CN111430090B - 一种钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用。以重量百分比计，该钕铁硼磁体材料包括如下组分：(1)30.3wt％≤R≤33.5wt％，其中：重稀土元素RH中包括Ho和/或Gd，Ho和/或Gd的含量之和为4.0‑14.0wt％；(2)T：62.5‑67.7wt％；(3)B：≥0.925wt％；(4)Al：＞0.5wt％；(5)M：≥0.35wt％，所述M为Cu、Nb、Ni、Zn、Ga、Ag、In、Sn、Bi、Ti、V、Cr、Zr、Mo、Hf、Ta和W中的一种或多种。本发明中的钕铁硼磁体性能优异，20‑80℃条件下，剩磁温度系数α绝对值≤0.12，矫顽力温度系数β绝对值≤0.57。
Description
技术领域
本发明涉及一种钕铁硼磁体材料及其制备方法和应用。
背景技术
以Nd2Fe14B为主要成分的钕铁硼(NdFeB)磁体材料，具有较高的剩磁、矫顽力和最大磁能积，综合磁性能优良，广泛应用于风力发电、新能源汽车、变频家电等领域。在不同的领域对磁性能有各种各样的需求，因此对材料及配方也提出了不同的需求。
随着风力发电和混合动力汽车等行业的飞速发展，对烧结Nd-Fe-B磁体的需求量逐渐增多，例如要求磁体的使用温度达到200℃以上。但是，磁体中包括2:14:1主相和富Nd晶界相，两相界面处的非化学计量比成分及结构缺陷等使得磁体的实际矫顽力较低，并且，磁体在高温下因为严重的热退磁使磁性能迅速降低而无法正常使用。
因此，磁体的实际矫顽力低和温度稳定性差成为阻碍其在高温领域应用的主要障碍。由此，如何提高烧结Nd-Fe-B磁体的矫顽力和温度稳定性成为目前本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中利用添加重稀土元素提升磁体矫顽力时，磁体温度敏感性上升的缺陷，而提供了一种钕铁硼磁体及其制备方法和应用。
本发明提供了一种钕铁硼磁体材料，以重量百分比计，所述钕铁硼磁体材料包括如下组分：
(1)30.3wt％≤R≤33.5wt％，其中：
所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL和重稀土元素RH；所述重稀土元素RH中包括Ho和/或Gd，所述“Ho和/或Gd”的含量之和为4.0-14.0wt％；
(2)T：62.5-67.7wt％，所述T至少包括Fe；
(3)B：≥0.925wt％；
(4)Al：＞0.5wt％；
(5)M：≥0.35wt％，所述M为Cu、Nb、Ni、Zn、Ga、Ag、In、Sn、Bi、Ti、V、Cr、Zr、Mo、Hf、Ta和W中的一种或多种，及不可避免的杂质；
所述钕铁硼磁体材料包含R2T14B主相和晶界相，所述R2T14B主相和所述晶界相中均分布有所述RH，所述R2T14B主相中的重稀土RH1和所述晶界相中的重稀土RH2的质量之比≥10％。
在现有的钕铁硼磁体材料中，当Ho和/或Gd的含量之和≥4.0wt时，其性能会变差，发明人经过进一步研究发现，Ho和/或Gd的含量之和≥4.0wt时会导致晶界相的流动性变差，基于该现象，发明人研究发现本发明的配方能够有效克服Ho和/或Gd含量升高所带来的性能下降的缺陷，改善了晶界的流动性，制得的钕铁硼磁体温度系数优异，温度稳定性好。
本发明的配方中添加的RH元素起到了取代部分主相中的Nd的作用，形成RH-Fe-B系列的相，当RH的含量低于4.0％wt时，RH主要分布在晶界相中，在主相中的含量极少，尽管可起到部分优化晶界相的作用，但是其主要带来的效果为增加矫顽力，温度系数并没有出现较明显的改善；当Ho和/或Gd的含量之和≥4.0wt％时，其才开始进入主相中，并且晶界相中RH和主相中RH的质量比需小于10.5:1能够带来改善剩磁Br和矫顽力Hcj的温度系数的效果。随着RH含量的增高，温度系数的表现将会更好，但是RH中Ho和/或Gd的重量百分比不能超过14.0wt％，超过14.0wt％之后，在材料的制备过程中，虽然有较多的Ho和/或Gd进入主相之中，但是除主相外的晶界相不容易连续，产生孔洞从而会带来负面的影响，使得磁体的常温Br出现较大程度的下降。
本发明中，所述R的含量优选为30.5-33.3wt％，例如30.5wt％、30.8wt％、31.3wt％、31.5wt％、31.8wt％、32.8wt％或33.3wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，所述轻稀土元素RL的种类可为本领域常规的种类，例如Nd和/或Pr，再例如PrNd。
其中，当所述轻稀土元素RL中包含Nd时，所述Nd的含量可为15.5-29.5wt％，例如16.0wt％、17.5wt％、18.0wt％、19.0wt％、19.5wt％、20.0wt％、20.5wt％、21.0wt％、21.5wt％、22.0wt％、22.5wt％、23.0wt％、23.5wt％、24.0wt％、24.5wt％、25.0wt％、25.5wt％、26.0wt％或26.5wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
其中，当所述轻稀土元素RL中包含Pr时，所述Pr的含量可为5.0-10.0wt％，例如5.0wt％、6.5wt％或7.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
其中，所述PrNd中，Pr和Nd的质量比可为25:75。
其中，当所述轻稀土元素RL中包含PrNd时，所述PrNd的含量可为17.5-26.5wt％，例如23.5wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，所述RH的含量优选为4.3-13.8wt％，例如4.3wt％、4.5wt％、4.8wt％、5.0wt％、5.3wt％、5.8wt％、6.3wt％、6.8wt％、7.3wt％、7.8wt％、8.3wt％、8.8wt％、9.3wt％、9.5wt％、9.8wt％、10.3wt％、10.8wt％、11.3wt％、11.8wt％、12.8wt％或13.8wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述“Ho和/或Gd”的含量之和≥4wt％、＜12.8wt％，或者，4.3-13.8wt％，例如4.3wt％、4.5wt％、4.8wt％、5.0wt％、5.3wt％、5.8wt％、6.3wt％、6.8wt％、7.3wt％、7.8wt％、8.3wt％、8.8wt％、9.3wt％、9.5wt％、9.8wt％、10.3wt％、10.8wt％、11.3wt％、11.8wt％、12.8wt％或13.8wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，当所述重稀土元素RH中包括Ho时，所述Ho的含量优选为0.3-13.8wt％，例如0.3wt％、0.8wt％、1.8wt％、3.3wt％、3.8wt％、4.3wt％、4.8wt％、5.3wt％、5.8wt％、6.3wt％、6.8wt％、7.3wt％、7.8wt％、8.3wt％、8.8wt％、9.3wt％、9.8wt％、10.3wt％、10.8wt％、11.3wt％、12.8wt％或13.8wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，当所述重稀土元素RH中包括Gd时，所述Gd的含量优选为0.5-10.0wt％，例如0.5wt％、1.0wt％、1.5wt％、2.0wt％、4.5wt％、5.0wt％、6.0wt％、7.0wt％、8.0wt％或9.5wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明，优选地，所述RH中包含Ho和Gd。
当所述RH中包含Ho和Gd时，Ho和Gd在主相及二颗粒晶界相中均有分布，Ho和Gd的配合添加，可以使得Br及Hcj的温度稳定性都有改善效果。
本发明中，当所述RH中包含Ho和Gd时，优选地，所述Ho的含量为4.3-11.3wt％，所述Gd的含量为0.5-10.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，所述重稀土元素RH中还可以包括其他重稀土元素种类，例如Tb和/或Dy。
其中，当所述重稀土元素RH中包括Dy时，所述Dy的含量优选为0.5-3.0wt％，例如1.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，所述晶界相一般是指两个或两个以上的R2Fel4B晶粒间的晶界相的总称。
本发明中，优选地，所述T为Fe或“Fe和Co”。
