CN110534314B - 线圈组件 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种线圈组件。所述线圈组件包括：主体，具有在所述主体的厚度方向上彼此背对的第一表面和第二表面并包括在所述厚度方向上形成的芯；线圈部，嵌入在所述主体中并包括围绕所述芯的至少一匝；绝缘层，设置在所述主体的第一表面上；导电层，设置在所述绝缘层上，并且所述导电层的与所述绝缘层接触的第一表面的表面粗糙度大于所述导电层的与所述导电层的第一表面背对的第二表面的表面粗糙度；以及外电极，连接到所述线圈部并覆盖所述导电层。
Description
本申请要求于2018年5月23日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0058576号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种线圈组件。
背景技术
电感器(线圈组件)是与电阻器和电容器一起在电子装置中使用的代表性无源电子组件。
随着电子装置逐渐获得较高的性能并变得较小，在小型化的同时增加了电子装置中使用的电子组件的数量。
线圈组件的外电极通常通过施加导电膏或通过镀覆工艺形成。在前一种情况下，外电极的厚度增大并且线圈组件的厚度可因此增大，并且在后一种情况下，由于形成镀覆所需的镀覆抗蚀剂，因此可能会增加工艺的数量。
发明内容
本公开的一方面可提供一种具有提高击穿电压(BDV)的线圈组件。
本公开的一方面还可提供一种能够容易地形成减少泄漏磁通量的屏蔽结构的线圈组件。
本公开的一方面还可提供一种具有提高的安装表面的平坦度的线圈组件。
根据本公开的一方面，一种线圈组件可包括：主体，具有在所述主体的厚度方向上彼此背对的第一表面和第二表面并包括在所述厚度方向上形成的芯；线圈部，嵌入在所述主体中并包括围绕所述芯的至少一匝；绝缘层，设置在所述主体的第一表面上；导电层，设置在所述绝缘层上，并且所述导电层的与所述绝缘层接触的第一表面的表面粗糙度大于所述导电层的与所述导电层的第一表面背对的第二表面的表面粗糙度；以及外电极，连接到所述线圈部并覆盖所述导电层。
根据本公开的另一方面，一种线圈组件可包括：主体，具有在所述主体的厚度方向上彼此背对的第一表面和第二表面并包括在所述厚度方向上形成的芯；线圈部，嵌入在所述主体中并包括围绕所述芯的至少一匝；绝缘层，设置在所述主体的第一表面上；导电层，设置在所述绝缘层上，并且所述导电层的与所述绝缘层接触的第一表面的表面粗糙度不同于所述导电层的与所述导电层的第一表面背对的第二表面的表面粗糙度；以及外电极，连接到所述线圈部并覆盖所述导电层。
附图说明
通过以下结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征及其他优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示意地示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的透视图；
图2是示出沿着图1的I-I′线截取的截面的示图；
图3是示出沿着图1的II-II′线截取的截面的示图；
图4是图2的A部分的放大图；
图5是示意性地示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的截面图；
图6是示意性地示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的仰视图；
图7是示意地示出根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件的透视图；
图8是示出沿着图7的III-III′线截取的截面的示图；以及
图9是示出沿着图7的IV-IV′线截取的截面的示图。
具体实施方式
在下文中，现将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
