第2TFT基板400时,在第1TFT基板100与第2TFT基板400之间仅形成SiO层15。在这样的构成中,第1TFT基板100的由红外线进行加热的加热效率高,因此若使第1TFT基板100比第2TFT基板400厚,则能够提高作为整体的聚酰亚胺基板的加热效率。
图23是示出本发明的串联型构造的第4例的剖视图。在图23中,在第1TFT基板100与第2TFT基板400之间仅形成本发明的红外线吸收层17,而未形成由透明导电膜形成的红外线反射层。在第1TFT基板100与玻璃基板500之间形成有本发明的红外线吸收层12及红外线反射层11。
在图23中,在第2TFT基板400之下未形成由透明导电膜形成的红外线反射层,因此不会使寄生电容增加。另一方面,由于未形成红外线吸收层17,因此与图22的例子相比,能够提高上侧的聚酰亚胺基板400的加热效率。其他构成与图22中说明的内容相同。例如,在图23中,也能够通过使第1TFT基板100的厚度大于第2TFT基板400的厚度来提高作为整体的加热效率。在图23中,示出为了将玻璃基板500从TFT基板100分离而向玻璃基板500与红外线反射层11的界面照射激光束LB的情况。
实施例3
对于有机EL显示面板、液晶显示面板而言,若个别地制造则效率差,因此在母基板上形成大量的显示面板,在完成后从母基板分离成一个个显示面板。构成母基板的母玻璃基板的尺寸非常大,例如达到1.5m×1.8m左右。另一方面,玻璃基板的厚度为0.5mm或0.7mm,因此母玻璃基板非常容易翘曲。聚酰亚胺的热膨胀系数与玻璃具有很大差异,因此,根据聚酰亚胺的烧结条件,会发生母基板翘曲,无法通过制造工序。
在本实施例中,控制在聚酰亚胺基板之下形成的红外线吸收层12及红外线反射层11的形成范围,从而控制聚酰亚胺的烧结条件以缓和母基板的翘曲。即,能够使聚酰亚胺的固化时期针对母基板的每个部位而变化,从而控制母基板的翘曲。图24是示出在母基板1000上形成有显示单元20的状态的俯视图。图24是为了使说明清楚易懂的示意图,在母基板1000上形成有远比图24所示多的如在移动电话、平板电脑中使用那样的小型显示单元。
最简单的构成涉及下述方法:在母玻璃基板1000整个面上形成红外线反射层11及红外线吸收层12,并在其上形成成为TFT基板100的聚酰亚胺。在这样的构成中,在母基板发生翘曲的情况下,根据本发明,能够通过规定红外线反射层11及红外线吸收层12的形成范围来控制母基板1000的翘曲。
然而,玻璃的红外线吸收率根据红外线的波长而变化很大。如图39所示,若红外线的波长为2.7μm以下,则红外线几乎全部透过,但若波长为2.8μm以上,则透射率急剧下降。即,玻璃也吸收红外线而被加热。但是,玻璃基板500为0.5mm或0.7mm左右,因此红外线透过85%左右,玻璃的加热效率很低。
另一方面,如本发明的构成所示,在层叠有红外线反射层11和红外线吸收层12的区域中,作为聚酰亚胺的前体即聚酰胺酸被高效加热。因此,在玻璃基板500上直接形成聚酰亚胺的区域中的聚酰亚胺发生固化的时期、与层叠有红外线反射层11和红外线吸收层12的区域中的聚酰亚胺发生固化的时期不同。该固化时期的差异会对母基板的翘曲带来影响。
图25是在图24中形成有显示单元20的区域中形成有由金属氧化物形成的红外线吸收层12的例子。由透明导电膜形成的红外线反射层11的形成区域根据情况而不同。图26是图25的B-B剖视图,是将红外线吸收层12和红外线反射层11形成在相同区域中的例子。
在图26的情况下,形成有红外线反射层11和红外线吸收层12的区域的聚酰亚胺快速烧结,而直接形成在玻璃基板500上的聚酰亚胺延迟烧结。因此,如图24所示,母基板1000中的应力与在整个面上均匀形成红外线吸收层12的情况不同。
图27也是图25的B-B剖面,但与图26的情况不同,由ITO形成的红外线反射层11形成在母玻璃基板整个面上。在仅形成有红外线反射层11的区域中,与形成有红外线吸收层12和红外线反射层11双方的区域相比,聚酰亚胺较慢地固化。
在图26的情况和图27的情况中,母基板1000中的残余应力不同。即,如图39所示,根据所使用的红外线的波长,玻璃的吸收率、即,玻璃被加热的效率不同。例如,在使用玻璃容易被加热的2.8μm以上波长的红外线的情况下,根据玻璃基板500被加热、聚酰亚胺由于热传导而被加热的效果、与聚酰亚胺由于从红外线反射层11反射红外线而被加热的效果的差异,能够采用图26的构成和图27中的任一构成。
图28是示出本实施例中的另一其他例的俯视图。图28为在与形成有显示单元20的区域相同的区域中形成有红外线吸收层12、且红外线反射层11形成在比形成有显示单元20的区域宽的范围内但未形成在母玻璃基板整个面上的例子。图29是图28的C-C剖视图。该情况为有意地将母基板中的聚酰亚胺的固化时期分为三个阶段,从而对母基板中的应力进行控制来抑制母基板的翘曲的例子。
图30是本实施例的另一其他例。图30示出在各个显示单元20内使红外线吸收层12与红外线反射层11的形成范围不同的情况。在图30中,虚线为各个显示单元20的边界。图31是图30的D-D剖视图。在图31中,以虚线示出的边界是各个显示单元20的边界。
在图31中,红外线反射层11形成在形成有显示单元20的区域的整面中,而形成有红外线吸收层12的区域的面积小于各个显示单元20的面积。通过这样的构成,不仅能够控制母基板1000中的翘曲,还能够控制从母基板1000分离出显示单元20后的各显示单元20中的应力,能够控制各显示单元20中的翘曲。
实施例4
以上,针对有机EL显示装置对本发明进行了说明。但本发明也能够应用于液晶显示装置。关于液晶显示装置也存在形成为柔性显示装置的需求。图32是液晶显示装置的俯视图。在图32中,TFT基板100与对置基板200通过密封材料150粘接,在密封材料150的内侧,在TFT基板100与对置基板200之间夹持有液晶。
