CN104109533A - 包含掺杂剂和基质的组合及有机电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
包含掺杂剂和基质的组合及有机电致发光器件。本发明涉及一种组合,所述组合包含一种或多种如下式1所示基质化合物,和一种或多种如下式2所示的掺杂剂化合物:
Description
技术领域
本发明涉及一种包含掺杂剂化合物和基质化合物的组合物及包含该组合物的有机电致发光器件。
背景技术
电致发光器件(EL器件)是一种具有更宽的视角,更高的对比度,以及更快的响应时间的优点的自发光器件。有机EL器件首先由伊士曼柯达公司(Eastman Kodak)开发,其使用了小的芳香族二胺分子和铝的配合物作为形成发光层的材料[应用物理通讯(Appl.Phys.Lett).51,913,1987]。
有机EL器件可以降低生产成本和材料成本,并且,相对于液晶器件(LCD),具有更宽的视角,更高的对比度,以及更快的响应时间的优点。自诞生以来,有机EL器件已被显著地提升了超过80倍以上的效率和超过100倍以上的寿命。
此外,有机EL器件有利于显示器的变宽,从而显示器的变宽正迅速发展,例如,已经出现40英寸的有机EL器件面板。为使显示器变宽,要求器件具有更久的寿命和改进的发光效率。
为了提高有机EL器件的寿命,需要防止器件运行过程中产生的焦耳热所导致的材料结晶。因此,需要开发—种具有优良的电子注入和迁移率且电化学稳定高的有机化合物。
决定有机EL器件发光效率的最重要因素是发光材料。发光材料可分为利用单重态激子的荧光材料,以及利用三重态激子的磷光材料。一般情况下,使用磷光材料的有机EL元件寿命短,因而荧光材料直至现在仍被广泛使用。
此外,基质/掺杂剂体系可用作发光材料。当仅使用一种物质作为发光材料时,分子间的相互作用导致最大发射波长移向较长的波长,由于发光的衰减效应,从而出现诸如色彩纯度下降或器件效率下降问题。而基质/掺杂剂体系有利于提高色彩纯度、基于能量转移的发光效率以及稳定性。
对于蓝光荧光基质材料,自出光兴产公司(Idemitsu Kosan)的4,4′-双(2,2′-二苯乙烯基)-1,1′-联苯(DPVBi)推出以来,许多材料已被研发和商业化。尽管已知出光兴产公司的蓝光材料体系和柯达公司(Kodak)的二萘基蒽、四(叔丁基)苝体系,仍在持续开发可以在器件中提供更好性能的蓝光荧光主体材料的研究至今。
对于荧光掺杂剂,根据期望的发光颜色,可选择化合物例如胺系化合物、芳香族化合物、螯合配合物如三(8-羟基喹啉)铝配合物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物,以及恶二唑衍生物。
同时,当将含有常规掺杂剂化合物和基质化合物的发光材料应用于有机EL器件时,会导致发光效率、功率效率、运行寿命等出现不能令人满意的结果。尤其是,难以得到具有优异寿命特性的蓝光发光层。
韩国专利申请公开号2008-0031808A和日本专利申请公开2011-219461A公开了作为掺杂剂的含有二芳基氨基取代的苯并芴基结构的化合物。然而,仍需要就它们的效率和寿命特性改进在上述参考文献中公开的发光器件。
本发明人发现,上述问题可以通过特定组合的掺杂剂化合物和基质化合物来解决,上述组合适用于制造具有长寿命同时保持高色彩纯度和高亮度优点的有机EL器件。
发明内容
解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种包含掺杂剂化合物和基质化合物的组合物及包含该组合物的有机电致发光器件,该器件有优异的电流特性和提高的寿命特性。
