CN111430123A - 线圈组件 - Google Patents

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金真永
李宗珉
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Abstract

本发明提供一种线圈组件,所述线圈组件包括:主体;绝缘基板,嵌在所述主体中;以及线圈部,设置在所述绝缘基板的至少一个表面上。在所述主体的在宽度‑厚度方向上的截面中,所述绝缘基板相对于所述主体的一个表面倾斜。

Description

线圈组件
本申请要求于2019年1月9日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0002631号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(一种线圈组件)是与电阻器和电容器一起用在电子装置中的典型的无源电子组件。
在薄膜型组件(线圈组件中的一种)的情况下,线圈图案可通过诸如镀覆工艺的薄膜工艺形成在绝缘基板上,一个或更多个磁性复合片可堆叠在其上形成有线圈图案的绝缘基板上以形成主体,并且外电极形成在主体的表面上。
随着在电子装置中逐渐实现更高的性能和更小的尺寸,用在电子装置中的线圈组件的数量一直在增加并且线圈组件的尺寸变得越来越小。
为了实现线圈组件的高性能,必需形成大的磁芯。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种能够具有小外形的同时实现高容量电感的线圈组件。
根据本公开的一方面,一种线圈组件包括:主体;绝缘基板,嵌在所述主体中;以及线圈部,设置在所述绝缘基板的至少一个表面上。在所述主体的在宽度-厚度方向上的截面中,所述绝缘基板相对于所述主体的一个表面倾斜。
根据本公开的另一方面,一种线圈组件包括:主体,具有在第一方向上彼此背对的一个表面和另一表面并且具有在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此背对的相对的端表面;绝缘基板,嵌在所述主体中;线圈部,设置在所述绝缘基板的至少一个表面上并且具有从所述主体的所述端表面暴露的两个端部;以及第一外电极和第二外电极,分别设置在所述主体的所述端表面上并且分别连接到所述线圈部的两个端部,所述绝缘基板设置为围绕所述第二方向旋转并且在所述主体中相对于所述主体的所述一个表面倾斜。
根据本公开的又一方面,一种线圈组件包括:主体,具有在厚度方向上彼此背对的第一表面和第二表面以及在长度方向上彼此背对的第一端表面和第二端表面;绝缘基板,嵌在所述主体中;第一线圈图案,设置在所述绝缘基板的下表面上并且具有从所述第一端表面暴露的第一引出部;以及第二线圈图案,设置在所述绝缘基板的上表面上并且具有从所述第二端表面暴露的第二引出部,所述绝缘基板相对于所述第一表面倾斜,并且从所述第一端表面看,暴露的所述第一引出部相对于所述第一表面倾斜,从所述第二端表面看,暴露的所述第二引出部相对于所述第一表面倾斜。
可选地,所述线圈组件还可包括分别设置在所述第一端表面和所述第二端表面上的第一外电极和第二外电极。
可选地,从所述第一端表面看,所述第一外电极可仅覆盖所述第一引出部的下部,从所述第二端表面看,所述第二外电极可仅覆盖所述第二引出部的下部。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是示出根据本公开的实施例的线圈组件的示意图;
图2是示出图1当从A方向上观察时的示意图;
图3是沿着图1的线I-I'截取的截面图;
图4是沿着图1的线II-II'截取的截面图;
图5是图3的部分B的放大图;
图6是示出图3的部分B的变型的示图;以及
图7是示出根据本公开的变型实施例的线圈组件的示意图。
具体实施方式
在本公开的描述中使用的术语用于描述特定的实施例,并不旨在限制本公开。除非另有说明,否则单数术语包括复数形式。本公开的描述的术语“包括”、“包含”、“被构造为”等用于指示存在特征、数字、步骤、操作、元件、部件或它们的组合,并不排除组合或添加一个或更多个附加特征、数字、步骤、操作、元件、部件或它们的组合的可能性。此外,术语“设置在……上”、“位于……上”等可指示元件位于物体上或物体下方,并不一定意味着元件参照重力方向位于物体上方。