在附图中，L方向指第一方向或长度方向，W方向指第二方向或宽度方向，T方向指第三方向或厚度方向。
在下文中，将参照附图详细地描述根据本公开中的示例性实施例的线圈组件。在参照附图描述本公开中的示例性实施例时，彼此相同或彼此对应的组件将以相同的附图标记指代，并且将省略对其的重复描述。
可在电子装置中使用各种类型的电子组件。各种类型的线圈组件可适当地用于这种电子组件之间的噪声去除等目的。
也就是说，电子装置中的线圈组件可用作功率电感器、高频(HF)电感器、通用磁珠、高频(GHz)磁珠、共模滤波器等。
(第一示例性实施例)
图1是示意地示出根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件的透视图。图2是示出沿着图1的I-I′线截取的截面的示图。图3是示出沿着图1的II-II′线截取的截面的示图。图4是图2的A部分的放大图。
参照图1至图4，根据本公开中的示例性实施例的线圈组件1000可包括主体100、线圈部200、导电层310和320、外电极400和500以及绝缘层610、620和630，且还可包括内绝缘层IL和绝缘膜IF。
主体100可形成根据本示例性实施例的线圈组件1000的外形且可使线圈部200嵌入在其中。
主体100可整体形成为六面体形状。
在下文中，将假设主体100示例性地具有六面体形状来描述本公开中的第一示例性实施例。然而，这样的描述没有从本公开中的示例性实施例的范围中排除包括形成为除六面体形状之外的形状的主体的线圈组件。
参照图1，主体100可包括在长度方向L上彼此背对的第一表面和第二表面、在宽度方向W上彼此背对的第三表面和第四表面以及在厚度方向T上彼此背对的第五表面和第六表面。主体100的第一表面至第四表面可与主体100的将主体100的第五表面和第六表面彼此连接的壁表面对应。主体100的壁表面可包括为彼此背对的两个端表面的第一表面和第二表面以及为彼此背对的两个侧表面的第三表面和第四表面。
主体100可被示例性地形成，使得形成有以下将描述的外电极400和500的根据本示例性实施例的线圈组件1000具有2.0mm的长度、1.2mm的宽度以及0.65mm的厚度，但不限于此。
主体100可包含磁性材料和树脂。具体地，主体100可通过堆叠一个或更多个磁性复合片而形成，在磁性复合片中，磁性材料分散在树脂中。然而，主体100还可具有除磁性材料分散在树脂中的结构之外的结构。例如，主体100也可利用诸如铁氧体的磁性材料形成。
磁性材料可以是铁氧体或金属磁性粉末。
铁氧体可包括尖晶石型铁氧体(诸如Mg-Zn基、Mn-Zn基、Mn-Mg基、Cu-Zn基、Mg-Mn-Sr基、Ni-Zn基等)、六角型铁氧体(诸如Ba-Zn基、Ba-Mg基、Ba-Ni基、Ba-Co基、Ba-Ni-Co基等)、诸如Y基等的石榴石型铁氧体和Li基铁氧体中的至少一种。
金属磁性粉末可包括从利用铁(Fe)、硅(Si)、铬(Cr)、钴(Co)、钼(Mo)、铝(Al)、铌(Nb)、铜(Cu)和镍(Ni)组成的组中选择的一种或更多种。例如，金属磁性粉末可包括纯铁粉末、Fe-Si基合金粉末、Fe-Si-Al基合金粉末、Fe-Ni基合金粉末、Fe-Ni-Mo基合金粉末、Fe-Ni-Mo-Cu基合金粉末、Fe-Co基合金粉末、Fe-Ni-Co基合金粉末、Fe-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Si基合金粉末、Fe-Si-Cu-Nb基合金粉末、Fe-Ni-Cr基合金粉末、Fe-Cr-Al基合金粉末等中的一种或更多种。
金属磁性粉末可以是非晶的或结晶的。例如，金属磁性粉末可以是Fe-Si-B-Cr基非晶合金粉末，但不必需限于此。
铁氧体和金属磁性粉末中的每一者可具有约0.1μm至约30μm的平均直径，但不限于此。
主体100可包括分散在树脂中的两种或更多种磁性材料。这里，磁性材料是不同种类的含义意味着分散在树脂中的磁性材料通过平均直径、成分、结晶度和形状中的任意一者而彼此区分。
树脂可单独地或组合地包括但不限于环氧树脂、聚酰亚胺、液晶聚合物等。