解决问题的技术方案
为了实现上述目的,本发明提供了一种组合物,包含一种或多种由如下所示式1表示的基质化合物,以及一种或多种如下所示式2表示的掺杂剂化合物:
其中,R1至R24各自独立地表示氢,氘,卤素,取代或未取代的(C1-C30)烷基,取代或未取代的(C3-C30)环烷基,取代或未取代的(C1-C30)烷氧基,取代或未取代的(C6-C30)芳基,取代或未取代的(3-至30-元)杂芳基,-SiR31R32R33,氰基或羟基;或R1至R5,和R19至R24连接到相邻的取代基,从而形成取代或未取代的,单环或多环的,(3-至30-元)的脂环族或芳族环,该环可形成螺环结构,并且其碳原子可以被替换为选自氮,氧和硫中的至少一种杂原子;
R31至R33各自独立地表示氢,氘,卤素,取代或未取代的(C1-C30)烷基,取代或未取代的(C6-C30)芳基,或者取代或未取代的(3-至30-元)杂芳基;以及
杂芳基含有选自B,N,O,S,P(=O),Si和P中的至少—种杂原子;
其中,
Ar1表示取代或未取代的苯并[a]芴,取代或未取代的苯并[b]芴,取代或未取代的苯并[c]芴,或螺[芴-苯并芴];
L表示单键,取代或未取代的(C6-C30)亚芳基,或者取代或未取代的(3-至30-元)亚杂芳基;
Ar2和Ar3各自独立地表示取代或未取代的(C6-C30)芳基,或取代或未取代的(3-至30-元)杂芳基;或者彼此连接形成取代或未取代的,单环或多环的,(3-至30-元)的脂环族或芳族环,其碳原子可以被替换为选自氮,氧和硫的至少一种杂原子;以及
n表示1至3的整数;其中当n为2或更大时,每个可以是相同的或不同的。
发明效果
根据本发明,通过包含掺杂剂化合物和基质化合物的特定组合,能够提供一种具有优良的电流特性和提高的寿命特性的有机EL元件。
发明实施方式
以下,对本发明进行详细说明。然而,如下的描述意在解释本发明,并不意味着以任何方式限定本发明的范围。
本发明涉及一种有机电致发光器件,该器件包含一种或多种由式1表示的基质化合物以及一种或多种由式2表示的掺杂剂化合物的组合。
以下对于由上述式1和2表示的化合物进行详细说明。
在本文中,“烷基”包括甲基,乙基,正丙基,异丙基,正丁基,异丁基,叔丁基等;“烯基”包括乙烯基,1-丙烯基,2-丙烯基,1-丁烯基,2-丁烯基,3-丁烯基,2-甲基丁-2-烯基等;“炔基”包括乙炔基,1-丙炔基,2-丙炔基,1-丁炔基,2-丁炔基,3-丁炔基,1-甲基-戊-2-炔基等;“环烷基”包括环丙基,环丁基,环戊基,环己基等;“5-至7-元杂环烷基”是指包含至少一个杂原子以及5至7个环骨架原子的环烷基,其中杂原子选自B,N,O,S,P(=O),Si和P,优选为O,S和N,并且包括四氢呋喃,吡咯烷,四氢噻吩(thiolan),四氢吡喃等;“(亚)芳基”是衍生自芳族烃的单环或稠环,包括苯基,联苯基,三联苯基,萘基,联萘基,苯基萘基,萘基苯基,芴基,苯基芴基,苯并芴基,二苯并芴基,菲基,苯基菲基,蒽基,茚基,茚满基(indanyl),三苯基,芘基,并四苯基,苝基,基,稠四苯基(naphthacenyl),荧蒽基等;“3-至30-元(亚)杂芳基”是具有至少一个,优选1至4个杂原子的芳基,其中杂原子选自B,N,O,S,P(=O),Si和P,且包含3至30个环骨架原子;其是单环,或与至少一个苯环稠合的稠环;其可以是部分饱和;其可以是通过单键连接至少一个杂芳基或芳基到杂芳基基团上形成;并且包括单环式杂芳基如呋喃基,噻吩基,吡咯基,咪唑基,吡唑基,噻唑基,噻二唑基,异噻唑,异恶唑基,恶唑基,恶二唑基,三嗪基,四嗪基,三唑基,四唑基,呋咱基,吡啶基,吡嗪基,嘧啶基,哒嗪基,等,以及稠环式杂芳基,如苯并呋喃基,苯并噻吩基,异苯并呋喃基,二苯并呋喃基,二苯并噻吩基,苯并咪唑基,苯并噻唑基,苯并异噻唑基,苯并异恶唑基,苯并恶唑基,异吲哚基,吲哚基,吲唑基,苯并噻二唑基,喹啉基,异喹啉基,噌啉基,喹唑啉基,喹喔啉基,咔唑基,吩嗪基,菲啶基,苯并二恶茂(benzodioxolyl)等。另外,“卤素”包括F,Cl,Br和I。
