CN111491913A - 胺化合物及包含其的有机发光器件 - Google Patents

胺化合物及包含其的有机发光器件 Download PDF

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Abstract

本申请涉及化学式1的化合物及包含其的有机发光器件。

Description

胺化合物及包含其的有机发光器件
技术领域
本说明书涉及胺化合物及包含其的有机发光器件。
本申请主张于2018年04月05日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2018-0039619号的优先权，其全部内容包含在本说明书中。
背景技术
通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于它们之间的有机物层的结构。在这里，为了提高有机发光器件的效率和稳定性，有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言，如果在两电极之间施加电压，则空穴从阳极注入至有机物层，电子从阴极注入至有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton)，该激子重新跃迁至基态时就会发出光。
持续要求开发用于如上所述的有机发光器件的新的材料。
发明内容
技术课题
本说明书提供胺化合物及包含其的有机发光器件。
课题的解决方法
根据本说明书的一实施方式，提供由下述化学式1表示的化合物。
[化学式1]
Figure BDA0002534602520000021
在上述化学式1中，
Ar11至Ar14彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，
L2至L5彼此相同或不同，各自独立地为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基，
当Ar11和Ar12各自为未取代的芳基时，Ar11和Ar12中的任一个为未取代的碳原子数大于10的芳基，
当Ar13和Ar14各自为未取代的芳基时，Ar13和Ar14中的任一个为未取代的碳原子数大于10的芳基。
另外，根据本说明书的一实施方式，提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极、与上述第一电极对置而具备的第二电极、以及具备在上述第一电极与第二电极之间的一层以上的有机物层，上述有机物层中的一层以上包含由上述化学式1表示的化合物。
发明效果
根据本说明书的一实施方式的化合物可以用作有机发光器件的有机物层的材料，通过使用该材料，能够在有机发光器件中实现效率的提高、较低的驱动电压和/或寿命特性的提高。
附图说明
图1至4图示了根据本说明书的实施方式的有机发光器件。
[符号说明]
1：基板
2：阳极
3：发光层
4：阴极
5：空穴注入层
6：空穴传输层
7：电子注入和传输层
8：电子阻挡层
9：空穴阻挡层
具体实施方式
下面，对本说明书更详细地进行说明。
本说明书的一实施方式提供由上述化学式1表示的化合物。
上述化学式1具有四苯基螺[苯并[b]芴-11,9’-芴核结构，并且包含二芳基胺基。当化学式1的化合物用作蓝色发光层的掺杂剂时，器件的长寿命、高效率和低电压的特性提高。
在本说明书中，当指出某一部分“包含/包括”某一构成要素时，只要没有特别相反的记载，则意味着可以进一步包括其它构成要素，而不是将其它构成要素排除。
在本说明书中，当指出某一构件位于另一个构件“上”时，其不仅包括某一构件与另一构件接触的情况，还包括两构件之间存在其它构件的情况。
在本说明书中，
Figure BDA0002534602520000031
或*是指连接的部位。
在本说明书中，取代基的例示在下文中进行说明，但并不限定于此。
上述“取代”这一用语的意思是指结合于化合物的碳原子上的氢原子被替换成其它取代基，被取代的位置只要是氢原子可以被取代的位置、即取代基可以取代的位置就没有限定，当取代2个以上时，2个以上的取代基可以彼此相同或不同。
在本说明书中，“取代或未取代的”这一用语是指被选自氢、氘、卤素基团、腈基、甲硅烷基、烷基、环烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、芳氧基、芳基、以及杂环基中的1个或2个以上的取代基取代，或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代，或者不具有任何取代基。例如，“2个以上的取代基连接而成的取代基”可以为被芳基取代的芳基、被杂芳基取代的芳基、被芳基取代的杂环基、被烷基取代的芳基等。
在本说明书中，2个以上的取代基连接是指任一个取代基的氢与其它取代基连接。例如，异丙基与苯基连接可以成为
Figure BDA0002534602520000041
这样的取代基。
在本说明书中，3个取代基连接不仅包括(取代基1)-(取代基2)-(取代基3)连续地连接，还包括(取代基1)上连接有(取代基2)和(取代基3)。例如，2个苯基和异丙基连接可以成为
Figure BDA0002534602520000042
这样的取代基。关于4个以上的取代基连接，也同样适用上述意思。
在本说明书中，卤素基团可以为F、Cl、I等，优选为F。
在本说明书中，甲硅烷基可以为烷基甲硅烷基、或者芳基甲硅烷基。甲硅烷基可以由SiRaRbRc表示，Ra至Rc可以为氢、烷基或芳基。
在本说明书中，烷基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为1至30、1至10、或1至5。作为具体例子，有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但并不限定于此。
在本说明书中，环烷基没有特别限定，但优选为碳原子数3至30的环烷基、或者3至13的环烷基，具体而言，有环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基等，但并不限定于此。
在本说明书中，卤代烷基可以为直链或支链，表示上面提到的烷基的氢被1个或2个以上的卤素基团取代。碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至30、1至20、1至10、或者1至5。烷基可以适用上述关于烷基的说明。作为卤代烷基的具体例子，有氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、溴甲基、二溴甲基、三溴甲基等，但并不限定于此。
在本说明书中，烷氧基可以为直链、支链或环状。烷氧基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至30。具体而言，可以为甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、异丙基氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、异戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苄氧基、对甲基苄氧基等，但并不限定于此。
在本说明书中，卤代烷氧基是氧原子上连接有卤代烷基的基团，卤代烷基可以适用上述关于卤代烷基的说明。碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至30、1至20、1至10、或者1至5。