本发明中，所述T的含量优选地为64.0-67.5wt％，例如64.29wt％、64.59wt％、64.83wt％、65.08wt％、65.43wt％、65.71wt％、65.73wt％、65.8wt％、65.81wt％、65.95wt％、66.02wt％、66.08wt％、66.09wt％、66.1wt％、66.11wt％、66.13wt％、66.16wt％、66.18wt％、66.19wt％、66.2wt％、66.21wt％、66.25wt％、66.26wt％、66.27wt％、66.28wt％、66.29wt％、66.3wt％、66.31wt％、66.32wt％、66.35wt％、66.39wt％、66.48wt％、66.58wt％、66.8wt％、67.05wt％、67.08wt％或67.31wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，所述Fe的含量优选为62.0-66.5wt％，例如62.29wt％、62.59wt％、62.83wt％、63.08wt％、63.43wt％、63.71wt％、63.73wt％、63.8wt％、63.81wt％、63.95wt％、64.02wt％、64.08wt％、64.09wt％、64.1wt％、64.11wt％、64.13wt％、64.16wt％、64.18wt％、64.19wt％、64.2wt％、64.21wt％、64.25wt％、64.26wt％、64.27wt％、64.28wt％、64.29wt％、64.3wt％、64.31wt％、64.32wt％、64.35wt％、64.39wt％、64.48wt％、64.58wt％、64.8wt％、64.81wt％、65.05wt％、65.08wt％、65.28wt％、65.31wt％、65.82wt％或66.3wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，当所述T中包含Co时，所述Co的含量优选为0-2.0wt％、但不为0，例如0.5wt％、1.0wt％、1.5wt％或2.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，以原子比计，所述Fe和所述B的原子比≤13.55，例如≤13.51，再例如12.59、12.69、12.70、12.75、12.85、12.93、13.00、13.03、13.05、13.06、13.07、13.08、13.09、13.10、13.11、13.12、13.14、13.15、13.16、13.21、13.26、13.30、13.31、13.39、13.41或13.51。
本发明中，所述B的含量优选为0.93-1.0wt％，例如0.93wt％、0.95wt％、0.954wt％、0.955wt％或0.98wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，所述Al的含量优选为0.55-0.8wt％，例如0.55wt％、0.6wt％、0.65wt％、0.7wt％、0.75wt％或0.8wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述M为Cu、Ga、Zr和Ti中的一种或多种。
本发明中，所述M的含量优选为0.35-2.35wt％，例如0.35wt％、0.45wt％、0.55wt％、0.65wt％、0.7wt％、0.75wt％、0.8wt％、0.85wt％、0.95wt％、1.0wt％、1.15wt％、1.55wt％、1.85wt％或2.35wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，当所述M中包含Cu时，所述Cu的含量≥0.3wt％，例如0.3-2.0wt％，再例如0.3wt％、0.4wt％、0.5wt％、0.8wt％、1.2wt％、1.5wt％或2.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，当所述M中包含Ga时，所述Ga的含量≤0.3wt％、但不为0，例如0.1-0.3wt％，再例如0.1wt％、0.2wt％、0.25wt％或0.3wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，当所述M中包含Zr时，所述Zr的含量为0.1-0.3wt％，例如0.15-0.3wt％，再例如0.15wt％、0.2wt％、0.25wt％或0.3wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，当所述M中包含Ti时，所述Ti的含量≥0.1wt％，例如0.1-0.35wt％，再例如0.1wt％、0.15wt％、0.2wt％、0.3wt％或0.35wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，所述钕铁硼磁体材料中，优选地还包括Mn。
其中，所述Mn的含量优选地小于0.035at％、但不为0，更佳地为0.01-0.035at％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的原子百分比。
其中，所述Mn的含量优选地小于0.04％wt％、但不为0，例如0.02wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，所述钕铁硼磁体材料中，还可包含C(碳)、N(氮)和O(氧)。
当所述钕铁硼磁体材料中含有C时，优选地，所述C含量＜1000ppm，例如506ppm、507ppm、514ppm、517ppm、544ppm、549ppm、550ppm、553ppm、569ppm、574ppm、581ppm、588ppm、607ppm、609ppm、617ppm、627ppm、630ppm、635ppm、638ppm、641ppm、644ppm、649ppm、651ppm、666ppm、680ppm、708ppm、709ppm、710ppm、727ppm、733ppm、736ppm、747ppm、759ppm、770ppm、777ppm、780ppm、782ppm、787ppm、788ppm、792ppm、794ppm、815ppm、827ppm、832ppm、836ppm、838ppm、841ppm、859ppm、861ppm、864ppm、866ppm、876ppm、887ppm、892ppm或897ppm，ppm是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百万分之比。
当所述钕铁硼磁体材料中含有O时，优选地，所述O含量为800-1200ppm，例如856ppm、857ppm、860ppm、863ppm、864ppm、865ppm、867ppm、876ppm、880ppm、887ppm、891ppm、896ppm、915ppm、923ppm、926ppm、933ppm、940ppm、941ppm、946ppm、949ppm、951ppm、957ppm、959ppm、961ppm、967ppm、969ppm、973ppm、978ppm、982ppm、984ppm、990ppm、991ppm、1002ppm、1008ppm、1010ppm、1012ppm、1016ppm、1019ppm、1027ppm、1031ppm、1035ppm、1036ppm、1039ppm、1042ppm、1043ppm、1046ppm、1057ppm、1063ppm、1065ppm、1074ppm、1079ppm、1087ppm、1098ppm或1100ppm，ppm是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百万分之比。
当所述钕铁硼磁体材料中含有N时，优选地，所述N含量为200-500ppm，例如251ppm、252ppm、253ppm、263ppm、264ppm、270ppm、275ppm、276ppm、277ppm、282ppm、287ppm、295ppm、298ppm、299ppm、318ppm、325ppm、334ppm、335ppm、337ppm、339ppm、349ppm、354ppm、355ppm、356ppm、361ppm、371ppm、372ppm、376ppm、377ppm、381ppm、385ppm、386ppm、387ppm、403ppm、404ppm、405ppm、406ppm、410ppm、413ppm、421ppm、423ppm、435ppm、436ppm、439ppm、442ppm、447ppm、453ppm、459ppm、463ppm、465ppm、466ppm、468ppm、471ppm、472ppm、481ppm或483ppm，ppm是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百万分之比。