术语“结合到”、“组合到”等可不仅指示元件彼此直接且物理地接触,而且包括其中另一元件介于元件之间使得元件还与该另一组件接触的构造。
为了便于描述,附图中示出的元件的尺寸和厚度作为示例显示,并且本公开不限于此。
在附图中,T方向是第一方向或厚度方向,L方向是第二方向或长度(纵向)方向,W方向是第三方向或宽度方向。
在下文中,将参照附图详细地描述根据本公开的实施例的线圈组件。参照附图,相同或相应的组件可由相同的附图标记表示,并且将省略重复的描述。
在电子装置中,可使用各种类型的电子组件,并且可在电子组件之间使用各种类型的线圈组件以去除噪声或用于其他目的。
换句话说,在电子装置中,线圈组件可用作功率电感器、高频(HF)电感器、普通磁珠、高频(GHz)磁珠、共模滤波器等。
图1是示出根据本公开的实施例的线圈组件的示意图。图2是示出图1当从A方向上观察时的示意图。图3是沿着图1的线I-I'截取的截面图。图4是沿着图1的线II-II'截取的截面图。图5是图3的部分B的放大图。图6是示出图3的部分B的变型的示图。
参照图1至图6,根据本公开的实施例的线圈组件1000可包括主体100、绝缘基板200、线圈部300以及外电极400和500,并且还可包括绝缘膜600。
主体100可形成根据本实施例的线圈组件1000的外型,并且绝缘基板200和线圈部300可嵌在主体100中。
主体100可形成为整体上具有六面体形状。
参照图1至图4,主体100可包括在纵向方向L上彼此背对的第一表面101和第二表面102、在宽度方向W上彼此背对的第三表面103和第四表面104以及在厚度方向T上彼此背对的第五表面105和第六表面106。主体100的第一表面101、第二表面102、第三表面103和第四表面104中的每个表面可对应于主体100的连接主体100的第五表面105和第六表面106的壁表面。在下文中,主体100的两个端表面可指的是主体的第一表面101和第二表面102,主体100的两个侧表面可指的是主体100的第三表面103和第四表面104,主体100的一个表面可指的是主体100的第六表面106,主体100的另一表面可指的是主体100的第五表面105。此外,在下文中,基于图1至图4的方向,主体100的下表面和上表面可分别指的是主体100的第六表面106和第五表面105。
主体100可形成为使得根据该实施例的其中形成有稍后将描述的外电极400和500的线圈组件1000具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.65mm的厚度,但不限于此。可选地,主体100可形成为使得根据该实施例的其中形成有稍后将描述的外电极400和500的线圈组件1000具有2.0mm的长度、1.6mm的宽度和0.55mm的厚度。可选地,主体100可形成为使得根据该实施例的其中形成有稍后将描述的外电极400和500的线圈组件1000具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度和0.55mm的厚度。可选地,主体100可形成为使得根据该实施例的其中形成有稍后将描述的外电极400和500的线圈组件1000具有1.2mm的长度、1.0mm的宽度和0.55mm的厚度。由于根据该实施例的线圈组件1000的上述尺寸仅是说明性的,因此尺寸小于上述尺寸的情况不会从本公开的范围中排除。
主体100可包括磁性粉末颗粒(P)和绝缘树脂(R)。具体地,主体100可通过堆叠包含绝缘树脂(R)和分散在绝缘树脂(R)中的磁性粉末颗粒(P)的至少一个磁性复合片,然后固化磁性复合片来形成。主体100可具有除了其中磁性粉末颗粒(P)可分散在绝缘树脂(R)中的结构以外的结构。例如,主体100可利用诸如铁氧体的磁性材料制成。
磁性粉末颗粒(P)可以是例如铁氧体粉末颗粒或金属磁性粉末颗粒。
铁氧体粉末颗粒的示例可包括以下铁氧体中的一种或更多种:诸如Mg-Zn基铁氧体、Mn-Zn基铁氧体、Mn-Mg基铁氧体、Cu-Zn基铁氧体、Mg-Mn-Sr基铁氧体、Ni-Zn基铁氧体等的尖晶石型铁氧体,诸如Ba-Zn基铁氧体、Ba-Mg基铁氧体、Ba-Ni基铁氧体、Ba-Co基铁氧体、Ba-Ni-Co基铁氧体等的六角晶系铁氧体,诸如Y基铁氧体等的石榴石型铁氧体,以及Li基铁氧体。