在本说明书中，芳基没有特别限定，但优选为碳原子数6至30的芳基，上述芳基可以为单环或多环。
在上述芳基为单环芳基的情况下，碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为6至30。具体而言，作为单环芳基，可以为苯基、联苯基、三联苯基等，但并不限定于此。
在上述芳基为多环芳基的情况下，碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为10至30。具体而言，作为多环芳基，可以为萘基、蒽基、菲基、三苯基、芘基、萉基、苝基、
Figure BDA0002534602520000052
基、芴基等，但并不限定于此。
在本说明书中，上述芴基可以被取代，相邻的基团可以彼此结合而形成环。
在上述芴基被取代的情况下，可以为
Figure BDA0002534602520000051
Figure BDA0002534602520000061
等。但并不限定于此。
在本说明书中，芳氧基、N-芳基烷基胺基、以及N-芳基杂芳基胺基中的芳基与上述芳基的例示相同。具体而言，作为芳氧基，有苯氧基、对甲苯氧基、间甲苯氧基、3,5-二甲基苯氧基、2,4,6-三甲基苯氧基、对叔丁基苯氧基、3-联苯氧基、4-联苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、4-甲基-1-萘氧基、5-甲基-2-萘氧基、1-蒽氧基、2-蒽氧基、9-蒽氧基、1-菲氧基、3-菲氧基、9-菲氧基等。
在本说明书中，杂芳基包含1个以上非碳原子、即杂原子，具体而言，上述杂原子可以包含1个以上选自O、N、Se和S等中的原子。碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为2至30，上述杂芳基可以为单环或多环。作为杂环基的例子，有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、
Figure BDA0002534602520000062
唑基、
Figure BDA0002534602520000063
二唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并
Figure BDA0002534602520000064
唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、二苯并吡咯基、吲哚基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并喹啉基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并呋喃基、菲咯啉基(phenanthroline)、噻唑基、异
Figure BDA0002534602520000065
唑基、
Figure BDA0002534602520000066
二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩
Figure BDA0002534602520000067
嗪基、吩噻嗪基和二苯并呋喃基等，但并不限定于此。
在本说明书中，亚芳基除了是2价基团以外，可以适用上述芳基的例示。
在本说明书中，亚杂芳基除了是2价基团以外，可以适用上述杂芳基的例示。
根据本说明书的一实施方式，L2至L5彼此相同或不同，各自独立地选自直接键合、亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚四联苯基、亚萘基、亚蒽基、被烷基或芳基取代或未取代的亚芴基、亚菲基、亚芘基、亚三亚苯基。
根据本说明书的一实施方式，L2至L5彼此相同或不同，各自独立地可以选自直接键合或下述结构式。
Figure BDA0002534602520000071
R和R’为烷基或芳基。例如，R和R’为甲基或苯基。
根据本说明书的一实施方式，L2至L5彼此相同或不同，各自独立地可以选自直接键合或下述结构式。
Figure BDA0002534602520000072
根据本说明书的一实施方式，L2至L5彼此相同或不同，各自独立地为直接键合、亚苯基、或者亚联苯基。
根据本说明书的一实施方式，L2至L5彼此相同或不同，各自独立地为直接键合、或者亚苯基。
根据本说明书的一实施方式，L2至L5彼此相同或不同，各自独立地为直接键合、对亚苯基或间亚苯基。
根据本说明书的一实施方式，L2至L5为直接键合。
根据本说明书的一实施方式，Ar11至Ar14彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar11和Ar12各自为未取代的芳基时，Ar11和Ar12中的任一个为未取代的碳原子数大于10的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar13和Ar14各自为未取代的芳基时，Ar13和Ar14中的任一个为未取代的碳原子数大于10的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar11和Ar12各自为取代的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar11为取代的芳基，Ar12为未取代的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar11和Ar12中的一个以上为取代或未取代的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar11为取代或未取代的杂芳基，Ar12为取代或未取代的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar11和Ar12相同或不同，各自独立地为取代或未取代的碳原子数大于10的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar11为未取代的碳原子数大于10的芳基，Ar12为取代或未取代的碳原子数6至30的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar13和Ar14各自为取代的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar13为取代的芳基，Ar14为未取代的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar13和Ar14中的一个以上为取代或未取代的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar13为取代或未取代的杂芳基，Ar14为取代或未取代的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar13和Ar14相同或不同，各自独立地为取代或未取代的碳原子数大于10的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar13为未取代的碳原子数大于10的芳基，Ar14为取代或未取代的碳原子数6至30的芳基。
上述碳原子数大于10的芳基为碳原子数30以内的芳基或碳原子数20以内的芳基。更优选为联苯基、二甲基芴基、二苯基芴基、三联苯基等。