主体100可包括穿过下面将描述的线圈部200的芯110。芯110可通过用磁性复合片填充线圈部200的通孔来形成，但不限于此。下面将描述的线圈部200可围绕芯110形成至少一匝。
线圈部200可嵌入在主体100中以显现线圈组件的特性。例如，在线圈组件1000用作功率电感器的情况下，线圈部200可用于通过将电场存储为磁场并保持输出电压来稳定电子装置的功率。
线圈部200可包括第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220，第一线圈图案211和第二线圈图案212可沿着主体100的厚度方向T顺次地堆叠。
第一线圈图案211和第二线圈图案212中的每一者可以是具有围绕芯110形成的至少一匝的平面螺旋的形式。作为示例，第一线圈图案211可在内绝缘层IL的下表面上围绕芯110形成至少一匝。
过孔220可穿过内绝缘层IL以将第一线圈图案211和第二线圈图案212彼此电连接，并且可分别与第一线圈图案211和第二线圈图案212接触。结果，应用于本示例性实施例的线圈部200可形成为在主体100的厚度方向(T)上产生磁场的单个线圈。
第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220中的至少一者可包括一个或更多个导电层。
作为示例，在通过镀覆形成第二线圈图案212和过孔220的情况下，第二线圈图案212和过孔220可包括无电镀层的种子层和电镀层。这里，电镀层可具有单层结构或多层结构。具有多层结构的电镀层也可形成为其中另一电镀层覆盖任意一个电镀层的保形膜结构(conformal film structure)，或者也可形成为其中另一电镀层仅堆叠在任意一个电镀层的一个表面上的形状。第二线圈图案212的种子层和过孔220的种子层可一体地形成，而在它们之间没有形成边界，但不限于此。第二线圈图案212的电镀层和过孔220的电镀层可一体地形成，而在它们之间没有形成边界，但不限于此。
作为另一示例，在第一线圈图案211和第二线圈图案212单独地形成然后在内绝缘层IL上堆叠在一起以形成线圈部200的情况下，过孔220可包括高熔点金属层和具有比高熔点金属层的熔点低的熔点的低熔点金属层。这里，低熔点金属层可利用包括铅(Pb)和/或锡(Sn)的焊料形成。由于在将第一线圈图案211和第二线圈图案212堆叠在一起时的压力和温度，而导致低熔点金属层至少部分地融化，使得可在低熔点金属层和第二线圈图案212之间形成金属间化合物(IMC)层。
作为示例，如图2和图3所示，第一线圈图案211和第二线圈图案212可分别在内绝缘层IL的下表面和上表面上突出。作为另一示例，第一线圈图案211嵌入在内绝缘层IL的下表面中，使得第一线圈图案211的下表面可暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212可在内绝缘层IL的上表面上突出。在这种情况下，第一线圈图案211的下表面中可形成有凹入部。结果，内绝缘层IL的下表面和第一线圈图案211的下表面可不位于同一平面上。作为另一示例，第一线圈图案211嵌入在内绝缘层IL的下表面中，使得第一线圈图案211的下表面可暴露于内绝缘层IL的下表面，并且第二线圈图案212嵌入在内绝缘层IL的上表面中，使得第二线圈图案212的上表面可暴露于内绝缘层IL的上表面。
第一线圈图案211的端部和第二线圈图案212的端部可分别暴露于主体100的第一表面和第二表面。第一线圈图案211的暴露于主体100的第一表面的端部可与下面将描述的第一外电极400接触，使得第一线圈图案211可电连接到第一外电极400。第二线圈图案212的暴露于主体100的第二表面的端部可与下面将描述的第二外电极500接触，使得第二线圈图案212可电连接到第二外电极500。
第一线圈图案211、第二线圈图案212和过孔220中的每一者可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。