本领域技术人员知晓，ppm是指百万分之比，和百分比之间的换算进率为10000，即506ppm等同于0.0506wt％。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt％Nd，4.3-13.8wt％RH，0-2.0wt％Co，62.0-66.5wt％Fe，0.93-1.0wt％B，0.55-0.8wt％Al，0.35-2.35wt％M，其中：RH为Gd和Ho，M为Zr、Ti、Nb、Cu和Ga中的一种或多种，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt％Nd，4.3-13.8wt％RH，0-2.0wt％Co，62.0-66.5wt％Fe，0.93-1.0wt％B，0.55-0.8wt％Al，0.3-2.0wt％Cu，0.0-0.3wt％Ga，0.1-0.3wt％Zr，≥0.1wt％Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt％Nd，4.3-13.8wt％RH，0-2.0wt％Co，62.0-66.5wt％Fe，0.93-1.0wt％B，0.55-0.6wt％Al，0.3-2.0wt％Cu，0.1-0.3wt％Ga，0.15-0.3wt％Zr，0.1-0.35wt％Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt％Nd，4.3-13.8wt％RH，0-2.0wt％Co，62.0-66.5wt％Fe，0.93-1.0wt％B，0.55-0.6wt％Al，0.3-2.0wt％Cu，0.1-0.3wt％Ga，0.1-0.35wt％Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-20.0wt％Nd，5.0-7.0wt％Pr，4.0-10.0wt％Gd，0-2.0wt％Co，62.0-66.5wt％Fe，0.925-1.0wt％B，0.55-0.6wt％Al，0.3-2.0wt％Cu，0.2-0.25wt％Ga，0.1-0.35wt％Ti，C：＜1000ppm，O：800-1200ppm，N：200-500ppm，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比，ppm是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百万分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，Al≥0.55wt％，B≥0.955wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，Al≥0.55wt％，B：0.925-0.954wt％，Gd≥1.05wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
本发明中，所述的钕铁硼磁体材料中主相晶粒的晶界处和主相中包含Ho和/或Gd，其中Ho和/或Gd的加入，将替换主相和晶界相中的一部分Nd，本发明中通过EPMA电子探针方式对磁体中的Gd和Ho进行分析判定，但不局限于使用EPMA的方式。
本发明中，优选地，所述R2T14B主相中的重稀土RH1和所述晶界相中的重稀土RH2的质量之比≥10.10％，例如10.10％、10.30％、10.50％、10.60％、10.80％、11.00％、11.10％、11.20％、11.30％、11.40％、11.50％、11.60％、11.70％、12.00％、12.10％、12.70％、13.00％、13.10％或13.20％。
本发明还提供了一种钕铁硼磁体材料的原料组合物，以重量百分比计，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括如下组分：
(1)30.5wt％≤R≤33.5wt％，其中：
所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL和重稀土元素RH；所述RH中包括Ho和/或Gd，所述Ho和/或Gd的含量之和为4.0-14.0wt％；
(2)T：62.5-67.7wt％，所述T至少包括Fe；
(3)B：≥0.925wt％；
(4)Al：＞0.5wt％；
(5)M：≥0.35wt％，所述M为Cu、Nb、Ni、Zn、Ga、Ag、In、Sn、Bi、Ti、V、Cr、Zr、Mo、Hf、Ta和W中的一种或多种，及不可避免的杂质。
本发明中，所述R的含量优选为31.0-33.5wt％，例如31.0wt％、31.5wt％、32.0wt％、33.0wt％或33.5wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述轻稀土元素RL的种类可为本领域常规的种类，例如Nd和/或Pr，再例如PrNd。
其中，当所述轻稀土元素RL中包含Nd时，所述Nd的含量可为15.5-29.5wt％，例如16.0wt％、17.5wt％、18.0wt％、19.0wt％、19.5wt％、20.0wt％、20.5wt％、21.0wt％、21.5wt％、22.0wt％、22.5wt％、23.0wt％、23.5wt％、24.0wt％、24.5wt％、25.0wt％、25.5wt％、26.0wt％或26.5wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
其中，当所述轻稀土元素RL中包含Pr时，所述Pr的含量可为5.0-10.0wt％，例如5.0wt％、6.5wt％或7.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
其中，所述PrNd中，Pr和Nd的质量比可为25:75。
其中，当所述轻稀土元素RL中包含PrNd时，所述PrNd的含量可为17.5-26.5wt％，例如23.5wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述RH的含量优选为4.5-14.0wt％，例如4.5wt％、5.0wt％、5.5wt％、6.0wt％、6.5wt％、7.0wt％、7.5wt％、8.0wt％、8.5wt％、9.0wt％、9.5wt％、10.0wt％、10.5wt％、11.0wt％、11.5wt％、12.0wt％、13.0wt％或14.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述“Ho和/或Gd”的含量之和≥4wt％、＜13wt％，或者，4.5-14.0wt％，例如4.5wt％、5.0wt％、5.5wt％、6.0wt％、6.5wt％、7.0wt％、7.5wt％、8.0wt％、8.5wt％、9.0wt％、9.5wt％、10.0wt％、10.5wt％、11.0wt％、11.5wt％、12.0wt％、13.0wt％或14.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述重稀土元素RH中包括Ho时，所述Ho的含量优选为0.5-14wt％，例如0.5wt％、1.0wt％、2.0wt％、3.5wt％、4.0wt％、4.5wt％、5.0wt％、5.5wt％、6.0wt％、6.5wt％、7.0wt％、7.5wt％、8.0wt％、8.5wt％、9.0wt％、9.5wt％、10.0wt％、10.5wt％、11.0wt％、11.5wt％、13.0wt％或14.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述重稀土元素RH中包括Gd时，所述Gd的含量优选为0.5-10.0wt％，例如0.5wt％、1.0wt％、1.5wt％、2.0wt％、4.5wt％、5.0wt％、6.0wt％、7.0wt％、8.0wt％或9.5wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明，优选地，所述RH中包含Ho和Gd。
本发明中，当所述RH中包含Ho和Gd时，优选地，所述Ho的含量为4.5-11.5wt％，所述Gd的含量为0.5-10.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述RH中还可以包括其他重稀土元素，例如Tb和/或Dy。
其中，当所述重稀土元素RH中包括Dy时，所述Dy的含量优选为0.5-3.0wt％，例如1.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述T为Fe或“Fe和Co”。