金属磁性粉末颗粒可包含铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)中的一种或更多种。例如,金属磁性粉末颗粒可以是纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末和Fe-Cr-Al基合金粉末中的一种或更多种。
金属磁性粉末颗粒可以是非晶质或结晶质。例如,金属磁性粉末颗粒可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末,但不限于此。
铁氧体粉末和金属磁性粉末颗粒可分别具有约0.1μm至30μm的平均直径,但不限于此。
主体100可包含分散在绝缘树脂(R)中的两种或更多种类型的磁性粉末颗粒(P)。在这种情况下,术语“不同类型的磁性粉末颗粒(P)”意味着分散在绝缘树脂(R)中的磁性粉末颗粒(P)通过直径、组分、结晶度和形状彼此区分。例如,主体100可包含两种或更多种不同直径的磁性粉末颗粒(P)。
绝缘树脂(R)可按照单一形式或按照组合形式包括环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等,但不限于此。
主体100可包括贯穿稍后将描述的线圈部300的芯110。在堆叠并固化磁性复合片的操作中,可通过利用磁性复合片的至少一部分填充形成在绝缘基板200中的通孔来形成芯110,但不限于此。
绝缘基板200可嵌在主体100中。绝缘基板200可支撑稍后将描述的线圈部300。通孔可形成在绝缘基板200中以设置上述芯110。
绝缘基板200可围绕主体100的纵向方向L旋转,并且在主体100中可以是倾斜的。例如,在主体100中,在主体100的宽度-厚度方向上的截面(W-T平面)上,通孔的中心轴AX1(例如,纵轴)可设置为倾斜的,以相对于在主体100的厚度方向T上的轴AX2具有恒定的角度(θ)。例如,绝缘基板200的其上设置有线圈部300的导电层的主表面(例如,上表面或下表面)与第五表面105和第六表面106中的一个可具有角度(θ),另一方面,绝缘基板200的主表面可垂直于或基本上垂直于第一表面101和第二表面102中的一个。术语“基本上”反映了对在制造期间可能发生的可识别的工艺误差的考虑。
由于绝缘基板200在主体100中是倾斜的,因此可增大芯110的在主体100的长度-宽度方向上的截面(L-W平面)的最大面积。因此,可改善根据该实施例的线圈组件1000的诸如电感和品质因数的组件特性等。
在主体100的宽度-厚度方向上的截面(W-T平面)上,通孔的中心轴AX1与平行于主体100的厚度方向T的轴AX2之间的角度(θ)可大于或等于10度且小于或等于20度。当通孔的中心轴AX1与平行于主体100的厚度方向T的轴AX2之间的角度小于10度时,增大芯110的截面面积的上述效果可能不显著。因此,可能难以改善组件特性。当通孔的中心轴AX1与平行于主体100的厚度方向T的轴AX2之间的角度大于20度时,磁通密度可能相对不均匀。因此,组件特性可能劣化。
绝缘基板200可利用包含诸如环氧树脂的热固性绝缘树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性绝缘树脂或感光绝缘树脂形成,或者可利用其中诸如玻璃纤维或无机填料的增强材料浸有这样的绝缘树脂的绝缘材料形成。例如,绝缘基板200可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto Build-up Film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、感光电介质(PID)等的绝缘材料形成,但不限于此。
从由二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、泥浆、云母粉末、氢氧化铝(Al(OH)3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的一种或更多种可用作无机填料。