内绝缘层IL可利用如下绝缘材料形成，所述绝缘材料包括诸如环氧树脂的热固性绝缘树脂、诸如聚酰亚胺的热塑性绝缘树脂或光敏绝缘树脂，或者可利用具有增强材料(诸如浸在绝缘树脂中的玻璃纤维或无机填料)的绝缘材料形成。作为示例，内绝缘层IL可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto Build up Film)、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、光可成像电介质(PID)等的绝缘材料形成。
可使用从利用二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、硫酸钡(BaSO4)、滑石、粘土、云母粉末、氢氧化铝(AlOH3)、氢氧化镁(Mg(OH)2)、碳酸钙(CaCO3)、碳酸镁(MgCO3)、氧化镁(MgO)、氮化硼(BN)、硼酸铝(AlBO3)、钛酸钡(BaTiO3)和锆酸钙(CaZrO3)组成的组中选择的至少一种作为无机填料。
在内绝缘层IL利用包括增强材料的绝缘材料形成的情况下，内绝缘层IL可提供更优异的刚性。在内绝缘层IL利用不包括玻璃纤维的绝缘材料形成的情况下，内绝缘层IL可有利于使线圈部200的总厚度变薄。在内绝缘层IL利用包括光敏绝缘树脂的绝缘材料形成的情况下，可减少用于形成线圈部200的工艺的数量，这有利于降低生产成本，并且可形成精细的过孔220。
可沿着第一线圈图案211、内绝缘层IL和第二线圈图案212的表面形成绝缘膜IF。保护相应的线圈图案211和212并使相应的线圈图案211和212绝缘的绝缘膜IF可包括诸如聚对二甲苯的已知绝缘材料。绝缘膜IF中包括的绝缘材料可以是任意材料，并且没有具体限制。绝缘膜IF可通过气相沉积等形成，但不限于此，且也可通过在内绝缘层IL的其上形成有第一线圈图案211和第二线圈图案212的两个表面上堆叠绝缘膜来形成。
同时，尽管未示出，但是第一线圈图案211和第二线圈图案212中的至少一者可形成为多个。例如，线圈部200可具有如下结构：形成多个第一线圈图案211并且在第一线圈图案中的一个的下表面上堆叠第一线圈图案中的另一个。在这种情况下，单独的绝缘层可设置在多个第一线圈图案211之间，但不限于此。
绝缘层610、620和630可形成在主体100的表面上。根据本示例性实施例，绝缘层610、620和630可包括设置在主体100的第六表面上的第一绝缘层610、设置在主体100的第五表面上的第二绝缘层620以及分别设置在主体100的第三表面和第四表面上的第三绝缘层630。
绝缘层610、620和630可利用热塑性树脂(诸如聚苯乙烯基、乙酸乙烯酯基、聚酯基、聚乙烯基、聚丙烯基、聚酰胺基、橡胶基和丙烯酸基)、热固性树脂(诸如苯酚基、环氧树脂基、聚氨酯基、三聚氰胺基和醇酸树脂基)、光敏树脂、聚对二甲苯、SiOx或SiNx形成。
绝缘层610、620和630可通过将液体绝缘树脂施加到主体100、在主体100上堆叠诸如干膜(DF)的绝缘膜或通过气相沉积在主体的表面上形成绝缘树脂来形成。也可使用不包括光敏绝缘树脂的聚酰亚胺膜或ABF(Ajinomoto Build up Film)作为绝缘膜。
绝缘层610、620和630中的每一者可以以在10nm至100μm的厚度的范围形成。在绝缘层610、620和630的厚度小于10nm的情况下，可能会减小线圈组件的诸如Q因子的特性，在绝缘层610、620和630的厚度超过100μm的情况下，线圈部的总长度、总宽度和总厚度增大，这对于变薄是不利的。
导电层310和320可设置在第一绝缘层610上。具体地，第一导电层310可设置在第一绝缘层610和下面将描述的第一外电极400之间，第二导电层320可设置在第一绝缘层610和下面将描述的第二外电极500之间。
导电层310和320中的每一者的与第一绝缘层610接触的一个表面的表面粗糙度可不同于与所述一个表面背对的另一表面的表面粗糙度。例如，导电层310和320中的每一者的与第一绝缘层610接触的一个表面的表面粗糙度可大于与所述一个表面背对的另一表面的表面粗糙度。也就是说，参照图2和图5，第一导电层310的与第一绝缘层610接触的上表面的表面粗糙度可大于第一导电层310的下表面的表面粗糙度。以下将对此详细地描述。