本发明中，所述T的含量优选地为64.3-67.3wt％，例如64.3wt％、64.6wt％、64.82wt％、65.1wt％、65.4wt％、65.72wt％、65.75wt％、65.8wt％、65.95wt％、66.0wt％、66.1wt％、66.15wt％、66.2wt％、66.25wt％、66.27wt％、66.28wt％、66.3wt％、66.32wt％、66.35wt％、66.4wt％、66.5wt％、66.6wt％、66.8wt％、67.25wt％或67.3wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述Fe的含量优选为62.3-66.3wt％，例如62.3wt％、62.6wt％、62.82wt％、63.1wt％、63.4wt％、63.72wt％、63.75wt％、63.8wt％、63.95wt％、64.0wt％、64.1wt％、64.15wt％、64.2wt％、64.25wt％、64.27wt％、64.28wt％、64.3wt％、64.32wt％、64.35wt％、64.4wt％、64.5wt％、64.6wt％、64.8wt％、65.25wt％、65.3wt％、65.8wt％或66.3wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述T中包含Co时，所述Co的含量优选为0-2.0wt％、但不为0，例如0.5wt％、1.0wt％、1.5wt％或2.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述B的含量优选为0.93-1.0wt％，例如0.93wt％、0.95wt％、0.954wt％、0.955wt％或0.98wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述Al的含量优选为0.55-0.8wt％，例如0.55wt％、0.6wt％、0.65wt％、0.7wt％、0.75wt％或0.8wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述M为Cu、Ga、Zr和Ti中的一种或多种。
本发明中，所述M的含量优选为0.35-2.35wt％，例如0.35wt％、0.45wt％、0.55wt％、0.65wt％、0.7wt％、0.75wt％、0.8wt％、0.85wt％、0.95wt％、1.0wt％、1.15wt％、1.55wt％、1.85wt％或2.35wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，当所述M中包含Cu时，所述Cu的含量≥0.3wt％，例如0.3-2.0wt％，再例如0.3wt％、0.4wt％、0.5wt％、0.8wt％、1.2wt％、1.5wt％或2.0wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，当所述M中包含Ga时，所述Ga的含量≤0.3wt％、但不为0，例如0.1-0.3wt％，再例如0.1wt％、0.2wt％、0.25wt％或0.3wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，当所述M中包含Zr时，所述Zr的含量为0.1-0.3wt％，例如0.15-0.3wt％，再例如0.15wt％、0.2wt％、0.25wt％或0.3wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，当所述M中包含Ti时，所述Ti的含量≥0.1wt％，例如0.1-0.35wt％，再例如0.1wt％、0.15wt％、0.2wt％、0.3wt％或0.35wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述钕铁硼磁体材料中，优选地还包括Mn。
其中，所述Mn的含量优选地小于0.035at％、但不为0，更佳地为0.01-0.035at％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的原子百分比。
其中，所述Mn的含量优选地小于0.04％wt％、但不为0，例如0.02wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt％Nd，4.0-14.0wt％RH，0-2.0wt％Co，62.3-66.3wt％Fe，0.93-1.0wt％B，0.55-0.8wt％Al，0.35-2.35wt％M，其中：RH为Gd和Ho，M为Zr、Ti、Nb、Cu和Ga中的一种或多种，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt％Nd，4.0-14.0wt％RH，0-2.0wt％Co，62.3-66.3wt％Fe，0.93-1.0wt％B，0.55-0.8wt％Al，0.3-2.0wt％Cu，0.0-0.3wt％Ga，0.1-0.3wt％Zr，≥0.1wt％Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt％Nd，4.0-14.0wt％RH，0-2.0wt％Co，62.3-66.3wt％Fe，0.93-1.0wt％B，0.55-0.6wt％Al，0.3-2.0wt％Cu，0.1-0.3wt％Ga，0.15-0.3wt％Zr，0.1-0.35wt％Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt％Nd，4.0-14.0wt％RH，0-2.0wt％Co，62.3-66.3wt％Fe，0.93-1.0wt％B，0.55-0.6wt％Al，0.3-2.0wt％Cu，0.1-0.3wt％Ga，0.1-0.35wt％Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-20.0wt％Nd，5.0-7.0wt％Pr，4.0-10.0wt％Gd，0-2.0wt％Co，62.3-66.3wt％Fe，0.93-1.0wt％B，0.55-0.6wt％Al，0.3-2.0wt％Cu，0.2-0.25wt％Ga，0.1-0.35wt％Ti，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，Al≥0.55wt％，B≥0.955wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，Al≥0.55wt％，B：0.925-0.954wt％，Gd≥1.05wt％，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
本发明还提供了一种钕铁硼磁体材料的制备方法，其包括下述步骤：将所述钕铁硼磁体材料的原料组合物的熔融液经铸造、氢破、粉碎、成形和烧结处理，即得所述钕铁硼磁体材料。
其中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物的熔融液可按本领域常规方法制得，例如：在高频真空感应熔炼炉中熔炼，即可。
所述熔炼炉的真空度可为5×10-2Pa。
所述熔炼的温度可为1500℃以下。
其中，所述铸造的工艺可为本领域常规的铸造工艺，例如：在Ar气氛中(例如5.5×104Pa的Ar气氛下)，以102℃/秒-104℃/秒的速度冷却，即可。
所述冷却可通过辊轮中通入冷却水实现。
所述冷却可为冷却至700-900℃。
其中，所述铸造后所得的铸片可通过收集器收集。一般应将收集后的铸片冷却至50℃以下。
所述铸片的厚度可为250-350微米。
其中，所述氢破的工艺可为本领域常规的氢破工艺，例如经吸氢、脱氢、冷却处理，即可。
所述吸氢可在氢气压力0.067MPa的条件下进行。
所述脱氢的温度可为510℃。
所述氢破后还可按本领域常规工艺进行混料处理。其中，所述混料的时间可为3h。
其中，所述氢破后还可按本领域常规手段进行粉碎。所述粉碎的工艺可为本领域常规的粉碎工艺，例如气流磨粉碎。
所述气流磨粉碎的时间可为3小时。
所述气流磨粉碎过程中可通入氧气含量为30-50ppm的氮气。
所述气流磨粉碎后，混合合金粉体的粒径可为3-4μm，例如3.5μm。
其中，所述成形的工艺可为本领域常规的成形工艺，例如磁场成形法或热压热变形法。优选地，所述成形的压制设备氛围中氧含量≤200ppm。
其中，所述烧结的温度优选地为1040-1150℃，例如1070℃。
其中，所述烧结的时间可为本领域常规的烧结时间，例如3-10h，再例如5h。
其中，所述烧结后还可进行时效处理。
所述时效处理的温度优选为430-560℃，例如460℃。
所述时效处理的时间可为1-6h，例如4h。