当绝缘基板200利用包含增强材料的绝缘材料形成时,绝缘基板200可提供更好的刚性。当绝缘基板200利用不包含玻璃纤维的绝缘材料形成时,绝缘基板200可能有利于减小整个线圈部300的厚度。当绝缘基板200利用包含感光绝缘树脂的绝缘材料形成时,可减少用于形成线圈部300的工艺数量。因此,在减少生产成本方面可能是有利的,并且可形成精细的过孔。
在下文中,根据该实施例的绝缘基板200将被描述为包含绝缘树脂210和浸有绝缘树脂210的玻璃布220,但是为了便于解释,并不限于此。作为非限制性示例,绝缘基板200可利用覆铜层压板(CCL)形成。玻璃布220是指编织的多根玻璃纤维。
玻璃布220可形成为多层。当玻璃布形成为多层时,可提高绝缘基板200的刚性。另外,即使当在稍后将描述的去除第一导电层311a和312a的操作中绝缘基板200损坏时,也可保持绝缘基板200的形状并且可降低缺陷率。
绝缘基板200的厚度T1可大于或等于20μm且小于或等于40μm,并且更优选为大于或等于25μm且小于或等于35μm。当绝缘基板200的厚度T1小于20μm时,可能难以确保绝缘基板200的刚性以支撑稍后在制造工艺中将描述的线圈部300。当绝缘基板200的厚度T1大于40μm时,由于在相同体积的主体中由绝缘基板200占据的体积增大,因此可能不利于使线圈部更纤薄,并且可能不利于实现高容量的电感。
线圈部300可包括布置在绝缘基板200上的具有平面螺旋形状的线圈图案311和312,并且可嵌在主体100中以表现线圈组件的特性。例如,当该实施例的线圈组件1000用作功率电感器时,线圈部300可用于通过将电场存储为磁场并保持输出电压来稳定电子装置的电源。
线圈部300可包括线圈图案311和312以及过孔320。具体地,基于图1、图3和图4的方向,第一线圈图案311可设置在绝缘基板200的面对主体100的第六表面106的下表面上,第二线圈图案312可设置在绝缘基板200的上表面上。过孔320可贯穿绝缘基板200,并且可分别接触并连接到第一线圈图案311和第二线圈图案312。在该构造中,线圈部300可用作整体上围绕芯110形成一匝或更多匝的单个线圈。
第一线圈图案311和第二线圈图案312中的每个可呈现具有围绕芯110形成的至少一匝的平面螺旋形状。例如,基于图3的方向,第一线圈图案311可在绝缘基板200的下表面上围绕芯110形成至少一匝。
第一线圈图案311的端部(例如,引出部)和第二线圈图案312的端部可分别连接到稍后将描述的第一外电极400和第二外电极500。例如,第一线圈图案311的端部可连接到第一外电极400,第二线圈图案312的端部可连接到第二外电极500。
例如,第一线圈图案311的端部可从主体100的第一表面101暴露,第二线圈图案312的端部可从主体100的第二表面102暴露,以分别接触并连接到设置在主体100的第一表面101上的第一外电极400和第二表面102上的第二外电极500。
第一线圈图案311和第二线圈图案312可分别包括形成为接触绝缘基板200的第一导电层311a和312a,以及分别设置在第一导电层311a和312a上的第二导电层311b和312b。基于图4和图5的方向,第一线圈图案311可包括形成为接触绝缘基板200的下表面的第一导电层311a以及设置在第一导电层311a上的第二导电层311b。基于图4和图5的方向,第二线圈图案312可包括形成为接触绝缘基板200的上表面的第一导电层312a以及设置在第一导电层312a上的第二导电层312b。
第一导电层311a和312a可以是用于通过电镀工艺形成第二导电层311b和312b的种子层。第一导电层311a和312a可形成为比第二导电层311b和312b纤薄。第一导电层311a和312a可通过诸如溅射的薄膜工艺或非电镀工艺来形成。当第一导电层311a和312a通过诸如溅射的薄膜工艺形成时,构成第一导电层311a和312a的材料的至少一部分可穿过绝缘基板200。可确认的是,构成位于绝缘基板200上的第一导电层311a和312a的金属材料的浓度在主体100的厚度方向T上变化。