在本文中,术语“取代或未取代的”中“取代的”表示在特定的官能团内的氢原子被替换为另一个原子或基团,即取代基。在上述式1和2中,R1至R24,R31至R33,Ar1至Ar3和L中的取代的(C1-C30)烷基,取代的(C3-C30)环烷基,取代的(C1-C30)烷氧基,取代的(C6-C30)芳基,取代的(3-至30-元)的杂芳基,取代的苯并[a]芴,取代的苯并[b]芴基,取代的苯并[c]芴基,取代的(C6-C30)亚芳基,和取代的(C6-C30)亚杂芳基中的取代基各自独立地是至少一种选自下组的基团:氘,卤素,氰基,羧基,硝基,羟基,(C1-C30)烷基,卤代(C1-C30)烷基,(C2-C30)烯基,(C2-C30)炔基,(C1-C30)烷氧基,(C1-C30)烷硫基,(C3-C30)环烷基,(C3-C30)环烯基,(3-至7-元)杂环烷基,(C6-C30)芳基,(C6-C30)芳氧基,(C6-C30)芳硫基,(3-至30-元)杂芳基,三(C1-C30)烷基甲硅烷基,三(C6-C30)芳基甲硅烷基,二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基,(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基甲硅烷基,氨基,单或二(C1-C30)烷基氨基,单或二(C6-C30)芳基氨基,(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基,(C1-C30)烷基羰基,(C1-C30)烷氧基羰基,(C6-C30)芳基羰基,二(C6-C30)芳基硼羰基(boronyl),二(C1-C30)烷基硼羰基,(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硼羰基,(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基,和(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基,以及优选各自独立地是至少一种选自氘,卤素,氰基,(C1-C30)烷基,(C6-C30)芳基,和三(C1-C30)烷基甲硅烷基的基团。
在式1中,优选地,R1至R24各自独立地表示氢,氘,卤素,取代或未取代的(C1-C10)烷基,取代或未取代的(C6-C20)环烷基,取代或未取代的(C1-C10)烷氧基,取代或未取代的(C6-C20)芳基,取代或未取代的(5-至20-元)杂芳基,-SiR31R32R33,氰基或羟基;或R1至R5和R19至R24连接到相邻的取代基,以形成取代或未取代的,单环或多环的,(5-至20-元)脂环族或芳族的环,所述环可形成螺环结构,并且其碳原子可以被替换为选自氮,氧和硫的至少一种杂原子,并且更优选地,各自独立地表示氢,氘,卤素,(C1-C6)烷基,(C6-C12)环烷基,(C1-C6)烷氧基,(C6-C15)芳基,(5-至15-元)杂芳基,-SiR31R32R33,氰基或羟基;或R1至R5,R19和R24连接到相邻的取代基形成一个单环或多环,(5-至15-元)脂环族或芳族的环,所述环未被取代或被甲基或苯基取代,其可形成螺芴结构,并且其碳原子可被替换为选自氮,氧和硫的至少一种杂原子。