根据本说明书的一实施方式，Ar11至Ar14彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的碳原子数6至30的芳基、或者取代或未取代的碳原子数2至30的杂芳基。
根据本说明书的一实施方式，Ar11至Ar14彼此相同或不同，各自独立地为被选自由氘、卤素基团、腈基、烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、甲硅烷基和环烷基组成的组中的一个取代基或选自上述组中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代或未取代的芳基；或者被选自由氘、卤素基团、腈基、烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、甲硅烷基和环烷基组成的组中的一个取代基或选自上述组中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代或未取代的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，当Ar11至Ar14中的任一个为芳基的情况下，上述芳基为苯基、萘基、联苯基、芴基或者苯并芴基。
在本说明书的一实施方式中，当Ar11至Ar14中的任一个为杂芳基的情况下，上述杂芳基为二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基、二苯并噻吩基或萘并苯并噻吩基。
在本说明书的一实施方式中，当Ar11至Ar14中的任一个为取代的芳基的情况下，上述芳基的取代基为氘、卤素基团、腈基、被氘取代或未取代的碳原子数1至5的烷基、碳原子数1至5的卤代烷基、碳原子数1至5的烷氧基、碳原子数1至5的卤代烷氧基、碳原子数3至20的甲硅烷基、或者碳原子数3至20的环烷基。
在本说明书的一实施方式中，当Ar11至Ar14中的任一个为取代的芳基的情况下，上述芳基的取代基为氘、卤素基团、腈基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、OCF3、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基或环己基。
在本说明书的一实施方式中，当Ar11至Ar14中的任一个为取代的杂芳基的情况下，上述杂芳基的取代基为氘、卤素基团、腈基、被氘取代或未取代的碳原子数1至5的烷基、碳原子数1至5的卤代烷基、碳原子数1至5的烷氧基、碳原子数1至5的卤代烷氧基、碳原子数3至20的甲硅烷基、碳原子数3至20的环烷基、或者被氘取代或未取代的碳原子数6至20的芳基。
在本说明书的一实施方式中，当Ar11至Ar14中的任一个为取代的杂芳基的情况下，上述杂芳基的取代基为氘、卤素基团、腈基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、OCF3、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基、三联苯基、被氘取代的苯基、被氘取代的联苯基、被氘取代的萘基、或者被氘取代的三联苯基。
在本说明书的一实施方式中，Ar11至Ar14彼此相同或不同，各自独立地为被氘、卤素基团、腈基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、OCF3、甲氧基、乙氧基、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基或环己基取代或未取代的苯基；被氘、卤素基团、腈基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、OCF3、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基或环己基取代或未取代的联苯基；被氘、卤素基团、腈基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、OCF3、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基或环己基取代或未取代的萘基；被氘、卤素基团、腈基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、OCF3、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基或环己基取代或未取代的芴基；被氘、卤素基团、腈基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、OCF3、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基或环己基取代或未取代的苯并芴基；被氘、卤素基团、腈基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、OCF3、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基或由氘取代的苯基取代或未取代的二苯并呋喃基；被氘、卤素基团、腈基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、OCF3、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基或环己基取代或未取代的萘并苯并呋喃基；被氘、卤素基团、腈基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、OCF3、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基、联苯基、萘基或由氘取代的苯基取代或未取代的二苯并噻吩基；或者被氘、卤素基团、腈基、甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、甲氧基、乙氧基、OCF3、三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基或环己基取代或未取代的萘并苯并噻吩基。
在本说明书的一实施方式中，Ar11至Ar14彼此相同或不同，各自独立地为被氘、卤素基团、腈基、甲基、异丙基、叔丁基、CD3、三氟甲基、OCF3、甲氧基或三甲基甲硅烷基取代或未取代的苯基；联苯基；萘基；二甲基芴基；二甲基苯并芴基；被氘、甲基、异丙基、叔丁基、CD3、三甲基甲硅烷基、苯基、由氘取代的苯基取代或未取代的二苯并呋喃基；萘并苯并呋喃基；被氘、甲基、异丙基、叔丁基、CD3、三甲基甲硅烷基、苯基、由氘取代的苯基取代或未取代的二苯并噻吩基；或者萘并苯并噻吩基。
根据本说明书的一实施方式，上述化学式1的-N(-L2-Ar11)(-L3-Ar12)和-N(-L4-Ar13)(-L5-Ar14)彼此相同。
根据本说明书的一实施方式，上述化学式1由下述化学式2表示。
[化学式2]
Figure BDA0002534602520000101
在上述化学式2中，Ar11至Ar14和L2至L5的定义与化学式1中的定义相同。
根据本说明书的一实施方式，上述化学式1可以为选自下述化合物中的任一个。
Figure BDA0002534602520000111
Figure BDA0002534602520000121
Figure BDA0002534602520000131
Figure BDA0002534602520000141