第一导电层311a和312a的厚度T2可大于或等于1.5μm且小于或等于3μm。当第一导电层311a和312a的厚度小于1.5μm时,第一导电层311a和312a可能不均匀地形成,使得当第二导电层311b和312b通过电镀工艺形成时,发生镀覆失效的可能性会高。当第一导电层311a和312a的厚度大于3μm时,根据特定的方法,可能存在高可能性的是,在第一导电层311a和312a的侧表面中过度产生底切(undercut)。
参照图5,第二导电层311b和312b可使第一导电层311a和312a的侧表面的至少一部分暴露。在该实施例中,用于形成第一导电层311a和312a的种子层可形成在绝缘基板200的两个主表面上,用于形成第二导电层311b和312b的阻镀剂可形成在种子层上,第二导电层311b和312b可通过电镀工艺形成,阻镀剂可被去除,并且其上没有形成第二导电层311b和312b的种子层可选择性地去除。因此,通过选择性地去除种子层而形成的第一导电层311a和312a的侧表面的至少一部分可暴露而不被第二导电层311b和312b覆盖。种子层可通过在绝缘基板200上执行非电镀工艺或溅射工艺来形成。可选地,种子层可以是覆铜层压板(CCL)的铜箔。阻镀剂可通过将用于形成阻镀剂的材料涂敷到种子层,然后对其执行光刻工艺来形成。在执行光刻工艺之后,可在将形成第二导电层311b和312b的区域中形成开口。选择性地去除种子层可通过激光工艺或蚀刻工艺来执行。在种子层通过蚀刻被选择性地去除的情况下,第一导电层311a和312a可按照这样的方式形成:其截面面积随着其侧表面沿向下方向前进而增大。
参照图6,第二导电层311b和312b可覆盖第一导电层311a和312a。以与图5的方式不同的方式,以平面螺旋形状图案化的第一导电层311a和312a可分别形成在绝缘基板200的两个主表面上,并且第二导电层311b和312b可通过电镀工艺形成在第一导电层311a和312a上。当第二导电层311b和312b通过各向异性的镀覆工艺形成时,可不使用阻镀剂,但不限于此。当第二导电层311b和312b通过各向同性的镀覆工艺形成时,可使用用于形成第二导电层的阻镀剂。用于使第一导电层311a和312a暴露的开口可形成在用于形成第二导电层的阻镀剂中。开口的直径可大于第一导电层311a和312a的线路宽度。因此,填充开口的第二导电层311b和312b可覆盖第一导电层311a和312a。
过孔320可包括至少一个导电层。例如,当过孔320通过电镀工艺形成时,过孔320可包括形成在贯穿绝缘基板200的通路孔的内壁上的种子层和利用种子层填充形成的通路孔的电镀层。过孔320的种子层可在与第一导电层311a和312a的工艺相同的工艺中与第一导电层311a和312a一体地形成,并且可在与第一导电层311a和312a的工艺不同的工艺中形成种子层与第一导电层311a和312a中的每个之间的边界。在该实施例的情况下,过孔的种子层以及第一导电层311a和312a可按照不同的工艺形成,以在它们之间形成边界。
当线圈图案311和312的线路宽度过宽时,主体100中的磁性体的体积可能减小并对电感产生不利影响。在非限制性示例中,线圈图案311和312的纵横比(AR)可在3:1至9:1之间。
线圈图案311和312以及过孔320中的每个可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料形成,但不限于此。作为非限制性示例,当第一导电层311a和312a以溅射工艺形成并且第二导电层311b和312b通过电镀工艺形成时,第一导电层311a和312a可包含钼(Mo)、铬(Cr)和钛(Ti)中的至少一种,第二导电层311b和312b可包含铜(Cu)。作为另一非限制性示例,当第一导电层311a和312a通过非电镀工艺形成并且第二导电层311b和312b通过电镀工艺形成时,第一导电层311a和312a以及第二导电层311b和312b可包含铜(Cu)。在这种情况下,第一导电层311a和312a中的铜(Cu)的密度可低于第二导电层311b和312b中的铜(Cu)的密度。
绝缘基板200的厚度T1以及第一导电层311a和312a的厚度T2满足10≤T1/T2≤20。当T1/T2小于10或大于20时,绝缘基板可能具有相对低的强度性能,第一导电层311a和312a可能不均匀地形成或者线圈组件的特性可能劣化。