在上述式1中,优选地,R31至R33分别独立地表示取代或未取代的(C6-C20)芳基,并且更优选地,各自独立地表示(C6-C15)芳基。
在上述式2中,L优选为单键,或取代或未取代的(C6-C20)亚芳基,更优选表示单键,或未取代的(C6-C15)亚芳基。
在上述式2中,优选地,Ar2和Ar3各自独立地表示取代或未取代的(C6-C20)芳基,并且更优选地,各自独立地表示(C6-C18)芳基,未被取代或者被氘,卤素,(C1-C6)烷基,氰基,和三(C1-C6)烷基甲硅烷基取代。
式1的具体的化合物包括下列化合物,但不限于此:
式2的具体化合物包括下列化合物,但不限于此:
根据本发明的式1和2化合物可通过本领域技术人员已知的合成方法来制备。
有机电致发光器件包括第一电极,第二电极,以及第一电极和第二电极之间的至少一个有机层。有机层包括发光层,并且发光层包含由通式1表示的一种或多种基质化合物,和由式2表示的一种或多种掺杂剂化合物组成的组合物。
第一和第二电极中的一个可以是阳极,另一个可以是阴极。有机层可以进一步包括选自空穴注入层,空穴传输层,电子传输层,电子注入层,中间层,空穴阻挡层和电子阻挡层中的至少一层。
发光层是发射光的层,其可以是一个单层,或者可以是多层,其中两层或更多层被层叠。发光层除了发光也可以注入/传输电子/空穴。掺杂剂优选掺杂浓度低于17重量%,基于所述发光层的掺杂剂和基质化合物的总量。
在本发明另一实施方案中,提供了—种主体/掺杂剂组合,该组合包含式1表示的—种或多种基质化合物,和由式2表示得—种或多种掺杂剂化合物。此外,还提供了一种包含所述主体/掺杂剂组合物的有机EL器件。
在另一实施方案中,本发明提供了一种包含主体/掺杂剂组合的有机电致发光材料以及包含该材料的有机EL器件,所述主体/掺杂剂组合包含式1表示的一种或多种基质化合物,和由式2表示得一种或多种掺杂剂化合物。上述材料包含的组合物既可以只包含式1和式2化合物,或者可以进一步包含通常用于有机电致发光材料中的常规材料。
在另一实施方案中,本发明提供了包含由式1表示的一种或多种基质化合物,和由式2表示一种或多种掺杂剂化合物的组合的有机层。所述有机层包含多层。掺杂剂化合物和基质化合物可以被包含在同一层中,或者可以被包含在不同的层中。此外,本发明提供了—种包括有机层的有机EL器件。
除了式1的基质化合物和式2的掺杂剂化合物以外,根据本发明的有机EL器件的有机层可进一步包括选自芳基胺系化合物和苯乙烯基芳基胺系化合物的至少一种化合物。
在根据本发明的有机EL器件中,有机层可进一步包括至少—种金属,所述金属选自元素周期表中第1族的金属,第2族的金属,第4周期的过渡金属,第5周期的过渡金属,镧系元素和d-过渡元素的有机金属,或包括所述金属的至少一种络合物。有机层可以进一步包含一种或多种额外的发光层和电荷产生层。
此外,根据本发明的有机EL器件可通过进一步包括至少一个发光层从而发出白光,除根据本发明的化合物外,所述发光层还可包括本领域已知的蓝光电致发光化合物,红光电致发光化合物,或绿光电致发光化合物。此外,如果需要,在器件中可以包括黄光或橙光发光层。