Figure BDA0002534602520000151
Figure BDA0002534602520000161
Figure BDA0002534602520000171
根据本说明书的一实施方式的化合物可以通过后述的制造方法进行制造。根据需要，可以追加或排除取代基，并且可以变更取代基的位置。此外，基于该技术领域中已知的技术，可以变更起始物质、反应物质、反应条件等。
例如，由上述化学式1表示的化合物可以如下述通式1那样制造核结构。取代基可以利用该技术领域中已知的方法进行结合，取代基的种类、位置或个数可以根据该技术领域中已知的技术进行变更。可以如下述通式1那样使取代基结合，但并不限定于此。
[通式1]
Figure BDA0002534602520000181
在上述通式1中，对于Ar11至Ar14的定义与上述化学式1中的定义相同。虽然上述通式1中没有表示L2至L5，但只要使用取代有L2至L5的反应物就可以得到需要的化合物。
根据本说明书的一实施方式，提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极、与上述第一电极对置而具备的第二电极、以及具备在上述第一电极与第二电极之间的一层以上的有机物层，上述有机物层中的一层以上包含上述的化合物。
根据本说明书的一实施方式，本说明书的有机发光器件的有机物层可以由单层结构形成，也可以由层叠有2层以上的有机物层的多层结构形成。例如，本发明的有机发光器件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等作为有机物层的结构。但是，有机发光器件的结构并不限定于此，可以包括更少或更多层的有机层。
在本说明书中，上述“层”是与本技术领域中主要使用的“膜”互换的意思，是指覆盖目标区域的涂层(coating)。上述“层”的大小没有限定，各个“层”其大小可以相同或不同。在一实施方式中，“层”的大小可以与整个器件相同，可以相当于特定功能性区域的大小，也可以如子像素(sub-pixel)那般小。
在本说明书中，特定的A物质包含于B层的意思包括i)1种以上的A物质包含于一层B层的情况、和ii)B层由1层以上构成，A物质包含于多层B层中的1层以上的情况。
在本说明书中，特定的A物质包含于C层或D层的意思是指ⅰ)包含于1层以上的C层中的1层以上、或者ⅱ)包含于1层以上的D层中的1层以上、或者ⅲ)分别包含于1层以上的C层和1层以上的D层。
例如，本说明书的有机发光器件的结构可以具有如图1至图4所示的结构，但不仅限于此。
图1例示了在基板1上依次层叠有阳极2、发光层3和阴极4的有机发光器件的结构。上述图1为根据本说明书的一实施方式的有机发光器件的例示结构，可以进一步包括其它有机物层。在这种结构中，化学式1的化合物可以包含于发光层。
图2例示了在基板1上依次层叠有阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、发光层3、电子注入和传输层7、以及阴极4的有机发光器件的结构。上述图2是根据本说明书的实施方式的例示结构，可以进一步包括其它有机物层。在这里，化学式1的化合物可以包含于空穴注入层、空穴传输层、发光层、或电子注入和传输层。
图3例示了在基板1上依次层叠有阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、电子阻挡层8、发光层3、电子注入和传输层7、以及阴极4的有机发光器件的结构。上述图3为根据本说明书的实施方式的例示结构，可以进一步包括其它有机物层。在这里，化学式1的化合物可以包含于空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、或电子注入和传输层。
图4例示了在基板1上依次层叠有阳极2、空穴注入层5、空穴传输层6、电子阻挡层8、发光层3、空穴阻挡层9、电子注入和传输层7、以及阴极4的有机发光器件的结构。上述图4为根据本说明书的实施方式的例示结构，可以进一步包括其它有机物层。在这里，化学式1的化合物可以包含于空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、或电子注入和传输层。
根据本说明书的一实施方式，上述有机物层包括空穴注入层、空穴传输层或电子阻挡层，上述空穴注入层、空穴传输层或电子阻挡层包含由上述化学式1表示的化合物。
根据本说明书的一实施方式，上述有机物层包括发光层，上述发光层包含由上述化学式1表示的化合物。
根据本说明书的一实施方式，上述有机物层包括发光层，上述发光层包含由上述化学式1表示的化合物作为发光层的掺杂剂。
根据本说明书的一实施方式的有机发光器件包括发光层，上述发光层包含由上述化学式1表示的化合物和由下述化学式H表示的化合物。
[化学式H]
Figure BDA0002534602520000201
在上述化学式H中，
L21和L22彼此相同或不同，各自独立地为直接键合、取代或未取代的亚芳基、或者取代或未取代的亚杂芳基，
R31至R38彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的氧化膦基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，
Ar101和Ar102彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，L21和L22彼此相同或不同，各自独立地为直接键合、取代或未取代的碳原子数6至30的亚芳基、或者取代或未取代的包含N、O或S的碳原子数2至30的亚杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，L21和L22彼此相同或不同，各自独立地为直接键合、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、或者取代或未取代的亚噻吩基。
在本说明书的一实施方式中，Ar101和Ar102彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的碳原子数6至50的芳基、或者取代或未取代的碳原子数2至50的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar101和Ar102彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的单环至4环的芳基、或者取代或未取代的单环至4环的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar101和Ar102彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的非那烯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并芴基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的萘并苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、或者取代或未取代的萘并苯并噻吩基。
在本说明书的一实施方式中，R31至R38为氢。
在本说明书的一实施方式中，上述化学式H为选自下述化合物中的任一个。
Figure BDA0002534602520000211
根据本说明书的一实施方式的有机发光器件包括发光层，上述发光层包含由上述化学式1表示的化合物作为发光层的掺杂剂，包含由上述化学式H表示的化合物作为发光层的主体。