根据本示例性实施例，导电层310和320以及第一绝缘层610可通过在主体100的第六表面上堆叠具有附着到导电膜的一个表面的绝缘膜的中间材料(诸如涂覆树脂的铜(RCC))而形成。此时，RCC的铜膜可具有与绝缘膜接触的一个表面以及与所述一个表面背对的另一表面。可在铜膜的一个表面上形成相对高的表面粗糙度，以保持与绝缘膜的结合力。结果，可在导电层310和320与第一绝缘层610之间的界面上形成相对高的表面粗糙度。然而，以上的描述仅仅是说明性的，并且导电层310和320以及第一绝缘层610利用具有附着到导电膜(除了铜膜以外)的一个表面的绝缘膜的中间材料形成的情况没有从本公开的范围排除。另外，以上描述没有从本公开的范围排除导电层310和320以及第一绝缘层610中的每一者利用单独的中间材料形成的情况。
导电层310和320中的每一者的一个表面的面积可大于导电层310和320中的每一者的另一表面的面积。此外，导电层310和320中的每一者的面积可从导电层310和320中的每一者的一个表面向导电层310和320中的每一者的另一表面减小。这将进行描述。
可通过选择性地去除上述RCC的铜膜的一部分而将第一导电层310和第二导电层320设置为在主体100的第六表面上彼此分开。作为示例，可用干膜在附着到主体100的RCC的铜膜上形成抗蚀剂，并且可以用铜蚀刻溶液去除铜膜的通过抗蚀剂的开口暴露的一个区域。此时，相比于铜膜的与第一绝缘层610接触的一个表面，铜膜的另一表面可暴露于铜蚀刻溶液相对长的时间。因此，相比于在铜膜的一侧，铜膜的另一侧的去除铜膜的量可增加。结果，如图4所示，导电层310和320中的每一者的与第一绝缘层610接触的一个表面的面积可大于导电层310和320中的每一者的另一个表面的面积，并且导电层310和320中的每一者的面积可从导电层310和320中的每一者的一个表面向导电层310和320中的每一者的另一表面减小。
导电层310和320可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、铁(Fe)、铬(Cr)、铌(Nb)或者包括其至少一种的合金的导电材料形成，但不限于此。
外电极400和500可连接到线圈图案211和212，并且可设置为在主体100的下表面上彼此分开。外电极400和500可包括连接到第一线圈图案211的第一外电极400和连接到第二线圈图案212的第二外电极500。具体地，第一外电极400可包括第一连接部分420和第一延伸部分410，第一连接部分420设置在主体100的第一表面上并连接到第一线圈图案211的端部，第一延伸部分410从第一连接部分420延伸到主体100的第六表面并覆盖第一导电层310。第二外电极500可包括第二连接部分520和第二延伸部分510，第二连接部分520设置在主体100的第二表面上并连接到第二线圈图案212的端部，第二延伸部分510从第二连接部分520延伸到主体100的第六表面并覆盖第二导电层320。由于第一延伸部分410和第二延伸部分510在第一绝缘层610的下表面上彼此分开，因此第一外电极400和第二外电极500可不彼此接触。延伸部分410和510中的每一者可具有连接到连接部分420和520中的每一者的一端以及与所述一端相对的另一端，延伸部分410和510可覆盖导电层310和320。
外电极400和500可利用诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料形成，但不限于此。外电极400和500可通过诸如溅射等的气相沉积或电镀来形成。在形成外电极400和500时，连接部分420和520以及延伸部分410和510中的每一者可通过单独的工艺形成，使得可在它们之间形成边界。可选地，连接部分420和520以及延伸部分410和510可通过相同的工艺形成，使得连接部分420和延伸部分410可不具有形成于它们之间的边界并且可一体地形成，连接部分520和延伸部分510可不具有形成于它们之间的边界并且可一体地形成。