根据本发明,优选至少一个层(以下称为“表面层”)放置于一个或两个电极的内表面上;该层选自硫属化合物层,金属卤化物层和金属氧化物层。具体地,硅或铝的硫属化合物(包括氧化物)的层优选放置在电致发光介质层的阳极表面,以及金属卤化物层或金属氧化物层优选放置在电致发光介质层的阴极表面上。这样的表面层为有机发光器件提供了操作稳定性。优选地,所述硫属化合物包括SiOx(1≤X≤2),AlOx(1≤X≤1.5),SiON,SiAION等;所述金属卤化物包括LiF,MgF2,CaF2,稀土金属氟化物等;以及所述金属氧化物包括Cs2O,Li2O,MgO,SrO,BaO,CaO等。
在根据本发明的有机EL器件中,电子传输化合物和还原掺杂剂的混合区域,或者空穴传输化合物和氧化掺杂剂的混合区域优选位于一对电极中的至少一个表面上。在这种情况下,电子传输化合物被还原为阴离子,从而变得更容易从混合区域注入和传输电子至电致发光介质。此外,空穴传输化合物则被氧化成阳离子,从而变得更容易从混合区域注入和传输空穴到至电致发光介质。优选地,氧化掺杂剂包括各种路易斯酸和受体化合物;还原性掺杂剂包括碱金属,碱金属化合物,碱土金属,稀土金属,以及它们的混合物。还原掺杂剂层可被用作电荷产生层,以制备具有两个或更多个电致发光层和发白光的电致发光器件。
为了形成根据本发明的有机EL元件的各层,可以使用干式成膜方法例如真空蒸发,溅射,等离子体和离子镀方法,或湿式成膜法如旋涂,浸涂,和流动涂覆方法。
使用湿式成膜法时,可通过将形成各层的材料溶解或分散于任何合适的溶剂如乙醇,氯仿,四氢呋喃,二恶烷等中制备薄膜。溶剂可以是任何可溶解或分散形成各层材料且不会有成膜能力问题的溶剂。
下面,将通过如下实施例对本发明的化合物,化合物的制备方法,以及器件的发光性能进行详细说明。然而,这些仅仅是例举的本发明的实施例,因此本发明的范围不仅局限于此。
实施例1:化合物H-1的制备
化合物1-1的制备
在烧瓶中混合1,4-二溴萘(60克,0.20摩尔),苯基硼酸(30克,0.24摩尔),Pd(PPh3)4(9.6克,8.3毫摩尔)和Na2CO3(66克,0.60摩尔),之后加入甲苯1200毫升,乙醇300毫升,和H2O 300毫升以溶解该混合物,并在100℃搅拌混合物12小时。反应结束后,将H2O缓慢加入到混合物以完成反应,有机层用乙酸乙酯萃取,并使用MgSO4除去残留水分。然后干燥残留物并使用色谱柱分离以得到化合物1-1(26克,43%)。
化合物H-1的制备
在混合化合物1-1(26克,0.09摩尔),10-苯基蒽-9-基硼酸(30克,0.11摩尔),Pd(PPh3)4(6.3克,5.51毫摩尔)和K2CO3(38克,0.30摩尔)后,加入甲苯280毫升,乙醇140毫升,和H2O 140毫升以溶解该混合物,并在120℃搅拌混合物12小时。反应结束后,将H2O缓慢加入到混合物中以完成反应,有机层用乙酸乙酯萃取,并使用MgSO4除去残留水分。然后干燥残留物并使用色谱柱分离以得到化合物H-1(18克,42%)。
实施例2:化合物H-42的制备
化合物2-1的制备
除了使用1,4-二溴萘和dS-苯基硼酸,通过制备化合物1-1相同的合成方法制备得到化合物2-1。
化合物H-42的制备
使用化合物2-1和10-苯基蒽-9-基硼酸化合物,通过制备化合物H-1相同的合成方法制备得到化合物H-42(5克,52%)。
实施例3:化合物D-3的制备
在烧瓶中混合5,9-二溴-7,7-二甲基-7H-苯并[c]芴(7克,0.0174摩尔),二苯胺(7.3克,0.0435摩尔),乙酸钯(195毫克,0.87毫摩尔),三叔丁基膦(0.8毫升,1.7毫摩尔),和NaOt-Bu(5克,0.0522摩尔),将甲苯120毫升加入到混合物中,并在120℃下搅拌回流3小时。反应完成后,有机层用乙酸乙酯提取,并用MgSO4移除残留水分。然后干燥残留物并使用色谱柱分离以得到化合物D-3(6克,55%)。