在本说明书的一实施方式中，以由上述化学式H表示的化合物的重量100重量份为基准，由上述化学式1表示的化合物的含量为0.01重量份至30重量份、0.1重量份至20重量份、或者0.5重量份至10重量份。
在本说明书的一实施方式中，上述发光层除了由上述化学式H表示的化合物以外，可以进一步包含一种主体物质。这时，进一步包含的主体材料(混合主体化合物)有芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。具体而言，作为芳香族稠环衍生物，有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，作为含杂环化合物，有二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物
Figure BDA0002534602520000221
嘧啶衍生物等，但并不限定于此。
由上述化学式H表示的化合物和上述混合主体化合物的重量比为95:5至5:95，更优选为30:70至70:30。
在本说明书的一实施方式中，上述发光层包含1种或2种以上由上述化学式H表示的化合物。
在本说明书的一实施方式中，包含由上述化学式1表示的化合物和由上述化学式H表示的化合物的发光层显示出蓝色。
根据本说明书的一实施方式的有机发光器件包括2层以上的发光层，上述2层以上的发光层中的至少一层包含由上述化学式1表示的化合物和由上述化学式H表示的化合物。包含由上述化学式1表示的化合物和由上述化学式H表示的化合物的发光层显示出蓝色，未包含由上述化学式1表示的化合物和由上述化学式H表示的化合物的发光层可以包含该领域中已知的蓝色、红色或绿色发光化合物。
根据本说明书的一实施方式，上述有机物层包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或电子注入和传输层，上述空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、或电子注入和传输层包含由上述化学式1表示的化合物。
根据本说明书的一实施方式，上述有机物层可以进一步包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的1层以上。
本说明书的有机发光器件除了有机物层中的1层以上包含本说明书的化合物，即包含由上述化学式1表示的化合物以外，可以利用该技术领域中已知的材料和方法进行制造。
当上述有机发光器件包括复数个有机物层的情况下，上述有机物层可以由相同的物质或不同的物质形成。
例如，本说明书的有机发光器件可以通过在基板上依次层叠第一电极、有机物层和第二电极而制造。这时可以如下制造：利用溅射法(sputtering)或电子束蒸发法(e-beamevaporation)之类的物理蒸镀方法(PVD：physical Vapor Deposition：物理气相沉积)，在基板上蒸镀金属或具有导电性的金属氧化物或它们的合金而形成第一电极，然后在该第一电极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机物层，之后在该有机物层上蒸镀可用作第二电极的物质而制造。除了这种方法以外，也可以在基板上依次蒸镀第二电极物质、有机物层、第一电极物质而制造有机发光器件。
另外，由上述化学式1表示的化合物在制造有机发光器件时不仅可以利用真空蒸镀法，还可以利用溶液涂布法来形成有机物层。在这里，所谓溶液涂布法是指旋涂法、浸涂法、刮涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷雾法、辊涂法等，但不仅限于此。
根据本说明书的一实施方式，上述第一电极为阳极，上述第二电极为阴极。
根据本说明书的另一实施方式，上述第一电极为阴极，上述第二电极为阳极。
作为上述阳极物质，通常为了使空穴能够顺利地向有机物层注入，优选为功函数大的物质。作为可以在本发明中使用的阳极物质的具体例，有钒、铬、铜、锌、金等金属或它们的合金；氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物；ZnO:Al或SnO2:Sb等金属与氧化物的组合；聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺等导电性高分子等，但不仅限于此。
作为上述阴极物质，通常为了使电子容易地向有机物层注入，优选为功函数小的物质。作为阴极物质的具体例，有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅等金属或它们的合金；LiF/Al或LiO2/Al、Mg/Ag等多层结构物质等，但不仅限于此。
上述空穴注入层是空穴注入物质是注入来自电极的空穴的层，作为空穴注入物质，优选为如下化合物：具有传输空穴的能力，具有注入来自阳极的空穴的效果，具有对于发光层或发光材料的优异的空穴注入效果，防止发光层中生成的激子向电子注入层或电子注入材料的迁移，而且薄膜形成能力优异。优选空穴注入物质的HOMO(最高占有分子轨道，highest occupied molecular orbital)介于阳极物质的功函数与周围有机物层的HOMO之间。作为空穴注入物质的具体例，有金属卟啉(porphyrin)、低聚噻吩、芳基胺系有机物、六腈六氮杂苯并菲系有机物、喹吖啶酮(quinacridone)系有机物、苝(perylene)系有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系导电性高分子等，但不仅限于此。
在本说明书的一实施方式中，空穴注入层在芳基胺系有机物中掺杂有六腈六氮杂苯并菲系的有机物。
上述空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层，作为空穴传输物质，是能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴并将其转移至发光层的物质，对空穴的迁移率大的物质是合适的。作为具体例子，有芳基胺系有机物、导电性高分子、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等，但不仅限于此。
上述发光层的发光物质是能够从空穴传输层和电子传输层分别接收空穴和电子并使它们结合而发出可见光区域的光的物质，优选对荧光或磷光的量子效率高的物质。作为具体例，有8-羟基喹啉铝配合物(Alq3)；咔唑系化合物；二聚苯乙烯基(dimerizedstyryl)化合物；BAlq；10-羟基苯并喹啉-金属化合物；苯并
Figure BDA0002534602520000244
唑、苯并噻唑及苯并咪唑系化合物；聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)系高分子；螺环(spiro)化合物；聚芴、红荧烯等，但不仅限于此。
上述发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料有芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。具体而言，作为芳香族稠环衍生物，有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，作为含杂环化合物，有咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物