在TFT基板100与对置基板200重叠的部分形成有显示区域90。在显示区域90中,扫描线91沿横向(x方向)延伸并在纵向(y方向)上排列。另外,影像信号线92沿纵向延伸并在横向上排列。在由扫描线91和影像信号线92包围的区域中形成有像素95。TFT基板100形成得比对置基板200大,TFT基板100的与对置基板200未重叠的部分成为端子区域。在端子区域中连接有用于向液晶显示装置供给电源、信号的柔性布线基板700。
图33是图32的E-E剖视图。在图33中,在由聚酰亚胺形成的TFT基板100上形成有TFT电路层101,在由聚酰亚胺形成的对置基板200上形成有滤色器层201。TFT基板100与对置基板200通过密封材料150粘接,在密封材料150的内侧封固有液晶300。
在图33中,在TFT基板100及对置基板200的外侧形成有实施例1中说明的红外线反射层11及红外线吸收层12。在对置基板200侧的红外线反射层11及红外线吸收层12的外侧贴附有上偏振片220,在TFT基板100侧的红外线反射层11及红外线吸收层12的外侧贴附有下偏振片120。
在图33中,在下偏振片120的背面形成有背光源600。背光源600使用由有机EL等形成的薄片状的光源,从而作为液晶显示装置整体也能够维持柔性。
图34是将上偏振片220及下偏振片120拆掉后的状态的液晶显示面板的剖视图。在图34中,在TFT基板100的下侧形成有由金属氧化物形成的红外线吸收层12、在其下形成有由ITO形成的红外线反射层11。要形成这样的液晶显示面板,如图35所示,在玻璃基板500上形成的TFT基板100之上形成TFT电路层,在玻璃基板500上形成的对置基板200上形成滤色器层201等,在该状态下填充液晶300,通过密封材料150将TFT基板100与对置基板200粘接以封固液晶300。
在该状态下,在TFT基板100与玻璃基板500之间及对置基板200与玻璃基板500之间形成有红外线反射层11及红外线吸收层12。然后,如图35所示,向玻璃基板与红外线反射层的界面照射激光(LB),通过激光烧蚀使玻璃基板500与TFT基板100或玻璃基板500与对置基板200分离。
也就是说,在液晶的情况下,也与实施例1中说明的问题相同。在液晶显示装置的情况下,由于使用背光源,因此红外线吸收层12及红外线反射层11针对可见光必须是透明。在本发明中,由于作为红外线反射层11使用ITO等透明导电膜,因此可见光的透过没有问题。另外,作为红外线吸收层12使用AlO等金属氧化物。特别是AlO针对可见光是透明的,因此即使存在背光源也能够正常使用。另外,针对可见光的透射率高的其他金属氧化物也很多。因此,实施例1至3中说明的本发明的内容也能够应用于液晶显示装置。
附图标记说明
11…红外线反射层、12…红外线吸收层、13…聚酰胺酸、14…剥离层、15…SiO层、16…第2红外线反射层、17…第2红外线吸收层、20…显示单元、80…扫描线驱动电路、90…显示区域、91…扫描线、92…影像信号线、93…电源线、95…像素、100…TFT基板、101…TFT电路层、102…保护层、103…圆偏振片、120…下偏振片、150…密封材料、200…对置基板、201…滤色器层、220…上偏振片、300…液晶、400…第2TFT基板、500…玻璃基板、600…背光源、700…柔性布线基板、1000…母基板、IR…红外线、LB…激光束。

Claims (20)

1.显示装置,其为在树脂基板上形成有像素的显示装置,所述显示装置的特征在于,
在所述树脂基板的与形成有所述像素的一侧为相反侧的面上形成有由金属氧化物形成的第1层,
在所述第1层之上以与相对于面向所述树脂基板的面位于相反侧的面接触的方式形成有由透明导电膜形成的第2层,
其中,所述第1层为红外线吸收层,所述第2层为红外线反射层,所述树脂基板通过用红外线加热烧结而形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述树脂基板由聚酰亚胺形成。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第1层由氧化铝膜形成。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第1层的厚度为10nm至100nm。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第2层由ITO形成。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第2层的厚度为50nm至150nm。
7.显示装置,其具有在由树脂形成的第1基板之上层叠有由树脂形成的第2基板的构成,在所述第2基板上形成有像素,所述显示装置的特征在于,
以与所述第1基板的相对于面向所述第2基板的面位于相反侧的面接触的方式形成有由金属氧化物形成的第1层,以与所述第1层的相对于面向所述第2基板的面位于相反侧的面接触的方式形成有由透明导电膜形成的第2层,
以与所述第2基板的所述第1基板侧的面接触的方式形成有由金属氧化物形成的第3层,以与所述第3层的相对于面向所述第2基板的面位于相反侧的面接触的方式形成有由透明导电膜形成的第4层,
其中,所述第1层为红外线吸收层,所述第2层为红外线反射层,所述树脂基板通过用红外线加热烧结而形成。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述第1树脂基板和所述第2树脂基板由聚酰亚胺形成。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述第1层和所述第3层由氧化铝膜形成。
10.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述第1层和所述第3层的厚度为10nm至100nm。
11.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述第2层和所述第4层由ITO形成。