本发明还提供了一种采用上述方法制得的钕铁硼磁体材料。
本发明还提供了一种所述钕铁硼磁体材料作为电子元器件的应用。
其中，所述应用的领域可为汽车驱动领域、风电领域、伺服电机和家电领域(例如空调)。
本发明中，所述室温是指25℃±5℃。
本发明中，Nd是指钕，Pr是指镨，Ho是指钬，Gd是指钆，Tb是指铽，Dy是指镝，Fe是指铁，Co是指钴，B是指硼，Al是指铝，Cu是指铜，Nb是指铌，Ni是指镍，Zn是指锌，Ga是指镓，Ag是指银，In是指铟，Sn是指锡，Bi是指铋，Ti是指钛，V是指钒，Cr是指铬，Zr是指锆，Mo是指钼，Hf是指铪，Ta是指钽，W是指钨，Mn是指锰，C是指碳，O是指氧，N是指氮。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：
本发明中的钕铁硼磁体性能优异，20-80℃条件下，剩磁温度系数α绝对值≤0.12，矫顽力温度系数β绝对值≤0.57。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
实施例1
本实施例中制备钕铁硼磁体材料所用的原料为Nd26.5Ho4.5Gd0.5Fe64.3Co2.0Cu0.3Ga0. 2Al0.6B0.95Zr0.15其中，下标的数值为各元素占所述钕铁硼磁体质量百分数，制备的工艺为：
(1)制备合金溶液，该合金溶液含有相应的元素和相应的含量，如表1所示，取配制好的原料放入坩埚中，在高频真空感应熔炼炉中在5×10-2Pa的真空中以1500℃以下的温度进行真空熔炼。
(2)合金溶液通过旋转的辊轮，冷却至温度在700-900℃的范围，形成厚度均匀的合金铸片。铸片通过收集器收集并冷却至50℃以下，收集得到厚度为250-350微米的合金片。
(3)将(2)中的合金片依次经氢破和气流磨处理得混合合金粉体；其中：
氢破是在0.067MPa的氢气压力下饱和吸氢，在510℃下脱氢；
气流磨处理工艺如下：在氧气含量30-50ppm的氮气气氛下，在粉碎室压力为0.38MPa的条件下对氢破粉碎后的粉末进行3小时的气流磨粉碎，得到细粉；经气流磨处理后的混合合金粉体的粒径为3.5μm。
(4)在气流磨粉碎后的粉末中添加硬脂酸锌，硬脂酸锌的添加量为混合后粉末重量的0.12％，再用V型混料机充分混合，混料时间为3小时。
(5)使用直角取向型的磁场成型机，在1.6T的取向磁场中，在0.35ton/cm2的成型压力下，将上述添加了硬脂酸锌的合金粉末一次成形成边长为25mm的立方体，一次成形后在0.2T的磁场中退磁。为使一次成形后的成形体不接触到空气，将其进行密封，再使用二次成形机(等静压成形机)在1.3ton/cm2的压力下进行二次成形。其中压制设备氛围中氧含量≤200ppm。
(6)将各成形体搬至烧结炉进行烧结，依次在1070℃温度下烧结5小时、在460℃条件下经4小时的时效工艺即得。
以上磁体的磁性能为：Hcj：18.76kOe，Br：12.69kGs。
表1原料组分质量百分比(wt％)
注：PrNd中的比例为Pr：Nd＝25:75。
实施例2-62、对比例1-7
具体配方见表1，制备方法同实施例1。
效果实施例
(1)成分测定
实施例1-62、对比例1-7的烧结磁体使用高频电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)测定具体成分。下表所示为成分检测结果。
表2烧结磁体组分质量百分比(wt％)
注：Bal.为Fe及不可避免的杂质。
(2)磁性能检测
磁性能评价：烧结磁铁使用中国计量院的NIM-10000H型BH大块稀土永磁无损测量系统进行磁性能检测。下表所示为磁性能检测结果。
其中，Br的温度系数和Hcj的温度系数计算方式分别为：
Br温度系数α＝(BrT2-BrT1)/BrT1/(T2-T1)*100；
Hcj温度系数β＝(HcjT2-HcjT1)/HcjT1/(T2-T1)*100。
表3
(3)钕铁硼磁体中各元素的含量以及分布的测试方法
对烧结磁铁的垂直取向面进行抛光，采用场发射电子探针显微分析仪(FE-EPMA)(日本电子株式会社(JEOL)，8530F)检测。首先通过FE-EPMA面扫描确定磁铁中Ho、Gd和Dy等RH元素的分布，然后通过FE-EPMA单点定量分析确定关键相中Ho、Gd和Dy等RH元素的含量，测试条件为加速电压15kv，探针束流50nA。
表4
Claims (17)
1.一种钕铁硼磁体材料，其特征在于，以重量百分比计，所述钕铁硼磁体材料包括如下组分：
（1）30.3 wt%≤R≤33.5wt%，其中：
所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL和重稀土元素RH；所述轻稀土元素RL的种类为Nd和/或Pr；所述重稀土元素RH为Ho和Gd，所述Ho和Gd的含量之和为6.3-14.0 wt%；其中，所述Ho的含量为0.3-1.8wt%；
（2）T：62.5-67.7wt%，所述T至少包括Fe；
（3）B：≥0.925wt%；
（4）Al：＞0.5wt%；
（5）M：≥0.35wt%，所述M为Cu、Ga、Ti和Zr中的一种或多种，其中，所述M中包含Cu，所述Cu的含量为1.5-2.0wt%；
及不可避免的杂质；
所述钕铁硼磁体材料包含R2T14B主相和晶界相，所述R2T14B主相和所述晶界相中均分布有所述RH，所述R2T14B主相中的重稀土RH1和所述晶界相中的重稀土RH2的质量之比≥10%；
所述钕铁硼磁体材料的制备方法包括以下步骤：将所述钕铁硼磁体材料的原料组合物的熔融液经铸造、氢破、粉碎、成形和烧结处理，即得所述钕铁硼磁体材料。
2.如权利要求1所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，所述R的含量为30.5-33.3wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量为6.3-13.8 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述Ho和Gd的含量之和≥6.3 wt%、＜12.8 wt%，或者，6.3-13.8 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述重稀土元素RH中包括Gd时，所述Gd的含量为0.5-10.0 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述T的含量为64.0-67.5wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述T为Fe或“Fe和Co”；
或者，以原子比计，所述Fe和所述B的原子比≤13.55；
和/或，所述B的含量为0.93-1.0 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量为0.55-0.8wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述M的含量为0.35-2.35wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
当所述M中包含Ga时，所述Ga的含量≤0.3wt%、但不为0，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
当所述M中包含Zr时，所述Zr的含量为0.1-0.3wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
当所述M中包含Ti时，所述Ti的含量≥0.1wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述钕铁硼磁体材料中，还包括Mn；
和/或，所述R2T14B主相中的重稀土RH1在所述钕铁硼磁体材料总重稀土RH中的质量占比≥10.10%；
和/或，所述钕铁硼磁体材料中，还包含C、N和O。