Figure BDA0002534602520000241
Figure BDA0002534602520000242
嘧啶衍生物等，但并不限定于此。
作为上述掺杂剂材料，有芳香族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体而言，作为芳香族胺衍生物，是具有取代或未取代的芳基氨基的芳香族稠环衍生物，有具有芳基氨基的芘、蒽、
Figure BDA0002534602520000243
二茚并芘等，作为苯乙烯基胺化合物，是在取代或未取代的芳基胺上取代有至少一个芳基乙烯基的化合物，被选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基和芳基氨基中的一个或两个以上的取代基取代或未取代。具体而言，有苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺等，但并不限定于此。此外，作为金属配合物，有铱配合物、铂配合物等，但并不限定于此。
上述电子传输层的电子传输物质是从电子注入层接收电子并将电子传输至发光层的层，电子传输物质是能够从阴极良好地注入电子并将其转移至发光层的物质，对电子的迁移率大的物质是合适的。作为具体例，有8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄铜-金属配合物等，但不仅限于此。电子传输层可以如现有技术中所使用的那样与任意期望的阴极物质一同使用。特别是，合适的阴极物质的例子是具有低功函数且伴有铝层或银层的通常的物质，具体为铯、钡、钙、镱和钐，在各情况下均伴有铝层或银层。
上述电子注入层是注入来自电极的电子的层，优选为如下化合物：具有传输电子的能力，具有注入来自阴极的电子的效果，具有对于发光层或发光材料的优异的电子注入效果，防止发光层中生成的激子向空穴注入层迁移，而且薄膜形成能力优异。具体而言，有芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、
Figure BDA0002534602520000251
唑、
Figure BDA0002534602520000252
二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等和它们的衍生物、金属配位化合物、以及含氮五元环衍生物等，但并不限定于此。
作为上述金属配位化合物，有8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯化镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等，但并不限定于此。
上述电子阻挡层是防止从电子注入层注入的电子经过发光层而进入到空穴注入层，从而可以提高器件的寿命和效率的层。可以没有限定地使用公知的材料，可以形成于发光层与空穴注入层之间、或者发光层与同时进行空穴注入和空穴传输的层之间。
上述空穴阻挡层是阻止空穴到达阴极的层，通常可以利用与电子注入层相同的条件形成。具体而言，有
Figure BDA0002534602520000253
二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物、铝配合物(aluminumcomplex)等，但并不限定于此。
根据所使用的材料，根据本说明书的有机发光器件可以为顶部发光型、底部发光型或双向发光型。
实施发明的方式
下面，为了对本说明书具体地进行说明，举出实施例和比较例等详细地进行说明。但是，根据本说明书的实施例和比较例可以变形为各种其它形态，不能解释为本说明书的范围限定于以下详述的实施例和比较例。本说明书的实施例和比较例是为了向本领域技术人员更完整地说明本说明书而被提供的。
<合成例>
合成中间体
Figure BDA0002534602520000261
1)化合物A-2的制造
将100.0g(1.0eq)的(3-溴-6氯萘-2基)硼酸((3-bromo-6-chloronaphthalen-2-yl)boronic acid)、91.92g(1.1eq)的1-氯-4-碘苯(1-chloro-4-iodobenzene)溶解于1000ml的THF后，同时加入溶解在300ml水中的96.87g(2.0eq)的K2CO3。加入0.89g(0.005eq)的Pd(t-Bu3P)2，回流并搅拌。反应结束时进行减压而去除溶剂。然后，完全溶解于CHCl3，用水洗涤，用无水硫酸镁进行处理，再次进行减压而去除溶剂，将其进行柱层析，从而得到了99.94g(收率81％)的化合物A-2。[M+H]＝363
2)化合物A-1的制造
将99.94g(1.0eq)的化合物A-2溶解于600mL的无水四氢呋喃后，冷却至-78℃。向冷却的溶液中缓慢加入124mL(1.0eq)的正丁基锂(2.5M)后，在相同的温度下搅拌30分钟。将51.15g(1.0eq)的9-芴酮(9H-fluoren-9-one)加入到冷却状态的混合物中。反应结束时，将混合物的温度升至室温，添加饱和氯化铵水溶液并搅拌。将混合物用乙酸乙酯进行萃取，将其用无水硫酸镁进行处理，过滤后进行浓缩。向浓缩状态的化合物中添加过量的己烷和少量的乙酸乙酯，搅拌后过滤，从而得到了111.97g(收率87％)的化合物A-1。
3)化合物A的合成
将111.97g(1.0eq)的化合物A-1在1000mL的乙酸中进行稀释后，添加10mL的浓硫酸，在回流状态下搅拌3小时左右。反应结束后，将混合物冷却至室温并过滤固体，用乙醇和水依次进行洗涤。将过滤的固体溶解于氯仿，用饱和碳酸氢钠水溶液中和，分离有机层，将其再次用水洗涤并分离后，用无水硫酸镁进行处理，过滤后添加乙酸乙酯，通过重结晶进行纯化。将纯化的固体过滤，从而得到了83.25g(收率89％)的白色的化合物A。[M+H]＝436
合成化合物
利用上述化合物A并通过布赫瓦尔德-哈特维希偶联反应(Buchwald-Hartwigcoupling reaction)合成了本发明的化合物。
合成例1
Figure BDA0002534602520000271
将10.0g(1.0eq)的化合物A、14.92g(2.2eq)的N-([1,1'-联苯]-4-基)萘-1-胺(N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)naphthalen-1-amine)、0.12g(0.01eq)的Pd(t-Bu3P)2、5.52g(2.5eq)的NaOtBu加入到250ml的二甲苯(Xylene)中，回流并搅拌。2小时后反应结束时，进行减压而去除溶剂。然后，完全溶解于CHCl3，用水洗涤，再次进行减压而去除50％左右的溶剂。再次在回流状态下加入乙酸乙酯，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了14.23g(收率65％)的化合物1。[M+H]＝954
合成例2
Figure BDA0002534602520000281
将10.0g(1.0eq)的化合物A、18.26g(2.2eq)的N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine)、0.12g(0.01eq)的Pd(t-Bu3P)2、5.51g(2.5eq)的NaOtBu加入到250ml的二甲苯(Xylene)中，回流并搅拌。2小时后反应结束时，进行减压而去除溶剂。然后，完全溶解于CHCl3，用水洗涤，再次进行减压而去除50％左右的溶剂。再次在回流状态下加入乙酸乙酯，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了15.20g(收率61％)的化合物2。[M+H]＝1086