通过如此做，根据本示例性实施例的线圈组件1000可具有通过第一绝缘层610改善的外电极400和500之间的绝缘距离并且提高击穿电压(BDV)。
另外，在根据本示例性实施例的线圈组件1000中，设置在主体100的下表面(为安装表面，也就是说，主体100的第六表面)上的外电极的延伸部分410和510的表面可相对平坦地形成。也就是说，根据本示例性实施例，由于第一绝缘层610设置在主体100的第六表面上并且延伸部分410和510形成在第一绝缘层610上，因此第一绝缘层610可防止主体100的第六表面的相对高的表面粗糙度被转移到延伸部分410和510。另外，如上所述，导电层310和320中的每一者的与导电层310和320中的每一者的一个表面(所述一个表面与第一绝缘层610接触)背对的另一表面可具有相对低的表面粗糙度。由于延伸部分410和510形成在导电层310和320中的每一者的所述另一表面上，因此外电极的延伸部分410和510的表面可另外平坦地形成。
结果，使用根据本示例性实施例的线圈组件1000可更容易且精确地实现其中嵌入有电子组件的印刷电路板或电子封装件。也就是说，在其中嵌入有电子组件的印刷电路板或电子封装件的情况下，在电子组件被绝缘构件围绕以固定电子组件之后，可对绝缘构件光学地执行孔加工，用于与电子组件连接。由于应用到根据本示例性实施例的线圈组件1000的外电极400和500的延伸部分410和510由于以上提到的原因而相对平坦地形成，因此可减少光的散射，并且可更精确地执行孔加工。
(第二示例性实施例)
图5是示意性地示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的截面图。图6是示意性地示出根据本公开中的第二示例性实施例的线圈组件的仰视图。图5与示出根据本公开中的第一示例性实施例的截面的图2对应。
参照图5至图6，根据本示例性实施例的线圈组件2000与根据本公开中的第一示例性实施例的线圈组件1000的不同之处在于：导电层310和320以及外电极400和500。因此，在描本示例性实施例时，将仅描述导电层310和320以及外电极400和500。本公开中的第一示例性实施例的描述可按照原样适用于本示例性实施例的其余构造。
根据本示例性实施例，导电层310和320可延伸到第一绝缘层610的与芯110对应的一个区域的内侧。也就是说，参照图5，第一导电层310可从第一绝缘层610和主体100的第一表面之间的边界向主体100的第二表面延伸，并且第一导电层310的一端可设置在第一绝缘层610的下表面的与芯110对应的区域中。参照图5，第二导电层320可从第一绝缘层610和主体100的第二表面之间的边界向主体100的第一表面延伸，并且第二导电层320的一端可设置在第一绝缘层610的下表面的与芯110对应的区域中。第一绝缘层610的与芯110对应的区域可指芯110被投影到第一绝缘层610上的区域。
由于导电层310和320中的每一者的一端设置在第一绝缘层610的下表面的与芯110对应的区域中，因此外电极400和500的延伸部分410和510的端部可设置在第一绝缘层610的下表面的与芯110对应的区域中(图5和图6中的b)。
根据本公开，可通过第一绝缘层610增大外电极400和500之间的绝缘距离。因此，即使外电极400和500之间的间隔距离减小，也可减小外电极400和500之间的电短路的风险。
因此，根据本示例性实施例，导电层310和320以及外电极400和500的延伸部分410和510可延伸到第一绝缘层610的下表面的与芯110对应的区域中。
通过如此做，根据本示例性实施例，可减少在主体100的厚度方向上泄漏的磁通量。
(第三示例性实施例)
图7是示意地示出根据本公开中的第三示例性实施例的线圈组件的透视图。图8是示出沿着图7的III-III′线截取的截面的示图。图9是示出沿着图7的IV-IV′线截取的截面的示图。