外电极400和500可设置在主体100的表面上,并且可分别连接到线圈部300的两个端部。在该实施例中,线圈部300的两个端部可分别从主体100的第一表面101和第二表面102暴露。第一外电极400可设置在第一表面101上并且可接触并连接到第一线圈图案311的从主体100的第一表面101暴露的端部,第二外电极500可设置在第二表面102上并且可接触并连接到第二线圈图案312的从主体100的第二表面102暴露的端部。
外电极400和500可具有单层结构或多层结构。例如,第一外电极400可包括:第一层,包含铜;第二层,设置在第一层上并且包含镍(Ni);以及第三层,设置在第二层上并且包含锡(Sn)。第一层至第三层可通过电镀工艺形成,但不限于此。作为另一示例,第一外电极400可包括:树脂电极,包含导电粉末颗粒和树脂;以及镀层,通过镀覆工艺形成在树脂电极上。
外电极400和500可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成,但不限于此。
绝缘膜600可形成在绝缘基板200和线圈部300上。绝缘膜600可用于使线圈部300与主体100绝缘,并且可包含诸如聚对二甲苯等的已知的绝缘材料。包含在绝缘膜600中的绝缘材料可以是任意材料,并不特别限于此。绝缘膜600可使用气相沉积工艺等形成,但不限于此,而可通过将绝缘膜堆叠在绝缘基板200的两个表面上来形成。在前一种情况下,绝缘膜600可沿着绝缘基板200和线圈部300的表面以共形膜的形式形成。在后一种情况下,绝缘膜600可形成为填充线圈图案311和312的相邻匝之间的空间。如上所述,阻镀剂可形成在绝缘基板200上用于形成第二导电层311b和312b,并且这样的阻镀剂可以是不会被去除的永久抗蚀剂。在这种情况下,绝缘膜600可以是可为永久抗蚀剂的阻镀剂。在根据该实施例的线圈组件1000的操作条件下,当主体100确保足够的绝缘电阻时,可省略绝缘膜600。
图7是示出根据本公开的变型实施例的线圈组件的示意图。
参照图7,应用于该变型实施例的第一外电极400和第二外电极500中的每个可布置在主体100的第一表面101和第二表面102上,但可仅形成在主体100的第一表面101和第二表面102中的每个的在主体100的厚度方向T上的一部分上。例如,第一外电极400和第二外电极500可不形成为分别覆盖主体100的整个第一表面101和整个第二表面102。第一外电极400和第二外电极500中的每个可延伸到第五表面105和第六表面106中的仅一个上,例如第六表面106。例如,从主体100的第一表面101(主体100的第一端表面)来看,第一外电极400可覆盖第一线圈图案311的从第一端表面暴露的第一引出部的至少一部分(例如,第一外电极400仅覆盖第一线圈图案311的第一引出部的下部),从主体100的第二表面102(主体100的第二端表面)来看,第二外电极500可覆盖第二线圈图案312的从第二端表面暴露的第二引出部的至少一部分(例如,第二外电极500仅覆盖第二线圈图案312的第二引出部的下部)。
在本公开的情况下,在主体100中,绝缘基板200在主体100的长度-厚度方向的截面(L-T平面)处可以是不倾斜的。例如,如图2和图3中所示,第一线圈图案311和第二线圈图案312的从主体100的第一表面101和第二表面102暴露的端部中的每个可在位于主体100的第一表面101和第二表面102上的相对固定位置仅围绕平行于主体100的纵向方向L的轴旋转。因此,第一线圈图案311的位于主体100的第一表面101上的端部与第二线圈图案312的位于主体100的第二表面102上的端部之间的高度差可小于以下情况中的高度差:其中绝缘基板和线圈部通过围绕平行于主体的宽度方向W的轴线旋转而布置在主体中。
结果,虽然第一外电极400和第二外电极500中的每个形成为不覆盖主体100的第一表面101和第二表面102的在主体100的厚度方向T上的全部,仍可确保第一外电极400和第二外电极500与线圈部300之间的连接可靠性。
因此,根据该实施例和变型实施例的线圈组件1000和1000'可提高芯110的最大截面面积,并改善诸如电感和品质因数的组件特性。另外,即使当外电极400和500的高度形成为相对小时,根据该实施例和变型实施例的线圈组件1000和1000′也可确保与线圈部300的连接可靠性。