合成例3
Figure BDA0002534602520000282
将10.0g(1.0eq)的化合物A、15.18g(2.2eq)的4-(二苯并[b,d]噻吩-3-基氨基)苯甲腈(4-(dibenzo[b,d]thiophen-3-ylamino)benzonitrile)、0.12g(0.01eq)的Pd(t-Bu3P)2、5.52g(2.5eq)的NaOtBu加入到250ml的二甲苯(Xylene)中，回流并搅拌。2小时后反应结束时，进行减压而去除溶剂。然后，完全溶解于CHCl3，用水洗涤，再次进行减压而去除50％左右的溶剂。再次在回流状态下加入乙酸乙酯，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了13.49g的化合物3(收率61％)。[M+H]＝964
合成例4
Figure BDA0002534602520000291
将10.0g(1.0eq)的化合物A、10.52g(2.2eq)的3-(间甲苯基氨基)苯甲腈(3-(m-tolylamino)benzonitrile)、0.11g(0.01eq)的Pd(t-Bu3P)2、5.52g(2.5eq)的NaOtBu加入到250ml的二甲苯(Xylene)中，回流并搅拌。2小时后反应结束时，进行减压而去除溶剂。然后，完全溶解于CHCl3，用水洗涤，再次进行减压而去除50％左右的溶剂。再次在回流状态下加入乙酸乙酯，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了11.98g(收率67％)的化合物4。[M+H]＝779
合成例5
Figure BDA0002534602520000292
将10.0g(1.0eq)的化合物A、14.67g(2.2eq)的9,9-二甲基-N-(苯基-d5)-9H-芴-2-胺(9,9-dimethyl-N-(phenyl-d5)-9H-fluoren-2-amine)、0.12g(0.01eq)的Pd(t-Bu3P)2、5.52g(2.5eq)的NaOtBu加入到250ml的二甲苯(Xylene)中，回流并搅拌。2小时后反应结束时，进行减压而去除溶剂。然后，完全溶解于CHCl3，用水洗涤，再次进行减压而去除50％左右的溶剂。再次在回流状态下加入乙酸乙酯，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了14.51g(收率67％)的化合物5。[M+H]＝944
合成例6
Figure BDA0002534602520000293
将10g(1.0eq)的化合物A、15.38g(2.2eq)的N-(3,5-二甲基苯基)-6-(甲基-d3)二苯并[b,d]呋喃-4-胺(N-(3,5-dimethylphenyl)-6-(methyl-d3)dibenzo[b,d]furan-4-amine)、0.12g(0.01eq)的Pd(t-Bu3P)2、5.51g(2.5eq)的NaOtBu加入到250ml的二甲苯(Xylene)中，回流并搅拌。2小时后反应结束时，进行减压而去除溶剂。然后，完全溶解于CHCl3，用水洗涤，再次进行减压而去除50％左右的溶剂。再次在回流状态下加入乙酸乙酯，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了14.50g(收率65％)的化合物6。[M+H]＝972
合成例7
Figure BDA0002534602520000301
将10.0g(1.0eq)的化合物A、17.21g(2.2eq)的N-(对甲苯基)-2-(三氟甲基)苯胺(N-(p-tolyl)-2-(trifluoromethyl)aniline)、0.12g(0.01eq)的Pd(t-Bu3P)2、5.52g(2.5eq)的NaOtBu加入到250ml的二甲苯(Xylene)中，回流并搅拌。2小时后反应结束时，进行减压而去除溶剂。然后，完全溶解于CHCl3，用水洗涤，再次进行减压而去除50％左右的溶剂。再次在回流状态下加入乙酸乙酯，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了13.31g(收率67％)的化合物7。[M+H]＝865
合成例8
Figure BDA0002534602520000302
将10.0g(1.0eq)的化合物A、20.18g(2.2eq)的6-(叔丁基)-N-(4-(三氟甲氧基)苯基)二苯并[b,d]呋喃-4-胺(6-(tert-butyl)-N-(4-(trifluoromethoxy)phenyl)dibenzo[b,d]furan-4-amine)、0.12g(0.01eq)的Pd(t-Bu3P)2、5.52g(2.5eq)的NaOtBu加入到250ml的二甲苯(Xylene)中，回流并搅拌。2小时后反应结束时，进行减压而去除溶剂。然后，完全溶解于CHCl3，用水洗涤，再次进行减压而去除50％左右的溶剂。再次在回流状态下加入乙酸乙酯，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了16.00g(收率60％)的化合物8。[M+H]＝1162
合成例9
Figure BDA0002534602520000311
将1.0g(1.0eq)的化合物A、10.37g(2.2eq)的双(4-氟苯基)胺(bis(4-fluorophenyl)amine)、0.12g(0.01eq)的Pd(t-Bu3P)2、5.52g(2.5eq)的NaOtBu加入到250ml的二甲苯(Xylene)中，回流并搅拌。2小时后反应结束时，进行减压而去除溶剂。然后，完全溶解于CHCl3，用水洗涤，再次进行减压而去除50％左右的溶剂。再次在回流状态下加入乙酸乙酯，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了12.43g(收率70％)的化合物9。[M+H]＝773
合成例10
Figure BDA0002534602520000312
将10.0g(1.0eq)的化合物A、20.59g(2.2eq)的6-苯基-N-(4-(三甲基甲硅烷基)苯基)二苯并[b,d]呋喃-4-胺(6-phenyl-N-(4-(trimethylsilyl)phenyl)dibenzo[b,d]furan-4-amine)、0.12g(0.01eq)的Pd(t-Bu3P)2、5.52g(2.5eq)的NaOtBu加入到250ml的二甲苯(Xylene)中，回流并搅拌。2小时后反应结束时，进行减压而去除溶剂。然后，完全溶解于CHCl3，用水洗涤，再次进行减压而去除50％左右的溶剂。再次在回流状态下加入乙酸乙酯，使晶体降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了18.94g(收率62％)的化合物10。[M+H]＝1178
<实验例>
实施例1
将ITO(氧化铟锡，indium tin oxide)以
Figure BDA0002534602520000321
的厚度被涂布成薄膜的玻璃基板放入溶解有洗涤剂的蒸馏水中，利用超声波进行洗涤。这时，洗涤剂使用菲希尔公司(Fischer Co.)制品，蒸馏水使用了利用密理博公司(Millipore Co.)制造的过滤器(Filter)过滤两次的蒸馏水。将ITO洗涤30分钟后，用蒸馏水重复两次而进行10分钟超声波洗涤。在蒸馏水洗涤结束后，用异丙醇、丙酮、甲醇的溶剂进行超声波洗涤并干燥后，输送至等离子体清洗机。此外，利用氧等离子体，将上述基板清洗5分钟后，将基板输送至真空蒸镀机。