12.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述第2层和所述第4层的厚度为50nm至150nm。
13.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,在所述第1基板与所述第4层之间形成有氧化硅膜的层。
14.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述第2基板的厚度小于所述第1基板的厚度。
15.显示装置,其具有在由树脂形成的第1基板之上层叠有由树脂形成的第2基板的构成,在所述第2基板上形成有像素,所述显示装置的特征在于,
以与所述第1基板的相对于面向所述第2基板的面位于相反侧的面接触的方式形成有由金属氧化物形成的第1层,以与所述第1层的相对于面向所述第2基板的面位于相反侧的面接触的方式形成有由透明导电膜形成的第2层,或者,
以与所述第2基板的所述第1基板侧的面接触的方式形成有由金属氧化物形成的第1层,以与所述第1层的相对于面向所述第2基板的面位于相反侧的面接触的方式形成有由透明导电膜形成的第2层,
其中,所述第1层为红外线吸收层,所述第2层为红外线反射层,所述树脂基板通过用红外线加热烧结而形成。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其特征在于,所述第1基板和所述第2基板由聚酰亚胺形成。
17.根据权利要求15所述的显示装置,其特征在于,所述第1层由氧化铝膜形成。
18.根据权利要求15所述的显示装置,其特征在于,所述第2层由ITO形成。
19.根据权利要求15所述的显示装置,其特征在于,所述第2基板的厚度小于所述第1基板的厚度。
20.根据权利要求15所述的显示装置,其特征在于,在所述第1基板与所述第2基板之间形成有氧化硅膜的层。
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Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005011793A (ja) * 2003-05-29 2005-01-13 Sony Corp 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置
CN101386219A (zh) * 2007-09-12 2009-03-18 精工爱普生株式会社 带有接合膜的基材、接合方法及接合体
JP2009063643A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
TW200937528A (en) * 2007-12-12 2009-09-01 Idemitsu Kosan Co Patterned crystalline semiconductor thin film, process for producing thin-film transistor and field effect transistor
CN102341837A (zh) * 2009-03-25 2012-02-01 夏普株式会社 显示装置
JP2012126144A (ja) * 2012-03-09 2012-07-05 Toray Ind Inc 積層フィルム
CN102858541A (zh) * 2010-03-31 2013-01-02 凸版印刷株式会社 凸版印刷装置,使用其的印刷物和有机电致发光元件制造方法
CN103201104A (zh) * 2010-11-05 2013-07-10 旭硝子株式会社 层叠体、带有支撑板的显示装置用面板、显示装置用面板以及显示装置
WO2014136259A1 (ja) * 2013-03-08 2014-09-12 パイオニア株式会社 発光素子
JP2015219350A (ja) * 2014-05-16 2015-12-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置およびその製造方法
KR20160010707A (ko) * 2014-07-17 2016-01-28 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2016031889A (ja) * 2014-07-30 2016-03-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及びその製造方法
CN105552247A (zh) * 2015-12-08 2016-05-04 上海天马微电子有限公司 复合基板、柔性显示装置及其制备方法
JP2017058509A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、および、表示装置
CN106554507A (zh) * 2015-09-29 2017-04-05 新日铁住金化学株式会社 聚酰亚胺膜的制造方法
CN107203077A (zh) * 2016-03-17 2017-09-26 株式会社日本显示器 图像显示装置
CN107405907A (zh) * 2015-03-26 2017-11-28 东丽株式会社 树脂层叠膜及含有其的层叠体、tft基板、有机el元件滤色片,以及它们的制造方法
CN206758438U (zh) * 2016-04-15 2017-12-15 株式会社日本显示器 显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62104747A (ja) * 1985-10-31 1987-05-15 日東電工株式会社 透明導電フイルムおよびその製法
JPH09277426A (ja) * 1996-04-18 1997-10-28 Teijin Ltd 透明導電フィルム及びその製造方法