3.如权利要求2所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，所述R的含量为30.5 wt%、30.8wt%、31.3 wt%、31.5 wt%、31.8 wt%或33.3wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述轻稀土元素RL中包含Nd时，所述Nd的含量为15.5-29.5 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述轻稀土元素RL中包含Pr时，所述Pr的含量为5.0-10.0 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述Ho和Gd的含量之和为6.3wt%、6.8wt%、7.3wt%、7.8wt%、8.3wt%、8.8wt%、9.3wt%、9.5wt%、9.8wt%、10.3wt%、10.8wt%、11.3wt%、11.8wt%、12.8wt%或13.8wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述重稀土元素RH中包括Ho时，所述Ho的含量为0.8wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述重稀土元素RH中包括Gd时，所述Gd的含量为0.5 wt%、1.0 wt%、1.5 wt%、2.0 wt%、4.5 wt%、5.0 wt%、6.0 wt%、7.0 wt%、8.0 wt%或9.5 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述T的含量为64.29wt%、64.59wt%、64.83wt%、65.08wt%、65.43wt%、65.71wt%、65.73wt%、65.8wt%、65.81wt%、65.95wt%、66.02wt%、66.08wt%、66.09wt%、66.1wt%、66.11wt%、66.13wt%、66.16wt%、66.18wt%、66.19wt%、66.2wt%、66.21wt%、66.25wt%、66.26wt%、66.27wt%、66.28wt%、66.29wt%、66.3wt%、66.31wt%、66.32wt%、66.35wt%、66.39wt%、66.48wt%、66.58wt%、66.8wt%、67.05wt%、67.08wt%或67.31wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述Fe的含量为62.0-66.5wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述T中包含Co时，所述Co的含量为0-2.0wt%、但不为0，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
或者，以原子比计，所述Fe和所述B的原子比≤13.17；
和/或，所述B的含量为0.93 wt%、0.95 wt%、0.954 wt%、0.955 wt%或0.98 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量为0.55 wt%、0.6 wt%、0.65wt%、0.7wt%、0.75wt%或0.8wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述M的含量为0.35 wt%、0.45 wt%、0.55 wt%、0.65 wt%、0.7 wt%、0.75 wt%、0.8 wt%、0.85 wt%、0.95 wt%、1.0 wt%、1.15 wt%、1.55 wt%、1.85 wt%或2.35 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Ga时，所述Ga的含量为0.1-0.3wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Zr时，所述Zr的含量为0.15-0.3 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Ti时，所述Ti的含量为0.1-0.35 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述Mn的含量小于0.04% wt%、但不为0，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述R2T14B主相中的重稀土RH1在所述钕铁硼磁体材料总重稀土RH中的质量占比为10.10%、10.30%、10.50%、10.80%、11.00%、11.10%、11.20%、11.30%、11.60%、11.70%、12.00%、12.10%、12.70%、13.00%、13.10%或13.20%；
和/或，当所述钕铁硼磁体材料中含有C时，所述C含量＜1000ppm；当所述钕铁硼磁体材料中含有O时，所述O含量为800-1200ppm；当所述钕铁硼磁体材料中含有N时，所述N含量为200-500ppm，ppm是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百万分之比。
4.如权利要求3所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，当所述轻稀土元素RL中包含Nd时，所述Nd的含量为16.0 wt%、17.5wt%、18.0wt%、19.0wt%、19.5wt%、20.0wt%、20.5wt%、21.0wt%、21.5wt%、22.0wt%、22.5wt%、23.0wt%、23.5wt%、24.0wt%、24.5wt%、25.0wt%、25.5wt%、26.0wt%或26.5wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述轻稀土元素RL中包含Pr时，所述Pr的含量为5.0wt%、6.5wt%或7.0wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述Fe的含量为62.29wt%、62.59wt%、62.83wt%、63.08wt%、63.43wt%、63.71wt%、63.73wt%、63.8wt%、63.81wt%、63.95wt%、64.02wt%、64.08wt%、64.09wt%、64.1wt%、64.11wt%、64.13wt%、64.16wt%、64.18wt%、64.19wt%、64.2wt%、64.21wt%、64.25wt%、64.26wt%、64.27wt%、64.28wt%、64.29wt%、64.3wt%、64.31wt%、64.32wt%、64.35wt%、64.39wt%、64.48wt%、64.58wt%、64.8wt%、64.81wt%、65.05wt%、65.08wt%、65.28wt%、65.31wt%、65.82wt%或66.3wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述T中包含Co时，所述Co的含量为0.5wt%、1.0wt%、1.5wt%或2.0wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
或者，以原子比计，所述Fe和所述B的原子比为12.59、12.69、12.70、12.75、12.85、12.93、13.00、13.03、13.05、13.06、13.07、13.08、13.09、13.10、13.11、13.12、13.14、13.15、13.16、13.21、13.26、13.30、13.31、13.39、13.41或13.51；
和/或，当所述M中包含Ga时，所述Ga的含量为0.1 wt%、0.2 wt%、0.25wt%或0.3wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Zr时，所述Zr的含量为0.15 wt%、0.2 wt%、0.25 wt%或0.3 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Ti时，所述Ti的含量为0.1 wt%、0.15 wt%、0.2 wt%、0.3 wt%或0.35 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述Mn的含量为0.02 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
5.如权利要求1所述的钕铁硼磁体材料，其特征在于，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt% Nd，6.3-13.8wt% RH，0-2.0wt% Co，62.0-66.5wt% Fe，0.93-1.0wt% B，0.55-0.8wt% Al，1.5-2.35 wt% M，其中：RH为Gd和Ho，M为Zr、Ti、Cu和Ga中的一种或多种，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