在这样准备的ITO透明电极上，作为空穴注入层，将下述HI-1化合物以
Figure BDA0002534602520000322
的厚度形成，其中，将下述A-1化合物以1.5wt％的浓度进行p-掺杂。在上述空穴注入层上，将下述HT-1化合物进行真空蒸镀，从而形成膜厚度
Figure BDA0002534602520000323
的空穴传输层。接着，在上述空穴传输层上，将下述EB-1化合物以膜厚度
Figure BDA0002534602520000324
进行真空蒸镀而形成电子阻挡层。接着，在上述电子阻挡层上，将作为主体的BH-1化合物、作为掺杂剂的化合物1以98:2(主体：掺杂剂)的重量比进行真空蒸镀而形成
Figure BDA0002534602520000325
厚度的蓝色发光层。在上述发光层上，将下述HB-1化合物以膜厚度
Figure BDA0002534602520000326
进行真空蒸镀而形成空穴阻挡层。接着，在上述空穴阻挡层上，将下述ET-1化合物和下述LiQ化合物以2:1的重量比进行真空蒸镀，从而以
Figure BDA0002534602520000327
的厚度形成电子注入和传输层。在上述电子注入和传输层上，依次将氟化锂(LiF)以
Figure BDA0002534602520000328
的厚度、将铝以
Figure BDA0002534602520000329
的厚度进行蒸镀，从而形成阴极。
在上述过程中，有机物的蒸镀速度维持
Figure BDA00025346025200003210
至
Figure BDA00025346025200003211
阴极的氟化锂维持
Figure BDA00025346025200003212
的蒸镀速度，铝维持
Figure BDA00025346025200003213
的蒸镀速度，在蒸镀时，真空度维持2×10-7托～5×10-6托，从而制作了有机发光器件。
Figure BDA0002534602520000331
实施例2至实施例10
在实施例1的有机发光器件中，使用下述表1中记载的化合物代替化合物1，除此以外，通过与上述实施例1相同的方法制造了有机发光器件。
Figure BDA0002534602520000341
比较例1至比较例9
在实施例1的有机发光器件中，使用下述表1中记载的化合物代替化合物1，除此以外，通过与上述实施例1相同的方法制造了有机发光器件。
Figure BDA0002534602520000351
将上述实施例1至10和比较例1至9的有机发光器件在10mA/cm2的电流密度下测定了驱动电压、发光效率和色坐标，在20mA/cm2的电流密度下测定了相对于初始亮度成为95％的时间(LT95)。将其结果示于下述表1。
[表1]
Figure BDA0002534602520000361
对通过实施例1至10和比较例1至9制作的有机发光器件施加电流时得到了上述表1的结果。实施例和比较例均显示出蓝色光。从上述表1的结果可知，将本发明的化合物作为蓝色发光层的掺杂剂使用时，与比较例物质相比，驱动电压大幅下降了15％以上，在效率方面也上升了48％以上，并且可知，维持高效率的同时也可以大幅改善寿命特性。

Claims (10)

1.一种由下述化学式1表示的化合物：
化学式1
Figure FDA0002534602510000011
在所述化学式1中，
Ar11至Ar14彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，
L2至L5彼此相同或不同，各自独立地为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基，
当Ar11和Ar12各自为未取代的芳基时，Ar11和Ar12中的任一个为未取代的碳原子数大于10的芳基，
当Ar13和Ar14各自为未取代的芳基时，Ar13和Ar14中的任一个为未取代的碳原子数大于10的芳基。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述化学式1由下述化学式2表示：
化学式2
Figure FDA0002534602510000012
在所述化学式2中，Ar11至Ar14和L2至L5的定义与化学式1中的定义相同。
3.根据权利要求1所述的化合物，其中，L2至L5为直接键合。
4.根据权利要求1所述的化合物，其中，Ar11至Ar14彼此相同或不同，各自独立地为被选自由氘、卤素基团、腈基、烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、甲硅烷基和环烷基组成的组中的一个取代基或选自所述组中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代或未取代的芳基；或者为被选自由氘、卤素基团、腈基、烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、甲硅烷基和环烷基组成的组中的一个取代基或选自所述组中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代或未取代的杂芳基。
5.根据权利要求1所述的化合物，其中，Ar11和Ar12中的一个以上为取代或未取代的杂芳基。
6.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述化学式1的化合物为选自下述化合物中的任一个：
Figure FDA0002534602510000031
Figure FDA0002534602510000041
Figure FDA0002534602510000051
Figure FDA0002534602510000061
Figure FDA0002534602510000071
Figure FDA0002534602510000081
Figure FDA0002534602510000091
7.一种有机发光器件，其中，包括：第一电极、与所述第一电极对置而具备的第二电极、以及具备在所述第一电极与第二电极之间的一层或两层以上的有机物层，所述有机物层中的一层以上包含权利要求1至6中任一项所述的化合物。
8.根据权利要求7所述的有机发光器件，其中，所述有机物层包括发光层，所述发光层包含所述化合物。
9.根据权利要求7所述的有机发光器件，其中，所述有机物层包括发光层，所述发光层包含所述化合物作为发光层的掺杂剂。
10.根据权利要求7所述的有机发光器件，其中，所述有机物层包括发光层，所述发光层包含所述化合物和由下述化学式H表示的化合物：
化学式H
Figure FDA0002534602510000101
在所述化学式H中，
L21和L22彼此相同或不同，各自独立地为直接键合、取代或未取代的亚芳基、或者取代或未取代的亚杂芳基，
R31至R38彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的氧化膦基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，
Ar101和Ar102彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基。
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