实施例4:化合物D-13的制备
除了使用5,9-二溴-7,7-二甲基-7H-苯并[c]芴(7克,0.0174摩尔),N-苯基-4-(三甲基甲硅烷基)苯胺(10克,0.0418摩尔),乙酸钯(195毫克,0.87毫摩尔),三叔丁基膦(0.8毫升,1.7毫摩尔),NaOt-Bu(5克,0.0522摩尔)和甲苯120毫升,通过和实施例3相同的合成方法制备得到化合物D-13(5克,40%)。
实施例5:化合物D-34的制备
混合5,9-二溴螺[苯并[c]芴-7,9′-芴](2.5克,0.0048摩尔),二苯胺(1.8克,0.0106摩尔),Pd(OAc)2(54毫克),P(t-Bu)30.2毫升,NaOt-Bu(1.4克,0.012摩尔)和甲苯50毫升,之后将混合物加热至120℃并搅拌5小时。在反应完成后,将混合物用蒸馏水洗涤,用乙酸乙酯(EA)萃取,将有机层用MgSO4干燥,并用旋转蒸发仪除去溶剂。残余物质随后用柱色谱分离,得到化合物D-34(2.0克,60%)。
实施例6:化合物D-40的制备
混合11,11-二甲基-N2,N2,N8,N8-四苯基-11H-苯并[b]芴-2,8-二胺(2.7克,6.7毫摩尔),二苯胺(2.5克,14.8毫摩尔),Pd2(dba)3(0.31克,0.34毫摩尔),2-二环己基膦-2′-6′-二甲氧基联苯(S-Phos)(0.28克,0.68毫摩尔),NaOt-Bu(1.9克,20.1毫摩尔),以及甲苯80毫升,之后将混合物搅拌12小时。将反应溶液用EA和水处理,有机层用MgSO4干燥,并用旋转蒸发仪除去溶剂。残余物质随后用柱色谱分离,得到化合物D-40(2.8克,57.8%)。
实施例7:化合物D-84的制备
化合物7-1的制备
在烧瓶中加入9-氯-11,11-二甲基-11H-苯并[a]芴-3-醇(5克,16.9毫摩尔),将其溶于50毫升二氯甲烷(DCM)。之后向混合物中加入吡啶(3.5克,43.9毫摩尔),并冷却至0℃。然后向混合物中缓慢加入三氟甲磺酸酐(10.5克,37.2毫摩尔)并搅拌12小时。反应完成后,将有机层用EA萃取,使用MgSO4移除残留水分。然后干燥残留物并使用色谱柱分离以得到化合物7-1(7克,97%)。
化合物D-84的制备
在烧瓶中混合化合物7-1(7克,16.4毫摩尔),二苯胺(6.9克,41毫摩尔),乙酸钯(184毫克,0.82毫摩尔),三叔丁基膦(0.4毫升,1.64毫摩尔)和叔丁醇钠(4.7克,49.2毫摩尔),之后加入甲苯50毫升以溶解该混合物,并在回流下搅拌混合物24小时。反应完成后,将有机层用EA萃取,使用MgSO4移除残留水分。然后干燥残留物并使用色谱柱分离以得到化合物D-84(2克,21%)。
器件实施例1:制备使用根据本发明的有机电致发光化合物的OLED器件
制备一种使用根据本发明化合物的OLED器件。用于有机发光二极管(OLED)器件(三星康宁,大韩民国)的玻璃基板上的透明电极氧化铟锡(ITO)薄膜(15Ω/sq)依次使用三氯乙烯,丙酮,乙醇和蒸馏水进行超声清洗,然后储存于异丙醇中。然后,将ITO基片安装在真空气相沉积装置的基板支架上。N1,N1’-([1,1′-联苯]-4,4’-二基)双(N1-(萘-1-基)-N4,N4-二苯基苯-1,4-二胺)被引入到所述真空气相沉积装置的一个腔室,然后将所述器件的腔室中的压力控制为10-6托。此后,向腔室上施加电流以蒸发上述引入材料,从而在ITO基片上形成厚度为60nm的空穴注入层。