或者，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt% Nd，6.3-13.8wt% RH，0-2.0wt% Co，62.0-66.5wt% Fe，0.93-1.0wt% B，0.55-0.8wt% Al，1.5-2.0 wt% Cu，0.0-0.3wt% Ga，0.1-0.3wt% Zr，≥0.1wt% Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
或者，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt% Nd，6.3-13.8wt% RH，0-2.0wt% Co，62.0-66.5wt% Fe，0.93-1.0wt% B，0.55-0.6wt% Al，1.5-2.0wt% Cu，0.1-0.3wt% Ga，0.15-0.3wt% Zr，0.1-0.35wt% Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
或者，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt% Nd，6.3-13.8wt% RH，0-2.0wt% Co，62.0-66.5wt% Fe，0.93-1.0wt% B，0.55-0.6wt% Al，1.5-2.0wt% Cu，0.1-0.3wt% Ga，0.1-0.35wt% Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
或者，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，Al≥0.55wt%，B≥0.955wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
或者，所述钕铁硼磁体材料中，以重量百分比计，Al≥0.55wt%，B：0.925-0.954 wt%，Gd≥1.05wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比。
6.一种如权利要求1~5中任一项所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物，其特征在于，以重量百分比计，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括如下组分：
（1）30.5 wt%≤R≤33.5wt%，其中：
所述R为稀土元素；所述R中包括轻稀土元素RL和重稀土元素RH；所述轻稀土元素RL的种类为Nd和/或Pr；所述RH为Ho和Gd，所述Ho和Gd的含量之和为6.5-14.0 wt%；其中，所述Ho的含量为0.5-2wt%；
（2）T：62.5-67.7wt%，所述T至少包括Fe；
（3）B：≥0.925wt%；
（4）Al：＞0.5wt%；
（5）M：≥0.35wt%，所述M为Cu、Ga、Ti和Zr中的一种或多种，其中，所述M中包含Cu，所述Cu的含量为1.5-2.0wt%；
及不可避免的杂质。
7.如权利要求6所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物，其特征在于，所述R的含量为31.0-33.5wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Ho和Gd的含量之和≥6.5 wt%、＜13 wt%，或者，6.5-14.0 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述重稀土元素RH中包括Gd时，所述Gd的含量为0.5-10.0 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述T的含量为64.3-67.3wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述T为Fe或“Fe和Co”；
和/或，所述B的含量为0.93-1.0 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量为0.55-0.8wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述M的含量为0.35-2.35wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
当所述M中包含Ga时，所述Ga的含量≤0.3wt%、但不为0，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
当所述M中包含Zr时，所述Zr的含量为0.1-0.3wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
当所述M中包含Ti时，所述Ti的含量≥0.1wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述钕铁硼磁体材料中，还包括Mn。
8.如权利要求7所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物，其特征在于，所述R的含量为31.0 wt%、31.5 wt%、32.0 wt%、33.0 wt%或33.5wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述轻稀土元素RL中包含Nd时，所述Nd的含量为15.5-29.5 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述轻稀土元素RL中包含Pr时，所述Pr的含量为5.0wt%、6.5wt%或7.0wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述Ho和Gd的含量之和为6.5wt%、7.0wt%、7.5wt%、8.0wt%、8.5wt%、9.0wt%、9.5wt%、10.0wt%、10.5wt%、11.0wt%、11.5wt%、12.0wt%、13.0wt%或14.0wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述重稀土元素RH中包括Ho时，所述Ho的含量为1.0 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述重稀土元素RH中包括Gd时，所述Gd的含量为0.5 wt%、1.0 wt%、1.5 wt%、2.0 wt%、4.5 wt%、5.0 wt%、6.0 wt%、7.0 wt%、8.0 wt%或9.5 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述T的含量为64.3 wt%、64.6 wt%、64.82 wt%、65.1 wt%、65.4 wt%、65.72wt%、65.75 wt%、65.8 wt%、65.95 wt%、66.0 wt%、66.1 wt%、66.15 wt%、66.2 wt%、66.25wt%、66.27 wt%、66.28 wt%、66.3 wt%、66.32 wt%、66.35 wt%、66.4 wt%、66.5 wt%、66.6wt%、66.8 wt%、67.25 wt%或67.3 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Fe的含量为62.3-66.3wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述T中包含Co时，所述Co的含量为0-2.0wt%、但不为0，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述B的含量为0.93 wt%、0.95 wt%、0.954 wt%、0.955 wt%或0.98 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量为0.55 wt%、0.6 wt%、0.65wt%、0.7wt%、0.75wt%或0.8wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述M的含量为0.35 wt%、0.45 wt%、0.55 wt%、0.65 wt%、0.7 wt%、0.75 wt%、0.8 wt%、0.85 wt%、0.95 wt%、1.0 wt%、1.15 wt%、1.55 wt%、1.85 wt%或2.35 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Ga时，所述Ga的含量为0.1-0.3wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Zr时，所述Zr的含量为0.15-0.3 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Ti时，所述Ti的含量为0.1-0.35 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Mn的含量小于0.04% wt%、但不为0，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