根据本公开,能够在将线圈组件减小为小外形的同时实现高容量的电感。
虽然上面已经示出并描述了示例实施例,但对于本领域技术人员来说将显而易见的是,在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下可进行修改和变形。

Claims (15)

1.一种线圈组件,包括:
主体,具有在第一方向上彼此背对的一个表面和另一表面并且具有在与所述第一方向垂直的第二方向上彼此背对的相对的端表面;
绝缘基板,嵌在所述主体中;
线圈部,设置在所述绝缘基板的至少一个表面上并且具有从所述主体的所述端表面暴露的两个端部;以及
第一外电极和第二外电极,分别设置在所述主体的所述端表面上并且分别连接到所述线圈部的两个端部,
其中,所述绝缘基板设置为围绕所述第二方向旋转并且在所述主体中相对于所述主体的所述一个表面倾斜。
2.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述绝缘基板中具有通孔,
其中,在所述主体的与所述第二方向垂直的截面上,所述通孔的纵轴与所述第一方向具有大于或等于10度且小于或等于20度的角度。
3.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述绝缘基板的厚度T1大于或等于20μm且小于或等于40μm。
4.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述线圈部包括与所述绝缘基板接触的第一导电层和设置在所述第一导电层上的第二导电层。
5.根据权利要求4所述的线圈组件,其中,所述第一导电层的厚度T2大于或等于1.5μm且小于或等于3μm。
6.根据权利要求4所述的线圈组件,其中,所述绝缘基板的厚度T1和所述第一导电层的厚度T2满足10≤T1/T2≤20。
7.根据权利要求4所述的线圈组件,其中,所述第二导电层使所述第一导电层的侧表面的至少一部分暴露。
8.根据权利要求4所述的线圈组件,其中,所述第二导电层完全覆盖所述第一导电层。
9.根据权利要求4所述的线圈组件,其中,所述线圈部包括:
第一线圈图案,具有平面螺旋形状且设置在所述绝缘基板的一个表面上;
第二线圈图案,具有平面螺旋形状且设置在所述绝缘基板的与所述绝缘基板的所述一个表面背对的另一表面上;
过孔,贯穿所述绝缘基板以将所述第一线圈图案和所述第二线圈图案连接,
其中,所述第一线圈图案和所述第二线圈图案中的每个包括所述第一导电层和所述第二导电层。
10.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述第一外电极设置在所述主体的所述端表面中的一个的仅一部分上,所述第二外电极设置在所述主体的所述端表面中的另一个的仅一部分上。
11.根据权利要求1所述的线圈组件,其中,所述绝缘基板的所述至少一个表面相对于所述主体的所述一个表面倾斜,并且所述绝缘基板的所述至少一个表面与所述主体的所述端表面中的一个基本上垂直。
12.根据权利要求11所述的线圈组件,其中,所述绝缘基板的所述至少一个表面与所述主体的所述一个表面之间的角度大于或等于10度且小于或等于20度。
13.一种线圈组件,包括:
主体,具有在厚度方向上彼此背对的第一表面和第二表面以及在长度方向上彼此背对的第一端表面和第二端表面;
绝缘基板,嵌在所述主体中;
第一线圈图案,设置在所述绝缘基板的下表面上并且具有从所述第一端表面暴露的第一引出部;以及
第二线圈图案,设置在所述绝缘基板的上表面上并且具有从所述第二端表面暴露的第二引出部,
其中,所述绝缘基板相对于所述第一表面倾斜,并且从所述第一端表面看,暴露的所述第一引出部相对于所述第一表面倾斜,从所述第二端表面看,暴露的所述第二引出部相对于所述第一表面倾斜。
14.根据权利要求13所述的线圈组件,所述线圈组件还包括分别设置在所述第一端表面和所述第二端表面上的第一外电极和第二外电极。
15.根据权利要求14所述的线圈组件,其中,从所述第一端表面看,所述第一外电极仅覆盖所述第一引出部的下部,从所述第二端表面看,所述第二外电极仅覆盖所述第二引出部的下部。
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