JP3184889B2 (ja) * 1997-12-01 2001-07-09 経済産業省産業技術総合研究所長 光学素子
JP2000147540A (ja) * 1998-11-17 2000-05-26 Toppan Printing Co Ltd 電極基板およびその製造方法
JP4348217B2 (ja) * 2004-03-17 2009-10-21 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよび該フィルムを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008093930A (ja) * 2006-10-11 2008-04-24 Toyobo Co Ltd 透明導電性ポリイミドフィルム
JP5339089B2 (ja) * 2008-02-13 2013-11-13 住友金属鉱山株式会社 フレキシブル透明導電フィルムとフレキシブル機能性素子およびこれ等の製造方法
KR101440456B1 (ko) * 2008-03-31 2014-09-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP5239630B2 (ja) 2008-08-26 2013-07-17 住友金属鉱山株式会社 吸収型多層膜ndフィルター
KR101954984B1 (ko) * 2012-09-25 2019-03-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102386362B1 (ko) * 2013-12-02 2022-04-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9773853B2 (en) * 2015-01-09 2017-09-26 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with bent substrate

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005011793A (ja) * 2003-05-29 2005-01-13 Sony Corp 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置
JP2009063643A (ja) * 2007-09-04 2009-03-26 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
CN101386219A (zh) * 2007-09-12 2009-03-18 精工爱普生株式会社 带有接合膜的基材、接合方法及接合体
TW200937528A (en) * 2007-12-12 2009-09-01 Idemitsu Kosan Co Patterned crystalline semiconductor thin film, process for producing thin-film transistor and field effect transistor
CN102341837A (zh) * 2009-03-25 2012-02-01 夏普株式会社 显示装置
CN102858541A (zh) * 2010-03-31 2013-01-02 凸版印刷株式会社 凸版印刷装置,使用其的印刷物和有机电致发光元件制造方法
CN103201104A (zh) * 2010-11-05 2013-07-10 旭硝子株式会社 层叠体、带有支撑板的显示装置用面板、显示装置用面板以及显示装置
JP2012126144A (ja) * 2012-03-09 2012-07-05 Toray Ind Inc 積層フィルム
WO2014136259A1 (ja) * 2013-03-08 2014-09-12 パイオニア株式会社 発光素子
JP2015219350A (ja) * 2014-05-16 2015-12-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置およびその製造方法
KR20160010707A (ko) * 2014-07-17 2016-01-28 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP2016031889A (ja) * 2014-07-30 2016-03-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及びその製造方法
CN107405907A (zh) * 2015-03-26 2017-11-28 东丽株式会社 树脂层叠膜及含有其的层叠体、tft基板、有机el元件滤色片,以及它们的制造方法
JP2017058509A (ja) * 2015-09-16 2017-03-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、および、表示装置
CN106554507A (zh) * 2015-09-29 2017-04-05 新日铁住金化学株式会社 聚酰亚胺膜的制造方法
CN105552247A (zh) * 2015-12-08 2016-05-04 上海天马微电子有限公司 复合基板、柔性显示装置及其制备方法
CN107203077A (zh) * 2016-03-17 2017-09-26 株式会社日本显示器 图像显示装置
CN206758438U (zh) * 2016-04-15 2017-12-15 株式会社日本显示器 显示装置

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