然后,N,N′-二(α-萘基)-N,N′-二苯基-4,4’-二胺引入到所述真空气相沉积装置的另一腔室中,并通过向腔室上施加电流进行蒸发,从而在空穴注入层上形成厚度为20nm的空穴传输层。此后,化合物H-1被引入到真空气相沉积装置的一个腔室,作为主体材料,并且化合物D-13被引入到另一个腔室,作为掺杂剂。两种材料以不同速率蒸发并以3wt%的掺杂量进行沉积,基于掺杂剂和基质化合物的总重量,以在空穴传输层上形成厚度为35nm的发光层。然后,三(8-羟基喹啉)-铝(III)被引入到一个腔室,以在发光层上形成厚度为20nm的电子传输层。然后,在电子传输层上沉积厚度为2nm的作为电子注入层的喹啉锂后,通过另一个真空气相沉积器件在电子注入层上沉积厚度150nm的Al阴极。由此,制备得到OLED器件。用于制造OLED器件的所有材料在使用前在10-6torr下通过真空升华进行纯化。
所得到的OLED器件可显示亮度2020cd/m2和电流密度47.4mA/cm2的蓝光发射。半衰期为248小时。
器件实施例2:制备使用根据本发明的有机电致发光化合物的OLED器件
除了使用化合物H-1作为基质化合物,以及化合物D-3作为发光材料的掺杂剂外,通过器件实施例1相同的方法制备得到OLED器件。
所得到的OLED器件可显示亮度1680cd/m2和电流密度42.0mA/cm2的蓝光发射。其半衰期为186小时。
比较例1:制备使用常规有机电致发光材料的OLED器件
以器件实施例1相同的方式,在形成空穴注入层和空穴传输层后,9,10-二(萘-1-基)蒽被引入到真空气相沉积装置中的一个腔室中作为发光主体材料,且化合物D-3被引入到其他腔室作为掺杂剂。蒸发速率为100∶1,在空穴传输层上形成厚度为20nm的发光层。此后,以器件实施例1相同的方式形成电子传输层和电子注入层。然后,通过另一个真空气相沉积装置在电子注入层上沉积厚度为150nm的Al阴极,从而制备得到OLED器件。
所得到的OLED器件可显示亮度2020cd/m2和电流密度43.5mA/cm2的蓝光发射。半衰期为152小时。
如上所示,证实使用了根据本发明的主体和掺杂剂的组合物的有机电致发光器件具有优异的电流特性和提高的寿命特性。
Claims (6)
1.一种组合,所述组合包含—种或多种如下式1所示基质化合物,和一种或多种如下式2所示的掺杂剂化合物:
其中,R1至R24各自独立地表示氢,氘,卤素,取代或未取代的(C1-C30)烷基,取代或未取代的(C3-C30)环烷基,取代或未取代的(C1-C30)烷氧基,取代或未取代的(C6-C30)芳基,取代或未取代的(3-至30-元)杂芳基,-SiR31R32R33,氰基或羟基;或R1至R5,和R19至R24连接到相邻的取代基,从而形成取代或未取代的,单环或多环的,(3-至30-元)的脂环族或芳族环,该环可形成螺环结构,并且其碳原子可以被替换为选自氮,氧和硫中的至少一种杂原子;
R31至R33各自独立地表示氢,氘,卤素,取代或未取代的(C1-C30)烷基,取代或未取代的(C6-C30)芳基,或者取代或未取代的(3-至30-元)杂芳基;以及
杂芳基含有选自B,N,O,S,P(=O),Si和P中的至少—种杂原子;
其中
Ar1表示取代或无取代的苯并[a]芴,取代或未取代的苯并[b]芴,取代或未取代的苯并[c]芴,或螺[芴-苯并芴];
L表示单键,取代或未取代的(C6-C30)亚芳基,或者取代或未取代的(3-至30-元)亚杂芳基;