参照图7至图9，根据本示例性实施例的线圈组件3000与根据本公开中的第一示例性实施例和第二示例性实施例的线圈组件1000和2000的不同之处在于：导电层以及外电极。因此，在描述本示例性实施例时，将仅描述导电层310、320、310′和320′以及外电极400和500。本公开中的第一示例性实施例和第二示例性实施例的描述可按照原样适用于本示例性实施例的其余构造。
根据本示例性实施例，导电层310和320可设置在主体100的第六表面上，导电层310′和320′可设置在主体100的第五表面上。也就是说，参照图8，导电层310′和320′也可设置在主体100的上表面上。下面将描述的外电极400和500的带部分430和530可分别形成在导电层310′和320′上。
外电极400和500还可包括设置在主体100的第五表面上的带部分430和530。也就是说，外电极400和500可具有
的形状。带部分430和530可与连接部分420和520一体地形成。可选地，带部分430和530可在带部分430和530与连接部分420和520之间形成边界。
根据本示例性实施例的线圈组件3000可减少泄漏到主体100的第五表面和第六表面的磁通量。也就是说，与本公开中的其他示例性实施例相比，可更有效地减少泄漏的磁通量。
如以上所阐述的，根据本公开中的示例性实施例，可提高线圈组件的击穿电压(BDV)。
另外，根据本公开，可容易地形成减少泄漏磁通量的屏蔽结构。
另外，根据本公开，可提高安装表面的平坦度。
虽然已经在上面示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可做出修改和变型。
Claims (10)
1.一种线圈组件，包括：
主体，具有在所述主体的厚度方向上彼此背对的第一表面和第二表面并包括在所述厚度方向上形成的芯；
线圈部，嵌入在所述主体中并包括围绕所述芯的至少一匝；
绝缘层，设置在所述主体的第一表面上；
导电层，设置在所述绝缘层上，并且所述导电层的与所述绝缘层接触的第一表面的表面粗糙度大于所述导电层的与所述导电层的第一表面背对的第二表面的表面粗糙度；以及
外电极，连接到所述线圈部并覆盖所述导电层。
2.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述导电层的第一表面的面积大于所述导电层的第二表面的面积。
3.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述导电层的一端设置在所述绝缘层的与所述芯对应的一个区域的内侧。
4.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述线圈部的两端暴露于所述主体的多个壁表面中的彼此背对并将所述主体的第一表面和第二表面彼此连接的端表面，并且
所述外电极包括：
连接部分，设置在所述主体的所述端表面上并连接到所述线圈部；以及
延伸部分，从所述连接部分延伸以覆盖所述导电层并设置在所述绝缘层上。
5.根据权利要求4所述的线圈组件，其中，所述绝缘层还设置在所述主体的第二表面上。
6.根据权利要求5所述的线圈组件，所述线圈组件还包括侧绝缘层，所述侧绝缘层形成在所述主体的所述多个壁表面中的将所述主体的所述端表面彼此连接的侧表面上。
7.根据权利要求4所述的线圈组件，其中，所述绝缘层和所述导电层还设置在所述主体的第二表面上，并且
所述外电极还包括从所述连接部分延伸并覆盖设置在所述主体的第二表面上的所述导电层的带部分。
8.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述导电层包括铜、铝、银、锡、金、镍、铅、钛、铁、铬、铌中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述线圈部的表面上设置有绝缘膜。
10.根据权利要求1所述的线圈组件，其中，所述绝缘层的厚度在10nm至100μm的范围。
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