9.如权利要求8所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物，其特征在于，当所述轻稀土元素RL中包含Nd时，所述Nd的含量为17.5wt%、18.0wt%、19.0wt%、19.5wt%、20.0wt%、20.5wt%、21.0wt%、21.5wt%、22.0wt%、22.5wt%、23.0wt%、23.5wt%、24.0wt%、24.5wt%、25.0wt%、25.5wt%、26.0wt%或26.5wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述轻稀土元素RL中包含Pr时，所述Pr的含量为5.0wt%、6.5wt%或7.0wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比；
和/或，所述Fe的含量为62.3 wt%、62.6 wt%、62.82 wt%、63.1 wt%、63.4 wt%、63.72wt%、63.75 wt%、63.8 wt%、63.95 wt%、64.0 wt%、64.1 wt%、64.15 wt%、64.2 wt%、64.25wt%、64.27 wt%、64.28 wt%、64.3 wt%、64.32 wt%、64.35 wt%、64.4 wt%、64.5 wt%、64.6wt%、64.8 wt%、65.25 wt%、65.3 wt%、65.8 wt%或66.3 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述T中包含Co时，所述Co的含量为0.5wt%、1.0wt%、1.5wt%或2.0wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Ga时，所述Ga的含量为0.1 wt%、0.2 wt%、0.25wt%或0.3wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Zr时，所述Zr的含量为0.15 wt%、0.2 wt%、0.25 wt%或0.3 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述M中包含Ti时，所述Ti的含量为0.1 wt%、0.15 wt%、0.2 wt%、0.3 wt%或0.35 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Mn的含量为0.02 wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
10.如权利要求6所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物，其特征在于，所述钕铁硼磁体材料，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt% Nd，6.5-14.0wt% RH，0-2.0wt%Co，62.3-66.3wt% Fe，0.93-1.0wt% B，0.55-0.8wt% Al，1.5-2.35 wt% M，其中：RH为Gd和Ho，M为Zr、Ti、Cu和Ga中的一种或多种，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt% Nd，6.5-14.0wt% RH，0-2.0wt% Co，62.3-66.3wt% Fe，0.93-1.0wt% B，0.55-0.8wt% Al，1.5-2.0 wt% Cu，0.0-0.3wt% Ga，0.1-0.3wt% Zr，≥0.1wt% Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt% Nd，6.5-14.0wt% RH，0-2.0wt% Co，62.3-66.3wt% Fe，0.93-1.0wt% B，0.55-0.6wt% Al，1.5-2.0wt% Cu，0.1-0.3wt% Ga，0.15-0.3wt% Zr，0.1-0.35wt% Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，其包括如下组分：15.5-29.5wt% Nd，6.5-14.0wt% RH，0-2.0wt% Co，62.3-66.3wt% Fe，0.93-1.0wt% B，0.55-0.6wt% Al，1.5-2.0wt% Cu，0.1-0.3wt% Ga，0.1-0.35wt% Ti，其中：RH为Gd和Ho，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，Al≥0.55wt%，B≥0.955wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比；
或者，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中，以重量百分比计，Al≥0.55wt%，B：0.925-0.954 wt%，Gd≥1.05wt%，百分比是指在所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中的重量百分比。
11.一种钕铁硼磁体材料的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤：将如权利要求6-10中任一项所述钕铁硼磁体材料的原料组合物的熔融液经铸造、氢破、粉碎、成形和烧结处理，即得所述钕铁硼磁体材料。
12.如权利要求11所述的钕铁硼磁体材料的制备方法，其特征在于，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物的熔融液按下述方法制得：在高频真空感应熔炼炉中熔炼，即可；
和/或，所述铸造的工艺按下述方法进行：在Ar气氛中，以102℃/秒-104℃/秒的速度冷却，即可；
和/或，所述铸造后所得的铸片通过收集器收集，将收集后的铸片冷却至50℃以下；
和/或，所述氢破的工艺包括经吸氢、脱氢、冷却处理；
和/或，所述氢破后还进行粉碎；
和/或，所述成形的方法为磁场成形法或热压热变形法；
和/或，所述烧结的温度为1040-1150℃；
和/或，所述烧结的时间为3-10h；
和/或，所述烧结后还进行时效处理。
13.如权利要求12所述的钕铁硼磁体材料的制备方法，其特征在于，所述熔炼炉的真空度为5×10-2Pa；
和/或，所述熔炼的温度为1500℃以下；
和/或，所述冷却通过辊轮中通入冷却水实现；
和/或，所述冷却为冷却至700-900℃；
和/或，所述铸片的厚度为250-350微米；
和/或，所述吸氢在氢气压力0.067MPa的条件下进行；
和/或，所述脱氢的温度为510℃；
和/或，所述粉碎的工艺为气流磨粉碎；
和/或，所述成形的压制设备氛围中氧含量≤200ppm；
和/或，所述烧结的温度为1070℃；
和/或，所述烧结的时间为5h；
和/或，所述时效处理的温度为430-560℃；
和/或，所述时效处理的时间为1-6h。
14.如权利要求13所述的钕铁硼磁体材料的制备方法，其特征在于，所述气流磨粉碎的时间为3小时；
和/或，所述气流磨粉碎过程中通入氧气含量为30-50ppm的氮气；
和/或，所述气流磨粉碎后，混合合金粉体的粒径为3-4μm；
和/或，所述时效处理的温度为460℃；
和/或，所述时效处理的时间为4h。
15.如权利要求14所述的钕铁硼磁体材料的制备方法，其特征在于，所述气流磨粉碎后，混合合金粉体的粒径为3.5μm。
16.一种采用如权利要求11-15中任一项所述的钕铁硼磁体材料的制备方法制得的钕铁硼磁体材料。
17.一种如权利要求1-5和16中任一项所述的钕铁硼磁体材料作为电子元器件的应用。
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| CN104249137A (zh) * | 2014-09-12 | 2014-12-31 | 沈阳中北通磁科技股份有限公司 | 稀土永磁合金的制造方法和钕铁硼稀土永磁体及制造方法 |
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