Ar2和Ar3各自独立地表示取代或未取代的(C6-C30)芳基,或取代或未取代的(3-至30-元)杂芳基;或者彼此连接形成取代或未取代的,单环或多环的,(3-至30-元)的脂环族或芳族环,其碳原子可以被替换为选自氮,氧和硫的至少一种杂原子;以及
n表示1至3的整数;其中当n为2或更大时,每个可以是相同的或不同的。
2.根据权利要求1的组合,其中,在式1和2中,R1至R24,R31至R33,Ar1至Ar3和L中的取代的(C1-C30)烷基,取代的(C3-C30)环烷基,取代的(C1-C30)烷氧基,取代的(C6-C30)芳基,取代的(3-至30-元)的杂芳基,取代的苯并[a]芴,取代的苯并[b]芴基,取代的苯并[c]芴基,取代的(C6-C30)亚芳基,和取代的(C6-C30)亚杂芳基的取代基各自独立地是至少一种选自下组的基团:氘,卤素,氰基,羧基,硝基,羟基,(C1-C30)烷基,卤代(C1-C30)烷基,(C2-C30)烯基,(C2-C30)炔基,(C1-C30)烷氧基,(C1-C30)烷硫基,(C3-C30)环烷基,(C3-C30)环烯基,(3-至7-元)杂环烷基,(C6-C30)芳基,(C6-C30)芳氧基,(C6-C30)芳硫基,(3-至30-元)杂芳基,三(C1-C30)烷基甲硅烷基,三(C6-C30)芳基甲硅烷基,二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基,(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基甲硅烷基,氨基,单或二(C1-C30)烷基氨基,单或二(C6-C30)芳基氨基,(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基,(C1-C30)烷基羰基,(C1-C30)烷氧基羰基,(C6-C30)芳基羰基,二(C6-C30)芳基硼羰基,二(C1-C30)烷基硼羰基,(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硼羰基,(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基,和(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基。
3.根据权利要求1的组合,其中,在式1中,
R1至R24各自独立地表示氢,氘,卤素,取代或未取代的(C1-C10)烷基,取代或未取代的(C6-C20)环烷基,取代或未取代的(C1-C10)烷氧基,取代或未取代的(C6-C20)芳基,取代或未取代的(5-至20-元)杂芳基,-SiR31R32R33,氰基或羟基;或R1至R5,和R19至R24可连接到相邻的取代基从而形成取代或未取代的,单环或多环的,(5-至20-元)的脂环族或芳族环,该环可形成螺环结构,并且其碳原子可以被替换为选自氮,氧和硫中的至少一种杂原子;以及
R31至R33各自独立地表示取代或未取代的(C6-C20)芳基。
4.根据权利要求1的组合,其中,在式2中,
Ar1表示取代或未取代的苯并[a]芴,取代或未取代的苯并[b]芴,取代或未取代的苯并[c]芴,或螺[芴-苯并芴];
L表示单键,或取代或未取代的(C6-C20)亚芳基;以及,
Ar2和Ar3各自独立地表示取代或未取代的(C6-C20)芳基。
5.根据权利要求1的组合,其中,式1所示的化合物选自下列化合物:
6.根据权利要求1的组合物,其中,式2所示的化合物选自下列化合物:
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